JP5657210B2

JP5657210B2 - コージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材

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Publication number: JP5657210B2
Application number: JP2009016527A
Authority: JP
Inventors: 裕明瀬野
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2009-01-28
Filing date: 2009-01-28
Publication date: 2015-01-21
Anticipated expiration: 2029-01-28
Also published as: JP2010173878A; EP2392552A1; EP2392552A4; EP2392552B1; WO2010087099A1

Description

本発明は、コージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材に関する。

コージェライト質焼結体は、従来から低熱膨張セラミックスとして知られており、フィルター、ハニカム、耐火物、半導体製造装置用部材として応用されている。

半導体製造装置において、ＬＳＩ（大規模集積回路）などにおける高集積化に伴い、回路の微細化が急速に進められ、その線幅もサブミクロンオーダーのレベルまで高精密化しつつある。特に、Ｓｉウエハに高精密回路を形成するための露光装置については高い精度が要求される。たとえば露光装置のステージにおいては１００ｎｍ（０．１μｍ）以下の位置決め精度が要求され、露光の位置合わせ誤差が製品の品質向上や歩留まり向上に大き
な影響を及ぼしているのが現状である。

半導体製造装置用として一般に用いられてきたアルミナ、窒化珪素などのセラミックスは、金属に比べて熱膨張係数が小さいものの、１０〜４０℃の熱膨張係数はそれぞれ５．２×１０^−６／℃、１．５×１０^−６／℃であり、雰囲気温度が０．１℃変化すると数１００ｎｍ（０．１μｍ）の変形が発生することになり、露光等の精密な工程ではこの変化が大きな問題となり、従来のセラミックスでは精度が低く、生産性の低下をもたらしている。

これに対して、コージェライト質焼結体は、アルミナや窒化珪素に比較して熱膨張係数が小さく、上記のような露光精度に対する問題はある程度解決される。

ところが、露光装置のステージのように、Ｓｉウエハを載置したステージ等の支持体が露光処理を施す位置まで高速移動を伴うような場合には、移動後の支持体自体が所定位置に停止後も振動しており、そのために、その振動した状態で露光処理を施すと露光精度が低下するという問題があった。これは、露光によって形成する配線幅が細くなるほど顕著であり、高微細な配線回路を形成する上では致命的な問題となっていた。このような振動は、部材自体の剛性が低いことによって引き起こされるものであることから、これらの部材に対しては高い剛性、即ち高ヤング率が要求されていた。

コージェライト質焼結体のヤング率を向上したものとして、従来、希土類元素酸化物を所定の比率で複合化し、かつコージェライト結晶の粒界に前記希土類元素酸化物を特定の結晶相として存在させることにより、低熱膨張特性を阻害することなく焼結性を高め、ヤング率を向上させたコージェライト質焼結体が知られている（特許文献１参照）。

特開平１１−１３０５２０号公報

支持体が移動し所定位置に停止した後の支持体の振動を抑制し、露光装置の露光精度を向上させるには、低熱膨張特性と剛性のほかに、その材質自身の軽量化も必要である。すなわち、比重に対する部材の剛性の割合、いわゆる比剛性（剛性／比重）が小さいものは、仮に剛性が高くても高速移動による慣性力が大きく、所定位置に停止した後の支持体に振動が生じ易い。

上記特許文献１のコージェライト質焼結体では、コージェライトに希土類元素酸化物を所定の比率で複合化することにより剛性を高めているが、希土類元素は原子量が高く、焼結体の比重が高くなってしまい、比剛性が小さいため、未だ所定位置に停止した後の支持体に振動が生じ易いという問題がある。

本発明は、高比剛性を有するコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材を提供することを目的とする。

本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材は、コージェライトを主結晶とし、アルミナを副結晶として含有するコージェライト質焼結体であって、ＣａをＣａＯ換算で全量中０．２〜０．５質量％含み、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定されるアルミナの主ピーク（２θ＝３５．０〜３５．５°）のピーク強度Ｉ_Ａｌと
コージェライトの主ピーク（２θ＝２８．０〜２９．０°）のピーク強度Ｉ_ｍａｓとの比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足するとともに、実質的にガラス相が存在せず、室温における熱膨張係数が−０．１×１０^−６／℃以上０．１×１０^−６／℃以下、気孔率が０．２５％以下、ヤング率が１４０ＧＰａ以上、比剛性が５６以上であることを特徴とする。

