JP3426926B2 - 配線基板およびその実装構造 - Google Patents
配線基板およびその実装構造Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
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- H05K3/3431—Leadless components
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メタライズ配線層
を具備する配線基板およびその実装構造に関するもので
ある。
を具備する配線基板およびその実装構造に関するもので
ある。
【０００２】
【従来技術】従来、配線基板は、絶縁基板の表面あるい
は内部にメタライズ配線層が配設された構造からなる。
また、この配線基板としての代表的な例として、半導体
素子、特にＬＳＩ等の半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージは、その表面および内部にＷや
Ｍｏ等のメタライズ配線層が、またその底面に接続端子
が配設された、アルミナセラミックス等からなる絶縁基
板と、絶縁基板の上面中央部に半導体素子を収容するた
めのキャビティが形成され、キャビティは蓋体によって
気密に封止される。
は内部にメタライズ配線層が配設された構造からなる。
また、この配線基板としての代表的な例として、半導体
素子、特にＬＳＩ等の半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージは、その表面および内部にＷや
Ｍｏ等のメタライズ配線層が、またその底面に接続端子
が配設された、アルミナセラミックス等からなる絶縁基
板と、絶縁基板の上面中央部に半導体素子を収容するた
めのキャビティが形成され、キャビティは蓋体によって
気密に封止される。
【０００３】一般に、半導体素子の集積度が高まるほ
ど、半導体素子に形成される電極数も増大するが、これ
に伴いこれを収納する半導体収納用パッケージにおける
端子数も増大することになる。ところが、電極数が増大
するに伴いパッケージ自体の寸法を大きくするにも限界
があり、より小型化を要求される以上、パッケージにお
ける接続端子の形成密度を高くすることが必要となる。
ど、半導体素子に形成される電極数も増大するが、これ
に伴いこれを収納する半導体収納用パッケージにおける
端子数も増大することになる。ところが、電極数が増大
するに伴いパッケージ自体の寸法を大きくするにも限界
があり、より小型化を要求される以上、パッケージにお
ける接続端子の形成密度を高くすることが必要となる。
【０００４】これまでのパッケージにおける端子の密度
を高めるための構造としては、パッケージの下面にコバ
ールなどの金属ピンを接続したピングリッドアレイ（Ｐ
ＧＡ）が最も一般的であるが、最近では、パッケージの
４つの側面に導出されたメタライズ配線層にガルウイン
グ状（Ｌ字状）の金属ピンが接続されたタイプのクワッ
ドフラットパッケージ（ＱＦＰ）、パッケージの４つの
側面に電極パッドを備え、リードピンがないリードレス
チップキャリア（ＬＣＣ）、Ｓｉチップをフリップチッ
プ実装したチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）、さらに
絶縁基板の下面に半田からなる球状端子を多数配置した
ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）等があり、これらの中
でもＢＧＡが最も高密度化が可能であると言われてい
る。
を高めるための構造としては、パッケージの下面にコバ
ールなどの金属ピンを接続したピングリッドアレイ（Ｐ
ＧＡ）が最も一般的であるが、最近では、パッケージの
４つの側面に導出されたメタライズ配線層にガルウイン
グ状（Ｌ字状）の金属ピンが接続されたタイプのクワッ
ドフラットパッケージ（ＱＦＰ）、パッケージの４つの
側面に電極パッドを備え、リードピンがないリードレス
チップキャリア（ＬＣＣ）、Ｓｉチップをフリップチッ
プ実装したチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）、さらに
絶縁基板の下面に半田からなる球状端子を多数配置した
ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）等があり、これらの中
でもＢＧＡが最も高密度化が可能であると言われてい
る。
【０００５】このボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）で
は、接続パッドに半田などのロウ材からなる球状端子を
ロウ付けした端子により構成し、この球状端子を外部電
気回路基板の配線導体上に載置当接させ、しかる後、前
記端子を約２５０〜４００℃の温度で加熱溶融し、球状
端子を配線導体に接合させることによって外部電気回路
基板上に実装することが行われている。このような実装
構造により、半導体素子収納用パッケージの内部に収容
されている半導体素子はその各電極がメタライズ配線層
及び接続端子を介して外部電気回路に電気的に接続され
る。
は、接続パッドに半田などのロウ材からなる球状端子を
ロウ付けした端子により構成し、この球状端子を外部電
気回路基板の配線導体上に載置当接させ、しかる後、前
記端子を約２５０〜４００℃の温度で加熱溶融し、球状
端子を配線導体に接合させることによって外部電気回路
基板上に実装することが行われている。このような実装
構造により、半導体素子収納用パッケージの内部に収容
されている半導体素子はその各電極がメタライズ配線層
及び接続端子を介して外部電気回路に電気的に接続され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これらのパッケージに
おける絶縁基板として使用されているアルミナ、ムライ
トなどのセラミックスは、２００ＭＰａ以上の高強度を
有し、しかもメタライズ配線層などとの多層化技術とし
て信頼性の高いことで有用ではあるが、その熱膨張係数
は約４〜７ｐｐｍ／℃程度であるのに対して、パッケー
ジが実装される外部電気回路基板として最も多用されて
いるガラス−エポキシ絶縁層にＣｕ配線層が形成された
プリント基板の熱膨張係数は１１〜１８ｐｐｍ／℃と非
常に大きい。
おける絶縁基板として使用されているアルミナ、ムライ
トなどのセラミックスは、２００ＭＰａ以上の高強度を
有し、しかもメタライズ配線層などとの多層化技術とし
て信頼性の高いことで有用ではあるが、その熱膨張係数
は約４〜７ｐｐｍ／℃程度であるのに対して、パッケー
ジが実装される外部電気回路基板として最も多用されて
いるガラス−エポキシ絶縁層にＣｕ配線層が形成された
プリント基板の熱膨張係数は１１〜１８ｐｐｍ／℃と非
常に大きい。
【０００７】そのため、配線基板や半導体素子収納用パ
ッケージに半導体素子を収容し、しかる後、プリント基
板などに実装した場合、半導体素子の作動時に発する熱
が絶縁基板とプリント基板の両方に繰り返し印加される
と前記絶縁基板とプリント基板との熱膨張差に起因する
大きな熱応力が発生する。この熱応力は、パッケージに
おける端子数が３００以下の場合には影響はないが、端
子数が３００を超えたり、パッケージのサイズが大型化
するに従い、その熱応力が大きくなる。
ッケージに半導体素子を収容し、しかる後、プリント基
板などに実装した場合、半導体素子の作動時に発する熱
が絶縁基板とプリント基板の両方に繰り返し印加される
と前記絶縁基板とプリント基板との熱膨張差に起因する
大きな熱応力が発生する。この熱応力は、パッケージに
おける端子数が３００以下の場合には影響はないが、端
子数が３００を超えたり、パッケージのサイズが大型化
するに従い、その熱応力が大きくなる。
【０００８】そのために、半導体素子の作動および停止
の繰り返しにより熱応力が絶縁基板下面の接続パッドの
外周部、及び外部電気回路基板の配線導体と端子との接
合界面に作用し、接続パッドが絶縁基板より剥離した
り、端子が配線導体より剥離したりし、配線基板やパッ
ケージをプリント基板に長期にわたり安定に電気的接続
させることができないという欠点を有していた。
の繰り返しにより熱応力が絶縁基板下面の接続パッドの
外周部、及び外部電気回路基板の配線導体と端子との接
合界面に作用し、接続パッドが絶縁基板より剥離した
り、端子が配線導体より剥離したりし、配線基板やパッ
ケージをプリント基板に長期にわたり安定に電気的接続
させることができないという欠点を有していた。
【０００９】そこで、絶縁基板の熱膨張係数をプリント
基板の熱膨張係数に整合させることが考えられるが、従
来のアルミナやムライトでは、そもそも熱膨張係数が大
きく異なるために、組成等を変えてもプリント基板の熱
膨張係数に整合させるのは非常に難しい。
基板の熱膨張係数に整合させることが考えられるが、従
来のアルミナやムライトでは、そもそも熱膨張係数が大
きく異なるために、組成等を変えてもプリント基板の熱
膨張係数に整合させるのは非常に難しい。
【００１０】そこで、本発明者らは、リチウム珪酸系結
晶化ガラスと、４０〜４００℃における熱膨張係数が６
ｐｐｍ／℃以上の無機質フィラーとからなる成形体を焼
成して、リチウム珪酸結晶相と、前記熱膨張係数が６ｐ
ｐｍ／℃の金属酸化物結晶相からなる前記熱膨張係数が
８〜１８ｐｐｍ／℃の焼結体を基板材料として用いるこ
とによりプリント基板などの外部電気回路基板との熱膨
張係数差が小さくなり、配線基板のプリント基板への実
装の信頼性を高めることができることを提案した。さら
にこの時、基板材料のヤング率を低くすることにより、
