JPH08335602A - セラミック基板及びその製造方法 - Google Patents

セラミック基板及びその製造方法

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JPH08335602A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ワイヤボンディングパッドの幅が狭くとも、ワ
イヤボンディングの接続ミスを無くし、接続強度を上
げ、もって信頼性の高いセラミック基板を提供する。ま
た、かかるセラミック基板を容易に製造できる方法を提
供する。 【構成】表面に、幅W(μm)が150μm未満で、厚
膜法または厚膜法及びメッキ法により形成したワイヤボ
ンディングパッドを備えるセラミック基板であって、該
ワイヤボンディングパッドの幅方向断面において、該セ
ラミック基板表面からの最大高さをh(μm)、パッド
両側縁近傍に位置しh−5(μm)の高さを有する2点
間の距離をD(μm)としたときに、P(%)=D/W
×100で表される平坦度Pが、95%以上であるワイ
ヤボンディングパッドとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に装着した集積
回路チップ等と基板に形成された回路配線との接続を、
ワイヤボンディングによって行うため、表面にワイヤボ
ンディングパッドを備えたセラミック基板及びその製造
方法に関し、特に、ボンディングワイヤの接合強度が高
く、接合容易なワイヤボンディングパッドを備えたセラ
ミック基板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】基板上に装着した集積回路チップとセラ
ミック基板表面あるいは内部に形成した回路配線とを電
気的に接続するために、集積回路チップ表面およびセラ
ミック基板表面にワイヤボンディングパッド(以下、単
にパッドとも言う)を設け、このパッド間を10〜50
μmφの微細なAuワイヤ(金線)、Alワイヤ(アル
ミニウム線)等で接続するワイヤボンディング法が広く
用いられている。このセラミック基板におけるワイヤボ
ンディングでは、キャピラリー内から引き出されたAu
ワイヤ等を熱を掛けつつパッドに押しつけて接続する熱
圧着法もあるが、加熱しつつ、あるいは加熱せずに室温
下で、ウェッジと呼ばれるツールでワイヤをパッドに押
しつけながらウェッジを超音波振動させて、ワイヤとパ
ッドの間に摩擦を起こさせ、Alワイヤ等の被膜を破壊
して両者の新生面を露出させて、原子的結合を起こさせ
る超音波法が広く用いられている。いずれにしても、こ
の接合が確実に行われなければ、集積回路等の正常な動
作は望めない。従って、ワイヤが確実にパッドに接合さ
れていること及びその接合強度が所定の強度以上である
ことが要求される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、セラミック
基板表面に形成されるワイヤボンディングパッドは、多
くの場合は厚膜法で形成される。この厚膜法には、主に
以下の2種類がある。即ち、1つは、セラミックグリー
ンシート(未焼成セラミックシート)上にW、Mo、M
o−Mn等からなる金属ペーストを印刷・塗布し、その
後、シートとともに焼成してセラミック基板表面にパッ
ドを形成する同時焼成法(コファイアー法)である。他
の1つは、予め焼成しておいたセラミック基板上に、
W、Mo−Mn等からなる金属ペーストを印刷・塗布
し、その後焼成してパッドを形成する後焼成法(ポスト
ファイヤー法、2次メタライズ法)である。
【0004】このいずれの手法においても、セラミック
グリーンシートまたはセラミック基板の表面に金属ペー
ストを所望パターンに印刷するのには、通常はスクリー
ン印刷法により形成される。この場合、金属ペースト
は、印刷のし易さから適当な粘度を有するように、溶剤
等の液状物質が適当量添加されるため、ペーストには表
面張力が働き、その表面を丸くしようとする。また、微
細な配線パターンやボンディングパッドパターンを形成
するため、ペーストが塗布後に基板表面に流れ広がるの
を防止する必要がある。そのため、適当な樹脂等を添加
して、チキソトロピー(揺変性、チキソ性)の高いペー
ストとすることが行われる。すると、印刷時にスクリー
ンメッシュの有無によって生じた厚みの凹凸が、十分均
一にならずに残る。ペーストが流動して均一の高さにな
る前にペーストの流動性が無くなるためである。従っ
て、セラミック基板11表面に印刷された後のパッド1
2の状態は、その断面を見ると、図1に示すように、ほ
ぼ中央部が高く、側縁部がだれて低くなる。
【0005】ところで、集積回路チップの入出力端子が
