JP4549029B2 - ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック焼結体の製造方法、および配線基板 - Google Patents
ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック焼結体の製造方法、および配線基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4549029B2 JP4549029B2 JP2003048240A JP2003048240A JP4549029B2 JP 4549029 B2 JP4549029 B2 JP 4549029B2 JP 2003048240 A JP2003048240 A JP 2003048240A JP 2003048240 A JP2003048240 A JP 2003048240A JP 4549029 B2 JP4549029 B2 JP 4549029B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- glass
- sintered body
- powder
- cordierite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
- H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子収納用パッケージ、多層配線基板等に適用される配線基板等に最適なガラスセラミック組成物およびガラスセラミック焼結体とその製造方法に関するものであり、また、これを絶縁基板として用いた配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、高度情報化時代を迎え、情報通信技術が急速に発達し、それに伴い、半導体素子等の高速化、大型化が図られ、配線層においても、信号の伝送損失を低減する上で配線層の低抵抗化と絶縁基板の低誘電率化が求められている。そこで、１０００℃以下での焼成によって緻密化でき、銅、銀または金等の低抵抗金属を主成分とする配線層との同時焼成が可能で、かつ誘電率の低いガラスセラミックスを絶縁層とする配線基板が提案されている。
【０００３】
特に、シリコンを主体とする半導体素子に関して、近年、微細配線化、高速化が急速に進行している。素子内部のトランジスタ間を接続する配線の微細化に伴い、配線の低抵抗化及び絶縁膜の低誘電率化が進められている。
【０００４】
半導体素子の絶縁膜として、従来はＳｉＯ２が用いられてきたが、この絶縁膜をさらに低誘電率化すると、その機械的特性が低下することが良く知られている。特に、非常に低い誘電率が得られる多孔質の絶縁膜において、機械的特性の低下が著しいものとなる。
【０００５】
そこで、このような低誘電率の絶縁膜を使用した半導体素子を半導体素子収納用パッケージ上に実装（以下一次実装と称す）する際に、アンダーフィル剤を硬化させる（キュア工程）際に必要な熱処理や、素子のＯＮ／ＯＦＦに伴う素子の発熱／冷却に伴って、素子とパッケージ間の熱膨張係数のミスマッチにより熱応力が発生し、半導体素子が破壊してしまうといった問題が懸念されている。さらに、素子が大型化すると熱応力がそれに伴い大きくなるため、素子が破壊する危険性が増大する。
【０００６】
そのため、一次実装に関わる熱応力を低減するために、パッケージの熱膨張係数をシリコンの熱膨張係数（２〜４ｐｐｍ／℃：４０−４００℃）に合わせることが求められている。
【０００７】
例えば、特許文献１では、ムライト、石英ガラス、ほう珪酸ガラスからなるガラスセラミック焼結体を絶縁材料とすることで、低熱膨張係数の多層セラミック回路基板が得られることが記載されている。
【０００８】
また、特許文献２では、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｋ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３からなる硼珪酸ガラスとアルミナ、コージェライト、石英ガラスとを組み合わせることにより、低抵抗配線が可能な低熱膨張係数のセラミック基板が得られることが記載されている。
【０００９】
〔特許文献１〕
特公平４−５８１９８号公報
〔特許文献２〕
特開平５−２５４９２３号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来のガラスセラミック焼結体は、低い熱膨張係数を実現していることによって一次実装の信頼性を確保できるが、逆に、熱膨張係数が１５〜２０×１０−６／℃程度と非常に大きいプリント配線基板で構成されるマザーボード上に実装（以下、二次実装と称す。）する際には、熱膨張係数のミスマッチが非常に大きくなるため、二次実装信頼性を確保することが困難となる問題があった。
【００１１】
さらに、ほう珪酸ガラスを用いていることから、半田等を用いて実装する際に必須となる、Ｎｉ−ＡｕめっきやＣｕ−Ａｕめっきを施す際の薬品処理、特に配線層上に形成されるガラス層を除去するためのＨＦ処理に対する耐性が悪く、めっき後に磁器の変色や、しみ、配線層の接着強度の低下等が発生する恐れがあった。
【００１２】
従って、本発明は、銅、銀および金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を主成分とする導体材料との同時焼成が可能であり、低い熱膨張係数、低い誘電率、低いヤング率を有しつつ、さらに優れた耐薬品性を示す焼結体を形成するガラスセラミック組成物、およびガラスセラミック焼結体とその製造方法、かかる焼結体を用い、低い熱膨張係数を有しつつも高い二次実装信頼性を確保できる配線基板を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題に対して検討した結果、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３を所定の比率で含み、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ ２ 、ＳｎＯ ２ および希土類元素酸化物の群から選ばれる少なくとも１種が１０質量％以下で、ＰｂＯおよびＡ ２ Ｏ（Ａ：アルカリ金属）がそれぞれ０．１質量％以下のガラス粉末に対して、フィラー粉末としてコーディエライト粉末と、アルミナ粉末と、ＣａＳｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、Ｃａ２ＳｉＯ４、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＣａＡｌ４Ｏ７、ＣａＡｌ２ＳｉＯ６の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末とからなり、前記ガラス粉末が７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであるガラスセラミック組成物を成形後、７００℃以上１０５０℃以下で焼成することによって得られた焼結体が、低熱膨張係数化、低誘電率化とともに、低ヤング率化を図ることができ、しかも優れた耐薬品性とを同時に達成できること、また低熱膨張係数、低誘電率とともに低ヤング率を有する焼結体を絶縁基板とする配線基板が、一次実装信頼性とともに、二次実装信頼性を高めることができることを見出し、本発明に至った。
【００１４】
すなわち、本発明のガラスセラミック組成物は、３０〜５５質量％のＳｉＯ２と、１５〜４０質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜２５質量％のＭｇＯと、２〜１５質量％のＺｎＯと、２〜１５質量％のＢ２Ｏ３と、０〜１０質量％のＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２および希土類元素酸化物の群から選ばれる少なくとも１種と、０〜０．１質量％のＰｂＯと、０〜０．１質量％のＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）とからなるガラス粉末６０〜９４質量％と、コーディエライト粉末０．５〜２０質量％と、アルミナ粉末５〜２０質量％と、ＣａＳｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、Ｃａ２ＳｉＯ４、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＣａＡｌ４Ｏ７、ＣａＡｌ２ＳｉＯ６の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０．５〜１５質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０〜２０質量％とからなり、前記ガラス粉末が７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであることを特徴とするものである。
【００１６】
なお、前記ガラス粉末は、７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより、少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであることが前記ガラスセラミック焼結体の熱膨張係数と誘電率とヤング率とを低下させ、かつ耐薬品性を向上させるうえで重要であり、さらにコーディエライトとともに、ガーナイト、スピネル、ムライトの群から選ばれる少なくとも１種を結晶相として析出するガラスであることによって、耐薬品性の向上を図ると同時に、抗折強度を向上させることができる点で望ましい。
【００１７】
また、本発明のガラスセラミック焼結体は、上記ガラスセラミック組成物を焼成してなり、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、ＣａＯを構成成分として含有し、かつ少なくともコーディエライトとアルミナとを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、誘電率が５．８以下、ヤング率が１３０ＧＰａ以下であることを特徴とする。
【００１８】
また、かかるガラスセラミック焼結体は、１質量％ＨＦ水溶液中に1分間浸漬した際の、質量減少が３μｇ／ｍｍ２以下であること、さらには、抗折強度が２００ＭＰａ以上であることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明のガラスセラミック焼結体の製造方法は、３０〜５５質量％のＳｉＯ２と、１５〜４０質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜２５質量％のＭｇＯと、２〜１５質量％のＺｎＯと、２〜１５質量％のＢ２Ｏ３と、０〜１０質量％のＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２および希土類元素酸化物の群から選ばれる少なくとも１種と、０〜０．１質量％のＰｂＯと、０〜０．１質量％のＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）とからなるガラス粉末６０〜９４質量％と、コーディエライト粉末０．５〜２０質量％と、アルミナ粉末５〜２０質量％と、ＣａＳｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、Ｃａ２ＳｉＯ４、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＣａＡｌ４Ｏ７、ＣａＡｌ２ＳｉＯ６の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０．５〜１５質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０〜２０質量％とからなり、前記ガラス粉末が７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであるガラスセラミック組成物を成形し、大気中あるいは窒素雰囲気中で７００℃以上１０５０℃以下の温度にて焼成することを特徴とするものである。
【００２２】
さらには、前記ガラス粉末を単独で熱処理した際に析出するコーディエライトの量をＸ質量％、前記コーディエライト粉末の量をＹ質量％とし、さらに、前記ガラス粉末と前記コーディエライト粉末とを混合、成形し、大気中あるいはＮ ２ 雰囲気中で１０５０℃以下の温度にて焼成して得られるガラスセラミック焼結体中に含まれるコーディエライトの量をＺ質量％とした際に、Ｚ＞Ｘ＋Ｙの関係が成り立つことが望ましい。
【００２３】
また、本発明の配線基板は、絶縁基板の表面および／または内部に、低抵抗金属を含有する配線層を配設してなり、前記絶縁基板が、上記のガラスセラミック焼結体からなることを特徴とするものであり、かかる配線基板における絶縁基板表面にＳｉを主体とする半導体素子を載置してなることが望ましい。
【００２４】
また、上記の配線基板を、有機樹脂を含有する絶縁基板を具備するプリント配線基板の表面に実装することによって、一次実装信頼性および二次実装信頼性に優れた実装構造を提供できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明のガラスセラミック組成物は、構成成分として、３０〜５５質量％、特に３５〜５０質量％のＳｉＯ２と、１５〜４０質量％、特に２０〜３５質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜２５質量％、特に５〜２０質量％のＭｇＯと、２〜１５質量％、特に４〜１２質量％のＺｎＯと、２〜１５質量％、特に４〜１２質量％のＢ２Ｏ３と、０〜１０質量％のＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２および希土類元素酸化物の群から選ばれる少なくとも１種と、０〜０．１質量％のＰｂＯと、０〜０．１質量％のＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）とからなるガラス粉末６０〜９４質量％、特に６３〜９０質量％、最適には６５〜８７質量％と、コーディエライト粉末０．５〜２０質量％と、特に１〜１８質量％、最適には１．５〜１５質量％と、アルミナ粉末５〜２０質量％と、ＣａＳｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、Ｃａ２ＳｉＯ４、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＣａＡｌ４Ｏ７、ＣａＡｌ２ＳｉＯ６の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０．５〜１５質量％、特に１〜１２質量％、最適には１．５〜１０質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０〜２０質量％とからなり、前記ガラス粉末が７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであることを特徴とするものである。
【００２６】