端子部に作用する応力が低減される。
晶化ガラスと、４０〜４００℃における熱膨張係数が６
ｐｐｍ／℃以上の無機質フィラーとからなる成形体を焼
成して、リチウム珪酸結晶相と、前記熱膨張係数が６ｐ
ｐｍ／℃の金属酸化物結晶相からなる前記熱膨張係数が
８〜１８ｐｐｍ／℃の焼結体を基板材料として用いるこ
とによりプリント基板などの外部電気回路基板との熱膨
張係数差が小さくなり、配線基板のプリント基板への実
装の信頼性を高めることができることを提案した。さら
にこの時、基板材料のヤング率を低くすることにより、
端子部に作用する応力が低減される。
【００１１】かかる提案では、リチウム珪酸系結晶化ガ
ラスを用いることにより、熱膨張係数の高いリチウム珪
酸結晶相と、金属酸化物結晶相を析出させることによ
り、高熱膨張のガラスセラミック焼結体を得るものであ
る。従って、ガラスセラミック焼結体の熱膨張係数およ
びヤング率は、用いる結晶化ガラスやフィラーとしての
金属酸化物の種類やそれらの量によってほぼ一義的に決
定される。一方、高熱膨張係数を有するプリント基板な
どの外部電気回路基板においても、プリント基板におけ
る絶縁基板の材質によってその熱膨張係数も変化するた
めに、その配線基板を実装する外部電気回路基板の種類
によって逐次、配線基板の熱膨張係数を制御するため
に、ガラスセラミック焼結体を作製するためのガラス、
フィラーおよびそれらの量を変更する必要があった。
ラスを用いることにより、熱膨張係数の高いリチウム珪
酸結晶相と、金属酸化物結晶相を析出させることによ
り、高熱膨張のガラスセラミック焼結体を得るものであ
る。従って、ガラスセラミック焼結体の熱膨張係数およ
びヤング率は、用いる結晶化ガラスやフィラーとしての
金属酸化物の種類やそれらの量によってほぼ一義的に決
定される。一方、高熱膨張係数を有するプリント基板な
どの外部電気回路基板においても、プリント基板におけ
る絶縁基板の材質によってその熱膨張係数も変化するた
めに、その配線基板を実装する外部電気回路基板の種類
によって逐次、配線基板の熱膨張係数を制御するため
に、ガラスセラミック焼結体を作製するためのガラス、
フィラーおよびそれらの量を変更する必要があった。
【００１２】また、リチウム珪酸系結晶化ガラスは、約
８５０℃でリチウム珪酸結晶相が生成し、さらに８７０
℃以上に昇温すると、この結晶相は溶解消失し、そし
て、焼成後の冷却過程で再度リチウム珪酸結晶相が生成
されるという結晶化メカニズムを有するが、このような
複雑な溶解、析出過程で、リチウム珪酸結晶相の析出量
が焼成条件によって変動しやすく、例えば、ガラス中に
Ａｌ2 Ｏ3 が含まれる場合には、ユークリプタイトなど
の低熱膨張結晶相等が析出する場合もあり、これらの低
熱膨張結晶相の析出が、高熱膨張化を阻害する場合もあ
った。
８５０℃でリチウム珪酸結晶相が生成し、さらに８７０
℃以上に昇温すると、この結晶相は溶解消失し、そし
て、焼成後の冷却過程で再度リチウム珪酸結晶相が生成
されるという結晶化メカニズムを有するが、このような
複雑な溶解、析出過程で、リチウム珪酸結晶相の析出量
が焼成条件によって変動しやすく、例えば、ガラス中に
Ａｌ2 Ｏ3 が含まれる場合には、ユークリプタイトなど
の低熱膨張結晶相等が析出する場合もあり、これらの低
熱膨張結晶相の析出が、高熱膨張化を阻害する場合もあ
った。
【００１３】よって、本発明は、高熱膨張特性を有する
絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層を具備
する配線基板を、プリント基板等の外部電気回路に対し
て、強固に且つ長期にわたり安定した接続状態を維持で
きる高信頼性を具備するとともに、同一組成物であって
も熱膨張係数およびヤング率の制御が可能な配線基板な
らびにその実装構造を提供することを目的とするもので
ある。
絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層を具備
する配線基板を、プリント基板等の外部電気回路に対し
て、強固に且つ長期にわたり安定した接続状態を維持で
きる高信頼性を具備するとともに、同一組成物であって
も熱膨張係数およびヤング率の制御が可能な配線基板な
らびにその実装構造を提供することを目的とするもので
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点に対して検討を重ねた結果、リチウム珪酸系ガラスと
無機質フィラーとを用いて、これを成形、焼成する過程
において、リチウム珪酸系ガラスを焼成温度まで高めた
後、その冷却速度を制御し、特に冷却速度を早めること
により、リチウム珪酸系非晶質相が生成され、この非晶
質相は、結晶質に比較して原子と原子との間隔が拡大す
るために熱膨張係数が高まると同時に焼結体のヤング率
も低下すること、さらには、低熱膨張のリチウムアルミ
ニウムシリケート結晶相などの析出も抑制されることか
ら、同一組成物であっても、その非晶質相の生成量を制
御することにより、熱膨張係数をさらに高く任意の範囲
で調整できるとともに、ヤング率をさらに小さくできる
ことを見いだし、本発明に至った。
点に対して検討を重ねた結果、リチウム珪酸系ガラスと
無機質フィラーとを用いて、これを成形、焼成する過程
において、リチウム珪酸系ガラスを焼成温度まで高めた
後、その冷却速度を制御し、特に冷却速度を早めること
により、リチウム珪酸系非晶質相が生成され、この非晶
質相は、結晶質に比較して原子と原子との間隔が拡大す
るために熱膨張係数が高まると同時に焼結体のヤング率
も低下すること、さらには、低熱膨張のリチウムアルミ
ニウムシリケート結晶相などの析出も抑制されることか
ら、同一組成物であっても、その非晶質相の生成量を制
御することにより、熱膨張係数をさらに高く任意の範囲
で調整できるとともに、ヤング率をさらに小さくできる
ことを見いだし、本発明に至った。
【００１５】即ち、本発明の配線基板は、絶縁基板とメ
タライズ配線層とを具備するものであり、前記絶縁基板
を、Ｌｉを酸化物換算で５重量％以上含有するリチウム
珪酸系の非晶質相を１５〜６０体積％と、４０〜４００
℃における熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物
結晶相を合計で８５〜４０体積％の割合で含有し、ヤン
グ率が１００ＧＰａ以下であり、且つ４０〜４００℃に
おける熱膨張係数が８〜１８ｐｐｍ／℃の焼結体により
構成したことを特徴とするものである。
タライズ配線層とを具備するものであり、前記絶縁基板
を、Ｌｉを酸化物換算で５重量％以上含有するリチウム
珪酸系の非晶質相を１５〜６０体積％と、４０〜４００
℃における熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物
結晶相を合計で８５〜４０体積％の割合で含有し、ヤン
グ率が１００ＧＰａ以下であり、且つ４０〜４００℃に
おける熱膨張係数が８〜１８ｐｐｍ／℃の焼結体により
構成したことを特徴とするものである。
【００１６】また、本発明の配線基板の実装構造は、少
なくとも有機樹脂を含む絶縁体の表面に配線導体が被着
形成された外部電気回路基板上に、絶縁基板が、Ｌｉを
酸化物換算で５重量％以上含有するリチウム珪酸系の非
晶質相を１５〜６０体積％と、４０〜４００℃における
熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物結晶相を合
計で８５〜４０体積％の割合で含有し、ヤング率が１０
０ＧＰａ以下であり、且つ４０〜４００℃における熱膨
張係数が８〜１８ｐｐｍ／℃の焼結体からなる配線基板
を前記配線導体にロウ付けにより実装したことを特徴と
する。
なくとも有機樹脂を含む絶縁体の表面に配線導体が被着
形成された外部電気回路基板上に、絶縁基板が、Ｌｉを
酸化物換算で５重量％以上含有するリチウム珪酸系の非
晶質相を１５〜６０体積％と、４０〜４００℃における
熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物結晶相を合
計で８５〜４０体積％の割合で含有し、ヤング率が１０
０ＧＰａ以下であり、且つ４０〜４００℃における熱膨
張係数が８〜１８ｐｐｍ／℃の焼結体からなる配線基板
を前記配線導体にロウ付けにより実装したことを特徴と
する。
【００１７】なお、上記配線基板およびその実装構造に
おいて、絶縁基板中の金属酸化物結晶相が、フォルステ
ライト、クオーツ、クリストバライト、エンスタタイ
ト、アルミナおよびリチウム珪酸の群から選ばれた少な
くとも１種からなることが望ましい。
おいて、絶縁基板中の金属酸化物結晶相が、フォルステ
ライト、クオーツ、クリストバライト、エンスタタイ
ト、アルミナおよびリチウム珪酸の群から選ばれた少な
くとも１種からなることが望ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を一実施例を示す添
付図面に基づき詳細に説明する。図１は、本発明におけ
るＢＧＡ型の半導体素子収納用パッケージとその実装構
造の一実施例を示す図であり、このパッケージは、絶縁
基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配設され
た、いわゆる配線基板を基礎的構造とするものであり、
Ａは半導体素子収納用パッケージ、Ｂは外部電気回路基
板をそれぞれ示す。
付図面に基づき詳細に説明する。図１は、本発明におけ
るＢＧＡ型の半導体素子収納用パッケージとその実装構
造の一実施例を示す図であり、このパッケージは、絶縁
基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配設され
