JP4506802B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents

Description

本発明は、誘電体磁器組成物に係り、さらに詳しくは、高周波領域で用いられるアンテナ用素子、あるいは、バンドパスフィルタなどのフィルタ用素子に用いて好適な誘電体磁器組成物に関する。

近年、情報通信技術の急速な発展に伴い、使用される周波数が高周波領域にまで拡大している。これに伴い、限られた周波数域を効率よく活用するため、使用周波数の細分化や通信速度の高速化などが求められている。これは、携帯電話等の通信機器に実装される電子部品として用いられる誘電体磁器組成物も例外ではない。

このような誘電体磁器組成物は、品質係数Ｑと使用周波数ｆとの積であるＱｆ値を高くし（高周波特性）、信号の伝播遅延を抑えるために低誘電率とし（高速化）、周波数の細分化に対応するため、共振周波数の温度係数τｆを小さくすること（高信頼性）を実現する必要がある。

しかしながら、たとえば、フォルステライトやアルミナは、低誘電率で、良好なＱｆ値が得られるものの、温度係数τｆを小さくすることができず、これらの特性を両立できる材料が必要とされていた。

特許文献１には、フォルステライトとチタン酸亜鉛とチタン酸カルシウムとを特定の含有割合とした誘電体磁器組成物が、比誘電率を８〜２０とし、Ｑｆ値を大きくすることができ、周波数の温度係数τｆを３０ｐｐｍ／℃以下とすることができることが記載されている。

また、特許文献２には、フォルステライトとチタン酸カルシウムとスピネルとを特定の含有割合とした誘電体磁器組成物が、誘電率の温度係数τεを−１００ｐｐｍ／℃以上、５０ｐｐｍ／℃以下とすることができることが記載されている。

しかしながら、特許文献１では、比誘電率を８以下とした場合には、周波数の温度係数τｆを良好にすることができない。また、特許文献２では、誘電率の温度係数τεしか評価されておらず、周波数の温度係数τｆについては何ら記載されていない。

ところで、このような誘電体磁器組成物は、移動体通信等の通信機器等に実装されるため、ある程度の機械的強度がなければ、実際の製品化には対応できない。また、このような誘電体磁器組成物は、耐還元性が不十分であるため、安価ではあるが還元性雰囲気での焼き付けが必要なＣｕ等の卑金属を導体電極として採用できないという問題があった。
特開２００４−１３１３２０号公報 特開２０００−３４４５７１号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、低誘電率と良好な周波数温度特性との両立が可能であり、しかも、高いＱｆ値を確保でき、さらには、十分な機械的強度を有しており、高周波領域で使用されるアンテナやフィルタなどに用いて好適な誘電体磁器組成物を提供することである。また、本発明の別の目的は、上記の全ての特性を備えつつ、さらに耐還元性を有する誘電体磁器組成物を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明に係る誘電体磁器組成物は、
フォルステライトおよびチタン酸カルシウムの含有モル比が、２ＭｇＯ・ＳｉＯ _２ 換算およびＣａＴｉＯ _３ 換算で、フォルステライト：チタン酸カルシウム＝９３．０：７．０〜９９．０：１．０である主成分と、
副成分として、前記主成分１００質量％に対して、Ａｌ _２ Ｏ _３ 換算で、０．２〜５質量％含有される酸化アルミニウムと、からなることを特徴とする。

このようにすることで、低誘電率と高いＱｆ値を実現しつつ、誘電率を低くすると悪化する傾向にある周波数の温度係数τｆをも良好にすることができる。さらに、誘電体磁器組成物の機械的強度をも向上させることができるため、本発明に係る誘電体磁器組成物を、たとえば、携帯電話等の通信機器向けのアンテナ素子やバンドパスフィルタ用の素子として用いる場合であっても、ハンドリング性に優れるため、通信機器への実装が容易となる。

また、本発明に係る誘電体磁器組成物は、フォルステライトおよびチタン酸カルシウムの含有モル比が、２ＭｇＯ・ＳｉＯ _２ 換算およびＣａＴｉＯ _３ 換算で、フォルステライト：チタン酸カルシウム＝９３．０：７．０〜９９．０：１．０である主成分と、
副成分として、前記主成分１００質量％に対して、Ａｌ _２ Ｏ _３ 換算で、０．２〜５質量％含有される酸化アルミニウムおよびＣｏ _３ Ｏ _４ 換算で、０．１〜１．２質量％含有される酸化コバルトと、からなることを特徴とする。

