KR100519422B1 - 절연체 세라믹 조성물 및 그것을 이용한 절연체 세라믹 - Google Patents

절연체 세라믹 조성물 및 그것을 이용한 절연체 세라믹 Download PDF

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사카모토사다아키
모리야요이치
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

본 발명은 MgAl2O4 을 포함하는 세라믹 분말; 산화 규소를 SiO2 환산으로 30∼60몰% 및 산화 마그네슘을 MgO환산으로 20∼55몰% 포함하는 유리 분말;을 혼합하여 이루어지는 절연체 세라믹 조성물에 관한 것으로서, 세라믹 분말은 Mg2SiO4 및 TiO2를 더 포함한다. 이 절연체 세라믹 조성물은 1000℃ 이하에서 소성할 수 있고, Ag나 Cu와의 동시 소결이 가능하다. 이 절연체 세라믹 조성물을 소결함으로써 얻어지는 절연체 세라믹은 Q값이 높고, 고주파 영역에서 이용되는 세라믹 다층 기판에 적합하다.

Description

절연체 세라믹 조성물 및 그것을 이용한 절연체 세라믹{Composition for insulating ceramics and insulating ceramics using the same}
본 발명은 예를 들어 다층 회로 기판에 사용되는 절연체 세라믹 조성물에 관한 것으로, 보다 특정적으로는 반도체 소자나 각종 전자부품 소자를 탑재하기 위한 복합 다층 회로 기판에 적합하게 이용할 수 있고, 구리나 은 등의 도체 재료와 동시 소성 가능한 절연체 세라믹 조성물, 및 절연체 세라믹 조성물을 소결하여 얻어진 절연체 세라믹, 세라믹 다층 기판 및 세라믹 전자부품, 및 세라믹 다층 기판의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 전자 기기의 고속화 및 고주파화가 진행되고 있어, 이에 따라 전자 기기에 탑재되는 전자부품에 있어서도 고속화 및 고주파화가 요구되고 있다. 또한, 전자 기기의 소형화에 따라 전자부품에 대해서도 소형화나 고밀도 실장 가능한 것이 요구되고 있다.
상기와 같은 요구에 응하기 위하여, 반도체 소자나 각종 회로 소자를 탑재하기 위한 기판으로서, 다층 회로 기판이 이용되고 있다. 다층 회로 기판에서는 기판내에 도체 회로나 전자부품 기능 소자가 3차원적으로 내장되어 있기 때문에, 전자부품의 소형화를 진행할 수 있다.
상기 다층 회로 기판을 구성하는 재료로서는 알루미나가 많이 이용되고 있다. 그런데, 알루미나의 소성 온도는 1500℃∼1600℃여서, 알루미나 다층 회로 기판에 내장되는 회로용의 도체 재료로서는 Mo, Mo-Mn, W 등의 고융점 금속을 이용해야만 하였다. 그런데, 이들의 고융점 금속은 고가이며 전기 저항이 높다는 문제가 있었다.
그래서, 상기 고융점 금속보다도 전기 저항이 낮고 가격이 저렴한 금속, 예를 들어 구리 등을 도체 재료로서 이용할 것이 강력히 요구되고 있으며, 구리를 도체 재료로서 이용할 수 있도록 하기 위하여 예를 들어, 일본국 특허 공개공보 평5-238774호에는 1000℃ 이하의 저온에서 소성될 수 있는 유리 세라믹스나 결정화 유리 등의 기판 재료가 제안되어 있다. 또한, Si 칩 등의 반도체 디바이스와의 접속을 고려하여, 예를 들어 일본국 특허 공개공보 평8-34668호에는 열팽창계수가 Si에 가까운 세라믹을 다층 회로 기판 재료로서 이용하는 것도 제안되어 있다. 그러나, 상술한 기판 재료는 기계적 강도나 Q값이 낮고, 게다가 석출하는 결정상의 종류나 비율이 소성 프로세스에 의해 영향을 받기 쉽다는 문제가 있다.
또한, 절연체 세라믹 조성물을 이용한 세라믹 다층 기판 상에는 반도체 디바이스 등의 칩 부품이 실장되는 경우가 있고, 한편 칩 부품을 탑재한 세라믹 다층 기판은 세라믹 전자부품으로서 프린트 기판 등의 회로 기판에 탑재된다. 따라서, 이와 같은 세라믹 전자부품에는 신호 입출력을 위한 입출력 단자를 형성할 필요가 있는데, 전자부품의 소형화에 따라 입출력 단자간의 거리를 가깝게 할 필요가 있었다.
그 때문에, 절연체 세라믹 조성물을 소성하여 얻어지는 절연체 세라믹에는 고치수 정밀도가 강하게 요구되고 있다. 그런데, 종래의 절연체 세라믹 조성물을 소성하여 얻어진 저유전율의 절연체 세라믹의 치수 정밀도는 아직 충분하지 않다.
본 발명은 상술한 실정에 비추어 이루어진 것으로, 그 목적은 ①은이나 구리 등의 저융점 도체 재료와 동시에 소성할 수 있고, ②비유전율이 작고, 고주파 특성이 우수하며, 비교적 높은 열팽창계수를 갖는 절연체 세라믹을 얻는 것을 가능하게 하는 절연체 세라믹 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 저온 소성으로 얻을 수 있고 비유전율이 작으며, 고주파 특성이 우수하고 높은 열팽창계수를 갖는 절연체 세라믹을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 본 발명에 따른 절연체 세라믹 조성물을 이용하여 구성되어 있어, 고주파 특성이 우수하고 회로 패턴의 고밀도화를 달성한 세라믹 다층 기판 및 세라믹 전자부품을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 저온 소성으로 얻을 수 있고, 고주파 특성이 우수하며 치수 정밀도가 우수하고, 회로 패턴의 고밀도화를 달성할 수 있는 세라믹 다층 기판의 제조방법을 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 세라믹 다층 기판을 이용한 세라믹 전자부품인 세라믹 다층 모듈의 종단면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 세라믹 다층 모듈의 분해사시도이다.
도 3은 본 발명의 세라믹 다층 기판을 이용한 세라믹 전자부품인 적층형 LC필터의 분해사시도이다.
도 4는 도 2에 나타낸 적층형 LC필터의 사시도이다.
도 5는 도 3에 나타낸 적층형 LC필터의 등가회로도이다.
즉, 본 발명은 스피넬(MgAl2O4)을 포함하는 세라믹 분말; 산화 규소를 SiO2 환산으로 30∼60몰% 및 산화 마그네슘을 MgO환산으로 20∼55몰% 포함하는 유리 분말;을 함유하는 절연체 세라믹 조성물로서, 상기 절연체 세라믹 조성물은 산화 티탄을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 절연체 세라믹 조성물(이하, 본 발명의 제 1 절연체 세라믹 조성물이라고도 함)에 관한 것이다.
본 발명의 제 1 절연체 세라믹 조성물에 있어서, 상기 산화 티탄은 상기 세라믹 분말 중에 함유되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 산화 티탄은 상기 세라믹 분말 및 상기 유리 분말의 합계량에 대하여 0.5∼15중량%의 비율로 포함되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 스피넬(MgAl2O4)을 포함하는 세라믹 분말; 산화 규소를 SiO 2환산으로 30∼60몰% 및 산화 마그네슘을 MgO환산으로 20∼55몰% 포함하는 유리 분말;을 함유하는 절연체 세라믹 조성물로서, 상기 세라믹 분말에 있어서의 상기 스피넬의 일부가 Mg2SiO4 로 치환되어 있는 것을 특징으로 하는 절연체 세라믹 조성물(이하, 본 발명의 제 2 절연체 세라믹 조성물이라고도 함)을 제공하는 것이다.