た、いわゆる配線基板を基礎的構造とするものであり、
Ａは半導体素子収納用パッケージ、Ｂは外部電気回路基
板をそれぞれ示す。
【００１９】半導体素子収納用パッケージＡは、絶縁基
板１と蓋体２とメタライズ配線層３と接続端子４により
構成され、絶縁基板１及び蓋体２は半導体素子５を内部
に気密に収容するためのキャビティ６を形成する。そし
て、キャビティ６内にて半導体素子５はガラス、樹脂等
の接着剤を介して絶縁基板１に接着固定される。
板１と蓋体２とメタライズ配線層３と接続端子４により
構成され、絶縁基板１及び蓋体２は半導体素子５を内部
に気密に収容するためのキャビティ６を形成する。そし
て、キャビティ６内にて半導体素子５はガラス、樹脂等
の接着剤を介して絶縁基板１に接着固定される。
【００２０】また、絶縁基板１の表面および内部にはメ
タライズ配線層３が配設されており、半導体素子５と絶
縁基板１の下面に形成された接続端子４と電気的に接続
するように配設されている。図１のパッケージによれ
ば、接続端子４は、接続パッド４ａを介して高融点の半
田（錫−鉛合金）から成る球状端子４ｂがロウ材により
取着されている。
タライズ配線層３が配設されており、半導体素子５と絶
縁基板１の下面に形成された接続端子４と電気的に接続
するように配設されている。図１のパッケージによれ
ば、接続端子４は、接続パッド４ａを介して高融点の半
田（錫−鉛合金）から成る球状端子４ｂがロウ材により
取着されている。
【００２１】一方、外部電気回路基板Ｂは、絶縁体７と
配線導体８により構成されており、絶縁体７は、少なく
とも有機樹脂を含む材料からなり、具体的には、ガラス
−エポキシ系複合材料などのように４０〜４００℃にお
ける熱膨張係数が１２〜１６ｐｐｍ／℃の絶縁材料から
なり、一般にはプリント基板等が用いられる。また、こ
の基板Ｂの表面に形成される配線導体８は、絶縁体７と
の熱膨張係数の整合性と、良電気伝導性の点で、通常、
Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｂ−Ｓｎなどの金属
導体からなる。
配線導体８により構成されており、絶縁体７は、少なく
とも有機樹脂を含む材料からなり、具体的には、ガラス
−エポキシ系複合材料などのように４０〜４００℃にお
ける熱膨張係数が１２〜１６ｐｐｍ／℃の絶縁材料から
なり、一般にはプリント基板等が用いられる。また、こ
の基板Ｂの表面に形成される配線導体８は、絶縁体７と
の熱膨張係数の整合性と、良電気伝導性の点で、通常、
Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｂ−Ｓｎなどの金属
導体からなる。
【００２２】半導体素子収納用パッケージＡを外部電気
回路基板Ｂに実装するには、パッケージＡの絶縁基板１
下面の球状端子４ｂを外部電気回路基板Ｂの配線導体８
上に載置当接させ、しかる後、低融点の半田等のロウ材
により約２５０〜４００℃の温度で加熱することによ
り、配線導体８と接合することにより外部電気回路基板
Ｂ上に実装される。この時、配線導体８の表面には球状
端子４ｂとのロウ材による接続を容易に行うためにロウ
材が被着形成されていることが望ましい。
回路基板Ｂに実装するには、パッケージＡの絶縁基板１
下面の球状端子４ｂを外部電気回路基板Ｂの配線導体８
上に載置当接させ、しかる後、低融点の半田等のロウ材
により約２５０〜４００℃の温度で加熱することによ
り、配線導体８と接合することにより外部電気回路基板
Ｂ上に実装される。この時、配線導体８の表面には球状
端子４ｂとのロウ材による接続を容易に行うためにロウ
材が被着形成されていることが望ましい。
【００２３】（絶縁基板の材質）本発明によれば、この
ような外部電気回路基板Ｂの表面に実装される半導体素
子収納用パッケージ等の配線基板における絶縁基板１と
して、４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が
８〜１８ｐｐｍ／℃、特に９〜１６ｐｐｍ／℃、さらに
は１０〜１５ｐｐｍ／℃の焼結体により構成することが
重要である。これは、前述した外部電気回路基板Ｂとの
熱膨張差により熱応力の発生を緩和し、外部電気回路基
板ＢとパッケージＡとの電気的接続状態を長期にわたり
良好な状態に維持するために重要であり、この熱膨張係
数が８ｐｐｍ／℃より小さいか、あるいは１８ｐｐｍ／
℃より大きいと、いずれも熱膨張差に起因する熱応力が
大きくなり、外部電気回路基板ＢとパッケージＡとの電
気的接続状態が悪化することを防止することができな
い。また、１８ｐｐｍ／℃よりも大きいと、配線基板上
に半導体素子を搭載する場合、半導体素子との熱膨張差
が大きくなり、格別な実装方法が必要となる。
ような外部電気回路基板Ｂの表面に実装される半導体素
子収納用パッケージ等の配線基板における絶縁基板１と
して、４０〜４００℃の温度範囲における熱膨張係数が
８〜１８ｐｐｍ／℃、特に９〜１６ｐｐｍ／℃、さらに
は１０〜１５ｐｐｍ／℃の焼結体により構成することが
重要である。これは、前述した外部電気回路基板Ｂとの
熱膨張差により熱応力の発生を緩和し、外部電気回路基
板ＢとパッケージＡとの電気的接続状態を長期にわたり
良好な状態に維持するために重要であり、この熱膨張係
数が８ｐｐｍ／℃より小さいか、あるいは１８ｐｐｍ／
℃より大きいと、いずれも熱膨張差に起因する熱応力が
大きくなり、外部電気回路基板ＢとパッケージＡとの電
気的接続状態が悪化することを防止することができな
い。また、１８ｐｐｍ／℃よりも大きいと、配線基板上
に半導体素子を搭載する場合、半導体素子との熱膨張差
が大きくなり、格別な実装方法が必要となる。
【００２４】また、絶縁基板１として、ヤング率が１０
０ＧＰａ以下、特に９０ＧＰａ以下であることも重要で
ある。外部電気回路基板Ｂに実装されたパッケージＡに
は、その熱膨張差により配線基板の中心方向への圧縮応
力と、パッケージＡに垂直下方に曲げ応力が発生する。
しかし、この圧縮応力は、パッケージＡが歪むことで緩
和され、曲げ応力は、パッケージＡが撓むことにより緩
和されるためであり、ヤング率が１００ＧＰａより大き
いと、パッケージＡに作用する圧縮応力および曲げ応力
が大きくなり、外部電気回路基板ＢとパッケージＡとの
電気的接続状態が悪化することを防止することができな
い。
０ＧＰａ以下、特に９０ＧＰａ以下であることも重要で
ある。外部電気回路基板Ｂに実装されたパッケージＡに
は、その熱膨張差により配線基板の中心方向への圧縮応
力と、パッケージＡに垂直下方に曲げ応力が発生する。
しかし、この圧縮応力は、パッケージＡが歪むことで緩
和され、曲げ応力は、パッケージＡが撓むことにより緩
和されるためであり、ヤング率が１００ＧＰａより大き
いと、パッケージＡに作用する圧縮応力および曲げ応力
が大きくなり、外部電気回路基板ＢとパッケージＡとの
電気的接続状態が悪化することを防止することができな
い。
【００２５】本発明によれば、このような高熱膨張係数
を有する絶縁基板を、リチウム珪酸系の非晶質相を１５
〜６０体積％と、４０〜４００℃における熱膨張係数が
６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物結晶相を合計で８５〜４
０体積％の割合で含有する４０〜４００℃における熱膨
張係数が８〜１８ｐｐｍ／℃であり、ヤング率が１００
ＧＰａ以下である焼結体により構成する。
を有する絶縁基板を、リチウム珪酸系の非晶質相を１５
〜６０体積％と、４０〜４００℃における熱膨張係数が
６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物結晶相を合計で８５〜４
０体積％の割合で含有する４０〜４００℃における熱膨
張係数が８〜１８ｐｐｍ／℃であり、ヤング率が１００
ＧＰａ以下である焼結体により構成する。
【００２６】リチウム珪酸系非晶質相と前記金属酸化物
結晶相との比率を上記の範囲に限定したのは、リチウム
珪酸系非晶質相の量を１５〜６０体積％の範囲で制御す
ることにより、焼結体の熱膨張係数を高い方にシフトさ
せ、任意の熱膨張係数に制御できるのである。従って、
リチウム珪酸系非晶質相の比率が１５体積％よりも少な
い、言い換えると他の金属酸化物結晶相の比率が８５体
積％よりも多いと、そのヤング率の低下が顕著でなく、
また、焼結過程でスポジュメン等の低熱膨張のＬｉ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系結晶などが多量に析出して、リチウム珪酸ガ
ラスを用いた本来の高熱膨張化が阻害されるためであ
る。
結晶相との比率を上記の範囲に限定したのは、リチウム
珪酸系非晶質相の量を１５〜６０体積％の範囲で制御す
ることにより、焼結体の熱膨張係数を高い方にシフトさ
せ、任意の熱膨張係数に制御できるのである。従って、
リチウム珪酸系非晶質相の比率が１５体積％よりも少な
い、言い換えると他の金属酸化物結晶相の比率が８５体
積％よりも多いと、そのヤング率の低下が顕著でなく、
また、焼結過程でスポジュメン等の低熱膨張のＬｉ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系結晶などが多量に析出して、リチウム珪酸ガ
ラスを用いた本来の高熱膨張化が阻害されるためであ
る。
【００２７】逆に、リチウム珪酸系非晶質相の比率が６
０体積％よりも多い、言い換えると他の金属酸化物結晶
相の比率が４０体積％よりも少ないと、焼結体の特性が
非晶質相の特性に大きく支配される結果、種々の金属酸
化物結晶相の存在による焼結体の熱膨張特性、強度、電
気特性などの特性の制御が難しくなるという問題があ
る。また、焼結開始温度が低くなるために銅などの配線
