JPH11134941A - 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ - Google Patents
誘電体磁器および積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH11134941A JPH11134941A JP9300935A JP30093597A JPH11134941A JP H11134941 A JPH11134941 A JP H11134941A JP 9300935 A JP9300935 A JP 9300935A JP 30093597 A JP30093597 A JP 30093597A JP H11134941 A JPH11134941 A JP H11134941A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】１５００よりも高い比誘電率εｒを有し、かつ
誘電損失ｔａｎδが０．２％以下の誘電体磁器を提供す
ることを目的とするもので、フィルムコンデンサと同等
の特性を有し、良好な比誘電率の温度特性を有し、特に
高周波領域において有用な誘電体磁器および積層セラミ
ックコンデンサを提供する。 【解決手段】組成式を（Ｓｒ1-w-x-y Ｃａw Ｐｂx Ｂｉ
y ）（Ｔｉ1-m-n ＺｒmＳｎn ）z Ｏ3+a と表した時、
ｗ、ｘ、ｙ、ｚ、ｍおよびｎが一定範囲を満足するもの
を主成分とし、かつペロブスカイト型結晶相を主結晶相
とする誘電体磁器であって、Ｘ線回折における前記ペロ
ブスカイト型結晶相の（１１０）面の主ピークと、前記
ペロブスカイト型結晶相の（１００）面の主ピークとの
間のＢｉ含有結晶相のピーク強度が、（１１０）面の主
ピークの強度の３％以下である。
誘電損失ｔａｎδが０．２％以下の誘電体磁器を提供す
ることを目的とするもので、フィルムコンデンサと同等
の特性を有し、良好な比誘電率の温度特性を有し、特に
高周波領域において有用な誘電体磁器および積層セラミ
ックコンデンサを提供する。 【解決手段】組成式を（Ｓｒ1-w-x-y Ｃａw Ｐｂx Ｂｉ
y ）（Ｔｉ1-m-n ＺｒmＳｎn ）z Ｏ3+a と表した時、
ｗ、ｘ、ｙ、ｚ、ｍおよびｎが一定範囲を満足するもの
を主成分とし、かつペロブスカイト型結晶相を主結晶相
とする誘電体磁器であって、Ｘ線回折における前記ペロ
ブスカイト型結晶相の（１１０）面の主ピークと、前記
ペロブスカイト型結晶相の（１００）面の主ピークとの
間のＢｉ含有結晶相のピーク強度が、（１１０）面の主
ピークの強度の３％以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体磁器および
積層セラミックコンデンサに関するものであり、特に、
高周波領域で好適に使用され、かつ高誘電率、低損失の
誘電体磁器およびこれを用いた積層セラミックコンデン
サに関するものである。
積層セラミックコンデンサに関するものであり、特に、
高周波領域で好適に使用され、かつ高誘電率、低損失の
誘電体磁器およびこれを用いた積層セラミックコンデン
サに関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年のエレクトロニクスの発展に伴い電子
回路の高周波化、小型化が急速に進行し、電子部品も高
周波化、小型化が要求されるようになってきている。特
に、高周波大電流回路では、損失による自己加熱が問題
となる場合があり、この場合には低損失のコンデンサが
使用されていた。
回路の高周波化、小型化が急速に進行し、電子部品も高
周波化、小型化が要求されるようになってきている。特
に、高周波大電流回路では、損失による自己加熱が問題
となる場合があり、この場合には低損失のコンデンサが
使用されていた。
【０００３】従来、このようなコンデンサとしては、低
損失で、温度特性、電圧依存性が小さい等の特性を有す
るフィルムコンデンサが用いられている。しかしなが
ら、フィルムコンデンサはモールドタイプが殆どであ
り、小型化、表面実装に対応できない。
損失で、温度特性、電圧依存性が小さい等の特性を有す
るフィルムコンデンサが用いられている。しかしなが
ら、フィルムコンデンサはモールドタイプが殆どであ
り、小型化、表面実装に対応できない。
【０００４】また、低損失高容量の領域に用いられる誘
電体磁器組成物として、特公昭５７−３７９６３号公報
および特公平７−４５３３７号公報に開示されるような
ものが知られている。
電体磁器組成物として、特公昭５７−３７９６３号公報
および特公平７−４５３３７号公報に開示されるような
ものが知られている。
【０００５】特公昭５７−３７９６３号公報に開示され
た誘電体磁器組成物は、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｐｂおよび
Ｃａからなる基本成分と、Ｃｕ、Ｍｎからなる添加成分
とから構成されている。そして、ＳｒＴｉＯ3 、Ｂｉ2
Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＰｂＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3 、Ｃｕ
Ｏ、ＭｎＣＯ3 を混合し、９３０℃で仮焼し、１２００
〜１４００℃で焼成して作製されている。この誘電体磁
器組成物では、測定周波数１ｋＨｚでの比誘電率が５０
０〜１５００、誘電損失ｔａｎδが０．１５〜０．５％
であった。
た誘電体磁器組成物は、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｐｂおよび
Ｃａからなる基本成分と、Ｃｕ、Ｍｎからなる添加成分
とから構成されている。そして、ＳｒＴｉＯ3 、Ｂｉ2
Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＰｂＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3 、Ｃｕ
Ｏ、ＭｎＣＯ3 を混合し、９３０℃で仮焼し、１２００
〜１４００℃で焼成して作製されている。この誘電体磁
器組成物では、測定周波数１ｋＨｚでの比誘電率が５０
０〜１５００、誘電損失ｔａｎδが０．１５〜０．５％
であった。
【０００６】また、特公平７−４５３３７号公報に開示
された誘電体磁器組成物は、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｐｂ、
ＣａおよびＳｎからなる基本成分と、希土類酸化物と、