본 발명의 제 2 절연체 세라믹 조성물에 있어서, 상기 Mg2SiO4 는 상기 스피넬 100중량%에 대하여 15중량% 이하의 비율로 치환되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1, 제 2 절연체 세라믹 조성물에 있어서, 상기 유리 분말에는 산화 붕소가 B2O3 환산으로 유리 분말 전체의 20몰% 이하의 비율로 더 포함되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 유리 분말에는 CaO, SrO, BaO 및 ZnO로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 산화물이 상기 유리 분말 전체의 30몰% 이하의 비율로 더 포함되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 유리 분말에는 산화 알루미늄이 Al2O3 환산으로 상기 유리 분말 전체의 10몰% 이하의 비율로 더 포함되어 있는 것이 바람직하다. 상기 유리 분말에는 Li2O, K2O 및 Na2O으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 알칼리 금속 산화물이 상기 유리 분말 100중량%에 대하여 10중량% 이하의 비율로 첨가되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 제 1, 제 2 절연체 세라믹 조성물에 있어서는, 산화구리가 상기 세라믹 분말 및 상기 유리 분말의 합계량에 대하여, CuO환산으로 3중량% 이하의 비율로 더 포함되어 있는 것이 바람직하다.
게다가, 본 발명의 제 1, 제 2 절연체 세라믹 조성물에 있어서는, 상기 세라믹 분말과 상기 유리 분말이 중량비로 20:80∼80:20의 비율로 배합되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 본 발명의 제 1, 제 2 절연체 세라믹 조성물을 소성함으로써 얻어지는 절연체 세라믹에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 복수의 세라믹층; 상기 복수의 세라믹층 중 적어도 1층의 세라믹층에 형성된 배선 도체;를 구비하는 세라믹 다층 기판으로서, 상기 복수의 세라믹층은 본 발명의 절연체 세라믹으로 이루어진 절연체 세라믹층을 포함하는 세라믹 다층 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 세라믹 다층 기판에 있어서, 상기 복수의 세라믹층은 상기 절연체 세라믹층의 적어도 한쪽 주면에 적층된, 상기 절연체 세라믹층보다도 유전율이 높은 유전체 세라믹층을 더 포함하여도 된다.
또한, 본 발명은 본 발명의 세라믹 다층 기판; 상기 세라믹 다층 기판상에 실장되고 상기 배선 도체에 전기적으로 접속된 회로 소자;를 구비하는 세라믹 전자부품을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 본 발명의 세라믹 다층 기판; 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽의 회로 소자를 형성하는 상기 배선 도체;를 갖는 세라믹 전자부품을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 본 발명의 제 1, 제 2 절연체 세라믹 조성물로 형성된 제 1 세라믹 그린시트를 적층하여 적층체를 준비하는 공정; 상기 제 1 세라믹 그린시트와는 소결 온도가 다른 제 2 세라믹 그린시트를 상기 제 1 세라믹 그린시트의 적어도 한쪽 주면에 접하도록 형성하는 공정; 상기 제 1 세라믹 그린시트로 이루어진 적층체와 상기 제 2 세라믹 그린시트를 동시에 소성하는 공정;을 구비하는 세라믹 다층 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 세라믹 다층 기판의 제조방법에 있어서, 상기 제 2 세라믹 그린시트는 상기 제 1 세라믹 그린시트의 소성 온도에서는 실질적으로 소결하지 않는 세라믹 그린시트인 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 1 세라믹 그린시트로 이루어진 적층체와 상기 제 2 세라믹 그린시트를 동시에 소성하는 공정은 소성 온도 1000℃ 이하에서 행하여지는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 절연체 세라믹 조성물은 스피넬(MgAl2O4)을 포함하는 세라믹 분말; 산화 규소를 SiO2환산으로 30∼60몰% 및 산화 마그네슘을 MgO환산으로 20∼55몰% 포함하는 유리 분말;을 적어도 함유하고, 세라믹 분말은 산화 티탄(TiO2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
이 절연체 세라믹 조성물에 포함되는 세라믹 분말에 있어서, 주성분인 MgAl2O4는 고주파 특성 및 항절 강도가 우수하며, 첨가성분인 TiO2는 유리 성분의 결정화를 촉진하는 핵형성제로서 작용한다. 따라서, 이 절연체 세라믹 조성물을 소성함으로써 강도가 우수하고 고주파 특성이 우수한, 즉 고주파 영역에서 큰 Q값을 나타내는 절연체 세라믹을 얻을 수 있다.
이 절연체 세라믹 조성물에 있어서, 유리 분말에 Ca 성분이 포함되어 있는 경우, Q값이 높은 결정이 석출되기 쉬워지기 때문에 소결 후의 절연체 세라믹의 Q값을 높일 수 있지만, 유리 중에 Ca가 남기 쉬워진다. 유리 중에 Ca 성분이 잔존해 있으면 절연체 세라믹의 외표면에 도금 등에 의해 외부 전극을 형성할 때에, 유리 중의 Ca가 도금액에 용출되기 쉬워져, 유리가 깨지기 쉽다. 절연체 세라믹 조성물 중에 TiO2 가 첨가되어 있는 경우에는, TiO2 가 Q값이 높은 결정을 석출한 유리 중에 남아있는 Ca성분과 반응하여, CaTiO3 가 생성된다. 그 때문에, 제 1 절연체 세라믹 조성물을 소성하여 얻어진 절연체 세라믹에 있어서의 내도금성을 높일 수 있다.
또한, CaTiO3 는 열팽창계수가 비교적 크지만, 그 석출량을 TiO2 의 함유에 의해 조정할 수 있으며, 나아가서는 절연체 세라믹의 열팽창계수를 조정할 수 있다. 또한, TiO2 나 CaTiO3 는 음의 유전율 온도 특성을 가지기 때문에, 절연체 세라믹의 유전율의 온도 특성을 TiO2 의 함유 비율에 의해 조정할 수 있다.
상술한 점으로부터, 본 발명의 제 1 절연체 세라믹 조성물에 있어서는, TiO2 는 세라믹 분말 및 유리 분말 전체 중량의 0.5∼15중량%의 비율로 포함되어 있는 것이 바람직하다. TiO2 의 함유 비율이 0.5중량% 미만이면 유전율 온도 특성이 양의 값으로 너무 커지는 경우가 있고, 15중량%를 넘으면 유전율 온도 특성이 음의 값으로 너무 커지는 경우가 있다.
또한, 제 1 절연체 세라믹 조성물에 있어서 TiO2 는 세라믹 분말로서 함유되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2 절연체 세라믹 조성물은 스피넬(MgAl2O4)을 포함하는 세라믹 분말; 산화 규소를 SiO2환산으로 30∼60몰% 및 산화 마그네슘을 MgO환산으로 20∼55몰% 포함하는 유리 분말;을 적어도 함유하고, 스피넬의 일부가 Mg2SiO4 분말로 치환되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
제 2 절연체 세라믹 조성물에 포함되는 세라믹 분말에 있어서, 주성분인 MgAl2O4 는 고주파 특성 및 항절 강도가 우수하고, 부성분인 Mg2SiO 4 는 고주파 특성이 우수하고 높은 열팽창계수를 가진다. 따라서, 이 절연체 세라믹 조성물을 소성함으로써, 강도가 우수하고 고주파 특성이 우수하며, 높은 열팽창계수를 갖는 절연체 세라믹을 얻을 수 있다.