増加するにつれて、ワイヤボンディングパッドの幅は細
くなり、ワイヤボンディングの接続ミス、接続強度の不
足が問題となってきた。かかる問題の生じやすいセラミ
ック基板は、入出力端子の多い、複雑で、高機能、高価
な集積回路チップを装着するのに用いられる。従って、
ワイヤボンディングの不具合による損失も大きく、更に
は高い信頼性が要求される。
【0006】そこで発明者らは、かかる問題の原因につ
いて鋭意調査したところ、ボンディングパッドの幅方向
断面の平坦性の相違により、接続不良が発生することを
発見した。即ち、パッドの表面形状が丸いと、キャピラ
リーやウェッジによってワイヤをパッドに押しつけたと
きに、圧力を受ける面積が小さいことが判明した。ま
た、ワイヤをパッドに押しつけつつウェッジに超音波振
動させても、ワイヤとパッドの接触面積が小さいため、
十分な結合が得られないことが判明した。特にこの現象
が幅の狭いパッドに多いのは、ウェッジの超音波振動の
振幅が一定とすると、パッドの幅が狭いほど相対的にウ
ェッジの振動が大きく見えることとなる。従って、側面
付近のだれの大きい部分にワイヤが移動するので、結果
として摩擦や加圧力が小さく見えることになる、つまり
ワイヤがパッドの上で滑って、パッド側面のだれ部分
(高さの低い部分)に逃げやすいからである。
【0007】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、ワイヤボンディングパッドの表面の平坦
性が所定値以上のものを用いることによって、パッドの
幅が狭くとも、ワイヤボンディングの接続ミスを無く
し、もって信頼性の高いセラミック基板を提供すること
にある。また、かかるセラミック基板を容易に製造でき
る方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】しかして、その解決手段
は、基板表面に、厚膜法または厚膜法及びメッキ法によ
り形成され幅W(μm)が150μm未満のワイヤボン
ディングパッドを備えるセラミック基板であって、該ワ
イヤボンディングパッドの幅方向断面において、該セラ
ミック基板表面からの最大高さをh(μm)、パッド両
側縁近傍に位置しh−5(μm)の高さを有する2点間
の距離をD(μm)としたときに、P(%)=D/W×
100で表される平坦度Pが、95%以上であるワイヤ
ボンディングパッドを備えることを特徴とするセラミッ
ク基板である。
【0009】また、かかるセラミック基板の製造方法と
しては、セラミック基板の表面に感光性金属ペーストを
平坦に塗布する工程と、所望パターンを露光する工程
と、該感光性金属ペーストの不要部分を除去する工程
と、残存した該感光性金属ペーストを該セラミック基板
に焼き付けてワイヤボンディングパッドとする工程とか
らなることを特徴とするセラミック基板の製造方法があ
る。
【0010】
【作用】平坦度の高いワイヤボンディングパッドであれ
ば、キャピラリーやウェッジによりワイヤをパッドに押
しつけたときにも、十分広い面積で圧力を受けることが
でき、また、ワイヤが側縁部付近のだれが大きい部分に
滑って逃げることが無い。また、超音波振動により広い
面積にわたって新生面を露出させるので、十分にワイヤ
とパッドが接合する。また、金属ペーストに感光性金属
ペーストを用い、この感光性金属ペーストを塗布し、平
坦化してから所望パターンを露光し、不要部を除去する
ことで、従来のペーストのような側縁部のだれや、スク
リーンメッシュの跡による凹凸が無く、平坦なパッドを
形成し、良好なワイヤボンディングが可能なセラミック
基板とすることができる
【0011】
【実施例】本発明にかかる実施例について、図面を参照
しつつ説明する。図2に示すように、寸法が50×50
×1.2mmで、材質がアルミナ92%の焼成済みのセ
ラミック基板1の一主表面1A全面に、感光性を付与さ
れたネガ型感光性Mo−Mnペースト2を、スクリーン
印刷法を用いて約30μmの厚さに塗布する。ここで使
用した感光性Mo−Mnペーストは、アクリル系バイン
ダーによって感光性を付与したもので、Mo粉末82w
t%、Mn粉末9wt%に、ガラス粉末を9wt%及び
バインダー樹脂、溶剤を適当量混合して、粘度を調整し
たものを用いている。
【0012】次いで、図3に示すように、所望のワイヤ
ボンディングパッドのパターンを形成するために、所定
のパターンを設けた光学マスクを通じて露光し、露光部
分のみを感光させて硬化させる。更に、アルカリ性水溶
液で未露光部分(非感光部分)を溶解して除去する。こ
れにより、セラミック基板1の表面1Aに、長さL=3
mmで、幅W=200、150、100、75、50μ
mに変化した大きさのペーストパターンを5種類各20
ケ形成する。次に、このセラミック基板1を、最高温度
