JP2004143010A - ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板と、その実装構造 - Google Patents
ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板と、その実装構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004143010A JP2004143010A JP2002311828A JP2002311828A JP2004143010A JP 2004143010 A JP2004143010 A JP 2004143010A JP 2002311828 A JP2002311828 A JP 2002311828A JP 2002311828 A JP2002311828 A JP 2002311828A JP 2004143010 A JP2004143010 A JP 2004143010A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- mass
- sintered body
- wiring board
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
- H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【課題】１０５０℃以下で焼成可能で、低抵抗金属を含有する配線層を同時焼成にて形成することができ、実装信頼性の高い配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板と配線層とを具備する配線基板において、該絶縁基板として少なくとも、ＳｉＯ２ ３０〜５５質量％、Ａｌ２Ｏ３ １５〜４０質量％、ＭｇＯ ３〜２５質量％、ＺｎＯ ２〜１５質量％、Ｂ２Ｏ３ ２〜１５質量％を含有するガラス粉末６０〜９９質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末１〜４０質量％とを混合、成形し、大気中あるいは窒素雰囲気中で１０５０℃以下の温度にて焼成して得られるガラスセラミック焼結体を用いる。
【選択図】図１
【解決手段】絶縁基板と配線層とを具備する配線基板において、該絶縁基板として少なくとも、ＳｉＯ２ ３０〜５５質量％、Ａｌ２Ｏ３ １５〜４０質量％、ＭｇＯ ３〜２５質量％、ＺｎＯ ２〜１５質量％、Ｂ２Ｏ３ ２〜１５質量％を含有するガラス粉末６０〜９９質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末１〜４０質量％とを混合、成形し、大気中あるいは窒素雰囲気中で１０５０℃以下の温度にて焼成して得られるガラスセラミック焼結体を用いる。
【選択図】図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子収納用パッケージ、多層配線基板等に適用される配線基板等に最適なガラスセラミック組成物およびガラスセラミック焼結体に関するものであり、また、これを絶縁基板として用いた配線基板とその実装構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、高度情報化時代を迎え、情報通信技術が急速に発達し、それに伴い、半導体素子等の高速化、大型化が図られ、配線層においても、信号の伝送損失を低減する上で配線層の低抵抗化と絶縁基板の低誘電率化が求められている。そこで、１０００℃以下での焼成によって緻密化でき、銅、銀または金等の低抵抗金属を主成分とする配線層との同時焼成が可能で、かつ誘電率の低いガラスセラミックスを絶縁層とする配線基板が提案されている。
【０００３】
特に、シリコンを主体とする半導体素子に関して、素子の高速化に伴い、近年機械的強度が低下する傾向が見られている。そこで、半導体素子を半導体素子収納用パッケージ上に実装（以下、一次実装と称す。）した場合、素子とパッケージ間の熱膨張係数のミスマッチにより発生する熱応力により、半導体素子が破壊してしまうといった問題が懸念されている。さらに、素子が大型化すると熱応力がそれに伴い大きくなるため、素子が破壊する危険性が増大する。
【０００４】
そのため、一次実装に関わる熱応力を低減するために、パッケージの熱膨張係数をシリコンの熱膨張係数（２〜４ｐｐｍ／℃：４０−４００℃）に合わせることが求められている。
【０００５】
例えば、特公平４−５８１９８公報では、ムライト、石英ガラス、ほう珪酸ガラスからなるガラスセラミック焼結体を絶縁材料とすることで、低熱膨張係数の多層セラミック回路基板が得られることが記載されている。
【０００６】
例えば、特開平５−２５４９２３公報では、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｋ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３からなる硼珪酸ガラスとアルミナ、コージェライト、石英ガラスとを組み合わせることにより、低抵抗配線が可能な低熱膨張係数のセラミック基板が得られることが記載されている。
【０００７】
【特許文献１】
特公平４−５８１９８号公報
【特許文献２】
特開平５−２５４９２３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来のガラスセラミック焼結体は、低い熱膨張係数を実現していることによって一次実装の信頼性を向上できるが、逆に、熱膨張係数が１５〜２０×１０−６／℃程度と非常に大きいプリント配線基板で構成されるマザーボード上に実装（以下、二次実装と称す。）する際には、熱膨張係数のミスマッチが非常に大きくなるため、二次実装信頼性を確保することが困難となる問題があった。
【０００９】
従って、本発明は、銀、銅、金等の低抵抗金属との同時焼成が可能であり、低い熱膨張係数、低い誘電率を有しつつ低ヤング率の焼結体を形成するガラスセラミック組成物、およびガラスセラミック焼結体と、かかる焼結体を用い、一次実装信頼性とともに、高い二次実装信頼性を確保できる配線基板とその実装構造を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題に対して検討した結果、少なくともＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３を所定の比率で含むガラス粉末に対して、フィラーとして少なくともムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種を所定の比率で添加し、混合し、成形後、１０５０℃以下で焼成し、所定の結晶相を析出または分散させることによって、低熱膨張率化、低誘電率化とともに、低ヤング率化を同時に達成できること、また低熱膨張係数、低誘電率とともに低ヤング率を有する焼結体を絶縁基板とする配線基板が、一次実装信頼性とともに、二次実装信頼性を高めることができることを見出し、本発明に至った。
【００１１】
すなわち、本発明のガラスセラミック組成物は、少なくとも、ＳｉＯ２ ３０〜５５質量％、Ａｌ２Ｏ３ １５〜４０質量％、ＭｇＯ ３〜２５質量％、ＺｎＯ２〜１５質量％、Ｂ２Ｏ３ ２〜１５質量％、を含有するガラス粉末６０〜９９質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末１〜４０質量％とを含有することを特徴とするものである。
【００１２】
なお、前記ガラス粉末は、１０５０℃以下の熱処理を行うことにより、少なくともコーディエライトを結晶相として析出することが望ましく、さらにコーディエライトとともに、ガーナイト、スピネル、ムライトの群から選ばれる少なくとも１種を結晶相として析出することによって、低熱膨張化、低誘電率化、低ヤング率化を図ることができる。また、かかる組成物は、ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）の含有量がそれぞれ０．１質量％以下に抑制されていることが耐環境付加、耐薬品性を向上させる上で望ましい。
【００１３】
また、本発明のガラスセラミック焼結体は、少なくともコーディエライトを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下、誘電率が７以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下であることを特徴とするものである。
【００１４】
ここで、かかる焼結体は、結晶相として、さらに、ガーナイト、スピネル、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種を含有することが望ましく、さらに抗折強度が１５０ＭＰａ以上であることが望ましく、さらに、ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）の含有量がそれぞれ０．１質量％以下であることが望ましいものである。
【００１５】
また、かかるガラスセラミック焼結体は、少なくとも、ＳｉＯ２ ３０〜５５質量％、Ａｌ２Ｏ３ １５〜４０質量％、ＭｇＯ ３〜２５質量％、ＺｎＯ ２〜１５質量％、Ｂ２Ｏ３ ２〜１５質量％を含有するガラス粉末６５〜９９質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末１〜４０質量％とを混合、成形し、大気中あるいは窒素気中で１０５０℃以下の温度にて焼成して得られることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の配線基板は、絶縁基板の表面および／または内部に、低抵抗金属を含有する配線層を配設してなり、前記絶縁基板が、請求項５乃至請求項９のいずれか記載のガラスセラミック焼結体からなることを特徴とするものであり、かかる配線基板には、凹部を形成し、その凹部内にＳｉを主体とする半導体素子を載置してなることが望ましい。
【００１７】
また、上記の配線基板を、有機樹脂を含有する絶縁基板を具備するプリント配線基板の表面に実装することによって、一次実装信頼性および二次実装信頼性に優れた実装構造を提供できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明のガラスセラミック組成物は、構成成分として、少なくとも、ＳｉＯ２３０〜５５質量％、特に３５〜５０質量％、Ａｌ２Ｏ３ １５〜４０質量％、特に２０〜３５質量％、ＭｇＯ ３〜２５質量％、特に５〜２０質量％、ＺｎＯ ２〜１５質量％、特に４〜１２質量％、Ｂ２Ｏ３ ２〜１５質量％、特に４〜１２質量％を含有するガラス粉末６０〜９９質量％、特に６５〜９７質量％、最適には７０〜９５質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末１〜４０質量％、特に３〜３５質量％、最適には５〜３０質量％とを含有することを特徴とするものである。
【００１９】
