JPH06152104A - セラミック回路基板の製造方法 - Google Patents
セラミック回路基板の製造方法Info
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- JPH06152104A JPH06152104A JP30423192A JP30423192A JPH06152104A JP H06152104 A JPH06152104 A JP H06152104A JP 30423192 A JP30423192 A JP 30423192A JP 30423192 A JP30423192 A JP 30423192A JP H06152104 A JPH06152104 A JP H06152104A
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- negative
- circuit board
- resin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細な回路パターン形成が容易で、表面が平
滑で、セラミック基板への密着強度を損なわず、半田濡
れ性も良好で、電子部品を高い信頼性で実装することが
できるセラミック回路基板を提供する。 【構成】 離形フィルム７上に樹脂のネガパターン８を
形成し、このネガパターン８の隙間に導体ペーストを充
填して導体ペーストパターン９を形成し、ネガパターン
８と導体ペーストパターン９とをセラミック基板１上に
転写し、このセラミック基板１を所定温度で焼成する。
これにより、表面が平滑で、セラミック基板への密着強
度を損なわず、半田濡れ性も良好で、電子部品を高い信
頼性で実装することができるセラミック回路基板を得ら
れる。
滑で、セラミック基板への密着強度を損なわず、半田濡
れ性も良好で、電子部品を高い信頼性で実装することが
できるセラミック回路基板を提供する。 【構成】 離形フィルム７上に樹脂のネガパターン８を
形成し、このネガパターン８の隙間に導体ペーストを充
填して導体ペーストパターン９を形成し、ネガパターン
８と導体ペーストパターン９とをセラミック基板１上に
転写し、このセラミック基板１を所定温度で焼成する。
これにより、表面が平滑で、セラミック基板への密着強
度を損なわず、半田濡れ性も良好で、電子部品を高い信
頼性で実装することができるセラミック回路基板を得ら
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器などの回路に
広く用いることができるセラミック回路基板に関する。
広く用いることができるセラミック回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、セラミック回路基板は、熱伝導性
や耐熱性、化学的耐久性の点で有機材料基板に代わるも
のとして使用され、また電子機器の小型化、多様化に伴
い、高密度配線、高密度実装基板として広く使用される
ようになってきた。さらに、今後は半導体ベアチップ実
装基板として需要は高まると予想され、さらにこのセラ
ミック回路基板を用いた微細な配線が必要になると考え
られる。
や耐熱性、化学的耐久性の点で有機材料基板に代わるも
のとして使用され、また電子機器の小型化、多様化に伴
い、高密度配線、高密度実装基板として広く使用される
ようになってきた。さらに、今後は半導体ベアチップ実
装基板として需要は高まると予想され、さらにこのセラ
ミック回路基板を用いた微細な配線が必要になると考え
られる。
【０００３】以下に図６，図７を参照しながら、従来の
セラミック回路基板の製造方法の一例について説明す
る。図６に、従来のセラミック回路基板の構成を示す。
図７は従来の製造方法により電子部品を実装したセラミ
ック回路基板の構成を示す。
セラミック回路基板の製造方法の一例について説明す
る。図６に、従来のセラミック回路基板の構成を示す。
図７は従来の製造方法により電子部品を実装したセラミ
ック回路基板の構成を示す。
【０００４】図６に示すように、従来のセラミック回路
基板は、アルミナなどからなるセラミック基板２０上
に、Ａｇ粉やＣｕ粉を主成分とし、これにホウケイ酸ガ
ラスまたはホウケイ酸鉛ガラスと熱可塑性樹脂などを添
加してなる導体ペーストを印刷して導体ペーストパター
ン２１を形成したものであった。さらに、このように構
成されたセラミック基板２０を所定温度にて焼成するこ
とにより、セラミック回路基板を完成させていた。そし
て、図７に示すように、上記のように構成されたセラミ
ック回路基板に回路部品を実装して、電子機器の回路と
して使用する。
基板は、アルミナなどからなるセラミック基板２０上
