JPH0794843A

JPH0794843A - 抵抗体付セラミック回路板の製造方法

Info

Publication number: JPH0794843A
Application number: JP23961693A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Iketani; 晋一池谷; Satoru Ogawa; 悟小川
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1993-09-27
Filing date: 1993-09-27
Publication date: 1995-04-07

Abstract

(57)【要約】【目的】抵抗体層と導体回路層の接続性能を高め、回
路形成後の後工程での信頼性を高め、高品位な抵抗体付
セラミック回路板を製造する方法を提供する。【構成】セラミック絶縁基板（１０）に抵抗体層（３
０）、導体回路層（６０）、前記抵抗体層（３０）を覆
うガラス保護層（４０）及び前記抵抗体層（３０）と前
記導体回路層（６０）間に介在する導電性の接続層（２
０）を備えた抵抗体付セラミック回路板の製造方法にお
いて、接続層（２０）上に厚みが０．２〜５μｍのニッ
ケル皮膜層（５０）を設け、次いで非酸化性雰囲気中で
熱処理を行った後、導体回路層（６０）を形成すること
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、抵抗体付セラミック回
路板の製造方法に関し、詳しくは、銅等の導体金属から
なる導体回路層と共に回路中の抵抗素子となる抵抗体層
をも備えている抵抗体付セラミック回路板の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、セラミック回路板の配線回路に抵
抗素子を組み込むには、予め、メッキ等の回路形成手段
で導体回路が形成されたセラミック回路板に、別に製造
された抵抗素子の端子をハンダ接続等で接続搭載してい
た。これに対し、近年、絶縁基板に、電気抵抗の大きな
材料からなる抵抗体ペーストを印刷等の手段で塗布した
後、この抵抗体ペーストを焼成することによって、基板
上に直接抵抗体層を形成する方法が考え出され、セラミ
ック回路板に、通常の導体回路層と同時に抵抗体層も形
成してなる抵抗体付セラミック回路板が提案されてい
る。

【０００３】このような抵抗体付セラミック回路板の製
造方法の一例を説明する。まず、セラミック絶縁基板の
表面を化学的に粗化処理した後、Ｐｄの核付けを行う。
次に、基板を無電解銅メッキ液中に浸漬し、基板表面に
銅による導体金属層を形成する。この導体金属層を、所
望の配線パターンに従ってエッチングすれば、導体回路
が形成される。さらに、抵抗体層を形成するには、抵抗
体ペーストを所定の位置に塗布した後、焼成するが、こ
の焼成時の加熱によって導体回路層の銅が酸化するとい
う問題がある。この銅の酸化を防止するためには、Ｎ₂
雰囲気中で抵抗体ペーストの焼成を行う必要があり、抵
抗体ペーストとしては、Ｎ₂焼成タイプである、例えば
ＴｉＳｉ₂系、ＬａＢ系、ＴａＮ系、ストロンチウム・
ルテネイト系等の抵抗体ペーストが使用されている。

【０００４】抵抗体ペーストには、大気中で焼成を行う
ＲｕＯ₂系の抵抗体ペーストもあり、前記Ｎ₂焼成タイ
プのものに比べ、信頼性等の性能に優れていることが知
られている。しかし、前記したように、銅の酸化を防ぐ
ためには、大気中で焼成することができないので、この
ＲｕＯ₂系の抵抗体ペーストを前記したような抵抗体付
セラミック回路板に利用することが出来なかった。

【０００５】そのため、現状では、Ｎ₂焼成タイプの抵
抗体ペーストを使用するほかないので、信頼性が低い抵
抗体しか形成できず、また、焼成が大気中でないため、
特別な雰囲気コントロールや雰囲気炉が必要になり、作
業が難しく製造コストも高くついていた。さらに、抵抗
体ペースト中の有機バインダーが炭化し易いという問題
もあった。

【０００６】そこで、絶縁基板上に抵抗体層を先に形成
した後、銅による導体金属層を形成する方法が提案さ
れ、特開昭６３−２０２９８７号公報等に開示されてい
る。この方法はセラミック絶縁基板上に、まずＲｕＯ₂
系の抵抗体ペーストを塗布し、大気中で焼成して抵抗体
層を形成した後、抵抗体部分を含む基板全面に導体層を
形成し、この導体層にパターン形成して導体回路層を構
成している。このような方法であれば、銅が酸化する心
配がないので、信頼性等の性能に優れたＲｕＯ₂系の抵
抗体ペーストを使用することができる。また、上記方法
において、抵抗体層と導体回路層の接続部分にＡｇ／Ｐ
ｄ系等の導体金属による接続層を介在させ、抵抗体層と
導体回路層の接続性を向上させることも提案されてい
る。