이 절연체 세라믹 조성물에 있어서, 세라믹 분말에 있어서의 Mg2SiO4 는 스피넬 100중량%에 대하여 15중량% 이하의 비율로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 그 비율이 15중량%를 넘으면 항절 강도가 너무 낮아지는 경우가 있다.
이들 제 1, 제 2 절연체 세라믹 조성물은 특히 1000℃ 이하에서 소성함으로써 치밀한 소결체(즉, 절연체 세라믹)를 얻을 수 있다. 그 때문에, 이들의 절연체 세라믹 조성물은 비저항이 작은 구리나 은 등의 저융점 금속 재료와 동시에 소성하는 것이 가능하고, 도전율이 높으며 고주파 용도에 적합한 배선 도체를 구비한 세라믹 다층 기판이나 세라믹 전자부품을 제작할 수 있다.
본 발명의 제 1, 제 2 절연체 세라믹 조성물에 포함되는 유리 분말은 산화 규소가 SiO2 환산으로 30∼60몰%의 비율로 포함되어 있는 것이 필요하다. SiO2 의 비율이 30몰% 미만이면, 소성에 의해 얻어지는 절연체 세라믹의 결정화도가 낮아지기 때문에 Q값이 저하한다. 한편, SiO2 의 함유 비율이 60몰%를 넘으면 유리의 융점 온도가 높아지기 때문에 저온에서의 소결이 곤란해진다.
또한, 이 유리 분말에는 산화 마그네슘이 MgO 환산으로 20∼55몰%의 비율로 포함되어 있는 것이 필요하다. MgO는 유리의 연화점을 낮추는 작용을 하기 때문에 유리 분말의 제작이 용이해진다. 또한, MgO는 결정화 유리 중의 결정 구성 성분이기 때문에, 이 절연체 세라믹 조성물을 소성함으로써 얻어지는 절연체 세라믹에 있어서는, 포스터라이트(forsterite), 엔스터타이트(enstatite), 다이옵사이드(diopside), 몬티셀라이트(monticellite) 등의 MgO상을 포함하는 MgO-SiO2 계, MgO-CaO-SiO2 계의 결정상이 석출된다. 이러한 결정상을 갖는 절연체 세라믹은 수만 ㎓라는 Qf값을 가지고, 고주파 특성이 매우 우수하다. 유리 분말에 있어서의 MgO의 함유 비율이 20몰% 미만이면, 얻어지는 절연체 세라믹의 Q값이 낮아진다. 한편, MgO의 함유 비율이 55몰%를 넘으면, MgO계 결정상의 석출량이 너무 많아져서 얻어지는 절연체 세라믹의 강도가 저하하거나 저온에서의 소결이 곤란해진다.
이 유리 분말에는 산화 붕소가 B2O3 환산으로 유리 분말 전체의 20몰% 이하의 비율로 더 포함되어 있는 것이 바람직하다. B2O3 는 주로 유리 분말을 제작할 때의 융제로서 작용하기 때문에, B2O3 를 함유시킴으로써 유리 분말의 제작이 용이해진다. B2O3 의 함유 비율이 20몰%를 넘으면 얻어지는 절연체 세라믹의 내습성이 저하하거나, 절연체 세라믹의 도금액에 대한 내용출성이 저하하는 경우가 있다.
또한, 이 유리 분말에는 CaO, SrO, BaO 및 ZnO로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 산화물이, 유리 분말 전체의 30몰% 이하의 비율로 더 포함되어 있는 것이 바람직하다. 이들 알칼리 토류 금속을 비롯한 산화물은 유리의 연화점을 낮추는 작용을 하기 때문에, 이들의 산화물을 함유시킴으로써 유리 분말의 제작이 용이해진다. 또한, 이들의 산화물은 결정화 유리 중의 결정 구성 성분이기 때문에, 얻어지는 절연체 세라믹에 있어서는 Q값이 높은 결정상이 석출된다. 유리 분말에 있어서의 이들의 산화물의 함유 비율이 30몰%를 넘으면, 얻어지는 절연체 세라믹의 내습성이나 내용출성이 저하하거나 Q값이 저하하는 경우가 있다.
또한, 이 유리 분말에는 산화 알루미늄이 Al2O3 환산으로 유리 분말 전체의 10몰% 이하의 비율로 더 포함되어 있는 것이 바람직하다. Al2O3 는 유리의 화학적 안정성을 높이는 작용을 한다. Al2O3 의 함유 비율이 10몰%를 넘으면, 얻어지는 절연체 세라믹의 Q값이 저하하거나 열팽창계수가 저하하는 경우가 있다.
또한, 이 유리 분말에는 유리 분말 100중량%에 대하여, Li2O, K2O 및 Na2 O로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 알칼리 금속 산화물이 10중량% 이하의 비율로 더 첨가되어 있는 것이 바람직하다. 이들의 알칼리 금속 산화물은 유리의 연화점을 낮추는 작용을 한다. 이들의 알칼리 금속 산화물의 첨가 비율이 10중량%를 넘으면 얻어지는 절연체 세라믹의 Q값이 저하하거나 내용출성이 저하하는 경우가 있다.
또한, 본 발명의 제 1, 제 2 절연체 세라믹 조성물에 포함되는 유리 분말로서는 각 성분 조성을 갖는 유리 분말을 혼합한 분말을 사용해도 되지만, 각 성분 조성을 갖는 유리 분말을 혼합한 후, 700∼1400℃에서 일단 하소하여 분쇄된 분말을 사용하는 것이 바람직하다.
제 1, 제 2 절연체 세라믹 조성물에는 산화구리가 CuO환산으로 전체의 3중량% 이하의 비율로 더 포함되어 있는 것이 바람직하다. 산화구리는 제 1, 제 2 절연체 세라믹 조성물의 소성 온도를 더욱 저하시키는 작용을 한다. CuO의 함유 비율이 전체의 3중량%를 넘으면 Q값이 저하하는 경우가 있다.
이들 제 1, 제 2 절연체 세라믹 조성물에 있어서는 세라믹 분말과 유리 분말이 중량비로 20:80∼80:20의 비율로 배합되어 있는 것이 바람직하다. 이 범위보다도 세라믹 분말의 배합 비율이 많아지면 얻어지는 절연체 세라믹의 밀도가 작아지는 경우가 있고, 상기 범위보다 유리 분말의 배합 비율이 많아지면 얻어지는 절연체 세라믹의 Q값이 작아지는 경우가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 제 1 절연체 세라믹 조성물에 있어서, 세라믹 분말 중의 MgAl2O4 의 일부가 Mg2SiO4 으로 치환되어 있어도 되고, 제 2 절연체 세라믹 조성물이 산화 티탄을 더 함유하고 있어도 된다. 이 때의 Mg2SiO4 의 치환량이나 산화 티탄의 첨가량은 상술한 대로이다.
본 발명의 절연체 세라믹은 상술한 제 1 절연체 세라믹 조성물 또는 제 2 절연체 세라믹 조성물을 소성함으로써 얻어진다. 따라서, 본 발명의 절연체 세라믹은 강도가 높고 고주파 특성이 우수하다.
이 절연체 세라믹은 특히, 측정 주파수 15㎓에 있어서의 Q값이 400이상인 것이 바람직하다. 본 발명의 절연체 세라믹 조성물에 의하면, Qf값, 즉 15㎓×Q값이 6000이상인 절연체 세라믹을 얻는 것이 충분히 가능하고, 고주파대에서의 사용에 적합한 세라믹 다층 기판을 제공하는 것이 가능해진다.