ここで、上記ガラス粉末は、該組成物を銅、あるいは銀、金といった低抵抗導体と同時焼成可能な温度である１０５０℃以下の低温で焼結させるために必要であり、ガラス粉末の軟化流動により該組成物を低温で焼結可能とせしめるものである。ガラス粉末の量が、前記範囲よりも少ない場合には、該組成物を１０５０℃以下で焼結させることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、該組成物を焼成した場合に、その原型を保つことが困難となる。
【００２０】
さらに、ＳｉＯ２は、ガラスのネットワークフォーマーであり、かつコーディエライト、ムライト等のＳｉＯ２を構成成分として含有する結晶相、特にコーディエライトをガラスから析出せしめるための必須成分である。ＳｉＯ２が前記範囲よりも少ないと、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となる。
【００２１】
また、Ａｌ２Ｏ３は、ガラスのヤング率や耐薬品性を向上させる成分であると同時に、コーディエライト、ガーナイト、スピネル、ムライト等のＡｌ２Ｏ３を構成成分として含有する結晶相、特にコーディエライトをガラスから析出せしめるための必須成分である。Ａｌ２Ｏ３が前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となると同時に、前記ガラスセラミック焼結体のヤング率が上昇し、高い二次実装信頼性を確保することが困難となる。
【００２２】
また、ＭｇＯは、コーディエライト、スピネル等のＭｇＯを構成成分として含有する結晶相、特にコーディエライトをガラスから析出せしめるための必須成分である。ＭｇＯが前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、前記ガラスセラミック焼結体のヤング率が上昇し、高い二次実装信頼性を確保することが困難となる。
【００２３】
また、ＺｎＯは、ガラスの軟化温度を低下せしめると同時にガーナイト等のＺｎＯを構成成分として含有する結晶相をガラスから析出せしめるための必須成分である。ＺｎＯが前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が低下し前記ガラスセラミック焼結体の原型を保つことが困難となると同時に、前記ガラスセラミック焼結体の耐薬品性が著しく低下する。
【００２４】
さらに、Ｂ２Ｏ３は、ガラスのネットワークフォーマーであると同時に、軟化温度、溶解温度を低下せしめる働きがあり、Ｂ２Ｏ３が前記範囲よりも少ないと、ガラスの溶解温度が上昇しすぎて、工業的に安価に製造することが困難となると同時にガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となる。逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が低下し前記ガラスセラミック焼結体の原型を保つことが困難となると同時に、前記ガラスセラミック焼結体の耐薬品性が著しく低下する。
【００２５】
なお、前記ガラス粉末中には、前記成分量が本発明の範囲を逸脱しない範囲で、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、希土類酸化物の他の成分を１０質量％以下、特に７質量％以下、さらには５質量％以下の範囲で含有してもよく、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を微調整することが可能となる。
【００２６】
但し、ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）は、環境への負荷が大きく、また耐薬品性や絶縁性が低下することから、これらの成分量は、全量中、それぞれ０．１質量％以下に抑制されていることが望ましい。
（ガラスからの析出相）
さらに、本発明においては、前記ガラス粉末が、１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出することが、前記ガラスセラミック焼結体の熱膨張係数、誘電率、ヤング率を低下せしめることが可能となるため望ましい。さらには、コーディエライト結晶相を粉末としてではなくガラス中から析出せしめることにより、焼結性を向上させる効果もあるため、前記ガラスセラミック焼結体のヤング率を低下させつつも、抗折強度を向上せしめることが可能となる。
【００２７】
また、本発明においては、さらにガーナイト、スピネル、ムライトの群から選ばれる少なくとも１種を結晶相として析出することが、特に前記ガラスセラミック焼結体の抗折強度を向上させるために望ましい。
（フィラー）
一方、フィラーとなる、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種の粉末は、該組成物を焼成してなるガラスセラミック焼結体の熱膨張係数、誘電率を低くするために特に有効な成分であり、なかでもムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種は、抗折強度の向上にも効果的であり、石英ガラスは熱膨張係数、誘電率、ヤング率を低下させる効果が特に著しいものである。
【００２８】
これらの粉末が前記範囲内よりも少ない場合には、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、該組成物を１０５０℃以下で焼結せしめることが困難となる。
【００２９】
なお、前記ガラスセラミック組成物中には、上記フィラー量が本発明の量を逸脱しない範囲で、ＳｉＯ２、Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｓｒ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｂａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＳｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、Ｚｎ２ＳｉＯ４、Ｚｎ２ＺｒＯ４、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６、Ｚｎ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ１８、ＣａＳｉＯ３、ＳｒＳｉＯ３、ＢａＳｉＯ３の群から選ばれる他のフィラー粉末を、総量が１５質量％以下、特に１０質量％以下、さらには５質量％以下の範囲で含有してもよく、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を微調整することが可能となる。
【００３０】
本発明のガラスセラミック焼結体は、少なくともコーディエライトを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、特に４．８×１０−６／℃以下、最適には４．５×１０−６／℃以下、誘電率が７以下、特に６．５以下、最適には６以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下、特に１４０ＧＰａ以下、最適には１３０ＧＰａ以下であることを特徴とするものである。
【００３１】
ここで、上記コーディエライト結晶相は、前記ガラスセラミック焼結体の低熱膨張化、低誘電率化、低ヤング率を低下させるための必須成分である。このコーディエライト結晶は、原料粉末として出発組成中に含有せしめることもできるが、最適には、出発組成中にはコーディエライトは添加せず、ガラス粉末中から析出させることにより、低ヤング率と高い抗折強度とを同時に実現させることができるため望ましい。
【００３２】
また、このガラスセラミック焼結体の熱膨張係数は、Ｓｉ（シリコン）を主体とする半導体素子を、前記ガラスセラミック焼結体を絶縁基板として用いた配線基板上に一次実装する際に絶縁基板と半導体素子との熱膨張係数のミスマッチにより生じる熱応力を低減するために、シリコンの熱膨張係数の値に近いものでなくてはならず、前記範囲よりもその値が大きい場合には、一次実装の信頼性を確保することが困難となる。
【００３３】
さらに、誘電率は、信号遅延時間を短縮するために低いことが望ましく、前記範囲よりも大きいと、前記配線基板の遅延時間が長くなり性能が低下する。
【００３４】
また、ヤング率が低いということは、該ガラスセラミック焼結体が応力により変形しやすいことを意味する。従って、焼結体の熱膨張係数を半導体素子に整合させるために低熱膨張化することによって、プリント配線基板への二次実装における熱膨張差が大きくなっても、二次実装部において発生する熱応力を焼結体の変形により緩和することができ、二次実装信頼性を向上させることができる。従って、ヤング率が前記範囲よりも大きいと、二次実装信頼性が著しく低下する。
【００３５】
さらに、本発明おいては、結晶相として、前記コージェライト以外に、さらに、ガーナイト、スピネル、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種を含有せしめることによって、該ガラスセラミック焼結体の抗折強度を向上させることができる。特に、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種は、抗折強度向上のみならず、熱膨張係数、誘電率を低下させるためにも望ましい。
【００３６】
また、抗折強度が前記範囲よりも低い場合には、前記配線基板の機械的な信頼性が著しく低下し、実用に耐えなくなる。
【００３７】
さらに、本発明においては、ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）の含有量がそれぞれ０．１質量％以下に抑制されていることが、対環境負荷、耐薬品性、絶縁性の観点から望ましい。
【００３８】
また、上記焼結体中には、本発明を逸脱しない範囲で、ＳｉＯ２、Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｓｒ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｂａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＳｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、Ｚｎ２ＳｉＯ４、Ｚｎ２ＺｒＯ４、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６、Ｚｎ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ１８、ＣａＳｉＯ３、ＳｒＳｉＯ３、ＢａＳｉＯ３の群から選ばれる他の結晶相を、総量が１５質量％以下、特に１０質量％以下、さらには５質量％以下の範囲で含有してもよく、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を制御することが可能となる。
（焼結体の製造方法）