【０００７】しかし、上記のＲｕＯ₂系の抵抗体ペース
トを使用する方法では、セラミック基板上に形成された
抵抗体層が裸の状態で、セラミック基板を高温、高アル
カリの無電解銅メッキ浴に浸漬することになるので、抵
抗体層がメッキ浴に浸食される等の悪影響があり、抵抗
体層の信頼性が低下するという問題点があり、さらに、
抵抗体層と導体回路層の接合力が充分でないため、両者
間の接続信頼性に劣るという問題点もあった。前記した
ように、抵抗体層と導体回路層の間に接合性向上のため
の接続層を設けることも考えられるが、この場合も、抵
抗体層と導体回路層が接続層を介して物理的に接続され
ているだけなので、期待されるほど接合性は改善され
ず、接続信頼性の面での問題点が残されている。

【０００８】そこで、セラミック絶縁基板に抵抗体層を
形成し、抵抗体層を覆ってガラス保護層を形成した後、
導体回路層を形成し、次いで熱処理を施す方法が、特開
平３−１０９７９３号公報に開示されている。この方法
は、セラミック基板上に、まず、Ａｇ／Ｐｄ系等の導体
金属ペーストにより接続層を形成し、ＲｕＯ₂系等の抵
抗体ペーストから抵抗体層を形成し、次いで抵抗体層を
覆うガラス保護層を形成し、抵抗体部分を含む基板全面
に導体層を形成し、この導体層にパターン形成して導体
回路層を構成している。このような方法であれば、抵抗
体層が導体回路層の形成の際にうける化学的処理に対
し、浸食等の悪影響の心配がなく導体回路層を形成する
ことができる。また、この方法では導体回路層の形成
後、熱処理を施すことにより抵抗体層と導体回路層の接
続性が向上することも開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記した先
行技術の方法では、かなりの厚みを有する導体回路層を
形成した後に熱処理を施すため、メッキ時に皮膜中に取
り込まれるメッキ液成分により導体回路層と接続層が熱
処理中に層間剥離を引き起こしたり、耐熱試験において
導体回路層にふくれが生じやすいという問題点があっ
た。

【００１０】また、上記した先行技術の方法では導体回
路層の上に金皮膜層を設けて、基板上に半導体を搭載
し、この半導体と導体回路層とをワイヤーボンディング
した際のワイヤーボンディング特性が不十分であるとい
う問題点があった。

【００１１】そこで、本発明の第１の課題は、上記した
従来技術の問題点を解消し、抵抗体層と導体回路層の接
続性能を高め、回路形成後の後工程での信頼性を高め、
高品位な抵抗体付セラミック回路板を製造する方法を提
供することにある。

【００１２】また、本発明の第２の課題は、導体回路層
の上に金皮膜層を設けてある抵抗体付セラミック回路板
のワイヤーボンディング特性を向上させることにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１〜３記載の本発
明の抵抗体付セラミック回路板の製造方法は、セラミッ
ク絶縁基板（１０）に抵抗体層（３０）、導体回路層
（６０）、前記抵抗体層（３０）を覆うガラス保護層
（４０）及び前記抵抗体層（３０）と前記導体回路層
（６０）間に介在する導電性の接続層（２０）を備えた
抵抗体付セラミック回路板の製造方法において、接続層
（２０）上に厚みが０．２〜５μｍのニッケル皮膜層
（５０）を設け、次いで非酸化性雰囲気中で熱処理を行
った後、導体回路層（６０）を形成することを特徴とす
るものである。

【００１４】また、請求項４記載の本発明の抵抗体付セ
ラミック回路板の製造方法は、上記に加えて、導体回路
層（６０）上に金皮膜層を設けていることを特徴とす
る。

【００１５】本発明の実施例を示す添付図面を参照し
て、本発明を詳しく説明する。工程（Ａ）に示すよう
に、セラミック絶縁基板（１０）を用意する。この基板
（１０）はアルミナ基板、窒化アルミ基板、ベリリア基
板、ムライト基板等、通常の配線基板と同様の各種セラ
ミック材料からなる絶縁基板が使用される。基板（１
０）の表面を化学的もしくは物理的に粗化処理をしてお
くと、その上に導体回路層を形成したときに、この粗化
処理により基板（１０）と導体回路層との間に一種のア
ンカー効果が働くので、互いの密着力が高まり、基板
（１０）と導体回路層との密着を向上させることができ
る。粗化処理の具体例としては、２５０〜３３０℃に加
熱したリン酸中に基板（１０）を２〜２０分間浸漬する
方法があげられる。

