JP2000185971A - 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ - Google Patents
誘電体磁器および積層セラミックコンデンサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】１５００よりも高い比誘電率εｒを有し、かつ
誘電損失ｔａｎδが０．２％以下の誘電体磁器および積
層セラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】金属酸化物による原子比による組成式を
（Ｓｒ1-v-w-x-y Ｍｇv Ｃａw Ｐｂx Ｂｉy ）Ｔｉz Ｏ
3+a と表した時、ｖ、ｗ、ｘ、ｙおよびｚが、０．０１
≦ｖ≦０．０５、０≦ｗ≦０．２０、０．０５≦ｘ≦
０．２０、０．０１≦ｙ≦０．３０、１．００≦ｚ≦
１．２０、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．５０（ａは過剰酸素
量）を満足するものを主成分とし、Ｘ線回折におけるペ
ロブスカイト型結晶相の（１１０）面の主ピークと、ペ
ロブスカイト型結晶相の（１００）面の主ピークとの間
にＢｉを含有する結晶のピークが存在し、該Ｂｉ含有結
晶相のピークの強度が、（１１０）面の主ピークの強度
の３％以下のものである。
誘電損失ｔａｎδが０．２％以下の誘電体磁器および積
層セラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】金属酸化物による原子比による組成式を
（Ｓｒ1-v-w-x-y Ｍｇv Ｃａw Ｐｂx Ｂｉy ）Ｔｉz Ｏ
3+a と表した時、ｖ、ｗ、ｘ、ｙおよびｚが、０．０１
≦ｖ≦０．０５、０≦ｗ≦０．２０、０．０５≦ｘ≦
０．２０、０．０１≦ｙ≦０．３０、１．００≦ｚ≦
１．２０、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．５０（ａは過剰酸素
量）を満足するものを主成分とし、Ｘ線回折におけるペ
ロブスカイト型結晶相の（１１０）面の主ピークと、ペ
ロブスカイト型結晶相の（１００）面の主ピークとの間
にＢｉを含有する結晶のピークが存在し、該Ｂｉ含有結
晶相のピークの強度が、（１１０）面の主ピークの強度
の３％以下のものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体磁器および
積層セラミックコンデンサに関するものであり、特に、
高周波領域で好適に使用され、かつ高誘電率、低損失の
誘電体磁器および積層セラミックコンデンサである。
積層セラミックコンデンサに関するものであり、特に、
高周波領域で好適に使用され、かつ高誘電率、低損失の
誘電体磁器および積層セラミックコンデンサである。
【０００２】
【従来技術】近年のエレクトロニクスの発展に伴い電子
回路の高周波化、小型化が急速に進行し、電子部品も高
周波化、小型化が要求されるようになってきている。特
に、高周波大電流回路では、損失による自己加熱が問題
となる場合があり、この場合には低損失のコンデンサが
使用されていた。
回路の高周波化、小型化が急速に進行し、電子部品も高
周波化、小型化が要求されるようになってきている。特
に、高周波大電流回路では、損失による自己加熱が問題
となる場合があり、この場合には低損失のコンデンサが
使用されていた。
【０００３】従来、このようなコンデンサとしては、低
損失で、温度特性、電圧依存性が小さい等の特性を有す
るフィルムコンデンサが用いられている。しかしなが
ら、フィルムコンデンサはモールドタイプが殆どであ
り、小型化、表面実装に対応できない。
損失で、温度特性、電圧依存性が小さい等の特性を有す
るフィルムコンデンサが用いられている。しかしなが
ら、フィルムコンデンサはモールドタイプが殆どであ
り、小型化、表面実装に対応できない。
【０００４】また、低損失高容量の領域に用いられる誘
電体磁器組成物として、特公昭５７−３７９６３号公報
および特公平７−４５３３７号公報に開示されるような
ものが知られている。
電体磁器組成物として、特公昭５７−３７９６３号公報
および特公平７−４５３３７号公報に開示されるような
ものが知られている。
【０００５】特公昭５７−３７９６３号公報に開示され
た誘電体磁器組成物は、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｐｂおよび
Ｃａからなる基本成分と、Ｃｕ、Ｍｎからなる添加成分
とから構成されている。そして、ＳｒＴｉＯ3 、Ｂｉ2
Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＰｂＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3 、Ｃｕ
Ｏ、ＭｎＣＯ3 を混合し、９３０℃で仮焼し、１２００
〜１４００℃で焼成して作製されている。この誘電体磁
器組成物では、測定周波数１ｋＨｚでの比誘電率が５０
０〜１５００、誘電損失ｔａｎδが０．１５〜０．５％
であった。
た誘電体磁器組成物は、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｐｂおよび
Ｃａからなる基本成分と、Ｃｕ、Ｍｎからなる添加成分
とから構成されている。そして、ＳｒＴｉＯ3 、Ｂｉ2
Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＰｂＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3 、Ｃｕ
Ｏ、ＭｎＣＯ3 を混合し、９３０℃で仮焼し、１２００
〜１４００℃で焼成して作製されている。この誘電体磁
器組成物では、測定周波数１ｋＨｚでの比誘電率が５０
０〜１５００、誘電損失ｔａｎδが０．１５〜０．５％
であった。
【０００６】また、特公平７−４５３３７号公報に開示
された誘電体磁器組成物は、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｐｂ、
ＣａおよびＳｎからなる基本成分と、希土類酸化物と、
ガラス成分とから構成されている。そして、ＳｒＣ
Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＣａＣＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 、希土類元素酸化物を混合し、９５０℃
で仮焼し、９４０〜１２４０℃で焼成して作製されてい
る。この誘電体磁器組成物では、測定周波数１ｋＨｚで
の比誘電率が１２４０〜１４７０、誘電損失ｔａｎδが
０．２５〜０．３６％であった。
された誘電体磁器組成物は、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｐｂ、