上記のガラスセラミック焼結体を製造するには、まず、構成成分として、少なくとも、ＳｉＯ２ ３０〜５５質量％、特に３５〜５０質量％、Ａｌ２Ｏ３ １５〜４０質量％、特に２０〜３５質量％、ＭｇＯ ３〜２５質量％、特に５〜２０質量％、ＺｎＯ ２〜１５質量％、特に４〜１２質量％、Ｂ２Ｏ３ ２〜１５質量％、特に４〜１２質量％を含有するガラス粉末６０〜９９質量％、特に６５〜９７質量％、最適には７０〜９５質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末１〜４０質量％、特に３〜３５質量％、最適には５〜３０質量％の割合で混合する。
【００３９】
ここで、前記ガラス粉末、フィラー粉末の組成および前記ガラス粉末の組成が前記範囲内から外れる場合には、前述のように、該ガラスセラミック焼結体の特性が望ましい範囲とならない。
【００４０】
そして、この混合物に、有機バインダ、溶媒、必要に応じて可塑剤を添加、混合し、プレス成形、押出形成、射出成形、鋳込み成形、テープ成形の群から選ばれる少なくとも１種の成形方法によって所定形状に成形する。
【００４１】
そして、該成形体を、４５０〜７５０℃で脱バインダ処理した後、酸化性雰囲気あるいは窒素雰囲気中、１０５０℃以下、特に７００〜１０００℃、さらに８００〜９５０℃の温度で焼成することにより、本発明のガラスセラミック焼結体を作製することができる。
【００４２】
ガラスセラミック焼結体を後述する配線基板の絶縁基板として用いる際に、導体材料として、銀、金を用いる場合は、導体は酸化しないため、大気雰囲気中で焼成することが望ましく、銅を用いる場合には、銅の酸化を抑制する為に窒素雰囲気中にて焼成することが望ましい。
【００４３】
なお、前記ガラスセラミック焼結体は、還元雰囲気下でも焼成することは可能であるが、コスト、安全性の面から、望ましくは酸化性雰囲気あるいは窒素雰囲気中での焼成が望ましい。
【００４４】
なお、焼結体中に上述した特定の結晶相の析出を促進するためには、脱バインダ処理後の昇温速度を５０℃／時間以上、特に１００℃／時間以上とすることが望ましく、また、焼成温度での保持時間を０．０２〜１０時間、特に０．２〜２時間とすることが望ましい。
【００４５】
また、本発明の配線基板は、絶縁基板の表面および／または内部に低抵抗金属を含有する配線層が配設されたものであり、前記絶縁基板が、上記のガラスセラミック焼結体からなるものである。
【００４６】
上記ガラスセラミック焼結体を絶縁基板とすることによって、銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する配線層との同時焼成が可能となる。
【００４７】
また、この配線基板の表面には、本発明においては、前記配線基板の表面および／または表面に設けた凹部に、シリコンを主体とする半導体素子を載置してなることが、一次実装信頼性を確保する上で望ましい。
低い熱膨張係数、低い誘電率、低いヤング率、高い抗折強度を有し、高い二次実装信頼性を確保できることが可能となる。
（パッケージ）
上述したガラスセラミック焼結体を絶縁基板として用いた本発明の配線基板について、その好適例であるシリコンを主体とする半導体素子等の素子をフリップチップ実装によって搭載したＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型の電気素子収納用パッケージと、該パッケージをプリント配線基板上に実装した場合の概略断面図である図１をもとに説明する。
【００４８】
図１によれば、電気素子収納用パッケージＡは、複数の絶縁層１ａ〜１ｄからなる絶縁基板１の表面および／あるいは内部に配線層２が形成されている。また、図１によれば、絶縁層１ａ〜１ｄ間に形成される銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する配線層２、および配線層２同士を電気的に接続する銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有するビアホール導体３が形成されている。
【００４９】
さらに、パッケージＡの下面には複数の接続用電極４Ａが配列されており、絶縁基板１の上面中央部には、半導体素子等の電気素子５が半田ボール６を介して絶縁基板１上にフリップチップ実装により接着固定されると同時に、パッケージＡと電気的に接続される。
【００５０】
また、電気素子５とパッケージＡとの間は、一次実装信頼性を高める為に熱硬化性樹脂を含有するアンダーフィル７が注入され、硬化されている。さらに、電気素子５と、絶縁基板１の下面に形成された複数の接続用電極４Ａとは、半田ボール６、配線層２およびビアホール導体３を介して電気的に接続されている。
【００５１】
一方、プリント配線基板Ｂは、４０〜４００℃における熱膨張係数が１５〜２０×１０−６／℃の絶縁基板の上面に、接続用電極４Ｂが接続用電極４Ａと対を成すように形成されている。そして、接続用電極４Ａ、４Ｂ間は、共晶半田９、高温半田ボール８を介して電気的に接続される。
【００５２】
本発明によれば、絶縁基板１を、前述したような、少なくともコーディエライトを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、誘電率が７以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下のガラスセラミック焼結体によって形成することが大きな特徴であり、これによって、絶縁基板１の熱膨張係数、およびヤング率を低下させることができ、パッケージＡの一次実装信頼性とともに、二次実装信頼性を高めることができる。
【００５３】
また、絶縁基板１の誘電率を低下させるとともに、配線層２やビアホール導体３として、銅、銀または金のうちの少なくとも一種の低抵抗金属を主成分として含有するために、配線層を低抵抗化でき、信号の遅延を小さくできる。
【００５４】
なお、上記図１の例では、シリコン系半導体素子を例示したが、本発明の配線基板は、熱膨張係数が５×１０−６／℃以下の他の電気素子を搭載する配線基板に好適に用いられる。また、図１のパッケージにおいては、素子５は半田ボール６を介して配線層２と接続される場合に好適であるが、素子５と配線層２がワイヤボンディング等によって接続されたものであってもよい。また、素子５は、その上にさらに封止樹脂にて覆う形態であってもよい。また、絶縁基板１にキャビティを形成して素子５を収納し、蓋体によってキャビティを気密封止するものであってもよい。
【００５５】
また、図１においては、パッケージＡとプリント配線基板Ｂとは、高温半田ボールを介して相互に接続されるＢＧＡ型のパッケージ構造について説明したが、本発明は、リードピンなどを用いずに、パッケージＡとプリント配線基板Ｂとが、半田を介して接続される前記ＢＧＡ，ＬＧＡ，ＬＣＣ型などのタイプの場合において発生する応力が大きく二次実装信頼性が求められることから、この種のパッケージに特に好適に用いられる。その他、樹脂を含有するボール、柱状の半田カラム、樹脂を含有するカラム、さらにはピンにて接続される形態であってももちろん有用性を有する。
【００５６】
次に、本発明の配線基板を製造する方法について、上記パッケージＡを例にすると、前述したようなガラス粉末と、フィラー粉末との混合粉末に対して、適当な有機バインダ、溶媒、必要に応じて可塑剤を添加、混合してスラリーを調製し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法により、シート状に成形する。そして、このシート状成形体に所望によりスルーホールを形成した後、スルーホール内に、銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する導体ペーストを充填する。そして、シート状成形体表面には、前記導体ペーストを用いてスクリーン印刷法、グラビア印刷法などの公知の印刷手法を用いて配線層の厚みが５〜３０μｍとなるように配線パターンを印刷塗布する。
【００５７】
そして、複数のシート状成形体を位置合わせして積層圧着した後、大気中、または窒素雰囲気中にて脱バインダ処理した後、１０５０℃以下の大気中または窒素雰囲気で焼成することにより、配線基板を作製することができる。
【００５８】
なお、焼成雰囲気については、導体材料として、銀、金を用いる場合は、導体は酸化しないため、大気雰囲気中で焼成することが望ましく、銅を用いる場合には、銅の酸化を抑制する為に窒素雰囲気中にて焼成することが望ましい。
【００５９】
そして、この配線基板の表面に、半導体素子等の電気素子５を搭載し、配線層２と信号の伝達が可能なように接続される。接続方法としては、前述したように、半田ボールを用いたフリップチップ実装や、ワイヤボンディング、さらには配線層上に直接搭載させて接続させる形態が好適である。
【００６０】
さらに、半導体素子５と配線基板Ａとの間隙にアンダーフィル材７を充填、硬化したり、素子上にポッティング樹脂を被覆し、硬化させるか、絶縁基板Ａと同種の絶縁材料や、その他の絶縁材料、あるいは放熱性が良好な金属等からなる蓋体をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤により接合することにより、素子収納用パッケージを作製することができる。
【００６１】
また、配線基板Ａの下面に、低融点ハンダによって高融点半田からなるボール８を接続する。そして、この配線基板Ａをプリント配線基板Ｂに実装する場合には、プリント配線基板Ｂの表面に、前記配線基板Ａの半田ボール８を低融点半田を介してプリント配線基板Ｂの配線層４Ｂ上に載置し、半田リフロー処理することによって、配線基板Ａをプリント配線基板Ｂ上に二次実装することができる。
【００６２】
【実施例】
（実施例１）
表１に示した組成からなる本発明の４種の平均粒径が２μｍのガラスＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの粉末を準備し、これらのガラス粉末に対して、平均粒径が１〜２μｍの表２に示すフィラー粉末を用いて、表２、３の組成に従い混合した。
【００６３】
そして、この混合物に有機バインダ、可塑剤、トルエンを添加し、スラリーを調製した後、このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ３００μｍのグリーンシートを作製した。さらに、このグリーンシートを所望の厚さになるように複数枚積層し、６０℃の温度で１０ＭＰａの圧力を加えて熱圧着した。
【００６４】
得られた積層体を窒素雰囲気中、７５０℃で脱バインダ処理した後、２００℃／時間で昇温して、大気中で表２、３の条件にて焼成してガラスセラミック焼結体を得た。
【００６５】
得られた焼結体について、焼結体を２ｍｍ□、長さ１８ｍｍに加工し、１０℃／分の速度で焼温しながらレーザー測距計にて寸法変化を測定することにより、４０〜４００℃における熱膨張係数を測定した。また、５０ｍｍ□、厚さ１．０ｍｍに加工し、空洞共振器法にて２ＧＨｚにおける誘電率を測定した。さらに、焼結体を３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍに加工し、超音波パルス法にてヤング率を測定した。また、同様のサンプルを用いて、オートグラフを用いＪＩＳＲ−１６０１に基づく３点曲げ抗折強度を測定した。また、焼結体中における結晶相をＸ線回折測定から同定し、主ピーク強度の大きい順に並べた。以上の測定結果を表２、３に示す。
