JP4505795B2 - 電子デバイス用誘電体磁器組成物の製造方法 - Google Patents
電子デバイス用誘電体磁器組成物の製造方法 Download PDFInfo
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Description
(1)出発原料となる各酸化物粉末を所望の割合となるように秤量する。
(2)各酸化物粉末に純水を加え混合・粉砕を行う。
(3)混合物を1100℃〜1300℃で1〜4時間仮焼する。
(4)所望の成形手段によって成形する。
(5)成形体を1500℃〜1700℃で1〜10時間大気中で焼成する。
(1-X)Ln(Al1-yGay)O3-XSrTiO3とすることによって、さらにQf値が向上すること、また、LnAlO3-SrTiO3及び(1-X)Ln(Al1-yGay)O3-XSrTiO3のSrをCaで置換し、(1-X)LnAlO3-X(Sr1-zCaz)TiO3、(1-X)Ln(Al1-yGay)O3-X(Sr1-zCaz)TiO3とすることによって、仮焼の反応性がさらに向上し、その結果Qf値が向上することを知見し、この発明を完成した。
仮焼工程を1400℃〜1600℃の温度範囲で行うことを特徴とする電子デバイス用誘電体磁器組成物の製造方法である。
(1-X)Ln(Al1-yGay)O3-X(Sr1-zCaz)TiO3(但し、LnはLa、Pr、Ndの少なくとも一種、すなわち一種又は二種以上で、Laを必ず含む)系固溶体を対象とする。具体的には、(1-X)LnAlO3-XSrTiO3固溶体、(1-X)Ln(Al1-yGay)O3-XSrTiO3固溶体、(1-X)LnAlO3-X(Sr1-zCaz)TiO3固溶体、
(1-X)Ln(Al1-yGay)O3-X(Sr1-zCaz)TiO3固溶体である。
出発原料として、La2O3、Nd2O3、Pr6O11、Ga2O3、SrCO3、CaCO3、Al2O3の粉末を準備した。各粉末を表1の如く配合し、純水中で混合した後に乾燥し、平均粒径0.7〜1.4μmの混合粉を得た。次いで、該混合粉を組成に応じて1400℃〜1600℃で2〜6時間仮焼した。得られた仮焼粉を湿式粉砕によって0.6〜2.0μmに粉砕した後、粉砕粉を乾燥させた。
表2のNo.46〜84が仮焼温度1500℃、焼成温度1500℃での実施例、
表3のNo.85〜123が仮焼温度1600℃、焼成温度1500℃での実施例、
表4のNo.124〜168が仮焼温度1400℃、焼成温度1600℃での実施例、
表5のNo.169〜174が仮焼温度1450℃又は1550℃、焼成温度1500℃での実施例、
表5のNo.175〜177が仮焼温度1450℃、焼成温度1600℃での実施例、
表6のNo.178〜192が仮焼温度1200℃、焼成温度1500℃での比較例、
表6のNo.193〜205が仮焼温度1200℃、焼成温度1600℃での比較例である。
図1は、実施例1のNo.9と同じ組成で、仮焼温度を変化させた仮焼体のX線回折結果を示すものである。図1において、最も上に位置するX線回折パターンが1550℃の場合、その下が1500℃の場合、その下が1450℃の場合、その下が1400℃の場合、その下が1350℃の場合、そして最も下に位置するのが1300℃の場合である。
Claims (3)
- 組成式を、(1-X)Ln(Al1-yGay)O3-X(Sr1-zCaz)TiO3 (但し、LnはLa、Pr、Ndの一種又は二種以上で、Laを必ず含む)と表し、前記X、y、zが、0.3≦X≦0.7、0≦y≦0.05、0≦z≦0.3を満足する電子デバイス用誘電体磁器組成物の製造方法において、仮焼工程を1400℃〜1600℃の温度範囲で行う電子デバイス用誘電体磁器組成物の製造方法。
- 仮焼工程を1450℃〜1600℃の温度範囲で行う請求項1に記載の電子デバイス用誘電体磁器組成物の製造方法。
- 仮焼工程を1500℃〜1550℃の温度範囲で行う請求項2に記載の電子デバイス用誘電体磁器組成物の製造方法。
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