ＣａおよびＳｎからなる基本成分と、希土類酸化物と、
ガラス成分とから構成されている。そして、ＳｒＣ
Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＣａＣＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 、希土類元素酸化物を混合し、９５０℃
で仮焼し、９４０〜１２４０℃で焼成して作製されてい
る。この誘電体磁器組成物では、測定周波数１ｋＨｚで
の比誘電率が１２４０〜１４７０、誘電損失ｔａｎδが
０．２５〜０．３６％であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特公昭
５７−３７９６３号公報および特公平７−４５３３７号
公報に開示された誘電体磁器組成物では、１５００より
も高い比誘電率を有し、かつ０．２％以下の低損失を達
成できなかった。
５７−３７９６３号公報および特公平７−４５３３７号
公報に開示された誘電体磁器組成物では、１５００より
も高い比誘電率を有し、かつ０．２％以下の低損失を達
成できなかった。
【０００８】即ち、一般的に比誘電率が高い誘電体磁器
組成物は誘電損失が大きくなる傾向があり、比誘電率を
上げれば誘電損失が大きくなり、例えば、上記したよう
に、高周波大電流回路では損失による自己加熱が問題と
なった。
組成物は誘電損失が大きくなる傾向があり、比誘電率を
上げれば誘電損失が大きくなり、例えば、上記したよう
に、高周波大電流回路では損失による自己加熱が問題と
なった。
【０００９】本発明は、１５００よりも高い比誘電率ε
ｒを有し、かつ誘電損失ｔａｎδが０．２％以下の誘電
体磁器を提供することを目的とするもので、フィルムコ
ンデンサと同等の特性を有し、良好な比誘電率の温度特
性を有し、特に高周波領域において有用な誘電体磁器お
よび積層セラミックコンデンサを提供することを目的と
する。
ｒを有し、かつ誘電損失ｔａｎδが０．２％以下の誘電
体磁器を提供することを目的とするもので、フィルムコ
ンデンサと同等の特性を有し、良好な比誘電率の温度特
性を有し、特に高周波領域において有用な誘電体磁器お
よび積層セラミックコンデンサを提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器は、
金属元素として少なくともＳｒ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔ
ｉを含有し、これらの金属元素の原子比による組成式を
（Ｓｒ1-v-w-x-y Ｍｇv Ｃａw Ｐｂx Ｂｉy ）Ｔｉz Ｏ
3+a と表した時、前記ｖ、ｗ、ｘ、ｙおよびｚが、０．
０１≦ｖ≦０．０５、０≦ｗ≦０．２０、０．０５≦ｘ
≦０．２０、０．０１≦ｙ≦０．３０、１．００≦ｚ≦
１．２０、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．５０（ａは過剰酸素
量）を満足するものを主成分とし、かつペロブスカイト
型結晶相を主結晶相とする誘電体磁器であって、Ｘ線回
折における前記ペロブスカイト型結晶相の（１１０）面
の主ピークと、前記ペロブスカイト型結晶相の（１０
０）面の主ピークとの間に、Ｂｉを含有する結晶のピー
クが存在し、該Ｂｉ含有結晶相のピーク強度が、前記
（１１０）面の主ピークの強度の３％以下であることを
特徴とする。ここで、主成分１００重量部に対して、Ｌ
ｉおよびＢのうち少なくとも１種を含有するガラス成分
を０．１〜１０．０重量部の割合で含有することが望ま
しい。
金属元素として少なくともＳｒ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔ
ｉを含有し、これらの金属元素の原子比による組成式を
（Ｓｒ1-v-w-x-y Ｍｇv Ｃａw Ｐｂx Ｂｉy ）Ｔｉz Ｏ
3+a と表した時、前記ｖ、ｗ、ｘ、ｙおよびｚが、０．
０１≦ｖ≦０．０５、０≦ｗ≦０．２０、０．０５≦ｘ
≦０．２０、０．０１≦ｙ≦０．３０、１．００≦ｚ≦
１．２０、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．５０（ａは過剰酸素
量）を満足するものを主成分とし、かつペロブスカイト
型結晶相を主結晶相とする誘電体磁器であって、Ｘ線回
折における前記ペロブスカイト型結晶相の（１１０）面
の主ピークと、前記ペロブスカイト型結晶相の（１０
０）面の主ピークとの間に、Ｂｉを含有する結晶のピー
クが存在し、該Ｂｉ含有結晶相のピーク強度が、前記
（１１０）面の主ピークの強度の３％以下であることを
特徴とする。ここで、主成分１００重量部に対して、Ｌ
ｉおよびＢのうち少なくとも１種を含有するガラス成分
を０．１〜１０．０重量部の割合で含有することが望ま
しい。
【００１１】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
は、誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる積層
セラミックコンデンサであって、前記誘電体層が上記記
載の誘電体磁器からなり、内部電極層が、Ｐｄの含有率
が４０重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金からなることを特徴
とする。
は、誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる積層
セラミックコンデンサであって、前記誘電体層が上記記
載の誘電体磁器からなり、内部電極層が、Ｐｄの含有率
が４０重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金からなることを特徴
とする。
【００１２】
【作用】本発明の誘電体磁器では、ペロブスカイト型結
晶相の（１１０）面の主ピークと（１００）面の主ピー
クとの間の、Ｂｉを含有する異相のピークの強度が、
（１１０）面の主ピークの強度の３％以下であるため、
Ｂｉの殆どはペロブスカイト型結晶相に固溶することに
なり、高誘電率のペロブスカイト型結晶相が増加し、低
誘電率で誘電損失の大きなＢｉを含有する異相が減少す
ることになり、このため、測定周波数１ｋＨｚでの比誘
電率を１５００より大きく、誘電損失を０．２％以下と
することができる。
晶相の（１１０）面の主ピークと（１００）面の主ピー
クとの間の、Ｂｉを含有する異相のピークの強度が、
（１１０）面の主ピークの強度の３％以下であるため、
Ｂｉの殆どはペロブスカイト型結晶相に固溶することに
なり、高誘電率のペロブスカイト型結晶相が増加し、低
誘電率で誘電損失の大きなＢｉを含有する異相が減少す
ることになり、このため、測定周波数１ｋＨｚでの比誘
電率を１５００より大きく、誘電損失を０．２％以下と
することができる。