で約1400℃のベルト炉に24時間のスケジュールで
投入してペーストパターンを焼成し、さらに、無電解N
iメッキを約2μmおよびAuメッキを約1μmの厚さ
で施して、高さ約20μmで、上記した長さLと幅Wの
ワイヤボンディングパッド3を有するセラミック基板1
を形成し、実施例の試料とした。ここで、メッキは、M
o−Mnメタライズに直接ワイヤボンディングする事は
困難であるので、ワイヤボンディング性を向上するため
行うものである。
【0013】一方、比較のため、上記と同じMo粉末、
Mn粉末およびガラス粉末を同様な割合で用い、チキソ
性を得るためにエチルセルロースを5wt%添加したス
クリーン印刷用のMo−Mnペーストを調製し、スクリ
ーン印刷して、上記実施例と同様に、厚さ約30μm、
W=200、150、100、75、50μm、L=3
mmの大きさのパッドを各20ヶ形成した。さらにこれ
を焼成し、実施例と同様に無電解Niメッキ及びAuメ
ッキを施して、比較例の試料とした。
【0014】次いで、パッド部分の幅方向の高さの変化
を、表面粗さ形状測定器を用いて各種のパッドのついて
測定した。その結果の一例を図4(A)及び(B)に示
す。(A)は、実施例にかかる幅W=100μmのパッ
ドについての幅方向の高さの変化、従って、幅方向断面
の形状を示す。また、(B)は、比較例のうち同じく幅
W=100μmのパッドについての幅方向の高さの変化
を示す。両者を比較すれば明らかなように、本実施例に
おいて形成したパッドでは、高さが均一で、パッド側面
付近のだれが少ない。感光性金属ペーストを用いて一旦
平坦な面を形成し、必要部分を硬化してから不要部分の
み除去し、焼成したからである。一方、比較例では、ペ
ーストの表面張力により、側面付近(肩部)に大きなだ
れが生じ、ている。また、パターンの裾の部分の拡がり
も大きく、いわゆるにじみも生じている。
【0015】そこで、パッドの平坦度Pを、図5を参照
して以下のように定義し、本実施例及び比較例の試料に
ついて算定した。平坦度Pは、パッドの幅方向の高さの
うち最大値(最高点)Mの高さをh(μm)とし、h−
5(μm)の高さを有するパッド両側面近傍の点N1、
N2を求め、このN1とN2間の距離Dを得る。そして、
パッドの幅W(μm)とから、P(%)=D/W×10
0をパッドの平坦度とした。
【0016】次に、これらの試料のパッド3に、φ25
μmのAuワイヤ4をワイヤボンディングをし、その可
否即ち接続成功率を調査した。ワイヤボンディングは、
φ32μmの貫通孔を有するウェッジにこのAuワイヤ
4を通し、パッド3上にワイヤ4を押しつけながら超音
波振動を加えて行った。なお、加温は行わず、室温でワ
イヤボンディングを行っている。次いで、ワイヤボンデ
ィングできた試料については、パッド3に接続されたワ
イヤ4の接続強度を以下のようにして測定した。即ち、
図6に示すように、ワイヤ4をパッド3に対して垂直に
500μm/secで引き上げ、接続が破壊するモード
及び強度(接続強度)を求めた。表1に各試料について
測定した幅W、平坦度Pおよび接続成功率及び接続強度
を示す。なお、これらの結果は、各試料とも20ヶの測
定結果の平均値である。
【0017】
【表1】 ※印は、本発明範囲外
【0018】表1から判るように、平坦度Pについて
は、実施例にかかるパッドは、いずれも95%を越え、
99%であるのに対して、比較例では、W=150μm
以上の場合のみ95%以上となり、W=100μm以下
では平坦度Pは95%未満である。即ち、本発明によれ
ば、幅の小さいパッドにおいても十分高い平坦度が得ら
れる。また、接続成功率は実施例にかかるパッドではい
ずれも100%ボンディングできたのに対して比較例で
は幅が100μm以下の場合、ボンディングのできない
ものが発生した。これは比較例においては、W=100
μmの場合には、平坦度Pが93%であり、更に、W=
75μmのときにはP=88%、W=50μmのときに
はP=84%と平坦度が低いためである。即ち、ワイヤ
が逃げやすく、ワイヤとパッド間の接触が十分でなく、
接続面積が十分取れなかったこと、及びワイヤとパッド
の摩擦が十分できなかったためであると考えられる。
【0019】一方、接続できたものについて引張試験を
したときの接続破壊モードについては、実施例、比較例
のいずれもワイヤから切れ、ワイヤとボンディングパッ
ドとの接続には問題のないことが判った。このため接続
強度もいずれも7.5gf程度であり、特に差を生じて
いない。これは、ワイヤが逃げずに接続がうまく行われ
た場合にはその接続強度はワイヤ自身の引張強度より高
くなることを示している。以上により、ワイヤボンディ
ングにおける接続成功率を100%とするには、パッド
の平坦度Pを95%以上とすることが必要となる。ま
