JP2011204748A - 配線パターン形成方法、及び配線基板 - Google Patents
配線パターン形成方法、及び配線基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011204748A JP2011204748A JP2010068169A JP2010068169A JP2011204748A JP 2011204748 A JP2011204748 A JP 2011204748A JP 2010068169 A JP2010068169 A JP 2010068169A JP 2010068169 A JP2010068169 A JP 2010068169A JP 2011204748 A JP2011204748 A JP 2011204748A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- insulating
- droplet
- wiring pattern
- catalyst
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【解決手段】インクジェット法により所定の物性値を満たす絶縁性の液滴を吐出し、断面凹溝状の絶縁性の配線を形成する絶縁配線工程と、絶縁配線工程で形成された断面凹溝状の溝内に導電性の配線を形成する導電配線工程とを含む。導電配線工程の前に断面凹溝状の溝内に無電解めっきの触媒となる液敵を吐出して触媒部を形成する触媒形成工程を含んでもよい。その場合、導電配線工程では無電解めっきが行われる。
【選択図】図4
Description
D1>p1
ただし、D1は配線基板に着弾直後の液滴広がり径(μm)、p1は着弾ピッチ(μm)とし、前記絶縁性の液滴が前記配線基板に着弾した後に、常温ないし100℃にて液滴の内部剤を蒸発させることを特徴とするものである。
D2>p2
ただし、D2は絶縁層に着弾直後の液滴広がり径(μm)、p2は着弾ピッチ(μm)とすることを特徴とするものである。
このように、本願に開示する配線パターン形成方法は、液滴を吐出する基板の温度が30℃ないし100℃であるため、絶縁性の液滴の流動性を抑えることができ、絶縁性の液滴による配線を形成した直後であっても、当該絶縁性配線上に導電性の配線を形成するための液滴(例えば、導電性のペーストや触媒となる液滴等)を吐出して導電性配線を形成することができ、作業を短時間で効率よく行うことができるという効果を奏する。
このように、本願に開示する配線パターン形成方法は、絶縁配線工程が、導電性の配線パターンを含む導電配線層の表面に対して行われるため、既に配線パターンが形成されている基板の上に、さらに配線パターンを追加、修正等の処理を行うことができるという効果を奏する。
なお、上記各配線パターン形成方法により形成された配線基板も本願に含まれるものである。
本実施形態に係る導電性配線基板、及び導電性配線方法について、図1ないし図4を用いて説明する。
図1は、本実施形態に係る導電性配線方法を実現する処理装置の機能ブロック図である。図1において処理装置1は、描画情報70に記憶される配線パターン情報に基づいて液滴を吐出する吐出口を移動制御し、吐出口から吐出される液滴により配線パターンを描画するナノインクジェット10と、配線パターンを形成する基板20と、無電解めっきを行うことで導電性の配線が形成された配線基板40を形成するめっき部30と、ナノインクジェット10の吐出口の移動を制御する移動制御部50と、当該移動制御部50の制御に基づいて吐出口の移動を行う駆動部60とを備える。
基板20としては、例えばシリコン基板、ガラス基板、銅箔等の金属製基板、プラスチックフィルム等の非金属製基板等を用いることができる。
本実施形態に係る導電性配線基板、及び導電性配線方法について、図5を用いて説明する。本実施形態に係る導電性配線方法は、絶縁配線工程が、導電性の配線パターンを含む導電配線層の表面に対して行われるものである。
なお、本実施形態において、前記第1の実施形態と重複する説明については省略する。
〔実施例〕
(1)絶縁性配線用インクジェットインキの調製例
アルカリ現像製光硬化樹脂V−259ME200部(新日鐵化学株式会社製、固形分56.5%、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート溶媒)、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとジペンタエリスリトールペンタアクリレートとの混合物DPHAを50部(日本化薬社製)、ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製YX4000HK 25部、イルガキュア907(チバジャパン製)、4,4’−N,N−ジエチル−4,4’−ジフェニルEAB−F 0.8部(保土ヶ谷化学製)、シランカップリング剤S−510(チッソ製)1.9部、シリコン系界面活性剤BYK330を0.5部(ビッグケミジャパン製)、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート608部を混合し、均一、透明なインキとした。これを0.2μmマイクロフィルタによってろ過し、絶縁性インキを調製した。固形分濃度22wt%、粘度11.3mPa・sec(23℃)、表面張力25.8mN/m(23℃)、密度1049kg/m3(23℃)であった。
酢酸パラジウム0.57部、アンモニア水1.0部をイオン交換水150部中に溶解し、均一溶液とした。更に、ジエチレングリコール100部とシリコン系界面活性剤BYK333を0.5部加えて触媒インキとした。この時の表面張力30.4mN/m(23℃)、粘度4mPa・sec(23℃)、密度1068kg/m3(23℃)であった。
コニカミノルタ社製インクジェットヘッド(KM512L、ノズル間ピッチ70.5μm)に絶縁性インキを充填し、5インチのシリコン基板上(UV洗浄、接触角度θ=5°、液滴拡がり径(直径)D1=170μm)に、以下の(1)〜(4)の条件にて描画した。
(1)ヘッドノズル列とライン描画方向を垂直
(2)駆動周波数4800Hz、駆動電圧16.14V
(3)1ノズル液滴体積42pl、着弾ピッチ50、75、100μmにて描画
(4)基板温度23℃
描画後の基板をホットプレート上で90℃、5分間乾燥を行い、その後ライン直線性を実体顕微鏡で観察、表面形状及び膜厚を測定した。その結果を図6の表(実施例1〜3の列を参照)に示す。いずれもライン直線性は良好で、形状も断面凹溝状となっていた。