導体と同時焼成できなくなるといった問題も生じる。
０体積％よりも多い、言い換えると他の金属酸化物結晶
相の比率が４０体積％よりも少ないと、焼結体の特性が
非晶質相の特性に大きく支配される結果、種々の金属酸
化物結晶相の存在による焼結体の熱膨張特性、強度、電
気特性などの特性の制御が難しくなるという問題があ
る。また、焼結開始温度が低くなるために銅などの配線
導体と同時焼成できなくなるといった問題も生じる。
【００２８】また、本発明におけるリチウム珪酸系非晶
質相とは、Ｌｉを酸化物換算で５重量％以上、特にＬｉ
2 Ｏを５〜３０重量％およびＳｉＯ2 を６０〜８５重量
％の割合で含み、特にＳｉＯ2 とＬｉ2 Ｏとの合量が非
晶質相全量中、６５〜９５重量％であることが望まし
い。また、非晶質相中には、上記のＬｉ2 ＯやＳｉＯ2
以外に、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ、、ＭｇＯ、ＴｉＯ2 、Ｐ
2 Ｏ5 、ＺｎＯ、アルカリ金属酸化物、Ｆ等を含んでも
よい。また、このリチウム珪酸系非晶質相は、それ自体
の４０〜４００℃における熱膨張係数が１０〜１５ｐｐ
ｍ／℃であることが望ましい。
質相とは、Ｌｉを酸化物換算で５重量％以上、特にＬｉ
2 Ｏを５〜３０重量％およびＳｉＯ2 を６０〜８５重量
％の割合で含み、特にＳｉＯ2 とＬｉ2 Ｏとの合量が非
晶質相全量中、６５〜９５重量％であることが望まし
い。また、非晶質相中には、上記のＬｉ2 ＯやＳｉＯ2
以外に、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ、、ＭｇＯ、ＴｉＯ2 、Ｐ
2 Ｏ5 、ＺｎＯ、アルカリ金属酸化物、Ｆ等を含んでも
よい。また、このリチウム珪酸系非晶質相は、それ自体
の４０〜４００℃における熱膨張係数が１０〜１５ｐｐ
ｍ／℃であることが望ましい。
【００２９】一方、金属酸化物結晶相としては、焼結体
全体の熱膨張係数を８〜１８ｐｐｍ／℃に制御する上
で、金属酸化物結晶相自体の熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃
以上、特に８ｐｐｍ／℃以上であることが必要である。
全体の熱膨張係数を８〜１８ｐｐｍ／℃に制御する上
で、金属酸化物結晶相自体の熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃
以上、特に８ｐｐｍ／℃以上であることが必要である。
【００３０】このような熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上
の金属酸化物としては、クリストバライト（Ｓｉ
Ｏ2 ）、クォーツ（ＳｉＯ2 ）、トリジマイト（ＳｉＯ
2 ）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）、スピ
ネル（ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）、ウォラストナイト（Ｃａ
Ｏ・ＳｉＯ2 ）、モンティセラナイト（ＣａＯ・ＭｇＯ
・ＳｉＯ2 ）、ネフェリン（Ｎａ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3 ・Ｓ
ｉＯ2 ）、リチウムシリケート（Ｌｉ2 Ｏ・Ｓｉ
Ｏ2 ）、ジオプサイド（ＣａＯ・ＭｇＯ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）、メルビナイト（３ＣａＯ・ＭｇＯ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）、アケルマイト（２ＣａＯ・ＭｇＯ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）、マグネシア（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）、ネフェリン（Ｎａ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）、ひすい（Ｎａ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3 ・４Ｓｉ
Ｏ2 ）、カーネギアイト（Ｎａ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓ
ｉＯ2 ）、エンスタタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）、ホウ
酸マグネシウム（２ＭｇＯ・Ｂ2 Ｏ3 ）、セルシアン
（ＢａＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ）、Ｂ2 Ｏ3 ・２Ｍ
ｇＯ・２ＳｉＯ2 、ガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ
2 Ｏ3 ）、ペタライト（ＬｉＡｌＳｉ4 Ｏ10）の群から
選ばれる少なくとも１種以上が挙げられる。
の金属酸化物としては、クリストバライト（Ｓｉ
Ｏ2 ）、クォーツ（ＳｉＯ2 ）、トリジマイト（ＳｉＯ
2 ）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）、スピ
ネル（ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）、ウォラストナイト（Ｃａ
Ｏ・ＳｉＯ2 ）、モンティセラナイト（ＣａＯ・ＭｇＯ
・ＳｉＯ2 ）、ネフェリン（Ｎａ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3 ・Ｓ
ｉＯ2 ）、リチウムシリケート（Ｌｉ2 Ｏ・Ｓｉ
Ｏ2 ）、ジオプサイド（ＣａＯ・ＭｇＯ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）、メルビナイト（３ＣａＯ・ＭｇＯ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）、アケルマイト（２ＣａＯ・ＭｇＯ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）、マグネシア（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）、ネフェリン（Ｎａ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）、ひすい（Ｎａ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3 ・４Ｓｉ
Ｏ2 ）、カーネギアイト（Ｎａ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓ
ｉＯ2 ）、エンスタタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）、ホウ
酸マグネシウム（２ＭｇＯ・Ｂ2 Ｏ3 ）、セルシアン
（ＢａＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ）、Ｂ2 Ｏ3 ・２Ｍ
ｇＯ・２ＳｉＯ2 、ガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ
2 Ｏ3 ）、ペタライト（ＬｉＡｌＳｉ4 Ｏ10）の群から
選ばれる少なくとも１種以上が挙げられる。
【００３１】これらの中でも、フォルステライト、クオ
ーツ、クリストバライト、エンスタタイト、アルミナお
よびリチウムシリケートの群から選ばれた少なくとも１
種からなることが高熱膨張化の点で望ましい。
ーツ、クリストバライト、エンスタタイト、アルミナお
よびリチウムシリケートの群から選ばれた少なくとも１
種からなることが高熱膨張化の点で望ましい。
【００３２】次に、上記の絶縁基板を形成する焼結体を
作製する方法について説明すると、まず、出発原料とし
て、リチウム珪酸系ガラス粉末と、４０〜４００℃にお
ける熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物フィラ
ー粉末を準備する。リチウム珪酸系ガラスは、焼結体中
において、リチウム珪酸系非晶質相を形成する成分であ
って、Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％、およびＳｉＯ2 を６
０〜８５重量％の割合で含有するもので、特に、ＳｉＯ
2 とＬｉ2 Ｏとの合量がガラス中、６５〜９５重量％で
あることが望ましい。また、ガラス中には、上記のＬｉ
2 ＯやＳｉＯ2以外に、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、
ＴｉＯ2 、Ｐ2 Ｏ5 、ＺｎＯ、アルカリ金属酸化物、Ｆ
等を含んでもよい。
作製する方法について説明すると、まず、出発原料とし
て、リチウム珪酸系ガラス粉末と、４０〜４００℃にお
ける熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物フィラ
ー粉末を準備する。リチウム珪酸系ガラスは、焼結体中
において、リチウム珪酸系非晶質相を形成する成分であ
って、Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％、およびＳｉＯ2 を６
０〜８５重量％の割合で含有するもので、特に、ＳｉＯ
2 とＬｉ2 Ｏとの合量がガラス中、６５〜９５重量％で
あることが望ましい。また、ガラス中には、上記のＬｉ
2 ＯやＳｉＯ2以外に、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、