本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材では、負の熱膨張係数を有するコージェライトに対して、正の熱膨張係数を有するアルミナを、ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足する量だけ含有するとともに、コージェライト質焼結体には実質的にガラス相が存在しないため、ガラス相による熱膨張係数の増加を抑制することができ、これにより、室温近くにおける熱膨張係数をほぼ０近くに制御することができる。

さらに、本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材では、アルミナを、ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足する量だけ含有するとともに、軽量のＣａをＣａＯ換算で全量中０．２〜０．５質量％含有することにより、焼結性を向上してヤング率を向上でき、コージェライト質焼結体の剛性を向上し、比剛性を高くすることができる。そのため、本発明のコージェライト質焼結体を、例えば半導体製造プロセスで使用する露光装置のステージに用いた場合、ステージが所定位置に停止した後の振動を抑制し、露光装置による露光精度を向上させることができる。

少量のＣａはコージェライトの焼結性を向上させ、剛性を高める効果がある。しかし、過剰のＣａは剛性を低下させてしまう。一方で少量のＣａを含有させるだけでは、熱膨張係数をほぼ０とすることができない。このため、Ａｌ_２Ｏ_３を所定量含有せしめることにより、剛性を高めると同時に熱膨張係数をほぼ０とすることができる。また少量のＣａＯだけでは十分に緻密なコージェライトの焼結体を得るのは困難であるが、アルミナをピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５となる量だけ含有することにより異常粒成長が抑制され、緻密な焼結体を得ることができる。

すなわち、従来、スピネルや炭化ケイ素等の物質を所定量含有することによって熱膨張係数をほぼ０近くに制御し、ヤング率を高めることも行われていたが、スピネルや炭化ケイ素等の物質はコージェライトの焼結性を著しく低下させる。これに対して、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定されるアルミナの主ピーク（２θ＝３５．０〜３５．５°）のピーク強度Ｉ_Ａｌと、コージェライトの主ピーク（２θ＝２８．０〜２９．０°）のピーク強度Ｉ_ｍａｓとの比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が、０．０２〜０．１５を満足するようにアルミナを含有するため、熱膨張係数を０近くに制御できるとともに、焼結性を低下させることなく、ヤング率を高めることができる。

また、本発明では、ＣａをＣａＯ換算で全量中０．２〜０．５質量％含有することにより、ヤング率を向上でき、コージェライト質焼結体の剛性を向上できる。その理由について、本発明者は、Ｃａの含有によりコージェライトの粒成長を促進し、焼結性が向上し、ヤング率が向上すると考えている。

また、特許文献１では、希土類元素を用いて焼結性を向上させているが、希土類元素は原子量が高く、磁器が重くなる。本発明では原子量の低い元素であり、かつコージェライトの低熱膨張性を損なわない元素として、Ｃａを用いることにより、コージェライト質焼結体を軽量で高剛性とし、比剛性を向上できる。

また、本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材は、実質的にＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、ＣａおよびＯからなることを特徴とする。このようなコージェライト質
焼結体では、最低限の原料種により、熱膨張係数がほぼ０を達成できるとともに、軽量で剛性の高いコージェライト質焼結体を得ることができる。

本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材は、室温近くにおける熱膨張係数をほぼ０近くに制御することができるとともに、比剛性（＝ヤング率／比重）を高めることができる。その結果、このコージェライト質焼結体を、例えば高微細な回路を形成するためにウエハに露光処理を行う半導体製造用の露光装置用部材、例えば、半導体ウエハを載せるステージに用いることにより、雰囲気の温度変化に対しても寸法の変化が小さく、優れた精度が得られるとともに、振動に伴う精度の低下をも防止することができ、半導体素子の品質と量産性を高めることができる。

本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材のＸ線回折測定結果を示す図である。

本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材は、コージェライトを主結晶とするものであり、言い換えれば、一般式２ＭｇＯ・２Ａｌ_２Ｏ_３・５ＳｉＯ_２で表される複合酸化物を主結晶とするものであり、コージェライトは、平均粒径が１〜１０μｍの結晶粒子として存在する。

そして、本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材は、アルミナを副結晶とするもので、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定されるアルミナの主ピーク（２θ＝３５．０〜３５．５°）のピーク強度をＩ_Ａｌとし、コージェライトの主ピーク（２θ＝２８．０〜２９．０°）のピーク強度をＩ_ｍａｓとした時、ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足しており、実質的にガラス相が存在していないことが特徴である。図１に、本発明のコージェライト質焼結体のＸ線回折測定結果を示す。