触媒インキを、上記で得られたシリコン基板上の絶縁性配線に以下の条件にて描画した。
(1)ヘッドノズル列とライン描画方向を垂直
(2)駆動周波数4800Hz、駆動電圧15.7V
(3)1ノズル液滴体積42pl、着弾ピッチ75μmにて描画
(4)基板温度23℃
描画後の基板を23℃にて20分間乾燥を行った。その後、紫外線露光機(I線基準30mW/cm2照度)を用いて800mJを照射、純水洗浄、エアブロー乾燥を行った。
上記基板をジメチルアミノボランDMAB水溶液(50mM)中50℃にて5分浸漬し、水洗、エアブロー乾燥を行った。さらに、メルプレートNI−869(pH4.6)中、85℃にて20分浸漬し、無電解ニッケルめっき後、基板を水洗した。その後、窒素雰囲気下で120℃、30分間処理を行った。実体顕微鏡観察の結果、絶縁性配線の上面にのみ、直線状にめっき層が形成されていることを確認した。また、シリコン基板とめっき層間の電気導通がないことをテスタで確認した(図6の実施例1〜3の列を参照)。
(1)ヘッドノズル列とライン描画方向を垂直
(2)駆動周波数4800Hz、駆動電圧16.1V
(3)1ノズル液滴体積4pl、ノズル数1本、着弾ピッチ40μm、液滴拡がり径D1=66μmにて描画
(4)基板温度23℃
その他の条件は実施例1と同様にして行った。その結果を図6の表(実施例14の列を参照)に示す。ライン直線性は良好で、形状も断面凹溝状を示していた。
(1)ヘッドノズル列とライン描画方向を垂直
(2)駆動周波数4800Hz、吐出電圧15.7V
(3)1ノズル液滴体積4pl、ノズル数1本、着弾ピッチ40μm、液滴拡がり径D2=70μmにて描画
(4)基板温度23℃
その後、窒素雰囲気下で120℃、30分間処理を行った。実体顕微鏡観察の結果、絶縁性配線の上面にのみ、直線状にめっき層が形成されていることを確認した。
(比較例1)
実施例1と同様にして絶縁性配線を形成後、パラジウムの触媒インキに10分間浸漬し、室温乾燥後、無電解ニッケル層を形成した。電子顕微鏡観察の結果、絶縁性配線の表面全体にめっき層が形成されていると同時に、めっき層がシリコン基板表面と接触し絶縁されていないことが観察された。
撥インキ剤を塗布した5インチシリコン基板上(接触角度θ=33°)に、液滴拡がり径D1=98μmとして、実施例1と同様にして絶縁性配線を形成したガラス基板を作成した。顕微鏡観察の結果、バルジの発生が見いだされ、また直線性も不良であった。断面形状は凸形状であった。これに触媒インキを描画し、室温乾燥後、無電解ニッケルめっきを行った。顕微鏡観察の結果、絶縁性配線の表面には不均一なめっき層が形成されるか、又はめっき層が形成されていなかった。
撥インキ剤を塗布した5インチシリコン基板上(接触角度θ=35°)に、液滴拡がり径D1=38μm、着弾ピッチ30μmとして、実施例14と同様にして絶縁性配線を形成したガラス基板を作成した。顕微鏡観察の結果、バルジの発生が見いだされ、また直線性も不良であった。断面形状は凸形状であった。これに触媒インキを描画し、室温乾燥後、無電解ニッケルめっきを行った。顕微鏡観察の結果、絶縁性配線の表面には不均一なめっき層が形成されるか、又はめっき層が形成されていなかった。
10 ナノインクジェット
11 絶縁吐出部
12 触媒吐出部
13 吐出制御部
20 基板
30 めっき部
31 シリコン基板
32 ヘッド
33 絶縁性配線
33a 絶縁性インキ
34 触媒部
34a 触媒インキ
35 触媒部(Pd0)
36 めっき層
37 Deep−UV装置
38 紫外線露光装置
40 配線基板
50 移動制御部
51a、51b 配線パターン
60 駆動部
70 描画情報
Claims (10)
- インクジェット法により配線パターンを形成する配線パターン形成方法において、前記インクジェット法により絶縁性の液滴を吐出し、断面凹溝状の絶縁性の配線を形成する絶縁配線工程と、前記絶縁配線工程で形成された断面凹溝状の溝内に導電性の配線を形成する導電配線工程とを含むことを特徴とする配線パターン形成方法。
- 請求項1に記載の配線パターン形成方法において、
前記絶縁配線工程で形成された断面凹溝状の溝内に無電解めっきの触媒となる液敵を吐出して触媒部を形成する触媒形成工程を含み、前記導電配線工程が、前記触媒形成工程で形成された触媒部の表面に、無電解めっきにより導電性の配線を形成することを特徴とする配線パターン形成方法。 - 請求項1又は2に記載の配線パターン形成方法において、
前記絶縁配線工程が、前記絶縁性の液滴を吐出する場合に、前記絶縁性の液滴と当該絶縁性の液滴が吐出される配線基板との静的接触角度を30°以下とし、前記絶縁性の液滴の吐出条件を、
D1>p1
ただし、D1は配線基板に着弾直後の液滴広がり径(μm)、p1は着弾ピッチ(μm)とし、前記絶縁性の液滴が前記配線基板に着弾した後に、常温ないし100℃にて液滴の内部剤を蒸発させることを特徴とする配線パターン形成方法。 - 請求項3に記載の配線パターン形成方法において、
前記インクジェット法が、圧電素子を用いた方式であり、
前記絶縁性の液滴の粘度が3mPa・secないし150mPa・sec、前記絶縁性の液滴が吐出されるときの温度が20℃ないし45℃、前記絶縁性の液滴の表面張力が20ないし40mN/mであることを特徴とする配線パターン形成方法。 - 請求項2に記載の配線パターン形成方法において、
前記触媒形成工程が、無電解めっきの触媒となる液敵の吐出条件を、
D2>p2
ただし、D2は絶縁層に着弾直後の液滴広がり径(μm)、p2は着弾ピッチ(μm)とすることを特徴とする配線パターン形成方法。 - 請求項2又は5に記載の配線パターン形成方法において、
前記絶縁性の配線が硬化性樹脂組成物であり、
前記触媒形成工程後に、前記絶縁性の配線に紫外線を照射、又は80℃ないし160℃にて熱処理を行うことで、前記硬化性樹脂組成物を硬化し、前記触媒部を固定化する固定化工程を含むことを特徴とする配線パターン形成方法。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の配線パターン形成方法において、
前記絶縁配線工程で吐出する絶縁性の液滴と、前記導電配線工程で導電性の配線を形成するための液滴とが、隣接配設された、又は所定の距離だけ離隔して配設されたそれぞれ異なる吐出口から吐出され、少なくとも前記絶縁配線工程を先行し、1回の描画処理で前記絶縁性の液滴の吐出、及び前記導電性の配線を形成するための液滴の吐出が、それぞれ隣接配設された、又は所定の距離だけ離隔して配設された前記異なる吐出口から順次行われることを特徴とする配線パターン形成方法。 - 請求項7に記載の配線パターン形成方法において、