【００６６】
一方、上記４種類のガラスに代わり、表１に示す２種類のガラスＥ、Ｆを用いて同様に評価を行った。また、フィラー粉末として、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２を用いて同様の評価を行った。結果を表２、３に示す。
【００６７】
【表１】
【００６８】
【表２】
【００６９】
【表３】
【００７０】
表１〜３の結果から明らかなように、本発明に基づき、コーディエライト結晶相を含む特定の結晶相が析出した試料Ｎｏ．１〜６、９〜２０、２５〜３４では、熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下、誘電率が７以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下となり、さらに抗折強度も１５０ＭＰａ以上と良好な値を示した。
【００７１】
それに対して、ガラス粉末の量が９９質量％よりも多い試料Ｎｏ．８では、ガラスの軟化流動が著しく焼結体の原型を保つことができず、評価可能な試料を得ることができなかった。また、ガラス粉末の量が６０質量％よりも少ない試料Ｎｏ．７は、１０５０℃以下の焼成にて緻密な焼結体を得ることができなかった。
【００７２】
また、フィラー粉末として、本発明の範囲外であるＺｒＯ２、ＴｉＯ２を用いた試料Ｎｏ．２１〜２４は、いずれも熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃よりも高くなった。
【００７３】
さらに、本発明の範囲外のガラス粉末Ｅ、Ｆを用いた試料Ｎｏ．３５〜３８では、いずれの試料もコーディエライト結晶相を含有せず、熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃よりも高くなった。
【００７４】
（実施例２）
実施例１の試料Ｎｏ．１〜６、９〜２０、２５〜３４の原料粉末に対して、アクリル系バインダと可塑剤とトルエンを添加、混合し、ドクターブレード法によって厚み２５０μｍのグリーンシートを作製した。次に、該グリーンシートの所定位置にビアホールを形成し、銅を主成分とする導体ペーストを充填した後、スクリーン印刷法により前記導体ペーストを用いてグリーンシート表面に配線層を形成した。
【００７５】
そして、前記配線層を形成したグリーンシートを位置合わせしながら４枚積層、熱圧着した。この積層体を水蒸気含有窒素中、７５０℃で脱バインダ処理した後、２００℃／時間で昇温した後、窒素中、９５０℃で１時間焼成して銅を主成分とする配線層を具備する多層配線基板を作製した。
【００７６】
得られた配線基板について、配線層の導通を確認したところ、断線等がなく、低抵抗で良好な導通特性を示した。
【００７７】
（実施例３）
さらに、上記グリーンシートの表面に、銅を主体とした導体ペーストをスクリーン印刷法にて、パッケージＡの表面には、０．１２ｍｍφのパッドをマトリックス状に配設したフリップチップパッドを形成し、裏面には１ｍｍφのパッドをマトリックス状に配設したボールパッドを形成した。焼成後の形状が３０ｍｍ□、厚み１．５ｍｍとなるようにグリーンシートを積層、切断後、表２に示す条件にて焼成した。得られた配線基板にＮｉ−Ａｕめっきを施した後、上記パッド上に共晶半田ペーストを印刷し、１．２ｍｍφの高温半田ボールを位置合わせして載置し、リフロー処理を行うことにより、高温半田ボールを搭載したパッケージＡを作製した。
【００７８】
次に、シリコンを主体とする熱膨張係数が３×１０−６／℃の半導体素子５をパッケージＡの表面に、半田ボールを位置合わせして載置し、リフロー処理を行った後、エポキシ樹脂からなるアンダーフィル剤を半導体素子とパッケージＡとの間隙に注入し、硬化させることにより半導体素子をフリップチップ実装した。
【００７９】
さらに、パッケージＡと同様の配線パターンを形成した熱膨張係数が１５×１０−６／℃のプリント配線基板Ｂを用意し、その上にパッケージＡを位置合わせして載置し、再度リフロー処理を行うことによりパッケージＡをプリント配線基板Ｂ上に実装した二次実装サンプルをそれぞれ２０個作製した。
【００８０】
上記二次実装サンプルを、０〜１００℃の温度範囲で温度サイクル試験を行い、１００サイクル終了毎に一次実装側、二次実装側の双方に関して抵抗値を測定し、断線の有無を確認し、断線したサイクル数を表２に示した。ここで、１０００サイクルまで断線のなきものを合格（ＯＫ）とした。
【００８１】
さらに、比較例として熱膨張係数が４．７×１０−６／℃、ヤング率が３１０ＧＰａのＡｌＮセラミックスを絶縁基板とし、タングステンによって配線層、ビア導体を形成し、１６００℃で同時焼成してパッケージを作製し、同様の温度サイクル試験を行った。
【００８２】
表１〜３の結果から明らかなように、本発明に基づき、特定の結晶相が析出した熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下の試料Ｎｏ．１〜６、９〜２０、２５〜３４では、一次実装、および二次実装の双方において１０００サイクルの温度サイクル試験において断線が見られず、高い実装信頼性を示すことが確認できる。
【００８３】
一方、本発明の範囲外であり、熱膨張係数が５×１０−６／℃よりも大きい試料Ｎｏ．２１〜２４、３５〜３８においては、温度サイクル試験において、半導体素子と絶縁基板間の熱膨張係数のミスマッチが大きく、いずれの試料も１０００サイクルよりも短いサイクル数にて断線が生じ、一次実装信頼性が確保できなかった。
【００８４】
また、熱膨張係数が４．７×１０−６／℃と低いものの、ヤング率が３１０ＧＰａと高い値を示すＡｌＮを用いた試料Ｎｏ．３９においては、温度サイクル試験の結果、一次実装側は１０００サイクルにて断線が見られないものの、ヤング率が高く熱応力の緩和効果が不充分なため、二次実装側で１０００サイクルよりも短いサイクル数にて断線が生じ、実装信頼性が確保できなかった。
【００８５】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明のガラスセラミック組成物および焼結体は、１０５０℃以下の焼成にて、銅、銀、金などの低抵抗金属を主成分とする導体材料を用いて配線層を形成することができ、低熱膨張係数と低誘電率、低ヤング率とを兼ね備えることにより、シリコンなどの半導体素子の一次実装、高熱膨張のプリント配線基板への二次実装の双方に対して高い実装信頼性を示す配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板を用いたＢＧＡ型の半導体素子収納用パッケージをプリント配線基板上に実装した一例を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
Ａ 素子収納用パッケージ
Ｂ プリント配線基板
１ 絶縁基板
２ 配線層
３ ビアホール導体
４ 接続用電極
５ 素子
６ 半田ボール
７ アンダーフィル材
８ 高温半田ボール
９ 共晶半田
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子収納用パッケージ、多層配線基板等に適用される配線基板等に最適なガラスセラミック組成物およびガラスセラミック焼結体に関するものであり、また、これを絶縁基板として用いた配線基板とその実装構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、高度情報化時代を迎え、情報通信技術が急速に発達し、それに伴い、半導体素子等の高速化、大型化が図られ、配線層においても、信号の伝送損失を低減する上で配線層の低抵抗化と絶縁基板の低誘電率化が求められている。そこで、１０００℃以下での焼成によって緻密化でき、銅、銀または金等の低抵抗金属を主成分とする配線層との同時焼成が可能で、かつ誘電率の低いガラスセラミックスを絶縁層とする配線基板が提案されている。
【０００３】
特に、シリコンを主体とする半導体素子に関して、素子の高速化に伴い、近年機械的強度が低下する傾向が見られている。そこで、半導体素子を半導体素子収納用パッケージ上に実装（以下、一次実装と称す。）した場合、素子とパッケージ間の熱膨張係数のミスマッチにより発生する熱応力により、半導体素子が破壊してしまうといった問題が懸念されている。さらに、素子が大型化すると熱応力がそれに伴い大きくなるため、素子が破壊する危険性が増大する。
【０００４】
そのため、一次実装に関わる熱応力を低減するために、パッケージの熱膨張係数をシリコンの熱膨張係数（２〜４ｐｐｍ／℃：４０−４００℃）に合わせることが求められている。
【０００５】
例えば、特公平４−５８１９８公報では、ムライト、石英ガラス、ほう珪酸ガラスからなるガラスセラミック焼結体を絶縁材料とすることで、低熱膨張係数の多層セラミック回路基板が得られることが記載されている。
【０００６】
例えば、特開平５−２５４９２３公報では、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｋ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３からなる硼珪酸ガラスとアルミナ、コージェライト、石英ガラスとを組み合わせることにより、低抵抗配線が可能な低熱膨張係数のセラミック基板が得られることが記載されている。
【０００７】
【特許文献１】
特公平４−５８１９８号公報
【特許文献２】
特開平５−２５４９２３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来のガラスセラミック焼結体は、低い熱膨張係数を実現していることによって一次実装の信頼性を向上できるが、逆に、熱膨張係数が１５〜２０×１０−６／℃程度と非常に大きいプリント配線基板で構成されるマザーボード上に実装（以下、二次実装と称す。）する際には、熱膨張係数のミスマッチが非常に大きくなるため、二次実装信頼性を確保することが困難となる問題があった。
【０００９】
従って、本発明は、銀、銅、金等の低抵抗金属との同時焼成が可能であり、低い熱膨張係数、低い誘電率を有しつつ低ヤング率の焼結体を形成するガラスセラミック組成物、およびガラスセラミック焼結体と、かかる焼結体を用い、一次実装信頼性とともに、高い二次実装信頼性を確保できる配線基板とその実装構造を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題に対して検討した結果、少なくともＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３を所定の比率で含むガラス粉末に対して、フィラーとして少なくともムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種を所定の比率で添加し、混合し、成形後、１０５０℃以下で焼成し、所定の結晶相を析出または分散させることによって、低熱膨張率化、低誘電率化とともに、低ヤング率化を同時に達成できること、また低熱膨張係数、低誘電率とともに低ヤング率を有する焼結体を絶縁基板とする配線基板が、一次実装信頼性とともに、二次実装信頼性を高めることができることを見出し、本発明に至った。