ＴｉＯ2 、Ｐ2 Ｏ5 、ＺｎＯ、アルカリ金属酸化物、Ｆ
等を含んでもよい。
【００３３】なお、リチウム珪酸系ガラス粉末中のＬｉ
2 Ｏ量を５〜３０重量％に限定したのは、Ｌｉ2 Ｏ含有
量が５重量％よりも少ないと、高熱膨張を有するリチウ
ム珪酸系非晶質相が少なくなり、３０重量％を越えると
誘電正接が大きくなり、絶縁基板として適さなくなる。
2 Ｏ量を５〜３０重量％に限定したのは、Ｌｉ2 Ｏ含有
量が５重量％よりも少ないと、高熱膨張を有するリチウ
ム珪酸系非晶質相が少なくなり、３０重量％を越えると
誘電正接が大きくなり、絶縁基板として適さなくなる。
【００３４】また、前記リチウム珪酸系ガラスの屈伏点
は４００℃〜８００℃、特に４００〜６５０℃であるこ
とが望ましい。これは、ガラスおよび金属酸化物フィラ
ーからなる混合物を成形する場合、有機樹脂等の成形用
バインダーを添加するが、このバインダーを効率的に除
去するとともに、絶縁基板と同時に焼成されるメタライ
ズとの焼成条件のマッチングを図るためである。
は４００℃〜８００℃、特に４００〜６５０℃であるこ
とが望ましい。これは、ガラスおよび金属酸化物フィラ
ーからなる混合物を成形する場合、有機樹脂等の成形用
バインダーを添加するが、このバインダーを効率的に除
去するとともに、絶縁基板と同時に焼成されるメタライ
ズとの焼成条件のマッチングを図るためである。
【００３５】つまり、屈伏点が４００℃より低いと結晶
性ガラスが低い温度で焼結が開始されるために、例えば
Ａｇ、Ｃｕ等の焼結開始温度が６００〜８００℃のメタ
ライズとの同時焼成が難しく、また成形体の緻密化が低
温で開始するためにバインダーは分解揮散できなくなり
バインダー成分が残留し特性に影響を及ぼす結果になる
ためである。一方、屈伏点が８００℃より高いと結晶性
ガラス量を多くしないと焼結しにくくなるため、高価な
結晶性ガラスを大量に必要とするために焼結体のコスト
を高めることになる。
性ガラスが低い温度で焼結が開始されるために、例えば
Ａｇ、Ｃｕ等の焼結開始温度が６００〜８００℃のメタ
ライズとの同時焼成が難しく、また成形体の緻密化が低
温で開始するためにバインダーは分解揮散できなくなり
バインダー成分が残留し特性に影響を及ぼす結果になる
ためである。一方、屈伏点が８００℃より高いと結晶性
ガラス量を多くしないと焼結しにくくなるため、高価な
結晶性ガラスを大量に必要とするために焼結体のコスト
を高めることになる。
【００３６】一方、リチウム珪酸系ガラスとともに配合
される前記熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物
フィラーとしては、前述した通りであり、特に、フォル
ステライト、クオーツ、クリストバライト、エンスタタ
イト、アルミナおよびリチウム珪酸の群から選ばれた少
なくとも１種からなることが高熱膨張性の点で望まし
い。
される前記熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物
フィラーとしては、前述した通りであり、特に、フォル
ステライト、クオーツ、クリストバライト、エンスタタ
イト、アルミナおよびリチウム珪酸の群から選ばれた少
なくとも１種からなることが高熱膨張性の点で望まし
い。
【００３７】上記リチウム珪酸系ガラスと前記金属酸化
物フィラーは、リチウム珪酸系ガラスが２０〜８０体積
％と、前記金属酸化物フィラーが８０〜２０体積％とな
る割合で配合されることが望ましい。これらの成分の配
合比率を上記の割合とするのは、ガラス量が２０体積％
よりも少ないと低温での焼成が難しく、銅などのメタラ
イズとの同時焼成が難しく、８０体積％を越えると、焼
成温度が低くなりすぎて銅などのメタライズとの同時焼
成が難しくなるためである。また、配合される前記金属
酸化物フィラーは、リチウム珪酸系ガラスの屈伏点に応
じ、その量を適宜調整することが望ましい。即ち、ガラ
スの屈伏点が４００℃〜６５０℃と低い場合、低温での
焼結性が高まるため金属酸化物フィラーの含有量は５０
〜６０体積％の範囲までに多く配合できる。これに対し
て、ガラスの屈伏点が６５０℃〜８００℃と高い場合、
焼結性が低下するためフィラーの含有量は２０〜５０体
積％と少なく配合することが望ましい。
物フィラーは、リチウム珪酸系ガラスが２０〜８０体積
％と、前記金属酸化物フィラーが８０〜２０体積％とな
る割合で配合されることが望ましい。これらの成分の配
合比率を上記の割合とするのは、ガラス量が２０体積％
よりも少ないと低温での焼成が難しく、銅などのメタラ
イズとの同時焼成が難しく、８０体積％を越えると、焼
成温度が低くなりすぎて銅などのメタライズとの同時焼
成が難しくなるためである。また、配合される前記金属
酸化物フィラーは、リチウム珪酸系ガラスの屈伏点に応
じ、その量を適宜調整することが望ましい。即ち、ガラ
スの屈伏点が４００℃〜６５０℃と低い場合、低温での
焼結性が高まるため金属酸化物フィラーの含有量は５０
〜６０体積％の範囲までに多く配合できる。これに対し
て、ガラスの屈伏点が６５０℃〜８００℃と高い場合、
焼結性が低下するためフィラーの含有量は２０〜５０体
積％と少なく配合することが望ましい。
【００３８】本発明において用いられる上記リチウム珪
酸系ガラスは、金属酸化物フィラー無添加では収縮開始
温度は７００℃以下で、８５０℃以上では溶融してしま
い、銅等のメタライズ配線層等とともに同時焼成するこ
とができない。しかし、フィラーを２０〜８０体積％の
割合で混合することにより焼成温度において液相焼結さ
せるための液相を形成させることができる。また、成形
体全体の収縮開始温度を上昇させることができるため、
このフィラーの含有量の調整により用いる銅等のメタラ
イズ配線層との同時焼成条件のマッチングを図ることが
できる。また、原料コストを下げるためには高価な結晶
性ガラスの含有量を減少させることが好ましい。
酸系ガラスは、金属酸化物フィラー無添加では収縮開始
温度は７００℃以下で、８５０℃以上では溶融してしま
い、銅等のメタライズ配線層等とともに同時焼成するこ
とができない。しかし、フィラーを２０〜８０体積％の
割合で混合することにより焼成温度において液相焼結さ
せるための液相を形成させることができる。また、成形
体全体の収縮開始温度を上昇させることができるため、
このフィラーの含有量の調整により用いる銅等のメタラ
イズ配線層との同時焼成条件のマッチングを図ることが
できる。また、原料コストを下げるためには高価な結晶
性ガラスの含有量を減少させることが好ましい。
【００３９】例えば、メタライズ配線層をＡｇ、Ｃｕ、
Ａｕのうちの１種を主として構成する場合、これらのメ
タライズの焼成開始は６００〜１０００℃で生じるた
め、同時焼成を行うには、結晶性ガラスの屈伏点は４０
０℃〜６５０℃であり、フィラーの含有量は５０〜８０
体積％であるのが好ましい。また、このように高価な結
晶性ガラスの配合量を低減することにより焼結体のコス
トも低減できる。
Ａｕのうちの１種を主として構成する場合、これらのメ
タライズの焼成開始は６００〜１０００℃で生じるた
め、同時焼成を行うには、結晶性ガラスの屈伏点は４０
０℃〜６５０℃であり、フィラーの含有量は５０〜８０
体積％であるのが好ましい。また、このように高価な結
晶性ガラスの配合量を低減することにより焼結体のコス
トも低減できる。
【００４０】上記リチウム珪酸系ガラスと、金属酸化物
フィラーとの混合物は、適当な有機樹脂バインダーを添
加した後、所望の成形手段、例えば、ドクターブレー
ド、圧延法、金型プレス等によりシート状に任意の形状
に成形後、焼成する。
フィラーとの混合物は、適当な有機樹脂バインダーを添
加した後、所望の成形手段、例えば、ドクターブレー
ド、圧延法、金型プレス等によりシート状に任意の形状
に成形後、焼成する。
【００４１】焼成にあたっては、まず、成形のために配
合したバインダー成分を除去する。
合したバインダー成分を除去する。
【００４２】バインダーの除去は、７００℃前後の大気
雰囲気中で行われるが、配線導体としてＣｕを用いる場
合には、水蒸気を含有する１００〜８５０℃の窒素雰囲
気中で行われる。この時、成形体の収縮開始温度は７０
０〜８５０℃程度であることが望ましく、かかる収縮開
始温度がこれより低いとバインダーの除去が困難となる
ため、成形体中の結晶性ガラスの特性、特に屈伏点を前
述したように制御することが必要となる。
雰囲気中で行われるが、配線導体としてＣｕを用いる場
合には、水蒸気を含有する１００〜８５０℃の窒素雰囲
気中で行われる。この時、成形体の収縮開始温度は７０
０〜８５０℃程度であることが望ましく、かかる収縮開
始温度がこれより低いとバインダーの除去が困難となる
ため、成形体中の結晶性ガラスの特性、特に屈伏点を前
述したように制御することが必要となる。
【００４３】焼成は、８５０℃〜１０００℃の酸化性雰
囲気中で行われ、これにより相対密度９０％以上まで緻
密化される。この時の焼成温度が８５０℃より低いと緻
密化することができず、１０００℃を越えるとメタライ
ズ配線層との同時焼成でメタライズ層が溶融してしま
う。但し、配線導体としてＣｕを用いる場合には、８７
０〜９５０℃の窒素などの非酸化性雰囲気中で行われ
る。
囲気中で行われ、これにより相対密度９０％以上まで緻
密化される。この時の焼成温度が８５０℃より低いと緻
密化することができず、１０００℃を越えるとメタライ
ズ配線層との同時焼成でメタライズ層が溶融してしま
う。但し、配線導体としてＣｕを用いる場合には、８７
０〜９５０℃の窒素などの非酸化性雰囲気中で行われ
る。
【００４４】本発明によれば、この焼結後の冷却速度を
４００℃／ｈｒ〜１０００℃／ｈｒの範囲で制御するこ