【００１３】従来の特公昭５７−３７９６３号公報およ
び特公平７−４５３３７号公報に開示された誘電体磁器
は、基本成分を９５０℃程度で仮焼し、高誘電率のペロ
ブスカイト相を析出させているが、仮焼温度が低いため
Ｂｉがペロブスカイト相中に固溶せず、あるいは固溶し
てもその固溶量は少なく、本願で言うＢｉを含有するＢ
ｉ含有結晶相（異相）として存在していると考えられ、
このため比誘電率が１５００以下と小さく、しかも誘電
損失も大きいと考えられる。
び特公平７−４５３３７号公報に開示された誘電体磁器
は、基本成分を９５０℃程度で仮焼し、高誘電率のペロ
ブスカイト相を析出させているが、仮焼温度が低いため
Ｂｉがペロブスカイト相中に固溶せず、あるいは固溶し
てもその固溶量は少なく、本願で言うＢｉを含有するＢ
ｉ含有結晶相（異相）として存在していると考えられ、
このため比誘電率が１５００以下と小さく、しかも誘電
損失も大きいと考えられる。
【００１４】本願では、Ｂｉをペロブスカイト相中に固
溶させるために、１１００℃以上の仮焼温度で反応させ
ている。このため、Ｂｉが高誘電率のペロブスカイト相
中に大量に固溶し、Ｂｉを含有する異相のピークの強度
が（１１０）面の主ピークの強度の３％以下となり上記
したような作用効果を有するのである。
溶させるために、１１００℃以上の仮焼温度で反応させ
ている。このため、Ｂｉが高誘電率のペロブスカイト相
中に大量に固溶し、Ｂｉを含有する異相のピークの強度
が（１１０）面の主ピークの強度の３％以下となり上記
したような作用効果を有するのである。
【００１５】さらに、本発明の誘電体磁器には、Ｍｇを
所定量含有することにより、比誘電率（静電容量）の温
度特性を大きく向上できる。
所定量含有することにより、比誘電率（静電容量）の温
度特性を大きく向上できる。
【００１６】さらに、誘電体磁器として、主成分１００
重量部に対して、ＬｉおよびＢのうち少なくとも１種を
含有するガラス成分を０．１〜１０重量部含有すること
により、１０００〜１１５０℃の低温焼成化が可能とな
る。このため、内部電極として、Ｐｄ含有量の少ない、
Ａｇ−Ｐｄ電極材料を用いることができ、ＰｄとＢｉと
の反応を抑えることが可能となり、内部電極との同時焼
成が可能となる。
重量部に対して、ＬｉおよびＢのうち少なくとも１種を
含有するガラス成分を０．１〜１０重量部含有すること
により、１０００〜１１５０℃の低温焼成化が可能とな
る。このため、内部電極として、Ｐｄ含有量の少ない、
Ａｇ−Ｐｄ電極材料を用いることができ、ＰｄとＢｉと
の反応を抑えることが可能となり、内部電極との同時焼
成が可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器は、Ｘ線回折
におけるペロブスカイト型結晶相の（１１０）面の主ピ
ークと、ペロブスカイト型結晶相の（１００）面の主ピ
ークとの間に検出され、かつＢｉを含有するＢｉ含有結
晶相（異相）のピークの強度を、（１１０）面の主ピー
クの強度の３％以下としたものである。
におけるペロブスカイト型結晶相の（１１０）面の主ピ
ークと、ペロブスカイト型結晶相の（１００）面の主ピ
ークとの間に検出され、かつＢｉを含有するＢｉ含有結
晶相（異相）のピークの強度を、（１１０）面の主ピー
クの強度の３％以下としたものである。
【００１８】ここで、Ｂｉを含む異相の割合を（１１
０）面の主ピークの強度の３％以下と限定した理由は、
Ｂｉがペロブスカイ相中に固溶することにより、高誘電
率、低損失、温度特性に優れた材料となるからであり、
Ｂｉが固溶せずに、（１１０）面の主ピークの強度の３
％よりも多く異相を形成すると、いずれの特性も劣化し
てしまうからである。この異相のピークは存在しない方
が望ましいが、Ｂｉをペロブスカイト相中に固溶させる
ためにＢｉを添加するため、全く存在しないということ
はあり得ないと考えられる。異相のピーク強度は、（１
１０）面の主ピークの強度の１％以下、特に０．５％以
下が望ましい。
０）面の主ピークの強度の３％以下と限定した理由は、
Ｂｉがペロブスカイ相中に固溶することにより、高誘電
率、低損失、温度特性に優れた材料となるからであり、
Ｂｉが固溶せずに、（１１０）面の主ピークの強度の３
％よりも多く異相を形成すると、いずれの特性も劣化し
てしまうからである。この異相のピークは存在しない方
が望ましいが、Ｂｉをペロブスカイト相中に固溶させる
ためにＢｉを添加するため、全く存在しないということ
はあり得ないと考えられる。異相のピーク強度は、（１
１０）面の主ピークの強度の１％以下、特に０．５％以
下が望ましい。
【００１９】尚、ペロブスカイト型結晶相の（１１０）
面の主ピークと、ペロブスカイト型結晶相の（１００）
面の主ピークは、それぞれ単一のピークからなること
が、高誘電率および低損失という観点から望ましい。
面の主ピークと、ペロブスカイト型結晶相の（１００）
面の主ピークは、それぞれ単一のピークからなること
が、高誘電率および低損失という観点から望ましい。
【００２０】ペロブスカイト型結晶相の（１１０）面の
ピークは、Ｘ線源としてＣｕ−ｋα線を用いた場合、Ｘ
線回析図において、２θ＝３２度付近に生じ、また、
（１００）面のピークは２θ＝２３度付近に生じる。そ
して、これらのピークの間にＢｉを含有する異相が生じ
るが、異相としては、Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12、Ｂｉ2 Ｔｉ2
Ｏ7 、ＳｒＢｉ4 Ｔｉ4 Ｏ13、Ｓｒ2 Ｂｉ4 Ｔｉ
5 Ｏ14、ＰｂＢｉ4 Ｔｉ4 Ｏ13、Ｐｂ2 Ｂｉ4 Ｔｉ5 Ｏ
14等があり、これらは、主に２θ＝３０度付近に生じ
る。その他の結晶相としてＴｉＯ2 が析出する場合もあ
る。
ピークは、Ｘ線源としてＣｕ−ｋα線を用いた場合、Ｘ
線回析図において、２θ＝３２度付近に生じ、また、
（１００）面のピークは２θ＝２３度付近に生じる。そ
して、これらのピークの間にＢｉを含有する異相が生じ
るが、異相としては、Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12、Ｂｉ2 Ｔｉ2
Ｏ7 、ＳｒＢｉ4 Ｔｉ4 Ｏ13、Ｓｒ2 Ｂｉ4 Ｔｉ
5 Ｏ14、ＰｂＢｉ4 Ｔｉ4 Ｏ13、Ｐｂ2 Ｂｉ4 Ｔｉ5 Ｏ
14等があり、これらは、主に２θ＝３０度付近に生じ
る。その他の結晶相としてＴｉＯ2 が析出する場合もあ
る。
【００２１】また、本発明の誘電体磁器では、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ａｌ、Ｆｅ等の不純物が混入しても良いし、粉砕ボ
ールからのボール成分が混入する場合もある。さらに、
本発明の誘電体磁器では、ＣｕＯ、ＭｎＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 等を添加しても良い。尚、不純物としてのＭｇの混入