【００１６】工程（Ｂ）に示すように基板（１０）に導
電性の接続層（２０）、抵抗体層（３０）及びガラス保
護層（４０）を形成する。接続層（２０）を形成するに
は、通常の抵抗体付セラミック回路板と同様の各種導体
ペーストを用い、導体ペーストを基板（１０）上に所定
のパターンで塗布した後、焼成することによって形成さ
れる。導体ペーストとしてはＡｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｐｄ等の材料からなる厚膜用
導体ペースト、レジネート等が使用される。

【００１７】抵抗体層（３０）を形成するには、通常の
抵抗体付セラミック回路板と同様の各種抵抗体ペースト
を用い、先に形成した接続層（２０）の一部を覆うよう
に抵抗体ペーストを塗布した後、焼成することによっ
て、接続層（２０）の端部を覆った状態に形成される。
抵抗体ペーストとしてはＲｕＯ₂系、ＬａＢ系、ＴａＮ
系等の抵抗体ペーストが使用される。なお、上記とは逆
に、先に抵抗体層（３０）を形成し、この抵抗体層（３
０）が下になるようにし、その端部を接続層（２０）で
覆うようにしてもよい。

【００１８】ガラス保護層（４０）は抵抗体層（３０）
の上を覆うようにガラスペーストを塗布、焼成すること
により形成される。ガラスペーストとしては、通常の抵
抗体付セラミック回路板に使用されるものと同様のもの
が使用されるが、焼成時の抵抗値のドリフトの点から，
抵抗体層（３０）、接続層（２０）の形成の際の焼成温
度より低い温度で焼成可能なものが好ましい。

【００１９】工程（Ｃ）に示すように、本発明では接続
層（２０）上に厚みが０．２〜５μｍのニッケル皮膜層
（５０）を設け、次いで熱処理を行う。ニッケル皮膜層
（５０）を形成するには、湿式法として無電解メッキ
法、乾式法としてスパッタ法が用いられるが、製造の効
率の点で無電解メッキ法の方が好ましい。無電解メッキ
法の具体例をあげると、工程（Ｂ）により形成された抵
抗体付基板をそのまま無電解メッキ液に浸漬するだけで
もニッケル皮膜層（５０）を形成することが可能である
が、ニッケル皮膜層（５０）の形成不良を避けるため、
接続層（２０）の活性化処理を行った後、ニッケル皮膜
層（５０）の形成を行うことが好ましい。この活性化処
理の方法としては硫酸、硝酸、塩酸等の無機酸または各
種エッチング液により導電性の接続層（２０）の表面の
酸化皮膜を除去し、かつ、表面粗度を粗くする方法、ア
ルカリ水溶液により脱脂する方法、還元性水溶液に浸漬
し接続層（２０）の表面に金属活性点を発現させる方法
があり、これらの中の一つもしくは複合する方法で行う
事ができる。なお、ニッケル皮膜層（５０）の成分とし
てはニッケル単体金属は勿論、ニッケルを主成分として
含有するニッケル合金であってもよい。

【００２０】ニッケル皮膜層（５０）の厚みに関しては
０．２〜５μｍであることが重要であり、本発明の効果
を発現させるには０．２μｍ以上必要であり、特に効果
が顕著となる１μｍ以上であることが好ましい。一方８
μｍ以下であれば、導体回路層にふくれが生じやすいと
いう従来の欠点を改善できる効果が発現するが、５μｍ
を越えて形成することは性能的には意味がないため５μ
ｍ以下とすることが製造の効率の点から望ましい。

【００２１】本発明では上記のニッケル皮膜層（５０）
は接続層（２０）の上に形成するが、接続層（２０）の
上部に形成されておればよく、接続層（２０）の上部の
みに選択的に形成させる構成はもちろん、いわゆる薄付
けメッキとして工程（Ｂ）により形成された抵抗体付基
板の全面にニッケル皮膜層（５０）を形成し、導体回路
層（６０）を形成後不要部を除去するようにしてもよ
い。

【００２２】上記のニッケル皮膜層（５０）を設けた
後、非酸化性雰囲気中で熱処理を施す。この熱処理は接
続層（２０）とニッケル皮膜層（５０）の成分が相互拡
散することを狙いとしており、熱処理の温度としては２
００〜９００℃であることが好ましい。２００℃未満で
は接続層（２０）とニッケル皮膜層（５０）の間の接続
性能を高め、回路形成後の後工程での信頼性を高めると
いう本発明の目的が達成しがたく、また、９００℃を越
えるとガラス保護層（４０）が溶融してしまうという問
題を生じる。そして、製造効率の点から３００℃以上の
温度で処理することが好ましい。また、ガラス保護層
（４０）を形成するガラスペーストの転移点以下の温度
で処理することが望ましいので、５５０℃以下の温度で
熱処理を施すことが望ましい。