に、Ａｇ粉やＣｕ粉を主成分とし、これにホウケイ酸ガ
ラスまたはホウケイ酸鉛ガラスと熱可塑性樹脂などを添
加してなる導体ペーストを印刷して導体ペーストパター
ン２１を形成したものであった。さらに、このように構
成されたセラミック基板２０を所定温度にて焼成するこ
とにより、セラミック回路基板を完成させていた。そし
て、図７に示すように、上記のように構成されたセラミ
ック回路基板に回路部品を実装して、電子機器の回路と
して使用する。
【０００５】図７に示すように、セラミック基板２０上
に形成した導体パターン２２に半導体パッケージ２３や
チップ部品２６を配置し、半導体パッケージ２３はリー
ド２４を介して半田２５により導体パターン２２に接続
し、またチップ部品２６は半田２５により導体パターン
２２に接続している。
に形成した導体パターン２２に半導体パッケージ２３や
チップ部品２６を配置し、半導体パッケージ２３はリー
ド２４を介して半田２５により導体パターン２２に接続
し、またチップ部品２６は半田２５により導体パターン
２２に接続している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の構成では、導体ペーストをスクリーン印刷して形成
した導体ペーストパターン２１はその形状において、イ
ンクのニジミ、ヒゲ、あるいはインクが透過するスクリ
ーン（紗）の影響による輪郭部の直線性の低下などの問
題が発生するため、導体ペーストパターン２１の設計精
度を高く保持することが困難であつた。特に微細なパタ
ーン、たとえば線幅が６０μｍ以下のライン印刷ではラ
インの途切れなどの問題が発生し、６０μｍのパターン
を実用レベルで製造することはできなかった。
来の構成では、導体ペーストをスクリーン印刷して形成
した導体ペーストパターン２１はその形状において、イ
ンクのニジミ、ヒゲ、あるいはインクが透過するスクリ
ーン（紗）の影響による輪郭部の直線性の低下などの問
題が発生するため、導体ペーストパターン２１の設計精
度を高く保持することが困難であつた。特に微細なパタ
ーン、たとえば線幅が６０μｍ以下のライン印刷ではラ
インの途切れなどの問題が発生し、６０μｍのパターン
を実用レベルで製造することはできなかった。
【０００７】また、表面の平滑性も悪く、表面粗さのバ
ラツキが±１０μｍ以下である条件を必要とする半導体
のフリップチップ実装には採用が困難であった。さら
に、導体パターン２２の作成時には８５０℃〜９００℃
の温度で基板全体が焼成されるので、ホウケイ酸ガラス
やホウケイ酸鉛ガラスを主成分とするガラスによってセ
ラミック基板２０と導体パターン２２は強く密着する
が、スクリーン印刷性を向上させるためには、樹脂成分
を所定量より多くしたり金属粉やガラスの性状を変える
と、上記セラミック基板２０と導体パターン２２との密
着強度の低下や半田２５の濡れが悪くなるという信頼性
上重大な課題を有していた。
ラツキが±１０μｍ以下である条件を必要とする半導体
のフリップチップ実装には採用が困難であった。さら
に、導体パターン２２の作成時には８５０℃〜９００℃
の温度で基板全体が焼成されるので、ホウケイ酸ガラス
やホウケイ酸鉛ガラスを主成分とするガラスによってセ
ラミック基板２０と導体パターン２２は強く密着する
が、スクリーン印刷性を向上させるためには、樹脂成分
を所定量より多くしたり金属粉やガラスの性状を変える
と、上記セラミック基板２０と導体パターン２２との密
着強度の低下や半田２５の濡れが悪くなるという信頼性
上重大な課題を有していた。
【０００８】本発明は、上記課題を解決するものであ
り、密着強度や半田濡れ性を低下させることなく微細な
導体パターンを精度良く形成することのできるセラミッ
ク回路基板の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
り、密着強度や半田濡れ性を低下させることなく微細な
導体パターンを精度良く形成することのできるセラミッ
ク回路基板の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明のセラミック回路基板の製造方法は、離形フィ
ルム上に樹脂のネガパターンを形成する工程と、前記ネ
ガパターンの隙間に導体ペーストを充填する工程と、前
記ネガパターンと導体ペーストをセラミック基板上に転
写する工程と、前記セラミック基板を所定温度で焼成す
る工程からなるもの、あるいは離形フィルム上に樹脂の
ネガパターンを形成する工程と、前記ネガパターンをセ
ラミック基板上に転写する工程と、前記セラミック基板
上のネガパターンの隙間に導体ペーストを充填する工程
と、前記セラミック基板を所定温度で焼成する工程から