【００１１】
すなわち、本発明のガラスセラミック組成物は、少なくとも、ＳｉＯ２ ３０〜５５質量％、Ａｌ２Ｏ３ １５〜４０質量％、ＭｇＯ ３〜２５質量％、ＺｎＯ２〜１５質量％、Ｂ２Ｏ３ ２〜１５質量％、を含有するガラス粉末６０〜９９質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末１〜４０質量％とを含有することを特徴とするものである。
【００１２】
なお、前記ガラス粉末は、１０５０℃以下の熱処理を行うことにより、少なくともコーディエライトを結晶相として析出することが望ましく、さらにコーディエライトとともに、ガーナイト、スピネル、ムライトの群から選ばれる少なくとも１種を結晶相として析出することによって、低熱膨張化、低誘電率化、低ヤング率化を図ることができる。また、かかる組成物は、ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）の含有量がそれぞれ０．１質量％以下に抑制されていることが耐環境付加、耐薬品性を向上させる上で望ましい。
【００１３】
また、本発明のガラスセラミック焼結体は、少なくともコーディエライトを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下、誘電率が７以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下であることを特徴とするものである。
【００１４】
ここで、かかる焼結体は、結晶相として、さらに、ガーナイト、スピネル、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種を含有することが望ましく、さらに抗折強度が１５０ＭＰａ以上であることが望ましく、さらに、ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）の含有量がそれぞれ０．１質量％以下であることが望ましいものである。
【００１５】
また、かかるガラスセラミック焼結体は、少なくとも、ＳｉＯ２ ３０〜５５質量％、Ａｌ２Ｏ３ １５〜４０質量％、ＭｇＯ ３〜２５質量％、ＺｎＯ ２〜１５質量％、Ｂ２Ｏ３ ２〜１５質量％を含有するガラス粉末６５〜９９質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末１〜４０質量％とを混合、成形し、大気中あるいは窒素気中で１０５０℃以下の温度にて焼成して得られることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の配線基板は、絶縁基板の表面および／または内部に、低抵抗金属を含有する配線層を配設してなり、前記絶縁基板が、請求項５乃至請求項９のいずれか記載のガラスセラミック焼結体からなることを特徴とするものであり、かかる配線基板には、凹部を形成し、その凹部内にＳｉを主体とする半導体素子を載置してなることが望ましい。
【００１７】
また、上記の配線基板を、有機樹脂を含有する絶縁基板を具備するプリント配線基板の表面に実装することによって、一次実装信頼性および二次実装信頼性に優れた実装構造を提供できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明のガラスセラミック組成物は、構成成分として、少なくとも、ＳｉＯ２３０〜５５質量％、特に３５〜５０質量％、Ａｌ２Ｏ３ １５〜４０質量％、特に２０〜３５質量％、ＭｇＯ ３〜２５質量％、特に５〜２０質量％、ＺｎＯ ２〜１５質量％、特に４〜１２質量％、Ｂ２Ｏ３ ２〜１５質量％、特に４〜１２質量％を含有するガラス粉末６０〜９９質量％、特に６５〜９７質量％、最適には７０〜９５質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末１〜４０質量％、特に３〜３５質量％、最適には５〜３０質量％とを含有することを特徴とするものである。
【００１９】
ここで、上記ガラス粉末は、該組成物を銅、あるいは銀、金といった低抵抗導体と同時焼成可能な温度である１０５０℃以下の低温で焼結させるために必要であり、ガラス粉末の軟化流動により該組成物を低温で焼結可能とせしめるものである。ガラス粉末の量が、前記範囲よりも少ない場合には、該組成物を１０５０℃以下で焼結させることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、該組成物を焼成した場合に、その原型を保つことが困難となる。
【００２０】
さらに、ＳｉＯ２は、ガラスのネットワークフォーマーであり、かつコーディエライト、ムライト等のＳｉＯ２を構成成分として含有する結晶相、特にコーディエライトをガラスから析出せしめるための必須成分である。ＳｉＯ２が前記範囲よりも少ないと、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となる。
【００２１】
また、Ａｌ２Ｏ３は、ガラスのヤング率や耐薬品性を向上させる成分であると同時に、コーディエライト、ガーナイト、スピネル、ムライト等のＡｌ２Ｏ３を構成成分として含有する結晶相、特にコーディエライトをガラスから析出せしめるための必須成分である。Ａｌ２Ｏ３が前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となると同時に、前記ガラスセラミック焼結体のヤング率が上昇し、高い二次実装信頼性を確保することが困難となる。
【００２２】
また、ＭｇＯは、コーディエライト、スピネル等のＭｇＯを構成成分として含有する結晶相、特にコーディエライトをガラスから析出せしめるための必須成分である。ＭｇＯが前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、前記ガラスセラミック焼結体のヤング率が上昇し、高い二次実装信頼性を確保することが困難となる。
【００２３】
また、ＺｎＯは、ガラスの軟化温度を低下せしめると同時にガーナイト等のＺｎＯを構成成分として含有する結晶相をガラスから析出せしめるための必須成分である。ＺｎＯが前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が低下し前記ガラスセラミック焼結体の原型を保つことが困難となると同時に、前記ガラスセラミック焼結体の耐薬品性が著しく低下する。
【００２４】
さらに、Ｂ２Ｏ３は、ガラスのネットワークフォーマーであると同時に、軟化温度、溶解温度を低下せしめる働きがあり、Ｂ２Ｏ３が前記範囲よりも少ないと、ガラスの溶解温度が上昇しすぎて、工業的に安価に製造することが困難となると同時にガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となる。逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が低下し前記ガラスセラミック焼結体の原型を保つことが困難となると同時に、前記ガラスセラミック焼結体の耐薬品性が著しく低下する。
【００２５】
なお、前記ガラス粉末中には、前記成分量が本発明の範囲を逸脱しない範囲で、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、希土類酸化物の他の成分を１０質量％以下、特に７質量％以下、さらには５質量％以下の範囲で含有してもよく、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を微調整することが可能となる。
【００２６】
但し、ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）は、環境への負荷が大きく、また耐薬品性や絶縁性が低下することから、これらの成分量は、全量中、それぞれ０．１質量％以下に抑制されていることが望ましい。
（ガラスからの析出相）
さらに、本発明においては、前記ガラス粉末が、１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出することが、前記ガラスセラミック焼結体の熱膨張係数、誘電率、ヤング率を低下せしめることが可能となるため望ましい。さらには、コーディエライト結晶相を粉末としてではなくガラス中から析出せしめることにより、焼結性を向上させる効果もあるため、前記ガラスセラミック焼結体のヤング率を低下させつつも、抗折強度を向上せしめることが可能となる。
【００２７】
また、本発明においては、さらにガーナイト、スピネル、ムライトの群から選ばれる少なくとも１種を結晶相として析出することが、特に前記ガラスセラミック焼結体の抗折強度を向上させるために望ましい。
（フィラー）
一方、フィラーとなる、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種の粉末は、該組成物を焼成してなるガラスセラミック焼結体の熱膨張係数、誘電率を低くするために特に有効な成分であり、なかでもムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種は、抗折強度の向上にも効果的であり、石英ガラスは熱膨張係数、誘電率、ヤング率を低下させる効果が特に著しいものである。
【００２８】
これらの粉末が前記範囲内よりも少ない場合には、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、該組成物を１０５０℃以下で焼結せしめることが困難となる。
【００２９】
なお、前記ガラスセラミック組成物中には、上記フィラー量が本発明の量を逸脱しない範囲で、ＳｉＯ２、Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｓｒ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｂａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＳｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、Ｚｎ２ＳｉＯ４、Ｚｎ２ＺｒＯ４、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６、Ｚｎ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ１８、ＣａＳｉＯ３、ＳｒＳｉＯ３、ＢａＳｉＯ３の群から選ばれる他のフィラー粉末を、総量が１５質量％以下、特に１０質量％以下、さらには５質量％以下の範囲で含有してもよく、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を微調整することが可能となる。
【００３０】
本発明のガラスセラミック焼結体は、少なくともコーディエライトを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、特に４．８×１０−６／℃以下、最適には４．５×１０−６／℃以下、誘電率が７以下、特に６．５以下、最適には６以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下、特に１４０ＧＰａ以下、最適には１３０ＧＰａ以下であることを特徴とするものである。