ここで、上記ガラス粉末は、該組成物を銅、銀および金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗導体を主成分とする導体材料と同時焼成可能な温度である１０５０℃以下の低温で焼結させるために必要であり、ガラス粉末の軟化流動により該組成物を低温で焼結可能とするものである。ガラス粉末の量が、前記範囲よりも少ない場合には、該組成物を１０５０℃以下で焼結させることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、該組成物を焼成した場合に、その原型を保つことが困難となる。
【００２７】
さらに、ＳｉＯ２はガラスのネットワークフォーマーであり、かつコーディエライト、ムライト等のＳｉＯ２を構成成分として含有する結晶相、特にコーディエライトをガラスから析出させるための必須成分である。ＳｉＯ２が前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となる。
【００２８】
また、Ａｌ２Ｏ３は、ガラスのヤング率や耐薬品性を向上させる成分であると同時に、コーディエライト、ガーナイト、スピネル、ムライト等のＡｌ２Ｏ３を構成成分として含有する結晶相、特にコーディエライトをガラスから析出させるための必須成分である。Ａｌ２Ｏ３が前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となると同時に、前記ガラスセラミック焼結体のヤング率が上昇し、高い二次実装信頼性を確保することが困難となる。
【００２９】
また、ＭｇＯは、コーディエライト、スピネル等のＭｇＯを構成成分として含有する結晶相、特にコーディエライトをガラスから析出させるための必須成分である。ＭｇＯが前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、前記ガラスセラミック焼結体のヤング率が上昇し、高い二次実装信頼性を確保することが困難となる。
【００３０】
また、ＺｎＯは、ガラスの軟化温度を低下させると同時にガーナイト等のＺｎＯを構成成分として含有する結晶相をガラスから析出させるための必須成分である。ＺｎＯが前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が低下し前記ガラスセラミック焼結体の原型を保つことが困難となると同時に、前記ガラスセラミック焼結体の耐薬品性が著しく低下する。
【００３１】
さらに、Ｂ２Ｏ３は、ガラスのネットワークフォーマーであると同時に、軟化温度、溶解温度を低下させる働きがあり、Ｂ２Ｏ３が前記範囲よりも少ないと、ガラスの溶解温度が上昇しすぎて、工業的に安価に製造することが困難となると同時にガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となる。逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が低下し前記ガラスセラミック焼結体の原型を保つことが困難となると同時に、前記ガラスセラミック焼結体の耐薬品性が著しく低下する。
【００３２】
なお、前記ガラス粉末中には、本発明を逸脱しない範囲で、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、希土類元素酸化物等の他の成分を１０質量％以下、特に７質量％以下、さらには５質量％以下の範囲で含有してもよく、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を微調整することが可能となる。
【００３３】
また、ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）は、環境への負荷が大きく、また耐薬品性や絶縁性が低下することから、これらの成分量は、全量中、それぞれ０．１質量％以下に抑制されている。
【００３４】
さらに、本発明においては、前記ガラス粉末が、７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出することが、前記ガラスセラミック焼結体の熱膨張係数、誘電率、ヤング率を低下させると同時に耐薬品性を向上させるうえで重要である。
【００３５】
さらには、コーディエライト結晶相を粉末としてではなくガラス中から析出させることにより、焼結性を向上させる効果もあるため、前記ガラスセラミック焼結体のヤング率を低下させつつも、抗折強度を向上させることが可能となる。
【００３６】
また、本発明においては、ガラス粉末からガーナイト、スピネル、ムライトの群から選ばれる少なくとも１種を結晶相として析出することが、特に前記ガラスセラミック焼結体の耐薬品性を向上させると同時に抗折強度を向上させるために望ましい。
【００３７】
一方、フィラーとしてコーディエライト粉末を必須成分とするものであるが、フィラーとしてのコーディエライト粉末は、該組成物を焼成してなるガラスセラミック焼結体の熱膨張係数と誘電率、ヤング率を低下させると同時に耐薬品性を向上させる効果があり、さらには、前記組成を有するガラス粉末と混合、焼成することにより、該コーディエライト粉末を核として前記ガラス粉末からより多くのコーディエライト結晶相を析出させることにより、前記ガラスセラミック焼結体の熱膨張係数、誘電率、ヤング率をさらに低下せしめつつ、耐薬品性をさらに向上させることが可能となるため、微量の添加にて十分な効果を挙げることができる。該コーディエライト粉末の量が前記範囲よりも少ない場合には、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、該組成物を１０５０℃以下で焼結させることが困難となる。
【００３８】
さらに、本発明によれば、フィラーとしてアルミナ粉末を必須成分とするものであるが、該アルミナ粉末は、該組成物を焼成してなるガラスセラミック焼結体の抗折強度と耐薬品性を同時に向上させる効果がある。該アルミナ粉末の量が前記範囲よりも少ない場合には、前記ガラスセラミック焼結体の抗折強度の低下、および耐薬品性、特にＨＦ水溶液に対する溶出量を望ましい値にまで低下させることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、該組成物を１０５０℃以下で焼結させることが困難となる。
【００３９】
さらに、ＣａＳｉＯ ３ 、ＣａＺｒＯ ３ 、Ｃａ ２ ＳｉＯ ４ 、ＣａＡｌ ２ Ｏ ４ 、ＣａＡｌ ４ Ｏ ７ 、ＣａＡｌ ２ ＳｉＯ ６ の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末を必須成分とするものである。ＣａＳｉＯ ３ 、ＣａＺｒＯ ３ 、Ｃａ ２ ＳｉＯ ４ 、ＣａＡｌ ２ Ｏ ４ 、ＣａＡｌ ４ Ｏ ７ 、ＣａＡｌ ２ ＳｉＯ ６ の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末は焼成中にその全量あるいは一部が分解することによりＣａＯ成分がガラス中に溶解する。ガラス中に溶解したＣａＯは、特に耐薬品性の悪いＢ２Ｏ３の三配位ネットワーク中に優先的に侵入し、Ｂ２Ｏ３のネットワークを耐薬品性に優れる四配位へとその構造を変化させる。従って、上記ＣａＳｉＯ ３ 、ＣａＺｒＯ ３ 、Ｃａ ２ ＳｉＯ ４ 、ＣａＡｌ ２ Ｏ ４ 、ＣａＡｌ ４ Ｏ ７ 、ＣａＡｌ ２ ＳｉＯ ６ の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末により、焼結体中に残留したガラスの耐薬品性が著しく向上する結果、該ガラスセラミック焼結体の耐薬品性を向上することができる。
【００４０】
なお、上記残留ガラスとは、結晶化ガラスである前記ガラス粉末の結晶化が終了した後に焼結体中に存在するガラス相を指し、前記ガラス粉末とは異なった組成、性質を有するものである。
【００４１】
ここで、該ＣａＳｉＯ ３ 、ＣａＺｒＯ ３ 、Ｃａ ２ ＳｉＯ ４ 、ＣａＡｌ ２ Ｏ ４ 、ＣａＡｌ ４ Ｏ ７ 、ＣａＡｌ ２ ＳｉＯ ６ の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末の量が前記範囲よりも少ない場合には、耐薬品性を向上させる効果が不充分となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、前記ガラスセラミック焼結体を１０５０℃以下の温度で焼結させることが困難となる。
【００４３】
また、該組成物全量中におけるＣａＯとＢ２Ｏ３の含有量が、質量比（ＣａＯ／Ｂ２Ｏ３）で０．０１以上、特に０．０３、最適には０．０５以上であることが、該組成物を焼成してなるガラスセラミック焼結体の耐薬品性を向上させるために望ましい。ＣａＯは上述のように、該ガラスセラミック焼結体の耐薬品性を向上させる効果があり、ＣａＯとＢ２Ｏ３の含有量の質量比が前述の範囲よりも少ないと、耐薬品性の向上効果が不十分となる。
【００４４】
さらに、他のフィラーとして、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラス粉末の群から選ばれる少なくとも１種を添加して含有させることができる。これらのフィラーは、該組成物を焼成してなるガラスセラミック焼結体の熱膨張係数、誘電率を低くするために特に有効な成分であり、なかでもムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種は、抗折強度の向上にも効果的であり、石英ガラスは、熱膨張係数、誘電率、ヤング率を低下させる効果が特に著しいものである。これらの粉末が前記範囲よりも多い場合には、該組成物を１０５０℃以下で焼結させることが困難となる。
【００４６】
本発明のガラスセラミック焼結体は、上記ガラスセラミック組成物を焼成してなり、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、ＣａＯを構成成分として含有し、かつ少なくともコーディエライトと、アルミナとを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、特に４．５×１０−６／℃以下、最適には４×１０−６／℃以下、誘電率が５．８以下、ヤング率が１３０ＧＰａ以下であることを特徴とするものである。
【００４７】
以下、本文における熱膨張係数の値は、すべて４０〜４００℃における熱膨張係数を意味するものである。
【００４８】
ここで、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３の各成分は前記ガラス粉末中に含有される必須成分であり、これらの成分を含有することにより、所望の結晶相を析出させ、所望の特性を有するガラスセラミック焼結体を得ることができる。また、ＣａＯは該ガラスセラミック焼結体の耐薬品性を向上させる効果がある。
【００４９】
また、上記コーディエライト結晶相は、前記ガラスセラミック焼結体の低熱膨張化、低誘電率化、低ヤング率化、さらに耐薬品性を向上させるための必須成分である。このコーディエライト結晶は、熱処理によりコーディエライトを析出する前記ガラス粉末とコーディエライト粉末とを混合、焼成することにより、コーディエライト粉末を核として前記ガラス粉末中からより多くのコーディエライトを析出させることにより、さらに低い熱膨張係数と誘電率とを達成しつつ、低ヤング率と高い抗折強度とを同時に実現させ、さらに耐薬品性を向上させることができる。なお、コージェライト結晶相は、全量中２０質量％以上、特に２５質量％以上、最適には３０質量％以上の割合で含有することが望ましい。
【００５０】
さらに、上記アルミナ結晶相は、前記ガラスセラミック焼結体の抗折強度および耐薬品性を向上させるための必須成分である。アルミナ結晶相は、全量中５〜２０質量％の割合で含有することが望ましい。
【００５１】
また、このガラスセラミック焼結体の熱膨張係数は、Ｓｉ（シリコン）を主体とする半導体素子を、前記ガラスセラミック焼結体を絶縁基板として用いた配線基板上に一次実装する際に絶縁基板と半導体素子との熱膨張係数のミスマッチにより生じる熱応力を低減するために、シリコンの熱膨張係数の値に近いものでなくてはならず、前記範囲よりもその熱膨張係数が大きい場合には、一次実装の信頼性を確保することが困難となる。
【００５２】
さらに、誘電率は、信号遅延時間を短縮するために低いことが望ましく、前記範囲よりも誘電率が大きいと、前記配線基板の遅延時間が長くなり性能が低下する。
【００５３】
また、ヤング率が低いということは、該ガラスセラミック焼結体が応力により変形しやすいことを意味する。従って、焼結体の熱膨張係数を半導体素子に整合させるために低熱膨張化することによって、プリント配線基板への二次実装における熱膨張差が大きくなっても、二次実装部において発生する熱応力を焼結体の変形により緩和することができ、二次実装信頼性を向上させることができる。従って、ヤング率が前記範囲よりも大きいと、二次実装信頼性が著しく低下する。
【００５４】
さらに、本発明では、１質量％ＨＦ水溶液中に1分間浸漬した際の質量減少が３．０μｇ／ｍｍ２以下、特に２．５μｇ／ｍｍ２以下、最適には２．０μｇ／ｍｍ２以下である事が望ましい。
【００５５】
ここで、１質量％ＨＦ水溶液中に1分間浸漬した際の質量減少は、Ｎｉ−ＡｕめっきやＣｕ−Ａｕめっきを施す際の薬品処理において、最も焼結体表面へのダメージが大きい工程、即ち、配線層上に形成されるガラス層を除去するためのＨＦ処理に対する耐性を表わしており、該質量減少が上記範囲よりも大きいと、めっき後に磁器の変色や、しみ、メタライズ強度の低下等が発生する恐れがある。
【００５６】
また、本発明においては、抗折強度が２００ＭＰａ以上であることが望ましい。抗折強度の値が上記範囲よりも小さい場合には、該ガラスセラミック焼結体を用いた配線基板を作製した場合に、配線基板の割れや、欠け等が生じる恐れがあり、前記配線基板の機械的な信頼性が著しく低下し、実用に耐えなくなる。抗折強度の値のさらに望ましい範囲は２２０ＭＰａ以上である。
【００５７】
さらに、本発明おいては、結晶相として、前記コーディエライトおよびアルミナ以外に、さらに、ガーナイト、スピネル、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種を含有せしめることによって、該ガラスセラミック焼結体の抗折強度を向上させることができる。特に、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種は、抗折強度向上のみならず、熱膨張係数、誘電率を低下させるためにも望ましい。
【００５８】
また、本発明においては、ＣａＯが少なくとも残留ガラス中に存在していることが望ましい。これは、前述のように、ＣａＯ成分が残留ガラス中に存在することにより、前記ガラスセラミック焼結体の耐薬品性を向上させることができるためである。
【００５９】
さらに、本発明においては、ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）の含有量がそれぞれ０．１重量％以下に抑制されていることが、対環境負荷、耐薬品性、絶縁性の観点から望ましい。
【００６０】
また、本発明においては、前記ガラス粉末を単独で熱処理した際に析出するコーディエライトの量をＸ質量％、前記コーディエライト粉末の量をＹ質量％とし、さらに、前記ガラス粉末と前記コーディエライト粉末とを混合、成形し、大気中あるいはＮ２雰囲気中で１０５０℃以下の温度にて焼成して得られる焼結体中に含まれるコーディエライトの量をＺ質量％とした際に、Ｚ＞Ｘ＋Ｙの関係が成り立つことが重要である。
【００６１】
即ち、前記コーディエライト粉末、前記フィラー粉末が核剤として働くことにより、ガラス粉末単体から析出するコーディエライトよりもさらに多くのコーディエライトをガラスから析出させることができ、コーディエライト粉末の量を抑制できることから焼結性の低下を招くことなく該ガラスセラミック焼結体中のコーディエライト結晶相の含有量を増加させることができ、前記ガラスセラミック焼結体の熱膨脹係数、誘電率、ヤング率をさらに低下させることができる。