본 발명의 세라믹 다층 기판은 복수의 세라믹층; 이 중 적어도 1층의 세라믹층에 형성된 배선 도체;를 구비하는 것으로, 복수의 세라믹층에 있어서는 본 발명의 절연체 세라믹으로 이루어진 절연체 세라믹층이 포함되어 있다.
이 세라믹 다층 기판에 있어서, 복수의 세라믹층은 절연체 세라믹층의 적어도 한쪽 주면에 적층된, 절연체 세라믹층보다도 유전율이 높은 유전체 세라믹층을 더 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 세라믹 다층 기판은 본 발명의 절연체 세라믹을 절연체층으로서 포함한 세라믹 다층 기판 이외에, 본 발명의 절연체 세라믹으로 이루어진 절연체층, 및 이 절연체 세라믹보다도 유전율이 큰 유전체 세라믹으로 이루어진 유전체층,을 적층한 이종(異種) 재료 복합형의 세라믹 다층 기판에도 적용할 수 있다.
본 발명의 세라믹 전자부품은 본 발명의 세라믹 다층 기판; 세라믹 다층 기판상에 실장되고 배선 도체에 전기적으로 접속된 회로 소자;를 구비하는 것이다. 즉, 본 발명의 세라믹 전자부품은 세라믹 다층 기판상에 반도체 디바이스 등의 능동 소자나 칩콘덴서 등의 수동 소자를 탑재한 모듈 부품에 적용할 수 있다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품은 본 발명의 세라믹 다층 기판; 인덕터 및 커패시터 중 적어도 하나를 구성하는 배선 도체;를 구비하는 것이어도 된다. 즉, 본 발명의 세라믹 전자부품은 세라믹 다층 기판에 인덕터나 콘덴서를 내장하는 적층형 LC필터 등의 칩 형상 부품에도 적용할 수 있다.
이들 본 발명의 세라믹 전자부품에 있어서, 절연체 세라믹으로 이루어진 세라믹 소체; 세라믹 소체내에 배치된 내부 전극 및 세라믹 소체의 외표면에 형성되고, 내부전극과 전기적으로 접속된 외부전극으로 이루어진 배선 도체;를 구비하는 것이 바람직하다. 또한, 세라믹 소체는 복수의 세라믹층이 적층되어 이루어지고, 내부 전극 중 한쪽의 전위에 접속된 내부전극과 다른쪽의 전위에 접속된 내부전극이 세라믹층을 개재해서 대향하여, 커패시터를 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 세라믹 전자부품에 있어서 내부전극이 서로 접속됨으로써 인덕터를 구성하여도 된다.
본 발명의 세라믹 다층 기판의 제조방법은 본 발명의 제 1, 제 2 절연체 세라믹 조성물로 형성된 제 1 세라믹 그린시트를 적층하여 이루어진 적층체를 준비하는 공정;
제 1 세라믹 그린시트와는 소결 온도가 다른 제 2 세라믹 그린시트를 상기 제 1 세라믹 그린시트의 적어도 한쪽 주면, 바람직하게는 양주면에 접하도록 형성하는 공정;
제 1 세라믹 그린시트로 이루어진 적층체와 제 2 세라믹 그린시트로 이루어진 복합 적층체를 동시에 소성하는 공정;을 구비하는 세라믹 다층 기판의 제조방법에도 적용할 수 있다.
여기에서, 제 2 세라믹 그린시트는 제 1 세라믹 그린시트의 소성 온도에서는 실질적으로 소결하지 않는 세라믹 그린시트인 것이 바람직하다. 또한, 제 1 세라믹 그린시트로 이루어진 적층체와 제 2 세라믹 그린시트를 동시에 소성하는 공정은 소성 온도 1000℃ 이하에서 행하여지는 것이 바람직하다. 이 경우, 제 2 세라믹 그린시트에 포함되는 세라믹 분말로서는 알루미나, 지르코니아, 마그네시아 등의 세라믹 분말을 이용할 수 있다.
다음으로, 도면을 참조하면서 본 발명의 세라믹 전자부품의 실시형태예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 세라믹 전자부품으로서의 세라믹 다층 모듈의 단면도이고, 도 2는 그 사시도이다.
세라믹 다층 모듈(1)은 세라믹 다층 기판(2)을 사용하여 구성되어 있다. 세라믹 다층 기판(2)은 본 발명의 절연체 세라믹으로 이루어진 절연체 세라믹층(3a, 3b) 사이에, 예를 들어 티탄산 바륨에 유리를 첨가하여 이루어진 상대적으로 유전율이 높은 유전체 세라믹층(4)을 끼운 이종 재료 복합형의 다층 구조를 가지고 있다.
유전체 세라믹층(4)내에는 복수의 내부전극(5)이 유전체 세라믹층(4)의 일부를 개재하여 인접하도록 배치되어 있고, 그에 따라 커패시터(C1, C2)가 구성되어 있다.
또한, 절연체 세라믹층(3a, 3b) 및 유전체 세라믹층(4)에는 복수의 비어홀 전극(6, 6a)이나 내부 배선이 형성되어 있다.
한편, 세라믹 다층 기판(2)의 상면에는 전자부품 소자(9∼11)가 실장되어 있다. 전자부품 소자(9∼11)로서는 반도체 디바이스, 칩형 적층 콘덴서 등의 임의의 전자부품 소자를 이용할 수 있다. 비어홀 전극(6) 및 내부 배선에 의해, 이들의 전자부품 소자(9∼11)와 커패시터(C1, C2)가 전기적으로 접속되어, 세라믹 다층 모듈(1)의 전기회로를 구성하고 있다.
또한, 세라믹 다층 기판(2)의 상면에는 도전성 캡(8)이 고정되어 있다. 도전성 캡(8)은 세라믹 다층 기판(2)을 상면에서 하면을 향하여 관통하고 있는 비어홀 전극(6a)에 전기적으로 접속되어 있다. 세라믹 다층 기판(2)의 하면에는 외부전극(7)이 형성되어 있고, 외부전극(7)은 비어홀 전극(6, 6a)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 다른 외부전극에 대해서는 도시를 생략하지만, 외부전극(7)과 마찬가지로, 세라믹 다층 기판(2)의 하면에 형성되어 있다. 또한, 다른 외부전극은 상술한 내부 배선을 개재하여 전자부품 소자(9∼11)나 커패시터(C1, C2)와 전기적으로 접속되어 있다.
이와 같이, 세라믹 다층 기판(2)의 하면에 외부와 접속하기 위한 외부전극(7)을 형성함으로써, 세라믹 다층 모듈(1)을 하면측을 이용하여 프린트 회로 기판 등에 용이하게 실장할 수 있다.
또한, 본 예에서는 캡(8)이 도전성 재료로 이루어지고, 외부전극(7)에 비어홀 전극(6a)을 개재하여 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 전자부품 소자(9∼11)를 도전성 캡(8)에 의해 전자기적으로 차폐할 수 있다. 캡(8)은 반드시 도전성 재료로 구성되어 있을 필요는 없다.
세라믹 다층 모듈(1)에서는 절연체 세라믹층(3a, 3b)이 본 발명에 따른 절연체 세라믹을 사용하고 있으므로 유전율이 낮고, 또한 고주파에서의 Q값도 높기 때문에, 고주파 용도에 적합한 세라믹 다층 모듈(1)을 제공할 수 있다.
또한, 세라믹 다층 기판(2)은 주지의 세라믹 적층 일체 소성 기술을 이용하여 용이하게 얻을 수 있다.