前記液滴を吐出する基板の温度が30℃ないし100℃であることを特徴とする配線パターン形成方法。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の配線パターン形成方法において、
前記絶縁配線工程が、導電性の配線パターンを含む導電配線層の表面に対して行われることを特徴とする配線パターン形成方法。 - 基板上に形成され、断面凹溝状を有する絶縁性の配線の溝内に導電性の配線が形成された配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010068169A JP5467246B2 (ja) | 2010-03-24 | 2010-03-24 | 配線パターン形成方法、及び配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010068169A JP5467246B2 (ja) | 2010-03-24 | 2010-03-24 | 配線パターン形成方法、及び配線基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011204748A true JP2011204748A (ja) | 2011-10-13 |
JP5467246B2 JP5467246B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=44881137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010068169A Expired - Fee Related JP5467246B2 (ja) | 2010-03-24 | 2010-03-24 | 配線パターン形成方法、及び配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5467246B2 (ja) |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6476795A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Hitachi Ltd | Thick-film circuit board |
JPH06152104A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック回路基板の製造方法 |
JPH06157169A (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-03 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電子部品用部分グレーズ基板 |
JPH0823154A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金導体の形成方法 |
JPH11274671A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Seiko Epson Corp | 電気回路、その製造方法および電気回路製造装置 |
JP2001179168A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 塗布膜形成方法 |
JP2002303674A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Canon Inc | 放射線検出装置及びその製造方法 |
JP2004327357A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 機能性素子の製造方法およびその製造装置 |
JP2006260954A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Casio Comput Co Ltd | 配線及びそのパターニング方法並びにディスプレイ及びその製造方法 |
JP2006295116A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-10-26 | Ricoh Co Ltd | 多層配線およびその作製方法、ならびにフラットパネルディスプレイおよびその作製方法 |
JP2007194658A (ja) * | 2007-03-22 | 2007-08-02 | Seiko Epson Corp | 電子素子の実装方法、電子装置の製造方法、回路基板、電子機器 |
JP2009009833A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 薄膜形成方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、半導体素子の製造方法及び光学素子の製造方法 |
JP2009049274A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 導電性パターンシートの作製方法、及び導電性パターンシート |
WO2009072603A1 (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-11 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | パターン描画方法および装置 |
-
2010
- 2010-03-24 JP JP2010068169A patent/JP5467246B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6476795A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Hitachi Ltd | Thick-film circuit board |
JPH06152104A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック回路基板の製造方法 |
JPH06157169A (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-03 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電子部品用部分グレーズ基板 |
JPH0823154A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金導体の形成方法 |