【００２３】また、ニッケル皮膜層（５０）の酸化を防
止するために、非酸化性雰囲気中で熱処理を行うことが
必要であり、非酸化性雰囲気としてはガスの入手の点で
Ｎ₂雰囲気で行うようにすることが好ましい。熱処理時
間については、特に限定するものではなく熱処理温度に
よって適宜選択すればよいが、具体的には５分間〜５時
間の熱処理を行うことが好ましい。

【００２４】工程（Ｄ）に示すように、本発明ではニッ
ケル皮膜層（５０）を設け、熱処理を施した後、導体回
路層（６０）を形成する。この導体回路層（６０）の形
成方法としては、無電解メッキ法やスパッタ法により工
程（Ｃ）により形成された抵抗体付基板の全部もしくは
一部に所定の厚みの金属層を形成し、導体回路部にレジ
ストを塗布し、不要部をエッチングにより除去して導体
回路層（６０）を形成するエッチング法や、無電解メッ
キ法やスパッタ法により工程（Ｃ）により形成された抵
抗体付基板の全部もしくは一部に金属薄膜層を形成し、
非導体回路部にレジストを塗布し、導体回路部を電気メ
ッキにより形成し、レジスト剥離後、不要部をエッチン
グにより除去して導体回路（６０）を形成するセミアデ
ィティブ法、または非導体回路部にレジストを塗布し、
無電解メッキ法やスパッタ法により工程（Ｃ）により形
成された抵抗体付基板の全部もしくは一部に所定の厚み
の金属層を形成し、不要部をレジスト剥離とともに除去
して導体回路層（６０）を形成するアディティブ法等が
あげられる。また、導体回路層（６０）を形成する金属
は銅、金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、ロ
ジウム、ルテニウム等の一つ、もしくは複数からなるこ
とができる。そして、本発明では導体回路層（６０）を
形成した後、この導体回路層（６０）上に金皮膜層を形
成するようにしてもよく、金皮膜層を形成することによ
りワイヤーボンディング特性を備える抵抗体付セラミッ
ク回路板となる。

【００２５】上記工程の完了後、抵抗体層（３０）をレ
ーザー等を用いてトリミングして、所定の抵抗値に調整
し、次いで通常の回路板と同様の工程を経て、抵抗体付
セラミック回路板が完成する。

【００２６】

【作用】接続層（２０）上に厚みが０．２〜５μｍのニ
ッケル皮膜層（５０）を設け、次いで非酸化性雰囲気中
で熱処理を施すことにより、接続層（２０）とニッケル
皮膜層（５０）の成分が相互拡散するためと推定される
が、接続層（２０）とニッケル皮膜層（５０）の密着が
強固となり、抵抗体層（３０）と導体回路層（６０）の
接続信頼性が向上する。

【００２７】また、導体回路層（６０）の上に金皮膜層
を設けてある抵抗体付セラミック回路板について、導体
回路層（６０）の形成前に熱処理を施すことは、導体回
路層（６０）の形成後に熱処理を施していた従来技術で
生じていた金表面への下地金属の拡散現象を防止する作
用をするので、ワイヤーボンディング特性を改善する働
きをする。

【００２８】

【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例に基づいて
説明する。

【００２９】（実施例１）図示した工程（Ａ）〜（Ｄ）
に従って実施した。

【００３０】セラミック絶縁基板（１０）として、市販
の９６％アルミナ基板（１００×１００×０．６３５ｍ
ｍ；松下電工社製）を使用し、この基板（１０）を３０
０℃に加熱したリン酸液中に４分間浸漬し、表面の粗化
を均一に行った。次いで市販の導体ペ−スト（Ａｇ系、
ＮＰ−４４０２；ノリタケカンパニーリミテド製）をス
クリーン印刷により基板上の所定の位置に塗布し、乾燥
を行った後、８５０℃にて焼成し、導電性の接続層（２
０）を形成した。次に、市販の抵抗体ペ−スト（ＲｕＯ
₂系、Ｒ−６０００；昭栄化学社製）をスクリーン印刷
により基板上の所定の位置に塗布し、乾燥を行った後、
８５０℃にて焼成し、抵抗体層（３０）を形成した。次
いで、市販のガラスペースト（ＮＰ−７０８６Ａ；ノリ
タケカンパニーリミテド製）をスクリーン印刷により基
板上の所定の位置に塗布し、乾燥を行った後、６００℃
にて焼成し、ガラス保護層（４０）を形成した。〔工程
Ａ〜Ｂ〕