なるものであり、前記離形フィルム上に形成された樹脂
のネガパターンが感光性樹脂を所定パターンに感光させ
エッチングしてなる、あるいは透明ガラスなどの透光性
を有する板上に配置された透明離形フィルム上に紫外線
硬化樹脂にて所定パターンを印刷し、前記透明ガラスな
どの板の下面側より紫外線を照射して形成されるように
したものである。
に本発明のセラミック回路基板の製造方法は、離形フィ
ルム上に樹脂のネガパターンを形成する工程と、前記ネ
ガパターンの隙間に導体ペーストを充填する工程と、前
記ネガパターンと導体ペーストをセラミック基板上に転
写する工程と、前記セラミック基板を所定温度で焼成す
る工程からなるもの、あるいは離形フィルム上に樹脂の
ネガパターンを形成する工程と、前記ネガパターンをセ
ラミック基板上に転写する工程と、前記セラミック基板
上のネガパターンの隙間に導体ペーストを充填する工程
と、前記セラミック基板を所定温度で焼成する工程から
なるものであり、前記離形フィルム上に形成された樹脂
のネガパターンが感光性樹脂を所定パターンに感光させ
エッチングしてなる、あるいは透明ガラスなどの透光性
を有する板上に配置された透明離形フィルム上に紫外線
硬化樹脂にて所定パターンを印刷し、前記透明ガラスな
どの板の下面側より紫外線を照射して形成されるように
したものである。
【００１０】
【作用】この製造方法によれば、エッチングや導体ペー
ストより印刷性の良好な紫外線硬化樹脂によって、ニジ
ミなく、精度良く形成された樹脂ネガパターンの隙間
に、従来より使用している導体ペーストを充填して、セ
ラミック基板に転写した後、あるいは、上記ネガパター
ンをセラミック基板に転写し、上記導体ペーストを充填
した後に、このセラミック基板を焼成するので、樹脂ネ
ガパターンは焼失し、微細な導体パターンのみをセラミ
ック基板上に設計通りに形成することができる。そし
て、形成された導体パターンは、表面が平滑で、セラミ
ック基板への密着強度を損なわず、半田濡れ性も良好
で、電子部品を高い信頼性で実装することができる。
ストより印刷性の良好な紫外線硬化樹脂によって、ニジ
ミなく、精度良く形成された樹脂ネガパターンの隙間
に、従来より使用している導体ペーストを充填して、セ
ラミック基板に転写した後、あるいは、上記ネガパター
ンをセラミック基板に転写し、上記導体ペーストを充填
した後に、このセラミック基板を焼成するので、樹脂ネ
ガパターンは焼失し、微細な導体パターンのみをセラミ
ック基板上に設計通りに形成することができる。そし
て、形成された導体パターンは、表面が平滑で、セラミ
ック基板への密着強度を損なわず、半田濡れ性も良好
で、電子部品を高い信頼性で実装することができる。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明の実施例に係るセラミック回
路基板の製造方法を、図面を参照しながら説明する。
路基板の製造方法を、図面を参照しながら説明する。
【００１２】図２に本発明の第１の実施例の製造方法に
より得られるセラミック回路基板の断面図を示す。図２
に示すように、アルミナなどのセラミックからなるセラ
ミック基板１の上に、Ａｇ／Ｐｄとホウケイ酸鉛ガラス
を主成分とする表面が平滑な導体パターン２が形成され
ている。半導体ベアチップ３はＡｕバンプ４を介して半
田５によって導体パターン２に電気的に接続されてい
る。Ａｕバンプ４は１００μｍというファインピッチで
形成されている。セラミック基板１の裏面には同様にし
てチップコンデンサ６が半田５によって導体パターン２
に電気的に接続されている。
より得られるセラミック回路基板の断面図を示す。図２
に示すように、アルミナなどのセラミックからなるセラ
ミック基板１の上に、Ａｇ／Ｐｄとホウケイ酸鉛ガラス
を主成分とする表面が平滑な導体パターン２が形成され
ている。半導体ベアチップ３はＡｕバンプ４を介して半
田５によって導体パターン２に電気的に接続されてい
る。Ａｕバンプ４は１００μｍというファインピッチで
形成されている。セラミック基板１の裏面には同様にし
てチップコンデンサ６が半田５によって導体パターン２
に電気的に接続されている。
【００１３】上記構成のセラミック回路基板について、
以下にその製造工程を具体的に説明する。図１の（ａ）
に示すように、感光性フィルムなどで形成された所定回
路のネガパターン８と、このネガパターン８の隙間にＡ
ｇ／Ｐｄとホウケイ酸鉛ガラスとを主成分とする導体ペ
ーストを充填してなる導体ペーストパターン９とを表面
に設けた離型フィルム７を、セラミック基板１上に配設
する。
以下にその製造工程を具体的に説明する。図１の（ａ）
に示すように、感光性フィルムなどで形成された所定回
路のネガパターン８と、このネガパターン８の隙間にＡ
ｇ／Ｐｄとホウケイ酸鉛ガラスとを主成分とする導体ペ
ーストを充填してなる導体ペーストパターン９とを表面
に設けた離型フィルム７を、セラミック基板１上に配設
する。
【００１４】次に、図１の（ｂ），（ｃ）に示すよう
に、セラミック基板１に、ネガパターン８と導体ペース
トパターン９とを熱圧着させた後、離形フィルム７を剥
離する。
に、セラミック基板１に、ネガパターン８と導体ペース
トパターン９とを熱圧着させた後、離形フィルム７を剥
離する。
【００１５】さらに、図１の（ｄ）に示すように、ネガ
パターン８と導体ペーストパターン９とを熱圧着したセ
ラミック基板１を１８５０℃で焼成すると、ネガパター
ン８は焼失し、導体パターン２が形成される。
パターン８と導体ペーストパターン９とを熱圧着したセ
ラミック基板１を１８５０℃で焼成すると、ネガパター
ン８は焼失し、導体パターン２が形成される。
【００１６】上記構成の離形フィルム７上のネガパター
ン８と導体ペーストパターン９とについて、以下にその
製造工程を図３により具体的に説明する。図３の（ａ）
に示すように、離形フィルム７上に感光性樹脂フィルム
１０を密着させ、その上に導体パターンマスク１１を配
置して紫外線１２により露光させる。
ン８と導体ペーストパターン９とについて、以下にその
製造工程を図３により具体的に説明する。図３の（ａ）
に示すように、離形フィルム７上に感光性樹脂フィルム
１０を密着させ、その上に導体パターンマスク１１を配
置して紫外線１２により露光させる。
【００１７】次に、図３の（ｂ）に示すように、感光性
樹脂フィルム１０をエッチングしてネガパターン８を形
成する。さらに、図３の（ｃ），（ｄ）に示すように、
ネガパターン８にＡｇ／Ｐｄとホウケイ酸鉛ガラスを主
成分とする導体ペースト１３をスキージー１４にて充填
し、導体ペーストパターン９を形成する。
樹脂フィルム１０をエッチングしてネガパターン８を形
成する。さらに、図３の（ｃ），（ｄ）に示すように、
ネガパターン８にＡｇ／Ｐｄとホウケイ酸鉛ガラスを主
成分とする導体ペースト１３をスキージー１４にて充填
し、導体ペーストパターン９を形成する。
【００１８】以上のように、この第１の実施例によれ
ば、離形フィルム７上にエッチングにより精度良く形成
された樹脂のネガパターン８の隙間に導体ペースト１３
を充填し、これらのネガパターン８および導体ペースト
パターン９をセラミック基板１に転写して、焼成するこ
とにより、導体ペーストのスクリーン印刷では不可能
な、微細な導体パターンを計算通りにまた表面を平滑に
セラミック基板上に形成することができる。さらに従来
の導体ペーストが使用できるので、セラミック基板への
密着強度を損なわず、半田濡れ性も良好なまま、ファイ
ンピッチな接続を必要とする半導体ベアチップなどの電
子部品を高い信頼性で実装することができる。
ば、離形フィルム７上にエッチングにより精度良く形成
された樹脂のネガパターン８の隙間に導体ペースト１３
を充填し、これらのネガパターン８および導体ペースト
パターン９をセラミック基板１に転写して、焼成するこ
とにより、導体ペーストのスクリーン印刷では不可能
な、微細な導体パターンを計算通りにまた表面を平滑に
セラミック基板上に形成することができる。さらに従来
の導体ペーストが使用できるので、セラミック基板への
密着強度を損なわず、半田濡れ性も良好なまま、ファイ
ンピッチな接続を必要とする半導体ベアチップなどの電
子部品を高い信頼性で実装することができる。
【００１９】以下、本発明の第２の実施例について図面
を参照しながら説明する。なお、第２の実施例の製造方
法により得られるセラミック回路基板は、図２に示す第
１の実施例の配設構成と同様なものである。
を参照しながら説明する。なお、第２の実施例の製造方
法により得られるセラミック回路基板は、図２に示す第
１の実施例の配設構成と同様なものである。
【００２０】第２の実施例に係るセラミック回路基板の
製造方法を具体的に説明する。図４の（ａ）に示すよう
に、セラミック基板１上に、紫外線硬化樹脂を主成分と
するインクなどで形成された所定回路のネガパターン８
を表面に構成した離形フィルム７を配設する。
製造方法を具体的に説明する。図４の（ａ）に示すよう
に、セラミック基板１上に、紫外線硬化樹脂を主成分と
するインクなどで形成された所定回路のネガパターン８
を表面に構成した離形フィルム７を配設する。
【００２１】次に、図４の（ｂ），（ｃ）に示すよう
に、セラミック基板１に、ネガパターン８を熱圧着させ
た後、離形フィルム７を剥離する。さらにネガパターン
８の隙間に、Ａｇ／Ｐｄとホウケイ酸鉛ガラスを主成分
とする導体ペースト１３をスキージー１４などにて充填
し、導体ペーストパターン９を形成する。
に、セラミック基板１に、ネガパターン８を熱圧着させ
た後、離形フィルム７を剥離する。さらにネガパターン
８の隙間に、Ａｇ／Ｐｄとホウケイ酸鉛ガラスを主成分
とする導体ペースト１３をスキージー１４などにて充填
し、導体ペーストパターン９を形成する。
【００２２】さらに、図４の（ｄ）に示すように、この
セラミック基板１を８５０℃で焼成するとネガパターン
８は焼失し、導体パターン２が形成される。上記構成の
離形フィルム７上のネガパターン８と導体ペーストパタ
ーン９とについて、以下にその製造工程を図５により具
体的に説明する。
セラミック基板１を８５０℃で焼成するとネガパターン
８は焼失し、導体パターン２が形成される。上記構成の
離形フィルム７上のネガパターン８と導体ペーストパタ
ーン９とについて、以下にその製造工程を図５により具
体的に説明する。
【００２３】図５の（ａ）に示すように、透明ガラス板
１６上の透明離形フィルム１５上に、所定パターンのス
クリーン１８とスキージー１４を用いて、紫外線硬化樹
脂を主成分とするインク１７にて未硬化樹脂ネガパター
ン１９を印刷する。
１６上の透明離形フィルム１５上に、所定パターンのス
クリーン１８とスキージー１４を用いて、紫外線硬化樹
脂を主成分とするインク１７にて未硬化樹脂ネガパター
ン１９を印刷する。
【００２４】次に、図５の（ｂ）に示すように、未硬化
樹脂ネガパターン１９に透明ガラス１６および透明離形
フィルム１５を通して下面より紫外線１２を照射して硬
化させ、ネガパターン８を形成する。
樹脂ネガパターン１９に透明ガラス１６および透明離形
フィルム１５を通して下面より紫外線１２を照射して硬
化させ、ネガパターン８を形成する。
【００２５】以上のようにして得られたネガパターン８
が構成された透明離形フィルム１５を、図４に示した方
法にて、セラミック基板１上に導体ペーストパターン９
を形成する。
が構成された透明離形フィルム１５を、図４に示した方
法にて、セラミック基板１上に導体ペーストパターン９
を形成する。
【００２６】以上のように、この第２の実施例によれ
ば、透明離形フィルム１５上に導体ペーストより印刷性
の良い紫外線硬化性樹脂を主成分とするインク１７を使
用して印刷を行うので、ファインパターンが印刷でき、
紫外線１２にて下部より硬化させるので印刷後のニジミ
やダレがない。これにより精度良く形成された樹脂のネ
ガパターン８をセラミック基板１に転写し、このネガパ
ターン８の隙間に導体ペーストを充填して導体ペースト
パターン９を形成して焼成するので、導体ペーストのス
クリーン印刷では不可能な、微細な導体パターン２を設
計通りに、また、表面を平滑にセラミック基板１上に形
成することができる。さらに、従来の導体ペーストが使
用できるので、セラミック基板１への密着強度を損なわ
ず、半田濡れ性も良好なまま、ファインピッチな接続を
必要とする半導体ベアチップなどの電子部品を高い信頼
性で実装することができる。
ば、透明離形フィルム１５上に導体ペーストより印刷性
の良い紫外線硬化性樹脂を主成分とするインク１７を使
用して印刷を行うので、ファインパターンが印刷でき、
紫外線１２にて下部より硬化させるので印刷後のニジミ
やダレがない。これにより精度良く形成された樹脂のネ
ガパターン８をセラミック基板１に転写し、このネガパ
ターン８の隙間に導体ペーストを充填して導体ペースト
パターン９を形成して焼成するので、導体ペーストのス
クリーン印刷では不可能な、微細な導体パターン２を設
計通りに、また、表面を平滑にセラミック基板１上に形
成することができる。さらに、従来の導体ペーストが使
用できるので、セラミック基板１への密着強度を損なわ
ず、半田濡れ性も良好なまま、ファインピッチな接続を
必要とする半導体ベアチップなどの電子部品を高い信頼
性で実装することができる。
【００２７】なお、第１の実施例では、ネガパターン８
を感光性フィルムで形成したが、第２の実施例のごとく
紫外線硬化樹脂を主成分とするインクで形成してもかま
わず、また第２の実施例では、ネガパターン８を紫外線
硬化樹脂を主成分とするインクで形成したが、第１の実
施例のごとく感光性フィルムで形成してもかまわない。
また第１の実施例、第２の実施例でセラミック基板１を
アルミナ、導体ペーストである導体パターン２をＡｇ／
Ｐｄにて構成した場合を示したが、他のセラミック、他
の導体ペーストの組合せでもよい。
を感光性フィルムで形成したが、第２の実施例のごとく
紫外線硬化樹脂を主成分とするインクで形成してもかま
わず、また第２の実施例では、ネガパターン８を紫外線
