JP4429288B2 - 低熱膨張性セラミックスおよびそれを用いた半導体製造装置用部材 - Google Patents
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Description
平均粒径が5.5μmのβ−ユークリプタイト粉末に対して、比表面積が12.6m2/g、平均粒径が0.6μmのMgO粉末を、0重量%,1重量%,2重量%,3重量%,4重量%,5重量%,6重量%の割合で各々配合して原料粉末を調製し、これらを振動ミルにより72時間混合し、造粒して乾燥した後、乾式プレス成形により試験片形状にした。原料粉末の平均粒径およびMgO添加量が種々に異なる8種類の試験片について、さらに各々焼成温度を変えて大気雰囲気下で焼成し、セラミックス磁器を製作し評価を行った。このうち、平均ボイド率が0.1%未満となる緻密体が得られたNo.3,4,5の1040℃焼成品について、特性評価を行った。評価結果は表2に示す。なお、表1において原料粉末の平均粒径はマイクロトラック法によって測定した。
平均粒径が5.5μmのβ−ユークリプタイト粉末に対して、比表面積が12.6m2/g、平均粒径が0.6μmのMgO粉末を、2重量%,5重量%の割合で各々配合して原料粉末を調製し、これらを振動ミルにより72時間混合し、造粒して乾燥した後、乾式プレス成形により試験片形状にした。その後、焼成温度1000℃で焼成した後、HP(加圧焼成)処理を行った。HP条件は、加圧力を100気圧,300気圧の2種とし、それぞれに対し1000℃,1100℃,1200℃,1300℃で焼成し、合計8種類のHP処理を行った。これらにつき平均ボイド率および平均ボイド径の評価を行い、その結果を表3に示す。なお、平均ボイド率および平均ボイド径の測定は、試験片表面または断面の光学顕微鏡による倍率100倍または1000倍の写真を10視野とり、ボイドを球状であると仮定し画像処理してボイドの占有面積から平均ボイド率を近似的に導出し、また平均ボイド径は各ボイド径を観測し平均値をとることで行った。
Claims (6)
- 一般式LiAlSiO4で表されるβ−ユークリプタイトを95〜99重量%、マグネシアを1〜5重量%含み、熱膨張率が−0.4×10 −6 /℃以上、かつ0.1×10 −6 /℃以下であることを特徴とする低熱膨張性セラミックス。
- 平均ボイド率が0.1体積%未満であることを特徴とする請求項1に記載の低熱膨張性セラミックス。
- 平均ボイド径が2μm未満であることを特徴とする請求項1または2に記載の低熱膨張性セラミックス。
- 前記一般式LiAlSiO4で表されるβ−ユークリプタイトは、重量%比でLi2O:Al2O3:SiO2=12.5:40.5:47、かつ前記重量%のバラツキは1重量%以内の成分組成であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の低熱膨張性セラミックス。
- 前記マグネシアは、その原料粉末の平均粒径が0.5μm以上、かつ0.7μm以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の低熱膨張性セラミックス。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の低熱膨張性セラミックスを用いて形成されたものであることを特徴とする半導体製造装置用部品。
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