【００３１】次いで、接続層（２０）表面の活性化のた
めに上記の基板（１０）を１０重量％硫酸水溶液に３０
秒浸漬した後、イオン交換水による水洗を行った。次い
で、市販の無電解ニッケル／硼素浴（ＢＥＬ８０１；上
村工業製）により接続層（２０）の上にニッケル皮膜層
（５０）を形成した。この場合、ニッケル皮膜層（５
０）は接続層（２０）が露出している部分の上のみに選
択的に形成されていて、その膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計（フ
ィッシャースコープ１６００；フィッシャー社製）によ
り測定したところ３μｍであった。次いで、ニッケル皮
膜層（５０）と接続層（２０）の密着性を向上させるた
めに、窒素雰囲気下、４００℃で１時間の熱処理を行っ
た〔工程Ｃ〕

【００３２】メッキ核付けとして公知のセンシ−アクチ
法を用いて、基板全面にＰｄの核付け処理を行い、表１
に示す浴組成の無電解銅メッキ浴により無電解銅メッキ
を行い基板全面に給電用の銅メッキ（いわゆる薄付けメ
ッキ）を施した。得られた銅メッキの膜厚を蛍光Ｘ線膜
厚計（フィッシャースコープ１６００；フィッシャー社
製）により測定したところ１μｍであった。次いで、市
販のメッキ用ドライフィルムレジスト（リストン４６２
０；デュポンジャパンリミテド製）を基板に貼り付け、
非導体回路部が透光するマスク（いわゆるポジパターン
のマスク）を用いてレジストパターンを形成した。次い
で、表２に示す浴組成の電解銅メッキ浴により導体回路
部の厚付けメッキとして電解銅メッキを行った。得られ
た電解銅メッキの膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計（フィッシャー
スコープ１６００；フィッシャー社製）により測定した
ところ８μｍであった。その後、レジストを剥離し、過
硫酸ソーダ系のソフトエッチング液に浸漬して不要とな
った薄付けメッキを溶解除去して、所望の導体回路層
（６０）を形成し、抵抗体付セラミック回路板を得た。
〔工程Ｄ〕

【００３３】

【表１】

【００３４】

【表２】

【００３５】（実施例２）実施例１と同様の方法で、セ
ラミック絶縁基板（１０）に接続層（２０）、抵抗体層
（３０）及びガラス保護層（４０）を形成した。〔工程
Ａ〜Ｂ〕

【００３６】次いで、メッキ核付けとして公知のセンシ
−アクチ法を用いて、基板全面にＰｄの核付け処理を行
い、市販の無電解ニッケル／リン浴（ＴＭＰニッケル；
奥野製薬社製）により基板全面に無電解ニッケルメッキ
を施した。この場合のニッケルメッキは本発明の接続層
（２０）上のニッケル皮膜層（５０）を構成するもので
ある。このニッケル皮膜層（５０）の膜厚を蛍光Ｘ線膜
厚計（フィッシャースコープ１６００；フィッシャー社
製）により測定したところ２μｍであった。次いで、ニ
ッケル皮膜層（５０）と接続層（２０）の密着性を向上
させるために、ロータリーポンプで減圧を行いながら２
５０℃で３時間、さらに窒素雰囲気下、４５０℃で１時
間の熱処理を行った〔工程Ｃ〕