は、ＭｇＯとして、５００ｐｐｍ以下である。
ｂ、Ａｌ、Ｆｅ等の不純物が混入しても良いし、粉砕ボ
ールからのボール成分が混入する場合もある。さらに、
本発明の誘電体磁器では、ＣｕＯ、ＭｎＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 等を添加しても良い。尚、不純物としてのＭｇの混入
は、ＭｇＯとして、５００ｐｐｍ以下である。
【００２２】本発明の誘電体磁器は、モル比による組成
式を（Ｓｒ1-v-w-x-y Ｍｇv Ｃａw Ｐｂx Ｂｉy ）Ｔｉ
z Ｏ3+a と表した時、前記ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、およびｚ
が、０．０１≦ｖ≦０．０５、０≦ｗ≦０．２０、０．
０５≦ｘ≦０．２０、０．０１≦ｙ≦０．３０、１．０
０≦ｚ≦１．２０、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．５０（ａは過
剰酸素量）を満足することが望ましい。
式を（Ｓｒ1-v-w-x-y Ｍｇv Ｃａw Ｐｂx Ｂｉy ）Ｔｉ
z Ｏ3+a と表した時、前記ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、およびｚ
が、０．０１≦ｖ≦０．０５、０≦ｗ≦０．２０、０．
０５≦ｘ≦０．２０、０．０１≦ｙ≦０．３０、１．０
０≦ｚ≦１．２０、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．５０（ａは過
剰酸素量）を満足することが望ましい。
【００２３】ここで、Ａサイト中のＳｒのＭｇによる置
換量ｖを０．０１〜０．０５としたのは、ｖが０．０１
より小さい場合は温度特性が悪く、０．０５よりも大き
い場合には比誘電率が低くなるからである。ｖは、温度
特性を向上するという観点から０．０２≦ｖ≦０．０３
４であることが望ましい。
換量ｖを０．０１〜０．０５としたのは、ｖが０．０１
より小さい場合は温度特性が悪く、０．０５よりも大き
い場合には比誘電率が低くなるからである。ｖは、温度
特性を向上するという観点から０．０２≦ｖ≦０．０３
４であることが望ましい。
【００２４】また、Ａサイト中のＳｒのＣａによる置換
量ｗを０〜０．２としたのは、ｗが０．２よりも大きい
場合には比誘電率が低くなるからである。ｗは、比誘電
率を向上するという観点から０．０４≦ｗ≦０．１３で
あることが望ましい。
量ｗを０〜０．２としたのは、ｗが０．２よりも大きい
場合には比誘電率が低くなるからである。ｗは、比誘電
率を向上するという観点から０．０４≦ｗ≦０．１３で
あることが望ましい。
【００２５】また、Ａサイト中のＳｒのＰｂによる置換
量ｘを０．０５〜０．２としたのは、ｘが０．０５より
も小さい場合には比誘電率が低く、一方０．２よりも大
きい場合には誘電損失が大きくなるからである。ｘは、
比誘電率および誘電損失の点から、０．１０≦ｘ≦０．
１７が望ましい。
量ｘを０．０５〜０．２としたのは、ｘが０．０５より
も小さい場合には比誘電率が低く、一方０．２よりも大
きい場合には誘電損失が大きくなるからである。ｘは、
比誘電率および誘電損失の点から、０．１０≦ｘ≦０．
１７が望ましい。
【００２６】さらに、Ａサイト中のＳｒのＢｉによる置
換量ｙを０．０１〜０．３としたのは、ｙが０．０１よ
りも小さい場合には誘電損失が悪く、ｙが０．３０より
も大きくなると比誘電率が低くなるからである。ｙは、
比誘電率および誘電損失の点から、０．１３≦ｙ≦０．
２４が望ましい。
換量ｙを０．０１〜０．３としたのは、ｙが０．０１よ
りも小さい場合には誘電損失が悪く、ｙが０．３０より
も大きくなると比誘電率が低くなるからである。ｙは、
比誘電率および誘電損失の点から、０．１３≦ｙ≦０．
２４が望ましい。
【００２７】また、Ｂ／Ａ比を示すｚを１〜１．２とし
たのは、ｚが１よりも小さい場合には比誘電率が低く、
誘電損失が悪く、ｚが１．２０よりも大きくなると比誘
電率が低くなる傾向にあるからである。ｚは、比誘電率
および誘電損失の点から、１．１≦ｚ≦１．２が望まし
い。
たのは、ｚが１よりも小さい場合には比誘電率が低く、
誘電損失が悪く、ｚが１．２０よりも大きくなると比誘
電率が低くなる傾向にあるからである。ｚは、比誘電率
および誘電損失の点から、１．１≦ｚ≦１．２が望まし
い。
【００２８】さらに、Ａサイト中のＳｒのＭｇ、Ｃａ、
Ｐｂ、Ｂｉによる置換量ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙを０．５０以下
としたのは、０．５よりも多い場合には誘電損失が大き
くなるからである。特に、比誘電率向上という観点か
ら、０．３０≦ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．４０が望ましい。
また、上記組成式におけるａは、過剰酸素量を示してお
り、ａは０〜０．５５であり、０．１５〜０．４である
ことが望ましい。
Ｐｂ、Ｂｉによる置換量ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙを０．５０以下
としたのは、０．５よりも多い場合には誘電損失が大き
くなるからである。特に、比誘電率向上という観点か
ら、０．３０≦ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．４０が望ましい。
また、上記組成式におけるａは、過剰酸素量を示してお
り、ａは０〜０．５５であり、０．１５〜０．４である
ことが望ましい。
【００２９】そして、本発明の誘電体磁器では、上記主
成分１００重量部に対して、ＬｉおよびＢのうち少なく
とも１種を含有するガラス成分を０．１〜１０．０重量
部の割合で含有することが望ましい。ガラス成分の量が
０．１重量部未満では焼成温度低下効果が無く、１０重
量部よりも多いと比誘電率が低下し、誘電損失も増大す
るからである。添加成分にＬｉおよびＢのうち少なくと
も一種を含有せしめたのは、Ｌｉ、Ｂを含まないと誘電
特性を劣化させずに、焼成温度が１１５０℃以下となら
ないからである。添加量は、誘電損失を小さくするとい
う観点から０．５〜５重量部が望ましい。
成分１００重量部に対して、ＬｉおよびＢのうち少なく
とも１種を含有するガラス成分を０．１〜１０．０重量
部の割合で含有することが望ましい。ガラス成分の量が
０．１重量部未満では焼成温度低下効果が無く、１０重
量部よりも多いと比誘電率が低下し、誘電損失も増大す
るからである。添加成分にＬｉおよびＢのうち少なくと
も一種を含有せしめたのは、Ｌｉ、Ｂを含まないと誘電
特性を劣化させずに、焼成温度が１１５０℃以下となら
ないからである。添加量は、誘電損失を小さくするとい
う観点から０．５〜５重量部が望ましい。
【００３０】本発明の誘電体磁器は、例えば、ＳｒＣＯ