副成分として酸化コバルトをさらに含有させることで、本発明に係る誘電体磁器組成物の耐還元性を大幅に向上させることができる。該誘電体磁器組成物が耐還元性を有していることで、電極材料として、安価な卑金属、たとえばＣｕを採用することができる。そのため、実装する製品の製造コストを低減することができる。

電子部品に用いられる本発明に係る素子としては、特に限定されないが、通信機器用のアンテナ素子、バンドパスフィルタ等の各種フィルタ用素子などが例示される。

本発明によれば、フォルステライトとチタン酸カルシウムとを主成分とする誘電体磁器組成物に、酸化アルミニウムを特定量含有させることにより、相反する傾向にある、低誘電率と良好な周波数温度係数τｆとを両立することができる。しかも、誘電体磁器組成物の機械的強度をも向上させることができるため、実装時のハンドリング性が良好となる。したがって、本発明に係るアンテナ素子やフィルタ用素子が実装された高性能の通信機器等を容易に製造することができる。

さらには、酸化コバルトを含有させることにより、誘電体磁器組成物の耐還元性を向上させることができる。したがって、従来、比較的に高価なＡｇを採用していた電極材料を、還元性雰囲気で焼き付ける必要があるが比較的に安価な卑金属（たとえばＣｕ）に代替することができる。その結果、製品のコストを低減することができる。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量と周波数温度係数τｆ値との関係を示すグラフ、
図２（Ａ）は、本発明の比較例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真、図２（Ｂ）は、本発明の実施例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真、
図３は、Ｃｏ_３Ｏ_４の含有量と還元処理前後の周波数温度係数τｆ値との関係を示すグラフである。

誘電体磁器組成物
本発明の誘電体磁器組成物は、主成分としてフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ_２）とチタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）とを含み、副成分として酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を含んでいる。

フォルステライトは、２ＭｇＯ・ＳｉＯ_２換算で、９３．０〜９９．０モル％、好ましくは９４．０〜９９．０モル％、より好ましくは９６．０〜９８．０モル％の割合で主成分として含有されている。

また、チタン酸カルシウムは、ＣａＴｉＯ_３換算で、１．０〜７．０モル％、好ましくは１．０〜６．０モル％、より好ましくは２．０〜４．０モル％の割合で主成分として含有されている。

主成分としてのフォルステライトの含有量が少なすぎる（チタン酸カルシウムの含有量が多すぎる）と、誘電体磁器組成物の比誘電率が大きくなってしまう傾向にある。具体的には、本実施形態の誘電体磁器組成物によれば、比誘電率を、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下とすることができる。マイクロ波等の高周波領域では、比誘電率が大きすぎると、信号の遅延が生じ、高速通信が困難となってしまったり、誘電体磁器組成物が組み込まれた回路が小さくなりすぎてしまう。
一方、主成分としてのフォルステライトの含有量が多すぎる（チタン酸カルシウムの含有量が少なすぎる）と、焼結不足になる傾向にある。

また、本発明では、副成分としての酸化アルミニウムを特定量含有させることで、周波数の温度係数τｆを向上させつつ、誘電体磁器組成物の抗折強度をも向上させることができる。

τｆは、温度変化による共振周波数ｆｒの変化割合を示しており、これを小さくすることで、通信周波数の精密化と安定化とを実現でき、通信周波数の細分化に対応することができる。具体的には、本実施形態の誘電体磁器組成物によれば、τｆを、好ましくは±３０ｐｐｍ／℃以内、より好ましくは±２０ｐｐｍ／℃以内、さらに好ましくは±１０ｐｐｍ／℃以内とすることができる。

また、抗折強度は、誘電体磁器組成物の機械的強度を示しており、たとえば、携帯電話のアンテナ素子やバンドパスフィルタ用素子として、機器内に実装される際に必要とされるハンドリング性の目安となる。具体的には、本実施形態の誘電体磁器組成物によれば、焼結体としての抗折強度を、好ましくは１００ＭＰａ以上、より好ましくは１１０ＭＰａ以上、さらに好ましくは１２０ＭＰａ以上とすることができる。

酸化アルミニウムは、上記の主成分１００質量％に対して、Ａｌ_２Ｏ_３換算で、０．２〜５質量％、好ましくは０．５〜４．０質量％、より好ましくは１．０〜２．０質量％含有されている。含有量が多すぎると、周波数の温度係数τｆを向上させる効果が不十分となり、少なすぎると、周波数の温度係数τｆを向上させる効果と抗折強度を向上させる効果が不十分となる。