【００３７】次いで、１０重量％の硫酸水溶液に上記で
得られた基板を３０秒浸漬し、基板表面を活性化させ、
イオン交換水により水洗し、前記の表１に示す浴組成の
無電解銅メッキ浴により無電解銅メッキを行い基板全面
に銅メッキを施した。得られた銅メッキの膜厚〔銅皮膜
層（５０）を含む合計の膜厚〕を蛍光Ｘ線膜厚計（フィ
ッシャースコープ１６００；フィッシャー社製）により
測定したところ１０μｍであった。次いで、市販のエッ
チング用ドライフィルムレジスト（日合アルフォ３０１
Ｙ２５；日本合成化学工業社製）を基板に貼り付け、導
体回路部が透光するマスク（いわゆるネガパターンのマ
スク）を用いてレジストパターンを形成した。次いで、
塩化銅系のエッチング液により不要な銅メッキのエッチ
ングを行い、続いて硫酸−過酸化水素系のエッチング液
により不要なニッケル皮膜層（５０）のエッチングを行
い、次いでレジストを剥離して、所望の導体回路層（６
０）を形成し、抵抗体付セラミック回路板を得た。〔工
程Ｄ〕（実施例３）セラミック絶縁基板（１０）として、市販
の９６％アルミナ基板（１００×１００×０．６３５ｍ
ｍ；松下電工社製）を使用し、この基板（１０）を３０
０℃に加熱したリン酸液中に４分間浸漬し、表面の粗化
を均一に行った。次いで市販の導体ペ−スト（Ａｇ／Ｐ
ｄ系、ＮＰ−３４１０；ノリタケカンパニーリミテド
製）をスクリーン印刷により基板上の所定の位置に塗布
し、乾燥を行った後、８５０℃にて焼成し、導電性の接
続層（２０）を形成した。次に、市販の抵抗体ペ−スト
（ＲｕＯ₂系、Ｒ−６０００；昭栄化学社製）をスクリ
ーン印刷により基板上の所定の位置に塗布し、乾燥を行
った後、８５０℃にて焼成し、抵抗体層（３０）を形成
した。次いで、市販のガラスペースト（ＰＬＳ−３１５
９；日本電気硝子社製）をスクリーン印刷により基板上
の所定の位置に塗布し、乾燥を行った後、６００℃にて
焼成し、ガラス保護層（４０）を形成した。〔工程Ａ〜
Ｂ〕

【００３８】次いで、接続層（２０）表面の活性化のた
めに市販のアルカリ脱脂液（アサヒＵクリーナ；上村工
業社製）に３分間浸漬し、イオン交換水で１分間水洗し
た。次いで１０重量％塩酸水溶液に１５秒浸漬し、さら
にイオン交換水で１分間水洗した。次いで市販の無電解
ニッケル／硼素メッキ浴（ＢＥＬ８０１；上村工業社
製）により露出している接続層（２０）上にニッケル皮
膜層（５０）の形成を行った。この時のニッケル皮膜層
（５０）の膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計（フィッシャースコー
プ１６００；フィッシャー社製）により測定したところ
１μｍであった。次いで、ニッケル皮膜層（５０）と接
続層（２０）の密着性を向上させるために、窒素雰囲気
下、４００℃で１時間の熱処理を行った〔工程Ｃ〕

【００３９】次いで、メッキ核付けとして公知のセンシ
−アクチ法を用いて、基板全面にＰｄの核付け処理を行
い、前記の表１に示す浴組成の無電解銅メッキ浴により
無電解銅メッキを行い基板全面に給電用の銅メッキ（い
わゆる薄付けメッキ）を施した。この銅メッキ（薄付け
メッキ）の膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計（フィッシャースコー
プ１６００；フィッシャー社製）により測定したところ
１μｍであった。次いで、市販のメッキ用ドライフィル
ムレジスト（リストン４６２０；デュポンジャパンリミ
テド製）を基板に貼り付け、非導体回路部が透光するマ
スク（いわゆるポジパターンのマスク）を用いてレジス
トパターンを形成した。次いで、表３に示す浴組成の電
解ニッケルメッキ浴により導体回路部の厚付けメッキと
して電解ニッケルメッキを行った。得られたニッケル皮
膜の膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計（フィッシャースコープ１６
００；フィッシャー社製）により測定したところ３μｍ
であった。その後、市販の一次電気金メッキ浴（オーロ
ボンドＴＮ；ＥＥＪＡ製）、及び二次電気金メッキ浴
（テンペレックス４０１；ＥＥＪＡ製）により金メッキ
を行い金皮膜層を形成した。得られた金皮膜層の膜厚を
蛍光Ｘ線膜厚計（フィッシャースコープ１６００；フィ
ッシャー社製）により測定したところ２μｍであった。
次いで、レジストを剥離し、過硫酸ソーダ系のソフトエ
ッチング液に浸漬して不要となった薄付けメッキを溶解
除去して、所望の導体回路層（６０）を形成し、抵抗体
付セラミック回路板を得た。〔工程Ｄ〕