3 、ＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＰｂＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉＯ2 の各原料粉末を所定量となるように秤量し、混合
粉砕し、これを１１００〜１２００℃の温度で大気中で
１〜３時間仮焼する。仮焼温度は、Ｂｉのペロブスカイ
ト相への固溶を促進するという観点から１１５０℃以上
が望ましい。
3 、ＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＰｂＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉＯ2 の各原料粉末を所定量となるように秤量し、混合
粉砕し、これを１１００〜１２００℃の温度で大気中で
１〜３時間仮焼する。仮焼温度は、Ｂｉのペロブスカイ
ト相への固溶を促進するという観点から１１５０℃以上
が望ましい。
【００３１】得られた仮焼物と、所望により所定量の添
加成分を秤量し、混合粉砕し、例えば、ドクターブレー
ド法等の公知手段により成形し、大気中等の酸化性雰囲
気において１０００〜１２００℃において０．５〜２時
間焼成を行い、本発明の誘電体磁器が得られる。
加成分を秤量し、混合粉砕し、例えば、ドクターブレー
ド法等の公知手段により成形し、大気中等の酸化性雰囲
気において１０００〜１２００℃において０．５〜２時
間焼成を行い、本発明の誘電体磁器が得られる。
【００３２】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
は、誘電体層と内部電極層を交互に積層してなる積層セ
ラミックコンデンサであって、前記誘電体層が上記の誘
電体磁器からなり、内部電極層が、Ｐｄの含有率が４０
重量％以下、特に３０重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金から
なるものである。
は、誘電体層と内部電極層を交互に積層してなる積層セ
ラミックコンデンサであって、前記誘電体層が上記の誘
電体磁器からなり、内部電極層が、Ｐｄの含有率が４０
重量％以下、特に３０重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金から
なるものである。
【００３３】このような積層セラミックコンデンサは、
上記のように、ＳｒＣＯ3 、ＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、
ＰｂＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 の各原料粉末を混合し、
これらを仮焼して得られた仮焼物と、Ｌｉおよび／また
はＢを含有するガラス成分を所定量秤量し、混合粉砕
し、例えば、ドクターブレード法によりフィルム状シー
トを作製する。
上記のように、ＳｒＣＯ3 、ＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、
ＰｂＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 の各原料粉末を混合し、
これらを仮焼して得られた仮焼物と、Ｌｉおよび／また
はＢを含有するガラス成分を所定量秤量し、混合粉砕
し、例えば、ドクターブレード法によりフィルム状シー
トを作製する。
【００３４】このフィルム状シートの上面に、Ｐｄの含
有率が４０重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金からなる内部電
極ペーストをスクリーン印刷法等により印刷した後、内
部電極ペーストが塗布されたフィルム状シートを複数積
層、熱圧着プレス、カットし、脱バインダー処理後、１
０００〜１１５０℃において０．５〜２時間焼成を行
い、タンブリング後、端子電極の焼き付け、メッキ後、
本発明の積層セラミックコンデンサが得られる。
有率が４０重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金からなる内部電
極ペーストをスクリーン印刷法等により印刷した後、内
部電極ペーストが塗布されたフィルム状シートを複数積
層、熱圧着プレス、カットし、脱バインダー処理後、１
０００〜１１５０℃において０．５〜２時間焼成を行
い、タンブリング後、端子電極の焼き付け、メッキ後、
本発明の積層セラミックコンデンサが得られる。
【００３５】
【実施例】（実施例１）先ず、純度９９％以上のＳｒＣ
Ｏ3 、ＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＰｂＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、
ＴｉＯ2 の各原料粉末を表１に示す割合で秤量し、該原
料粉末に媒体として純水を加えて２４時間ＺｒＯ2 ボー
ルを用いたボールミルにて混合した後、該混合物を乾燥
し、次いで、該乾燥物を１１５０℃の温度で大気中２時
間仮焼した。得られた仮焼物を、分散剤、分散媒ととも
に２４時間ボールミルにて混合粉砕し、原料スラリーを
調整した。尚、試料番号１８、２３、２４、２８につい
ては、仮焼温度を９５０℃とした。
Ｏ3 、ＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＰｂＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、
ＴｉＯ2 の各原料粉末を表１に示す割合で秤量し、該原
料粉末に媒体として純水を加えて２４時間ＺｒＯ2 ボー
ルを用いたボールミルにて混合した後、該混合物を乾燥
し、次いで、該乾燥物を１１５０℃の温度で大気中２時
間仮焼した。得られた仮焼物を、分散剤、分散媒ととも
に２４時間ボールミルにて混合粉砕し、原料スラリーを
調整した。尚、試料番号１８、２３、２４、２８につい
ては、仮焼温度を９５０℃とした。
【００３６】このスラリーに有機バインダー、可塑剤を
加え、十分撹拌後ドクターブレード法により４５μｍの
フィルム状シートに成形した。このフィルム状シートを
３３層積層し、熱圧着後切断して試料を得た。この試料
を大気中、３００℃の温度で４時間加熱して脱バインダ
ー処理し、引き続いて１２００℃で大気中で２時間焼成
し、直径１０ｍｍ×１ｍｍの試料を得た。この試料の両
面にＩｎ−Ｇａ電極を塗布し、評価試料を作製した。
加え、十分撹拌後ドクターブレード法により４５μｍの
フィルム状シートに成形した。このフィルム状シートを
３３層積層し、熱圧着後切断して試料を得た。この試料
を大気中、３００℃の温度で４時間加熱して脱バインダ
ー処理し、引き続いて１２００℃で大気中で２時間焼成
し、直径１０ｍｍ×１ｍｍの試料を得た。この試料の両