즉, 우선 티탄산 바륨 등의 유전체 세라믹 조성물을 주체로 하는 세라믹 그린시트를 준비하고, 내부전극(5), 외부 배선 및 비어홀 전극(6, 6a) 등을 구성하기 위한 전극 패턴을 인쇄하여, 소정의 전극 패턴을 구비한 유전체 세라믹층용의 세라믹 그린시트를 준비한다. 또한, 본 발명의 절연체 세라믹 조성물로 이루어진 세라믹 그린시트를 준비하고, 내부전극(5), 외부 배선 및 비어홀 전극(6, 6a) 등을 구성하기 위한 전극 패턴을 인쇄함으로써, 소정의 전극 패턴을 구비한 절연체 세라믹층용의 세라믹 그린시트를 준비한다.
그리고, 유전체 세라믹층용의 세라믹 그린시트, 절연체 세라믹층용의 세라믹 그린시트를 각각 소정 매수 적층하여, 두께 방향으로 가압한다. 이와 같이 하여 얻어진 미소성의 적층체를 소정의 소성 조건하에서 소성함으로써, 세라믹 다층 기판(2)을 얻을 수 있다.
도 3∼도 5는 본 발명의 세라믹 전자부품인 적층형 LC필터의 분해사시도, 외부 사시도 및 회로도이다.
도 4에 나타낸 적층 세라믹 전자부품(20)은 적층형 LC필터이다. 세라믹 소결체(21)내에 후술하는 바와 같이 인덕터(L) 및 커패시터(C)를 구성하는 회로가 구성되어 있다. 세라믹 소결체(21)는 본 발명의 절연체 세라믹에 의해 구성되어 있다. 또한, 세라믹 소결체(21)의 외표면에는 외부전극(23a, 23b, 24a, 24b)이 형성되어 있고, 외부전극(23a, 23b, 24a, 24b)의 사이에는 도 5에 나타낸 LC 공진 회로가 구성되어 있다.
다음으로, 상기 세라믹 소결체(21)내의 구성을 도 3을 참조하여 제조방법을 설명함으로써 명확하게 한다.
우선, 본 발명의 절연체 세라믹 조성물에, 유기 비히클을 첨가하여 세라믹 슬러리를 얻는다. 이 세라믹 슬러리를 적당한 시트 성형법에 의해 형성하여 세라믹 그린시트를 얻는다. 이와 같이 하여 얻어진 세라믹 그린시트를 건조한 후 소정의 크기로 찍어내어, 직사각형의 세라믹 그린시트(21a∼21m)를 준비한다.
다음으로, 세라믹 그린시트(21a∼21m)에 비어홀 전극(28)을 구성하기 위한 관통홀을 필요에 따라 형성한다. 또한, 도전성 페이스트를 스크린 인쇄함으로써 인덕터(L1)용의 코일 도체(26a, 26b), 커패시터(C)용의 내부전극(27a∼27c), 인덕터(L2)용의 코일 도체(26c, 26d)를 형성함과 동시에, 상기 비어홀(28)용 관통홀에 도전 페이스트를 충전하여 비어홀 전극(28)을 형성한다.
그런 후, 세라믹 그린시트(21a∼21m)를 도시한 방향으로 적층하고, 두께 방향으로 가압하여 적층체를 얻는다. 얻어진 적층체를 소성하여 세라믹 소결체(21)를 얻는다.
상기와 같이 하여 얻어진 세라믹 소결체(21)에 도 4에 나타내 바와 같이 외부전극(23a∼24b)을, 도전 페이스트의 도포·베이킹, 증착, 도금 내지 스퍼터링 등의 박막 형성법 등에 의해 형성한다. 이와 같이 하여 적층 세라믹 전자부품(20)을 얻을 수 있다.
도 3으로부터 명확한 바와 같이, 코일 도체(26a, 26b)에 의해 도 5에 나타낸 인덕터(L1)가 구성되고, 코일 도체(26c, 26d)에 의해 인덕터(L2)가 구성되며, 내부전극(27a∼27c)에 의해 커패시터(C)가 구성된다.
본 예의 세라믹 전자부품(20)에서는 상기와 같이 적층형 LC필터가 구성되어 있지만, 세라믹 소결체(21)가 본 발명의 절연체 세라믹을 이용하여 구성되어 있기 때문에, 상술한 세라믹 다층 기판(2)과 마찬가지로 저온 소성에 의해 얻을 수 있고, 따라서, 내부전극인 도체 패턴(26a∼26c)이나 전극 패턴(27a∼27c)으로서 구리, 은, 금 등의 저윰점 금속을 이용하여 절연체 세라믹 조성물과 동시 소성할 수 있다. 즉 비저항이 작은 도체 재료를 이용할 수 있는 것 이외에, 절연체 세라믹의 고주파에 있어서의 Q값이 높기 때문에 고주파 용도에 적합한 적층형 LC필터를 구성할 수 있다.
또한 상술한 각 예에서는 세라믹 다층 모듈이나 적층형 LC 필터를 예로 들어 설명하였는데, 본 발명에 따른 세라믹 전자부품은 이들의 구조에 한정되지 않는다. 즉, 멀티 칩 모듈용 세라믹 다층 기판, 하이브리드 IC용 세라믹 다층 기판 등의 각종 세라믹 다층 기판, 또는 이들의 세라믹 다층 기판에 전자부품 소자를 탑재한 각종 세라믹 전자부품, 게다가 칩형 적층 콘덴서나 칩형 적층 유전체 안테나 등의 여러가지 칩형 적층 전자부품에 적용할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 구체적인 실시예에 기초하여 보다 상세하게 설명한다.
<실시예 1>
원료 분말로서 Mg(OH)2 와 Al2O3 의 분말을 화학양론비적 조성(stoichiometric compositio)으로 MgAl2O4 가 되도록 칭량하고, 이것을 16시간 습식혼합한 후, 건조하였다. 다음으로, 건조한 혼합물을 1350℃에서 2시간 하소한 후, 분쇄하였다. 그리고, 분쇄에 의해 얻어진 분말과 시판되고 있는 TiO2 분말을 혼합하여 세라믹 분말을 조제하였다.
또한 하기 표 1에 나타낸 성분 조성을 갖는 유리 분말을 얻기 위하여, 소원료 분말을 소정량 혼합하고 700∼1400℃에서 하소, 분쇄하여 하기 표 1에 나타낸 조성 G1∼G40의 유리 분말을 조제하였다.
그리고 하기의 표 2∼3에 나타낸 비율로, 세라믹 분말과 유리 분말을 배합하였다. 또한, 이들 배합물에 적량의 CuO, 용제, 바인더 및 가소제를 첨가하여, 시료 S1∼S51의 각 슬러리를 얻었다. 이 각 슬러리를 사용하여 닥터 블레이드법에 의해 두께가 50㎛인 제 1 세라믹 그린시트를 성형하였다.
다음으로, 24장의 상기 제 1 세라믹 그린시트를 적층하고, 2000㎏/㎠의 압력으로 성형하여, 직경 12㎜ 및 두께 7㎜의 원주 형상의 미소성 적층체를 얻었다.
다음으로, 이 제 1 세라믹 그린시트로 이루어진 적층체와는 별개로, 1000℃ 이하에서는 소결하지 않는 세라믹 분말로서 시판되고 있는 알루미나 분말을 준비하고, 알루미나 분말, 용제, 바인더, 가소제를 혼합하여, 제 2 슬러리를 얻었다. 이 제 2 슬러리를 이용하여 닥터 블레이드법에 의해 두께가 50㎛인 제 2 세라믹 그린시트를 성형하였다.