本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、好ましくは、副成分として、酸化コバルト（ＣｏＯ、Ｃｏ_３Ｏ_４等）をさらに含有する。酸化コバルトを特定量含有させることで、本実施形態に係る誘電体磁器組成物の耐還元性を大幅に向上させることができる。耐還元性が不十分な場合、誘電体磁器組成物に形成する電極材質としては、大気中で焼成可能で、比較的高価なＡｇを採用することとなる。耐還元性が向上すると、還元雰囲気下での焼成が可能となるため、大気中での焼き付けでは、酸化してしまうものの比較的安価な卑金属、たとえばＣｕを電極として採用することができる。

酸化コバルトは、上記の主成分１００質量％に対して、Ｃｏ_３Ｏ_４換算で、０．１〜１．２質量％、好ましくは０．１〜０．９質量％、より好ましくは０．２〜０．９質量％含有されている。含有量が多すぎると、耐還元性を向上させる効果が不十分となるとともに、Ｑｆ値やτｆが悪化する傾向がある。少なすぎると、耐還元性を向上させる効果が不十分となる。なお、酸化コバルトとしては、Ｃｏ_３Ｏ_４に限定されず、ＣｏＯ等であってもよい。

なお、本実施形態の誘電体磁器組成物によれば、Ｑｆ値を、好ましくは２００００ＧＨｚ以上、より好ましくは４００００ＧＨｚ以上、さらに好ましくは５００００ＧＨｚ以上とすることができる。

また、焼結後の誘電体磁器組成物の結晶粒子の平均結晶粒子径は、好ましくは２．０〜５．０μｍ、より好ましくは３．０〜５．０μｍである。なお、本発明では、酸化アルミニウムが含有されていることで、結晶粒子のサイズのバラツキが低減する。その結果、誘電体磁器組成物の機械的強度が向上する。

結晶粒子の平均結晶粒子径は、たとえば、誘電体磁器組成物の自然面のＳＥＭ観察、あるいは、誘電体磁器組成物を切断し、鏡面研磨後にサーマルエッチングまたはケミカルエッチングしてから、その面をＳＥＭ観察して、所定数の結晶粒子の結晶粒子径を測定し、その測定結果を基に算出することができる。なお、各結晶粒子の結晶粒子径は、たとえば、各結晶粒子を球と仮定したコード法により求めることができる。また、平均結晶粒子径の算出の際に、結晶粒子径の測定を行う粒子の数は、通常１００個以上とする。

誘電体磁器組成物の製造方法
以下、本実施形態の誘電体磁器組成物の製造方法について具体的に説明する。

まず、誘電体磁器組成物の原料を構成する主成分原料および副成分原料を準備する。

本実施形態では、主成分原料としてのフォルステライト原料は、いわゆる固相法により得ることができる。まず、酸化マグネシウムおよび酸化珪素あるいは焼成後にこれらの酸化物となる原料を用意する。焼成後に酸化物になる化合物としては、たとえば、炭酸塩、ハロゲン化合物、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等が挙げられる。

次に、Ｍｇ元素とＳｉ元素とが、２：１のモル比になるように、上記の原料を秤量し、これを混合して混合粉体を調整する。各原料の混合を行う方法としては、原料粉末に水や有機溶媒などを添加し、ボールミル等を使用し、湿式混合により行うことが好ましい。

次に、上記にて得られた混合粉体について、仮焼成を行い固相反応させた仮焼き粉体を作製する。このとき、焼成温度を下げるため、本発明の効果を悪化させない程度で、焼結助剤を添加しても良い。具体的な焼結助剤としては、ＳｒＣＯ_３、ＢａＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＳｉＯ_２、ＮｉＯなどが好ましく、その添加量は、混合粉体１００質量％に対して、０．１〜０．５質量％が好ましい。仮焼成の条件としては、保持温度を好ましくは１０００〜１２００℃、温度保持時間を好ましくは２〜５時間とする。この仮焼成は、大気中で行っても良く、また大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気または純酸素雰囲気で行っても良い。

得られた仮焼き粉体の粉砕を行い、平均粒径を２．０〜２．５μｍとしたフォルステライト原料を調整する。粉砕方法としては、特に限定されないが、たとえば、粉体に水や有機溶媒などを添加し、ボールミル等を使用し、湿式混合により行うことができる。

