JP2001068830A

JP2001068830A - 回路基板

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Publication number: JP2001068830A
Application number: JP24404899A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Sakanoue; 聡浩坂ノ上
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-08-30
Filing date: 1999-08-30
Publication date: 2001-03-16

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、基体の反り変形を抑制し、半田の濡
れが良好で、基体と表面導体層との接着強度が、初期状
態及び半田付け後を行った後でも強固に維持できる回路
基板を提供する。【解決手段】低温焼成可能な誘電体材料からなる基体１
上に形成する表面導体と一体的に焼成してなる回路基板
１０である。そして、表面導体２の電子部品搭載位置２
０には、金属成分と軟化点が７５０℃以上のガラス成分
とを含有させた金属下地導体層２ａと、金属下地導体層
２ａと同じ金属成分を含有した金属表面導体層２ｂの２
層構造で形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体材料から成
る単層または多層構造の回路基板に関し、回路基板の基
体表面に表面導体を、その基体と同時焼成してなる回路
基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話等に用いられる部品の高
周波化、小型化に伴い、内部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ等で内
部導体配線を形成し、かつ、誘電体材料を８００〜１０
００℃の低温で焼成できるようにした回路基板が提案さ
れている（例えば特開平２−２３０６０５等）このような回路基板の一般的な構造を図に示す。図に
おいて、回路基板１００Ａは誘電体層１００ａ〜１００
ｄから成る基体１００と、基体１００の表面に表面導体
２００と、基体１００の内部に内部配線層３００とから
成り、各内部導体３００はビアホール４００を介して表
面導体２００に接続されている。このように形成された
基体１００、表面導体２００、内部配線層３００を同時
に９００℃で焼成させることで一体的に焼結して回路基
板１００Ａが形成される。なお、回路基板１００Ａの表
面導体２００上の電子部品搭載位置５００ｘには電子部
品５００が半田を介して接続されている。

【０００３】この表面導体２００及び内部導体３００に
用いられる材料としては、Ａｇ又はＣｕ等の導体以外に
ガラス成分が含有させており、このガラス成分によって
回路基板１００Ａを焼成せる際に導体の焼結開始温度を
遅らせて誘電体材料の焼結温度に近づけることで一体焼
成化が可能になっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように基体１００、表面導体２００、内部導体３００を
一体的に焼成することにより以下のような問題が発生す
る。即ち、回路基板１００Ａを一体的に焼結する過程
で、表面導体２００に含有しているガラス成分は基体１
００を構成する誘電体材料の焼結温度よりも低いため、
基体１００側に流動する。これにより表面導体２００の
表面にガラス成分が少なくなり半田の濡れ性が向上する
とともに、基体１００と表面導体２００の接着強度が強
くすることは一般的に知られている。

【０００５】しかしながら、このガラス成分が、未焼結
の基体１００に浸透、拡散する割合が多くなると、焼結
後の基体１００と表面導体２００との接着強度が低下し
てしまい、実用上においては表面導体２００表面に電子
部品５００を搭載すると基体１００から剥離して電子部
品５００が脱落しやすくなってしてしまうという問題点
があった。

【０００６】また、表面導体２００中のガラスを多く入
れて接着強度を向上させようとするとガラスが導体中に
多く残存する為に表面導体２００の半田濡れ性阻害を招
いてしまい、さらに、表面導体２００が基体１００側に
浸透、拡散したことにより表面導体２００の金属成分と
基体１００との収縮挙動が一致せず、これにより基体１
００の反りや変形が発生したりする問題点もあった。

【０００７】更には、浸透したガラス成分により基体１
００の電気的特性や熱的・機械的特性の変動で、所定の
回路特性がでなかったり、実装面で不具合が発生すると
いう問題もあった。