이와 같이 하여 얻어진 제 2 세라믹 그린시트를 세로 30㎜×가로 10㎜의 크기로 절단하고, 제 1 세라믹 그린시트로 이루어진 적층체의 적층 방향 외측의 양주면에, 제 2 세라믹 그린시트를 1층씩 배치하여 압착하였다. 즉, 제 2 세라믹 그린시트 사이에 제 1 세라믹 그린시트로 이루어진 적층체를 끼우고, 또한 제 2 세라믹 그린시트 사이에 있어서 제 1 세라믹 그린시트로 이루어진 적층체가 적층 방향으로 압착된 상태로, 이것을 대기중 900∼1000℃에서 2시간 소성하여, 제 1 세라믹 그린시트로 이루어진 적층체를 소성하였다. 그런 후, 미소결 상태에 있는 제 2 세라믹 그린시트에 기초하는 층을 제거함으로써, 절연체 세라믹 시료를 얻었다.
이 절연체 세라믹 시료를 사용하고, 양단 단락형 유전체 공진기법에 의해 15㎓에 있어서의 비유전율 εr 및 Q값을 측정하였다. 상기 절연체 세라믹 시료의 열팽창계수와 치수 편차를 측정하였다.
다음으로, 상기 제 1 세라믹 그린시트를 소정의 크기로 찍어내고, 이것에 Ag계 도전 페이스트를 스크린 인쇄함으로써 콘덴서용 내부전극을 형성하고, 이것을 교대로 적층하고 가압함으로써 얻어진 적층체를 900∼1000℃에서 소성하여 세라믹 소결체를 얻었다. 이 세라믹 소결체에 외부전극으로서 도전 페이스트를 도포·베이킹함으로써, 표 2∼3의 성분 조성을 갖는 절연체 세라믹으로 이루어진 적층 콘덴서를 얻었다.
그리고, 이 적층 콘덴서에 50V의 전압을 인가하면서 120℃, 상대 습도 95%, 압력 2atm의 조건에서 200시간, 적층 콘덴서를 방치하였다. 이 고온·고습도 시험 전후의 절연 저항의 변화(TCC)를 측정하여, 내습성을 판단하였다. 그 결과를 하기 표 2∼3에 같이 나타낸다.
또한, 표 2에 있어서, 시료 S0에서는 제 1 세라믹 그린시트로 이루어진 적층체를, 제 2 세라믹 그린시트를 사용하지 않고 소성하여 얻었다.
하기 표 1에 있어서 Li2O, NaO 및 K2O는 다른 유리 성분 전체를 100중량%로 한 경우, 다른 성분의 합계 100중량%에 대하여 첨가된 비율(중량%)로 나타낸다.
SiO2 (몰%) MgO(몰%) B2O3 (몰%) CaO(몰%) SrO(몰%) BaO(몰%) ZnO(몰%) Al2O3 (몰%) Li2O(wt%) K2O(wt%) Na2O(wt%)
G1 45 55 - - - - - - - - -
G2 50 50 - - - - - - - - -
G3 30 55 15 - - - - - - - -
G4 60 30 10 - - - - - - - -
G5 50 40 10 - - - - - - - -
G6 50 30 20 - - - - - - - -
G7 30 50 - 20 - - - - - - -
G8 50 20 - - 30 - - - - - -
G9 30 45 20 - - - - 5 - - -
G10 35 40 10 5 5 - - 5 - - -
G11 45 50 5 - - - - - 5 - -
G12 50 40 - - - - - 10 10 - -
G13 40 50 - - - - - 10 10 - -
G14 45 40 5 10 - - - - 5 - -
G15 45 20 5 - 10 20 - - 5 - -
G16 35 30 20 - - - 15 - 5 - 5
G17 40 50 10 - - - - - 5 5 -
G18 35 45 5 15 - - - - 5 - -
G19 35 25 10 - - 30 - - 5 - -
G20 30 45 15 - - 5 5 - 5 5 -
G21 45 25 5 5 - 5 5 10 10 - -
G22 35 24 21 - - - 20 - 5 - -
G23 39 20 21 - - - 20 - 4 - -
G24 34 45 21 - - - - - - - -
G25 40 20 9 - 10 21 - - 5 - -
G26 30 30 - 30 5 - - 5 - - -
G27 34 20 10 31 - 5 - - 4 - -
G28 30 20 19 - - 31 - - 5 - -
G29 45 24 - - 31 - - - - - -
G30 49 40 - - - - - 11 10 - -
G31 35 30 10 - 4 - 10 11 - - -
G32 40 39 10 - - - - 11 - - -
G33 40 30 10 10 - 5 5 - 11 - -
G34 35 40 10 5 - 5 5 - 11 - -
G35 29 55 16 - - - - - - - -
G36 51 34 15 - - - - - - - -
G37 61 34 5 - - - - - - - -
G38 41 19 10 30 - - - - 6 - -
G39 41 19 20 20 - - - - 6 - -
G40 30 56 14 - - - - - - - -
세라믹 분말 유리 분말 CuO(wt%) 소성온도(℃) 열팽창계수(ppmdeg-1) εr TCC(ppmdeg-1) Q 치수편차(%)
MgAl2O4 (wt%) TiO2 (wt%) (wt%) 종류
S0 35 5 60 G3 3 900 9.8 6.9 +45 700 0.5
S1 35 0 65 G3 0 900 10.2 6.9 +120 400 0.1이하
S2 35 5 60 G3 3 900 9.9 7.0 +45 730 0.1이하
S3 15 5 80 G18 3 900 9.9 7.0 +60 460 0.1이하
S4 15 5 80 G18 4 900 10.2 7.0 - 160 0.1이하
S5 15 5 80 G18 3 900 10.6 7.0 +50 460 0.1이하
S6 15 5 80 G5 3 900 9.8 7.0 +50 420 0.1이하
S7 5 5 90 G5 3 900 9.6 6.8 +55 400 0.1이하
S8 45 5 50 G19 0 900 10.3 7.0 +20 850 0.1이하
S9 45 5 50 G19 1 900 10.4 7.0 +5 880 0.1이하
S10 55 5 40 G19 0 900 10.1 7.1 -5 460 0.1이하
S11 75 5 20 G19 3 1000 10.5 7.0 -10 410 0.1이하
S12 85 5 10 G19 0 1000 10.6 7.1 +10 400 0.1이하
S13 45 5 50 G26 1 900 10.2 7.1 +10 660 0.1이하
S14 35 5 60 G26 2 900 9.9 6.9 +20 720 0.1이하
S15 35 5 60 G20 0 900 10.3 7.1 +15 750 0.1이하
S16 65 5 30 G20 3 1000 10.7 7.3 -20 420 0.1이하
S17 35 5 60 G20 3 900 10.3 7.0 +5 830 0.1이하
S18 25 5 70 G20 1 900 10.5 6.9 +40 730 0.1이하
S19 65 5 30 G17 3 1000 10.3 7.2 -10 400 0.1이하
S20 55 5 40 G17 1 900 10.4 7.1 +5 450 0.1이하
S21 45 5 50 G17 0 900 10.6 6.9 +10 550 0.1이하
S22 35 5 60 G17 0 900 10.7 6.9 +20 650 0.1이하
세라믹 분말 유리 분말 CuO(wt%) 소성온도(℃) 열팽창계수(ppmdeg-1) εr TCC(ppmdeg-1) Q 치수편차(%)
MgAl2O4 (wt%) TiO2 (wt%) (wt%) 종류