面にＩｎ−Ｇａ電極を塗布し、評価試料を作製した。
【００３７】次にこれらの評価試料を、ＬＣＲメーター
４２７４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レ
ベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定した。静電容量
から比誘電率を算出した。また、得られた磁器を乳鉢で
粉末状に解砕し、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折の測定
を行い、ペロブスカイト型結晶相の主ピーク（１１０）
の強度に対する、ペロブスカイト型結晶相の主ピーク
（１１０）と、ペロブスカイト型結晶相のピーク（１０
０）との間に検出される、Ｂｉを含む異相のピークの強
度比を測定した。この結果を表２に示す。
４２７４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レ
ベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定した。静電容量
から比誘電率を算出した。また、得られた磁器を乳鉢で
粉末状に解砕し、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折の測定
を行い、ペロブスカイト型結晶相の主ピーク（１１０）
の強度に対する、ペロブスカイト型結晶相の主ピーク
（１１０）と、ペロブスカイト型結晶相のピーク（１０
０）との間に検出される、Ｂｉを含む異相のピークの強
度比を測定した。この結果を表２に示す。
【００３８】また、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂｉの合
計モル数をＡとし、Ｔｉのモル数をＢとした時Ｂ／Ａ
（表１のｚ）を求め、この値も記載した。
計モル数をＡとし、Ｔｉのモル数をＢとした時Ｂ／Ａ
（表１のｚ）を求め、この値も記載した。
【００３９】さらに、−２５〜８５℃の範囲において｜
△Ｃ／Ｃ｜ｍａｘで表される最大容量変化率を求め、こ
れについて表２に記載した。ここで、△Ｃは２５℃の時
の静電容量（Ｃ）を基準として−２５〜８５℃の範囲に
おいて最も変化が大きい場合の静電容量変化を示してお
り、最大容量変化率（％）は、△Ｃ／Ｃの値の絶対値に
より表される。これらの結果を表２に記載した。
△Ｃ／Ｃ｜ｍａｘで表される最大容量変化率を求め、こ
れについて表２に記載した。ここで、△Ｃは２５℃の時
の静電容量（Ｃ）を基準として−２５〜８５℃の範囲に
おいて最も変化が大きい場合の静電容量変化を示してお
り、最大容量変化率（％）は、△Ｃ／Ｃの値の絶対値に
より表される。これらの結果を表２に記載した。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】これらの表１、２によれば、本発明の誘電
体磁器は、比誘電率εｒが１５００より高く、測定周波
数１ｋＨｚでの誘電損失が０．２０％以下を満足する優
れた特性を有することが判る。また、Ｍｇを含有しない
試料番号１では最大容量変化率が１６％であるのに対し
て、本願発明の試料では１０％未満であり、温度特性が
大きく向上していることが判る。なお試料番号２、２４
のＸ線回折チャートを図１及び図２に示す。
体磁器は、比誘電率εｒが１５００より高く、測定周波
数１ｋＨｚでの誘電損失が０．２０％以下を満足する優
れた特性を有することが判る。また、Ｍｇを含有しない
試料番号１では最大容量変化率が１６％であるのに対し
て、本願発明の試料では１０％未満であり、温度特性が
大きく向上していることが判る。なお試料番号２、２４
のＸ線回折チャートを図１及び図２に示す。
【００４３】（実施例２）先ず、純度９９％以上のＳｒ
ＣＯ3 、ＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＰｂＯ、Ｂｉ
2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 の各原料粉末を表３に示す割合で秤量
し、該原料粉末に媒体として純水を加えて２４時間ボー
ルミルにて混合した後、該混合物を乾燥し、次いで、該
乾燥物を１１５０℃の温度で大気中２時間仮焼した。得
られた仮焼物に表４に示すガラス成分の内１種を表３に
示す所定量の割合で加え、分散剤、分散媒とともに２４
時間ボールミルにて混合粉砕し、原料スラリーを調整し
た。尚、試料番号５１、５２、５６については、仮焼温
度を９５０℃とした。
ＣＯ3 、ＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＰｂＯ、Ｂｉ
2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 の各原料粉末を表３に示す割合で秤量
し、該原料粉末に媒体として純水を加えて２４時間ボー
ルミルにて混合した後、該混合物を乾燥し、次いで、該
乾燥物を１１５０℃の温度で大気中２時間仮焼した。得
られた仮焼物に表４に示すガラス成分の内１種を表３に
示す所定量の割合で加え、分散剤、分散媒とともに２４
時間ボールミルにて混合粉砕し、原料スラリーを調整し
た。尚、試料番号５１、５２、５６については、仮焼温
度を９５０℃とした。
【００４４】このスラリーに有機バインダー、可塑剤を
加え、十分撹拌後ドクターブレード法によりフィルム状
に成形した。このフィルムを積層、熱圧着後切断して試
料を得た。この試料を大気中、３００℃の温度で４時間
加熱して脱バインダー処理し、引き続いて１１００℃で
大気中で２時間焼成し、直径１０ｍｍ×１ｍｍの試料を
得た。この試料の両面にＩｎ−Ｇａ電極を塗布し、評価
試料を作製した。また得られた試料を平面研磨を行い厚
み１００μｍの試料を得た。この両面にＡｕを蒸着し、
電極とした。
加え、十分撹拌後ドクターブレード法によりフィルム状
に成形した。このフィルムを積層、熱圧着後切断して試
料を得た。この試料を大気中、３００℃の温度で４時間
加熱して脱バインダー処理し、引き続いて１１００℃で
大気中で２時間焼成し、直径１０ｍｍ×１ｍｍの試料を
得た。この試料の両面にＩｎ−Ｇａ電極を塗布し、評価
試料を作製した。また得られた試料を平面研磨を行い厚
み１００μｍの試料を得た。この両面にＡｕを蒸着し、
電極とした。
【００４５】次にこれらの評価試料を、ＬＣＲメーター
４２７４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レ
ベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定した。静電容量
から比誘電率を算出した。また、厚み１００μｍの試料
にＤＣ２００Ｖを印可し、無印可時との容量から、変化
率を算出した（ＤＣバイアス特性）。また、得られた磁