【００６２】
このとき、前記焼結体中に含まれるコーディエライトの量（＝Ｚ質量％）が、２０質量％以上、特に２５質量％以上、最適には３０質量％以上であることが、低い熱膨張係数と低い誘電率とを両立させるために望ましい。前記Ｚの値が前記範囲よりも少ない場合には、熱膨張係数および／あるいは誘電率が望ましい範囲よりも大きくなる。
【００６３】
また、上記焼結体中には、本発明を逸脱しない範囲で、ＳｉＯ２、Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｓｒ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｂａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＳｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、Ｚｎ２ＳｉＯ４、ＺｒＳｉＯ４、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６、Ｚｎ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ１８、ＣａＳｉＯ３、ＳｒＳｉＯ３、ＢａＳｉＯ３の群から選ばれる他の結晶相を、総量が１５質量％以下、特に１０質量％以下、さらには５質量％以下の範囲で含有してもよく、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を制御することが可能となる。
【００６４】
＜製造方法＞
上記のガラスセラミック焼結体を製造するには、まず、構成成分として、３０〜５５質量％、特に３５〜５０質量％のＳｉＯ２と、１５〜４０質量％、特に２０〜３５質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜２５質量％、特に５〜２０質量％のＭｇＯと、２〜１５質量％、特に４〜１２質量％のＺｎＯと、２〜１５質量％、特に４〜１２質量％のＢ２Ｏ３と、０〜１０質量％のＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２および希土類元素酸化物の群から選ばれる少なくとも１種と、０〜０．１質量％のＰｂＯと、０〜０．１質量％のＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）とからなるガラス粉末６０〜９４質量％、特に６３〜９０質量％、最適には６５〜８７質量％と、コーディエライト粉末０．５〜２０質量％と、特に１〜１８質量％、最適には１．５〜１５質量％と、アルミナ粉末５〜２０質量％と、ＣａＳｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、Ｃａ２ＳｉＯ４、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＣａＡｌ４Ｏ７、ＣａＡｌ２ＳｉＯ６の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０．５〜１５質量％、特に１〜１２質量％、最適には１．５〜１０質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０〜２０質量％とからなり、前記ガラス粉末が７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであるガラスセラミック組成物を作製する。
【００６５】
そして、このガラスセラミック組成物に、有機バインダ、溶媒、必要に応じて可塑剤を添加、混合し、プレス成形、押出形成、射出成形、鋳込み成形、テープ成形の群から選ばれる少なくとも１種の成形方法によって所定形状に成形する。
【００６６】
そして、該成形体を、４５０〜７５０℃で脱バインダ処理した後、酸化性雰囲気あるいは窒素雰囲気中、７００℃以上１０５０℃以下、特に８００〜９５０℃の温度で焼成することにより、本発明のガラスセラミック焼結体を作製することができる。
【００６７】
ガラスセラミック焼結体を後述する配線基板の絶縁基板として用いる際に、導体材料として、銀、金を用いる場合は、導体は酸化しないため、大気雰囲気中で焼成することが望ましく、銅を用いる場合には、銅の酸化を抑制する為に窒素雰囲気中にて焼成することが望ましい。
【００６８】
なお、前記ガラスセラミック焼結体は、還元雰囲気下でも焼成することは可能であるが、コスト、安全性の面から、望ましくは酸化性雰囲気あるいは窒素雰囲気中での焼成が望ましい。
【００６９】
なお、焼結体中に上述した特定の結晶相の析出を促進するためには、脱バインダ処理後の昇温速度を５０℃／時間以上、特に１００℃／時間以上とすることが望ましく、また、焼成温度での保持時間を０．０２〜１０時間、特に０．２〜２時間とすることが望ましい。
【００７０】
＜配線基板＞
また、本発明の配線基板は、絶縁基板の表面および／または内部に低抵抗金属を含有する配線層が配設されたものであり、前記絶縁基板が、上記のガラスセラミック焼結体からなるものである。
【００７１】
上記ガラスセラミック焼結体を絶縁基板とすることによって、銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する配線層との同時焼成が可能となる。
【００７２】
また、この配線基板の表面には、本発明においては、前記配線基板の表面および／または表面に設けた凹部に、Ｓｉを主体とする半導体素子を載置してなることが、一次実装信頼性を確保する上で望ましい。
【００７３】
上述したガラスセラミック焼結体を絶縁基板として用いた本発明の配線基板について、その好適例であるシリコンを主体とする半導体素子等の電気素子をフリップチップ実装によって搭載したＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型の電気素子収納用パッケージと、該パッケージをプリント配線基板上に実装した場合の概略断面図である図１をもとに説明する。
【００７４】
図１によれば、電気素子収納用パッケージＡは、複数の絶縁層１ａ〜１ｄからなる絶縁基板１の表面および／あるいは内部に配線層２が形成されている。また、図１によれば、絶縁層１ａ〜１ｄ間に形成される銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する配線層２、および配線層２同士を電気的に接続する銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有するビアホール導体３が形成されている。
【００７５】
さらに、パッケージＡの下面には複数の接続用電極４Ａが配列されており、絶縁基板１の上面中央部には、半導体素子等の電気素子５が半田ボール６や半田を介して絶縁基板１上にフリップチップ実装により接着固定されると同時に、パッケージＡと電気的に接続される。
【００７６】
また、電気素子５とパッケージＡとの間は、一次実装信頼性を高める為に熱硬化性樹脂を含有するアンダーフィル７が注入され、硬化されている。さらに、電気素子５と、絶縁基板１の下面に形成された複数の接続用電極４Ａとは、半田ボール６、配線層２およびビアホール導体３を介して電気的に接続されている。
【００７７】
一方、プリント配線基板Ｂは、熱膨張係数が１５〜２０×１０−６／℃の絶縁基板の上面に、接続用電極４Ｂが接続用電極４Ａと対を成すように形成されている。そして、接続用電極４Ａ、４Ｂ間は、共晶半田９、高温半田ボール８を介して電気的に接続される。
【００７８】
本発明によれば、絶縁基板１を、前述したような、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、ＣａＯを構成成分として含有し、かつ少なくともコーディエライト結晶相を全量中２０質量％以上と、アルミナ結晶相とを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、誘電率が５．８以下、ヤング率が１３０ＧＰａ以下であることを特徴とするガラスセラミック焼結体によって形成することが大きな特徴であり、これによって、絶縁基板１の熱膨張係数、誘電率、ヤング率を低下させることができ、さらに耐薬品性と抗折強度とを向上させることができる。その結果、パッケージＡの一次実装信頼性とともに、二次実装信頼性をも高めることができる。
【００７９】
また、絶縁基板１の誘電率を低下させるとともに、配線層２やビアホール導体３として、銅、銀または金のうちの少なくとも一種の低抵抗金属を主成分として含有するために、配線層を低抵抗化でき、信号の遅延を小さくできる。
【００８０】
なお、上記図１の例では、電気素子としてシリコン系半導体素子を例示したが、本発明の配線基板によれば、熱膨張係数が５×１０−６／℃以下のその他の電気素子であってもよい。また、図１のパッケージにおいては、電気素子５は半田ボール６などを介して配線層２と接続される場合に好適であるが、電気素子５と配線層２とはワイヤボンディング等によって接続されたものであってもよい。また、電気素子５は、その上にさらに封止樹脂にて覆う形態であってもよい。また、絶縁基板１にキャビティを形成して電気素子５を収納し、蓋体によってキャビティを気密封止するものであってもよい。
【００８１】
また、図１においては、パッケージＡとプリント配線基板Ｂとは、高温半田ボール８を介して相互に接続されるＢＧＡ型のパッケージ構造について説明したが、本発明は、リードピンなどを用いずに、パッケージＡとプリント配線基板Ｂとが、半田を介して接続される前記ＢＧＡ、ＬＧＡ、ＬＣＣ型などのタイプの場合において発生する応力が大きく二次実装信頼性が求められることから、この種のパッケージに特に好適に用いられる。その他、樹脂を含有するボール、柱状の半田カラム、樹脂を含有するカラム、さらにはピンにて接続される形態であってももちろん有用性を有する。
【００８２】
次に、本発明の配線基板を製造する方法について、上記パッケージＡを例にすると、前述したようなガラス粉末と、フィラー粉末との混合粉末に対して、適当な有機バインダ、溶媒、必要に応じて可塑剤を添加、混合してスラリーを調製し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法により、シート状に成形する。そして、このシート状成形体に所望によりスルーホールを形成した後、スルーホール内に、銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する導体ペーストを充填する。そして、シート状成形体表面には、前記導体ペーストを用いてスクリーン印刷法、グラビア印刷法などの公知の印刷手法を用いて配線層の厚みが５〜３０μｍとなるように配線パターンを印刷塗布する。
【００８３】
そして、複数のシート状成形体を位置合わせして積層圧着した後、大気中、または窒素雰囲気中にて脱バインダ処理した後、１０５０℃以下の大気中または窒素雰囲気で焼成することにより、配線基板を作製することができる。
【００８４】
なお、焼成雰囲気については、導体材料として、銀、金を用いる場合は、導体は酸化しないため、大気雰囲気中で焼成することが望ましく、銅を用いる場合には、銅の酸化を抑制する為に窒素雰囲気中にて焼成することが望ましい。
【００８５】
そして、この配線基板の表面に、半導体素子等の電気素子５を搭載し、配線層２と信号の伝達が可能なように接続される。接続方法としては、前述したように、半田を用いたフリップチップ実装や、ワイヤボンディング、さらには配線層上に直接搭載させて接続させる形態が好適である。
【００８６】
さらに、電気素子５とパッケージＡとの間隙にアンダーフィル剤７を充填、硬化したり、電気素子５上にポッティング樹脂を被覆し、硬化させるか、絶縁基板Ａと同種の絶縁材料や、その他の絶縁材料、あるいは放熱性が良好な金属等からなる蓋体をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤により接合することにより、電気素子収納用パッケージを作製することができる。
【００８７】
また、パッケージＡの下面に、低融点ハンダによって高融点半田からなるボール８を接続する。そして、このパッケージＡをプリント配線基板Ｂに実装する場合には、プリント配線基板Ｂの表面に、前記パッケージＡの半田ボール８を低融点半田を介してプリント配線基板Ｂの接続用電極４Ｂ上に載置し、半田リフロー処理することによって、パッケージＡをプリント配線基板Ｂ上に二次実装することができる。
【００８８】
【実施例】
（実施例１）
表１に示した組成からなる本発明の４種の平均粒径が２μｍのガラスＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの粉末を準備し、これらのガラス粉末に対して、平均粒径が１〜２μｍの表２、３に示す第１のフィラー粉末（ＣａＳｉＯ ３ 、ＣａＺｒＯ ３ 、Ｃａ ２ ＳｉＯ ４ 、ＣａＡｌ ２ Ｏ ４ 、ＣａＡｌ ４ Ｏ ７ 、ＣａＡｌ ２ ＳｉＯ ６ の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末）および第２のフィラー粉末を用いて、表２、３の組成に従い混合した。
【００８９】
なお、各ガラスＡ〜Ｄについては、ガラス単体での焼成温度で焼成した時のコーディエライト結晶相の析出量をリートベルト法によって測定し、その結果を表２に示した。
【００９０】
そして、この混合物に有機バインダ、可塑剤、トルエンを添加し、スラリーを調製した後、このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ３００μｍのグリーンシートを作製した。さらに、このグリーンシートを所望の厚さになるように複数枚積層し、６０℃の温度で１０ＭＰａの圧力を加えて熱圧着した。
【００９１】
得られた積層体を窒素雰囲気中、７５０℃で脱バインダ処理した後、２００℃／時間で昇温して、大気中で表２、３の条件にて焼成してガラスセラミック焼結体を得た。
【００９２】
得られた焼結体について、焼結体を５ｍｍ□、長さ１８ｍｍに加工し、１０℃／分の速度で焼温しながらレーザー測距計にて寸法変化を測定することにより、４０〜４００℃における熱膨張係数を測定した。また、５０ｍｍ□、厚さ１．０ｍｍに加工し、空洞共振器法にて２ＧＨｚにおける誘電率を測定した。また、約２０ｍｍ×約２０ｍｍ×約１ｍｍとなるように成形体を加工、焼成した後、加工を施さず焼き上げ面そのままの状態で表面積と質量を測定した後、1質量％ＨＦ水溶液中に１分間浸漬し、水洗、乾燥後の質量を測定し、質量減少を表面積で除した値をＨＦ水溶液中への溶出量として算出した。
【００９３】
さらに、焼結体を３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍに加工し、超音波パルス法にてヤング率を測定した。また、同様のサンプルを用いて、オートグラフを用いＪＩＳＲ−１６０１に基づく３点曲げ強度を測定した。また、焼結体中における結晶相をＸ線回折測定から同定し、リードベルト法により焼結体中の各結晶相の析出量を算出し多い順に並べた。
【００９４】
コーディエライト結晶相については、ガラス添加量とガラス単体からのコーディエライト析出割合とから計算したガラス添加量に応じたコーディエライト結晶の析出量Ｘ、コーディエライト粉末の添加量Ｙ、さらには、作製された焼結体に対してリートベルト法により、焼結体中のコーディエライト結晶相の含有量Ｚを算出した。
【００９５】
以上の測定結果を表４、５に示す。
【００９６】