S23 35 5 60 G35 3 900 10.3 6.9 - 310 0.1이하
S24 35 5 60 G35 0 1000 9.8 6.9 +30 20 0.1이하
S25 35 5 60 G35 3 1000 9.9 7.0 +50 40 0.1이하
S26 35 5 60 G40 0 1000 - - - - 0.1이하
S27 35 5 60 G40 3 1000 - - - - 0.1이하
S28 45 5 50 G23 1 900 10.3 7.0 - 300 0.1이하
S29 55 5 40 G23 0 900 9.6 7.1 - 150 0.1이하
S30 75 5 20 G23 3 900 10.5 7.0 - 260 0.1이하
S31 15 5 80 G36 3 900 9.8 7.0 +70 120 0.1이하
S32 45 5 50 G39 0 900 10.3 7.0 +90 80 0.1이하
S33 15 5 80 G31 3 900 10.6 7.0 +80 50 0.1이하
S34 15 5 80 G28 3 900 10.7 7.0 +60 40 0.1이하
S35 35 5 60 G27 3 900 10.6 6.9 - 650 0.1이하
S36 35 1 64 G1 2 900 9.8 6.8 +40 450 0.1이하
S37 34 2 64 G1 2 900 9.8 6.8 +35 480 0.1이하
S38 32 4 64 G1 2 900 9.9 6.9 +30 580 0.1이하
S39 31 5 64 G1 2 900 10.0 7.0 +20 700 0.1이하
S40 28 8 64 G1 2 900 10.4 7.2 +10 500 0.1이하
S41 26 10 64 G1 2 900 10.6 7.3 -5 450 0.1이하
S42 24 12 64 G1 2 900 10.7 7.4 -15 400 0.1이하
S43 21 15 64 G1 2 900 11.2 7.6 -30 400 0.1이하
S44 35 5 60 G2 1 900 10.0 7.2 +10 750 0.1이하
S45 40 5 55 G6 2 900 10.1 6.7 +20 660 0.1이하
S46 30 10 60 G7 3 900 9.8 7.1 -25 700 0.1이하
S47 35 5 60 G8 3 900 9.9 7.2 +15 580 0.1이하
S48 20 1 80 G9 3 900 9.6 7.4 +80 470 0.1이하
S49 35 5 60 G24 3 900 9.8 7.0 - 220 0.1이하
S50 35 5 60 G29 3 900 9.9 7.1 - 340 0.1이하
S51 35 5 60 G32 3 900 - - - 0 0.1이하
<실시예 2>
원료 분말로서 Mg(OH)2 분말과 Al2O3 의 분말을 사용하여 화학양론비적 조성으로 MgAl2O4 가 되도록 이것을 칭량하고, 16시간 습식혼합한 후, 건조하였다. 이 혼합물을 1350℃에서 2시간 하소한 후, 분쇄하였다. 분쇄에 의해 얻어진 세라믹 분말과 상술한 조성 G1∼G40중 어느 한 유리 분말을 하기 표 4에 나타낸 비율로 혼합하고, 다시 필요에 따라 CuO를 첨가하였다. 또한, 이 혼합물에 용제, 적량의 바인더 및 가소제를 첨가하여 혼합하고, No. T1∼T29의 각 슬러리를 얻었다. 이 슬러리를 사용하여 닥터 블레이드법에 의해 두께가 50㎛인 세라믹 그린시트를 성형하였다.
다음으로, 상기 세라믹 그린시트와는 별개로, 실시예 1에서 사용한 제 2 세라믹 그린시트를 별도로 준비하였다.
이하, 실시예 1과 동일하게 하여, 절연체 세라믹 시료를 준비하고 실시예 1과 동일하게 평가하였다. 단, 본 실시예에서는 고습도 시험 전후의 절연저항의 변화는 평가하지 않고, 절연체 세라믹 시료의 항절 강도를 측정하였다.
또한, 시료번호 T0에서는 제 2 세라믹 그린시트를 사용하지 않고, 제 1 세라믹 그린시트로 이루어진 적층체를 그대로 소성한 것이다. 그 결과를 하기의 표 4에 나타낸다.
세라믹 분말 유리 분말 CuO(wt%) 소성온도(℃) 열팽창계수(ppmdeg-1) εr 항절강도(㎫) Q 치수편차(%)
MgAl2O4 (wt%) Mg2SiO4 (wt%) (wt%) 종류
T0 38 2 60 G3 3 900 9.7 7.0 230 460 0.5
T1 38 2 60 G3 3 900 9.8 7.0 230 450 0.1이하
T2 35 5 60 G3 3 900 10.0 7.1 210 480 0.1이하
T3 34 6 60 G3 3 900 10.2 7.1 190 500 0.1이하
T4 20 0 80 G14 3 900 9.7 7.0 210 480 0.1이하
T5 18 2 80 G14 3 900 9.7 7.0 200 520 0.1이하
T10 50 0 50 G15 0 900 10.0 7.0 250 550 0.1이하
T11 50 0 50 G15 1 900 10.0 7.0 260 580 0.1이하
T12 60 0 40 G15 0 900 9.9 7.1 255 550 0.1이하
T13 80 0 20 G15 3 1000 10.2 7.0 265 580 0.1이하
T14 90 0 10 G15 0 1000 10.3 6.9 230 500 0.1이하
T15 45 5 50 G15 0 900 10.1 7.1 220 600 0.1이하
T16 40 10 50 G15 0 900 10.0 7.0 180 650 0.1이하
T17 35 5 60 G4 3 900 10.1 7.2 220 460 0.1이하
T18 35 5 60 G10 3 900 10.4 7.0 190 530 0.1이하
T19 35 5 60 G11 3 900 9.8 7.0 190 500 0.1이하
T20 35 5 60 G12 3 900 9.7 7.1 200 520 0.1이하
T21 35 5 60 G16 3 900 10.0 7.0 210 320 0.1이하
T22 35 5 60 G21 3 900 10.4 7.3 180 420 0.1이하
T23 35 5 60 G22 3 900 10.2 7.3 200 490 0.1이하
T24 35 5 60 G25 3 900 10.8 7.6 230 510 0.1이하
T25 35 5 60 G30 3 900 10.5 7.3 245 390 0.1이하
T26 35 5 60 G33 3 900 10.2 7.1 230 300 0.1이하
T27 35 5 60 G34 3 900 10.3 7.1 195 450 0.1이하
T28 35 5 60 G37 3 900 10.2 6.6 80 320 0.1이하
T29 35 5 60 G38 3 900 10.9 8.0 205 60 0.1이하
상술한 각 실시예로부터 알 수 있듯이, 각 실시예의 절연체 세라믹 조성물은 MgAl2O4계 세라믹 분말과 상기 특정 조성의 유리 분말을 포함하므로, 1000℃ 이하의 온도에서 소성될 수 있다. 따라서, 이 절연체 세라믹 조성물을 은이나 구리 등의 저융점 금속으로 이루어진 도체 재료와 동시에 소성할 수 있으며, 이들의 도체 재료를 내부전극 등에 이용할 수 있기 때문에, 고주파 특성이 우수한 세라믹 다층 기판을 실현할 수 있다.
또한, 특히 실시예 1에 따른 절연체 세라믹 조성물은 산화 티탄(TiO2)을 포함하는 MgAl2O4계 세라믹 분말과 상기 특정 조성의 유리분말을 포함하므로, 이것을 소성함으로써 얻어지는 절연체 세라믹은 높은 기계적 강도를 가지고, 고주파대에 있어서 높은 Q값을 나타낸다. 따라서, 고주파 특성이 우수하며 기계적 강도가 우수한 세라믹 다층 기판을 얻을 수 있다.