【０００８】かかる問題点を解決するために、上述の表
面導体２００中の金属成分に高軟化点のガラス成分を添
加することで焼成中の基体１００側にガラス成分が浸透
しないようにすることが考えられるが、このガラス成分
の流動が充分でないため、焼結後にガラス成分自身が金
属成分中に残存してしまい、表面導体層の表面に浮き出
て半田などを介して電子部品を接合することができなく
なり、表面導体２００の表面にメッキ処理をする場合に
おいても、安定してメッキが被着されないという問題点
を有していた。

【０００９】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、８００〜１０００℃の低温で焼成可能な誘
電体材料からなる基体１００表面に、基体１００と一体
的に焼成して成る表面導体２００を形成した回路基板１
００Ａにおいて、基体１００の反り変形を抑制し、電子
部品５００を半田付けする際に安定した半田の濡れを維
持しつつ、電子部品５００を回路基板１００Ａに半田付
けを行った後でも、基体１００と電子部品５００との接
着強度の低下を抑制できる回路基板を提供することを目
的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明の回路基板は、誘電体材料を焼成して形成さ
れる基体表面に、該基体と同時焼成によって形成される
表面導体を被着させて成る回路基板において、前記表面
導体を少なくとも２層構造とし、基体側の層を金属成分
と軟化点が７５０℃以上のガラス成分とから成る金属下
地導体層で、表面側の層を前記金属下地導体層と同じ金
属成分から成る金属表面導体層で形成したことを特徴と
する。

【００１１】本発明によれば、基体と一体的に焼成する
表面導体のうち、電子部品が搭載される表面導体に軟化
点が７５０℃以上のガラス成分を含む金属下地導体層で
構成されているため、焼成過程中に金属下地導体層にお
けるガラス流動性を抑制させることができ、これにより
ガラス成分が基板側に浸透、拡散することを防止させる
ことができる。その結果、基体と金属下地導体層との間
にアンカー効果が働き、基体と表面導体との接着強度が
向上でき、基体の反り変形を抑制できるとともに、基板
の特性を変化させることも防止できる。

【００１２】また、金属表面導体層を金属下地導体層と
同じ金属成分で形成するとともに、金属下地導体層にガ
ラス成分を添加したために、金属表面導体層の金属含有
率を高くすることができ、表面導体の表面側にガラス成
分が存在するのを抑えることができ充分な半田濡れ性が
確保することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の回路基板を図面に
基づいて説明する。図１は、本発明の回路基板１０の断
面図である。なお、本発明では、例えば誘電体層が多層
に積層された多層回路基板で説明する。

【００１４】図において、回路基板１０は誘電体層１ａ
〜１ｄが積層された基体１と、基体１の表面には表面導
体２と内部導体３を貫いて接続されたビアホール導体４
で構成されており、表面導体２上の電子部品搭載位置２
０で電子部品５が半田６を介して搭載されている。この
表面導体２は、ビアホール導体４を介して内部配線３と
電気的に接続し所定回路網を構成するとともに、各種電
極部品５が接合される電極部、外部回路と接続する接続
端子などになる。

【００１５】基体１を構成する誘電体磁器層１ａ〜１ｄ
は、誘電体セラミック材料と低温焼成化を可能とする酸
化物や低融点ガラス材料とから構成されている。具体的
には、誘電体セラミック材料とは、例えば、ＢａＯ−Ｔ
ｉＯ₂系、ＣａＯ−ＴｉＯ₂系、ＭｇＯ−ＴｉＯ₂系等
が例示でき、低温焼成化するための酸化物としては、Ｂ
ｉＶＯ₄、ＣｕＯ、Ｌｉ₂Ｏ、Ｂ₂Ｏ₃などが例示でき
る。また誘電体磁器層１ａ〜１ｄは、１層あたり５０〜
３００μｍ程度の厚みを有している。さらに、誘電体磁
器層１ａ〜１ｄの層間には、所定回路網を構成する内部
導体３が形成されている。なお、内部配線３、ビアホー
ル導体４は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕなどを主成分とす
る導体材料により構成されている。