ガラス成分とから構成されている。そして、ＳｒＣ
Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＣａＣＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 、希土類元素酸化物を混合し、９５０℃
で仮焼し、９４０〜１２４０℃で焼成して作製されてい
る。この誘電体磁器組成物では、測定周波数１ｋＨｚで
の比誘電率が１２４０〜１４７０、誘電損失ｔａｎδが
０．２５〜０．３６％であった。
された誘電体磁器組成物は、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｐｂ、
ＣａおよびＳｎからなる基本成分と、希土類酸化物と、
ガラス成分とから構成されている。そして、ＳｒＣ
Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＣａＣＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 、希土類元素酸化物を混合し、９５０℃
で仮焼し、９４０〜１２４０℃で焼成して作製されてい
る。この誘電体磁器組成物では、測定周波数１ｋＨｚで
の比誘電率が１２４０〜１４７０、誘電損失ｔａｎδが
０．２５〜０．３６％であった。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、特
公昭５７−３７９６３号公報および特公平７−４５３３
７号公報に開示された誘電体磁器組成物では、１５００
よりも高い比誘電率を有し、かつ０．２％以下の低損失
を達成できなかった。
公昭５７−３７９６３号公報および特公平７−４５３３
７号公報に開示された誘電体磁器組成物では、１５００
よりも高い比誘電率を有し、かつ０．２％以下の低損失
を達成できなかった。
【０００８】即ち、一般的に比誘電率が高い誘電体磁器
組成物は誘電損失が大きくなる傾向があり、比誘電率を
上げれば誘電損失が大きくなり、例えば、上記したよう
に、高周波大電流回路では損失による自己加熱が問題と
なっていた。
組成物は誘電損失が大きくなる傾向があり、比誘電率を
上げれば誘電損失が大きくなり、例えば、上記したよう
に、高周波大電流回路では損失による自己加熱が問題と
なっていた。
【０００９】本発明は、１５００よりも高い比誘電率ε
ｒを有し、かつ誘電損失ｔａｎδが０．２％以下の誘電
体磁器を提供することを目的とするもので、フィルムコ
ンデンサと同等の特性を有し、良好な比誘電率の温度特
性を有し、特に高周波領域において有用な誘電体磁器お
よび積層セラミックコンデンサを提供することを目的と
する。
ｒを有し、かつ誘電損失ｔａｎδが０．２％以下の誘電
体磁器を提供することを目的とするもので、フィルムコ
ンデンサと同等の特性を有し、良好な比誘電率の温度特
性を有し、特に高周波領域において有用な誘電体磁器お
よび積層セラミックコンデンサを提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器で
は、金属元素としてＳｒ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒおよ
びＳｎを含有し、これらの金属元素の原子比による組成
式を （Ｓｒ1-w-x-y Ｃａw Ｐｂx Ｂｉy ）（Ｔｉ1-m-n Ｚｒ
m Ｓｎn ）z Ｏ3+a と表した時、前記ｗ、ｘ、ｙ、ｚ、ｍおよびｎが、０≦
ｗ≦０．２０、０．０５≦ｘ≦０．２０、０．０１≦ｙ
≦０．３０、１．００≦ｚ≦１．２０、ｗ＋ｘ＋ｙ≦
０．５０、０．０１≦ｍ≦０．１０、０．０１≦ｎ≦
０．１０（ａは過剰酸素量）を満足するものを主成分と
し、かつペロブスカイト型結晶相を主結晶相とする誘電
体磁器であって、Ｘ線回折における前記ペロブスカイト
型結晶相の（１１０）面の主ピークと、前記ペロブスカ
イト型結晶相の（１００）面の主ピークとの間に、Ｂｉ
を含有する結晶のピークが存在し、該Ｂｉ含有結晶相の
ピーク強度が、前記（１１０）面の主ピークの強度の３
％以下である。
は、金属元素としてＳｒ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒおよ
びＳｎを含有し、これらの金属元素の原子比による組成
式を （Ｓｒ1-w-x-y Ｃａw Ｐｂx Ｂｉy ）（Ｔｉ1-m-n Ｚｒ
m Ｓｎn ）z Ｏ3+a と表した時、前記ｗ、ｘ、ｙ、ｚ、ｍおよびｎが、０≦
ｗ≦０．２０、０．０５≦ｘ≦０．２０、０．０１≦ｙ
≦０．３０、１．００≦ｚ≦１．２０、ｗ＋ｘ＋ｙ≦
０．５０、０．０１≦ｍ≦０．１０、０．０１≦ｎ≦
０．１０（ａは過剰酸素量）を満足するものを主成分と
し、かつペロブスカイト型結晶相を主結晶相とする誘電
体磁器であって、Ｘ線回折における前記ペロブスカイト
型結晶相の（１１０）面の主ピークと、前記ペロブスカ
イト型結晶相の（１００）面の主ピークとの間に、Ｂｉ
を含有する結晶のピークが存在し、該Ｂｉ含有結晶相の
ピーク強度が、前記（１１０）面の主ピークの強度の３
％以下である。
【００１１】ここで、主成分１００重量部に対して、Ｌ
ｉおよびＢの少なくとも１種を含有するガラス成分を
０．１〜１０．０重量部の割合で含有することが望まし
い。
ｉおよびＢの少なくとも１種を含有するガラス成分を
０．１〜１０．０重量部の割合で含有することが望まし
い。
【００１２】本発明の積層セラミックコンデンサは、誘
電体層と内部電極層とを交互に積層してなる積層セラミ
ックコンデンサであって、前記誘電体層が上記Ｌｉ、Ｂ
を含む誘電体磁器からなり、内部電極層が、Ｐｄの含有
率が４０重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金からなるものであ
る。
電体層と内部電極層とを交互に積層してなる積層セラミ
ックコンデンサであって、前記誘電体層が上記Ｌｉ、Ｂ
を含む誘電体磁器からなり、内部電極層が、Ｐｄの含有
率が４０重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金からなるものであ
る。
【００１３】
【作用】本発明の誘電体磁器では、ペロブスカイト型結
晶相の（１１０）面の主ピークと（１００）面の主ピー
クとの間の、Ｂｉを含有する異相のピークの強度が、
（１１０）面の主ピークの強度の３％以下であるため、
Ｂｉの殆どはペロブスカイト型結晶相に固溶することに
なり、高誘電率のペロブスカイト型結晶相が増加し、低
誘電率で誘電損失の大きなＢｉを含有する異相が減少す
ることになり、このため、測定周波数１ｋＨｚでの比誘