器を乳鉢で粉末状に解砕し、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線
回折の測定を行い、実施例１と同様にＢｉを含む異相の
ピークの強度比を測定した。これらの結果を表５に示
す。また、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂｉの合計モル数
をＡとし、Ｔｉのモル数をＢとした時Ｂ／Ａ（表３の
ｚ）を求め、この値も記載した。
４２７４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レ
ベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定した。静電容量
から比誘電率を算出した。また、厚み１００μｍの試料
にＤＣ２００Ｖを印可し、無印可時との容量から、変化
率を算出した（ＤＣバイアス特性）。また、得られた磁
器を乳鉢で粉末状に解砕し、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線
回折の測定を行い、実施例１と同様にＢｉを含む異相の
ピークの強度比を測定した。これらの結果を表５に示
す。また、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂｉの合計モル数
をＡとし、Ｔｉのモル数をＢとした時Ｂ／Ａ（表３の
ｚ）を求め、この値も記載した。
【００４６】また、最大容量変化率についても、実施例
１と同様にして求め、その結果も表５に示した。
１と同様にして求め、その結果も表５に示した。
【００４７】
【表３】
【００４８】
【表４】
【００４９】
【表５】
【００５０】これらの表３〜５によれば、本発明の誘電
体磁器は、比誘電率εｒが１５００より高く、１ｋＨｚ
での誘電損失が０．２０％以下、ＤＣバイアス特性が±
１０％以内（ＤＣ２ｋＶ／ｍｍ）の優れた特性を有する
ことがわかる。尚また、Ｍｇを含有しない試料番号２９
では最大容量変化率が１６％であるのに対して、本願発
明の試料では、１０％未満であり、温度特性が向上して
いることが判る。
体磁器は、比誘電率εｒが１５００より高く、１ｋＨｚ
での誘電損失が０．２０％以下、ＤＣバイアス特性が±
１０％以内（ＤＣ２ｋＶ／ｍｍ）の優れた特性を有する
ことがわかる。尚また、Ｍｇを含有しない試料番号２９
では最大容量変化率が１６％であるのに対して、本願発
明の試料では、１０％未満であり、温度特性が向上して
いることが判る。
【００５１】（実施例３）先ず、純度９９％以上のＳｒ
ＣＯ3 、ＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＰｂＯ、Ｂｉ
2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 の各原料粉末を表６に示す割合で秤量
し、該原料粉末に媒体として純水を加えて２４時間ボー
ルミルにて混合した後、該混合物を乾燥し、次いで、該
乾燥物を１１５０℃の温度で大気中２時間仮焼した。得
られた仮焼物に表４に示すガラス成分を表６に示す量だ
け加え、分散剤、分散媒とともに２４時間ボールミルに
て混合粉砕し、原料スラリーを調整した。尚、試料番号
８７、８８、９２については、仮焼温度を９５０℃とし
た。
ＣＯ3 、ＭｇＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＰｂＯ、Ｂｉ
2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 の各原料粉末を表６に示す割合で秤量
し、該原料粉末に媒体として純水を加えて２４時間ボー
ルミルにて混合した後、該混合物を乾燥し、次いで、該
乾燥物を１１５０℃の温度で大気中２時間仮焼した。得
られた仮焼物に表４に示すガラス成分を表６に示す量だ
け加え、分散剤、分散媒とともに２４時間ボールミルに
て混合粉砕し、原料スラリーを調整した。尚、試料番号
８７、８８、９２については、仮焼温度を９５０℃とし
た。
【００５２】このスラリーに有機バインダー、可塑剤を
加え、十分攪拌後ドクターブレード法により厚み４５μ
ｍのフィルム状シートに成形した。このフィルム状シー
トに、内部電極用に調整したＡｇ−Ｐｄペースト（Ａｇ
７０重量％、Ｐｄ３０重量％）をスクリーン印刷法によ
り印刷した後、ダミー層を加えて２０層積層し、熱圧着
後、切断した。
加え、十分攪拌後ドクターブレード法により厚み４５μ
ｍのフィルム状シートに成形した。このフィルム状シー
トに、内部電極用に調整したＡｇ−Ｐｄペースト（Ａｇ
７０重量％、Ｐｄ３０重量％）をスクリーン印刷法によ
り印刷した後、ダミー層を加えて２０層積層し、熱圧着
後、切断した。
【００５３】これを大気中、３００℃の温度で４時間加
熱して脱バインダー処理し、引き続いて１１００℃で大
気中で２時間焼成した。タンブリング後、端子電極用に
調整したＡｇペーストを端面に塗布、７００℃、大気中
で焼き付け、メッキを行い端子電極とし、磁器の寸法
３．２ｍｍ×１．６ｍｍ、有効電極面積２．０×１．０
ｍｍ、誘電体厚み３０μｍ×１０層の積層コンデンサを
作製した。
熱して脱バインダー処理し、引き続いて１１００℃で大
気中で２時間焼成した。タンブリング後、端子電極用に
調整したＡｇペーストを端面に塗布、７００℃、大気中
で焼き付け、メッキを行い端子電極とし、磁器の寸法
３．２ｍｍ×１．６ｍｍ、有効電極面積２．０×１．０
ｍｍ、誘電体厚み３０μｍ×１０層の積層コンデンサを
作製した。
【００５４】次にこれらのコンデンサを、ＬＣＲメータ
ー４２７４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号
レベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定した。静電容
量から比誘電率を算出した。また、試料にＤＣ６０Ｖを
印可し、無印可時との容量から、変化率を算出した（Ｄ
Ｃバイアス特性）。また、内部電極を印刷しない磁器を
乳鉢で粉末状に解砕し、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折
の測定を行い、実施例１と同様にＢｉを含む異相のピー
クの強度比を測定した。これらの結果を表７に示す。
ー４２７４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号
レベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定した。静電容
量から比誘電率を算出した。また、試料にＤＣ６０Ｖを
印可し、無印可時との容量から、変化率を算出した（Ｄ
Ｃバイアス特性）。また、内部電極を印刷しない磁器を
乳鉢で粉末状に解砕し、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折