一方、上記４種類のガラスに代わり、表１に示す２種類のガラスＥ、Ｆを用いて同様に評価を行った。また、第２のフィラー粉末として、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２を用いて同様の評価を行った。結果を表４、５に示す。
【００９７】
【表１】
【００９８】
【表２】
【００９９】
【表３】
【０１００】
【表４】
【０１０１】
【表５】
【０１０２】
表１〜５の結果から明らかなように、本発明に基づき、コーディエライト結晶相とアルミナ結晶相とを含む特定の結晶相が析出した試料Ｎｏ．５〜９、１４〜１６、１８〜３７、４４〜４９では、熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、誘電率が５．８以下、ヤング率が１３０ＧＰａ以下となり、さらに、１％ＨＦ水溶液に１分間浸漬した際の質量減少が３．０μｇ／ｍｍ２以下となり、抗折強度も２００ＭＰａ以上と良好な値を示した。
【０１０３】
それに対して、ガラス粉末の量が本発明の範囲外である６０質量％よりも少ない試料Ｎｏ．１０、１３、１７、コーディエライト粉末が２０質量％よりも多い試料Ｎｏ．１０、アルミナ粉末が３５質量％よりも多い試料Ｎｏ．１３、少なくともＣａＯを含有するフィラー粉末が１５質量％よりも多い試料Ｎｏ．１７では、１０５０℃以下の焼成にて緻密な焼結体を得ることができなかった。
【０１０４】
また、コーディエライト粉末の量が本発明の範囲外である０．５質量％よりも少ない試料Ｎｏ．１、２においては、焼結体中のコーディエライト結晶の量が２０質量％よりも少なく、熱膨脹係数の低下効果が不充分となり、熱膨脹係数が５×１０−６よりも大きくなった。
【０１０５】
また、アルミナ粉末の量が本発明の範囲外である５質量％よりも少ない試料Ｎｏ．１、３においては、抗折強度が２００ＭＰａよりも低くなった。
【０１０６】
また、第１のフィラー粉末が０．５質量％よりも少なく、全量中における（ＣａＯ／Ｂ２Ｏ３）比が０．０１よりも小さい試料Ｎｏ．１、４においては、ＨＦ水溶液中への溶出量が３．０μｇ／ｍｍ２よりも多くなった。
【０１０７】
また、第２のフィラー粉末として、本発明の範囲外であるＺｒＯ２、ＴｉＯ２を用いた試料Ｎｏ．３８〜４３では、いずれも熱膨張係数が５×１０−６／℃よりも高く、かつ誘電率が５．８より高くなった。
【０１０８】
さらに、本発明の範囲外のガラス粉末Ｅ、Ｆを用いた試料Ｎｏ．５０〜５３では、いずれの試料もコーディエライト結晶相はガラスから析出せず、熱膨張係数が５×１０−６／℃よりも高くなり、誘電率も５．８よりも高くなった。
【０１０９】
（実施例２）
実施例１の各組成物原料粉末に対して、アクリル系バインダと可塑剤とトルエンを添加、混合し、ドクターブレード法によって厚み２５０μｍのグリーンシートを作製した。次に、該グリーンシートの所定位置にビアホールを形成し、銅を主成分とする導体ペーストを充填した後、スクリーン印刷法により前記導体ペーストを用いてグリーンシート表面に配線層を形成した。
【０１１０】
そして、前記配線層を形成したグリーンシートを位置合わせしながら４枚積層、熱圧着した。この積層体を水蒸気含有窒素中、７５０℃で脱バインダ処理し、さらに２００℃／時間で昇温した後、窒素中、表２、３に示す条件にて焼成した結果、銅を主成分とする配線層を具備する多層配線基板を作製した。
【０１１１】
得られた配線基板について、配線層の導通を確認したところ、本発明の試料は、いずれも断線等がなく、低抵抗で良好な導通特性を示した。さらに、ＨＦ水溶液処理を含むＮｉ−Ａｕめっき処理を施した場合でも、磁器の変色や、しみ、配線層の接着強度の低下等がない良好な配線基板を得ることが出来た。
【０１１２】
（実施例３）
さらに、実施例２において作製した上記グリーンシートの表面に、銅を主体とした導体ペーストをスクリーン印刷法にて、パッケージＡの表面には、０．１２ｍｍφのパッドをマトリックス状に配設したフリップチップパッドを形成し、裏面には１ｍｍφのパッドをマトリックス状に配設したボールパッドを形成した。焼成後の形状が３０ｍｍ□、厚み１．５ｍｍとなるようにグリーンシートを積層、切断後、表２、３に示す条件にて焼成した。得られた配線基板にＮｉ−Ａｕめっきを施した後、上記ボールパッド上に共晶半田ペーストを印刷し、１．２ｍｍφの高温半田ボールを位置合わせして載置し、リフロー処理を行うことにより、高温半田ボールを搭載したパッケージＡを作製した。
【０１１３】
次に、シリコンを主体とする熱膨張係数が３×１０−６／℃の半導体素子をパッケージＡの表面に、０．１ｍｍ厚の半田を介して位置合わせして載置し、リフロー処理を行った後、アンダーフィルを半導体素子とパッケージＡとの間隙に注入し、硬化させることにより半導体素子をフリップチップ実装した。
【０１１４】
さらに、パッケージＡの裏面と同様の配線パターンを形成した熱膨張係数が１５×１０−６／℃のプリント基板Ｂを用意し、その上にパッケージＡを位置合わせして載置し、再度リフロー処理を行うことによりパッケージＡをプリント基板上に実装した二次実装サンプルをそれぞれ２０個作製した。
【０１１５】
上記二次実装サンプルを、０〜１００℃の温度範囲で温度サイクル試験を行い、１００サイクル終了毎に一次実装側、二次実装側の双方に関して抵抗値を測定し、抵抗値の変化や断線の有無を確認し、抵抗が初期値に対して１０％以上変化した時のサイクル数を表４、５に示した。ここで、１０００サイクルまで断線のなきものを合格（ＯＫ）とした。
【０１１６】
さらに、比較例として熱膨張係数が４．７×１０−６／℃、ヤング率が３１０ＧＰａのＡｌＮセラミックスを絶縁基板とし、タングステンによって配線層、ビア導体を形成し、１６００℃で同時焼成してパッケージを作製し、同様の温度サイクル試験を行った。
【０１１７】
表１〜５の結果から明らかなように、本発明に基づき、特定の結晶相が析出した熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下の試料では、一次実装、および二次実装の双方において１０００サイクルの温度サイクル試験において断線が見られず、高い実装信頼性を示すことが確認できる。
【０１１８】
一方、本発明の範囲外であり、熱膨張係数が５×１０−６／℃よりも大きい試料においては、温度サイクル試験において、半導体素子と絶縁基板間の熱膨張係数のミスマッチが大きく、いずれの試料も１０００サイクルよりも短いサイクル数にて断線が生じ、一次実装信頼性が確保できなかった。
【０１１９】
さらに、熱膨張係数が４．７×１０−６／℃と低いものの、ヤング率が３１０ＧＰａと高い値を示すＡｌＮを用いた試料Ｎｏ．５４においては、温度サイクル試験の結果、一次実装側は１０００サイクルにて断線が見られないものの、ヤング率が高く熱応力の緩和効果が不充分なため、二次実装側で１０００サイクルよりも短いサイクル数にて断線が生じ、実装信頼性が確保できなかった。
【０１２０】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明のガラスセラミック組成物および焼結体は、７００℃以上１０５０℃以下の焼成にて、銅、銀、金などの低抵抗金属を主成分とする導体材料を用いて配線層を形成することができ、低熱膨張係数と低誘電率、低ヤング率とを有し、さらに高い耐薬品性、高い抗折強度とを兼ね備えることにより、シリコンなどの半導体素子の一次実装、高熱膨張のプリント配線基板への二次実装の双方に対して高い実装信頼性を示す配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板を用いたＢＧＡ型の半導体素子収納用パッケージの一例を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
Ａ 素子収納用パッケージ
１ 絶縁基板
２ 配線層
３ ビアホール導体
４ 接続用電極
５ 素子
６ 半田ボール
７ アンダーフィル
８ 高温半田ボール
９ 共晶半田
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子収納用パッケージ、多層配線基板等に適用される配線基板等に最適なガラスセラミック組成物およびガラスセラミック焼結体とその製造方法に関するものであり、また、これを絶縁基板として用いた配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、高度情報化時代を迎え、情報通信技術が急速に発達し、それに伴い、半導体素子等の高速化、大型化が図られ、配線層においても、信号の伝送損失を低減する上で配線層の低抵抗化と絶縁基板の低誘電率化が求められている。そこで、１０００℃以下での焼成によって緻密化でき、銅、銀または金等の低抵抗金属を主成分とする配線層との同時焼成が可能で、かつ誘電率の低いガラスセラミックスを絶縁層とする配線基板が提案されている。
【０００３】
特に、シリコンを主体とする半導体素子に関して、近年、微細配線化、高速化が急速に進行している。素子内部のトランジスタ間を接続する配線の微細化に伴い、配線の低抵抗化及び絶縁膜の低誘電率化が進められている。
【０００４】
半導体素子の絶縁膜として、従来はＳｉＯ２が用いられてきたが、この絶縁膜をさらに低誘電率化すると、その機械的特性が低下することが良く知られている。特に、非常に低い誘電率が得られる多孔質の絶縁膜において、機械的特性の低下が著しいものとなる。
【０００５】
そこで、このような低誘電率の絶縁膜を使用した半導体素子を半導体素子収納用パッケージ上に実装（以下一次実装と称す）する際に、アンダーフィル剤を硬化させる（キュア工程）際に必要な熱処理や、素子のＯＮ／ＯＦＦに伴う素子の発熱／冷却に伴って、素子とパッケージ間の熱膨張係数のミスマッチにより熱応力が発生し、半導体素子が破壊してしまうといった問題が懸念されている。さらに、素子が大型化すると熱応力がそれに伴い大きくなるため、素子が破壊する危険性が増大する。
【０００６】
そのため、一次実装に関わる熱応力を低減するために、パッケージの熱膨張係数をシリコンの熱膨張係数（２〜４ｐｐｍ／℃：４０−４００℃）に合わせることが求められている。
【０００７】
例えば、特許文献１では、ムライト、石英ガラス、ほう珪酸ガラスからなるガラスセラミック焼結体を絶縁材料とすることで、低熱膨張係数の多層セラミック回路基板が得られることが記載されている。
【０００８】
また、特許文献２では、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｋ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３からなる硼珪酸ガラスとアルミナ、コージェライト、石英ガラスとを組み合わせることにより、低抵抗配線が可能な低熱膨張係数のセラミック基板が得られることが記載されている。
【０００９】
〔特許文献１〕
特公平４−５８１９８号公報
〔特許文献２〕
特開平５−２５４９２３号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来のガラスセラミック焼結体は、低い熱膨張係数を実現していることによって一次実装の信頼性を確保できるが、逆に、熱膨張係数が１５〜２０×１０−６／℃程度と非常に大きいプリント配線基板で構成されるマザーボード上に実装（以下、二次実装と称す。）する際には、熱膨張係数のミスマッチが非常に大きくなるため、二次実装信頼性を確保することが困難となる問題があった。
【００１１】
さらに、ほう珪酸ガラスを用いていることから、半田等を用いて実装する際に必須となる、Ｎｉ−ＡｕめっきやＣｕ−Ａｕめっきを施す際の薬品処理、特に配線層上に形成されるガラス層を除去するためのＨＦ処理に対する耐性が悪く、めっき後に磁器の変色や、しみ、配線層の接着強度の低下等が発生する恐れがあった。
【００１２】
従って、本発明は、銅、銀および金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を主成分とする導体材料との同時焼成が可能であり、低い熱膨張係数、低い誘電率、低いヤング率を有しつつ、さらに優れた耐薬品性を示す焼結体を形成するガラスセラミック組成物、およびガラスセラミック焼結体とその製造方法、かかる焼結体を用い、低い熱膨張係数を有しつつも高い二次実装信頼性を確保できる配線基板を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題に対して検討した結果、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３を所定の比率で含み、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ ２ 、ＳｎＯ ２ および希土類元素酸化物の群から選ばれる少なくとも１種が１０質量％以下で、ＰｂＯおよびＡ ２ Ｏ（Ａ：アルカリ金属）がそれぞれ０．１質量％以下のガラス粉末に対して、フィラー粉末としてコーディエライト粉末と、アルミナ粉末と、ＣａＳｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、Ｃａ２ＳｉＯ４、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＣａＡｌ４Ｏ７、ＣａＡｌ２ＳｉＯ６の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末とからなり、前記ガラス粉末が７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであるガラスセラミック組成物を成形後、７００℃以上１０５０℃以下で焼成することによって得られた焼結体が、低熱膨張係数化、低誘電率化とともに、低ヤング率化を図ることができ、しかも優れた耐薬品性とを同時に達成できること、また低熱膨張係数、低誘電率とともに低ヤング率を有する焼結体を絶縁基板とする配線基板が、一次実装信頼性とともに、二次実装信頼性を高めることができることを見出し、本発明に至った。
【００１４】
すなわち、本発明のガラスセラミック組成物は、３０〜５５質量％のＳｉＯ２と、１５〜４０質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜２５質量％のＭｇＯと、２〜１５質量％のＺｎＯと、２〜１５質量％のＢ２Ｏ３と、０〜１０質量％のＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２および希土類元素酸化物の群から選ばれる少なくとも１種と、０〜０．１質量％のＰｂＯと、０〜０．１質量％のＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）とからなるガラス粉末６０〜９４質量％と、コーディエライト粉末０．５〜２０質量％と、アルミナ粉末５〜２０質量％と、ＣａＳｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、Ｃａ２ＳｉＯ４、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＣａＡｌ４Ｏ７、ＣａＡｌ２ＳｉＯ６の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０．５〜１５質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０〜２０質量％とからなり、前記ガラス粉末が７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであることを特徴とするものである。
【００１６】