た、従来技術である比較例でもW=150および200
μmでは、100%の接続成功率が得られることから見
ても、本実施例はW=150未満、特にW=100μm
以下のパッドの幅を有する場合に効果を有することが判
る。パッドの幅が広い場合には、たとえ側縁部でだれが
生じていても、パッドの中央近くの比較的平坦な部分で
接続できるからであると考えられる。
【0020】なお、本実施例では、基板の材質として、
アルミナを用いたが、これに限らず他のセラミック、例
えば、窒化アルミニウム、ムライト、ガラスセラミッ
ク、窒化珪素、炭化珪素その他の基板用セラミックであ
っても良いことは明らかである。また、パッドをポスト
ファイヤー法によって設けた例を示したが、コファイヤ
ー法によって形成しても良い。また、本実施例では、金
属ペーストとしてMo−Mnペーストを用い、さらにN
iメッキ及びAuメッキを施した例を示したが、他の金
属材料、例えば、W、Mo、Ag、Au、Cu、Pd、
Pt、Ag−Pd等の配線材料であっても良い。また、
ワイヤボンディングを可能とし、あるいはワイヤボンデ
ィング性を向上するために、Niメッキ、Auメッキ等
を行っても良いことは明らかである。
【0021】更に、本実施例では、ネガ型感光性金属ペ
ーストを用いたが、ポジ型感光性金属ペーストを用いて
も良く、その他の手法によってパッドを形成しても良
い。例えば、一旦平面状に形成した金属層をエッチング
により不要部分を除去してパッドを形成しても良い。更
に、本実施例では、金属ペーストをスクリーン印刷法に
よりで塗布したが、この他の方法、例えばスピンナーに
よっても良く、また、ロールコーターによっても良い。
【0022】なお、感光性ペーストは、感光性を有する
が故に、取り扱い、保存等が必ずしも容易ではなく、ま
た、粘度調製等の面倒であり、比較的高価でもある。従
って、セラミックグリーンシートやセラミック基板表面
のうち、パッドを形成する部分のみに感光性ペーストを
用い、他の部分には通常の(非感光性の)ペーストを用
いれば足りる。
【0023】
【効果】以上より明らかなように、ワイヤボンディング
パッドの平坦度Pを95%以上としたので、幅Wが15
0μm未満の細いパッドにおいても、接合ミスが無くな
り、十分高い接合強度を得ることができる。また、これ
により集積回路との接合に高い信頼性を得ることができ
る。また、パッドの平坦度を知ればワイヤボンディング
の可否について予測が可能となる。これは、実際にボン
ディングを行って調査確認する煩雑さと、かかる調査が
セラミック基板にとって破壊検査となることに鑑みる
と、セラミック基板の検査工程の簡易化が可能となるこ
とを示す。また、本発明によれば、かかる高い平坦度を
有するパッドを有するセラミック基板を容易に形成する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のワイヤボンディングパッドの幅方向断面
形状例を示す断面図である。
【図2】セラミック基板に感光性金属ペーストを塗布し
た状態を示す断面図である。
【図3】セラミック基板に種々の幅を有するワイヤボン
ディングパッドを製作した状態を示す斜視図である。
【図4】実施例及び比較例にかかるワイヤボンディング
パッドの幅方向の高さ変化を示すグラフである。
【図5】平坦度Pを定義するための説明図である。
【図6】ワイヤの接続強度を測定するときの様子を示す
概念図である。
【符号の説明】
1:セラミック基板 1A:セラミック基板の一主表面 2:感光性金属ペースト 3:ワイヤボンディングパッド 4:ワイヤ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板表面に、厚膜法または厚膜法およびメ
    ッキ法により形成され幅W(μm)が150μm未満の
    ワイヤボンディングパッドを備えるセラミック基板であ
    って、該ワイヤボンディングパッドの幅方向断面におい
    て、該セラミック基板表面からの最大高さをh(μ
    m)、パッド両側縁近傍に位置しh−5(μm)の高さ
    を有する2点間の距離をD(μm)としたときに、P
    (%)=D/W×100で表される平坦度Pが、95%
    以上であるワイヤボンディングパッドを備えることを特
    徴とするセラミック基板。
  2. 【請求項2】セラミック基板の表面に感光性金属ペース
    トを平坦に塗布する工程と、所望パターンを露光する工
    程と、該感光性金属ペーストの不要部分を除去する工程
    と、残存した該感光性金属ペーストを該セラミック基板
    に焼き付けてワイヤボンディングパッドとする工程とか