【００４０】

【表３】

【００４１】（実施例４）セラミック絶縁基板（１０）
として、市販の９６％アルミナ基板（１００×１００×
０．６３５ｍｍ；松下電工社製）を使用し、この基板
（１０）を３００℃に加熱したリン酸液中に４分間浸漬
し、表面の粗化を均一に行った。次いで市販のレジネー
ト（Ａｕ／Ｐｔ／Ｐｄ系、Ｄ−７１２；ノリタケカンパ
ニーリミテド製）をスクリーン印刷により基板上の所定
の位置に塗布し、乾燥を行った後、８５０℃にて焼成
し、導電性の接続層（２０）を形成した。次に、市販の
抵抗体ペ−スト（ＲｕＯ₂系、Ｒ−６０００；昭栄化学
社製）をスクリーン印刷により基板上の所定の位置に塗
布し、乾燥を行った後、８５０℃にて焼成し、抵抗体層
（３０）を形成した。次いで、市販のガラスペースト
（ＰＬＳ−３１５９；日本電気硝子社製）をスクリーン
印刷により基板上の所定の位置に塗布し、乾燥を行った
後、６００℃にて焼成し、ガラス保護層（４０）を形成
した。〔工程Ａ〜Ｂ〕

【００４２】次いで、接続層（２０）表面の活性化のた
めに１０重量％硫酸水溶液に３０秒浸漬後、、イオン交
換水で水洗した。次いで市販の無電解ニッケル／硼素メ
ッキ浴（ＢＥＬ８０１；上村工業社製）により露出して
いる接続層（２０）上にニッケル皮膜層（５０）の形成
を行った。この時のニッケル皮膜層（５０）の膜厚を蛍
光Ｘ線膜厚計（フィッシャースコープ１６００；フィッ
シャー社製）により測定したところ２μｍであった。次
いで、ニッケル皮膜層（５０）と接続層（２０）の密着
性を向上させるために、窒素雰囲気下、４００℃で１時
間の熱処理を行った〔工程Ｃ〕

【００４３】次いで、メッキ核付けとして公知のセンシ
−アクチ法を用いて、基板全面にＰｄの核付け処理を行
い、前記の表１に示す浴組成の無電解銅メッキ浴により
無電解銅メッキを行い基板全面に給電用の銅メッキ（い
わゆる薄付けメッキ）を施した。この銅メッキ（薄付け
メッキ）の膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計（フィッシャースコー
プ１６００；フィッシャー社製）により測定したところ
１μｍであった。次いで、市販のメッキ用ドライフィル
ムレジスト（リストン４６２０；デュポンジャパンリミ
テド製）を基板に貼り付け、非導体回路部が透光するマ
スク（いわゆるポジパターンのマスク）を用いてレジス
トパターンを形成した。次いで、市販の一次電気パラジ
ウムメッキ浴（パラディックスストライクII；ＥＥＪＡ
製）及び二次電気パラジウムメッキ浴（パラディックス
１１０；ＥＥＪＡ製）により導体回路部の厚付けメッキ
として電解パラジウムメッキを行った。得られたパラジ
ウム皮膜の膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計（フィッシャースコー
プ１６００；フィッシャー社製）により測定したところ
３μｍであった。その後、市販の一次電気金メッキ浴
（オーロボンドＴＮ；ＥＥＪＡ製）、及び二次電気金メ
ッキ浴（テンペレックス４０１；ＥＥＪＡ製）により金
メッキを行い金皮膜層を形成した。得られた金皮膜層の
膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計（フィッシャースコープ１６０
０；フィッシャー社製）により測定したところ２μｍで
あった。次いで、レジストを剥離し、過硫酸ソーダ系の
ソフトエッチング液に浸漬して不要となった薄付けメッ
キを溶解除去して、所望の導体回路層（６０）を形成
し、抵抗体付セラミック回路板を得た。〔工程Ｄ〕（実施例５）実施例４と同様の方法で、セラミック絶縁
基板（１０）に接続層（２０）、抵抗体層（３０）及び
ガラス保護層（４０）を形成した。次いで、実施例４と
同様の方法でニッケル皮膜層（５０）の形成と熱処理を
行った。〔工程Ａ〜Ｃ〕

