JP2002134919A - 配線基板 - Google Patents
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
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Abstract
揮すると共に、内部の電気的特性が安定する配線基板を
提供する。 【解決手段】表面3および裏面4を有するコア基板2
と、このコア基板2における表面3と裏面4との間を貫
通する貫通孔5と、この貫通孔5に埋込樹脂13を介し
て内臓され且つ上記コア基板2の表面3および裏面4に
位置する電極11,12を有するチップコンデンサ(電
子部品)10と、上記貫通孔5の周囲に位置し且つコア
基板2における表面3と裏面4との間を貫通するスルー
ホール導体8a,8bとを備え、上記チップコンデンサ
10の電極11,12とスルーホール導体8a,8bと
が、コア基板2の表・裏面3,4に形成した配線14
a,15aを介して接続されている、配線基板1。
Description
品を内臓し且つこのコア基板を貫通するスルーホール導
体を有する配線基板に関する。
線基板内における配線の高密度化に対応するため、配線
基板の第1主面上にICチップなどの電子部品を搭載す
るだけでなく、コア基板(配線基板本体)の内部に電子部
品を内蔵する配線基板が提案されている。例えば、図8
に示す配線基板40は、絶縁性のコア基板42に穿孔し
た貫通孔45に埋込樹脂46を介してチップ状の電子部
品50を内臓している。この電子部品50は、図8に示
すように、一対の側辺から上・下端52,53に突出す
る複数の電極51をそれぞれ対称に有している。かかる
電極51は、その上・下端52,53に接触するハンダ
バンプ54を介して、コア基板42の表・裏面43,4
4に形成された所定パターンの配線層57,58と接続
されている。
周囲には、当該コア基板42を貫通する複数のスルーホ
ール47内にスルーホール導体48が貫通孔45に沿っ
て個別に形成されている。かかる導体48は、内部に充
填樹脂49を有する。更に、図8に示すように、コア基
板42の表・裏面43,44には、樹脂製の絶縁層5
5,56が形成されると共に、所定パターンを有し且つ
電子部品50の電極51の上・下端52,53と接続す
る配線層57,58が形成される。加えて、絶縁層5
5,56には、これを貫通し且つ配線層57,58と接
続するビア導体59,60が形成され、その上・下端に
は別の配線層63,64が形成されると共に、これらの
上下には絶縁層61,62が個別に形成されている。
は、図8に示すように、電子部品50の電極51とスル
ーホール導体48とは、ハンダバンプ54、配線層5
7,58、ビア導体59,60、配線層63,64、お
よび、ビア導体59,60と迂回する経路により接続さ
れている。この結果、電子部品50の電極51とスルー
ホール導体48との接続配線が長くなるため、かかる配
線における抵抗やインダクタンスクタンスが高くなる。
これにより、電子部品50への給電が不十分になった
り、電子部品50から図示しない第1主面に搭載するI
Cチップへの給電に損失および遅延を生じてスイッチン
グノイズが発生し易くなるなど、配線基板40内におけ
る電気的特性が不安定になる場合が生じる、という問題
があった。
来の技術における問題点を解決し、コア基板に内蔵する
電子部品が所要の機能を発揮すると共に、内部の電気的
特性が安定する配線基板を提供すること、を課題とす
る。
決するため、コア基板に内蔵する電子部品とコア基板を
貫通するスルーホール導体との接続経路を可及的に短く
することに着目して、成されたものである。即ち、本発
明の配線基板は、表面および裏面を有するコア基板と、
このコア基板における表面と裏面との間を貫通する貫通
孔、あるいはコア基板において表面または裏面に開口す
る凹部と、上記貫通孔または凹部内に内臓され且つ上記
コア基板の表面および裏面の少なくとも一方に電極を有
する電子部品と、上記貫通孔または凹部の周囲に位置し
且つコア基板における表面と裏面との間を貫通するスル
ーホール導体と、を備え、上記電子部品の電極とスルー
ホール導体とが、上記コア基板の表面および裏面の少な
くとも一方に形成した配線を介して接続されている、こ
とを特徴する。
ール導体とは、コア基板の表面や裏面に形成した配線を
介して最短の経路で接続される。この結果、電子部品へ
の給電や電子部品からの接地が確実になるため、当該電
子部品の機能を十分に発揮させ得ると共に、配線基板内
における電気的特性を安定化させることもできる。尚、
電子部品には、コンデンサ、インダクタ、抵抗、フィル
タ等の受動部品や、ローノイズアンプ(LNA)、トラン
ジスタ、半導体素子、FET等の能動部品、或いはこれ
らのチップ状のものが含まれると共に、これらの異種の
電子部品同士を同じ貫通孔や凹部内に内蔵しても良い。
また、電子部品には、コア基板の表面または裏面の一方
にのみ電極を有する形態も含まれる。
基板と、このコア基板における表面と裏面との間を貫通
する貫通孔、あるいはコア基板において表面または裏面
に開口する凹部と、上記貫通孔または凹部内に埋込樹脂
を介して内臓され且つ上記コア基板の表面および裏面の
少なくとも一方に電極を有する電子部品と、上記貫通孔
または凹部の周囲に位置し且つコア基板における表面と
裏面との間を貫通するスルーホール導体と、を備え、上
記電子部品の電極とスルーホール導体とが、上記コア基
板の表面および裏面の少なくとも一方に形成した配線を
介して接続されている、配線基板も本発明に含まれ得
る。これによる場合、前述した電子部品の機能発揮や電
気的特性の安定化に加え、電子部品を埋込樹脂によって
埋設しつつコア基板に強固に内蔵できるため、電子部品
をスルーホール導体や基板内の配線層と正確に接続し且
つ所要の動作を確実に発揮させることが可能となる。
および裏面の双方に電極を有し、これらの電極と前記ス
ルーホール導体の上下端とがコア基板の表面および裏面
に形成した配線を介して個別に接続されている、配線基
板も本発明に含まれる。これによれば、電子部品の電極
とスルーホール導体とは、コア基板の表面および裏面に
形成した配線を介してそれぞれ最短の経路で接続される
ため、電子部品の機能を一層確実に発揮させ得ると共
に、基板内部の電気的特性も一層確実に安定させること
が可能となる。
隣接するスルーホール導体とは、同じ電源用またはグラ
ンド(接地)用回路に接続されている、配線基板も本発明
に含まれ得る。これによる場合、隣接する電極とスルー
ホール導体との間を最も最短の長さで接続することがで
きる。また、前記電子部品の電極とこれに隣接するスル
ーホール導体とが、正・負逆の電荷に帯電された第1電
位または第2電位となるように配置されている、配線基
板も本発明に含まれ得る。これによる場合、隣接する電
極とスルーホール導体との間における相互インダクタン
スを増加させ、且つ両者に跨る全体のループインダクタ
ンスを低減することが可能となる。これにより、基板内
の電子部品と配線層間の通電や、配線層同士間の通電を
安定させ且つ確実に行わしめ得る。尚、上記「隣接する」
とは「間近」、即ち「一番近い」ことを指す。
な形態を図面と共に説明する。図1は、本発明の一形態
の配線基板1における主要部の断面を示す。配線基板1
は、図1に示すように、絶縁性のコア基板(配線基板本
体)2と、その表面3上と裏面4下とに形成した配線層
14,20,26,15,21,27と、絶縁層16,
22,28,17,23,29とからなるビルドアップ
層とを有する多層基板である。上記配線層14などの厚
さは約15μm程度であり、絶縁層16などの厚さは約
30μm程度である。コア基板2は、平面視が略正方形
で厚さ約0.8mmのガラス布入りのエポキシ樹脂から
なり、その中央部をパンチングすることにより、図2
(A)に示すように、平面視が略正方形で一辺が12mm
の貫通孔5が穿孔されている。尚、コア基板2の表・裏
面3,4には、予め銅箔2cがそれぞれ貼り付けられて
いる。
ラなどの無機フィラを含むエポキシ系の埋込樹脂(樹脂
を含む複合材料)13を介して、複数のチップコンデン
サ(電子部品)10が内蔵されている。チップコンデンサ
10は、両側面10aにおいて上下端に突出し且つコア
基板2の表面3から裏面4に向けて延びるように表・裏
面3,4に位置する銅製の電極11,12を対称に複数
設けている。かかるチップコンデンサ10は、例えばチ
タン酸バリウムを主成分とする誘電層と内部電極である
Ni層とを交互に積層したセラミックスコンデンサであ
って、3.2mm×1.6mm×0.7mmのサイズを有
する。図1,図2(A)に示すように、貫通孔5の周囲に
は、コア基板2の表・裏面3,4間を貫通する複数のス
ルーホール7,7が穿孔され、その内部に銅メッキから
なるスルーホール導体8a,8bおよびシリカフィラを
含む充填樹脂(樹脂を含む複合材料)9がそれぞれ形成さ
れている。
接続され、スルーホール導体8bはグランド用回路に接
続される。また、上記充填樹脂9に替え、多量の金属粉
末を含む導電性樹脂、あるいは金属粉末を含む非導電性
樹脂を用いても良い。更に、図2では、スルーホール導
体8aの上端(配線14c)を円形として表現した。図1
に示すように、コア基板2の表面3上には、銅メッキか
らなる配線層14および配線14aと、シリカフィラを
含むエポキシ樹脂(樹脂を含む複合材料)からなる絶縁層
16とが形成される。図1,図2(B)に示すように、配
線14aは、左端のチップコンデンサ10の電極11と
スルーホール導体8aの上端とを接続している。図2
(B)において、配線14aを介してスルーホール導体8
aと最短距離で接続される電極11も電源用回路に接続
されている。
ーホール導体8aと右上の電極11とを斜めの配線14
aを介して接続する形態とすることもできる。この場
合、貫通孔5の側面を挟んで隣接するスルーホール導体
8a,8および電極11,11は、一方が正(+)の電源
電位で且つ他方が負(−)のグランド電位となり、常に逆
向きに通電される。この結果、隣接するスルーホール導
体8aと電極11、およびスルーホール導体8と電極1
1との間におけるそれぞれの相互インダクタンス(2×
M)が大きくなる。このため、両者の自己インダクタン
スL1,L2の合計値から上記相互インダクタンスを差
し引いた全体のループインダクタンスLを低減すること
ができる。従って、チップコンデンサ10とスルーホー
ル導体8a,8との間の導通が安定して取れ、同時スイ
ッチングノイズや放射ノイズを防止することも可能とな
る。
所定の位置には、配線層14、配線14a、またはスル
ーホール導体8bの上端と接続する複数のフィルドビア
導体18が形成され、これらビア導体18の上端と絶縁
層16との上には配線層20が形成される。同様にし
て、配線層20の上には絶縁層22が形成され、且つフ
ィルドビア導体24が上記ビア導体18の真上にスタッ
クドビア(積み上げビア)として形成されると共に、フィ
ルドビア導体24の上端と絶縁層22の上には配線層2
6が形成される。
(絶縁層)28と、これを貫通し且つ第1主面30よりも
高く突出する複数のハンダバンプ(IC接続端子(Pb−
Sn系、Sn−Ag系、Sn−Sb系、Sn−Zn系な
ど))32とが形成される。ハンダバンプ32は、第1主
面30上に搭載されるICチップ(半導体素子)34の底
面に突設された接続端子36と個別に接続される。尚、
接続端子36およびハンダバンプ32の周囲には、これ
らを埋設するようにICチップ34と第1主面30との
間に図示しないアンダーフィル材が充填される。
にも、銅メッキからなる配線層15および配線15aと
シリカフィラ入りのエポキシ樹脂からなる絶縁層17と
が形成される。配線15aは、前記図2(A)または(B)
に示した形態で、右端のチップコンデンサ10の電極1
2とスルーホール導体8bの下端との間を接続してい
る。また、絶縁層17の所定の位置には、配線層15、
配線15a、またはスルーホール導体8aに上端が接続
する複数のフィルドビア導体19が形成され、これらの
ビア導体19の下端と絶縁層17の下には配線層21が
形成される。
およびフィルドビア導体25が形成されると共に、当該
ビア導体25の下端と絶縁層23の下には配線層27が
形成される。この配線層27の下には、ソルダーレジス
ト層(絶縁層)29が形成され、第2主面31側に開口す
る開口部33内に露出する配線層27内の配線35は、
その表面にNiおよびAuメッキが被覆され、当該配線
基板1自体を搭載する図示しないプリント基板などのマ
ザーボードとの接続端子となる。以上のような配線基板
1によれば、チップコンデンサ10の電極11,12と
スルーホール導体8a,8bとは、コア基板2の表・裏
面3,4に形成した配線14a,15aを介して短い経
路により接続される。従って、チップコンデンサ10へ
の給電や接地が確実に行え、該コンデンサ10の機能を
十分に発揮させ得ると共に、配線基板1内部の電気的特
性も安定したものとすることができる。これにより、例
えばICチップ34への高速給電が可能となる。
ち、ICチップ34側)の電極11のみをスルーホール
導体8aと接続する場合も、コア基板2の表面3に形成
した配線14aを介して接続することにより、上記と同
様の効果を得ることができる。また、上記形態の他に、
表面3側でのみ当該表面3に形成した配線14aを介し
て電極11とスルーホール導体8aとを接続し、且つ裏
面4側(即ち、ICチップ34と反対側のマザーボード
側)では、電極12をビア導体を介してスルーホール導体
8a,8bと接続する形態としても前記と同様の効果を
得ることができる。
法における主要な工程に関する。図3(A)に示すよう
に、表・裏面3,4に厚さ数10μmの銅箔2cを貼り
付けた厚さ0.8mmのガラスーエポキシ樹脂からなる
コア基板2を用意する。次に、図3(B)に示すように、
コア基板2における所定の位置にドリルを用いて表・裏
面3,4間を貫通する直径約0.3mmのスルーホール
7,7を穿孔する。尚、複数のスルーホール7は、平面
視でほぼ正方形を形成する位置にある。次いで、スルー
ホール7,7内に予めPdなどのメッキ用触媒を付着し
て無電解銅メッキを施した後、コア基板2の銅箔2c,
2cを含めて電解銅メッキを施す。その後、所定パター
ンの図示しないエッチングレジストを表・裏面3,4の
銅メッキ層上に形成した後、エッチングを施す。この結
果、図3(C)に示すように、スルーホール7,7内が円
筒形で且つコア基板2の表面3上および裏面4下に延び
るスルーホール導体8,8が形成される。かかる導体8
の中空部には、樹脂9が充填される。
コア基板2にパンチングを施し、図3(C)に示すよう
に、縦×横12mmずつの貫通孔5を表・裏面3,4間
に穿孔する。次いで、図3(D)に示すように、コア基板
2の裏面4側に、一方の表面がシリコン系の粘着剤から
なる粘着面であるポリイミド製のテープTを貼り付けて
貫通孔5の裏面4側を封止する。かかるテープTの粘着
面は、貫通孔5側に向けられている。尚、テープTは、
上記コア基板2を含む多数のコア基板からなる多数個取
り用のパネルにおける裏面の全体に渉って貼り付けられ
る。次に、図4(A)に示すように、複数のチップコンデ
ンサ10を図示しないチップマウンタを用いて貫通孔5
内に挿入すると共に、各チップコンデンサ10の電極1
2をテープTの粘着面における所定の位置に接着する。
図示のように、各チップコンデンサ10における電極1
1,12の端部は、コア基板2の表・裏面3,4の表面
上に形成された銅メッキ層の表面とほぼ同じ位置に位置
している。
2の表面3側から貫通孔5内に、エポキシ樹脂を主成分
とする溶けた樹脂13を充填した後、約100℃に加熱
し且つ約60分保持するキュア処理を施す。この結果、
図示のように、樹脂13は固化して複数のチップコンデ
ンサ10を貫通孔5内に埋設する埋込樹脂となる。かか
る樹脂13のカーブして盛り上がった表面13aを、例
えばバフ研磨などによって平坦に整面する。これによ
り、図4(C)に示すように、各チップコンデンサ10の
電極11が露出する平坦な表面13bが形成される。該
表面13bは、コア基板2の表面3上に形成された銅メ
ッキ層の表面とほぼ同一平面である。また、図4(C)に
示すように、テープTを剥離すると、埋込樹脂13の裏
面13cには各チップコンデンサ10の電極12がそれ
ぞれ露出する。尚、裏面13cも上記同様に整面すると
各電極12を確実に露出させ得る。裏面13cは、コア
基板2の裏面4の表面上に形成された銅メッキ層の表面
とほぼ同一平面である。
込樹脂の表・裏面13b,13cとに、メッキ用触媒を
付着して無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施す。更
に、所定パターンの図示しないエッチングレジストを表
・裏面3,13b,4,13cの銅メッキ層上に形成し
て、エッチング液(亜硫酸ナトリウム、濃硫酸など)によ
りエッチングし、所定パターンの配線層を形成する。こ
の結果、図4(D)に示すように、コア基板2の表面3上
には、各チップコンデンサ10の電極11と接続される
所要パターンの配線層14と、左端のチップコンデンサ
10の電極11と左側のスルーホール導体8の上端、即
ちコア基板2の表面3に形成された配線14cとを接続
する配線14aとが形成される。このため、かかるスル
ーホール導体8は、前記図1で示したスルーホール導体
8aとなると共に、内部に充填した樹脂9の上端部が蓋
メッキされる。尚、本形態における配線14a,14c
は、前記特許請求の範囲におけるコア基板の表面で電子
部品の電極とスルーホール導体とを接続する配線に該当
する。
の裏面4下には、各チップコンデンサ10の電極12と
接続される所要パターンの配線層15と、右端のチップ
コンデンサ10の電極12とスルーホール導体8の下
端、即ちコア基板2の裏面4に形成された配線15cと
を接続する配線15aとが形成される。この結果、スル
ーホール導体8は、前記図1で示したスルーホール導体
8bとなると共に、内部に充填した樹脂9の下端部が蓋
メッキされる。尚、本形態における配線15a,15c
も、前記特許請求の範囲におけるコア基板の表面で電子
部品の電極とスルーホール導体とを接続する配線に該当
する。これ以降は、配線層20,26,21,27、絶
縁層16,22,28,17,23,29、および、ビ
ア導体18,24,19,25を、公知のビルドアップ
工程(セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブ
トラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによ
る絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技術、レーザ加工
によるビアホールの穿孔等)により形成する。これによ
り、前記図1に示した配線基板1を得ることができる。
部の断面を示す。尚、以下において前記形態と同じ部分
や要素には共通する符号を用いるものとする。図5,6
に示すように、配線基板1aのコア基板2には、その表
面3側に開口し且つ平面視が長方形で12mm×14m
mの凹部6がルータ加工により形成されている。図5に
示すように、凹部6には、表面3側に露出する複数の電
極11のみを有する前記同様のチップコンデンサ10b
が挿入され、且つ前記同様のエポキシ系の埋込樹脂13
中に埋設されることにより、凹部6に内蔵されている。
図5に示すように、コア基板2の表面3上には、前記同
様の配線層14および配線14a,14bが形成されて
いる。配線14a,14bは、コア基板2を貫通するス
ルーホール導体8a,8bの上端、即ちコア基板2の表
面3に形成された配線14cとそれぞれ個別に接続され
ている。尚、本形態における配線14a,14b,14
cは、前記特許請求の範囲におけるコア基板の表面で電
子部品の電極とスルーホール導体とを接続する配線に該
当する。
数のチップコンデンサ10bの各電極11に隣接して、
凹部6の側面に沿ってコア基板2を貫通するスルーホー
ル導体8a,8bを交互に形成しても良い。スルーホー
ル導体8aは、配線基板1aの電源用回路に接続され、
スルーホール導体8bは、グランド用回路に接続されて
いる。また、チップコンデンサ10bの同じ側面10a
には、電源用回路またはグランド用回路に接続される電
極11,11が交互に配置されているとする。尚、図
6,7では、スルーホール導体8a,8bの上端(配線
14c)は、便宜上から円形として表現されている。図
7に示すように、凹部6の周囲に位置するスルーホール
導体8a,8a間を斜め方向に接続する配線14aは、
その途中で単数または複数のチップコンデンサ10bの
電源用回路に接続された電極11に接続される。また、
配線14aと平行で且つ凹部6の周囲に位置するスルー
ホール導体8b,8b間を斜めに接続する配線14b
も、その途中で単数または複数のチップコンデンサ10
bにおけるグランド用回路に接続された電極11に接続
される。
の側面を挟んで隣接するスルーホール導体8aと電極1
1およびスルーホール導体8bと電極11は、常に一方
が電源電位(+)で他方がグランド電位(−)の正負逆の電
位となり、常に逆向きに通電される。このため、隣接す
る導体8aと電極11または導体8bと電極11との間
におけるそれぞれの相互インダクタンス(2×M)が大き
くなる。この結果、両者の自己インダクタンスL1,L
2の合計値から上記相互インダクタンスを差し引いた全
体のループインダクタンスLを低減することができる。
従って、チップコンデンサ10bの各電極11とスルー
ホール導体8a,8bとの間の導通が安定して取れ、同
時スイッチングノイズや放射ノイズを防止することも可
能となる。
配線層14、配線14a,14b上には、配線層20,
26、ビア導体18,24、および絶縁層16,22,
28が形成されている。配線層26の上には、第1主面
30よりも高く突出する複数のハンダバンプ32が形成
され、これらは、第1主面30上に搭載されるICチッ
プ34の底面に突設された接続端子36と個別に接続さ
れる。尚、ハンダバンプ32と接続端子36の周囲に
は、これらを埋設するようにICチップ34の底面と第
1主面30との間にアンダーフィル材38が充填され
る。
面4下には、前記同様に配線層15,21,27、ビア
導体19,25、および絶縁層17,23が形成されて
いる。配線層27の下には、ソルダーレジスト層(絶縁
層)29が形成され、その開口部33内に露出する上記
配線層27内の配線35は、表面にNiおよびAuメッ
キが被覆された接続端子である。そして、コア基板2を
挟んだ配線層14,15は、スルーホール導体8a,8
bを介して接続されているが、チップコンデンサ10b
は配線14a,14bおよびスルーホール導体8a,8
bを介して下側の配線層15,21,27や接続端子3
5と導通されている。
定されるものではない。前記配線基板1において、電極
11のみを有するチップコンデンサ10bをコア基板2
の前記貫通孔5に埋込樹脂13を介して内蔵することも
できる。また、配線基板1aにおいて、電極11,12
を有するチップコンデンサ10をコア基板2の凹部6に
埋込樹脂13を介して内蔵することもできる。この場
合、電極12は凹部6の底面とコア基板2の裏面4との
間を貫通する短いスルーホール導体を介して配線層15
と接続される。更に、前記貫通孔5や凹部6に内蔵する
電子部品は、1つのみでも良い。逆に、多数のコア基板
2を含む多数個取りの基板(パネル)内における製品単位
1個内に、複数の貫通孔5や凹部6を形成しても良い。
また、複数のチップ状電子部品を互いの側面間で予め接
着したユニットとし、これを前記貫通孔5または凹部6
内に挿入して内蔵することもできる。
コンデンサ10,10bの他、チップ状にしたインダク
タ、抵抗、フィルタ等の受動部品や、トランジスタ、半
導体素子、FET、ローノイズアンプ(LNA)などの能
動部品も含まれると共に、互いに異種の電子部品同士
を、コア基板の同じ貫通孔または凹部内に併せて内蔵す
ることも可能である。また、コア基板2の材質は、前記
エポキシ樹脂の他、ビスマレイミド・トリアジン(BT)
樹脂、ガラス−エポキシ樹脂複合材料、同様の耐熱性、
機械強度、可撓性、加工容易性等を有するガラス織布
や、ガラス織布等のガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、またはBT樹脂等の樹脂との複合材料である
ガラス繊維−樹脂材料を用いても良い。あるいは、ポリ
イミド繊維等の有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気
孔を有するPTFEなど3次元網目構造のフッ素系樹脂
にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系複合
材料等を用いることも可能である。
配線層14,15、および配線14a,14b,15a
などの材質は、前記Cuの他、Ag、Ni、Ni−Au
等にしても良く、あるいは、これら金属のメッキ膜を用
いず、導電性樹脂を塗布する等の方法により形成しても
良い。また、前記ビア導体18などは、ビアホール内を
埋め尽くす形態の前記フィルドビアに限らず、ビアホー
ルの断面形状に倣った円錐形状の形態としても良い。更
に、絶縁層16,17などの材質は、前記エポキシ樹脂
を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成
形性等を有するポリイミド樹脂、BT樹脂、PPE樹
脂、あるいは、連続気孔を有するPTFE等3次元網目
構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させ
た樹脂−樹脂複合材料等を用いることもできる。尚、絶
縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方
法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方
法を用いることもできる。
ば、電子部品の電極とスルーホール導体とは、コア基板
の表面や裏面に形成した配線を介して最短の経路で接続
されるため、電子部品への給電や電子部品からの接地が
確実になる。従って、当該電子部品の機能を十分に発揮
させ得ると共に、配線基板内における電気的特性を安定
化させることもできる。
主要部を示す断面図。
図、(B)は(A)中の部分拡大図、(C)は異なる形態の配
線を示す(B)と同様な拡大図。
る主要な工程を示す概略図。
ける主要な工程を示す概略図。
を示す断面図。
線などを示す概略図。
体 10,10b………………………………チップコンデン
サ(電子部品) 11,12…………………………………電極 14a,14b,14c,15a,15c…配線
Claims (2)
- 【請求項1】表面および裏面を有するコア基板と、 上記コア基板における表面と裏面との間を貫通する貫通
孔、あるいはコア基板において表面または裏面に開口す
る凹部と、 上記貫通孔または凹部内に内臓され且つ上記コア基板の
表面および裏面の少なくとも一方に電極を有する電子部
品と、 上記貫通孔または凹部の周囲に位置し且つコア基板にお
ける表面と裏面との間を貫通するスルーホール導体と、
を備え、 上記電子部品の電極とスルーホール導体とが、上記コア
基板の表面および裏面の少なくとも一方に形成した配線
を介して接続されている、 ことを特徴する配線基板。 - 【請求項2】前記電子部品は前記コア基板の表面および
裏面の双方に電極を有し、これらの電極と前記スルーホ
ール導体の上下端とがコア基板の表面および裏面に形成
した配線を介して個別に接続されている、 ことを特徴する請求項1に記載の配線基板。
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- 2000-10-27 JP JP2000328793A patent/JP5066311B2/ja not_active Expired - Fee Related
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