【００３１】
ここで、上記コーディエライト結晶相は、前記ガラスセラミック焼結体の低熱膨張化、低誘電率化、低ヤング率を低下させるための必須成分である。このコーディエライト結晶は、原料粉末として出発組成中に含有せしめることもできるが、最適には、出発組成中にはコーディエライトは添加せず、ガラス粉末中から析出させることにより、低ヤング率と高い抗折強度とを同時に実現させることができるため望ましい。
【００３２】
また、このガラスセラミック焼結体の熱膨張係数は、Ｓｉ（シリコン）を主体とする半導体素子を、前記ガラスセラミック焼結体を絶縁基板として用いた配線基板上に一次実装する際に絶縁基板と半導体素子との熱膨張係数のミスマッチにより生じる熱応力を低減するために、シリコンの熱膨張係数の値に近いものでなくてはならず、前記範囲よりもその値が大きい場合には、一次実装の信頼性を確保することが困難となる。
【００３３】
さらに、誘電率は、信号遅延時間を短縮するために低いことが望ましく、前記範囲よりも大きいと、前記配線基板の遅延時間が長くなり性能が低下する。
【００３４】
また、ヤング率が低いということは、該ガラスセラミック焼結体が応力により変形しやすいことを意味する。従って、焼結体の熱膨張係数を半導体素子に整合させるために低熱膨張化することによって、プリント配線基板への二次実装における熱膨張差が大きくなっても、二次実装部において発生する熱応力を焼結体の変形により緩和することができ、二次実装信頼性を向上させることができる。従って、ヤング率が前記範囲よりも大きいと、二次実装信頼性が著しく低下する。
【００３５】
さらに、本発明おいては、結晶相として、前記コージェライト以外に、さらに、ガーナイト、スピネル、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種を含有せしめることによって、該ガラスセラミック焼結体の抗折強度を向上させることができる。特に、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種は、抗折強度向上のみならず、熱膨張係数、誘電率を低下させるためにも望ましい。
【００３６】
また、抗折強度が前記範囲よりも低い場合には、前記配線基板の機械的な信頼性が著しく低下し、実用に耐えなくなる。
【００３７】
さらに、本発明においては、ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）の含有量がそれぞれ０．１質量％以下に抑制されていることが、対環境負荷、耐薬品性、絶縁性の観点から望ましい。
【００３８】
また、上記焼結体中には、本発明を逸脱しない範囲で、ＳｉＯ２、Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｓｒ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｂａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＳｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、Ｚｎ２ＳｉＯ４、Ｚｎ２ＺｒＯ４、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６、Ｚｎ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ１８、ＣａＳｉＯ３、ＳｒＳｉＯ３、ＢａＳｉＯ３の群から選ばれる他の結晶相を、総量が１５質量％以下、特に１０質量％以下、さらには５質量％以下の範囲で含有してもよく、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を制御することが可能となる。
（焼結体の製造方法）
上記のガラスセラミック焼結体を製造するには、まず、構成成分として、少なくとも、ＳｉＯ２ ３０〜５５質量％、特に３５〜５０質量％、Ａｌ２Ｏ３ １５〜４０質量％、特に２０〜３５質量％、ＭｇＯ ３〜２５質量％、特に５〜２０質量％、ＺｎＯ ２〜１５質量％、特に４〜１２質量％、Ｂ２Ｏ３ ２〜１５質量％、特に４〜１２質量％を含有するガラス粉末６０〜９９質量％、特に６５〜９７質量％、最適には７０〜９５質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末１〜４０質量％、特に３〜３５質量％、最適には５〜３０質量％の割合で混合する。
【００３９】
ここで、前記ガラス粉末、フィラー粉末の組成および前記ガラス粉末の組成が前記範囲内から外れる場合には、前述のように、該ガラスセラミック焼結体の特性が望ましい範囲とならない。
【００４０】
そして、この混合物に、有機バインダ、溶媒、必要に応じて可塑剤を添加、混合し、プレス成形、押出形成、射出成形、鋳込み成形、テープ成形の群から選ばれる少なくとも１種の成形方法によって所定形状に成形する。
【００４１】
そして、該成形体を、４５０〜７５０℃で脱バインダ処理した後、酸化性雰囲気あるいは窒素雰囲気中、１０５０℃以下、特に７００〜１０００℃、さらに８００〜９５０℃の温度で焼成することにより、本発明のガラスセラミック焼結体を作製することができる。
【００４２】
ガラスセラミック焼結体を後述する配線基板の絶縁基板として用いる際に、導体材料として、銀、金を用いる場合は、導体は酸化しないため、大気雰囲気中で焼成することが望ましく、銅を用いる場合には、銅の酸化を抑制する為に窒素雰囲気中にて焼成することが望ましい。
【００４３】
なお、前記ガラスセラミック焼結体は、還元雰囲気下でも焼成することは可能であるが、コスト、安全性の面から、望ましくは酸化性雰囲気あるいは窒素雰囲気中での焼成が望ましい。
【００４４】
なお、焼結体中に上述した特定の結晶相の析出を促進するためには、脱バインダ処理後の昇温速度を５０℃／時間以上、特に１００℃／時間以上とすることが望ましく、また、焼成温度での保持時間を０．０２〜１０時間、特に０．２〜２時間とすることが望ましい。
【００４５】
また、本発明の配線基板は、絶縁基板の表面および／または内部に低抵抗金属を含有する配線層が配設されたものであり、前記絶縁基板が、上記のガラスセラミック焼結体からなるものである。
【００４６】
上記ガラスセラミック焼結体を絶縁基板とすることによって、銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する配線層との同時焼成が可能となる。
【００４７】
また、この配線基板の表面には、本発明においては、前記配線基板の表面および／または表面に設けた凹部に、シリコンを主体とする半導体素子を載置してなることが、一次実装信頼性を確保する上で望ましい。
低い熱膨張係数、低い誘電率、低いヤング率、高い抗折強度を有し、高い二次実装信頼性を確保できることが可能となる。
（パッケージ）
上述したガラスセラミック焼結体を絶縁基板として用いた本発明の配線基板について、その好適例であるシリコンを主体とする半導体素子等の素子をフリップチップ実装によって搭載したＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型の電気素子収納用パッケージと、該パッケージをプリント配線基板上に実装した場合の概略断面図である図１をもとに説明する。
【００４８】
図１によれば、電気素子収納用パッケージＡは、複数の絶縁層１ａ〜１ｄからなる絶縁基板１の表面および／あるいは内部に配線層２が形成されている。また、図１によれば、絶縁層１ａ〜１ｄ間に形成される銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する配線層２、および配線層２同士を電気的に接続する銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有するビアホール導体３が形成されている。
【００４９】
さらに、パッケージＡの下面には複数の接続用電極４Ａが配列されており、絶縁基板１の上面中央部には、半導体素子等の電気素子５が半田ボール６を介して絶縁基板１上にフリップチップ実装により接着固定されると同時に、パッケージＡと電気的に接続される。
【００５０】
また、電気素子５とパッケージＡとの間は、一次実装信頼性を高める為に熱硬化性樹脂を含有するアンダーフィル７が注入され、硬化されている。さらに、電気素子５と、絶縁基板１の下面に形成された複数の接続用電極４Ａとは、半田ボール６、配線層２およびビアホール導体３を介して電気的に接続されている。
【００５１】
一方、プリント配線基板Ｂは、４０〜４００℃における熱膨張係数が１５〜２０×１０−６／℃の絶縁基板の上面に、接続用電極４Ｂが接続用電極４Ａと対を成すように形成されている。そして、接続用電極４Ａ、４Ｂ間は、共晶半田９、高温半田ボール８を介して電気的に接続される。
【００５２】
本発明によれば、絶縁基板１を、前述したような、少なくともコーディエライトを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、誘電率が７以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下のガラスセラミック焼結体によって形成することが大きな特徴であり、これによって、絶縁基板１の熱膨張係数、およびヤング率を低下させることができ、パッケージＡの一次実装信頼性とともに、二次実装信頼性を高めることができる。
【００５３】
また、絶縁基板１の誘電率を低下させるとともに、配線層２やビアホール導体３として、銅、銀または金のうちの少なくとも一種の低抵抗金属を主成分として含有するために、配線層を低抵抗化でき、信号の遅延を小さくできる。
【００５４】
なお、上記図１の例では、シリコン系半導体素子を例示したが、本発明の配線基板は、熱膨張係数が５×１０−６／℃以下の他の電気素子を搭載する配線基板に好適に用いられる。また、図１のパッケージにおいては、素子５は半田ボール６を介して配線層２と接続される場合に好適であるが、素子５と配線層２がワイヤボンディング等によって接続されたものであってもよい。また、素子５は、その上にさらに封止樹脂にて覆う形態であってもよい。また、絶縁基板１にキャビティを形成して素子５を収納し、蓋体によってキャビティを気密封止するものであってもよい。
【００５５】
また、図１においては、パッケージＡとプリント配線基板Ｂとは、高温半田ボールを介して相互に接続されるＢＧＡ型のパッケージ構造について説明したが、本発明は、リードピンなどを用いずに、パッケージＡとプリント配線基板Ｂとが、半田を介して接続される前記ＢＧＡ，ＬＧＡ，ＬＣＣ型などのタイプの場合において発生する応力が大きく二次実装信頼性が求められることから、この種のパッケージに特に好適に用いられる。その他、樹脂を含有するボール、柱状の半田カラム、樹脂を含有するカラム、さらにはピンにて接続される形態であってももちろん有用性を有する。
【００５６】