硬化樹脂を主成分とするインクで形成したが、第１の実
施例のごとく感光性フィルムで形成してもかまわない。
また第１の実施例、第２の実施例でセラミック基板１を
アルミナ、導体ペーストである導体パターン２をＡｇ／
Ｐｄにて構成した場合を示したが、他のセラミック、他
の導体ペーストの組合せでもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、離形フィ
ルム上に樹脂のネガパターンを形成する工程と、前記ネ
ガパターンの隙間に導体ペーストを充填する工程と、前
記ネガパターンと導体ペーストとをセラミック基板上に
転写する工程と、前記セラミック基板を所定温度で焼成
する工程とからなるもの、あるいは離形フィルム上に樹
脂のネガパターンを形成する工程と、前記ネガパターン
をセラミック基板上に転写する工程と、前記セラミック
基板上のネガパターンの隙間に導体ペーストを充填する
工程と、前記セラミック基板を所定温度で焼成する工程
とからなるものであり、前記離形フィルム上に形成され
た樹脂のネガパターンが感光性樹脂を所定パターンに感
光させてエッチングしてなる、あるいは透明ガラスなど
の板上に配置された透明離形フィルム上に、紫外線硬化
樹脂にて所定パターンを印刷し、前記透明ガラスなどの
板の下面側より紫外線を照射して形成されるようにした
ものであるので、微細なパターンも設計通りに形成する
ことができる。形成された導体パターンは、表面が平滑
で、セラミック基板への密着強度を損なわず、半田濡れ
性も良好で、電子部品を高い信頼性で実装することがで
きる。
ルム上に樹脂のネガパターンを形成する工程と、前記ネ
ガパターンの隙間に導体ペーストを充填する工程と、前
記ネガパターンと導体ペーストとをセラミック基板上に
転写する工程と、前記セラミック基板を所定温度で焼成
する工程とからなるもの、あるいは離形フィルム上に樹
脂のネガパターンを形成する工程と、前記ネガパターン
をセラミック基板上に転写する工程と、前記セラミック
基板上のネガパターンの隙間に導体ペーストを充填する
工程と、前記セラミック基板を所定温度で焼成する工程
とからなるものであり、前記離形フィルム上に形成され
た樹脂のネガパターンが感光性樹脂を所定パターンに感
光させてエッチングしてなる、あるいは透明ガラスなど
の板上に配置された透明離形フィルム上に、紫外線硬化
樹脂にて所定パターンを印刷し、前記透明ガラスなどの
板の下面側より紫外線を照射して形成されるようにした
ものであるので、微細なパターンも設計通りに形成する
ことができる。形成された導体パターンは、表面が平滑
で、セラミック基板への密着強度を損なわず、半田濡れ
性も良好で、電子部品を高い信頼性で実装することがで
きる。
【図１】（ａ）から（ｄ）は本発明の第１の実施例に係
るセラミック回路基板の製造方法を示す断面図
るセラミック回路基板の製造方法を示す断面図
【図２】同製造方法によりセラミック回路基板に電子部
品を実装した状態を示す断面図
品を実装した状態を示す断面図
【図３】（ａ）から（ｄ）は第１の実施例における離形
フィルム上のネガパターン、導体ペーストパターンの製
造方法を示す断面図
フィルム上のネガパターン、導体ペーストパターンの製
造方法を示す断面図
【図４】（ａ）から（ｄ）は本発明の第２の実施例に係
るセラミック回路基板の製造方法を示す断面図
るセラミック回路基板の製造方法を示す断面図
【図５】（ａ）および（ｂ）は第２の実施例における離
形フィルム上のネガパターン、導体ペーストパターンの
製造方法を示す断面図
形フィルム上のネガパターン、導体ペーストパターンの
製造方法を示す断面図
【図６】従来のセラミック回路基板の構成を示す断面図
【図７】同セラミック回路基板に電子部品を実装した状
態を示す断面図
態を示す断面図
１ セラミック基板 ２ 導体パターン ７ 離形フィルム ８ ネガパターン ９ 導体ペーストパターン １０ 感光性樹脂フィルム １１ 導体パターンフィルム １２ 紫外線 １５ 透明離型フィルム １６ 透明ガラス板 １７ 紫外線硬化樹脂を主成分とするインク １８ スクリーン
Claims (4)
- 【請求項１】 離形フィルム上に樹脂のネガパターンを
形成する工程と、前記ネガパターンの隙間に導体ペース
トを充填する工程と、前記ネガパターンと導体ペースト
とをセラミック基板上に転写する工程と、前記セラミッ
ク基板を所定温度で焼成する工程とを有するセラミック
回路基板の製造方法。 - 【請求項２】 離形フィルム上に樹脂のネガパターンを
形成する工程と、前記ネガパターンをセラミック基板上
に転写する工程と、前記セラミック基板上のネガパター
ンに導体ペーストを充填する工程と、前記セラミック基