本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材では、負の熱膨張係数（約−０．１９×１０^−６／℃）を有するコージェライトに対して、正の熱膨張係数（約５．２×１０^−６／℃）を有するアルミナを、ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足する量だけ含有するとともに、コージェライト質焼結体には実質的にガラス相が存在しないため、ガラス相による熱膨張係数の増加を抑制することができ、これにより、室温近くにおける熱膨張係数をほぼ０近く（−０．１×１０^−６／℃〜０．１×１０^−６／℃）に制御することができる。

コージェライトからなる結晶は定比組成である必要はなく、例えば、Ａｌが過剰に固溶したり、Ｃａが固溶する場合もある。添加されたアルミナは、焼結過程においてコージェライト結晶と部分的に反応し、コージェライトに固溶したり、あるいはアルミニウムシリケート、スピネルの結晶を析出する場合があるが、ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足し、実質的にガラス相を存在させないことにより、室温近くにおける熱膨張係数をほぼ０近くに制御することができる。

アルミナは、コージェライトからなる主結晶粒子の粒界に存在しており、その平均結晶粒径は０．１〜１０μｍ、好ましくは０．２〜３μｍとされている。

ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）を０．０２〜０．１５の範囲に設定したのは、Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓが０．０２よりも小さい場合には、ヤング率を向上できず、また熱膨張係数
をほぼ０に近づけることができないからであり、０．１５よりも大きい場合には、ヤング率を向上できるものの、熱膨張係数をほぼ０に近づけることができないからである。

ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）は、ヤング率を向上し、室温近くにおける熱膨張係数をほぼ０近くに制御するという観点から、０．０５〜０．１０であることが望ましい。

なお、コージェライト質焼結体に実質的にガラス相が存在しないとは、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定したとき、低角側にブロードなピーク（ハローパターン）が検出されない場合をいう。ただし、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いた組織観察では、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｏを含む複合酸化物が非結晶質として確認される場合もある。

さらに、本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材では、元素としてＣａをＣａＯ換算で全量中０．２〜０．５質量％含むことを特徴とする。このように、ＣａをＣａＯ換算で全量中０．２〜０．５質量％含むことにより、また、上記したようにアルミナを、ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足する量だけ含有することにより、焼結性を向上してヤング率を向上でき、コージェライト質焼結体の剛性を向上し、比剛性を高くすることができ、本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材を、例えば露光装置のステージに用いた場合、ステージが所定位置に停止した後の振動を抑制し、露光装置の露光精度を向上させることができる。

すなわち、ＣａをＣａＯ換算で全量中０．２〜０．５質量％含有することにより、ヤング率を向上でき、コージェライト質焼結体の剛性を向上できる。その理由について、本発明者は、Ｃａの含有によりコージェライトの粒成長を促進し、焼結性が向上し、ヤング率が向上すると考えている。

Ｃａの含有量がＣａＯ換算で全量中０．２質量％よりも少ない場合には、十分に緻密化せず、ヤング率が低下してしまい、０．５質量％よりも多い場合には、粒界にＣａ化合物（例えばアノーサイト）が多量に生成し、ヤング率が低下すると共に、比重と熱膨張係数が増加してしまうからである。十分に緻密化させヤング率を向上するには、ＣａをＣａＯ換算で全量中０．４〜０．６質量％含有することが望ましい。

従来の特許文献１では、希土類元素（ＲＥ）を含有せしめていたが、希土類元素は一般的に原子量が高く、磁器が重くなる。本発明では原子量の低い元素であり、かつコージェライトの低熱膨張性を損なわない元素として、Ｃａを用いることにより、コージェライト質焼結体を軽量で剛性の高いものとしている。

また、従来、スピネルや炭化ケイ素等を添加することが行われていたが、これらの物質は材料自体のヤング率が高いため、添加することによりコージェライト質焼結体のヤング率を向上できるものの、コージェライトの焼結性を著しく低下させ、結果としてヤング率を低下させてしまう。一方、アルミナは、焼結過程においてコージェライト結晶と部分的に反応し、コージェライトへ固溶、あるいはアルミニウムシリケート、スピネルの結晶を析出し、焼結性を高く維持した状態でヤング率を向上できる。このため、アルミナの結晶としては、Ｘ線回折分析において、Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓを０．０２〜０．１５に制御したのである。