또한, 실시예 2에 따른 절연체 세라믹 조성물은 일부를 Mg2SiO4 로 치환한 MgAl2O4계 세라믹 분말과 상기 특정 조성의 유리분말을 포함하므로, 이것을 소성함으로써 얻어지는 절연체 세라믹은 높은 기계적 강도를 가지고, 높은 열팽창계수를 가지며, 고주파대에 있어서 높은 Q값을 나타낸다. 따라서, 고주파 특성이 우수하고 기계적 강도가 우수하며, 높은 열팽창계수를 갖는 세라믹 다층 기판을 얻을 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면 기계적 강도가 높고 고주파 특성이 우수한 세라믹 전자부품을 실현할 수 있다.

Claims (19)

  1. 스피넬(MgAl2O4)을 포함하는 세라믹 분말; 산화 규소를 SiO2 환산으로 30∼60몰% 및 산화 마그네슘을 MgO환산으로 20∼55몰% 포함하는 유리 분말;을 함유하는 절연체 세라믹 조성물로서, 상기 절연체 세라믹 조성물은 산화 티탄을 상기 세라믹 분말 및 상기 유리 분말의 합계량에 대하여 0.5∼15중량%의 비율로 더 함유하는 것을 특징으로 하는 절연체 세라믹 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 산화 티탄은 상기 세라믹 분말 중에 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 절연체 세라믹 조성물.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서, 상기 유리 분말에는 산화 붕소가 B2O3 환산으로유리 분말 전체의 20몰% 이하의 비율로 더 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 절연체 세라믹 조성물.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 유리 분말에는 CaO, SrO, BaO 및 ZnO로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 산화물이, 상기 유리 분말 전체의 30몰% 이하의 비율로 더 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 절연체 세라믹 조성물.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 유리 분말에는 산화 알루미늄이 Al2O3 환산으로 상기 유리 분말 전체의 10몰% 이하의 비율로 더 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 절연체 세라믹 조성물.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 유리 분말에는 Li2O, K2O 및 Na2O으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 알칼리 금속 산화물이, 상기 유리 분말 100중량%에 대하여 10중량% 이하의 비율로 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 절연체 세라믹 조성물.
  10. 제 1항에 있어서, 산화구리가 상기 세라믹 분말 및 상기 유리 분말의 합계량에 대하여, CuO환산으로 3중량% 이하의 비율로 더 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 절연체 세라믹 조성물.
  11. 제 2항에 있어서, 상기 세라믹 분말과 상기 유리 분말이 중량비로 20:80∼80:20의 비율로 배합되어 있는 것을 특징으로 하는 절연체 세라믹 조성물.
  12. 제 1항에 기재된 절연체 세라믹 조성물을 소성함으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 절연체 세라믹.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3093578U (ja) * 2002-10-22 2003-05-16 アルプス電気株式会社 多層回路基板
WO2005076351A1 (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 部品内蔵モジュールおよびその製造方法
US7439202B2 (en) * 2004-03-01 2008-10-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component
US7368408B2 (en) * 2004-03-01 2008-05-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Glass-ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component
US7417001B2 (en) * 2004-03-01 2008-08-26 Murata Manufacturing Co., Ltd Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component
US7351674B2 (en) * 2004-03-01 2008-04-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Insulating ceramic composition, insulating ceramic sintered body, and mulitlayer ceramic electronic component
JP2005281010A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 誘電体セラミック材料及び積層セラミック基板
JP2006016215A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Sanyo Electric Co Ltd 誘電体セラミック及び積層セラミック基板
US7742314B2 (en) * 2005-09-01 2010-06-22 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board and capacitor
JP3969453B1 (ja) * 2006-05-17 2007-09-05 株式会社村田製作所 ケース付き多層モジュール
US20080227621A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Hsieh Hsin-Mao Glass capable of emitting infrared rays
US20090236692A1 (en) * 2008-03-24 2009-09-24 Sheng-Fu Su Rc filtering device having air gap construction for over voltage protection
JP4618383B2 (ja) * 2008-05-12 2011-01-26 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物、積層複合電子部品、積層コモンモードフィルタ、積層セラミックコイルおよび積層セラミックコンデンサ
JP4687760B2 (ja) * 2008-09-01 2011-05-25 株式会社村田製作所 電子部品
US20100212359A1 (en) * 2009-02-23 2010-08-26 Hilary Tony Godard Spinel isopipe for fusion forming alkali containing glass sheets
JP5418419B2 (ja) * 2010-06-16 2014-02-19 株式会社村田製作所 積層回路基板
WO2013099944A1 (ja) * 2011-12-27 2013-07-04 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびそれを用いた電子部品
CN104844240B (zh) * 2015-06-23 2017-03-08 武汉科技大学 高红外反射率镁橄榄石轻质耐火保温材料及其制备方法
CN108383519B (zh) * 2018-05-15 2021-01-29 广东国华新材料科技股份有限公司 一种微波介电陶瓷材料及其制备方法
JP7435473B2 (ja) 2019-01-11 2024-02-21 Dic株式会社 樹脂組成物、成形物、組成物、グリーンシート、焼成物及びガラスセラミックス基板
JPWO2020145342A1 (ja) * 2019-01-11 2021-11-25 Dic株式会社 スピネル粒子及びその製造方法、樹脂組成物、成形物、組成物、グリーンシート、焼成物、並びに、ガラスセラミックス基板
KR20230103631A (ko) * 2021-12-31 2023-07-07 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61286263A (ja) * 1985-06-14 1986-12-16 日本特殊陶業株式会社 低温焼結磁器組成物
US4788046A (en) * 1987-08-13 1988-11-29 Ceramics Process Systems Corporation Method for producing materials for co-sintering
US5082811A (en) 1990-02-28 1992-01-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ceramic dielectric compositions and method for enhancing dielectric properties
JP3101970B2 (ja) * 1995-04-28 2000-10-23 京セラ株式会社 ガラス−セラミック焼結体およびその製造方法
JP3297569B2 (ja) * 1995-10-30 2002-07-02 京セラ株式会社 低温焼成磁器組成物
EP0952966A4 (en) * 1996-11-21 2000-08-23 Corning Inc GLASS CERAMICS BASED ON BETA QUARTZ
JPH11157945A (ja) * 1997-11-28 1999-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック電子部品の製造方法及びそれに用いるダミー用グリーンシート
JP2001010858A (ja) * 1999-06-22 2001-01-16 Murata Mfg Co Ltd セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品
JP4852778B2 (ja) * 1999-06-22 2012-01-11 株式会社村田製作所 セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品
JP2001240470A (ja) * 2000-02-29 2001-09-04 Kyocera Corp 高周波用磁器組成物および高周波用磁器並びに高周波用磁器の製造方法
US6753277B2 (en) 2000-02-29 2004-06-22 Kyocera Corporation Ceramics having excellent high-frequency characteristics and method of producing the same
JP3680683B2 (ja) * 2000-03-06 2005-08-10 株式会社村田製作所 絶縁体磁器組成物
JP3680715B2 (ja) 2000-07-21 2005-08-10 株式会社村田製作所 絶縁体磁器組成物
JP3680713B2 (ja) * 2000-07-21 2005-08-10 株式会社村田製作所 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品

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Publication number Publication date
JP2008273817A (ja) 2008-11-13
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