とにより、配合されたリチウム珪酸系ガラスの一部ある
いは全部をリチウム珪酸系非晶質相として焼結体中に生
成させると同時に、その非晶質相の量に応じて焼結体の
熱膨張係数を完全結晶化の場合に比較して高い方にシフ
トさせることができるとともに、得られる焼結体のヤン
グ率を低くすることができる。これにより、同一組成物
でありながら、熱膨張係数を所定の幅をもって任意の熱
膨張係数に制御することができるとともに、ヤング率を
調整することができる。
４００℃／ｈｒ〜１０００℃／ｈｒの範囲で制御するこ
とにより、配合されたリチウム珪酸系ガラスの一部ある
いは全部をリチウム珪酸系非晶質相として焼結体中に生
成させると同時に、その非晶質相の量に応じて焼結体の
熱膨張係数を完全結晶化の場合に比較して高い方にシフ
トさせることができるとともに、得られる焼結体のヤン
グ率を低くすることができる。これにより、同一組成物
でありながら、熱膨張係数を所定の幅をもって任意の熱
膨張係数に制御することができるとともに、ヤング率を
調整することができる。
【００４５】よって、このようにして作製された焼結体
中には、リチウム珪酸系ガラスが、リチウム珪酸系非晶
質相として残存し、また金属酸化物フィラーは金属酸化
物結晶相として焼結体中に生成されるが、場合によって
は、金属酸化物フィラーとリチウム珪酸系ガラスの一部
との反応によって、他の結晶相が生成される場合もあ
る。
中には、リチウム珪酸系ガラスが、リチウム珪酸系非晶
質相として残存し、また金属酸化物フィラーは金属酸化
物結晶相として焼結体中に生成されるが、場合によって
は、金属酸化物フィラーとリチウム珪酸系ガラスの一部
との反応によって、他の結晶相が生成される場合もあ
る。
【００４６】また、上記焼結体を絶縁基板として、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕのうちの１種以上からなる
メタライズ配線層を配設した配線基板やパッケージを製
造するには、絶縁基板を構成するための前述したような
結晶化ガラスとフィラーからなる原料粉末に適当な有機
バインダー、可塑剤、溶剤を添加混合して泥漿物を作る
とともに該泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロ
ール法を採用することによってグリーンシート（生シー
ト）を作製する。そして、メタライズ配線層及び接続パ
ッドとして、適当な金属粉末に有機バインダー、可塑
剤、溶剤を添加混合して得た金属ペーストを前記グリー
ンシートに周知のスクリーン印刷法により所定パターン
に印刷塗布する。また、場合によっては、前記グリーン
シートに適当な打ち抜き加工してスルーホールを形成
し、このホール内にもメタライズペーストを充填する。
そしてこれらのグリーンシートを複数枚積層し、グリー
ンシートとメタライズとを同時焼成することにより多層
構造のパッケージを得ることができる。
ｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕのうちの１種以上からなる
メタライズ配線層を配設した配線基板やパッケージを製
造するには、絶縁基板を構成するための前述したような
結晶化ガラスとフィラーからなる原料粉末に適当な有機
バインダー、可塑剤、溶剤を添加混合して泥漿物を作る
とともに該泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロ
ール法を採用することによってグリーンシート（生シー
ト）を作製する。そして、メタライズ配線層及び接続パ
ッドとして、適当な金属粉末に有機バインダー、可塑
剤、溶剤を添加混合して得た金属ペーストを前記グリー
ンシートに周知のスクリーン印刷法により所定パターン
に印刷塗布する。また、場合によっては、前記グリーン
シートに適当な打ち抜き加工してスルーホールを形成
し、このホール内にもメタライズペーストを充填する。
そしてこれらのグリーンシートを複数枚積層し、グリー
ンシートとメタライズとを同時焼成することにより多層
構造のパッケージを得ることができる。
【００４７】なお、絶縁基板の熱膨張係数を８〜１８ｐ
ｐｍ／℃と大きくするに伴い、Ｓｉを基板とする半導体
素子との熱膨張差が逆に大きくなってしまう。そのた
め、接着材としては、半導体素子が熱膨張差により剥離
しないように半導体素子の絶縁基板への接着材を適宜選
択することが必要である。望ましくは、その熱膨張差を
緩衝可能な可撓性の材料により接着することが望まし
く、例えば、エポキシ系、ポリイミド系などの有機系接
着材や、場合によってはこれにＡｇなどの金属を配合し
たものが好適に使用される。
ｐｍ／℃と大きくするに伴い、Ｓｉを基板とする半導体
素子との熱膨張差が逆に大きくなってしまう。そのた
め、接着材としては、半導体素子が熱膨張差により剥離
しないように半導体素子の絶縁基板への接着材を適宜選
択することが必要である。望ましくは、その熱膨張差を
緩衝可能な可撓性の材料により接着することが望まし
く、例えば、エポキシ系、ポリイミド系などの有機系接
着材や、場合によってはこれにＡｇなどの金属を配合し
たものが好適に使用される。
【００４８】
【実施例】以下、本発明をさらに具体的な例で説明す
る。リチウム珪酸系ガラスとして Ａ．重量比率で７５％ＳｉＯ2 −１４％Ｌｉ2 Ｏ−４％
Ａｌ2 Ｏ3−３％Ｐ2 Ｏ5 −３％Ｋ2 Ｏ−１％Ｎａ2 Ｏ （屈伏点４８０℃，ＢＥＴ比表面積１．５ｍ2 ／ｇ） Ｂ．重量比率で７８％ＳｉＯ2 −１０％Ｌｉ2 Ｏ−４％
Ａｌ2 Ｏ3−２％Ｐ2 Ｏ5 −４％Ｋ2 Ｏ−１％Ｂ2 Ｏ3
−１％Ｎａ2 Ｏ （屈伏点６５０℃，ＢＥＴ比表面積１．５ｍ2 ／ｇ） Ｃ．重量比率で６５％ＳｉＯ2 −２１％Ａｌ2 Ｏ3 −４
％Ｌｉ2 Ｏ−４％Ｎａ2 Ｏ−６％ＺｎＯ （屈伏点６００℃，ＢＥＴ比表面積１．５ｍ2 ／ｇ） の３種のガラス粉末に対して、 フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 、熱膨張係数
（α＝１０ｐｐｍ／℃） クォーツ（ＳｉＯ2 、熱膨張係数１５ｐｐｍ／℃） の金属酸化物フィラーを表１，２の割合で添加混合し、
この混合組成物を用いて、溶媒としてトルエンとイソプ
ロピルアルコール、バインダーとしてアクリル樹脂、可
塑剤としてＤＢＰ（ジブチルフタレート）を用いてドク
ターブレード法により厚み５００μｍのグリーンシート
を作製した。
る。リチウム珪酸系ガラスとして Ａ．重量比率で７５％ＳｉＯ2 −１４％Ｌｉ2 Ｏ−４％
Ａｌ2 Ｏ3−３％Ｐ2 Ｏ5 −３％Ｋ2 Ｏ−１％Ｎａ2 Ｏ （屈伏点４８０℃，ＢＥＴ比表面積１．５ｍ2 ／ｇ） Ｂ．重量比率で７８％ＳｉＯ2 −１０％Ｌｉ2 Ｏ−４％
Ａｌ2 Ｏ3−２％Ｐ2 Ｏ5 −４％Ｋ2 Ｏ−１％Ｂ2 Ｏ3
−１％Ｎａ2 Ｏ （屈伏点６５０℃，ＢＥＴ比表面積１．５ｍ2 ／ｇ） Ｃ．重量比率で６５％ＳｉＯ2 −２１％Ａｌ2 Ｏ3 −４
％Ｌｉ2 Ｏ−４％Ｎａ2 Ｏ−６％ＺｎＯ （屈伏点６００℃，ＢＥＴ比表面積１．５ｍ2 ／ｇ） の３種のガラス粉末に対して、 フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 、熱膨張係数
（α＝１０ｐｐｍ／℃） クォーツ（ＳｉＯ2 、熱膨張係数１５ｐｐｍ／℃） の金属酸化物フィラーを表１，２の割合で添加混合し、
この混合組成物を用いて、溶媒としてトルエンとイソプ
ロピルアルコール、バインダーとしてアクリル樹脂、可
塑剤としてＤＢＰ（ジブチルフタレート）を用いてドク
ターブレード法により厚み５００μｍのグリーンシート
を作製した。
【００４９】このグリーンシートの表面にＣｕメタライ
ズペーストをスクリーン印刷法に基づきメタライズ配線
層を塗布した。また、グリーンシートの所定箇所にスル
ーホールを形成しそのスルーホール内にもＣｕメタライ
ズペーストを充填した。そして、メタライズペーストが
塗布されたグリーンシートをスルーホールの位置合わせ
を行いながら６枚積層し圧着した。この積層体を２００
〜８５０℃でＮ2 ＋Ｈ2 Ｏ中で脱バインダー後、表１，
２の焼成温度で１時間窒素雰囲気中でメタライズ配線層
と絶縁基板とを同時に焼成しパッケージ用の配線基板を
作製した。この時、同時焼成によるＣｕメタライズ層に
対して、メタライズ層の溶融、焼結不良についての評価
を行った。
ズペーストをスクリーン印刷法に基づきメタライズ配線
層を塗布した。また、グリーンシートの所定箇所にスル
ーホールを形成しそのスルーホール内にもＣｕメタライ
ズペーストを充填した。そして、メタライズペーストが
塗布されたグリーンシートをスルーホールの位置合わせ
を行いながら６枚積層し圧着した。この積層体を２００
〜８５０℃でＮ2 ＋Ｈ2 Ｏ中で脱バインダー後、表１，
２の焼成温度で１時間窒素雰囲気中でメタライズ配線層
と絶縁基板とを同時に焼成しパッケージ用の配線基板を
作製した。この時、同時焼成によるＣｕメタライズ層に
対して、メタライズ層の溶融、焼結不良についての評価
を行った。
【００５０】また、同時に焼成した５×４×４０ｍｍお
よび３×３×１５ｍｍの素基板を窒素雰囲気のリフロー
炉に通し９００℃で１０分間熱処理後、８００〜９００
℃まで表１に示した冷却速度で冷却し、その後、炉冷
し、試料を得た。
よび３×３×１５ｍｍの素基板を窒素雰囲気のリフロー
炉に通し９００℃で１０分間熱処理後、８００〜９００
℃まで表１に示した冷却速度で冷却し、その後、炉冷
し、試料を得た。
【００５１】得られた５×４×４０ｍｍの基板をＸ線回
折測定し、焼結体中の結晶相を同定しるとともに、ヤン
グ率を測定した。また、３×３×１５ｍｍの角棒を用い
て４０〜４００℃の熱膨張係数を求めた。それぞれの結
果を表１，２に示した。