なお、前記ガラス粉末は、７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより、少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであることが前記ガラスセラミック焼結体の熱膨張係数と誘電率とヤング率とを低下させ、かつ耐薬品性を向上させるうえで重要であり、さらにコーディエライトとともに、ガーナイト、スピネル、ムライトの群から選ばれる少なくとも１種を結晶相として析出するガラスであることによって、耐薬品性の向上を図ると同時に、抗折強度を向上させることができる点で望ましい。
【００１７】
また、本発明のガラスセラミック焼結体は、上記ガラスセラミック組成物を焼成してなり、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、ＣａＯを構成成分として含有し、かつ少なくともコーディエライトとアルミナとを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、誘電率が５．８以下、ヤング率が１３０ＧＰａ以下であることを特徴とする。
【００１８】
また、かかるガラスセラミック焼結体は、１質量％ＨＦ水溶液中に1分間浸漬した際の、質量減少が３μｇ／ｍｍ２以下であること、さらには、抗折強度が２００ＭＰａ以上であることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明のガラスセラミック焼結体の製造方法は、３０〜５５質量％のＳｉＯ２と、１５〜４０質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜２５質量％のＭｇＯと、２〜１５質量％のＺｎＯと、２〜１５質量％のＢ２Ｏ３と、０〜１０質量％のＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２および希土類元素酸化物の群から選ばれる少なくとも１種と、０〜０．１質量％のＰｂＯと、０〜０．１質量％のＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）とからなるガラス粉末６０〜９４質量％と、コーディエライト粉末０．５〜２０質量％と、アルミナ粉末５〜２０質量％と、ＣａＳｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、Ｃａ２ＳｉＯ４、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＣａＡｌ４Ｏ７、ＣａＡｌ２ＳｉＯ６の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０．５〜１５質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０〜２０質量％とからなり、前記ガラス粉末が７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであるガラスセラミック組成物を成形し、大気中あるいは窒素雰囲気中で７００℃以上１０５０℃以下の温度にて焼成することを特徴とするものである。
【００２２】
さらには、前記ガラス粉末を単独で熱処理した際に析出するコーディエライトの量をＸ質量％、前記コーディエライト粉末の量をＹ質量％とし、さらに、前記ガラス粉末と前記コーディエライト粉末とを混合、成形し、大気中あるいはＮ ２ 雰囲気中で１０５０℃以下の温度にて焼成して得られるガラスセラミック焼結体中に含まれるコーディエライトの量をＺ質量％とした際に、Ｚ＞Ｘ＋Ｙの関係が成り立つことが望ましい。
【００２３】
また、本発明の配線基板は、絶縁基板の表面および／または内部に、低抵抗金属を含有する配線層を配設してなり、前記絶縁基板が、上記のガラスセラミック焼結体からなることを特徴とするものであり、かかる配線基板における絶縁基板表面にＳｉを主体とする半導体素子を載置してなることが望ましい。
【００２４】
また、上記の配線基板を、有機樹脂を含有する絶縁基板を具備するプリント配線基板の表面に実装することによって、一次実装信頼性および二次実装信頼性に優れた実装構造を提供できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明のガラスセラミック組成物は、構成成分として、３０〜５５質量％、特に３５〜５０質量％のＳｉＯ２と、１５〜４０質量％、特に２０〜３５質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜２５質量％、特に５〜２０質量％のＭｇＯと、２〜１５質量％、特に４〜１２質量％のＺｎＯと、２〜１５質量％、特に４〜１２質量％のＢ２Ｏ３と、０〜１０質量％のＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２および希土類元素酸化物の群から選ばれる少なくとも１種と、０〜０．１質量％のＰｂＯと、０〜０．１質量％のＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）とからなるガラス粉末６０〜９４質量％、特に６３〜９０質量％、最適には６５〜８７質量％と、コーディエライト粉末０．５〜２０質量％と、特に１〜１８質量％、最適には１．５〜１５質量％と、アルミナ粉末５〜２０質量％と、ＣａＳｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、Ｃａ２ＳｉＯ４、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＣａＡｌ４Ｏ７、ＣａＡｌ２ＳｉＯ６の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０．５〜１５質量％、特に１〜１２質量％、最適には１．５〜１０質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０〜２０質量％とからなり、前記ガラス粉末が７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであることを特徴とするものである。
【００２６】
ここで、上記ガラス粉末は、該組成物を銅、銀および金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗導体を主成分とする導体材料と同時焼成可能な温度である１０５０℃以下の低温で焼結させるために必要であり、ガラス粉末の軟化流動により該組成物を低温で焼結可能とするものである。ガラス粉末の量が、前記範囲よりも少ない場合には、該組成物を１０５０℃以下で焼結させることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、該組成物を焼成した場合に、その原型を保つことが困難となる。
【００２７】
さらに、ＳｉＯ２はガラスのネットワークフォーマーであり、かつコーディエライト、ムライト等のＳｉＯ２を構成成分として含有する結晶相、特にコーディエライトをガラスから析出させるための必須成分である。ＳｉＯ２が前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となる。
【００２８】
また、Ａｌ２Ｏ３は、ガラスのヤング率や耐薬品性を向上させる成分であると同時に、コーディエライト、ガーナイト、スピネル、ムライト等のＡｌ２Ｏ３を構成成分として含有する結晶相、特にコーディエライトをガラスから析出させるための必須成分である。Ａｌ２Ｏ３が前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となると同時に、前記ガラスセラミック焼結体のヤング率が上昇し、高い二次実装信頼性を確保することが困難となる。
【００２９】
また、ＭｇＯは、コーディエライト、スピネル等のＭｇＯを構成成分として含有する結晶相、特にコーディエライトをガラスから析出させるための必須成分である。ＭｇＯが前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、前記ガラスセラミック焼結体のヤング率が上昇し、高い二次実装信頼性を確保することが困難となる。
【００３０】
また、ＺｎＯは、ガラスの軟化温度を低下させると同時にガーナイト等のＺｎＯを構成成分として含有する結晶相をガラスから析出させるための必須成分である。ＺｎＯが前記範囲よりも少ない場合には、前記結晶相の析出量が不十分となり、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が低下し前記ガラスセラミック焼結体の原型を保つことが困難となると同時に、前記ガラスセラミック焼結体の耐薬品性が著しく低下する。
【００３１】
さらに、Ｂ２Ｏ３は、ガラスのネットワークフォーマーであると同時に、軟化温度、溶解温度を低下させる働きがあり、Ｂ２Ｏ３が前記範囲よりも少ないと、ガラスの溶解温度が上昇しすぎて、工業的に安価に製造することが困難となると同時にガラスの軟化温度が上昇し１０５０℃以下の低温焼成が困難となる。逆に前記範囲よりも多い場合には、ガラスの軟化温度が低下し前記ガラスセラミック焼結体の原型を保つことが困難となると同時に、前記ガラスセラミック焼結体の耐薬品性が著しく低下する。
【００３２】
なお、前記ガラス粉末中には、本発明を逸脱しない範囲で、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、希土類元素酸化物等の他の成分を１０質量％以下、特に７質量％以下、さらには５質量％以下の範囲で含有してもよく、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を微調整することが可能となる。
【００３３】
また、ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）は、環境への負荷が大きく、また耐薬品性や絶縁性が低下することから、これらの成分量は、全量中、それぞれ０．１質量％以下に抑制されている。
【００３４】
さらに、本発明においては、前記ガラス粉末が、７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出することが、前記ガラスセラミック焼結体の熱膨張係数、誘電率、ヤング率を低下させると同時に耐薬品性を向上させるうえで重要である。
【００３５】
さらには、コーディエライト結晶相を粉末としてではなくガラス中から析出させることにより、焼結性を向上させる効果もあるため、前記ガラスセラミック焼結体のヤング率を低下させつつも、抗折強度を向上させることが可能となる。
【００３６】
また、本発明においては、ガラス粉末からガーナイト、スピネル、ムライトの群から選ばれる少なくとも１種を結晶相として析出することが、特に前記ガラスセラミック焼結体の耐薬品性を向上させると同時に抗折強度を向上させるために望ましい。
【００３７】
一方、フィラーとしてコーディエライト粉末を必須成分とするものであるが、フィラーとしてのコーディエライト粉末は、該組成物を焼成してなるガラスセラミック焼結体の熱膨張係数と誘電率、ヤング率を低下させると同時に耐薬品性を向上させる効果があり、さらには、前記組成を有するガラス粉末と混合、焼成することにより、該コーディエライト粉末を核として前記ガラス粉末からより多くのコーディエライト結晶相を析出させることにより、前記ガラスセラミック焼結体の熱膨張係数、誘電率、ヤング率をさらに低下せしめつつ、耐薬品性をさらに向上させることが可能となるため、微量の添加にて十分な効果を挙げることができる。該コーディエライト粉末の量が前記範囲よりも少ない場合には、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲とすることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、該組成物を１０５０℃以下で焼結させることが困難となる。
【００３８】
さらに、本発明によれば、フィラーとしてアルミナ粉末を必須成分とするものであるが、該アルミナ粉末は、該組成物を焼成してなるガラスセラミック焼結体の抗折強度と耐薬品性を同時に向上させる効果がある。該アルミナ粉末の量が前記範囲よりも少ない場合には、前記ガラスセラミック焼結体の抗折強度の低下、および耐薬品性、特にＨＦ水溶液に対する溶出量を望ましい値にまで低下させることが困難となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、該組成物を１０５０℃以下で焼結させることが困難となる。
【００３９】
さらに、ＣａＳｉＯ ３ 、ＣａＺｒＯ ３ 、Ｃａ ２ ＳｉＯ ４ 、ＣａＡｌ ２ Ｏ ４ 、ＣａＡｌ ４ Ｏ ７ 、ＣａＡｌ ２ ＳｉＯ ６ の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末を必須成分とするものである。ＣａＳｉＯ ３ 、ＣａＺｒＯ ３ 、Ｃａ ２ ＳｉＯ ４ 、ＣａＡｌ ２ Ｏ ４ 、ＣａＡｌ ４ Ｏ ７ 、ＣａＡｌ ２ ＳｉＯ ６ の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末は焼成中にその全量あるいは一部が分解することによりＣａＯ成分がガラス中に溶解する。ガラス中に溶解したＣａＯは、特に耐薬品性の悪いＢ２Ｏ３の三配位ネットワーク中に優先的に侵入し、Ｂ２Ｏ３のネットワークを耐薬品性に優れる四配位へとその構造を変化させる。従って、上記ＣａＳｉＯ ３ 、ＣａＺｒＯ ３ 、Ｃａ ２ ＳｉＯ ４ 、ＣａＡｌ ２ Ｏ ４ 、ＣａＡｌ ４ Ｏ ７ 、ＣａＡｌ ２ ＳｉＯ ６ の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末により、焼結体中に残留したガラスの耐薬品性が著しく向上する結果、該ガラスセラミック焼結体の耐薬品性を向上することができる。
【００４０】
なお、上記残留ガラスとは、結晶化ガラスである前記ガラス粉末の結晶化が終了した後に焼結体中に存在するガラス相を指し、前記ガラス粉末とは異なった組成、性質を有するものである。
【００４１】
ここで、該ＣａＳｉＯ ３ 、ＣａＺｒＯ ３ 、Ｃａ ２ ＳｉＯ ４ 、ＣａＡｌ ２ Ｏ ４ 、ＣａＡｌ ４ Ｏ ７ 、ＣａＡｌ ２ ＳｉＯ ６ の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末の量が前記範囲よりも少ない場合には、耐薬品性を向上させる効果が不充分となり、逆に前記範囲よりも多い場合には、前記ガラスセラミック焼結体を１０５０℃以下の温度で焼結させることが困難となる。
【００４３】
また、該組成物全量中におけるＣａＯとＢ２Ｏ３の含有量が、質量比（ＣａＯ／Ｂ２Ｏ３）で０．０１以上、特に０．０３、最適には０．０５以上であることが、該組成物を焼成してなるガラスセラミック焼結体の耐薬品性を向上させるために望ましい。ＣａＯは上述のように、該ガラスセラミック焼結体の耐薬品性を向上させる効果があり、ＣａＯとＢ２Ｏ３の含有量の質量比が前述の範囲よりも少ないと、耐薬品性の向上効果が不十分となる。
【００４４】
さらに、他のフィラーとして、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラス粉末の群から選ばれる少なくとも１種を添加して含有させることができる。これらのフィラーは、該組成物を焼成してなるガラスセラミック焼結体の熱膨張係数、誘電率を低くするために特に有効な成分であり、なかでもムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種は、抗折強度の向上にも効果的であり、石英ガラスは、熱膨張係数、誘電率、ヤング率を低下させる効果が特に著しいものである。これらの粉末が前記範囲よりも多い場合には、該組成物を１０５０℃以下で焼結させることが困難となる。