本実施形態では、主成分原料としてのチタン酸カルシウム原料は、フォルステライト原料と同様の方法により得ることができる。すなわち、まず、酸化カルシウムおよび酸化チタンあるいは焼成後にこれらの酸化物となる原料を用意する。次に、Ｃａ元素とＴｉ元素とが、１：１のモル比になるように、上記の原料を秤量し、これを混合して混合粉体を調整する。

得られた混合粉体について、仮焼成を行い固相反応させた仮焼き粉体を作製する。このときにも、焼成温度を下げるため、本発明の効果を悪化させない程度で、焼結助剤を添加しても良い。具体的な焼結助剤としては、ＭｎＣＯ_３、ＳｉＯ_２、ＢａＣＯ_３、ＳｒＣＯ_３、ＮｉＯなどが好ましく、その添加量は、フォルステライト原料の場合と同じである。仮焼成の条件は、フォルステライト原料作製時の条件と異なる条件としてもよいが、同じ条件とすることが好ましい。同じ条件とすることで、フォルステライト原料と、チタン酸カルシウム原料と、を同時に仮焼成することができ、本発明の誘電体磁器組成物を効率的に製造することができる。そして、得られた仮焼き粉体の粉砕を行い、平均粒径を２．７〜３．３μｍとしたチタン酸カルシウム原料を調整する。

上記にて得られたフォルステライト原料およびチタン酸カルシウム原料（主成分原料）に、副成分原料として酸化アルミニウムあるいは焼成後に酸化アルミニウムとなる原料を秤量して添加する。さらに、酸化コバルトあるいは焼成後に酸化コバルトとなる原料を副成分原料として添加するのが好ましい。具体的には、酸化コバルトの原料として、ＣｏＯを用いてもよいし、炭酸塩であるＣｏＣＯ_３を用いてもよい。添加する副成分の平均粒径は、０．５〜２．０μｍであることが好ましい。

上記の主成分原料に副成分原料を添加した粉体を混合して、混合粉体を調整する。混合する方法としては、特に限定されないが、たとえば、乾式混合により行っても良いし、混合粉体に水や有機溶媒などを添加し、ボールミル等を使用し、湿式混合により行っても良い。

次いで、調製した混合粉体を顆粒化する。顆粒化は、混合粉体を適度な大きさの凝集粒子とし、成形に適した形態に変換するために行われる。顆粒化する方法としては、たとえば、加圧造粒法やスプレードライ法などが挙げられる。スプレードライ法は、混合粉体に、ポリビニルアルコールなどの通常用いられるバインダを加えた後、スプレードライヤー中で霧化し、乾燥する方法である。顆粒としての混合粉体（誘電体磁器組成物原料）の平均粒径は、１００〜３００μｍであることが好ましい。

そして、得られた顆粒を所定形状に成形し、焼成前の成形体を得る。顆粒を成形する方法としては、たとえば、乾式成形法、湿式成形法、押出成形法などが挙げられる。乾式成形法は、顆粒を、金型に充填して圧縮加圧（プレス）することにより行う成形法である。乾式成形法により成形する場合には、加える圧力として１００〜３００ＭＰａが好ましい。なお、成形体の形状は、特に限定されず、用途に応じて適宜決定すればよい。

次に、成形体の本焼成を行い、焼結体としての本実施形態の誘電体磁器組成物を得る。本実施形態において、本焼成の条件としては、好ましくは昇温速度：１５０〜２５０℃／ｈｒ、保持温度：１２６０〜１３２０℃、保持時間：１．５〜４．０時間程度、焼成雰囲気：大気中とする。保持温度が低すぎると、焼結が不十分となり、所望の特性が得られない傾向にあり、保持温度が高すぎると、焼成に用いる構造体（セッター）との反応が発生する傾向にある。

このようにして得られた誘電体磁器組成物は、用途に応じて、所定形状に加工され、好ましくは７００〜８５０℃の還元雰囲気中でＣｕ電極が形成され、アンテナ素子やフィルタ素子とされる。その後、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。

たとえば、上述の実施形態では、予め、フォルステライトおよびチタン酸カルシウムを合成してから、誘電体磁器組成物の主成分原料を得ているが、フォルステライトおよびチタン酸カルシウムを構成することとなる原料を最初に全て混合して主成分原料を得ても良い。