【００１６】表面導体２は未焼成状態の基体１表面に被
着され、基体１と一体的に焼成されて構成されている。
また、表面導体２の電子部品搭載位置２０には、基体１
の表面に形成した金属下地導体層２ａと、金属下地導体
層２ａ表面に形成した金属表面導体２ｂの２層構造にな
っており、また、電子部品搭載位置２０以外は金属表面
導体２ｂの１層構造となっている。なお、電子部品搭載
位置２０の表面導体２を２層構造で形成したが、これに
限定されることはない。

【００１７】この金属下地導体層２ａは、金属成分とガ
ラス成分とが主成分として形成されており、この金属成
分としてはＡｇ、Ｃｕ（Ａｇ単体またはＡｇ−Ｐｄ、Ａ
ｇ−ＰｔなどのＡｇ合金、Ｃｕ単体またはＣｕ合金）な
どを主成分とした導体が用いられ、また、ガラス成分と
してはＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃系、Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−
Ｂ₂Ｏ₃系、Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−アルカ
リ土類金属酸化物系、これらのガラス系に少なくとも１
種類以上の少量の金属酸化物成分を含んだ系等が用いら
れる。

【００１８】添加するガラス成分としては軟化点が７５
０℃未満ならば基体１にガラス成分が浸透、拡散して焼
結後の基体１と表面導体２との接着強度が低下してしま
い、表面導体２の表面に電子部品５を搭載すると基体１
から剥離して電子部品５が脱落しやすくなってしてしま
う。しかも、基体１にガラス成分が浸透、拡散する事で
基体１の電気的特性、熱・機械的特性が変化し、所望の
回路特性が変化してしまうという不具合もある。一方、
ガラス成分の軟化点が高すぎると、表面導体２の燒結を
抑制しすぎて反りが発生してしまうという不具合もあ
る。従って、添加するガラス成分の軟化点としては７５
０℃以上、好ましくは８００℃〜９００℃とする方が良
い。

【００１９】添加されるガラス成分の添加量としては、
金属下地導体層２ａの全体成分１００ｗｔ％に対して５
ｗｔ％以下の添加ならば基体１と表面導体２との接着強
度が得られず電子部品５が回路基板１０から剥離しやす
くなる。また、添加するガラス成分が５０ｗｔ％以上を
超えると表面導体２の表面側にガラス成分が析出して電
子部品５との半田の濡れが悪くなるばかりか、金属表面
導体層２ｂと金属下地導体層２ａとの間の金属成分間の
結合力が低下してしまい、メタライズ強度として金属表
面導体層２ｂと金属下地導体層２ａ間の強度劣化による
電子部品５の搭載後に、電子部品５が基体１から剥離す
るという不具合が生じるものである。従って、金属下地
導体層２ａの全体成分１００ｗｔ％に対して５〜５０ｗ
ｔ％の範囲に添加すると良い。

【００２０】金属表面導体層２ｂは図１に示すように電
子部品搭載位置２０においては金属下地導体層２ａ表面
に積層されており、電子部品搭載位置２０以外の位置で
は基体１に直接積層されている。なお、電子部品搭載位
置２０以外の位置では表面導体２では、配線、ストリッ
プライン、インダクタ導体として用いられる。また、金
属表面導体層２ｂの金属成分含有率は金属下地導体層２
ａの金属成分含有率よりも多く含有させている。

【００２１】金属表面導体層２ｂの材質としては金属下
地導体層２ａと同じ金属成分、例えば、Ａｇ、Ｃｕ（Ａ
ｇ単体またはＡｇ−Ｐｄ、Ａｇ−ＰｔなどのＡｇ合金、
Ｃｕ単体またはＣｕ合金）などを主成分とした導体が用
いられ、必要に応じてガラス成分などを含有させても良
い。