次に、本発明の配線基板を製造する方法について、上記パッケージＡを例にすると、前述したようなガラス粉末と、フィラー粉末との混合粉末に対して、適当な有機バインダ、溶媒、必要に応じて可塑剤を添加、混合してスラリーを調製し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法により、シート状に成形する。そして、このシート状成形体に所望によりスルーホールを形成した後、スルーホール内に、銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する導体ペーストを充填する。そして、シート状成形体表面には、前記導体ペーストを用いてスクリーン印刷法、グラビア印刷法などの公知の印刷手法を用いて配線層の厚みが５〜３０μｍとなるように配線パターンを印刷塗布する。
【００５７】
そして、複数のシート状成形体を位置合わせして積層圧着した後、大気中、または窒素雰囲気中にて脱バインダ処理した後、１０５０℃以下の大気中または窒素雰囲気で焼成することにより、配線基板を作製することができる。
【００５８】
なお、焼成雰囲気については、導体材料として、銀、金を用いる場合は、導体は酸化しないため、大気雰囲気中で焼成することが望ましく、銅を用いる場合には、銅の酸化を抑制する為に窒素雰囲気中にて焼成することが望ましい。
【００５９】
そして、この配線基板の表面に、半導体素子等の電気素子５を搭載し、配線層２と信号の伝達が可能なように接続される。接続方法としては、前述したように、半田ボールを用いたフリップチップ実装や、ワイヤボンディング、さらには配線層上に直接搭載させて接続させる形態が好適である。
【００６０】
さらに、半導体素子５と配線基板Ａとの間隙にアンダーフィル材７を充填、硬化したり、素子上にポッティング樹脂を被覆し、硬化させるか、絶縁基板Ａと同種の絶縁材料や、その他の絶縁材料、あるいは放熱性が良好な金属等からなる蓋体をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤により接合することにより、素子収納用パッケージを作製することができる。
【００６１】
また、配線基板Ａの下面に、低融点ハンダによって高融点半田からなるボール８を接続する。そして、この配線基板Ａをプリント配線基板Ｂに実装する場合には、プリント配線基板Ｂの表面に、前記配線基板Ａの半田ボール８を低融点半田を介してプリント配線基板Ｂの配線層４Ｂ上に載置し、半田リフロー処理することによって、配線基板Ａをプリント配線基板Ｂ上に二次実装することができる。
【００６２】
【実施例】
（実施例１）
表１に示した組成からなる本発明の４種の平均粒径が２μｍのガラスＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの粉末を準備し、これらのガラス粉末に対して、平均粒径が１〜２μｍの表２に示すフィラー粉末を用いて、表２、３の組成に従い混合した。
【００６３】
そして、この混合物に有機バインダ、可塑剤、トルエンを添加し、スラリーを調製した後、このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ３００μｍのグリーンシートを作製した。さらに、このグリーンシートを所望の厚さになるように複数枚積層し、６０℃の温度で１０ＭＰａの圧力を加えて熱圧着した。
【００６４】
得られた積層体を窒素雰囲気中、７５０℃で脱バインダ処理した後、２００℃／時間で昇温して、大気中で表２、３の条件にて焼成してガラスセラミック焼結体を得た。
【００６５】
得られた焼結体について、焼結体を２ｍｍ□、長さ１８ｍｍに加工し、１０℃／分の速度で焼温しながらレーザー測距計にて寸法変化を測定することにより、４０〜４００℃における熱膨張係数を測定した。また、５０ｍｍ□、厚さ１．０ｍｍに加工し、空洞共振器法にて２ＧＨｚにおける誘電率を測定した。さらに、焼結体を３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍに加工し、超音波パルス法にてヤング率を測定した。また、同様のサンプルを用いて、オートグラフを用いＪＩＳＲ−１６０１に基づく３点曲げ抗折強度を測定した。また、焼結体中における結晶相をＸ線回折測定から同定し、主ピーク強度の大きい順に並べた。以上の測定結果を表２、３に示す。
【００６６】
一方、上記４種類のガラスに代わり、表１に示す２種類のガラスＥ、Ｆを用いて同様に評価を行った。また、フィラー粉末として、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２を用いて同様の評価を行った。結果を表２、３に示す。
【００６７】
【表１】
【表２】
【表３】
表１〜３の結果から明らかなように、本発明に基づき、コーディエライト結晶相を含む特定の結晶相が析出した試料Ｎｏ．１〜６、９〜２０、２５〜３４では、熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下、誘電率が７以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下となり、さらに抗折強度も１５０ＭＰａ以上と良好な値を示した。
【００７１】
それに対して、ガラス粉末の量が９９質量％よりも多い試料Ｎｏ．８では、ガラスの軟化流動が著しく焼結体の原型を保つことができず、評価可能な試料を得ることができなかった。また、ガラス粉末の量が６０質量％よりも少ない試料Ｎｏ．７は、１０５０℃以下の焼成にて緻密な焼結体を得ることができなかった。
【００７２】
また、フィラー粉末として、本発明の範囲外であるＺｒＯ２、ＴｉＯ２を用いた試料Ｎｏ．２１〜２４は、いずれも熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃よりも高くなった。
【００７３】
さらに、本発明の範囲外のガラス粉末Ｅ、Ｆを用いた試料Ｎｏ．３５〜３８では、いずれの試料もコーディエライト結晶相を含有せず、熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃よりも高くなった。
【００７４】
（実施例２）
実施例１の試料Ｎｏ．１〜６、９〜２０、２５〜３４の原料粉末に対して、アクリル系バインダと可塑剤とトルエンを添加、混合し、ドクターブレード法によって厚み２５０μｍのグリーンシートを作製した。次に、該グリーンシートの所定位置にビアホールを形成し、銅を主成分とする導体ペーストを充填した後、スクリーン印刷法により前記導体ペーストを用いてグリーンシート表面に配線層を形成した。
【００７５】
そして、前記配線層を形成したグリーンシートを位置合わせしながら４枚積層、熱圧着した。この積層体を水蒸気含有窒素中、７５０℃で脱バインダ処理した後、２００℃／時間で昇温した後、窒素中、９５０℃で１時間焼成して銅を主成分とする配線層を具備する多層配線基板を作製した。
【００７６】
得られた配線基板について、配線層の導通を確認したところ、断線等がなく、低抵抗で良好な導通特性を示した。
【００７７】
（実施例３）
さらに、上記グリーンシートの表面に、銅を主体とした導体ペーストをスクリーン印刷法にて、パッケージＡの表面には、０．１２ｍｍφのパッドをマトリックス状に配設したフリップチップパッドを形成し、裏面には１ｍｍφのパッドをマトリックス状に配設したボールパッドを形成した。焼成後の形状が３０ｍｍ□、厚み１．５ｍｍとなるようにグリーンシートを積層、切断後、表２に示す条件にて焼成した。得られた配線基板にＮｉ−Ａｕめっきを施した後、上記パッド上に共晶半田ペーストを印刷し、１．２ｍｍφの高温半田ボールを位置合わせして載置し、リフロー処理を行うことにより、高温半田ボールを搭載したパッケージＡを作製した。
【００７８】
次に、シリコンを主体とする熱膨張係数が３×１０−６／℃の半導体素子５をパッケージＡの表面に、半田ボールを位置合わせして載置し、リフロー処理を行った後、エポキシ樹脂からなるアンダーフィル剤を半導体素子とパッケージＡとの間隙に注入し、硬化させることにより半導体素子をフリップチップ実装した。
【００７９】
さらに、パッケージＡと同様の配線パターンを形成した熱膨張係数が１５×１０−６／℃のプリント配線基板Ｂを用意し、その上にパッケージＡを位置合わせして載置し、再度リフロー処理を行うことによりパッケージＡをプリント配線基板Ｂ上に実装した二次実装サンプルをそれぞれ２０個作製した。
【００８０】
上記二次実装サンプルを、０〜１００℃の温度範囲で温度サイクル試験を行い、１００サイクル終了毎に一次実装側、二次実装側の双方に関して抵抗値を測定し、断線の有無を確認し、断線したサイクル数を表２に示した。ここで、１０００サイクルまで断線のなきものを合格（ＯＫ）とした。
【００８１】
さらに、比較例として熱膨張係数が４．７×１０−６／℃、ヤング率が３１０ＧＰａのＡｌＮセラミックスを絶縁基板とし、タングステンによって配線層、ビア導体を形成し、１６００℃で同時焼成してパッケージを作製し、同様の温度サイクル試験を行った。
【００８２】
表１〜３の結果から明らかなように、本発明に基づき、特定の結晶相が析出した熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下の試料Ｎｏ．１〜６、９〜２０、２５〜３４では、一次実装、および二次実装の双方において１０００サイクルの温度サイクル試験において断線が見られず、高い実装信頼性を示すことが確認できる。
【００８３】
一方、本発明の範囲外であり、熱膨張係数が５×１０−６／℃よりも大きい試料Ｎｏ．２１〜２４、３５〜３８においては、温度サイクル試験において、半導体素子と絶縁基板間の熱膨張係数のミスマッチが大きく、いずれの試料も１０００サイクルよりも短いサイクル数にて断線が生じ、一次実装信頼性が確保できなかった。
【００８４】
また、熱膨張係数が４．７×１０−６／℃と低いものの、ヤング率が３１０ＧＰａと高い値を示すＡｌＮを用いた試料Ｎｏ．３９においては、温度サイクル試験の結果、一次実装側は１０００サイクルにて断線が見られないものの、ヤング率が高く熱応力の緩和効果が不充分なため、二次実装側で１０００サイクルよりも短いサイクル数にて断線が生じ、実装信頼性が確保できなかった。
【００８５】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明のガラスセラミック組成物および焼結体は、１０５０℃以下の焼成にて、銅、銀、金などの低抵抗金属を主成分とする導体材料を用いて配線層を形成することができ、低熱膨張係数と低誘電率、低ヤング率とを兼ね備えることにより、シリコンなどの半導体素子の一次実装、高熱膨張のプリント配線基板への二次実装の双方に対して高い実装信頼性を示す配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板を用いたＢＧＡ型の半導体素子収納用パッケージをプリント配線基板上に実装した一例を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
Ａ 素子収納用パッケージ
Ｂ プリント配線基板
１ 絶縁基板
２ 配線層
３ ビアホール導体
４ 接続用電極
５ 素子
６ 半田ボール
７ アンダーフィル材
８ 高温半田ボール