また、本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材は、実質的にＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、ＣａおよびＯからなることが望ましい。これにより、最低限の原料種により、熱膨張係数がほぼ０を達成できるとともに、軽量で剛性の高いコージェライト質焼結体を得ることができる。ここで、実質的にＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、ＣａおよびＯからなるとは、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｏ以外は積極的に添加しないという意味であるが、不純物
としてＣ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｌｉ、Ｎａを酸化物換算で全量中０．２質量％以下含有することがある。

また、本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材では、コージェライトの粒界には、Ｃａ、ＡｌおよびＳｉを含む複合酸化物が実質的に存在しないことが望ましい。Ｃａ、ＡｌおよびＳｉを含む複合酸化物、例えばアノーサイトは、セラミックス中のＣａ量が多い場合に生成し易いが、本発明では、Ｃａ量は全量中０．５質量％以下であるため、Ｃａ、ＡｌおよびＳｉを含む複合酸化物は実質的に存在しない。本発明者は添加したＣａの一部はコージェライトに固溶し、残部はコージェライトの粒界に存在するものと考えている。

Ｃａ、ＡｌおよびＳｉを含む複合酸化物が実質的に存在しないとは、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定したとき、コージェライトあるいはアルミナのピークと重なってしまい、それ単独のピークが検出されず、存在を断定できない場合をいう。

本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材の製造方法について説明する。

先ず、原料粉末として、例えば、ＭｇＣＯ_３粉末、Ａｌ_２Ｏ_３粉末、ＳｉＯ_２粉末、ＣａＣＯ_３粉末を用い、所定の割合で秤量し、湿式混合した後乾燥し、この混合物を大気中において１１００〜１３００℃で仮焼した後、粉砕する。得られた粉末に適量のバインダを加えて成形し、この成形体を大気中１２００〜１４５０℃で焼成することにより得られる。Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａの金属元素を含有する原料粉末は、それぞれ酸化物、炭酸塩、酢酸塩等の無機化合物等の、焼成により酸化物として形成されるものであればいずれの粉末を用いても良い。

ここで、予めコージェライトとなるように所定割合にて調合されたＭｇＣＯ_３粉末、Ａｌ_２Ｏ_３粉末，ＳｉＯ_２粉末の混合粉末に対して、ＣａＣＯ_３粉末、Ａｌ_２Ｏ_３粉末を混合して作製しても良く、また、予めコージェライトとなるように所定割合にて調合されたＭｇＣＯ_３粉末、Ａｌ_２Ｏ_３粉末，ＳｉＯ_２粉末の混合粉末を仮焼し、これを粉砕したコージェライト粉末にＣａＣＯ_３粉末、Ａｌ_２Ｏ_３粉末を混合して作製しても良い。

焼成温度は、Ｃａ成分が含まれていることにより充分に緻密化の目的が達成され、具体的には焼成温度は１２００℃〜１４５０℃で焼成できる。これにより、本発明のコージェライト質焼結体を得ることができる。この後、より緻密化させるため、１００〜２００ＭＰａの加圧力で１０００〜１３５０℃で熱間等方加圧プレスすることができる。

コージェライト質焼結体中に、Ｃａ、ＡｌおよびＳｉを含む複合酸化物を実質的に存在させないためには、ＣａをＣａＯ換算で０．５質量％以下とし、焼成温度を１４００℃以下とすることが望ましい。

また、添加したＡｌ_２Ｏ_３のＡｌをコージェライトにそれ程固溶させずに、Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓを０．０２〜０．１５を満足させるには、アルミナの原料粒径を０．１〜１０μｍ、好ましくは０．２〜３μｍとし、焼成温度を１４００℃以下とすることが望ましい。

以上のように構成された本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材では、負の熱膨張係数を有するコージェライトに対して、正の熱膨張係数を有するアルミナを、ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足する量だけ含有するとともに、コージェライト質焼結体には実質的にガラス相が存在していないため、ガラス相による熱膨張係数の増加を抑制することができ、これにより、室温近くにおける熱
膨張係数をほぼ０近くに制御することができる。

さらに、本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材では、アルミナを、ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足する量だけ含有するとともに、軽量のＣａをＣａＯ換算で全量中０．２〜０．５質量％含有することにより、焼結性を向上してヤング率を向上でき、コージェライト質焼結体の剛性を向上し、比剛性を高くすることができ、本発明のコージェライト質焼結体を、例えば露光装置のステージに用いた場合、ステージが所定位置に停止した後の振動を抑制し、露光装置の露光精度を向上させることができる。

本発明のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材では、気孔率が０．２５％以下、ヤング率が１４０ＧＰａ以上、比剛性が５６以上、室温における熱膨張係数が−０．１×１０ ^−６／℃以上０．１×１０^−６／℃以下、比重が２．６未満の特性を有することが可能となる。