【００２２】このガラス成分を添加するのは電子部品搭
載位置２０以外の表面導体２で基体１の接着強度を向上
させるためであり、全体のガラス成分を０〜５ｗｔ％の
範囲で添加すると良い。仮に、ガラス成分が５ｗｔ％を
越えて添加すると、ガラス成分が表面導体２や金属表面
導体２ｂ上に析出されてしまい半田６の濡れ性が大きく
低下してしまう。また、必要に応じて酸化物材料を添加
すると良い。酸化物材料としてはＣｕ₂Ｏ、Ｖ₂Ｏ₅、
Ｂｉ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅が例示でき、この酸
化物材料を添加することによって、金属表面導体層２ｂ
と基体１との接合強度を補うことができる。但し、酸化
物材料を添加する量としては、５ｗｔ％未満、好ましく
は３ｗｔ％未満が良い。

【００２３】以上により、基体１と表面導体２とを一体
的に焼成して形成するにあたり、電子部品搭載位置２０
には、金属下地導体層２ａが配置されているため、この
部分に電子部品５を接合しても、高軟化点ガラス成分の
流動が抑制させることができ、表面導体２へのアンカー
が形成され、これにより、基体１に用いられる誘電体材
料との馴染みが良好となり焼成過程で表面導体２と基体
１との界面で強固に接着することができる。

【００２４】しかも、焼成過程で表面導体２の金属下地
導体層２ａにガラス成分を添加することで焼結するのが
抑制され、表面導体２に添加するガラス成分が基体１側
に浸透、拡散することが抑えられ、表面導体２の金属成
分と基体１との収縮挙動が一致して基板１の反り変形を
有効に抑えることができる。

【００２５】金属下地導体層２ａ側からガラス成分が、
基体１側への拡散・浸入するのを抑制することで、基体
１の電気特性、例えば比誘電率εr やＱ値、共振周波数
特性などが大きく変動することがない。このため、表面
導体２を基板１との関係により動作するストリップライ
ンなどとして使用しても、非常に安定した特性が維持で
きることになる。

【００２６】また、金属表面導体層２ｂ及び電子部品搭
載位置２０以外の表面導体２が主に金属成分で構成さ
れ、かつ、金属表面導体層２ｂや電子部品搭載位置２０
以外の表面導体２の金属成分含有率が、金属下地導体層
２ａの金属粉成分含有率より多く含有することで、表面
導体２の表面にガラスなどが浮いたり、析出することが
なく半田濡れを確保することができ、半田濡れ性が向上
できるとともに、接着強度を高くすることができる。従
って、表層導体２は高周波電流に対する表皮効果が得ら
れることになり、共振周波数特性等の良好な特性を維持
できる他、必要に応じて表面メッキ処理も簡単に行え
る。

【００２７】なお、上述の実施の形態では基体１が複数
の誘電体層１ａ〜１ｄで積層された例で説明したが、単
体の誘電体層であっても構わない。表面導体２の電子部
品搭載位置２０の領域のみが金属下地導対層２ａと金属
表面導体層２ｂの２層構造で説明したが、表面導体２の
全体を金属下地導対層２ａと金属表面導体層２ｂの２層
構造にしても構わない。

【００２８】次に上述の回路基板１０の製造方法を説明
する。まず、誘電体層１ａ〜１ｄとなるグリーンシート
を作成する。例えば、グリーンシートは、誘電体セラミ
ック粉末の無機物フィラーと、低温焼成化のための酸化
物粉末と、低融点ガラス粉末と、アルキルメタクリレー
ト等の有機バインダーと、ＤＢＰ等の可塑剤と、トルエ
ン等の有機溶剤とを混合し、ボールミルで４８時間混練
してスラリーを作成する。