【００４６】
本発明のガラスセラミック焼結体は、上記ガラスセラミック組成物を焼成してなり、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、ＣａＯを構成成分として含有し、かつ少なくともコーディエライトと、アルミナとを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、特に４．５×１０−６／℃以下、最適には４×１０−６／℃以下、誘電率が５．８以下、ヤング率が１３０ＧＰａ以下であることを特徴とするものである。
【００４７】
以下、本文における熱膨張係数の値は、すべて４０〜４００℃における熱膨張係数を意味するものである。
【００４８】
ここで、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３の各成分は前記ガラス粉末中に含有される必須成分であり、これらの成分を含有することにより、所望の結晶相を析出させ、所望の特性を有するガラスセラミック焼結体を得ることができる。また、ＣａＯは該ガラスセラミック焼結体の耐薬品性を向上させる効果がある。
【００４９】
また、上記コーディエライト結晶相は、前記ガラスセラミック焼結体の低熱膨張化、低誘電率化、低ヤング率化、さらに耐薬品性を向上させるための必須成分である。このコーディエライト結晶は、熱処理によりコーディエライトを析出する前記ガラス粉末とコーディエライト粉末とを混合、焼成することにより、コーディエライト粉末を核として前記ガラス粉末中からより多くのコーディエライトを析出させることにより、さらに低い熱膨張係数と誘電率とを達成しつつ、低ヤング率と高い抗折強度とを同時に実現させ、さらに耐薬品性を向上させることができる。なお、コージェライト結晶相は、全量中２０質量％以上、特に２５質量％以上、最適には３０質量％以上の割合で含有することが望ましい。
【００５０】
さらに、上記アルミナ結晶相は、前記ガラスセラミック焼結体の抗折強度および耐薬品性を向上させるための必須成分である。アルミナ結晶相は、全量中５〜２０質量％の割合で含有することが望ましい。
【００５１】
また、このガラスセラミック焼結体の熱膨張係数は、Ｓｉ（シリコン）を主体とする半導体素子を、前記ガラスセラミック焼結体を絶縁基板として用いた配線基板上に一次実装する際に絶縁基板と半導体素子との熱膨張係数のミスマッチにより生じる熱応力を低減するために、シリコンの熱膨張係数の値に近いものでなくてはならず、前記範囲よりもその熱膨張係数が大きい場合には、一次実装の信頼性を確保することが困難となる。
【００５２】
さらに、誘電率は、信号遅延時間を短縮するために低いことが望ましく、前記範囲よりも誘電率が大きいと、前記配線基板の遅延時間が長くなり性能が低下する。
【００５３】
また、ヤング率が低いということは、該ガラスセラミック焼結体が応力により変形しやすいことを意味する。従って、焼結体の熱膨張係数を半導体素子に整合させるために低熱膨張化することによって、プリント配線基板への二次実装における熱膨張差が大きくなっても、二次実装部において発生する熱応力を焼結体の変形により緩和することができ、二次実装信頼性を向上させることができる。従って、ヤング率が前記範囲よりも大きいと、二次実装信頼性が著しく低下する。
【００５４】
さらに、本発明では、１質量％ＨＦ水溶液中に1分間浸漬した際の質量減少が３．０μｇ／ｍｍ２以下、特に２．５μｇ／ｍｍ２以下、最適には２．０μｇ／ｍｍ２以下である事が望ましい。
【００５５】
ここで、１質量％ＨＦ水溶液中に1分間浸漬した際の質量減少は、Ｎｉ−ＡｕめっきやＣｕ−Ａｕめっきを施す際の薬品処理において、最も焼結体表面へのダメージが大きい工程、即ち、配線層上に形成されるガラス層を除去するためのＨＦ処理に対する耐性を表わしており、該質量減少が上記範囲よりも大きいと、めっき後に磁器の変色や、しみ、メタライズ強度の低下等が発生する恐れがある。
【００５６】
また、本発明においては、抗折強度が２００ＭＰａ以上であることが望ましい。抗折強度の値が上記範囲よりも小さい場合には、該ガラスセラミック焼結体を用いた配線基板を作製した場合に、配線基板の割れや、欠け等が生じる恐れがあり、前記配線基板の機械的な信頼性が著しく低下し、実用に耐えなくなる。抗折強度の値のさらに望ましい範囲は２２０ＭＰａ以上である。
【００５７】
さらに、本発明おいては、結晶相として、前記コーディエライトおよびアルミナ以外に、さらに、ガーナイト、スピネル、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種を含有せしめることによって、該ガラスセラミック焼結体の抗折強度を向上させることができる。特に、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアンの群から選ばれる少なくとも１種は、抗折強度向上のみならず、熱膨張係数、誘電率を低下させるためにも望ましい。
【００５８】
また、本発明においては、ＣａＯが少なくとも残留ガラス中に存在していることが望ましい。これは、前述のように、ＣａＯ成分が残留ガラス中に存在することにより、前記ガラスセラミック焼結体の耐薬品性を向上させることができるためである。
【００５９】
さらに、本発明においては、ＰｂＯおよびＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）の含有量がそれぞれ０．１重量％以下に抑制されていることが、対環境負荷、耐薬品性、絶縁性の観点から望ましい。
【００６０】
また、本発明においては、前記ガラス粉末を単独で熱処理した際に析出するコーディエライトの量をＸ質量％、前記コーディエライト粉末の量をＹ質量％とし、さらに、前記ガラス粉末と前記コーディエライト粉末とを混合、成形し、大気中あるいはＮ２雰囲気中で１０５０℃以下の温度にて焼成して得られる焼結体中に含まれるコーディエライトの量をＺ質量％とした際に、Ｚ＞Ｘ＋Ｙの関係が成り立つことが重要である。
【００６１】
即ち、前記コーディエライト粉末、前記フィラー粉末が核剤として働くことにより、ガラス粉末単体から析出するコーディエライトよりもさらに多くのコーディエライトをガラスから析出させることができ、コーディエライト粉末の量を抑制できることから焼結性の低下を招くことなく該ガラスセラミック焼結体中のコーディエライト結晶相の含有量を増加させることができ、前記ガラスセラミック焼結体の熱膨脹係数、誘電率、ヤング率をさらに低下させることができる。
【００６２】
このとき、前記焼結体中に含まれるコーディエライトの量（＝Ｚ質量％）が、２０質量％以上、特に２５質量％以上、最適には３０質量％以上であることが、低い熱膨張係数と低い誘電率とを両立させるために望ましい。前記Ｚの値が前記範囲よりも少ない場合には、熱膨張係数および／あるいは誘電率が望ましい範囲よりも大きくなる。
【００６３】
また、上記焼結体中には、本発明を逸脱しない範囲で、ＳｉＯ２、Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｓｒ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｂａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＳｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、Ｚｎ２ＳｉＯ４、ＺｒＳｉＯ４、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６、Ｚｎ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ１８、ＣａＳｉＯ３、ＳｒＳｉＯ３、ＢａＳｉＯ３の群から選ばれる他の結晶相を、総量が１５質量％以下、特に１０質量％以下、さらには５質量％以下の範囲で含有してもよく、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を制御することが可能となる。
【００６４】
＜製造方法＞
上記のガラスセラミック焼結体を製造するには、まず、構成成分として、３０〜５５質量％、特に３５〜５０質量％のＳｉＯ２と、１５〜４０質量％、特に２０〜３５質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜２５質量％、特に５〜２０質量％のＭｇＯと、２〜１５質量％、特に４〜１２質量％のＺｎＯと、２〜１５質量％、特に４〜１２質量％のＢ２Ｏ３と、０〜１０質量％のＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２および希土類元素酸化物の群から選ばれる少なくとも１種と、０〜０．１質量％のＰｂＯと、０〜０．１質量％のＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）とからなるガラス粉末６０〜９４質量％、特に６３〜９０質量％、最適には６５〜８７質量％と、コーディエライト粉末０．５〜２０質量％と、特に１〜１８質量％、最適には１．５〜１５質量％と、アルミナ粉末５〜２０質量％と、ＣａＳｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、Ｃａ２ＳｉＯ４、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＣａＡｌ４Ｏ７、ＣａＡｌ２ＳｉＯ６の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０．５〜１５質量％、特に１〜１２質量％、最適には１．５〜１０質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０〜２０質量％とからなり、前記ガラス粉末が７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであるガラスセラミック組成物を作製する。
【００６５】
そして、このガラスセラミック組成物に、有機バインダ、溶媒、必要に応じて可塑剤を添加、混合し、プレス成形、押出形成、射出成形、鋳込み成形、テープ成形の群から選ばれる少なくとも１種の成形方法によって所定形状に成形する。
【００６６】
そして、該成形体を、４５０〜７５０℃で脱バインダ処理した後、酸化性雰囲気あるいは窒素雰囲気中、７００℃以上１０５０℃以下、特に８００〜９５０℃の温度で焼成することにより、本発明のガラスセラミック焼結体を作製することができる。
【００６７】
ガラスセラミック焼結体を後述する配線基板の絶縁基板として用いる際に、導体材料として、銀、金を用いる場合は、導体は酸化しないため、大気雰囲気中で焼成することが望ましく、銅を用いる場合には、銅の酸化を抑制する為に窒素雰囲気中にて焼成することが望ましい。
【００６８】
なお、前記ガラスセラミック焼結体は、還元雰囲気下でも焼成することは可能であるが、コスト、安全性の面から、望ましくは酸化性雰囲気あるいは窒素雰囲気中での焼成が望ましい。
【００６９】
なお、焼結体中に上述した特定の結晶相の析出を促進するためには、脱バインダ処理後の昇温速度を５０℃／時間以上、特に１００℃／時間以上とすることが望ましく、また、焼成温度での保持時間を０．０２〜１０時間、特に０．２〜２時間とすることが望ましい。
【００７０】
＜配線基板＞
また、本発明の配線基板は、絶縁基板の表面および／または内部に低抵抗金属を含有する配線層が配設されたものであり、前記絶縁基板が、上記のガラスセラミック焼結体からなるものである。
【００７１】
上記ガラスセラミック焼結体を絶縁基板とすることによって、銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する配線層との同時焼成が可能となる。
【００７２】
また、この配線基板の表面には、本発明においては、前記配線基板の表面および／または表面に設けた凹部に、Ｓｉを主体とする半導体素子を載置してなることが、一次実装信頼性を確保する上で望ましい。
【００７３】
上述したガラスセラミック焼結体を絶縁基板として用いた本発明の配線基板について、その好適例であるシリコンを主体とする半導体素子等の電気素子をフリップチップ実装によって搭載したＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型の電気素子収納用パッケージと、該パッケージをプリント配線基板上に実装した場合の概略断面図である図１をもとに説明する。
【００７４】
図１によれば、電気素子収納用パッケージＡは、複数の絶縁層１ａ〜１ｄからなる絶縁基板１の表面および／あるいは内部に配線層２が形成されている。また、図１によれば、絶縁層１ａ〜１ｄ間に形成される銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する配線層２、および配線層２同士を電気的に接続する銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有するビアホール導体３が形成されている。
【００７５】
さらに、パッケージＡの下面には複数の接続用電極４Ａが配列されており、絶縁基板１の上面中央部には、半導体素子等の電気素子５が半田ボール６や半田を介して絶縁基板１上にフリップチップ実装により接着固定されると同時に、パッケージＡと電気的に接続される。
【００７６】
また、電気素子５とパッケージＡとの間は、一次実装信頼性を高める為に熱硬化性樹脂を含有するアンダーフィル７が注入され、硬化されている。さらに、電気素子５と、絶縁基板１の下面に形成された複数の接続用電極４Ａとは、半田ボール６、配線層２およびビアホール導体３を介して電気的に接続されている。
【００７７】
一方、プリント配線基板Ｂは、熱膨張係数が１５〜２０×１０−６／℃の絶縁基板の上面に、接続用電極４Ｂが接続用電極４Ａと対を成すように形成されている。そして、接続用電極４Ａ、４Ｂ間は、共晶半田９、高温半田ボール８を介して電気的に接続される。
【００７８】
本発明によれば、絶縁基板１を、前述したような、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、ＣａＯを構成成分として含有し、かつ少なくともコーディエライト結晶相を全量中２０質量％以上と、アルミナ結晶相とを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、誘電率が５．８以下、ヤング率が１３０ＧＰａ以下であることを特徴とするガラスセラミック焼結体によって形成することが大きな特徴であり、これによって、絶縁基板１の熱膨張係数、誘電率、ヤング率を低下させることができ、さらに耐薬品性と抗折強度とを向上させることができる。その結果、パッケージＡの一次実装信頼性とともに、二次実装信頼性をも高めることができる。
【００７９】
また、絶縁基板１の誘電率を低下させるとともに、配線層２やビアホール導体３として、銅、銀または金のうちの少なくとも一種の低抵抗金属を主成分として含有するために、配線層を低抵抗化でき、信号の遅延を小さくできる。
【００８０】
なお、上記図１の例では、電気素子としてシリコン系半導体素子を例示したが、本発明の配線基板によれば、熱膨張係数が５×１０−６／℃以下のその他の電気素子であってもよい。また、図１のパッケージにおいては、電気素子５は半田ボール６などを介して配線層２と接続される場合に好適であるが、電気素子５と配線層２とはワイヤボンディング等によって接続されたものであってもよい。また、電気素子５は、その上にさらに封止樹脂にて覆う形態であってもよい。また、絶縁基板１にキャビティを形成して電気素子５を収納し、蓋体によってキャビティを気密封止するものであってもよい。