以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。

実施例１
まず、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ_２）の原料として、ＭｇＣＯ_３およびＳｉＯ_２を準備した。このＭｇＣＯ_３とＳｉＯ_２とを、モル比が２：１となるように秤量し、さらに合計で０．８質量％のＳｒＣＯ_３およびＭｎＣＯ_３を加え、ボールミルにて６時間湿式混合し、乾燥した。乾燥後の粉体を、１０００〜１２００℃、２〜５時間の条件で、仮焼成し、仮焼成後の粉体をボールミルで湿式粉砕し、乾燥させて、平均粒径２．０〜２．５μｍのフォルステライト原料粉体とした。

次に、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）の原料として、ＣａＣＯ_３およびＴｉＯ_２を準備した。このＣａＴｉＯ_３とＴｉＯ_２とを、モル比が１：１となるように秤量し、さらに合計で１．０質量％のＭｎＣＯ_３およびＳｉＯ_２を加え、ボールミルにて６時間湿式混合し、乾燥させた。乾燥後の粉体を、１０００〜１２００℃、２〜５時間の条件で、仮焼成し、仮焼成後の粉体をボールミルで湿式粉砕し、乾燥させて、平均粒径２．７〜３．３μｍのチタン酸カルシウム原料粉体とした。

得られたフォルステライトおよびチタン酸カルシウムと、副成分としてのＡｌ_２Ｏ_３を、焼結後に表１に示す組成比となるように秤量配合し、ボールミルにより６時間湿式混合した。湿式混合後、得られたスラリーを乾燥させ、誘電体磁器組成物原料とした。次いで、この誘電体磁器組成物原料に、ポリビニルアルコールを有機バインダとして加え、顆粒とした後、加圧成形し、直径１２．５ｍｍ、厚み６．５ｍｍの円板状成形体を得た。この成形体を、大気中で１２６０、１２９０、１３２０℃−２ｈの条件で焼成して、焼結体を得た。なお、顆粒の平均粒径は２００μｍであった。

比誘電率εｒ
焼結体を、直径１０．０×高さ５．０ｍｍの円柱状に加工し、測定器として、ネットワークアナライザー８５１０Ｂ、シンセサイザースイーパー８３４１Ｂ、パラメータテストセット８５１６Ａ（いずれも、ヒューレットパッカード社製）を用いて、両端短絡法により、比誘電率（単位なし）を算出した。評価基準は、８．５以下を良好とした。結果を表１に示す。

Ｑｆ値
比誘電率の測定条件と同条件下で、Ｑ値を算出し、これに共振周波数ｆｒを掛けて、Ｑｆ値を求めた。Ｑｆ値は、高い方が好ましい。評価基準は、２００００ＧＨｚ以上を良好とした。結果を表１に示す。

τｆ値（周波数温度係数）
τｆ値は、両端短絡法により、各試料を、−４０℃、２０℃、８０℃に保たれた恒温漕にセットして、共振周波数ｆｒを測定した。得られた値を、［（Ｆｒ^８０℃−Ｆｒ^−４０℃）／Ｆｒ^２０℃］／１２０×ＩＥ^６（ｐｐｍ／℃）に代入して、τｆ値を算出した。τｆ値は０に近いほど好ましい。評価基準は、±３０ｐｐｍ／℃以内を良好とした。結果を表１に示す。

表１より、主成分のフォルステライトが少なすぎる場合には、τｆ値は良好であるが、比誘電率は他の試料よりも悪化していることが分かる。また、主成分のチタン酸カルシウムが少なすぎる場合には、比誘電率は良好であるものの、τｆ値が悪化していることが確認できる。なお、試料８は、焼成温度が１３２０℃であっても焼結せず、特性を評価することができなかった。上記の結果より、比誘電率とτｆ値とが相反する傾向にあることが分かる。

実施例２
主成分組成を試料６と同じとし、主成分原料に対し、副成分としてのＡｌ_２Ｏ_３が表２に示す組成比となるように秤量配合した以外は、実施例１と同様にして、誘電体磁器組成物原料を作製した。作製した誘電体磁器組成物原料を用いて、実施例１と同様に誘電体磁器組成物を作製して実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

また、作製した誘電体磁器組成物原料に、ポリビニルアルコールを有機バインダとして加え、顆粒とした後、２．０ｔｏｎｆ／ｃｍ^３で加圧成形し、寸法が２０×５．５×１ｍｍの成形体を得た。この成形体を、空気中で１２９０−２ｈの条件で焼成して、焼結体を得た。この焼結体から抗折強度を以下に示す方法で測定した。