【００２９】ここで、セラミック粉末とは、平均粒径が
０．５〜５．０μｍのＢａＯ−ＴｉＯ₂系、ＣａＯ−Ｔ
ｉＯ₂系、ＭｇＯ−ＴｉＯ₂系等の粉末が例示でき、酸
化物粉末とは、ＢｉＶＯ₄、ＣｕＯ、Ｌｉ₂Ｏ、Ｂ₂Ｏ
₃等が例示できる。このスラリーをドクターブレード法
や引き上げ法を用いて、例えば１００μｍの厚さにテー
プ成型し、さらに所定寸法に切断してグリーンシートを
作成する。

【００３０】次に、このグリーンシートにビアホール導
体４となる貫通孔を形成し、この貫通孔に導体を充填す
る。また、内部導体３となる導体膜を導電性ペーストの
印刷充填により形成する。

【００３１】ここで、内部導体３及びビアホール導体４
を形成する導電性ペーストは、例えば、所定量のＡｇ粉
末等の金属粉末と、必要に応じて例えば所定量のホウケ
イ酸系低融点ガラスと、エチルセルロース等の有機バイ
ンダーと、２．２．４−トリメチル−１．３−ペンタジ
オールモノイソブチレート等の有機溶剤を混合し、３本
ロールミルで混練して作成する。次に、最外層の誘電
体層１ａ、１ｄとなるグリーンシートにビアホール導体
４となる貫通孔を形成し、この貫通孔に導体を充填させ
る。また、金属下地導体層２ａ、表面導体２及び金属表
面導体２ｂとなる導体膜を導電性ペーストの印刷充填に
より形成する。

【００３２】ここで、金属下地導体層２ａを形成する導
電性ペーストは、例えば、金属成分中９９ｗｔ％以上の
Ａｇ粉末と、１ｗｔ％以下のＰｔ粉末と、固形成分１０
０ｗｔ％に対して５〜５０ｗｔ％の軟化点７５０℃以上
のガラス材料粉末、必要に応じて例えば所定量のホウケ
イ酸系低融点ガラスや酸化物と、エチルセルロース等の
有機バインダーと、２．２．４−トリメチル−１．３−
ペンタジオールモノイソブチレート等の有機溶剤を混合
し、３本ロールミルで混練して作成する。

【００３３】表面導体２及び金属表面導体層２ｂを形成
する導電性ペーストは、例えば金属成分中、９９ｗｔ％
以上のＡｇ粉末と、１ｗｔ％以下のＰｔ粉末と、固形成
分１００ｗｔ％に対して最大５ｗｔ％の半田濡れを阻害
しない程度のガラスや酸化物粉末と有機ビヒクルを混合
し、３本ロールで混練して作成する。

【００３４】尚、各導電性ペーストにおいで、金属成分
はＡｇ−Ｐｔだけではなく、Ａｇ−Ｐｄ等のＡｇ合金や
Ａｕ、Ｃｕやその合金を用いても構わない。

【００３５】このように内部導体３、ビアホール導体
４、表面導体２、金属下地導体層２ａ、金属表面導体２
ｂが形成されたグリーンシートを、基体１の積層順序に
応じて、積層して、未焼成状態の基体１を形成する。

【００３６】その後、未焼成状態の基体１を一体的に８
００〜１０００℃の比較的低温で焼成する。この焼成に
おける脱バインダ過程は概ね６００℃以下の温度領域で
あり、誘電体層１ａ〜１ｄ及びビアホール導体４となる
導体や内部導体３、各種表面導体２等に含まれている有
機バインダを焼失する過程である。なお、焼成条件は、
例えば、ピーク温度８００〜１０００℃、例えば９５０
℃−３０分の大気雰囲気、または、中性雰囲気中で行わ
れる。

【００３７】その後、焼成された基体１に、必要に応じ
て、表面導体２に接続するように厚膜抵抗層を焼き付け
たり、また、絶縁保護層を被覆したりして、最後に、各
種電子部品５を半田６により接合する。