電率を１５００より大きく、誘電損失を０．２％以下と
することができる。
晶相の（１１０）面の主ピークと（１００）面の主ピー
クとの間の、Ｂｉを含有する異相のピークの強度が、
（１１０）面の主ピークの強度の３％以下であるため、
Ｂｉの殆どはペロブスカイト型結晶相に固溶することに
なり、高誘電率のペロブスカイト型結晶相が増加し、低
誘電率で誘電損失の大きなＢｉを含有する異相が減少す
ることになり、このため、測定周波数１ｋＨｚでの比誘
電率を１５００より大きく、誘電損失を０．２％以下と
することができる。
【００１４】従来の特公昭５７−３７９６３号公報およ
び特公平７−４５３３７号公報に開示された誘電体磁器
は、基本成分を９５０℃程度で仮焼し、高誘電率のペロ
ブスカイト相を析出させているが、仮焼温度が低いため
Ｂｉがペロブスカイト相中に固溶せず、あるいは固溶し
てもその固溶量は少なく、本願で言うＢｉを含有する異
相として存在していると考えられ、このため比誘電率が
１５００以下と小さく、しかも誘電損失も大きいと考え
られる。
び特公平７−４５３３７号公報に開示された誘電体磁器
は、基本成分を９５０℃程度で仮焼し、高誘電率のペロ
ブスカイト相を析出させているが、仮焼温度が低いため
Ｂｉがペロブスカイト相中に固溶せず、あるいは固溶し
てもその固溶量は少なく、本願で言うＢｉを含有する異
相として存在していると考えられ、このため比誘電率が
１５００以下と小さく、しかも誘電損失も大きいと考え
られる。
【００１５】本願では、Ｂｉをペロブスカイト相中に固
溶させるために、１１００℃以上の仮焼温度で反応させ
ている。このため、Ｂｉが高誘電率のペロブスカイト相
中に大量に固溶し、Ｂｉを含有する異相のピークの強度
が（１１０）面の主ピークの強度の３％以下となり上記
したような作用効果を有するのである。
溶させるために、１１００℃以上の仮焼温度で反応させ
ている。このため、Ｂｉが高誘電率のペロブスカイト相
中に大量に固溶し、Ｂｉを含有する異相のピークの強度
が（１１０）面の主ピークの強度の３％以下となり上記
したような作用効果を有するのである。
【００１６】さらに、本発明の誘電体磁器では、Ｚｒ、
Ｓｎを含有することにより、比誘電率（静電容量）の温
度特性を大きく向上できる。
Ｓｎを含有することにより、比誘電率（静電容量）の温
度特性を大きく向上できる。
【００１７】さらに、誘電体磁器として、主成分１００
重量部に対して、ＬｉおよびＢのうち少なくとも１種を
含有するガラス成分を０．１〜１０重量部含有すること
により、１０００〜１１５０℃の低温焼成化が可能とな
る。このため、内部電極として、Ｐｄ含有量の少ない、
ＡｇＰｄ電極材料を用いることができ、ＰｄとＢｉとの
反応を抑えることが可能となり、内部電極との同時焼成
が可能となる。
重量部に対して、ＬｉおよびＢのうち少なくとも１種を
含有するガラス成分を０．１〜１０重量部含有すること
により、１０００〜１１５０℃の低温焼成化が可能とな
る。このため、内部電極として、Ｐｄ含有量の少ない、
ＡｇＰｄ電極材料を用いることができ、ＰｄとＢｉとの
反応を抑えることが可能となり、内部電極との同時焼成
が可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器は、Ｘ線回折
におけるペロブスカイト型結晶相の（１１０）面の主ピ
ークと、ペロブスカイト型結晶相の（１００）面の主ピ
ークとの間に検出され、かつＢｉを含有する異相のピー
クの強度を、（１１０）面の主ピークの強度の３％以下
としたものである。
におけるペロブスカイト型結晶相の（１１０）面の主ピ
ークと、ペロブスカイト型結晶相の（１００）面の主ピ
ークとの間に検出され、かつＢｉを含有する異相のピー
クの強度を、（１１０）面の主ピークの強度の３％以下
としたものである。
【００１９】ここで、Ｂｉを含む異相の割合を（１１
０）面の主ピークの強度の３％以下と限定した理由は、
Ｂｉがペロブスカイ相中に固溶することにより、高誘電
率、低損失、温度特性に優れた材料となるからであり、
Ｂｉが固溶せずに、（１１０）面の主ピークの強度の３
％よりも多く異相を形成すると、いずれの特性も劣化し
てしまうからである。この異相のピークは存在しない方
が望ましいが、Ｂｉをペロブスカイト相中に固溶させる
ためにＢｉを添加するため、全く存在しないということ
はあり得ないと考えられる。異相のピーク強度は、（１
１０）面の主ピークの強度の１％以下が望ましい。
０）面の主ピークの強度の３％以下と限定した理由は、
Ｂｉがペロブスカイ相中に固溶することにより、高誘電
率、低損失、温度特性に優れた材料となるからであり、
Ｂｉが固溶せずに、（１１０）面の主ピークの強度の３
％よりも多く異相を形成すると、いずれの特性も劣化し
てしまうからである。この異相のピークは存在しない方
が望ましいが、Ｂｉをペロブスカイト相中に固溶させる
ためにＢｉを添加するため、全く存在しないということ
はあり得ないと考えられる。異相のピーク強度は、（１
１０）面の主ピークの強度の１％以下が望ましい。
【００２０】尚、ペロブスカイト型結晶相の（１１０）
面の主ピークと、ペロブスカイト型結晶相の（１００）
面の主ピークは、それぞれ単一のピークからなること
が、高誘電率および低損失という観点から望ましい。
面の主ピークと、ペロブスカイト型結晶相の（１００）
面の主ピークは、それぞれ単一のピークからなること
が、高誘電率および低損失という観点から望ましい。
【００２１】ペロブスカイト型結晶相の（１１０）面の
ピークは、Ｘ線源としてＣｕ−ｋα線を用いた場合、Ｘ
線回析図において、２θ＝３２度付近に生じ、また、
（１００）面のピークは２θ＝２３度付近に生じる。そ
して、これらのピークの間にＢｉを含有する異相が生じ
るが、異相としては、Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12、Ｂｉ2 Ｔｉ2
Ｏ7 、ＳｒＢｉ4 Ｔｉ4 Ｏ13、Ｓｒ2 Ｂｉ4 Ｔｉ
5 Ｏ14、ＰｂＢｉ4 Ｔｉ4 Ｏ13、Ｐｂ2 Ｂｉ4 Ｔｉ5 Ｏ
14等があり、これらは、主に２θ＝３０度付近に生じ
る。その他の結晶相としてＴｉＯ2 が析出する場合もあ
る。
ピークは、Ｘ線源としてＣｕ−ｋα線を用いた場合、Ｘ
線回析図において、２θ＝３２度付近に生じ、また、
（１００）面のピークは２θ＝２３度付近に生じる。そ
して、これらのピークの間にＢｉを含有する異相が生じ
るが、異相としては、Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12、Ｂｉ2 Ｔｉ2
Ｏ7 、ＳｒＢｉ4 Ｔｉ4 Ｏ13、Ｓｒ2 Ｂｉ4 Ｔｉ
5 Ｏ14、ＰｂＢｉ4 Ｔｉ4 Ｏ13、Ｐｂ2 Ｂｉ4 Ｔｉ5 Ｏ
14等があり、これらは、主に２θ＝３０度付近に生じ
る。その他の結晶相としてＴｉＯ2 が析出する場合もあ
る。
【００２２】本発明の誘電体磁器では、Ｂａ、Ｍｇ、Ｎ
ｂ、Ａｌ、Ｆｅ等の不純物が混入しても良いし、粉砕ボ
ールからのボール成分が混入する場合もある。さらに、
本発明の誘電体磁器では、ＣｕＯ、ＭｎＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 等を添加しても良い。
ｂ、Ａｌ、Ｆｅ等の不純物が混入しても良いし、粉砕ボ
ールからのボール成分が混入する場合もある。さらに、
本発明の誘電体磁器では、ＣｕＯ、ＭｎＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 等を添加しても良い。
【００２３】本発明の誘電体磁器は、モル比による組成
式を（Ｓｒ1-w-x-y Ｃａw Ｐｂx Ｂｉy ）（Ｔｉ1-m-n
Ｚｒm Ｓｎn ）z Ｏ3+a と表した時、前記ｗ、ｘ、ｙ、
ｚ、ｍおよびｎが、０≦ｗ≦０．２０、０．０５≦ｘ≦
０．２０、０．０１≦ｙ≦０．３０、１．００≦ｚ≦
１．２０、ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．５０、０．０１≦ｍ≦０．
１０、０．０１≦ｎ≦０．１０を満足するものである。
式を（Ｓｒ1-w-x-y Ｃａw Ｐｂx Ｂｉy ）（Ｔｉ1-m-n
Ｚｒm Ｓｎn ）z Ｏ3+a と表した時、前記ｗ、ｘ、ｙ、
ｚ、ｍおよびｎが、０≦ｗ≦０．２０、０．０５≦ｘ≦
０．２０、０．０１≦ｙ≦０．３０、１．００≦ｚ≦
１．２０、ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．５０、０．０１≦ｍ≦０．
１０、０．０１≦ｎ≦０．１０を満足するものである。
【００２４】ここで、Ａサイト中のＳｒのＣａによる置
換量ｗを０〜０．２としたのは、ｗが０．２よりも大き
い場合には比誘電率が低くなるからである。ｗは、比誘
電率を向上するという観点から０．０４≦ｗ≦０．１３
であることが望ましい。
換量ｗを０〜０．２としたのは、ｗが０．２よりも大き
い場合には比誘電率が低くなるからである。ｗは、比誘
電率を向上するという観点から０．０４≦ｗ≦０．１３
であることが望ましい。
【００２５】また、Ａサイト中のＳｒのＰｂによる置換
量ｘを０．０５〜０．２としたのは、ｘが０．０５より
も小さい場合には比誘電率が低く、一方０．２よりも大
きい場合には誘電損失が大きくなるからである。ｘは、
比誘電率および誘電損失の点から、０．１０≦ｘ≦０．
１７が望ましい。
量ｘを０．０５〜０．２としたのは、ｘが０．０５より
も小さい場合には比誘電率が低く、一方０．２よりも大
きい場合には誘電損失が大きくなるからである。ｘは、
比誘電率および誘電損失の点から、０．１０≦ｘ≦０．
１７が望ましい。
【００２６】さらに、Ａサイト中のＳｒのＢｉによる置
換量ｙを０．０１〜０．３としたのは、ｙが０．０１よ
りも小さい場合には誘電損失が悪く、ｙが０．３０より
も大きくなると比誘電率が低くなるからである。ｙは、
比誘電率および誘電損失の点から、０．１３≦ｙ≦０．
２４が望ましい。
換量ｙを０．０１〜０．３としたのは、ｙが０．０１よ
りも小さい場合には誘電損失が悪く、ｙが０．３０より
も大きくなると比誘電率が低くなるからである。ｙは、
比誘電率および誘電損失の点から、０．１３≦ｙ≦０．
２４が望ましい。
【００２７】また、Ｂ／Ａ比を示すｚを１〜１．２とし
たのは、ｚが１よりも小さい場合には比誘電率が低く、
誘電損失が悪く、ｚが１．２０よりも大きくなると比誘
電率が低くなる傾向にあるからである。ｚは、比誘電率
および誘電損失の点から、１．１≦ｚ≦１．２が望まし
い。
たのは、ｚが１よりも小さい場合には比誘電率が低く、
誘電損失が悪く、ｚが１．２０よりも大きくなると比誘
電率が低くなる傾向にあるからである。ｚは、比誘電率
および誘電損失の点から、１．１≦ｚ≦１．２が望まし
い。
【００２８】さらに、Ａサイト中のＳｒのＣａ、Ｐｂ、
Ｂｉによる置換量ｗ＋ｘ＋ｙを０．５０以下としたの
は、０．５よりも多い場合には比誘電率が低くなるから
である。特に、比誘電率向上という観点から、０．３０
≦ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．４０が望ましい。また、上記組成式
におけるａは、過剰酸素量を示しており、ａは０〜０．
５５であり、０．１５〜０．４であることが望ましい。
Ｂｉによる置換量ｗ＋ｘ＋ｙを０．５０以下としたの
は、０．５よりも多い場合には比誘電率が低くなるから
である。特に、比誘電率向上という観点から、０．３０
≦ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．４０が望ましい。また、上記組成式
におけるａは、過剰酸素量を示しており、ａは０〜０．
５５であり、０．１５〜０．４であることが望ましい。
【００２９】さらに、Ｂサイト中のＴｉのＺｒによる置
換量ｍを０．０１〜０．１としたのは、０．０１よりも
小さい場合には添加効果が無く、０．１よりも大きくな
ると比誘電率が低くなるからである。ｍは、比誘電率、
温度特性の点から、０．０２≦ｍ≦０．０５が望まし
い。
換量ｍを０．０１〜０．１としたのは、０．０１よりも
小さい場合には添加効果が無く、０．１よりも大きくな
ると比誘電率が低くなるからである。ｍは、比誘電率、
温度特性の点から、０．０２≦ｍ≦０．０５が望まし
い。
【００３０】さらに、Ｂサイト中のＴｉのＳｎによる置
換量ｎを０．０１〜０．１としたのは、０．０１よりも
小さい場合には添加効果が無く、０．１よりも大きくな
ると誘電損失が大きくなるからである。ｎは、誘電損
失、温度特性の点から、０．０２≦ｎ≦０．０５が望ま
しい。
換量ｎを０．０１〜０．１としたのは、０．０１よりも
小さい場合には添加効果が無く、０．１よりも大きくな
ると誘電損失が大きくなるからである。ｎは、誘電損
失、温度特性の点から、０．０２≦ｎ≦０．０５が望ま
しい。
【００３１】そして、本発明の誘電体磁器では、上記主
成分１００重量部に対して、ＬｉおよびＢのうち少なく
とも１種を含有するガラス成分を０．１〜１０重量部含
有することが望ましい。ガラス成分の量が０．１重量部
未満では添加効果が無く、１０重量部以上では比誘電率
が低下し、誘電損失も増大するからである。添加成分に
ＬｉおよびＢのうち少なくとも一種を含有せしめたの
は、Ｌｉ、Ｂを含まないと誘電特性を劣化させずに、焼
成温度が１１５０℃以下とならないからである。添加量
は誘電損失を小さくするという観点から０．５〜５重量
部が望ましい。
成分１００重量部に対して、ＬｉおよびＢのうち少なく
とも１種を含有するガラス成分を０．１〜１０重量部含
有することが望ましい。ガラス成分の量が０．１重量部
未満では添加効果が無く、１０重量部以上では比誘電率
が低下し、誘電損失も増大するからである。添加成分に
ＬｉおよびＢのうち少なくとも一種を含有せしめたの
は、Ｌｉ、Ｂを含まないと誘電特性を劣化させずに、焼
成温度が１１５０℃以下とならないからである。添加量
は誘電損失を小さくするという観点から０．５〜５重量
部が望ましい。
【００３２】本発明の誘電体磁器は、例えば、ＳｒＣＯ
3 、ＣａＣＯ3 、ＰｂＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 の各原料粉末を所定量となるように秤量
し、混合粉砕し、これを１１００〜１２００℃の温度で
大気中で１〜３時間仮焼する。仮焼温度は、Ｂｉのペロ
ブスカイト相への固溶を促進するという観点から１１５
０℃以上が望ましい。
3 、ＣａＣＯ3 、ＰｂＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 の各原料粉末を所定量となるように秤量
し、混合粉砕し、これを１１００〜１２００℃の温度で
大気中で１〜３時間仮焼する。仮焼温度は、Ｂｉのペロ
ブスカイト相への固溶を促進するという観点から１１５
０℃以上が望ましい。
【００３３】得られた仮焼物と、所望により所定量のガ
ラス成分を秤量し、混合粉砕し、例えば、ドクターブレ
ード法等の公知手段により成形し、大気中等の酸化性雰
囲気において１０５０〜１２００℃において０．５〜２
時間焼成を行い、本発明の誘電体磁器が得られる。
ラス成分を秤量し、混合粉砕し、例えば、ドクターブレ
ード法等の公知手段により成形し、大気中等の酸化性雰
囲気において１０５０〜１２００℃において０．５〜２
時間焼成を行い、本発明の誘電体磁器が得られる。
【００３４】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
は、誘電体層と内部電極層を交互に積層してなる積層セ
ラミックコンデンサであって、誘電体層が上記Ｌｉおよ
び／またはＢを含む誘電体磁器からなり、内部電極層
が、Ｐｄの含有率が４０重量％以下、特に３０重量％以
下のＡｇ−Ｐｄ合金からなるものである。
は、誘電体層と内部電極層を交互に積層してなる積層セ
ラミックコンデンサであって、誘電体層が上記Ｌｉおよ
び／またはＢを含む誘電体磁器からなり、内部電極層
が、Ｐｄの含有率が４０重量％以下、特に３０重量％以
下のＡｇ−Ｐｄ合金からなるものである。
【００３５】このような積層セラミックコンデンサは、
上記のように、ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＰｂＯ、Ｂｉ
2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 の各原料粉末を
混合し、これらを仮焼して得られた仮焼物と、所望によ
り所定量のガラス成分を秤量し、混合粉砕し、例えば、
ドクターブレード法によりフィルム状シートを作製す
る。
上記のように、ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＰｂＯ、Ｂｉ
2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 の各原料粉末を
混合し、これらを仮焼して得られた仮焼物と、所望によ
り所定量のガラス成分を秤量し、混合粉砕し、例えば、
ドクターブレード法によりフィルム状シートを作製す
る。
【００３６】このフィルム状シートの上面に、Ｐｄの含
有率が４０重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金からなる内部電
極ペーストをスクリーン印刷法等により印刷した後、内
部電極ペーストが塗布されたフィルム状シートを複数積
層、熱圧着プレス、カットし、脱バインダー処理後、１
０５０〜１２００℃において０．５〜２時間焼成を行
い、タンブリング後、端子電極の焼き付け、メッキ後、
本発明の積層セラミックコンデンサが得られる。
有率が４０重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金からなる内部電
極ペーストをスクリーン印刷法等により印刷した後、内
部電極ペーストが塗布されたフィルム状シートを複数積
層、熱圧着プレス、カットし、脱バインダー処理後、１
０５０〜１２００℃において０．５〜２時間焼成を行
い、タンブリング後、端子電極の焼き付け、メッキ後、
本発明の積層セラミックコンデンサが得られる。
【００３７】
実施例１ 先ず、純度９９％以上のＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、Ｐｂ
Ｏ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 の各原
料粉末を表１に示す割合で秤量し、該原料粉末に媒体と
して純水を加えて２４時間ＺｒＯ2 ボールを用いたボー
ルミルにて混合した後、該混合物を乾燥し、次いで、該
乾燥物を１１５０℃の温度で大気中２時間仮焼した。得
られた仮焼物を、分散剤、分散媒とともに２４時間ボー
ルミルにて混合粉砕し、原料スラリーを調整した。尚、
Ｎｏ．１９、２３については、仮焼温度を９５０℃とし
た。
Ｏ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 の各原
料粉末を表１に示す割合で秤量し、該原料粉末に媒体と
して純水を加えて２４時間ＺｒＯ2 ボールを用いたボー
ルミルにて混合した後、該混合物を乾燥し、次いで、該
乾燥物を１１５０℃の温度で大気中２時間仮焼した。得
られた仮焼物を、分散剤、分散媒とともに２４時間ボー
ルミルにて混合粉砕し、原料スラリーを調整した。尚、
Ｎｏ．１９、２３については、仮焼温度を９５０℃とし
た。
【００３８】このスラリーに有機バインダー、可塑剤を
加え、十分撹拌後ドクターブレード法により４５μｍの
フィルム状シートに成形した。このフィルム状シートを
３３層積層し、熱圧着後切断して試料を得た。この試料
を大気中、３００℃の温度で４時間加熱して脱バインダ
ー処理し、引き続いて１２００℃で大気中で２時間焼成
し、直径１０ｍｍ×厚み１ｍｍの試料を得た。この試料
の両面にＩｎ−Ｇａ電極を塗布し、評価試料を作製し
た。
加え、十分撹拌後ドクターブレード法により４５μｍの
フィルム状シートに成形した。このフィルム状シートを
３３層積層し、熱圧着後切断して試料を得た。この試料
を大気中、３００℃の温度で４時間加熱して脱バインダ
ー処理し、引き続いて１２００℃で大気中で２時間焼成
し、直径１０ｍｍ×厚み１ｍｍの試料を得た。この試料
の両面にＩｎ−Ｇａ電極を塗布し、評価試料を作製し
た。
【００３９】次にこれらの評価試料を、ＬＣＲメーター
４２８４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レ
ベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定した。静電容量
から比誘電率を算出した。また、得られた磁器を乳鉢で
粉末状に解砕し、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折の測定
を行い、ペロブスカイト型結晶相の主ピーク（１１０）
の強度に対する、ペロブスカイト型結晶相の主ピーク
（１１０）と、ペロブスカイト型結晶相のピーク（１０
０）との間に検出される、Ｂｉを含む異相のピークの強
度比を測定した。この結果を表２に示す。
４２８４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レ
ベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定した。静電容量
から比誘電率を算出した。また、得られた磁器を乳鉢で
粉末状に解砕し、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折の測定
を行い、ペロブスカイト型結晶相の主ピーク（１１０）
の強度に対する、ペロブスカイト型結晶相の主ピーク
（１１０）と、ペロブスカイト型結晶相のピーク（１０
０）との間に検出される、Ｂｉを含む異相のピークの強
度比を測定した。この結果を表２に示す。
【００４０】また、Ｓｒ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂｉの合計モル
数をＡとし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎのモル数をＢとした時Ｂ
／Ａ（表１のｚ）を求め、この値も記載した。
数をＡとし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎのモル数をＢとした時Ｂ
／Ａ（表１のｚ）を求め、この値も記載した。
【００４１】さらに、−２５〜８５℃の範囲において｜
△Ｃ／Ｃ｜max で表される最大容量変化率を求め、これ
について表２に記載した。ここで、△Ｃは２５℃の時の
静電容容量（Ｃ）を基準として−２５〜８５℃の範囲に
おいて最も変化が大きい場合の静電容量変化を示してお
り、最大容量変化率（％）は、△Ｃ／Ｃの値の絶対値に
より表される。
△Ｃ／Ｃ｜max で表される最大容量変化率を求め、これ
について表２に記載した。ここで、△Ｃは２５℃の時の
静電容容量（Ｃ）を基準として−２５〜８５℃の範囲に
おいて最も変化が大きい場合の静電容量変化を示してお
り、最大容量変化率（％）は、△Ｃ／Ｃの値の絶対値に
より表される。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【表２】
【００４４】これらの表１、２によれば、本発明の誘電
体磁器は、比誘電率εｒが１５００より大きく、測定周
波数１ｋＨｚでの誘電損失が０．２０％以下を満足する
優れた特性をを有することが判る。また、Ｚｒ、Ｓｎを
含有しない試料Ｎo.２４では最大容量変化率が１６％で
あるのに対して、本願発明の試料では１０％未満であ
り、温度特性が大きく向上していることが判る。なお試
料Ｎｏ．２、２３のＸ線回折チャートを図１および図２
に示す。
体磁器は、比誘電率εｒが１５００より大きく、測定周
波数１ｋＨｚでの誘電損失が０．２０％以下を満足する
優れた特性をを有することが判る。また、Ｚｒ、Ｓｎを
含有しない試料Ｎo.２４では最大容量変化率が１６％で
あるのに対して、本願発明の試料では１０％未満であ
り、温度特性が大きく向上していることが判る。なお試
料Ｎｏ．２、２３のＸ線回折チャートを図１および図２
に示す。
【００４５】実施例２ 先ず、純度９９％以上のＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、Ｐｂ
Ｏ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 の各原
料粉末を表３、４に示す割合で秤量し、該原料粉末に媒
体として純水を加えて２４時間ＺｒＯ2 ボールを用いた
ボールミルにて混合した後、該混合物を乾燥し、次い
で、該乾燥物を１１５０℃の温度で大気中２時間仮焼し
た。得られた仮焼物に表７に示すガラス成分のうち１種
を表３、４に示す割合で加え、分散剤、分散媒とともに
２４時間ボールミルにて混合粉砕し、原料スラリーを調
整した。尚、Ｎｏ．５５、５９については、仮焼温度を
９５０℃とした。
Ｏ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 の各原
料粉末を表３、４に示す割合で秤量し、該原料粉末に媒
体として純水を加えて２４時間ＺｒＯ2 ボールを用いた
ボールミルにて混合した後、該混合物を乾燥し、次い
で、該乾燥物を１１５０℃の温度で大気中２時間仮焼し
た。得られた仮焼物に表７に示すガラス成分のうち１種
を表３、４に示す割合で加え、分散剤、分散媒とともに
２４時間ボールミルにて混合粉砕し、原料スラリーを調
整した。尚、Ｎｏ．５５、５９については、仮焼温度を
９５０℃とした。
【００４６】このスラリーに有機バインダー、可塑剤を
加え、十分撹拌後ドクターブレード法によりフィルム状
に成形した。このフィルムを積層、熱圧着後切断して試
料を得た。この試料を大気中、３００℃の温度で４時間
加熱して脱バインダー処理し、引き続いて１１００℃で
大気中で２時間焼成し、直径１０ｍｍ×厚み１ｍｍの試
料を得た。この試料の両面にＩｎ−Ｇａ電極を塗布し、
評価試料を作製した。また得られた試料を平面研磨を行
い厚み１００μｍの試料を得た。この両面にＡｕを蒸着
し、電極とした。
加え、十分撹拌後ドクターブレード法によりフィルム状
に成形した。このフィルムを積層、熱圧着後切断して試
料を得た。この試料を大気中、３００℃の温度で４時間
加熱して脱バインダー処理し、引き続いて１１００℃で
大気中で２時間焼成し、直径１０ｍｍ×厚み１ｍｍの試
料を得た。この試料の両面にＩｎ−Ｇａ電極を塗布し、
評価試料を作製した。また得られた試料を平面研磨を行
い厚み１００μｍの試料を得た。この両面にＡｕを蒸着
し、電極とした。
【００４７】次にこれらの評価試料を、ＬＣＲメーター
４２７４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レ
ベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定した。静電容量
から比誘電率を算出した。また、厚み１００μｍの試料
にＤＣ２００Ｖを印可し、無印可時との容量から、変化
率を算出した（ＤＣバイアス特性）。また、得られた磁
器を乳鉢で粉末状に解砕し、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線
回折の測定を行い、実施例１と同様にＢｉを含む異相の
ピークの強度比を測定した。結果を表５、６に示す。ま
た、Ｓｒ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂｉの合計モル数をＡとし、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｓｎのモル数をＢとした時Ｂ／Ａ（表３、４
のｚ）を求め、この値も記載した。
４２７４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レ
ベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定した。静電容量
から比誘電率を算出した。また、厚み１００μｍの試料
にＤＣ２００Ｖを印可し、無印可時との容量から、変化
率を算出した（ＤＣバイアス特性）。また、得られた磁
器を乳鉢で粉末状に解砕し、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線
回折の測定を行い、実施例１と同様にＢｉを含む異相の
ピークの強度比を測定した。結果を表５、６に示す。ま
た、Ｓｒ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂｉの合計モル数をＡとし、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｓｎのモル数をＢとした時Ｂ／Ａ（表３、４
のｚ）を求め、この値も記載した。
【００４８】また、最大容量変化率についても、実施例
１と同様にして求め、その結果も表５、６に示した。
１と同様にして求め、その結果も表５、６に示した。
【００４９】
【表３】
【００５０】
【表４】
【００５１】
【表５】
【００５２】
【表６】
【００５３】
【表７】
【００５４】これらの表５〜７によれば、本発明の誘電
体磁器は、比誘電率εｒが１５００より大きく、１ｋＨ
ｚでの誘電損失が０．２０％以下、ＤＣバイアス特性が
±１０％以内（ＤＣ２ｋＶ／ｍｍ）の優れた特性を有す
ることが判る。またＺｒ、Ｓｎを含有しない試料Ｎo.６
０では最大容量変化率が１６％であるのに対して、本願
発明の試料では、１０％未満であり、温度特性が向上し
ていることが判る。
体磁器は、比誘電率εｒが１５００より大きく、１ｋＨ
ｚでの誘電損失が０．２０％以下、ＤＣバイアス特性が
±１０％以内（ＤＣ２ｋＶ／ｍｍ）の優れた特性を有す
ることが判る。またＺｒ、Ｓｎを含有しない試料Ｎo.６
０では最大容量変化率が１６％であるのに対して、本願
発明の試料では、１０％未満であり、温度特性が向上し
ていることが判る。
【００５５】実施例３ 先ず、純度９９％以上のＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、Ｐｂ
Ｏ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 の各原
料粉末を表８、９に示す割合て秤量し、該原料粉末に媒
体して純水を加えて２４時間ボールミルにて混合した
後、該混合物を乾燥し、次いで、該乾燥物を１１５０℃
の温度で大気中２時間仮焼した。得られた仮焼物に、表
７に示す所定量の添加物を表８、９に示す量だけ加え、
分散剤、分散媒とともに２４時間ボールミルにて混合粉
砕し、原料スラリーを調整した。尚、Ｎｏ．９９、１０
３については、仮焼温度を９５０℃とした。
Ｏ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 の各原
料粉末を表８、９に示す割合て秤量し、該原料粉末に媒
体して純水を加えて２４時間ボールミルにて混合した
後、該混合物を乾燥し、次いで、該乾燥物を１１５０℃
の温度で大気中２時間仮焼した。得られた仮焼物に、表
７に示す所定量の添加物を表８、９に示す量だけ加え、
分散剤、分散媒とともに２４時間ボールミルにて混合粉
砕し、原料スラリーを調整した。尚、Ｎｏ．９９、１０
３については、仮焼温度を９５０℃とした。
【００５６】このスラリーに有機バインダー、可塑剤を
加え、十分攪拌後ドクターブレード法により厚み４５μ
ｍのフィルム状シートに成形した。このフィルム状シー
トに、内部電極用に調整したＡｇ−Ｐｄペースト（Ａｇ
７０重量％、Ｐｄ３０重量％）をスクリーン印刷法によ
り印刷した後、これを１１層積層し、上下にそれぞれダ
ミー層として１０層積層し、熱圧着後、切断した。
加え、十分攪拌後ドクターブレード法により厚み４５μ
ｍのフィルム状シートに成形した。このフィルム状シー
トに、内部電極用に調整したＡｇ−Ｐｄペースト（Ａｇ
７０重量％、Ｐｄ３０重量％）をスクリーン印刷法によ
り印刷した後、これを１１層積層し、上下にそれぞれダ
ミー層として１０層積層し、熱圧着後、切断した。
【００５７】これを大気中、３００℃の温度で４時間加
熱して脱バインダー処理し、引き続いて１１００℃で大
気中で２時間焼成した。タンブリング後、端子電極用に
調整したＡｇペーストを端面に塗布し、７００℃で大気
中において焼き付け、メッキを行い端子電極とし、磁器
の寸法３．２ｍｍ×１．６ｍｍ、有効電極面積２．０×
１．０ｍｍ、誘電体厚み３０μｍ×１０層の積層コンデ
ンサを作製した。
熱して脱バインダー処理し、引き続いて１１００℃で大
気中で２時間焼成した。タンブリング後、端子電極用に
調整したＡｇペーストを端面に塗布し、７００℃で大気
中において焼き付け、メッキを行い端子電極とし、磁器
の寸法３．２ｍｍ×１．６ｍｍ、有効電極面積２．０×
１．０ｍｍ、誘電体厚み３０μｍ×１０層の積層コンデ