の測定を行い、実施例１と同様にＢｉを含む異相のピー
クの強度比を測定した。これらの結果を表７に示す。
【００５５】また、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂｉの合
計モル数をＡとし、Ｔｉのモル数をＢとした時Ｂ／Ａ
（表６のｚ）を求め、この値も記載した。また、最大容
量変化率についても、実施例１と同様にして求め、その
結果も表７に示した。
計モル数をＡとし、Ｔｉのモル数をＢとした時Ｂ／Ａ
（表６のｚ）を求め、この値も記載した。また、最大容
量変化率についても、実施例１と同様にして求め、その
結果も表７に示した。
【００５６】
【表６】
【００５７】
【表７】
【００５８】これらの表６、７によれば、本発明の積層
セラミックコンデンサは、焼成温度１１００℃で焼成可
能であり、Ａｇリッチの内部電極と同時焼成可能であ
り、比誘電率εｒが１５００より高く、測定周波数１ｋ
Ｈｚでの誘電損失が０．２０％以下、ＤＣバイアス特性
が±１０％以内（ＤＣ２ｋＶ／ｍｍ）の優れた特性を有
することがわかる。また、最大容量変化率が１０％未満
であり、温度特性に優れたコンデンサが得られる。
セラミックコンデンサは、焼成温度１１００℃で焼成可
能であり、Ａｇリッチの内部電極と同時焼成可能であ
り、比誘電率εｒが１５００より高く、測定周波数１ｋ
Ｈｚでの誘電損失が０．２０％以下、ＤＣバイアス特性
が±１０％以内（ＤＣ２ｋＶ／ｍｍ）の優れた特性を有
することがわかる。また、最大容量変化率が１０％未満
であり、温度特性に優れたコンデンサが得られる。
【００５９】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の誘電体磁器
は、１５００より高い比誘電率を有するとともに、誘電
損失が０．２％以下と小さく、かつ静電容量の電圧依存
性（ＤＣバイアス特性）にも優れ、フィルムコンデンサ
と同等の特性を有し、特に高周波領域において有用な誘
電体磁器及び積層セラミックコンデンサを得ることがで
きる。そしてＭｇを特定範囲で含有せしめることによ
り、温度特性を大きく向上できる。
は、１５００より高い比誘電率を有するとともに、誘電
損失が０．２％以下と小さく、かつ静電容量の電圧依存
性（ＤＣバイアス特性）にも優れ、フィルムコンデンサ
と同等の特性を有し、特に高周波領域において有用な誘
電体磁器及び積層セラミックコンデンサを得ることがで
きる。そしてＭｇを特定範囲で含有せしめることによ
り、温度特性を大きく向上できる。
【図１】本発明の試料番号２のＸ線回折図である。
【図２】比較例の試料番号２４のＸ線回折図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA04 AA05 AA11 AA32 AA35 AA39 BA09 CA01 CA03 GA02 5E001 AB03 AC10 AE00 AE01 AE03 AE04 AF00 AF06 AH01 AH05 AH06 AH09 AJ01 AJ02 5G303 AA01 AB06 AB07 BA02 CA01 CA03 CB02 CB05 CB16 CB17 CB25 CB32 CB35
Claims (3)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＳｒ、Ｍｇ、Ｐ
ｂ、Ｂｉ、Ｔｉを含有し、これらの金属元素の原子比に
よる組成式を （Ｓｒ1-v-w-x-y Ｍｇv Ｃａw Ｐｂx Ｂｉy ）Ｔｉz Ｏ
3+a と表した時、前記ｖ、ｗ、ｘ、ｙおよびｚが ０．０１≦ｖ≦０．０５ ０ ≦ｗ≦０．２０ ０．０５≦ｘ≦０．２０ ０．０１≦ｙ≦０．３０ １．００≦ｚ≦１．２０ ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ≦０．５０ （ａは過剰酸素量）を満足するものを主成分とし、かつ
ペロブスカイト型結晶相を主結晶相とする誘電体磁器で
あって、Ｘ線回折における前記ペロブスカイト型結晶相
の（１１０）面の主ピークと、前記ペロブスカイト型結
晶相の（１００）面の主ピークとの間に、Ｂｉを含有す
る結晶のピークが存在し、該Ｂｉ含有結晶相のピーク強
度が、前記（１１０）面の主ピークの強度の３％以下で
あることを特徴とする誘電体磁器。 - 【請求項２】主成分１００重量部に対して、Ｌｉおよび
Ｂのうち少なくとも１種を含有するガラス成分を０．１
〜１０．０重量部の割合で含有することを特徴とする請
求項１記載の誘電体磁器。 - 【請求項３】誘電体層と内部電極層とを交互に積層して
なる積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層
が請求項２記載の誘電体磁器からなり、内部電極層が、
Ｐｄの含有率が４０重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金からな
ることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10366969A JP2000185971A (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10366969A JP2000185971A (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ |
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Family
ID=18488149
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10366969A Pending JP2000185971A (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2010538959A (ja) * | 2007-09-14 | 2010-12-16 | ザ ペン ステイト リサーチ ファウンデーション | 透明セラミックスの製造方法 |
-
1998
- 1998-12-24 JP JP10366969A patent/JP2000185971A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010538959A (ja) * | 2007-09-14 | 2010-12-16 | ザ ペン ステイト リサーチ ファウンデーション | 透明セラミックスの製造方法 |
| JP4805410B2 (ja) * | 2007-09-14 | 2011-11-02 | ザ ペン ステイト リサーチ ファウンデーション | 透明セラミックスの製造方法 |
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