【００３８】具体的には、電子部品５が搭載される電子
部品搭載位置２０にクリーム状半田６を塗布し、各種電
子部品５を載置し、この状態で２３０℃前後の熱処理を
行うリフロー炉に投入して、クリーム状の半田を溶融し
て、徐冷・硬化して半田６接合を行う。これにより、図
１に示す回路基板１０が完成する。

【００３９】尚、上述の製造方法は、グリーンシートを
利用した多層方法であるが、誘電体磁器層となるスラリ
ーや内部導体３、金属下地導体層２ａ、表面導体２及び
金属表面導体２ｂを順次印刷した印刷多層を行ってもよ
い。この時、スラリーに光硬化可能なモノマーを添加し
ておき、グリーンシート、または、塗布印刷した誘電体
塗布膜を選択的な露光・現像処理しても構わない。

【００４０】また、未焼成状態の基体１を複数の基板１
が抽出できるような形状としておき、焼成前に必要に応
じて分割溝を形成し、焼成後個々の回路基板１０に分割
しても構わない。

【００４１】

【実施例】金属下地導体層２ａ、金属表面導体層２ｂの
各添加する材料を変化させることによって半田濡れ性、
基体１の反り、基体１と金属下地導体層２ａとの接着強
度（初期状態、熱エージング後）を調べた。なお、試料
の基体として８５０℃〜１０００℃で焼成可能なＢa Ｏ
−ＴｉＯ₂系誘電体材料粉末と重量比でアクリル樹脂１
０％、トルエン４０％、ＤＢＰ１０％をボールミルで混
練し、ドクターブレードで膜厚２００μｍのグリーンシ
ートを作成した。

【００４２】また、金属下地導体層２ａ、金属表面導体
層２ｂに添加するガラス成分を以下の表１に示すような
試料により作製した。

【００４３】

【表１】

【００４４】次に、３μｍのＡｇ粉末、０．５μｍのＰ
ｔ粉末、０．５μｍのＰｄ粉末、１μｍのＣｕ粉末と、
表１に示すガラス成分を表２，３に示すように秤量し、
エチルセルロースとペンタンジオールモノイソブチレー
トを適量加え、３本ロールミルで混練し、金属表面導体
２ｂ用の導体性ペースト及び金属下地導体層２ａ用の導
体性ペーストを作成した。なお、表におけるガラス材料
とは、その平均粒径が０．５〜５．０μｍである。

【００４５】次いで、グリーンシート上に導電性ペース
トをスクリーン印刷法で印刷し、５枚重ね合わせて加熱
圧着した後、９５０℃で焼成した。焼成した基体にロジ
ン系フラックス溶液に浸漬した後、２３０℃の２％Ａｇ
入りＳｎ−Ｐｂ共晶半田浴中に漬け、半田濡れ性を評価
した。半田濡れ性の評価として、金属表面導体膜２ｂの
表面積中９０％以上の濡れが有る場合を「〇」とし、そ
れ以下を「△」とした。

【００４６】また、接着強度は、一辺が２ｍｍ角のパッ
ドの上に０．６ｍｍφの錫メッキ銅線を半田付けし、ピ
ール法で、初期、１５０℃に５００時間放置した（熱エ
ージング）後に測定した。特に、熱エージング後の強度
が１．０ｋｇｆ／２ｍｍ□以上を「〇」とし、それ以下
を「△」とした。

【００４７】さらに、焼成後の寸法で５ｍｍ□の表面導
体層を形成し、反りの状況を測定した。基板１の反り
は、基板１の厚み方向が±０．１ｍｍ以内を「〇」と
し、それ以外を「△」とした。

【００４８】

【表２】

【００４９】

【表３】

【００５０】表２、３において、実施例１〜２８の場合
は、いずれも半田濡れ性が良好で、接着強度も初期、５
００時間後も１．０ｋｇｆ／２ｍｍ□以上で、また、基
板１の反りもなかった。