ンサを作製した。
【００５８】次にこれらのコンデンサを、ＬＣＲメータ
ー４２７４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号
レベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定した。静電容
量から比誘電率を算出した。また、試料にＤＣ６０Ｖを
印可し、無印可時との容量から、変化率を算出した（Ｄ
Ｃバイアス特性）。また、内部電極を印刷しない磁器を
乳鉢で粉末状に解砕し、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折
の測定を行い、実施例１と同様にＢｉを含む異相のピー
クの強度比を測定した。この結果を表１０、１１に示
す。また、Ｓｒ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂｉの合計モル数をＡと
し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎのモル数をＢとした時Ｂ／Ａ（表
８、９のｚ）を求め、この値も記載した。また、最大容
量変化率についても、実施例１と同様にして求め、その
結果も表１０、１１に示した。
ー４２７４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号
レベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定した。静電容
量から比誘電率を算出した。また、試料にＤＣ６０Ｖを
印可し、無印可時との容量から、変化率を算出した（Ｄ
Ｃバイアス特性）。また、内部電極を印刷しない磁器を
乳鉢で粉末状に解砕し、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折
の測定を行い、実施例１と同様にＢｉを含む異相のピー
クの強度比を測定した。この結果を表１０、１１に示
す。また、Ｓｒ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂｉの合計モル数をＡと
し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎのモル数をＢとした時Ｂ／Ａ（表
８、９のｚ）を求め、この値も記載した。また、最大容
量変化率についても、実施例１と同様にして求め、その
結果も表１０、１１に示した。
【００５９】
【表８】
【００６０】
【表９】
【００６１】
【表１０】
【００６２】
【表１１】
【００６３】表８〜１１によれば、本発明の積層セラミ
ックコンデンサは、焼成温度１１００℃以下で焼成可能
であり、Ａｇリッチの内部電極と同時焼成可能であり、
比誘電率εｒが１５００より大きく、測定周波数１ｋＨ
ｚでの誘電損失が０．２０％以下、ＤＣバイアス特性が
±１０％以内（ＤＣ２ｋＶ／ｍｍ）の優れた特性を有す
ることがわかる。また、最大容量変化率が１０％未満で
あり、温度特性に優れたコンデンサが得られる。
ックコンデンサは、焼成温度１１００℃以下で焼成可能
であり、Ａｇリッチの内部電極と同時焼成可能であり、
比誘電率εｒが１５００より大きく、測定周波数１ｋＨ
ｚでの誘電損失が０．２０％以下、ＤＣバイアス特性が
±１０％以内（ＤＣ２ｋＶ／ｍｍ）の優れた特性を有す
ることがわかる。また、最大容量変化率が１０％未満で
あり、温度特性に優れたコンデンサが得られる。
【００６４】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の誘電体磁器
は、１５００より高い比誘電率を有するとともに、誘電
損失が０．２％以下と小さく、かつ静電容量の電圧依存
性（ＤＣバイアス特性）、温度特性にも優れ、フィルム
コンデンサと同等の特性を有し、特に高周波領域におい
て有用な誘電体磁器およびこれを用いた積層セラミック
コンデンサを得ることができる。
は、１５００より高い比誘電率を有するとともに、誘電
損失が０．２％以下と小さく、かつ静電容量の電圧依存
性（ＤＣバイアス特性）、温度特性にも優れ、フィルム
コンデンサと同等の特性を有し、特に高周波領域におい
て有用な誘電体磁器およびこれを用いた積層セラミック
コンデンサを得ることができる。
【図１】試料Ｎｏ．２のＸ線回折図である。
【図２】比較例の試料Ｎｏ．２３のＸ線回折図である。
Claims (3)
- 【請求項１】金属元素としてＳｒ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｉ、
ＺｒおよびＳｎを含有し、これらの金属元素の原子比に
よる組成式を （Ｓｒ1-w-x-y Ｃａw Ｐｂx Ｂｉy ）（Ｔｉ1-m-n Ｚｒ
m Ｓｎn ）z Ｏ3+a と表した時、前記ｗ、ｘ、ｙ、ｚ、ｍおよびｎが ０ ≦ｗ≦０．２０ ０．０５≦ｘ≦０．２０ ０．０１≦ｙ≦０．３０ １．００≦ｚ≦１．２０ ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．５０ ０．０１≦ｍ≦０．１０ ０．０１≦ｎ≦０．１０ ａは過剰酸素量を満足するものを主成分とし、かつペロ
ブスカイト型結晶相を主結晶相とする誘電体磁器であっ
て、Ｘ線回折における前記ペロブスカイト型結晶相の
（１１０）面の主ピークと、前記ペロブスカイト型結晶
相の（１００）面の主ピークとの間に、Ｂｉを含有する
結晶のピークが存在し、該Ｂｉ含有結晶相のピーク強度
が、前記（１１０）面の主ピークの強度の３％以下であ
ることを特徴とする誘電体磁器。 - 【請求項２】主成分１００重量部に対して、Ｌｉおよび
Ｂのうち少なくとも１種を含有するガラス成分を０．１
〜１０．０重量部の割合で含有することを特徴とする請
求項１記載の誘電体磁器。 - 【請求項３】誘電体層と内部電極層とを交互に積層して
なる積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層
が請求項２記載の誘電体磁器からなり、内部電極層が、
Ｐｄの含有率が４０重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金からな
ることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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-
1997
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