折測定し、焼結体中の結晶相を同定しるとともに、ヤン
グ率を測定した。また、３×３×１５ｍｍの角棒を用い
て４０〜４００℃の熱膨張係数を求めた。それぞれの結
果を表１，２に示した。
【００５２】焼結体中の非晶質相の定量は、焼結体を粉
砕し、生成した結晶相をリートベルト法により定量分析
し、結晶相の残部を非晶質相とした。
砕し、生成した結晶相をリートベルト法により定量分析
し、結晶相の残部を非晶質相とした。
【００５３】次に、配線基板の下面にスルーホールに接
続する箇所に凹部を形成しＣｕメタライズからなる接続
パッドを作製した。そして、その接続パッドに図１に示
すように半田（錫６０〜１０％−鉛４０〜９０％）から
なる接続端子を取着した。なお、接続端子は、１ｃｍ2
当たり３０端子の密度で配線基板の下面全体に形成し
た。一方、ガラス−エポキシ基板からなる４０〜２００
℃における熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃の絶縁体の表面
に銅箔からなる配線導体が形成されたプリント基板を準
備し、上記のパッケージ用配線基板をプリント基板の上
の配線導体とパッケージ用絶縁基板の接続端子が接続さ
れるように位置合わせし、これをＮ2 の雰囲気中で２６
０℃で３分間熱処理しパッケージ用配線基板をプリント
基板表面に実装した。この熱処理によりパッケージ用配
線基板の半田からなる接続端子が溶けてプリント基板の
配線導体と電気的に接続されたことを確認した。
続する箇所に凹部を形成しＣｕメタライズからなる接続
パッドを作製した。そして、その接続パッドに図１に示
すように半田（錫６０〜１０％−鉛４０〜９０％）から
なる接続端子を取着した。なお、接続端子は、１ｃｍ2
当たり３０端子の密度で配線基板の下面全体に形成し
た。一方、ガラス−エポキシ基板からなる４０〜２００
℃における熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃の絶縁体の表面
に銅箔からなる配線導体が形成されたプリント基板を準
備し、上記のパッケージ用配線基板をプリント基板の上
の配線導体とパッケージ用絶縁基板の接続端子が接続さ
れるように位置合わせし、これをＮ2 の雰囲気中で２６
０℃で３分間熱処理しパッケージ用配線基板をプリント
基板表面に実装した。この熱処理によりパッケージ用配
線基板の半田からなる接続端子が溶けてプリント基板の
配線導体と電気的に接続されたことを確認した。
【００５４】（実装時の熱サイクル試験）上記のように
してパッケージ用配線基板をプリント基板表面に実装し
たものを大気の雰囲気にて−４０℃と１２５℃の各温度
に制御した恒温槽に試験サンプルを１５分／１５分の保
持を１サイクルとして最高１０００サイクル繰り返し
た。
してパッケージ用配線基板をプリント基板表面に実装し
たものを大気の雰囲気にて−４０℃と１２５℃の各温度
に制御した恒温槽に試験サンプルを１５分／１５分の保
持を１サイクルとして最高１０００サイクル繰り返し
た。
【００５５】そして、各サイクル毎にプリント基板の配
線導体とパッケージ用配線基板との電気抵抗を測定し電
気抵抗に変化が現れるまでのサイクル数を表１に示し
た。
線導体とパッケージ用配線基板との電気抵抗を測定し電
気抵抗に変化が現れるまでのサイクル数を表１に示し
た。
【００５６】
【表１】
【００５７】
【表２】
【００５８】表１より明らかなように、同一組成のガラ
スセラミック組成物において、冷却速度を１００〜１０
００℃／ｈｒの範囲で変化させた結果、冷却速度１００
℃／ｈｒの場合のリチウム珪酸系非結晶相を全く含まな
い場合に比較して、熱膨張係数を最高＋３．７ｐｐｍ／
℃高めることができると同時に、焼結体のヤング率を１
１０ＧＰａから１００ＧＰａ以下まで低下させることが
できた。但し、非晶質相の量が１５体積％よりも少ない
と、熱膨張の変化は、＋１．０ｐｐｍ／℃に満たないも
のであった。また、リチウム珪酸系非結晶相の比率が１
０体積％よりも少ないと、結晶相としてわずかながら低
熱膨張のスポジュメンが検出された。また、非晶質相の
リチウム量を全量から結晶相中に含まれるＬｉ量を差し
引いて求めたところ、ガラス粉末組成と同様な組成であ
った。
スセラミック組成物において、冷却速度を１００〜１０
００℃／ｈｒの範囲で変化させた結果、冷却速度１００
℃／ｈｒの場合のリチウム珪酸系非結晶相を全く含まな
い場合に比較して、熱膨張係数を最高＋３．７ｐｐｍ／
℃高めることができると同時に、焼結体のヤング率を１
１０ＧＰａから１００ＧＰａ以下まで低下させることが
できた。但し、非晶質相の量が１５体積％よりも少ない
と、熱膨張の変化は、＋１．０ｐｐｍ／℃に満たないも
のであった。また、リチウム珪酸系非結晶相の比率が１
０体積％よりも少ないと、結晶相としてわずかながら低
熱膨張のスポジュメンが検出された。また、非晶質相の
リチウム量を全量から結晶相中に含まれるＬｉ量を差し
引いて求めたところ、ガラス粉末組成と同様な組成であ
った。
【００５９】また、表２の異なる組成系においても、冷
却速度を１００〜１０００℃／ｈｒで制御することによ
り、最高＋３．６ｐｐｍ／℃に高めることができた。
却速度を１００〜１０００℃／ｈｒで制御することによ
り、最高＋３．６ｐｐｍ／℃に高めることができた。
【００６０】但し、ガラス配合量が２０体積％より少な
い試料Ｎo.８、９では、緻密な焼結体を得ることができ
ず、しかも冷却速度を１０００℃／ｈｒまで高めても非
晶質相を１０体積％以上とすることが難しく、熱膨張係
数及びヤング率の向上効果は小さい。
い試料Ｎo.８、９では、緻密な焼結体を得ることができ
ず、しかも冷却速度を１０００℃／ｈｒまで高めても非
晶質相を１０体積％以上とすることが難しく、熱膨張係
数及びヤング率の向上効果は小さい。
【００６１】なお、表１、表２に記載の試料において、
熱膨張係数が８〜１８ｐｐｍ／℃の焼結体は、これを用
いて銅メタライズされた配線基板に対して、熱サイクル
試験を行った結果、昇降温１０００サイクル後もプリン
ト基板の配線導体とパッケージ用配線基板との間に電気
抵抗変化は全く見られず、極めて安定で良好な電気的接
続状態を維持できた。
熱膨張係数が８〜１８ｐｐｍ／℃の焼結体は、これを用
いて銅メタライズされた配線基板に対して、熱サイクル
試験を行った結果、昇降温１０００サイクル後もプリン
ト基板の配線導体とパッケージ用配線基板との間に電気
抵抗変化は全く見られず、極めて安定で良好な電気的接
続状態を維持できた。
【００６２】また、配合したガラスとして、Ｌｉ2 Ｏ量
が５重量％未満のガラスＣを用いた試料Ｎo.２６〜２９
では、非晶質相量を増加することにより、熱膨張が向上
するとともにヤング率も低下するが、焼結体の熱膨張係
数が８ｐｐｍ／℃よりも低くその結果、熱サイクル試験
で安定した接続が得られなかった。
が５重量％未満のガラスＣを用いた試料Ｎo.２６〜２９
では、非晶質相量を増加することにより、熱膨張が向上
するとともにヤング率も低下するが、焼結体の熱膨張係
数が８ｐｐｍ／℃よりも低くその結果、熱サイクル試験
で安定した接続が得られなかった。
【００６３】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の配線基板
は、熱膨張係数が大きいプリント基板などの外部電気回
路基板への実装した場合に、両者の熱膨張係数の差に起
因する応力発生を抑制し、パッケージと外部電気回路基
板とを長期間にわたり正確、かつ強固に電気的接続させ
ることが可能となる。また、絶縁基板として、リチウム
珪酸結晶相の生成を抑制することにより、高熱膨張であ
り、低ヤング率の特性の安定した絶縁基板を具備する配
線基板を作製することができる。
は、熱膨張係数が大きいプリント基板などの外部電気回
路基板への実装した場合に、両者の熱膨張係数の差に起
因する応力発生を抑制し、パッケージと外部電気回路基
板とを長期間にわたり正確、かつ強固に電気的接続させ
ることが可能となる。また、絶縁基板として、リチウム
珪酸結晶相の生成を抑制することにより、高熱膨張であ
り、低ヤング率の特性の安定した絶縁基板を具備する配
線基板を作製することができる。
【図１】本発明の配線基板の一例であるＢＧＡ型の半導
体素子収納用パッケージの実装構造を説明するための断
面図である。
体素子収納用パッケージの実装構造を説明するための断
面図である。
Ａ 半導体素子収納用パッケージ
Ｂ 外部電気回路基板
１ 絶縁基板
２ 蓋体
３ メタライズ配線層
４ 接続端子
４ａ接続パッド
４ｂ球状端子
５ 半導体素子
６ キャビティ
７ 絶縁体
８ 配線導体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 古久保 洋二
鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ
株式会社総合研究所内
(56)参考文献 特開 平９−208299（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−74153（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−17904（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−326211（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−183067（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/12 - 23/15