抗折強度
得られた焼結体から寸法が１６．０×４．５×０．８ｍｍの試験片を作製し、ピッチが１５ｍｍ、クロスヘッド速度が０．５ｍｍ／ｍｉｎの条件で、３点曲げ試験を行った。結果を表２に示す。評価基準として、試料ごとに試験片を８本作製し、その平均値が１００ＭＰａ以上を良好とした。

表２より、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量を変化させることで、比誘電率はそれほど変化しないものの、τｆ値が大きく変化することが分かる。これは、τｆ値とＡｌ_２Ｏ_３の含有量との関係を示した図１から視覚的に認識される。したがって、Ａｌ_２Ｏ_３を本発明の範囲で含有させることで、比誘電率とτｆ値とを両立させることができる。また、Ａｌ_２Ｏ_３が含有されていることで、抗折強度が改善されていることが分かる。抗折強度が改善される理由としては、Ａｌ_２Ｏ_３が含有されることにより、結晶粒径のバラツキが小さくなることが考えられる。図２（Ａ）は、Ａｌ_２Ｏ_３が含有されていない試料９の焼き肌面のＳＥＭ写真であり、図２（Ｂ）は、Ａｌ_２Ｏ_３が含有されている試料６の焼き肌面のＳＥＭ写真である。図２（Ａ）と図２（Ｂ）とを比較すると、図２（Ｂ）の方が、結晶粒径のバラツキが小さいことが確認できる。

実施例３
副成分として、さらに、Ｃｏ_３Ｏ_４を表３に示す組成比となるように秤量配合した以外は、試料６と同じ組成とし、実施例１と同様にして、誘電体磁器組成物を作製して実施例１と同様の評価を行った。結果を表３に示す。また、この焼結体の耐還元性を以下に示す方法で測定した。

耐還元性
得られた焼結体を、Ｎ_２−１００％（ｐＯ_２＝１０ｐｐｍ）の還元雰囲気中で、８００℃−１０ｍｉｎの条件で還元処理した。処理前と処理後の試料について、実施例１と同様の周波数温度係数τｆ値を評価した。そして、還元処理前の試料のτｆ値と、還元処理後の試料のτｆ値との変化量および変化率を算出した。評価基準として、変化率が６５％以内を良好とした。結果を表４および図３に示す。なお、図３においては、白丸が還元処理前のτｆ値を示し、黒い菱形が還元処理後のτｆ値を示している。

表３より、Ｃｏ_３Ｏ_４を含有させても、特性には比較的影響を与えないことが確認できる。また、表４より、Ｃｏ_３Ｏ_４を本願発明の好ましい範囲で含有させることで、還元処理後のτｆ値の劣化を小さくすることができる。したがって、電極材料として、比較的に安価なＣｕ等の卑金属を採用できるため、製品の製造コストを低減することができる。

図１は、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量と周波数温度係数τｆ値との関係を示すグラフである。 図２（Ａ）は、本発明の比較例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真、図２（Ｂ）は、本発明の実施例に係る誘電体磁器組成物のＳＥＭ写真である。 図３は、Ｃｏ_３Ｏ_４の含有量と還元処理前後の周波数温度係数τｆ値との関係を示すグラフである。

Claims (4)

1. フォルステライトおよびチタン酸カルシウムの含有モル比が、２ＭｇＯ・ＳｉＯ _２ 換算およびＣａＴｉＯ _３ 換算で、フォルステライト：チタン酸カルシウム＝９３．０：７．０〜９９．０：１．０である主成分と、
   副成分として、前記主成分１００質量％に対して、Ａｌ_２Ｏ_３換算で、０．２〜５質量％含有される酸化アルミニウムと、からなることを特徴とする誘電体磁器組成物。
2. フォルステライトおよびチタン酸カルシウムの含有モル比が、２ＭｇＯ・ＳｉＯ _２ 換算およびＣａＴｉＯ _３ 換算で、フォルステライト：チタン酸カルシウム＝９３．０：７．０〜９９．０：１．０である主成分と、
   副成分として、前記主成分１００質量％に対して、Ａｌ _２ Ｏ _３ 換算で、０．２〜５質量％含有される酸化アルミニウムおよびＣｏ _３ Ｏ _４ 換算で、０．１〜１．２質量％含有される酸化コバルトと、からなることを特徴とする誘電体磁器組成物。
3. 請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物で構成された誘電体層を有するアンテナ素子。
4. 請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物で構成された誘電体層を有するフィルタ素子。

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