板を所定温度で焼成する工程とを有するセラミック回路
基板の製造方法。 - 【請求項３】 離形フィルム上に形成された樹脂のネガ
パターンが、感光性樹脂を所定パターンに感光させてエ
ッチングして形成された請求項１または請求項２に記載
のセラミック回路基板の製造方法。 - 【請求項４】 離形フィルム上に形成された樹脂のネガ
パターンが、透光性を有する板上に配置された透明離形
フィルム上に紫外線硬化樹脂にて所定パターンを印刷
し、前記透光性を有する板の下面側より紫外線を照射し
て形成された請求項１または請求項２に記載のセラミッ
ク回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30423192A JPH06152104A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | セラミック回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30423192A JPH06152104A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | セラミック回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06152104A true JPH06152104A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17930584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30423192A Pending JPH06152104A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | セラミック回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06152104A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08335602A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック基板及びその製造方法 |
| US6085414A (en) * | 1996-08-15 | 2000-07-11 | Packard Hughes Interconnect Company | Method of making a flexible circuit with raised features protruding from two surfaces and products therefrom |
| JP4740865B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2011-08-03 | 学校法人日本大学 | セラミック電子部品の製造方法 |
| JP2011204748A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Fukuoka Univ | 配線パターン形成方法、及び配線基板 |
-
1992
- 1992-11-16 JP JP30423192A patent/JPH06152104A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08335602A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック基板及びその製造方法 |
| US6085414A (en) * | 1996-08-15 | 2000-07-11 | Packard Hughes Interconnect Company | Method of making a flexible circuit with raised features protruding from two surfaces and products therefrom |
| JP4740865B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2011-08-03 | 学校法人日本大学 | セラミック電子部品の製造方法 |
| JP2011204748A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Fukuoka Univ | 配線パターン形成方法、及び配線基板 |
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