９ 共晶半田
Claims (12)
- 少なくとも、ＳｉＯ２ ３０〜５５質量％、Ａｌ２Ｏ３ １５〜４０質量％、ＭｇＯ ３〜２５質量％、ＺｎＯ ２〜１５質量％、Ｂ２Ｏ３ ２〜１５質量％を含有するガラス粉末６０〜９９質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末１〜４０質量％とを含有することを特徴とするガラスセラミック組成物。
- 前記ガラス粉末が、１０５０℃以下の熱処理を行うことにより、少なくともコーディエライトを結晶相として析出することを特徴とする請求項１に記載のガラスセラミック組成物。
- 前記ガラス粉末が、１０５０℃以下の熱処理を行うことにより、さらにガーナイト、スピネル、ムライトの群から選ばれる少なくとも１種を結晶相として析出することを特徴とする請求項２に記載のガラスセラミック組成物。
- ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）の含有量がそれぞれ０．１質量％以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載のガラスセラミック組成物。
- 少なくともコーディエライトを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、誘電率が７以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下であることを特徴とするガラスセラミック焼結体。
- 結晶相として、さらに、ガーナイト、スピネル、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項５記載のガラスセラミック焼結体。
- 抗折強度が１５０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のガラスセラミック焼結体。
- ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）の含有量がそれぞれ０．１質量％以下であることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載のガラスセラミック焼結体。
- 少なくともＳｉＯ２ ３０〜５５質量％、Ａｌ２Ｏ３ １５〜４０質量％、ＭｇＯ ３〜２５質量％、ＺｎＯ ２〜１５質量％、Ｂ２Ｏ３ ２〜１５質量％を含有するガラス粉末６０〜９９質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末１〜４０質量％とを混合、成形し、大気中あるいは窒素雰囲気中で１０５０℃以下の温度にて焼成して得られることを特徴とする請求項５乃至請求項８に記載のガラスセラミック焼結体。
- 絶縁基板の表面および／または内部に、低抵抗金属を含有する配線層を配設してなる配線基板において、前記絶縁基板が、請求項５乃至請求項９のいずれか記載のガラスセラミック焼結体からなることを特徴とする配線基板。
- 前記配線基板の表面に、シリコンを主体とする半導体素子を載置してなることを特徴とする請求項１０記載の配線基板。
- 請求項１０または請求項１１のいずれか記載の配線基板を、有機樹脂を含有する絶縁基板を具備するプリント配線基板の表面に実装してなることを特徴とする配線基板の実装構造。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002311828A JP2004143010A (ja) | 2002-10-25 | 2002-10-25 | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板と、その実装構造 |
| US10/692,406 US6953756B2 (en) | 2002-10-25 | 2003-10-22 | Glass ceramic sintered body and wiring board using the sintered body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002311828A JP2004143010A (ja) | 2002-10-25 | 2002-10-25 | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板と、その実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004143010A true JP2004143010A (ja) | 2004-05-20 |
Family
ID=32456935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002311828A Pending JP2004143010A (ja) | 2002-10-25 | 2002-10-25 | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板と、その実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004143010A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014505881A (ja) * | 2011-02-02 | 2014-03-06 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | セラミック支持体を含む電子部品およびセラミック支持体の使用 |
| CN109626830A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-16 | 内蒙古科技大学 | 利用危废处理后的热态熔渣调质制备多孔玻璃陶瓷基础原料及多孔玻璃陶瓷的方法和装置 |
-
2002
- 2002-10-25 JP JP2002311828A patent/JP2004143010A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014505881A (ja) * | 2011-02-02 | 2014-03-06 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | セラミック支持体を含む電子部品およびセラミック支持体の使用 |
| CN109626830A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-16 | 内蒙古科技大学 | 利用危废处理后的热态熔渣调质制备多孔玻璃陶瓷基础原料及多孔玻璃陶瓷的方法和装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3426926B2 (ja) | 配線基板およびその実装構造 | |
| JP4780995B2 (ja) | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた配線基板 | |
| JP2012167008A (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 | |
| JP4859288B2 (ja) | ガラス組成物、ガラス焼結体およびそれを用いた配線基板 | |
| JP4549029B2 (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック焼結体の製造方法、および配線基板 | |
| JP4549028B2 (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック焼結体の製造方法、および配線基板 | |
| JP2003342060A (ja) | ガラスセラミック焼結体および配線基板 | |
| JP4703207B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP5383962B2 (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 | |
| JP4671836B2 (ja) | ガラスセラミック焼結体の製造方法 | |
| JP2004231453A (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板と、その実装構造 | |
| JP2004168557A (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体とその製造方法、並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 | |
| JP3523590B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びにそれを用いた配線基板 | |
| JP2004143010A (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板と、その実装構造 | |
| JP3559407B2 (ja) | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた多層配線基板 | |
| JP3865967B2 (ja) | 磁器およびそれを用いた配線基板 | |
| JP4383113B2 (ja) | 積層型配線基板の製造方法 | |
| JP3719834B2 (ja) | 低温焼成セラミックス | |
| JP3643264B2 (ja) | 導体ペーストおよびこれを用いた配線基板 | |
| JP4540297B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びに配線基板 | |
| JP3339999B2 (ja) | 配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造 | |
| JP2004323308A (ja) | 低温焼成磁器組成物、低温焼成磁器とその製造方法、並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 | |
| JP3450998B2 (ja) | 配線基板およびその実装構造 | |
| JP3323074B2 (ja) | 配線基板、半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造 | |
| JP4632472B2 (ja) | 銅導体組成物及びこれを用いた配線基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050413 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080122 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080610 |