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁基板と、メタライズ配線層とを具備し
た配線基板において、前記絶縁基板が、Ｌｉを酸化物換
算で５重量％以上含有するリチウム珪酸系の非晶質相を
１５〜６０体積％と、４０〜４００℃における熱膨張係
数が６ｐｐｍ／℃以上の金属酸化物結晶相を合計で８５
〜４０体積％の割合で含有し、ヤング率が１００ＧＰａ
以下であり、且つ４０〜４００℃における熱膨張係数が
８〜１８ｐｐｍ／℃の焼結体からなることを特徴とする
配線基板。 - 【請求項２】前記金属酸化物結晶相が、フォルステライ
ト、クオーツ、クリストバライト、エンスタタイト、ア
ルミナおよびリチウム珪酸の群から選ばれた少なくとも
１種からなることを特徴とする請求項１記載の配線基
板。 - 【請求項３】少なくとも有機樹脂を含む絶縁体の表面に
配線導体が被着形成された外部電気回路基板上に、絶縁
基板が、Ｌｉを酸化物換算で５重量％以上含有するリチ
ウム珪酸系の非晶質相を１５〜６０体積％と、４０〜４
００℃における熱膨張係数が６ｐｐｍ／℃以上の金属酸
化物結晶相を合計で８５〜４０体積％の割合で含有し、
ヤング率が１００ＧＰａ以下であり、且つ４０〜４００
℃における熱膨張係数が８〜１８ｐｐｍ／℃の焼結体か
らなる配線基板を前記配線導体にロウ付けにより実装し
てなることを特徴とする配線基板の実装構造。 - 【請求項４】前記金属酸化物結晶相が、フォルステライ
ト、クオーツ、クリストバライト、エンスタタイト、ア
ルミナおよびリチウム珪酸の群から選ばれた少なくとも
１種からなることを特徴とする請求項３記載の配線基板
の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23463197A JP3426926B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 配線基板およびその実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23463197A JP3426926B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 配線基板およびその実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174418A JPH1174418A (ja) | 1999-03-16 |
| JP3426926B2 true JP3426926B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=16974069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23463197A Expired - Fee Related JP3426926B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 配線基板およびその実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| US9220576B2 (en) | 2003-08-07 | 2015-12-29 | Ivoclar Vivadent Ag | Machining of ceramic materials |
| US8444756B2 (en) | 2003-08-07 | 2013-05-21 | Ivoclar Vivadent Ag | Lithium silicate materials |
| ES2489523T3 (es) | 2005-02-08 | 2014-09-02 | Ivoclar Vivadent Ag | Material vitrocerámico de silicato de litio |
| DE102007011337A1 (de) | 2007-03-06 | 2008-09-11 | Hermsdorfer Institut Für Technische Keramik E.V. | Verblendkeramik für dentale Restaurationen aus yttriumstabilisiertem Zirkoniumdioxid und Verfahren zur Verblendung von dentalen Restaurationen aus yttriumstabilisiertem Zirkoniumdioxid |
| JP5629073B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2014-11-19 | 株式会社オハラ | 結晶化ガラスの製造方法 |
| US8865606B2 (en) | 2010-04-16 | 2014-10-21 | Ivoclar Vivadent Ag | Process for the preparation of dental restorations |
| DK2377830T3 (en) | 2010-04-16 | 2016-07-18 | Ivoclar Vivadent Ag | Lithium silicate glass ceramics and glass with transition metal. |
| MX351160B (es) | 2011-10-14 | 2017-10-04 | Ivoclar Vivadent Ag | Vidrio y cerámica de vidrio de silicato de litio con óxido de metal hexavalente. |
| DK2765979T3 (en) | 2011-10-14 | 2016-03-07 | Ivoclar Vivadent Ag | Lithium silicate glass-ceramic and glass pentavalent metal oxide. |
| EP2765975B1 (de) | 2011-10-14 | 2016-03-16 | Ivoclar Vivadent AG | Lithiumsilikat-glaskeramik und -glas mit dreiwertigem metalloxid |
| CN103930086B (zh) | 2011-10-14 | 2017-09-15 | 义获嘉伟瓦登特公司 | 包含一价金属氧化物的硅酸锂玻璃陶瓷和硅酸锂玻璃 |
| JP6681659B2 (ja) | 2011-10-14 | 2020-04-15 | イフォクレール ヴィヴァデント アクチェンゲゼルシャフトＩｖｏｃｌａｒ Ｖｉｖａｄｅｎｔ ＡＧ | 二価の金属酸化物を含むケイ酸リチウムガラスセラミックおよびケイ酸リチウムガラス |
| EP2765976B1 (de) | 2011-10-14 | 2016-02-24 | Ivoclar Vivadent AG | Lithiumsilikat-glaskeramik und -glas mit vierwertigem metalloxid |
| EP2844213B1 (de) | 2012-05-04 | 2019-12-04 | Ivoclar Vivadent AG | Lithiumdisilikat-apatit-glaskeramik |
| KR102018937B1 (ko) | 2012-05-11 | 2019-09-05 | 이보클라 비바덴트 아게 | 치과용 예비-소결된 블랭크 |
| KR20170007536A (ko) | 2012-05-11 | 2017-01-18 | 이보클라 비바덴트 아게 | 치과용 예비-소결된 블랭크 |
| ES2894961T3 (es) | 2013-02-12 | 2022-02-16 | Ivoclar Vivadent Ag | Pieza en bruto para fines dentales |
| EP2792345B1 (de) | 2013-04-15 | 2019-10-09 | Ivoclar Vivadent AG | Lithiumsilikat-Glaskeramik und -Glas mit Gehalt an Cäsiumoxid |
| EP2792649B1 (de) | 2013-04-15 | 2019-11-27 | Ivoclar Vivadent AG | Lithiumsilikat-Glaskeramik und -Glas mit Gehalt an Rubidiumoxid |
| ES2954898T3 (es) | 2014-05-13 | 2023-11-27 | Ivoclar Vivadent Ag | Procedimiento para la producción de vidrios de silicato de litio y materiales vitrocerámicos de silicato de litio |
| EP3050856B1 (de) | 2015-01-30 | 2019-05-29 | Ivoclar Vivadent AG | Lithiumsilikat-Diopsid-Glaskeramik |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP23463197A patent/JP3426926B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1174418A (ja) | 1999-03-16 |
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