【００５１】これに対して比較例１、２のように金属下
地導体層２ａに添加するガラス成分が５ｗｔ％未満の添
加では、基体１と金属下地導体層２ａとの焼結挙動が近
似されず、その結果、基板１の反りが０．１ｍｍ以上も
発生してしまう。また、ガラス成分が少なすぎて、基体
１と金属下地導体層２ａとの界面におけるアンカー効果
が得ることができず、特に、熱エージング後において接
着信頼性が大きく低下してしまう。

【００５２】また、比較例１５、１６のように、金属下
地導体層２ａに添加するガラス成分が５０ｗｔ％を越え
ると導体金属間の結合が少なくなり、金属下地導体層２
ａと金属表面導体２ｂとの間で金属成分どうしの結合を
妨げ、熱エージング後における接着強度が劣化して、金
属表面導体層２ｂと金属下地導体層２ａ間で、剥離が発
生する。

【００５３】さらに、金属下地導体層２ａのガラス含有
率が５〜５０ｗｔ％であっても比較例３〜１４に示すよ
うに金属下地導体層２ａに添加するガラスの軟化点が７
５０未満なら基体１にガラス成分が拡散して半田濡れが
悪くなり、部品搭載が不可能となる。

【００５４】また、金属下地導体層２ａと表面導体２を
同時に焼成させるために、金属表面導体層２ｂに添加す
るガラス成分が５ｗｔ％以下ならば半田濡れ、基板１の
反り、接着強度のいずれも良好な結果が得られるのに対
して、表面導体２の基体１に対する強度を上げるために
金属表面導体層２ｂに添加するガラス成分の量を５ｗｔ
％以上とすると半田濡れ性が悪くなることがわかる。

【００５５】さらに、金属表面導体層２ｂの金属成分含
有率よりも金属下地導体層２ａの金属成分含有率を高く
した実施例１〜２８は半田濡れ、基板１の反り、接着強
度のいずれも良好な結果が得られたのに対し、比較例１
８に示すように金属表面導体層２ｂの金属成分含有率よ
りも金属下地導体層２ａの金属成分含有率を高くした場
合には相対的にガラス量が増える事で半田濡れ性が劣化
し、実用することができない。

【００５６】

【発明の効果】本発明の構成によれば、電子部品の搭載
する位置の表面導体に、その基体側の境界に金属成分及
び軟化点が７５０℃以上のガラス成分を主成分とする金
属下地導体層と、その表面に金属下地導体層と同じ金属
を主成分とする金属表面導体層の２層構造としているた
めに、表面導体に電子部品を半田接合しても、安定して
電子部品の半田接合が行え、且つ接着強度が高く、反り
変形のない回路基板が提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る回路基板の断面図である。

【図２】従来の回路基板の断面図である。

【符号の説明】

１・・・・・・・基体１ａ〜１ｄ・・・誘電体層２・・・・・・・表面導体２ａ・・・・・・金属下地導体層２ｂ・・・・・・金属表面導体層３・・・・・・・内部導体４・・・・・・・ビアホール導体５・・・・・・・電子部品６・・・・・・・半田１０・・・・・・回路基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4E351 AA07 AA12 AA13 AA14 BB31 CC12 CC13 CC22 DD04 DD05 DD20 DD22 DD42 DD47 EE01 EE10 EE11 EE24 GG02 GG09 5E319 AA03 AB06 AC04 AC17 CC22 CD45 GG03 5E343 AA07 AA24 BB24 BB25 BB49 BB55 BB72 BB74 ER33 ER39 GG02 GG18 GG20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体材料を焼成して形成される基体表
面に、該基体と同時焼成によって形成される表面導体を
被着させて成る回路基板において、前記表面導体を少なくとも２層構造とし、基体側の層を
金属成分と軟化点が７５０℃以上のガラス成分とから成
る金属下地導体層で、表面側の層を前記金属下地導体層
と同じ金属成分から成る金属表面導体層で形成したこと
を特徴とする回路基板。