【００４４】次いで、メッキ核付けとして公知のセンシ
−アクチ法を用いて、基板全面にＰｄの核付け処理を行
い、市販の無電解ニッケル／リンメッキ浴（ＴＭＰニッ
ケル；奥野製薬社製）により基板全面に無電解ニッケル
メッキによる給電用のメッキ（いわゆる薄付けメッキ）
を施した。このニッケルメッキ（薄付けメッキ）の膜厚
を蛍光Ｘ線膜厚計（フィッシャースコープ１６００；フ
ィッシャー社製）により測定したところ１μｍであっ
た。次いで、市販のメッキ用ドライフィルムレジスト
（リストン４６２０；デュポンジャパンリミテド製）を
基板に貼り付け、非導体回路部が透光するマスク（いわ
ゆるポジパターンのマスク）を用いてレジストパターン
を形成した。次いで、市販の一次電気パラジウムメッキ
浴（パラディックスストライクII；ＥＥＪＡ製）及び二
次電気パラジウムメッキ浴（パラディックス１１０；Ｅ
ＥＪＡ製）により導体回路部の厚付けメッキとして電解
パラジウムメッキを行った。得られたパラジウム皮膜の
膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計（フィッシャースコープ１６０
０；フィッシャー社製）により測定したところ２μｍで
あった。その後、市販の一次電気金メッキ浴（オーロボ
ンドＴＮ；ＥＥＪＡ製）、及び二次電気金メッキ浴（テ
ンペレックス４０１；ＥＥＪＡ製）により金メッキを行
い金皮膜層を形成した。得られた金皮膜層の膜厚を蛍光
Ｘ線膜厚計（フィッシャースコープ１６００；フィッシ
ャー社製）により測定したところ１μｍであった。次い
で、レジストを剥離し、過酸化水素／硫酸系のニッケル
エッチング液に浸漬して不要となった薄付けメッキを溶
解除去して、所望の導体回路層（６０）を形成し、抵抗
体付セラミック回路板を得た。〔工程Ｄ〕

【００４５】（比較例１〜５）比較例１〜５について
は、接続層（２０）上に銅皮膜層（５０）を設けた後の
非酸化性雰囲気中での熱処理を行わなかった以外は、そ
れぞれ実施例１〜５と同様の方法で抵抗体付セラミック
回路板を得た。

【００４６】（比較例６）比較例３の方法（熱処理を行
わないこと以外は実施例３と同様の方法）と同様にして
得られた抵抗体付セラミック回路板を、さらに、窒素雰
囲気下、４００℃で１時間の熱処理を行い評価のための
抵抗体付セラミック回路板を得た。

【００４７】上記で得られた実施例１〜５及び比較例１
〜６で得られた抵抗体付セラミック回路板について４３
０℃、１０分間の耐熱試験を行ったところ、実施例１〜
５については、ふくれ不良がなかったが、比較例１〜６
については、ふくれ不良が生じた。また、比較例６につ
いては、抵抗体付セラミック回路板の作製直後において
もふくれ不良が生じていた。

【００４８】また、表面に金皮膜層が形成されていて、
４００℃で１時間の熱処理がされている実施例３と比較
例６について、上記の４３０℃、１０分間の耐熱試験後
のワイヤーボンディング特性について評価したところ、
実施例３については問題がなかったが、比較例６につい
ては、二次側ボンディング界面でのはがれ、いわゆるＥ
とれ不良が発生した。このことは、４００℃で１時間の
熱処理を行う時期の差によりワイヤーボンディング特性
に差が生じていることを示している。

【００４９】

【発明の効果】この発明に係る抵抗体付セラミック回路
板の製造方法は、上述のとおり構成されているので、次
に記載する効果を奏する。

【００５０】請求項１〜３の製法によれば、耐熱性の優
れた抵抗体付セラミック回路板が得られ、従って抵抗体
層と導体回路層の接続性能が高まり、回路形成後の後工
程での信頼性が高い抵抗体付セラミック回路板を製造す
ることができる。

【００５１】請求項４の製法によれば、上記の請求項１
〜３の製法の効果に加え、ワイヤーボンディング特性が
優れる抵抗体付セラミック回路板を製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例を工程順に示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１０基板２０接続層３０抵抗体層４０保護層５０ニッケル皮膜層６０導体回路層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック絶縁基板（１０）に抵抗体層
（３０）、導体回路層（６０）、前記抵抗体層（３０）
を覆うガラス保護層（４０）及び前記抵抗体層（３０）
と前記導体回路層（６０）間に介在する導電性の接続層
（２０）を備えた抵抗体付セラミック回路板の製造方法
において、接続層（２０）上に厚みが０．２〜５μｍの
ニッケル皮膜層（５０）を設け、次いで非酸化性雰囲気
中で熱処理を行った後、導体回路層（６０）を形成する
ことを特徴とする抵抗体付セラミック回路板の製造方
法。
【請求項２】熱処理の温度が２００〜５５０℃である
請求項１記載の抵抗体付セラミック回路板の製造方法。
【請求項３】前記非酸化性雰囲気がＮ₂雰囲気である
請求項１または２記載の抵抗体付セラミック回路板の製
造方法。
【請求項４】導体回路層（６０）上に金皮膜層を設け
ることを特徴とする請求項１、２または３記載の抵抗体
付セラミック回路板の製造方法。