JPH11274671A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Seiko Epson Corp | 電気回路、その製造方法および電気回路製造装置 |
JP2001179168A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 塗布膜形成方法 |
JP2002303674A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Canon Inc | 放射線検出装置及びその製造方法 |
JP2004327357A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 機能性素子の製造方法およびその製造装置 |
JP2006295116A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-10-26 | Ricoh Co Ltd | 多層配線およびその作製方法、ならびにフラットパネルディスプレイおよびその作製方法 |
JP2006260954A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Casio Comput Co Ltd | 配線及びそのパターニング方法並びにディスプレイ及びその製造方法 |
JP2007194658A (ja) * | 2007-03-22 | 2007-08-02 | Seiko Epson Corp | 電子素子の実装方法、電子装置の製造方法、回路基板、電子機器 |
JP2009009833A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 薄膜形成方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、半導体素子の製造方法及び光学素子の製造方法 |
JP2009049274A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 導電性パターンシートの作製方法、及び導電性パターンシート |
WO2009072603A1 (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-11 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | パターン描画方法および装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5467246B2 (ja) | 2014-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7682652B2 (en) | Surface treatment method, circuit lines formation method, circuit lines formation apparatus, and printed circuit board formed thereby | |
JP4911349B2 (ja) | 複合金属酸化物膜の形成方法 | |
JP2013110315A5 (ja) | ||
JP4096962B2 (ja) | 多層構造形成方法、配線基板および電子機器の製造方法 | |
US7367118B2 (en) | Method for forming metal wires by microdispensing pattern | |
JP4100385B2 (ja) | 多層構造形成方法、配線基板の製造方法、および電子機器の製造方法 | |
KR20150006055A (ko) | 촉매 농도의 최적화를 통한 저 변화를 가진 고 분해능 도전성 패턴들 | |
US8293121B2 (en) | Method for forming fine wiring | |
JP2008294391A (ja) | 表面エネルギー制御を用いたパターニング方法 | |
JP2006032535A (ja) | 層形成方法、配線基板、電気光学装置、および電子機器 | |
US8349409B2 (en) | Pattern forming method, method for forming composite-metal oxide film and method for coating two-liquid reaction curing type adhesive | |
JP3106136B2 (ja) | マイクロインジェクティングデバイスのノズルプレート装置製造方法 | |
JP5467246B2 (ja) | 配線パターン形成方法、及び配線基板 | |
CN103828495A (zh) | 基板制造方法 | |
JPH07245467A (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
JP5751438B2 (ja) | 絶縁体インク及びこれを用いた絶縁層、複合層、回路基板、半導体パッケージ | |
JPH07131135A (ja) | プリント配線基板のイニシェータパターンの形成に水性インクを用いた製造方法 | |
JP2007083227A (ja) | 層形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および多層配線基板の製造方法 | |
JP2001230527A (ja) | 導電膜パターン形成方法、及び導電膜パターン | |
JP2008034880A (ja) | 多層構造形成方法、配線基板および電子機器の製造方法 | |
CN102180026A (zh) | 导体图案的形成方法、布线基板以及液滴排出装置 | |
CN103828494A (zh) | 基板及其制造方法 | |
JP5569840B2 (ja) | 配線基板形成方法、及び配線基板 | |
KR20080098753A (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 | |
JP4316587B2 (ja) | 微細配線の形成方法及び導電性基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5467246 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |