KR100434415B1 - 절연성 세라믹 조성물 - Google Patents

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Abstract

절연성 세라믹 조성물은 (A) MgAl2O4, Mg3B2O6및/또는 Mg2B2O5세라믹 분말, 및 (B) 산화 실리콘을 SiO2환산으로 약 13 내지 50중량 %, 산화 붕소를 B2O3환산으로 8 내지 60중량 %, 산화 알루미늄을 Al2O3환산으로 약 20중량 %이하, 및 산화 마그네슘을 MgO 환산으로 10 내지 55중량 %을 함유한 유리(glass) 분말의 소성 합성물로 구성되어 있다. 절연성 세라믹 조성물은 약 1000℃이하의 저온에서 소성하여 얻을 수 있고, Ag 또는 Cu로 소결하여서 얻을 수도 있으며, 유전율이 낮고 Q값이 높으며, 그리고 고주파 용도에 적합하다.

Description

절연성 세라믹 조성물{Insulative ceramic compact}
본 발명은 예를 들어, 다층 회로 보드 용도의 절연성 세라믹 조성물에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 반도체 소자 또는 다양한 전자 부품이 탑재된 복합 다층 회로 보드에 유익하게 이용되고, 구리 또는 은과 같은 도전재로 소성함으로써 얻을 수 있는 절연성 세라믹 보드에 관한 것이다.
고주파 전자 장비를 가속화하여 이용하려는 최근의 경향이 지속적으로 확대되고 있다. 이런 경향과 더불어, 이런 전자 장비에 이용되는 전자 부품의 가속화, 고집적화 및 고밀도 실장화에 대한 수요가 증가하고 있다. 이런 요구 사항들을 만족시키기 위해, 종래에는 다층 회로 보드가 반도체 소자 및 다양한 전자 부품이 탑재되는 기판으로 이용됐다. 이런 다층 회로 보드에서, 전자 장비를 보다 소형화하기 위해, 이런 기판에는 도체 회로 및 전자 부품 기능 소자를 실장한다.
알루미나가 다층 회로 보드를 구성하는 재료로서 종래에는 자주 이용되었다. 알루미나의 소성 온도는 1500℃ 내지 1600℃로 상대적으로 높아서, Mo, Mo-Mn 및 W과 같이 융점이 높은(내열성) 금속은 일반적으로 알루미나로 구성된 다층 회로 보드에 실장된 도체 회로용 재료로서 이용되어야 한다. 그러나, 이런 내열성 금속은 전기 저항이 높다.
상기 내열성 금속보다 전기 저항 및 비용이 낮은 도전재로서 구리와 같은 금속의 이용에 대한 강력한 수요가 있었다. 도전재로서 구리를 이용하기 위해, 1000℃이하의 저온에서 소성하여 얻은 유리 세라믹 또는 결정 유리의 이용이 제시되었다(예를 들어, 일본 무심사 특허출원 공보 번호 제5-238774호).
선택적으로, 가령 Si 칩과 같은 반도체 소자와 연결을 고려하여, 이런 다층 회로 보드용 재료로서 Si에 근접한 열팽창 계수를 가진 세라믹의 이용이 제시되었다(일본 무심사 특허출원 공보 번호 제8-34668호).
그러나, 저온에서 소성된 이런 종래의 기판재는 기계적 강도가 낮고 Q값이 낮아서, 석출 결정상의 종류 및 비율은 소성 공정에 의해 쉽게 영향을 받는다.
게다가, 일본 무심사 특허출원 공보 번호 제5-238774호 및 제8-34668호에서 기술된 기판재는 열팽창 계수가 높은 고도의 유전체 물질로 소결되기가 상당히 어렵다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기 문제점들을 해결하고자, 저온에서 소성하여 얻을 수 있고, 은 또는 구리와 같이 상대적으로 저융점의 도전재로 소성하여 얻을 수 있으며, 그리고 비유전율이 낮고 고주파 특성이 훌륭하며 열팽창 계수가 높은 절연성 세라믹 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 전술한 절연성 세라믹 조성물로 구성되고, 저온에서 소성하여 얻을 수 있으며, 비유전율이 낮고 고주파 특성이 훌륭하며, 그리고 열팽창 계수가 높은 고도의 유전체 물질로 소결함으로써 얻을 수 있는 다층 세라믹 기판을 제공할 뿐만 아니라 상기 다층 세라믹 기판을 이용한 세라믹 전자 부품을 제공하는 것이다.
구체적으로, 한 양태에 있어서, 본 발명은 (A) MgAl2O4, 세라믹 분말; 및 (B) 산화 실리콘을 SiO2환산으로 약 13 내지 50중량 %, 산화 붕소를 B2O3환산으로 8 내지 60중량 %, 산화 알루미늄을 Al2O3환산으로 약 0 내지 20중량 %, 및 산화 마그네슘을 MgO 환산으로 10 내지 55중량 %을 함유한 유리(glass) 분말의 소성 합성물로 구성된 절연성 세라믹 조성물을 제공한다.
유리 분말에서 산화 실리콘을 SiO2환산한 함유량이 유리 분말의 총 중량에 대해 13 내지 55중량 %이고, 바람직하게는 약 20 내지 30중량 %이다. 산화 실리콘의 함유량이 약 13중량 % 미만인 경우, 생성 소결 조성물의 결정화 정도 및 Q값이 감소한다. 이와 대조적으로, 중량이 약 50%를 초과한 경우, 생성 유리의 융점 온도가 지나치게 높다.
유리 분말에서 산화 붕소를 B2O3로 환산한 함유량은 유리 분말의 총 중량에 대해 약 8 내지 60중량 %이고, 바람직하게는 약 30 내지 60중량 %이다. 산화 붕소는 주로 융합제(플럭스) 작용을 한다. 산화 붕소를 B2O3로 환산한 함유량이 약 8중량 % 미만인 경우, 융점 온도는 지나치게 높고, 60중량 %을 초과한 경우, 생성 소결 조성물의 내습은 감소한다.
유리 분말에서, 산화 알루미늄을 Al2O3로 환산한 함유량은 유리 분말의 총 중량에 대해 0 내지 약 20중량 %이다. 산화 알루미늄 함유량을 Al2O3으로 환산한 중량은 0중량 %일 수 있다. 즉, 유리 분말에는 산화 알루미늄을 반드시 함유할 필요는 없다. 따라서, 본 발명에 따른 절연성 세라믹 조성물이 산화 알루미늄을 함유하지 않는 경우, 상기 조성물은 (A) MgO-MgAl2O4세라믹 분말 및 (B) 산화 실리콘을 SiO2환산으로 약 13 내지 50중량 % 및 산화 붕소를 B2O3환산으로 약 3 내지 60중량 %을 포함한 유리 분말의 소성 혼합물로 구성된 절연성 세라믹 조성물이다.
유리 분말에서 산화 알루미늄을 Al2O3환산한 함유량이 약 20중량 %을 초과한 경우, 생성 소결 조성물은 밀도가 충분하며 Q값이 증가된다. 산화 알루미늄 함유물을 Al2O3환산한 하한이 0중량 %이상의 값이다.
유리 분말은 MgO의 10 내지 55중량 %을 함유한다. MgO는 유리 제조시 융점 온도를 감소시키는 역할을 할뿐만 아니라 결정 유리의 결정을 구성하는 성분의 역할도 한다. 특히, MgO-B2O3화합물은 몇 만 기가헤르쯔이상의 Qf값을 나타내고 고주파 특성을 만족시켜주는 주요 인자이다. MgO의 함유량이 약 10중량 %미만인 경우, 생성 절연성 세라믹 조성물의 Q값은 감소되고, 약 55중량 %을 초과한 경우, 절연성 세라믹 조성물의 석출 결정량이 지나치게 많아서 기판의 강도를 저하시킨다.
본 발명의 용도의 유리 분말은 유리 분말의 총 중량에 대해 약 20% 이하의 중량 비율로 BaO, SrO 및 CaO중에서 선택된 적어도 하나의 알카라인 어스(earth) 산화 금속을 추가로 포함한다.
알카라인 어스 산화 금속은 유리 제조시 융점 온도를 감소시키고 유리의 열팽창 계수를 증가시키는 역할을 한다. 알카라인 어스 산화 금속의 함유량이 약 20중량 %을 초과한 경우, 생성 절연성 세라믹 조성물의 Q값이 감소된다.
본 발명의 용도의 유리 분말은 유리 분말의 총 중량에 대해 약 10중량 %이하의 비율로, 그리고 바람직하게는 약 2 내지 5중량 % 비율로 LiO2, K2O 및 Na2O 중에서 선택된 적어도 하나의 알카리 산화 금속을 추가로 포함하는 것이 바람직하다. 알카리 산화 금속은 유리 제조시 융점 온도를 감소하는 역할을 한다. 알카리 산화 금속의 함유량이 약 10중량 %을 초과한 경우, 생성 절연성 세라믹 조성물의 Q값은 감소할 수 있다.
본 발명의 절연성 세라믹 조성물은 세라믹 조성물의 총 중량에 대해 약 15중량 %이하, 바람직하게는 계산된 약 10중량 %이하의 ZnO 환산 비율의 산화 아연을 추가로 포함하는 것이 바람직하다. 산화 아연은 소성 온도를 감소시키는 역할을 한다. 그러나, 산화 아연을 ZnO로 환산한 함유량이 약 15중량 %을 초과한 경우, 생성 소결 조성물은 일부의 경우에 밀도가 충분하지 않을 수 있다.
산화 아연은 세라믹 분말 및 유리 분말 외의 성분으로서 함유되는 것이 바람직하지만, 유리 성분을 구성하는 성분으로서 함유될 수 있다.
본 발명의 절연성 세라믹 조성물은 추가로 세라믹 조성물의 총 중량에 대해 약 3중량 %이하, 그리고 바람직하게는 약 2중량 %이하의 CuO 환산 비율의 산화 구리를 포함하는 것이 바람직하다. 산화 구리는 소성 온도를 감소시키는 역할을 한다. 그러나, 산화 구리의 함유량이 약 3중량 %을 초과한 경우, 생성 절연체 세라믹 조성물의 Q값이 감소할 수 있다. 산화 구리는 세라믹 분말 및 유리 분말외의성분으로 함유되는 것이 바람직하지만, 유리 성분을 구성하는 성분으로 함유될 수 있다.
본 발명의 절연성 세라믹 조성물에서, 유리 분말 대 세라믹 분말의 중량비는 약 20:80 내지 80:20인 것이 바람직하고, 약 30:70 내지 50:50인 것이 더욱 바람직하다. 세라믹 분말의 비가 상기 범위보다 높은 경우, 생성 소결 조성물의 밀도는 감소할 수 있다. 유리 분말의 비가 상기 범위보다 높은 경우, 소결 조성물의 Q값은 감소할 수 있다.
본 발명의 세라믹 조성물은 15GHz 측정 주파수의 약 700이상의 Q값을 갖는 것이 바람직하다. 절연성 세라믹 조성물의 Q값이 약 700이상인 경우, 최근에 이용되는 고주파대 회로 소자 기판으로 이용될 수 있다.
약 700℃ 내지 1400℃의 온도에서 유리 조성물을 배소하여 얻은 유리 분말은 상기 유리 분말로 이용될 수 있다.
다른 양태에 있어서, 본 발명은 본 발명에 따른 절연성 세라믹 조성물로 구성된 절연성 세라믹층을 포함하는 다층 세라믹 기판 및 절연성 세라믹층에 형성된 다수의 내부 전극을 제공한다.
다층 세라믹 기판에서, 절연성 세라믹층의 적어도 일면에 적층될 수 있고 절연성 세라믹층보다 높은 유전율을 가진 제2세라믹층이 적층될 수 있다.
다층 세라믹 기판의 다수의 내부 전극이 절연성 세라믹층의 적어도 일부분을 개재하여 서로 평행하게 배열되어 커패시터를 구성할 수 있다.
다수의 내부 전극은 인덕터를 구성하는 도전 코일을 포함할 수 있다.
게다가, 유익하게는, 본 발명은 본 발명의 다층 세라믹 기판을 포함한 세라믹 전자 부품 및 적어도 하나의 전자 부품 소자를 제공하며, 전자 부품 소자는 다층 세라믹 기판에 탑재되어 다수의 내부 전극으로 회로를 구성한다.
세라믹 전자 부품은 전자 부품 소자를 둘러싸기 위해 다층 세라믹 기판에 고정된 캡(cap)을 추가로 포함할 수 있다. 캡은 도전 캡인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 세라믹 전자 부품은 다층 세라믹 기판의 하측에만 형성된 다수의 외부 전극 및 상기 외부 전극에 전기적으로 연결되고 내부 전극 또는 전자 부품 소자에 전기적으로 연결되는 다수의 도전 스루홀(through-hole)을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 본 발명의 절연성 세라믹 조성물로 구성된 세라믹 소결 조성물, 상기 세라믹 소결 조성물의 내측에 배열된 다수의 내부 전극, 및 세라믹 소결 조성물의 외부면상에 형성되고 임의의 내부 전극에 전기적으로 연결된 다수의 외부 전극을 포함하는 다층 세라믹 전자 부품에 관한 것이다.
전술한 다층 세라믹 전자 부품에서, 다수의 내부 전극은 세라믹층을 개재하여 서로 평행하게 배열되어 커패시터 단위를 구성할 수 있다. 다층 세라믹 전자 부품에서, 다수의 내부 전극은 커패시터 장치를 구성하는 내부 전극외에 다수의 도전 코일을 추가로 포함할 수 있고, 다수의 도전 코일은 서로 연결되어 다층 인덕터 유닛을 구성한다.
게다가, 본 발명의 다른 목적은 상기 문제점들을 해결하기 위해 절연성 세라믹 조성물을 제공하는 것이며, 상기 조성물은 저온에서 소성하여 얻을 수 있고 은또는 구리와 같이 상대적으로 저융점의 도전재로 소성하여 얻을 수도 있으며, 고주파대에서 Q값이 높고 비유전율이 낮으며, 그리고 고주파 특성이 훌륭하고 열팽창 계수가 높다.
본 발명의 다른 목적은 전술한 절연성 세라믹 조성물로 구성되고, 비유전율이 낮고 Q값이 높아서 고주파 특성이 좋으며, 열팽창 계수가 높아서 고도의 유전재로 소성하여 얻을 수 있는 다층 세라믹 기판을 제공할 뿐만 아니라, 상기 다층 세라믹 기판을 이용한 세라믹 전자 부품을 제공하는 것이다.
구체적으로, 한 양태에 있어서, 본 발명은 (A) Mg3B2O6세라믹 분말 및 Mg2B2O5중에서 선택된 적어도 하나; 및 (B) 산화 실리콘을 SiO2환산으로 약 13 내지 50중량 %, 산화 붕소를 B2O3환산으로 8 내지 60중량 %, 산화 알루미늄을 Al2O3환산으로 0내지 약 20중량 %, 및 산화 마그네슘을 MgO 환산으로 약 10 내지 55중량 %을 함유한 유리 분말의 소성 합성물로 구성되어 있는 절연성 세라믹 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어서, Mg3B2O6세라믹 분말 및 Mg2B2O5세라믹 분말중 적어도 하나가 세라믹 분말(A)로 이용된다. 구체적으로, Mg3B2O6세라믹 분말만 또는 Mg2B2O5세라믹 분말만이 이용될 수도 있고, 이들 분말의 혼합물도 이용될 수 있다.
유리 분말에서 SiO2, B2O3, Al2O3등의 함유량은 처음에 진술한 근거에 대해 상기 기술한 바와 같다.
본 발명의 절연성 세라믹 조성물에서, 유리 분말 대 세라믹 분말의 중량비는 약 20:80 내지 80:20인 것이 바람직하고, 40:60 내지 60:40인 것은 더욱 바람직하다. 세라믹 분말의 비가 상기 범위보다 높은 경우, 생성 소결 조성물의 밀도는 감소할 수 있다. 유리 분말의 비가 상기 범위보다 높은 경우, 소결 조성물의 Q값은 감소할 수 있다.
특히, 본 발명의 세라믹 조성물은 세라믹 분말 및 유리 분말을 함유한 혼합물을 1000℃이하의 저온에서 소성하여 얻을 수 있고, 구리 또는 은과 같이 저융점 금속으로 소성하여 얻을 수도 있다. 따라서, 본 발명의 절연성 세라믹 조성물은 예를 들어 저융점 금속으로 구성된 도전재를 이용한 다층 세라믹 기판에 유익하게 이용될 수 있다.
본 발명의 절연성 세라믹 조성물은 15GHz 측정 주파수의 약 700이상의 Q값을 갖는 것이 바람직하다. 절연성 세라믹 조성물이 약 700이상의 Q값을 갖는 경우, 최근 고주파대용 회로 소자로 이용될 수 있다.
본 발명의 절연성 세라믹 조성물은 열팽창 계수가 높고, 높은 열팽창 계수를 가진 고도의 유전재로 소결되어, 쉽게 안정적으로 본 발명의 절연성 세라믹 조성물로 구성된 집적 소결된 조성물 및 고도의 유전체 세라믹을 제공한다.
다른 양태에 있어서, 본 발명은 절연성 세라믹 조성물로 구성된 절연성 세라믹층을 포함한 다층 세라믹 기판 및 상기 절연성 세라믹층에 형성된 다수의 내부 전극을 제공한다.
다층 세라믹 기판에서, 절연성 세라믹층의 적어도 일면에 절연성 세라믹층보다 높은 유전율을 가진 제2세라믹층이 적층될 수 있다.
다층 세라믹 기판에서 다수의 내부 전극이 절연성 세라믹층의 적어도 일부분을 개재하여 서로 평행하게 배열되어 커패시터를 구성할 수 있다. 다수의 내부 전극은 인덕터를 구성하는 도전 코일을 포함할 수 있다.
게다가, 유익하게는, 본 발명은 전술한 다층 세라믹 기판을 포함한 세라믹 전자 부품 및 적어도 하나의 전자 부품 소자를 제공하며, 전자 부품 소자는 다층 세라믹 기판상에 탑재되어 다수의 내부 전극으로 회로를 구성한다.
세라믹 전자 부품은 전자 부품 소자를 둘러싸기 위해 다층 세라믹 기판에 고정된 캡(cap)을 추가로 포함할 수 있다. 캡은 도전 캡인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 세라믹 전자 부품은 다층 세라믹 기판의 하측에만 형성된 다수의 외부 전극 및 내부 전극 전자부품에 전기적으로 연결된 다수의 도전 스루홀(through-hole)을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 본 발명의 절연성 세라믹 조성물로 구성된 세라믹 소결 조성물, 상기 세라믹 소결 조성물의 내측에 배열된 다수의 내부 전극, 및 세라믹 소결 조성물의 외부면상에 형성되고 임의의 내부 전극에 전기적으로 연결된 다수의 외부 전극을 포함하는 다층 세라믹 전자 부품에 관한 것이다.
전술한 다층 세라믹 전자 부품에서, 다수의 내부 전극은 세라믹층을 개재하여 서로 평행하게 배열되어 커패시터 유닛을 구성할 수 있다.
다층 세라믹 전자 부품에서, 다수의 내부 전극은 커패시터 유닛을 구성하는 내부 전극외에 다수의 도전 코일을 추가로 포함할 수 있고, 다수의 도전 코일은 서로 연결되어 다층 인덕터 유닛을 구성한다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태로서 다층 세라믹 기판을 이용한 세라믹 전자 부품으로서 다층 세라믹 모듈을 도시한 종단면도이고;
도 2는 도 1에 도시된 다층 세라믹 모듈의 분해 사시도이며;
도 3은 본 발명의 제2실시형태로서 다층 세라믹 전자 부품 제조 용도로 세라믹 그린 시트 및 상기 세라믹 그린 시트 상에 형성된 전자 패턴을 도시한 분해 사시도이고;
도 4는 본 발명의 제2실시형태로서 다층 세라믹 전자 부품을 도시한 사시도이며; 그리고
도 5는 도 4에 도시된 다층 세라믹 전자 부품의 회로도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1:세라믹 저층 모듈 6:비어홀 전극
2:세라믹 다층 기판 7:외부 전극
3a, 3b:절연성 세라믹층 8:캡
4:제2세라믹층 9 내지 11:전자부품소자
5:내부전극
본 발명은 본 발명에 따른 절연성 세라믹 조성물의 몇몇 작업 실시예를 참조로 하여 처음에 보다 자세하게 기술되고, 본 발명에 관한 다층 세라믹 기판, 세라믹 전자 부품 및 다층 세라믹 전자 부품의 구성 실시형태를 참조로 하여 기술된다.
먼저, 본 발명의 절연성 세라믹 조성물을 이용한 다층 세라믹 기판, 세라믹 전자 부품, 및 다층 세라믹 전자 부품의 구성 실시예가 아래 기술된다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태로서 다층 세라믹 기판을 이용한 세라믹 전자 부품으로서 다층 세라믹 모듈을 도시한 종단면도이고, 도 2는 이에 대한 분해 사시도이다.
다층 세라믹 모듈(1)은 다층 세라믹 기판(2)으로 구성된다.
다층 세라믹 기판(2)은 본 발명의 절연성 세라믹 조성물로 구성된 절연성 세라믹층(3a 및 3b) 및 절연성 세라믹층(3a 및 3b)사이에 개재된 유전체 세라믹층(4)을 포함한다. 유전체 세라믹층(4)은 예를 들어, 티탄산 바륨 및 유리로 구성되어 있고, 상대적으로 높은 유전율을 갖고 있다. 유전체 세라믹층(4) 내에, 다수의 내부 전극(5)이 유전체 세라믹층(4)의 일부분을 개재하여 서로 인접하도록 배열되어 다층 커패시터 단위(C1 및 C2)를 구성한다.
절연성 세라믹층(3a 및 3b) 및 유전체 세라믹층(4)은 다수의 비어-홀(via-hole) 전극(6 및 6a) 또는 여기에 형성된 내부 배선을 포함한다.
전자 부품 소자(9 내지 11)는 다층 세라믹 기판(2)의 상면에 탑재된다. 전자 부품 소자(9 내지 11)로, 반도체 소자, 칩형 다층 커패시터 및 기타 적당한 전자 부품 소자가 이용될 수 있다. 비어-홀 전극(6) 및 내부 배선은 이런 전자 부품 소자(9 내지 11)를 커패시터 유닛(C1 및 C2)에 전기적으로 연결하여 본 발명에 따른 다층 세라믹 모듈(1) 회로를 구성한다.
도전 캡(8)은 다층 세라믹 기판(2)의 상면에 고정된다. 도전 캡(8)은 다층 세라믹 기판(2)을 위에서 아래로 관통시키는 비어-홀 전극(6a)에 전기적으로 연결된다. 외부 전극(7)은 다층 세라믹 기판(2)의 하측에 형성되고 비어-홀 전극(6 및 6a)에 전기적으로 연결된다. 도면에 도시되지 않은 기타 외부 전극은 다층 세라믹 기판(2)의 하측에만 형성되고 내부 배선을 경유하여 전자 부품 소자(9 내지 11) 및/또는 커패시터 단위(C1 및 C2)로 전기적으로 연결된다.
외측에 연결하기 위해 다층 세라믹 기판(2)의 하측에만 외부 전극(7)을 형성함으로써 예를 들어 하측의 이용에 의한 프린트 회로 보드상에 다층 세라믹 모듈의 표면 탑재를 허용한다.
본 발명의 실시형태에 따라, 캡(8)은 도전재로 구성되어 있고 비어-홀 전극(6a)을 경유하여 외부 전극(7)에 전기적으로 연결되어, 전자 부품 소자(9 내지 11)를 전자기적으로 차폐할 수 있다. 그러나, 캡(8)은 반드시 도전재로 구성될 필요는 없다.
본 실시형태에 따른 다층 절연체 모듈(1)에서 절연성 세라믹층(3a 및 3b)은 각각 본 발명의 절연성 세라믹 조성물로 구성되어 있고, 그래서 유전율이 낮고 Q값이 높으며, 생성 다층 세라믹 모듈(1)은 고주파대 용도에 적합하다.
다층 세라믹 기판(2)은 세라믹 적층을 모노리식 소성으로 알려진 기술에 의해 쉽게 얻을 수 있다. 구체적으로, 본 발명에 관한 절연성 세라믹 물질을 주성분으로 함유한 세라믹 그린 시트가 처음에 준비되고, 전극 패턴이 예를 들어 내부 전극(5), 외부 배선, 및 비어-홀 전극(6 및 6a)을 구성하기 위해 프린트되며, 그리고 패턴 세라믹 시트가 적층된다. 외부 배선 및 비어-홀 전극(6 및 6a)의 형성을 위해 패턴 세라믹 그린 시트의 적절한 층수가 세라믹 그린 시트에, 절연성 세라믹층(3a 및 3b)가 형성될 상측 및 하측에 적층된다. 그리고 나서, 생성 적층은 두께 방향으로 압축된다. 이에 따라 준비된 적층이 소성되어 쉽게 다층 세라믹 기판(2)을 만들 수 있다.
도 3 내지 5는 각각 본 발명의 제2구성 실시형태로서 다층 세라믹 전자 부품을 도시하는 분해 사시도, 외부 사시도 및 회로도이다.
도 4에 도시된 다층 세라믹 전자 부품(20)은 세라믹 소결 조성물(21) 및 상기 세라믹 소결 조성물(21)내에 형성된 회로를 포함하는 LC 필터이다. 이 회로는 아래 기술된 인덕턴스 L 및 커패시턴스 C를 구성한다. 세라믹 소결 조성물(21)은 본 발명의 절연성 세라믹 조성물로 구성된다. 외부 전극(23a, 23b, 24a 및 24b)은 세라믹 소결 조성물(21)의 외부면에 형성되고, 도 5에 도시된 LC 공진 회로가 외부 전극(23a,23b, 24a 및 24b) 사이에 형성된다.
세라믹 소결 조성물(21)의 구성은 도 3을 참조로 하여 제조 공정을 도시하여 보다 자세하게 기술된다.
처음에, 세라믹 슬러리(slurry)를 만들기 위해 유기 비히클(vehicle)이 본발명에 관한 절연성 세라믹 물질에 첨가된다. 이 세라믹 슬러리는 세라믹 그린 시트를 만들기 위해 적절한 시트 몰딩(molding) 기술로 주형된다. 직사각형 세라믹 그린 시트(21a 내지 21m)를 만들기 위해 준비된 세라믹 시트가 건조되어 주어진 크기로 펀치된다.
다음으로, 비어-홀 전극(28)의 형성을 위해 비어 홀이 필요에 따라 세라믹 그린 시트(21a 내지 21m)에 형성된다. 게다가, 도전성 페이스트가 도전 코일(26a 및 26b), 커패시터 내부 전극(27a 내지 27c), 및 도전 코일(26c 및 26d)을 형성하기 위해 스크린 공정에 의해 프린트되고, 비어-홀(28)용 비어 홀이 도전성 페이스트로 채워 비어-홀 전극(28)을 형성한다.
그 다음, 세라믹 그린 시트가 도면에 도시된 방향으로 적층되고, 적층을 하기 위해 두께 방향으로 압축된다. 생성 적층이 소성되어 세라믹 소결 조성물(21)을 만든다.
외부 전극(23a 내지 24b)은 예를 들어 도전 페이스트 바르기 및 소성, 증기 증착, 도금 또는 스퍼터링과 같은 박막 형성 기술에 의해 도 4에 도시된 바와 같이 상기 준비된 세라믹 조성물(21)상에 형성된다. 그 결과, 다층 세라믹 전자 부품(20)을 얻는다.
도 3을 참조로 하여, 도 5에 도시된 바와 같이, 도전 코일(26a 및 26b)은 인덕턴스 유닛(L1)을 구성하고, 도전 코일(26c 및 26d)은 인덕턴스 유닛(L2)을 구성하며, 그리고 내부 전극(27a 내지 27c)은 커패시터(C)를 구성한다.
본 실시형태에 따른 다층 세라믹 전자 부품(20)의 LC 필터는 전술한 구조를갖는다. 세라믹 소결 조성물(21)은 본 발명의 절연성 세라믹 조성물로 구성되어 있어서, 상기 제1실시형태에 따른 다층 세라믹 기판(2)에서 처럼 저온에서 소성하여 얻을 수 있다. 따라서, 세라믹 조성물은 내부 전극과 마찬가지로 도전 코일(26a 내지 26c) 및 커패시터 내부 전극(27a 내지 27c)에 대해 구리, 은, 금 및 기타 저융점 금속으로 모노리식 소성된다.
본 발명은 LC 필터를 구성하는 다층 세라믹 모듈(1) 및 다층 전자 부품(20)을 한 예로 들어 제1 및 제2구성 실시형태를 참조로 기술된다. 그러나, 본 발명에 따른 세라믹 전자 부품 및 다층 세라믹 전자 부품들은 이런 구성에 한정되지는 않는다. 구체적으로, 본 발명은 멀티-칩 모듈용 다층 세라믹 기판, 하이브리드 집적 회로(hybrid IC)용 다층 세라믹 기판, 및 기타 다양한 다층 세라믹 기판에 응용되고, 칩-형 다층 커패시터, 칩-형 다층 유전체 안테나 및 기타 다양한 칩-형 전자 부품 뿐만 아니라 이런 다층 세라믹 기판상에 탑재된 전자 부품을 포함하는 다양한 전자 부품에도 응용된다.
(실시예 1)
처음에, 생성 소결 조성물이 MgAl2O4의 화학양론비 조성물을 갖도록, 원료로 Mg(OH)2분말 및 Al2O3분말의 중량을 재고, 16시간동안 습식-혼합하고 나서, 건조시켰다. 건조된 혼합물을 2시간동안 1350℃에서 배소하고 나서 부순다.
다음에, 상기 준비된 배소 물질의 20 내지 80중량 %, 표 1에 나타난 조성물을 가진 유리 분말(소결 촉진제)과 ZnO 및 CuO가 표 2에 나타난 비율로 혼합되고,혼합물이 적당량의 바인더로 알갱이가 된다. 직경 12mm 및 두께 7mm의 원통형 그린 조성물(12)을 만들기 위해, 시료 1 내지 46에 대응하는 각각의 알갱이 혼합물이 200MPa의 압력에서 주형된다.
표 2 및 3에 도시된 시료 1 내지 46에 대응하여 원통형 절연체 조성물을 만들기 위해, 그린 조성물이 공기중에 900℃ 내지 1000℃의 온도에서 2시간동안 소성된다.
이런 원통형 절연성 세라믹 조성물에 대해 양단-단락회로 유전체 공진기를 이용한 방법에 의해 공진 주파수(15GHz)에서 비유전율(εr) 및 Q값 측정을 했다. 그 결과는 표 2 및 3에 도시되어 있다.
원통형 절연성 세라믹 조성물의 상대 밀도도 또한 표 2 및 3에 도시되어 있다.
표 1에 도시된 유리 F를 이용한 시료 25 및 26 그리고 표 1에 도시된 유리 G를 이용한 시료 27 각각의 Q값은 600으로 낮았다.
마찬가지로, 유리 H를 이용한 시료 28 및 29, 유리 L을 이용한 시료 34, 및 유리 Q를 이용한 시료 43 각각의 Q값도 600으로 낮았다.
이와는 대조적으로, 본 발명의 실시예에 대응하는 시료 1 내지 24, 30 내지 33, 35 내지 42, 및 44 내지 46은 900℃ 내지 1000℃의 저온에서 소결하여 얻을 수 있고, 생성 소결 조성물은 밀도가 있으며 각각의 상대 밀도는 97%이상이다. 생성 절연성 세라믹 조성물은 비유전율이 약 7로 낮고, 열팽창 계수가 8 내지 12ppm/℃로 높으며, 그리고 15GHz의 측정주파수의 Q값은 700이상으로 높았다.
이런 결과는 본 발명이 저온에서 소성하여 얻을 수 있고 고주파 전자 부품용으로 최적인 절연성 세라믹 조성물을 제공할 수 있음을 보여주고 있다.
(실시예 2)
처음에, Mg3B2O6또는 Mg2B2O5의 화학양론비 조성물을 가진 각각의 화합물을 만들기 위해 원료로 Mg(OH)2분말 및 B2O3분말의 무게를 재어 혼합하고, 그 혼합물을 16시간동안 습식-혼합하며, 그리고 건조하였다. Mg3B2O6세라믹 분말 재료 및 Mg2B2O2세라믹 분말 재료 각각을 만들기 위해, 그 건조된 혼합물을 1400℃에서 2시간동안 배소하고 나서 부순다. 두 세라믹 분말 재료중 적어도 하나는 다음의 절차에서 배소 재료로 이용됐다.
다음에, 상기 준비된 배소 물질의 20 내지 80중량 %, 표 4에 나타난 조성물을 가진 유리 분말(소결 촉진제)과 ZnO 및 CuO가 표 5에 나타난 비율로 혼합되고, 혼합물이 적당량의 바인더로 알갱이가 된다. 직경 12mm 및 두께 7mm의 원통형 그린 조성물(12)을 만들기 위해, 시료 1 내지 46에 대응하는 각각의 알갱이 절연성 세라믹 조성물이 200MPa의 압력에서 주형된다.
표 5 및 6에 도시된 시료 1 내지 46에 대응하는 각각의 원통형 세라믹 조성물을 만들기 위해, 그린 조성물을 공기중에 900℃ 내지 1000℃온도에서 2시간동안 소성했다. 상기 준비된 원통형 절연성 세라믹 조성물의 상대 밀도는 표 5 및 6에 도시되어 있다.
이런 원통형 절연성 세라믹 조성물에 대해 양단-단락회로 유전체 공진기를 이용한 방법에 의해 공진 주파수(15GHz)에서 비유전율(εr) 및 Q값 측정을 했다.그 결과는 표 5 및 6에 도시되어 있다.
그리고 나서, 원통형 절연성 세라믹 조성물에 대해 일본 공업 기준(JIS) R618에 기술된 방법에 따른 열팽창 계수의 측정을 하였다. 그 결과도 또한 표 5 또는 6에 도시된다.
본 발명의 범위외의 유리 F 내지 M 및 Q중 임의의 유리로 이용하는 시료 25 내지 36 및 43은 본 발명의 실시예에 대응하는 나머지 절연성 세라믹 조성물보다 열등했다. 구체적으로, 시료 25 내지 27에 따른 절연성 세라믹 조성물은 Q값이 600으로 낮았다. 유리 H를 이용하는 시료 28 및 29에 따른 절연성 세라믹 조성물은 1000℃를 넘지 않은 온도에서는 소성되지 않았다. 유리 I를 이용하는 시료 30의 절연성 세라믹 조성물은 Q값이 600으로 낮았다.
유리 J를 이용하는 시료 31에 따른 절연성 세라믹 조성물은 Q값이 550으로 낮았다.
시료 32 및 33에 따른 절연성 세라믹 조성물은 Q값이 300 및 220으로 낮았다. 이것은 아마 이런 시료들이 유리 K를 이용했기 때문일 것이다.
유리 L을 이용한 시료 34에 따른 절연성 세라믹 조성물은 1000℃이하에서는 소성되지 않았다.
유리 M을 이용하는 각각의 시료 35 및 36에 따른 절연성 세라믹 조성물은 Q값이 400 및 300으로 각각 낮다.
유리 Q를 이용하는 시료 43에 따른 절연성 세라믹 조성물은 Q값이 600으로 낮았다.
이와 대조적으로, 본 발명의 실시예에 대응하는 기타 시료의 절연성 세라믹 조성물은 각각 본 발명의 절연성 세라믹 조성물로 구성되어 있고 97%이상의 상대 밀도를 갖는 각각의 절연성 세라믹 조성물을 만들기 위해 900℃ 내지 1000℃ 저온에서 소성하여 얻을 수 있었다. 생성 절연성 세라믹 조성물 각각은 비유전율이 약 7로 낮고, 열팽창 계수가 8 내지 12ppm/℃이며, 그리고 15GHz 측정주파수의 Q값이 700이상으로 높았다.
그러므로, 본 발명에 따른, 15GHz의 Qf값이 10,000GHz 이상인 각각의 절연성 세라믹 조성물은 저온에서 소성하여 얻을 수 있다. 생성 절연성 세라믹 조성물은 열팽창 계수가 높아서 열팽창 계수가 높은 고도의 유전체 물질로 소결하여 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 절연성 세라믹 조성물은 상대 밀도가 97%이상으로 즉, 훌륭한 기계적 강도(200MPa이상)를 갖고 있었고, 심지어 1000℃이하의 저온에서 소성하여 얻을 수 있다하여도 비유전율은 낮으며 10GHz 측정 주파수의 Q값은 400이상으로 높았다. 따라서, 본 발명은 저온에서 소성하여 얻을 수 있고 고주파수 전자 부품용으로 가장 유용한 절연성 세라믹 조성물을 제공할 수 있다.
본 발명의 절연성 세라믹 조성물은 MgAl2O4세라믹 분말 및 상기 특정 조성물을 가진 유리 분말로 구성되어 있어서, 약 1000℃이하의 저온에서 소성하여 얻을 수 있다. 따라서, 세라믹 조성물은 가령 구리 및 은과 같은 저융점 금속으로 구성된 도전재로 모노리식 소성하여 얻을 수 있고, 이런 도전재를 예를 들어 내부 전극으로 이용할 수 있다. 본 발명의 절연성 세라믹 조성물은 다층 세라믹 기판에 유익하게 이용될 수 있고, 저온에서 소성화여 얻을 수 있으며, 그리고 이런 다층 기판의 비용을 절감할 수 있다. 게다가, 본 발명의 절연성 세라믹 조성물은 고주파대에서 Q값이 높고 유전율이 낮아서, 예를 들어, 고주파 특성이 좋은 다층 기판을 만들 수 있다.
본 발명의 용도의 유리 분말이 BaO, SrO, 및 CaO 중에서 선택된 적어도 하나의 알카라인 어스 산화 금속의 약 20중량 %이하를 포함한 경우, 유리 분말의 제조시 융점 온도는 감소하게 되어 본 발명의 절연성 세라믹 조성물의 제조 비용을 절감할 수 있다.
유리 분말은 유리 분말 총 중량에 대해 Li2O, K2O 및 Na2O중에서 선택된 적어도 하나의 알카리 산화 금속의 약 10중량 %을 포함하는 경우, 유리 분말 제조시 융점 온도도 또한 감소하게 되어 유리 분말의 제조 비용을 절감할 수 있고, Q값의 감소를 피할 수 있다.
산화 아연을 ZnO 환산으로 약 15중량 %이하를 포함하는 경우, 절연성 세라믹 조성물은 절연성 세라믹 조성물의 소성 온도를 감소시킬 수 있고, 밀도있는 소결 조성물을 만들 수 있다.
세라믹 조성물의 총 중량에 대해 산화 구리를 CuO 환산으로 약 3중량 %이하를 포함하는 경우, 절연성 세라믹 조성물도 또한 소성 온도를 감소시킬 수 있고, 높은 Q값을 가질 수 있다.
세라믹 조성물에 함유된 유리 분말 대 세라믹 분말의 중량비가 약 20:80으로부터 80:20으로 떨어지는 경우, 생성 절연성 세라믹 조성물은 더욱 밀도가 있게 되며 유리 분말을 이용하여 Q값을 높게 유지할 수 있다.
본 발명의 다층 세라믹 기판은 본 발명의 절연성 세라믹 조성물로 구성된 절연성 세라믹층을 포함하기 때문에, 저온에서 소성하여 얻을 수 있고, 내부 전극용 재료로서 Ag, Cu 및 기타 저저항 저비용 금속을 이용한다. 게다가, 절연성 세라믹층은 유전율이 낮고 Q값은 높으며, 고주파대 용도로 적합한 다층 세라믹 기판을 만들 수 있다.
다층 세라믹 기판이 절연성 세라믹층의 적어도 일면에 적층된 제2세라믹층을 갖고 상기 제2세라믹층이 상기 세라믹층 보다 유전율이 높은 경우, 제2세라믹층 및 적층 구조의 조성을 적절하게 설계함으로써 다층 세라믹 기판의 강도 및 주위 저항이 필요에 따라 적절하게 제어될 수 있다.
다수의 내부 전극이 절연성 세라믹층의 적어도 일부분을 개재하여 서로 평행하게 배열되어 다층 커패시터를 구성하는 경우, 본 발명의 절연성 세라믹 조성물의유전율이 낮고 Q값이 높기 때문에, 생성 커패시터는 고주파대 용도에 적합하다.
게다가, 다수의 내부 전극이 다층 커패시터를 구성하는 내부 전극 및 다층 인덕터를 구성하기 위해 서로 연결된 도전 코일을 포함하는 경우, 본 발명의 다층 세라믹 기판은 고주파대용에 적합한 소형 LC 공진 회로를 쉽게 구성한다. 이는 본 발명의 절연성 세라믹 조성물의 유전율이 낮고 고주파대에서 Q값이 높기 때문이다.
본 발명의 다층 세라믹 기판 및 상기 기판에 탑재된 적어도 하나의 전자 부품을 포함하는 본 발명의 세라믹 전자 부품은 전자 부품 소자 및 다층 세라믹 기판의 회로를 이용함으로써 고주파대에 유용한 여러가지 소형 세라믹 전자 부품을 제공할 수 있다.
전자 부품 소자를 둘러싸도록 캡이 다층 세라믹 기판에 고정된 경우, 캡은 전자 부품 소자를 보호하며 생성 세라믹 전자 부품은 내습 및 기타 특성에 훌륭하다.
캡으로 도전 캡의 이용으로 둘러싸인 전자 부품 소자를 전자기적으로 차폐할 수 있다.
외부 전극이 다층 세라믹 기판의 하측에만 형성된 경우, 다층 세라믹 기판은 기판의 하측으로부터 프린트 회로 보드 또는 다른 소자들의 표면에 쉽게 탑재된다.
본 발명에 관한 다층 세라믹 전자 부품은 본 발명의 절연성 세라믹 조성물의 내측에 형성된 다수의 내부 전극을 포함하고 저온에서 소성하여 얻을 수 있으며, 그리고 내부 전극용 재료로서 Ag, Cu, 및 기타 저-저항 저-비용 금속을 이용할 수 있다. 게다가, 절연성 세라믹 조성물의 유전율은 낮고 Q값은 높아서 고주파대용으로 적합한 다층 세라믹을 만들 수 있다.
다수의 내부 전극이 다층 커패시터를 구성하는 경우, 본 발명의 절연성 세라믹 조성물의 유전율이 낮고 Q값이 높기 때문에, 본 발명에 관한 다층 세라믹 전자 부품은 고주파대용으로 적합한 커패시터를 만들 수 있다.
다수의 내부 전극이 다층 커패시터를 구성하는 내부 전극 및 다층 인덕터를 구성하는 도전 코일을 포함하는 경우, 다수의 세라믹 전자 부품은 고주파대용으로 적합한 소형 LC 공진 회로를 쉽게 구성한다. 이는 본 발명의 절연성 세라믹 조성물이 훌륭한 기계적 강도를 갖고 상기 기술된 바와 같이 고주파대에서 유전율이 낮고 Q값이 높기 때문이다.
Mg3B2O6세라믹 분말 및 Mg2B2O5세라믹 분말중 적어도 하나로 구성된 본 발명의 절연성 세라믹 조성물과 상기 특정 조성물을 갖는 유리 분말도 또한 상술한 이점이 있다.
기타 실시형태 및 변형예들은 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자들에게 자명한 것이고, 본 발명은 상기 진술된 구체적인 문제점에 제한되지 않는다.

Claims (20)

  1. (A) Mg 3 B 2 O 6 와 Mg 2 B 2 O 5 중 적어도 하나 이상을 포함하는 혼합물 또는 MgAl 2 O 4 중 어느 하나로 구성되는 세라믹 분말; 및
    (B) 산화 실리콘을 SiO2환산으로 13 내지 50중량 %, 산화 붕소를 B2O3환산으로 8 내지 60중량 %, 산화 알루미늄을 Al2O3환산으로 0 내지 20중량 %, 및 산화 마그네슘을 MgO 환산으로 10 내지 55중량 %을 함유한 유리 분말;의 소성 합성물로서,
    상기 세라믹분말과 상기 유리 분말의 중량비는 20:80 내지 80:20 인 것 을 특징으로 하는 절연성 세라믹 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 유리는 산화 실리콘을 SiO2환산으로 20 내지 30중량 %, 산화 붕소를 B2O3환산으로 30 내지 60중량 %, 산화 알루미늄을 Al2O3환산으로 0 내지 20중량 %, 및 산화 마그네슘을 MgO 환산으로 10 내지 55중량 %을 포함하는 것을 특징으로 하는 절연성 세라믹 조성물.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 유리 분말은 추가로 CaO, BaO 및 SrO로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 알카라인 어스 산화 금속의 유리 분말의 총 중량에 대해 20중량%까지, 및 Li2O, K2O 및 Na2O로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 알카리 산화 금속의 유리 분말의 총 중량에 대해 10중량%까지를 포함하고; 그리고
    상기 조성물은 추가로 산화 아연을 ZnO 환산 총 중량에 대해 15%까지의 중량 및 산화 구리를 CuO 환산 비율로 상기 세라믹 조성물의 총 중량에 대해 3중량%까지를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연성 세라믹 조성물.
  4. 삭제
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 절연성 세라믹 조성물에 함유된 상기 유리 분말 대 상기 세라믹 분말의 중량비는 30:70 내지 50:50인 것을 특징으로 하는 절연성 세라믹 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 유리 분말은 추가로 상기 유리 분말의 총 중량에 대해 20중량 % 비율이하로 CaO, BaO 및 SrO를 구성하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 알카라인 어스 산화 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 절연성 세라믹 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 유리 분말은 추가로 상기 유리 분말의 총 중량에 대해 10중량 %이하의 비율로 Li2O, K2O 및 Na2O를 구성하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 알카리 산화 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 절연성 세라믹 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서, 추가로 상기 세라믹 조성물의 총 중량에 대해 15중량 %이하의 ZnO 환산 비율로 산화 아연을 포함하는 것을 특징으로 하는 절연성 세라믹 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서, 추가로 상기 세라믹 조성물의 총 중량에 대해 3중량 %이하의 CuO 환산 비율로 산화 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연성 세라믹 조성물.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 절연성 세라믹층을 포함한 다층 세라믹 기판으로서, 상기 절연성 세라믹층내에 다수의 전극을 갖는 청구항 1항에 따른 절연성 세라믹 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 절연성 세라믹 층의 적어도 일면에 적층된 제2세라믹층을 포함하고, 상기 제2세라믹층은 상기 절연성 세라믹층의 유전율보다 높은 유전율을 가진 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 다수의 전극중 한 쌍은 상기 절연성 세라믹층의 적어도 일부분을 개재하여 서로 평행하게 배열되어 커패시터를 구성하는 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
  17. 제 14 항에 있어서, 많은 상기 다수의 전극이 도전 코일을 형성하도록 상호결합되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
  18. 청구항 14에 따른 다층 세라믹 기판 및 적어도 하나의 전자 부품 소자를 포함하는 세라믹 전자 부품으로서, 상기 전자 부품 소자는 상기 다층 세라믹 기판에 탑재되어 있고 많은 상기 다수의 전극에 회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 전자 부품 소자를 둘러싸기 위해 상기 다층 세라믹 기판에 고정되어 있는 캡을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 캡은 도전성인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자 부품.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100621195B1 (ko) * 2004-02-06 2006-09-13 주식회사 아이엠텍 엘티씨씨용 세라믹 분말 조성물 및 그 제조방법

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3680713B2 (ja) * 2000-07-21 2005-08-10 株式会社村田製作所 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品
DE10227658B4 (de) 2002-06-20 2012-03-08 Curamik Electronics Gmbh Metall-Keramik-Substrat für elektrische Schaltkreise -oder Module, Verfahren zum Herstellen eines solchen Substrates sowie Modul mit einem solchen Substrat
US20060180342A1 (en) * 2003-03-28 2006-08-17 Minoru Takaya Multilayer substrate and method for producing same
TWI268522B (en) * 2004-07-29 2006-12-11 Rohm And Haas Electronic Materials L L C Dielectric structure
WO2006040941A1 (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 積層セラミック部品とその製造方法
DE102004055239A1 (de) * 2004-11-16 2006-05-18 Robert Bosch Gmbh Keramisches Isolationsmaterial sowie Sensorelement dieses enthaltend
DE102004056259A1 (de) * 2004-11-22 2006-05-24 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Kopplungsleitungen für einen YIG-Filter oder YIG-Oszillator und Verfahren zur Herstellung der Kopplungsleitungen
JP4185499B2 (ja) * 2005-02-18 2008-11-26 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP3969453B1 (ja) * 2006-05-17 2007-09-05 株式会社村田製作所 ケース付き多層モジュール
JP5201983B2 (ja) * 2007-12-28 2013-06-05 富士通株式会社 電子部品
JP4618383B2 (ja) * 2008-05-12 2011-01-26 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物、積層複合電子部品、積層コモンモードフィルタ、積層セラミックコイルおよび積層セラミックコンデンサ
JP5277755B2 (ja) * 2008-07-01 2013-08-28 オムロン株式会社 電子部品
JP5835640B2 (ja) * 2010-11-17 2015-12-24 日本電気硝子株式会社 結晶性ガラス粉末
JP5435176B2 (ja) * 2011-05-19 2014-03-05 株式会社村田製作所 複合積層セラミック電子部品
JP5888524B2 (ja) 2012-02-13 2016-03-22 株式会社村田製作所 複合積層セラミック電子部品
US20140097003A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Tyco Electronics Amp Gmbh Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components
JP5975198B1 (ja) * 2015-01-27 2016-08-23 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2018098677A (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 株式会社村田製作所 送受信モジュール
KR101944901B1 (ko) * 2016-12-21 2019-02-01 주식회사 포스코 방향성 전기강판용 소둔 분리제 조성물, 방향성 전기강판 및 방향성 전기강판의 제조방법
KR102549921B1 (ko) * 2018-07-17 2023-06-29 삼성전기주식회사 칩 안테나 모듈
US11228080B2 (en) * 2018-11-07 2022-01-18 Dupont Electronics, Inc. Dielectric filter and method for manufacturing the same
JP7379899B2 (ja) * 2019-07-22 2023-11-15 Tdk株式会社 セラミック電子部品
CN112592160B (zh) * 2020-12-23 2022-05-24 嘉兴佳利电子有限公司 一种复相低温共烧陶瓷材料及其制备方法
CN114804637B (zh) * 2021-01-28 2024-01-30 山东国瓷功能材料股份有限公司 一种具有中低介电常数的玻璃陶瓷材料及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4089038A (en) * 1976-03-30 1978-05-09 E. I. Du Pont De Nemours And Co. Dielectric compositions of zirconates and/or aluminates and devices thereof
US4633366A (en) * 1985-08-07 1986-12-30 Sprague Electric Company Laminar electrical component with magnesium orthoborate
JPH02230798A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Nec Corp 複合積層セラミック部品
US5256470A (en) * 1990-10-11 1993-10-26 Aluminum Company Of America Crystal growth inhibitor for glassy low dielectric inorganic composition
JPH08188446A (ja) * 1995-01-11 1996-07-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ガラスセラミック基板
JPH10275963A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Kyocera Corp 高周波用配線基板

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4069498A (en) * 1976-11-03 1978-01-17 International Business Machines Corporation Studded heat exchanger for integrated circuit package
US4794048A (en) * 1987-05-04 1988-12-27 Allied-Signal Inc. Ceramic coated metal substrates for electronic applications
JP2772739B2 (ja) * 1991-06-20 1998-07-09 いわき電子株式会社 リードレスパッケージの外部電極構造及びその製造方法
JP3096136B2 (ja) 1992-02-22 2000-10-10 日本山村硝子株式会社 低温焼成基板用ガラス組成物およびそれから得られる基板
JP3166986B2 (ja) 1992-07-14 2001-05-14 マツダ株式会社 電流センサ
US5632942A (en) * 1993-05-24 1997-05-27 Industrial Technoology Research Institute Method for preparing multilayer ceramic/glass substrates with electromagnetic shielding
AR008989A1 (es) * 1995-12-05 2000-03-08 Lwt Instr Inc Estructuras de material compuesto con menor atenuacion de senal, metodo para formarlas; tubos de union sustituto y componente de tren de perforacioncon dicho material
JP3314130B2 (ja) 1996-01-26 2002-08-12 京セラ株式会社 低温焼成磁器組成物
JP3834426B2 (ja) * 1997-09-02 2006-10-18 沖電気工業株式会社 半導体装置
JP3680683B2 (ja) * 2000-03-06 2005-08-10 株式会社村田製作所 絶縁体磁器組成物
JP3680684B2 (ja) * 2000-03-06 2005-08-10 株式会社村田製作所 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4089038A (en) * 1976-03-30 1978-05-09 E. I. Du Pont De Nemours And Co. Dielectric compositions of zirconates and/or aluminates and devices thereof
US4633366A (en) * 1985-08-07 1986-12-30 Sprague Electric Company Laminar electrical component with magnesium orthoborate
JPH02230798A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Nec Corp 複合積層セラミック部品
US5256470A (en) * 1990-10-11 1993-10-26 Aluminum Company Of America Crystal growth inhibitor for glassy low dielectric inorganic composition
JPH08188446A (ja) * 1995-01-11 1996-07-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ガラスセラミック基板
JPH10275963A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Kyocera Corp 高周波用配線基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100621195B1 (ko) * 2004-02-06 2006-09-13 주식회사 아이엠텍 엘티씨씨용 세라믹 분말 조성물 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020008785A (ko) 2002-01-31
CN1266062C (zh) 2006-07-26
CN1197822C (zh) 2005-04-20
US20020027018A1 (en) 2002-03-07
GB0116582D0 (en) 2001-08-29
CN1334255A (zh) 2002-02-06
GB2365007A (en) 2002-02-13
GB2365007B (en) 2002-06-26
CN1548393A (zh) 2004-11-24
US6713417B2 (en) 2004-03-30

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