露光装置用部材は、上記したコージェライト質焼結体からなることが望ましい。このような露光装置用部材としては、コージェライト質焼結体の比剛性が高いことにより、ステージの高速移動と停止に対し制振性に優れ、露光精度、スループットが向上するため、Ｓｉウエハを載置した支持体が露光処理を施す位置まで高速移動するような露光装置のステージに好適に用いることができる。

平均粒径が３μｍのコージェライト粉末に対して、ＣａＣＯ_３粉末をＣａＯ換算で表１に示す割合で添加し、Ａｌ_２Ｏ_３粉末を表１に示す割合で添加した後、ボールミルで２４時間混合した後、１ｔ／ｃｍ^２の圧力で金型成形した。大気中において１３００〜１４００℃で焼成し、種々のセラミックスを作製した。続いて１０００〜１３５０℃で１５０ＭＰａの加圧力で熱間等方加圧プレスを行なった。

得られたセラミックスを研磨し、３×４×１５ｍｍの大きさに研削加工し、このセラミックスの室温での熱膨張係数をレーザー干渉法（ＪＩＳＲ３２５１―１９９５）に基づき測定した。また、超音波パルス法（ＪＩＳＲ１６０２−１９９５）に基づき、室温でのヤング率を測定した。これらの結果を表１に記載した。さらに、ＥＰＭＡ（波長分散型Ｘ線マイクロアナライザ）によりセラミック中のＣａ量を求め、ＣａＯ換算として表１に記載した。

また、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により、アルミナの主ピーク（２θ＝３５．０〜３５．５°）のピーク強度Ｉ_Ａｌと、コージェライトの主ピーク（２θ＝２８．０〜２９．０°）のピーク強度Ｉ_ｍａｓとの比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）を求め、表１に記載した。さらに低角側にブロードなピーク（ハローパターン）が検出されないことを確認することにより、ガラス相の存在有無を確認し、表１に記載した。さらに、Ｃａ、ＡｌおよびＳｉを含む複合酸化物（Ｃａ化合物）の有無について、コージェライトとアルミナ以外のピークが存在しないことを確認することにより確認し、表１に記載した。さらに、比重をアルキメデス法により求め、表１に記載するとともに、比剛性を算出し、表１に記載した。

この表１から、コージェライトにＣａをＣａＯ換算で０．２〜０．５質量％含有するとともに、ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５の範囲となるようにＡｌ_２Ｏ_３を添加することにより、熱膨張係数が−０．１×１０ ^−６／℃以上０．１×１０^−６／℃以下を達成し、且つヤング率を１４０ＧＰａ以上、比重を２．６未満とできることがわかる。

一方、ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．００５である試料Ｎｏ．７ではヤング率が１３９ＧＰａ、熱膨張係数が−０．１×１０^−６／℃であることがわかる。

さらに、Ｃａの含有量が０．２質量％よりも少ない試料Ｎo.８は、十分に緻密化しなかったため、ヤング率が１２５ＧＰａと低いことがわかる。

また、Ｃａの含有量が０．５質量％よりも多い試料Ｎｏ．９は、粒界にＣａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８の結晶が多く生成し、熱膨張係数が０．１９×１０^−６／℃と大きいことがわかる。

さらに、ピーク強度比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．１７である試料Ｎｏ．１０では、熱膨張係数が０．２×１０^−６／℃と大きいことがわかる。

Claims

コージェライトを主結晶とし、アルミナを副結晶として含有するコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材であって、ＣａをＣａＯ換算で全量中０．２〜０．５質量％含み、ＣｕのＫα線を用いたＸ線回折装置により測定される前記アルミナの主ピーク（２θ＝３５．０〜３５．５°）のピーク強度Ｉ_Ａｌと前記コージェライトの主ピーク（２θ＝２８．０〜２９．０°）のピーク強度Ｉ_ｍａｓとの比（Ｉ_Ａｌ／Ｉ_ｍａｓ）が０．０２〜０．１５を満足するとともに、実質的にガラス相が存在せず、室温における熱膨張係数が−０．１×１０^−６／℃以上０．１×１０^−６／℃以下、気孔率が０．２５％以下、ヤング率が１４０ＧＰａ以上、比剛性が５６以上であることを特徴とするコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材。
実質的にＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、ＣａおよびＯからなることを特徴とする請求項１に記載のコージェライト質焼結体からなる半導体製造装置用部材。