【００８１】
また、図１においては、パッケージＡとプリント配線基板Ｂとは、高温半田ボール８を介して相互に接続されるＢＧＡ型のパッケージ構造について説明したが、本発明は、リードピンなどを用いずに、パッケージＡとプリント配線基板Ｂとが、半田を介して接続される前記ＢＧＡ、ＬＧＡ、ＬＣＣ型などのタイプの場合において発生する応力が大きく二次実装信頼性が求められることから、この種のパッケージに特に好適に用いられる。その他、樹脂を含有するボール、柱状の半田カラム、樹脂を含有するカラム、さらにはピンにて接続される形態であってももちろん有用性を有する。
【００８２】
次に、本発明の配線基板を製造する方法について、上記パッケージＡを例にすると、前述したようなガラス粉末と、フィラー粉末との混合粉末に対して、適当な有機バインダ、溶媒、必要に応じて可塑剤を添加、混合してスラリーを調製し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法により、シート状に成形する。そして、このシート状成形体に所望によりスルーホールを形成した後、スルーホール内に、銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する導体ペーストを充填する。そして、シート状成形体表面には、前記導体ペーストを用いてスクリーン印刷法、グラビア印刷法などの公知の印刷手法を用いて配線層の厚みが５〜３０μｍとなるように配線パターンを印刷塗布する。
【００８３】
そして、複数のシート状成形体を位置合わせして積層圧着した後、大気中、または窒素雰囲気中にて脱バインダ処理した後、１０５０℃以下の大気中または窒素雰囲気で焼成することにより、配線基板を作製することができる。
【００８４】
なお、焼成雰囲気については、導体材料として、銀、金を用いる場合は、導体は酸化しないため、大気雰囲気中で焼成することが望ましく、銅を用いる場合には、銅の酸化を抑制する為に窒素雰囲気中にて焼成することが望ましい。
【００８５】
そして、この配線基板の表面に、半導体素子等の電気素子５を搭載し、配線層２と信号の伝達が可能なように接続される。接続方法としては、前述したように、半田を用いたフリップチップ実装や、ワイヤボンディング、さらには配線層上に直接搭載させて接続させる形態が好適である。
【００８６】
さらに、電気素子５とパッケージＡとの間隙にアンダーフィル剤７を充填、硬化したり、電気素子５上にポッティング樹脂を被覆し、硬化させるか、絶縁基板Ａと同種の絶縁材料や、その他の絶縁材料、あるいは放熱性が良好な金属等からなる蓋体をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤により接合することにより、電気素子収納用パッケージを作製することができる。
【００８７】
また、パッケージＡの下面に、低融点ハンダによって高融点半田からなるボール８を接続する。そして、このパッケージＡをプリント配線基板Ｂに実装する場合には、プリント配線基板Ｂの表面に、前記パッケージＡの半田ボール８を低融点半田を介してプリント配線基板Ｂの接続用電極４Ｂ上に載置し、半田リフロー処理することによって、パッケージＡをプリント配線基板Ｂ上に二次実装することができる。
【００８８】
【実施例】
（実施例１）
表１に示した組成からなる本発明の４種の平均粒径が２μｍのガラスＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの粉末を準備し、これらのガラス粉末に対して、平均粒径が１〜２μｍの表２、３に示す第１のフィラー粉末（ＣａＳｉＯ ３ 、ＣａＺｒＯ ３ 、Ｃａ ２ ＳｉＯ ４ 、ＣａＡｌ ２ Ｏ ４ 、ＣａＡｌ ４ Ｏ ７ 、ＣａＡｌ ２ ＳｉＯ ６ の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末）および第２のフィラー粉末を用いて、表２、３の組成に従い混合した。
【００８９】
なお、各ガラスＡ〜Ｄについては、ガラス単体での焼成温度で焼成した時のコーディエライト結晶相の析出量をリートベルト法によって測定し、その結果を表２に示した。
【００９０】
そして、この混合物に有機バインダ、可塑剤、トルエンを添加し、スラリーを調製した後、このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ３００μｍのグリーンシートを作製した。さらに、このグリーンシートを所望の厚さになるように複数枚積層し、６０℃の温度で１０ＭＰａの圧力を加えて熱圧着した。
【００９１】
得られた積層体を窒素雰囲気中、７５０℃で脱バインダ処理した後、２００℃／時間で昇温して、大気中で表２、３の条件にて焼成してガラスセラミック焼結体を得た。
【００９２】
得られた焼結体について、焼結体を５ｍｍ□、長さ１８ｍｍに加工し、１０℃／分の速度で焼温しながらレーザー測距計にて寸法変化を測定することにより、４０〜４００℃における熱膨張係数を測定した。また、５０ｍｍ□、厚さ１．０ｍｍに加工し、空洞共振器法にて２ＧＨｚにおける誘電率を測定した。また、約２０ｍｍ×約２０ｍｍ×約１ｍｍとなるように成形体を加工、焼成した後、加工を施さず焼き上げ面そのままの状態で表面積と質量を測定した後、1質量％ＨＦ水溶液中に１分間浸漬し、水洗、乾燥後の質量を測定し、質量減少を表面積で除した値をＨＦ水溶液中への溶出量として算出した。
【００９３】
さらに、焼結体を３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍに加工し、超音波パルス法にてヤング率を測定した。また、同様のサンプルを用いて、オートグラフを用いＪＩＳＲ−１６０１に基づく３点曲げ強度を測定した。また、焼結体中における結晶相をＸ線回折測定から同定し、リードベルト法により焼結体中の各結晶相の析出量を算出し多い順に並べた。
【００９４】
コーディエライト結晶相については、ガラス添加量とガラス単体からのコーディエライト析出割合とから計算したガラス添加量に応じたコーディエライト結晶の析出量Ｘ、コーディエライト粉末の添加量Ｙ、さらには、作製された焼結体に対してリートベルト法により、焼結体中のコーディエライト結晶相の含有量Ｚを算出した。
【００９５】
以上の測定結果を表４、５に示す。
【００９６】
一方、上記４種類のガラスに代わり、表１に示す２種類のガラスＥ、Ｆを用いて同様に評価を行った。また、第２のフィラー粉末として、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２を用いて同様の評価を行った。結果を表４、５に示す。
【００９７】
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
表１〜５の結果から明らかなように、本発明に基づき、コーディエライト結晶相とアルミナ結晶相とを含む特定の結晶相が析出した試料Ｎｏ．５〜９、１４〜１６、１８〜３７、４４〜４９では、熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、誘電率が５．８以下、ヤング率が１３０ＧＰａ以下となり、さらに、１％ＨＦ水溶液に１分間浸漬した際の質量減少が３．０μｇ／ｍｍ２以下となり、抗折強度も２００ＭＰａ以上と良好な値を示した。
【０１０３】
それに対して、ガラス粉末の量が本発明の範囲外である６０質量％よりも少ない試料Ｎｏ．１０、１３、１７、コーディエライト粉末が２０質量％よりも多い試料Ｎｏ．１０、アルミナ粉末が３５質量％よりも多い試料Ｎｏ．１３、少なくともＣａＯを含有するフィラー粉末が１５質量％よりも多い試料Ｎｏ．１７では、１０５０℃以下の焼成にて緻密な焼結体を得ることができなかった。
【０１０４】
また、コーディエライト粉末の量が本発明の範囲外である０．５質量％よりも少ない試料Ｎｏ．１、２においては、焼結体中のコーディエライト結晶の量が２０質量％よりも少なく、熱膨脹係数の低下効果が不充分となり、熱膨脹係数が５×１０−６よりも大きくなった。
【０１０５】
また、アルミナ粉末の量が本発明の範囲外である５質量％よりも少ない試料Ｎｏ．１、３においては、抗折強度が２００ＭＰａよりも低くなった。
【０１０６】
また、第１のフィラー粉末が０．５質量％よりも少なく、全量中における（ＣａＯ／Ｂ２Ｏ３）比が０．０１よりも小さい試料Ｎｏ．１、４においては、ＨＦ水溶液中への溶出量が３．０μｇ／ｍｍ２よりも多くなった。
【０１０７】
また、第２のフィラー粉末として、本発明の範囲外であるＺｒＯ２、ＴｉＯ２を用いた試料Ｎｏ．３８〜４３では、いずれも熱膨張係数が５×１０−６／℃よりも高く、かつ誘電率が５．８より高くなった。
【０１０８】
さらに、本発明の範囲外のガラス粉末Ｅ、Ｆを用いた試料Ｎｏ．５０〜５３では、いずれの試料もコーディエライト結晶相はガラスから析出せず、熱膨張係数が５×１０−６／℃よりも高くなり、誘電率も５．８よりも高くなった。
【０１０９】
（実施例２）
実施例１の各組成物原料粉末に対して、アクリル系バインダと可塑剤とトルエンを添加、混合し、ドクターブレード法によって厚み２５０μｍのグリーンシートを作製した。次に、該グリーンシートの所定位置にビアホールを形成し、銅を主成分とする導体ペーストを充填した後、スクリーン印刷法により前記導体ペーストを用いてグリーンシート表面に配線層を形成した。
【０１１０】
そして、前記配線層を形成したグリーンシートを位置合わせしながら４枚積層、熱圧着した。この積層体を水蒸気含有窒素中、７５０℃で脱バインダ処理し、さらに２００℃／時間で昇温した後、窒素中、表２、３に示す条件にて焼成した結果、銅を主成分とする配線層を具備する多層配線基板を作製した。
【０１１１】
得られた配線基板について、配線層の導通を確認したところ、本発明の試料は、いずれも断線等がなく、低抵抗で良好な導通特性を示した。さらに、ＨＦ水溶液処理を含むＮｉ−Ａｕめっき処理を施した場合でも、磁器の変色や、しみ、配線層の接着強度の低下等がない良好な配線基板を得ることが出来た。
【０１１２】
（実施例３）
さらに、実施例２において作製した上記グリーンシートの表面に、銅を主体とした導体ペーストをスクリーン印刷法にて、パッケージＡの表面には、０．１２ｍｍφのパッドをマトリックス状に配設したフリップチップパッドを形成し、裏面には１ｍｍφのパッドをマトリックス状に配設したボールパッドを形成した。焼成後の形状が３０ｍｍ□、厚み１．５ｍｍとなるようにグリーンシートを積層、切断後、表２、３に示す条件にて焼成した。得られた配線基板にＮｉ−Ａｕめっきを施した後、上記ボールパッド上に共晶半田ペーストを印刷し、１．２ｍｍφの高温半田ボールを位置合わせして載置し、リフロー処理を行うことにより、高温半田ボールを搭載したパッケージＡを作製した。
【０１１３】
次に、シリコンを主体とする熱膨張係数が３×１０−６／℃の半導体素子をパッケージＡの表面に、０．１ｍｍ厚の半田を介して位置合わせして載置し、リフロー処理を行った後、アンダーフィルを半導体素子とパッケージＡとの間隙に注入し、硬化させることにより半導体素子をフリップチップ実装した。
【０１１４】
さらに、パッケージＡの裏面と同様の配線パターンを形成した熱膨張係数が１５×１０−６／℃のプリント基板Ｂを用意し、その上にパッケージＡを位置合わせして載置し、再度リフロー処理を行うことによりパッケージＡをプリント基板上に実装した二次実装サンプルをそれぞれ２０個作製した。
【０１１５】
上記二次実装サンプルを、０〜１００℃の温度範囲で温度サイクル試験を行い、１００サイクル終了毎に一次実装側、二次実装側の双方に関して抵抗値を測定し、抵抗値の変化や断線の有無を確認し、抵抗が初期値に対して１０％以上変化した時のサイクル数を表４、５に示した。ここで、１０００サイクルまで断線のなきものを合格（ＯＫ）とした。
【０１１６】
さらに、比較例として熱膨張係数が４．７×１０−６／℃、ヤング率が３１０ＧＰａのＡｌＮセラミックスを絶縁基板とし、タングステンによって配線層、ビア導体を形成し、１６００℃で同時焼成してパッケージを作製し、同様の温度サイクル試験を行った。
【０１１７】
表１〜５の結果から明らかなように、本発明に基づき、特定の結晶相が析出した熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、ヤング率が１５０ＧＰａ以下の試料では、一次実装、および二次実装の双方において１０００サイクルの温度サイクル試験において断線が見られず、高い実装信頼性を示すことが確認できる。
【０１１８】
一方、本発明の範囲外であり、熱膨張係数が５×１０−６／℃よりも大きい試料においては、温度サイクル試験において、半導体素子と絶縁基板間の熱膨張係数のミスマッチが大きく、いずれの試料も１０００サイクルよりも短いサイクル数にて断線が生じ、一次実装信頼性が確保できなかった。
【０１１９】
さらに、熱膨張係数が４．７×１０−６／℃と低いものの、ヤング率が３１０ＧＰａと高い値を示すＡｌＮを用いた試料Ｎｏ．５４においては、温度サイクル試験の結果、一次実装側は１０００サイクルにて断線が見られないものの、ヤング率が高く熱応力の緩和効果が不充分なため、二次実装側で１０００サイクルよりも短いサイクル数にて断線が生じ、実装信頼性が確保できなかった。
【０１２０】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明のガラスセラミック組成物および焼結体は、７００℃以上１０５０℃以下の焼成にて、銅、銀、金などの低抵抗金属を主成分とする導体材料を用いて配線層を形成することができ、低熱膨張係数と低誘電率、低ヤング率とを有し、さらに高い耐薬品性、高い抗折強度とを兼ね備えることにより、シリコンなどの半導体素子の一次実装、高熱膨張のプリント配線基板への二次実装の双方に対して高い実装信頼性を示す配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板を用いたＢＧＡ型の半導体素子収納用パッケージの一例を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
Ａ 素子収納用パッケージ
１ 絶縁基板
２ 配線層
３ ビアホール導体
４ 接続用電極
５ 素子
６ 半田ボール
７ アンダーフィル
８ 高温半田ボール
９ 共晶半田
Claims (6)
- ３０〜５５質量％のＳｉＯ２と、１５〜４０質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜２５質量％のＭｇＯと、２〜１５質量％のＺｎＯと、２〜１５質量％のＢ２Ｏ３と、０〜１０質量％のＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２および希土類元素酸化物の群から選ばれる少なくとも１種と、０〜０．１質量％のＰｂＯと、０〜０．１質量％のＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）とからなるガラス粉末６０〜９４質量％と、コーディエライト粉末０．５〜２０質量％と、アルミナ粉末５〜２０質量％と、ＣａＳｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、Ｃａ２ＳｉＯ４、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＣａＡｌ４Ｏ７、ＣａＡｌ２ＳｉＯ６の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０．５〜１５質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０〜２０質量％とからなり、前記ガラス粉末が７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであることを特徴とするガラスセラミック組成物。