    らなることを特徴とするセラミック基板の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235911A (ja) * 2008-03-26 2008-10-02 Murata Mfg Co Ltd 低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03105934A (ja) * 1989-09-20 1991-05-02 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JPH04208593A (ja) * 1990-12-03 1992-07-30 Nec Corp 厚膜印刷基板
JPH04219935A (ja) * 1990-12-20 1992-08-11 Kyocera Corp 接続端子の製造方法
JPH04293244A (ja) * 1991-03-22 1992-10-16 Citizen Watch Co Ltd Ic実装構造
JPH0567864A (ja) * 1991-09-09 1993-03-19 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミツクス基板及びそのメタライズ方法
JPH05271576A (ja) * 1992-01-24 1993-10-19 Toray Ind Inc 感光性導電ペースト
JPH05315731A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Hitachi Ltd 配線基板の接続パッドの製造方法
JPH06152104A (ja) * 1992-11-16 1994-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック回路基板の製造方法
JPH06216184A (ja) * 1992-08-20 1994-08-05 Toyota Autom Loom Works Ltd 配線基板上の配線の表面処理方法
JPH07336021A (ja) * 1994-06-07 1995-12-22 Mitsubishi Materials Corp 厚膜配線用基板、および、その製造方法、ならびに、厚膜配線形成方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03105934A (ja) * 1989-09-20 1991-05-02 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JPH04208593A (ja) * 1990-12-03 1992-07-30 Nec Corp 厚膜印刷基板
JPH04219935A (ja) * 1990-12-20 1992-08-11 Kyocera Corp 接続端子の製造方法
JPH04293244A (ja) * 1991-03-22 1992-10-16 Citizen Watch Co Ltd Ic実装構造
JPH0567864A (ja) * 1991-09-09 1993-03-19 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミツクス基板及びそのメタライズ方法
JPH05271576A (ja) * 1992-01-24 1993-10-19 Toray Ind Inc 感光性導電ペースト
JPH05315731A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Hitachi Ltd 配線基板の接続パッドの製造方法
JPH06216184A (ja) * 1992-08-20 1994-08-05 Toyota Autom Loom Works Ltd 配線基板上の配線の表面処理方法
JPH06152104A (ja) * 1992-11-16 1994-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック回路基板の製造方法
JPH07336021A (ja) * 1994-06-07 1995-12-22 Mitsubishi Materials Corp 厚膜配線用基板、および、その製造方法、ならびに、厚膜配線形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235911A (ja) * 2008-03-26 2008-10-02 Murata Mfg Co Ltd 低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法

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