- 請求項１に記載のガラスセラミック組成物を７００℃以上１０５０℃以下の温度で焼成してなり、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、ＣａＯを構成成分として含有し、かつ少なくともコーディエライトとアルミナとを結晶相として含有し、４０〜４００℃における熱膨張係数が５×１０−６／℃以下、誘電率が５．８以下、ヤング率が１３０ＧＰａ以下であることを特徴とするガラスセラミック焼結体。
- １質量％ＨＦ水溶液中に１分間浸漬した際の質量減少が３μｇ／ｍｍ２以下であることを特徴とする請求項２に記載のガラスセラミック焼結体。
- 抗折強度が２００ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のガラスセラミック焼結体。
- ３０〜５５質量％のＳｉＯ２と、１５〜４０質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜２５質量％のＭｇＯと、２〜１５質量％のＺｎＯと、２〜１５質量％のＢ２Ｏ３と、０〜１０質量％のＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２および希土類元素酸化物の群から選ばれる少なくとも１種と、０〜０．１質量％のＰｂＯと、０〜０．１質量％のＡ２Ｏ（Ａ：アルカリ金属）とからなるガラス粉末６０〜９４質量％と、コーディエライト粉末０．５〜２０質量％と、アルミナ粉末５〜２０質量％と、ＣａＳｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、Ｃａ２ＳｉＯ４、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＣａＡｌ４Ｏ７、ＣａＡｌ２ＳｉＯ６の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０．５〜１５質量％と、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末０〜２０質量％とからなり、前記ガラス粉末が７００℃以上１０５０℃以下の熱処理を行うことにより少なくともコーディエライトを結晶相として析出するガラスであるガラスセラミック組成物を成形し、大気中あるいは窒素雰囲気中で７００℃以上１０５０℃以下
の温度にて焼成することを特徴とするガラスセラミック焼結体の製造方法。 - 絶縁基板の表面および／または内部に配設された銅、銀および金の群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属を含有する配線層を具備してなる配線基板において、前記絶縁基板が、請求項２乃至請求項４のいずれかに記載のガラスセラミック焼結体からなることを特徴とする配線基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003048240A JP4549029B2 (ja) | 2003-02-25 | 2003-02-25 | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック焼結体の製造方法、および配線基板 |
| US10/692,406 US6953756B2 (en) | 2002-10-25 | 2003-10-22 | Glass ceramic sintered body and wiring board using the sintered body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003048240A JP4549029B2 (ja) | 2003-02-25 | 2003-02-25 | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック焼結体の製造方法、および配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004256347A JP2004256347A (ja) | 2004-09-16 |
| JP4549029B2 true JP4549029B2 (ja) | 2010-09-22 |
Family
ID=33114236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003048240A Expired - Fee Related JP4549029B2 (ja) | 2002-10-25 | 2003-02-25 | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック焼結体の製造方法、および配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4549029B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4843823B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-12-21 | 田中貴金属工業株式会社 | 絶縁ペースト |
| JP5657210B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2015-01-21 | 京セラ株式会社 | コージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材 |
| WO2011122407A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 株式会社村田製作所 | 金属ベース基板 |
| JP6632995B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2020-01-22 | 日本碍子株式会社 | セラミック素地及びその製造方法 |
| JP2020161377A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 京セラ株式会社 | 発熱体および発熱部材 |
| US11939268B2 (en) | 2019-12-31 | 2024-03-26 | Industrial Technology Research Institute | Low-k material and method for manufacturing the same |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05254923A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-05 | Hitachi Ltd | セラミック組成物及びセラミック回路基板 |
| JPH09175853A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-08 | Kyocera Corp | 低温焼成磁器組成物 |
| JP2002016165A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージ |
| JP2002356368A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 低温焼成磁器及びそれを用いた配線基板 |
| JP2003040668A (ja) * | 2000-08-28 | 2003-02-13 | Kyocera Corp | 低温焼成セラミック焼結体およびその製造方法、並びに配線基板 |
| JP2003040670A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Kyocera Corp | 高熱膨張磁器組成物、高熱膨張磁器およびその製造方法、並びに多層配線基板およびその実装構造 |
-
2003
- 2003-02-25 JP JP2003048240A patent/JP4549029B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05254923A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-05 | Hitachi Ltd | セラミック組成物及びセラミック回路基板 |
| JPH09175853A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-08 | Kyocera Corp | 低温焼成磁器組成物 |
| JP2002016165A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージ |
| JP2003040668A (ja) * | 2000-08-28 | 2003-02-13 | Kyocera Corp | 低温焼成セラミック焼結体およびその製造方法、並びに配線基板 |
| JP2002356368A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 低温焼成磁器及びそれを用いた配線基板 |
| JP2003040670A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Kyocera Corp | 高熱膨張磁器組成物、高熱膨張磁器およびその製造方法、並びに多層配線基板およびその実装構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004256347A (ja) | 2004-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3426926B2 (ja) | 配線基板およびその実装構造 | |
| JP4780995B2 (ja) | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた配線基板 | |
| JP4549029B2 (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック焼結体の製造方法、および配線基板 | |
| JP2012167008A (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 | |
| JP4549028B2 (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック焼結体の製造方法、および配線基板 | |
| JP4703207B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP4671836B2 (ja) | ガラスセラミック焼結体の製造方法 | |
| JP5383962B2 (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 | |
| JP3523590B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びにそれを用いた配線基板 | |
| JP4028810B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP3559407B2 (ja) | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた多層配線基板 | |
| JP2004231453A (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板と、その実装構造 | |
| JPH1116418A (ja) | 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板 | |
| JP2004168557A (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体とその製造方法、並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 | |
| JPH11284296A (ja) | 配線基板 | |
| JP3719834B2 (ja) | 低温焼成セラミックス | |
| JP4383113B2 (ja) | 積層型配線基板の製造方法 | |
| JP3643264B2 (ja) | 導体ペーストおよびこれを用いた配線基板 | |
| JP2004143010A (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板と、その実装構造 | |
| JP3339999B2 (ja) | 配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造 | |
| JP2004083373A (ja) | 高熱膨張磁器組成物、高熱膨張磁器およびその製造方法、並びに多層配線基板およびその実装構造 | |
| JP2004323308A (ja) | 低温焼成磁器組成物、低温焼成磁器とその製造方法、並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 | |
| JP3210844B2 (ja) | 配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造 | |
| JP3652184B2 (ja) | 導体ペースト、ガラスセラミック配線基板並びにその製法 | |
| JP4632472B2 (ja) | 銅導体組成物及びこれを用いた配線基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050712 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080916 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081007 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090611 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100127 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100608 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100706 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4549029 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130716 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |