JP3459767B2 - プリント配線板 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板に
関し、特に、ソルダーレジスト層に発生するクラックを
確実に抑制できるプリント配線板の構成についての提案
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平４−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤からなる絶縁材を塗布し、これを乾燥したの
ち露光現像することにより、バイアホール用開口を有す
る層間絶縁材層を形成し、次いで、この層間絶縁材層の
表面を酸化剤等による処理にて粗化したのち、その粗化
面にめっきレジストを設け、その後、レジスト非形成部
分に無電解めっきを施してバイアホール、導体回路を形
成し、このような工程を複数回繰り返すことにより、多
層化したビルドアップ配線基板が得られる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような多層プリン
ト配線板では、表層に露出した導体回路を保護する目的
と、電子部品を搭載する導体パッド表面に供給したはん
だ体の流出やブリッジを防ぐ目的として、最外層にソル
ダーレジスト層が被覆される。その際、このソルダーレ
ジスト層は、ＩＣチップが搭載される導体パッドのみを
露出する開口を設けて他の導体回路を保護する一方で、
この開口にＩＣチップを搭載するために供給されるはん
だバンプと呼ばれる球状あるいは突起状のはんだ体のソ
ルダーダムとして機能する。

【０００４】このようなソルダーレジスト層としては、
Ｐｂマイグレーションが発生しにくいノボラック型エポ
キシ樹脂を使用することが望ましい。しかしながら、こ
のノボラック型エポキシ樹脂は、その構造が剛直骨格ゆ
えに半導体部品を搭載して樹脂封止すると、ヒートサイ
クル時や高温、高圧、多湿条件下でソルダーレジスト層
にクラックが発生しやすいという問題があった。

【０００５】そこで、本発明の目的は、ヒートサイクル
時、ならびに高温、高圧、多湿条件下でもソルダーレジ
スト層にクラックが発生しにくいプリント配線板を提供
することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構
成とする本発明を完成するに至った。即ち、本発明のプ
リント配線板は、絶縁層上に導体回路が形成され、その
導体回路を被覆して電子部品搭載のための開口を設けた
ソルダーレジスト層が形成され、その開口内には電子部
品との接続のためのはんだバンプが形成されてなるプリ
ント配線板において、前記ソルダーレジスト層上には、
熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の樹脂複合体または感光性
樹脂と熱可塑性樹脂の樹脂複合体からなる補強層が、前
記はんだバンプが形成されている開口が設けられた領域
を囲んだ位置に形成されていることを特徴とする。

【０００７】なお、本発明にかかる上記プリント配線板
において、補強層を構成する樹脂複合体は、エポキシ樹
脂とポリエーテルスルフォンの樹脂複合体、もしくはエ
ポキシ樹脂のアクリレートとポリエーテルスルフォンの
樹脂複合体が好ましい。また、その補強層には、耐熱性
粒子が含有されていることが好ましく、さらに、ソルダ
ーレジスト層は、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレ
ートをイミダゾール硬化剤によって硬化させてなること
が好ましい。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明のプリント配線板は、ソル
ダーレジスト層の上に、熱可塑性樹脂を含む樹脂からな
る高靱性の補強層が形成されている点に特徴がある。こ
れにより、本発明のプリント配線板は、ヒートサイクル
時、ならびに高温、高圧、多湿条件下でも、ソルダーレ
ジスト層にクラックが発生しにくくなる。また、クラッ
ク発生の一要因と考えられるゴミの付着を防止して、ク
ラック発生を抑制することができる。

【０００９】このような補強層としては、「熱硬化性樹
脂と熱可塑性樹脂の樹脂複合体」または「感光性樹脂と
熱可塑性樹脂の樹脂複合体」からなることがより望まし
い。前者については耐熱性が高く、後者については補強
層をフォトリソグラフィーにより形成できる点で有利で
ある。

【００１０】補強層を構成する熱硬化性樹脂としては、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを
用いることができる。エポキシ樹脂のなかでは、特に、
フェノールノボラック型やクレゾールノボラック型など
のノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変
成した脂環式エポキシ樹脂などが好適に使用される。ま
た、感光性樹脂としては、熱硬化性樹脂を感光化したも
のが好ましく、例えば、メタクリル酸やアクリル酸など
と熱硬化基をアクリル化反応させることにより得られ
る。なかでも、エポキシ樹脂のアクリレートが最適であ
る。熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレ
ンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリ
エーテルイミド（ＰＩ）などを用いることができる。

【００１１】上記熱硬化性樹脂（または感光性樹脂）と
上記熱可塑性樹脂の混合割合は、重量比で、熱硬化性樹
脂（または感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝95／５〜50／
50がよい。この理由は、かかる範囲内で配合した樹脂複
合体は、耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保で
きるからである。

【００１２】また、この補強層は、耐熱性粒子を含んで
いてもよい。この耐熱性粒子の含有量は、耐熱性樹脂マ
トリックスの固形分に対して５〜50重量％、より望まし
くは10〜40重量％とする。この理由は、適度な粘度を付
与するとともに、補強層に発生するクラックの進行を抑
制できる範囲だからである。

【００１３】上記耐熱性粒子としては、アミノ樹脂（メ
ラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹
脂から選ばれるいずれか少なくとも一種以上の耐熱性樹
脂粒子、または、シリカ、アルミナ、ムライト、TiＯ₂
から選ばれるいずれか少なくとも一種以上の耐熱性無機
粒子がよい。特に、無機粒子を使用すると、熱膨張率を
低下させることができ、クラックを効果的に防止でき
る。このような耐熱性粒子の平均粒子径は、 0.1〜1.0
μｍが望ましい。この理由は、補強層の靱性値を低下さ
せない範囲だからである。

【００１４】補強層は、その厚さを５〜50μｍとするこ
とが望ましい。この理由は、かかる範囲内であれば、基
板厚みの増加を最小限にしてクラックを抑制できるから
である。補強層は、電子部品搭載のための開口が設けら
れた領域、つまりはんだバンプ群が設けられる領域の周
囲に形成されていることが望ましい（図23参照）。この
理由は、はんだバンプ群の中に補強層を形成すると、Ｉ
Ｃチップを実装する場合に実装不良を起こす可能性があ
るからである。

【００１５】本発明において、はんだパッドとして作用
するバイアホールは、ソルダーレジスト層により、その
一部分が露出した形態、あるいは全部が露出されてなる
形態いずれをも採用することができる。前者の場合は、
導体パッドもしくはバイアホールの境界部分で生じる樹
脂絶縁層のクラックを防止でき、後者の場合は、開口位
置ずれの許容範囲を大きくすることができる。

【００１６】本発明におけるソルダーレジスト層は、そ
の厚さを５〜40μｍとすることが望ましい。この理由
は、ソルダーレジスト層の厚さが薄すぎるとソルダーダ
ムとして機能せず、厚すぎると開口しにくくなる上、は
んだ体と接触しはんだ体に生じるクラックの原因となる
からである。

【００１７】このようなソルダーレジスト層としては、
種々の樹脂が使用され、例えば、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリ
レート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポ
キシ樹脂のアクリレートを、アミン系硬化剤やイミダゾ
ール硬化剤などで硬化させた樹脂を用いることができ
る。

【００１８】特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて
そこにはんだバンプを形成する場合には、「ノボラック
型エポキシ樹脂、もしくはノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレート」からなり、「イミダゾール硬化剤」を硬
化剤として含むものが好ましい。このような構成のソル
ダーレジスト層は、鉛のマイグレーション（鉛イオンが
ソルダーレジスト層内を拡散する現象）が少ないという
利点を持つ。しかも、このソルダーレジスト層は、ノボ
ラック型エポキシ樹脂のアクリレートをイミダゾール硬
化剤で硬化した樹脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に
優れ、はんだが溶融する温度（ 200℃前後）でも劣化し
ないし、ニッケルめっきや金めっきのような強塩基性の
めっき液で分解することもない。しかしながら、このよ
うなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成
されるので剥離が生じやすい。本発明では、補強層の形
成によって、このようなソルダーレジスト層の剥離を防
止できるのである。

【００１９】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。

【００２０】上記イミダゾール硬化剤は、種々のものを
使用できるが、25℃で液状であることが望ましい。この
理由は、液状であれば均一に混合できるからである。こ
のような液状イミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル
−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、1-シアノエ
チル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品名：2E4MZ-
CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品名：2E4MZ
）を用いることができる。このイミダゾール硬化剤の
添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対
して１〜10重量％とすることが望ましい。この理由は、
添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしやすいからで
ある。

【００２１】上記ソルダーレジスト層を構成する硬化前
組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使
用することが望ましい。このような組成物を用いたソル
ダーレジスト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面
を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構
造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコ
ールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれ
か少なくとも１種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃
程度の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミ
ヒラーケトンを完全に溶解させることができるからであ
る。 CH₃Ｏ-(CH₂CH₂Ｏ) _n −CH₃ （ｎ＝１〜５） このグリコールエーテル系溶媒は、ソルダーレジスト組
成物の全重量に対して10〜40wt％がよい。

【００２２】なお、このソルダーレジスト組成物には、
各種消泡剤やレベリング剤、開始剤、光増感剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のための感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
ては、チバガイギー製のイルガキュアＩ-907（化学式
１）、光増感剤としては日本化薬製のDETX-S（化学式
２）がよい。さらに、ソルダーレジスト組成物には、色
素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できる
からである。この色素としてはフタロシアニングリーン
を用いることが望ましい。

【００２３】

【化１】

【００２４】

【化２】

【００２５】添加成分として挙げた上記熱硬化性樹脂と
しては、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることが
できる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型のエ
ポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者
が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場
合）には後者がよい。

【００２６】添加成分として挙げた上記感光性モノマー
としては、多価アクリル系モノマーを用いることができ
る。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させるこ
とができるからである。例えば、下記化学式に示すよう
な構造の多価アクリル系モノマーが望ましい。ここで、
下記化学式３は日本化薬製のDPE-6Aであり、下記化学式
４は共栄社化学製のＲ−604 である。

【００２７】

【化３】

【００２８】

【化４】

【００２９】また、ソルダーレジスト組成物は、その粘
度を25℃で 0.5〜10Pa・ｓ、より好ましくは１〜10Pa・
ｓとする。この理由は、ロールコータで塗布しやすい粘
度範囲だからである。

【００３０】本発明における導体回路は、その表面に粗
化層が形成されていることが好ましい。この粗化層は、
エッチング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理お
よびめっき処理のいずれかによりされることが望まし
い。また、粗化層は、その厚みが１〜５μｍであること
が望ましい。この理由は、厚すぎると粗化層自体が損
傷、剥離しやすく、薄すぎると密着性が低下するからで
ある。特に、銅−ニッケル−リンめっきによる合金層の
粗化層は、針状構造によるアンカー効果によって密着性
向上に寄与するので、好適である。この合金層の組成
は、銅、ニッケル、リンの割合で、それぞれ90〜96wt
％、１〜５wt％、 0.5〜２wt％であることが望ましい。
これらの組成割合のときに、針状の構造を有するからで
ある。なお、酸化処理では、亜塩素酸ナトリウムや水酸
化ナトリウム、リン酸ナトリウムからなる酸化剤の溶液
を用いることが望ましい。また、酸化還元処理では、上
記酸化処理の後、水酸化ナトリウムと水素化ホウ素ナト
リウムの溶液に浸漬して行う。

【００３１】本発明では、上記配線基板を構成する絶縁
層もしくは層間絶縁層として無電解めっき用接着剤を用
いることが望ましい。この無電解めっき用接着剤は、硬
化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒
子が、硬化処理によって酸あるいは酸化剤に難溶性とな
る未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適で
ある。この理由は、酸や酸化剤で処理することにより、
耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のア
ンカーからなる粗化面を形成できるからである。粗化面
の深さは、Ｒ_max ＝0.01〜20μｍがよい。この理由は、
密着性を確保するためである。特に、セミアディティブ
法では、 0.1〜５μｍがよい。この理由は、密着性を確
保しつつ、無電解めっき膜を除去できる範囲だからであ
る。

【００３２】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μｍ
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以
下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２〜10μ
ｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐
熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種
を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が 0.1〜0.8 μ
ｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が 0.8μｍを超え２μｍ
未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が 0.1〜
1.0 μｍの耐熱性樹脂粉末、から選ばれるいずれか少な
くとも１種を用いることが望ましい。これらは、より複
雑なアンカーを形成できるからである。

【００３３】次に、本発明のプリント配線板を製造する
一方法について説明する。 (1) まず、コア基板の表面に内層銅パターンを形成した
配線基板を作製する。このコア基板への銅パターンは、
銅張積層板をエッチングして行うか、あるいは、ガラス
エポキシ基板やポリイミド基板、セラミック基板、金属
基板などの基板に無電解めっき用接着剤層を形成し、こ
の接着剤層表面を粗化して粗化面とし、ここに無電解め
っきを施す方法、もしくはその粗化面全体に無電解めっ
きを施し、めっきレジストを形成し、めっきレジスト非
形成部分に電解めっきを施した後、めっきレジストを除
去し、エッチング処理して、電解めっき膜と無電解めっ
き膜からなる導体回路を形成する方法、により形成され
る。

【００３４】さらに、上記配線基板の導体回路の表面に
銅−ニッケル−リンからなる粗化層を形成することがで
きる。この粗化層は、無電解めっきにより形成される。
この無電解めっきの液組成は、銅イオン濃度、ニッケル
イオン濃度、次亜リン酸イオン濃度は、それぞれ 2.2×
10^-2〜4.1 ×10^-2 mol／ｌ、 2.2×10^-3〜 4.1×10^-3 m
ol／ｌ、0.20〜0.25mol／ｌであることが望ましい。こ
の範囲で析出する被膜の結晶構造は針状構造になるた
め、アンカー効果に優れるからである。この無電解めっ
き浴には上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を加えても
よい。粗化層の形成方法としては、この他に前述した酸
化−還元処理、銅表面を粒界に沿ってエッチングして粗
化面を形成する方法などがある。

【００３５】なお、コア基板には、スルーホールが形成
され、このスルーホールを介して表面と裏面の配線層を
電気的に接続することができる。また、スルーホールお
よびコア基板の導体回路間には樹脂が充填されて、平滑
性を確保してもよい。さらに、コア基板には、その内層
に導体回路を有していてもよく、その内層導体回路は、
コア基板を貫通するスルーホールによりコア基板表面の
導体回路と接続される。さらに、スルーホールに、金属
粒子、無機粒子、樹脂粒子を含む樹脂組成物が充填され
て、その充填樹脂を被覆する導体層が形成されていても
よい。この導体層にバイアホールを接続させることがで
きる。

【００３６】(2) 次に、前記(1) で作製した配線基板の
上に、層間樹脂絶縁層を形成する。本発明では、層間樹
脂絶縁材として前述した無電解めっき用接着剤を用いる
ことが望ましい。

【００３７】(3) 前記(2) で形成した無電解めっき用接
着剤層を乾燥した後、必要に応じてバイアホール形成用
開口を設ける。このとき、感光性樹脂の場合は、露光，
現像してから熱硬化することにより、また、熱硬化性樹
脂の場合は、熱硬化したのちレーザー加工することによ
り、前記接着剤層にバイアホール形成用の開口部を設け
る。

【００３８】(4) 次に、硬化した前記接着剤層の表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によって
溶解または分解して除去し、接着剤層表面を粗化処理す
る。ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あ
るいは蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸を
用いることが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホ
ールから露出する金属導体層を腐食させにくいからであ
る。一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マンガン
酸塩（過マンガン酸カリウムなど）を用いることが望ま
しい。

【００３９】(5) 次に、接着剤層表面を粗化した配線基
板に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオ
ンや貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一般
的には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用す
る。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うこと
が望ましい。このような触媒核としてはパラジウムがよ
い。

【００４０】(6) 次に、無電解めっき用接着剤層表面に
無電解めっきを施し、粗化面全面に、その粗面に沿って
凹凸を有する薄膜の無電解めっき膜を形成する。このと
き、無電解めっき膜の厚みは、 0.1〜５μｍ、より望ま
しくは 0.5〜３μｍとする。つぎに、無電解めっき膜上
にめっきレジストを形成する。めっきレジスト組成物と
しては、特にクレゾールノボラック型エポキシ樹脂やフ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとイ
ミダゾール硬化剤からなる組成物を用いることが望まし
いが、他に市販品のドライフィルムを使用することもで
きる。

【００４１】(7) 次に、基板を10〜35℃、望ましくは15
〜30℃の水で水洗する。この理由は、水洗温度が35℃を
超えると水が揮発してしまい、無電解めっき膜の表面が
乾燥して、酸化してしまい、電解めっき膜が析出しな
い。そのため、エッチング処理により、無電解めっき膜
が溶解してしまい、導体が存在しない部分が生じてしま
う。一方、10℃未満では水に対する汚染物質の溶解度が
低下し、洗浄力が低下してしまうからである。特に、バ
イアホールのランドの径が 200μｍ以下になると、めっ
きレジストが水をはじくため、水が揮発しやすく、電解
めっきの未析出という問題が発生しやすい。なお、洗浄
水の中には、各種の界面活性剤、酸、アルカリを添加し
ておいてもよい。また、洗浄後に硫酸などの酸で洗浄し
てもよい。

【００４２】(8) 次に、めっきレジスト非形成部に電解
めっきを施し、導体回路、ならびにバイアホールを形成
する。ここで、上記電解めっきとしては、銅めっきを用
いることが望ましい。

【００４３】(9) さらに、めっきレジストを除去した
後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過
硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレジスト
下の無電解めっき膜を溶解除去して、独立した導体回路
とする。

【００４４】(10)次に、導体回路の表面に粗化層を形成
する。粗化層の形成方法としては、エッチング処理、研
磨処理、酸化還元処理、めっき処理がある。これらの処
理のうち酸化還元処理は、NaOH（20ｇ／ｌ）、NaClO
₂（50ｇ／ｌ）、Na₃PO₄（15.0ｇ／ｌ）を酸化浴（黒化
浴）、NaOH（ 2.7ｇ／ｌ）、NaBH₄(1.0ｇ／ｌ）を還元
浴とする。また、銅−ニッケル−リン合金層からなる粗
化層は、無電解めっき処理による析出により形成する。
この合金の無電解めっき液としては、硫酸銅１〜40ｇ／
ｌ、硫酸ニッケル 0.1〜 6.0ｇ／ｌ、クエン酸10〜20ｇ
／ｌ、次亜リン酸塩10〜100 ｇ／ｌ、ホウ酸10〜40ｇ／
ｌ、界面活性剤0.01〜10ｇ／ｌからなる液組成のめっき
浴を用いることが望ましい。

【００４５】(11)次に、この基板上に層間樹脂絶縁層と
して、無電解めっき用接着剤層を形成する。 (12)さらに、 (3)〜(8) の工程を繰り返してさらに上層
の導体回路を設け、はんだパッドとして機能する平板状
導体パッドとバイアホールを形成し、多層配線基板を得
る。 (13)ついで、導体パッドとバイアホール表面に粗化層を
設ける。この粗化層の形成方法は、前記(10)で説明した
ものと同様である。

【００４６】(14)次に、こうして得られた配線基板の両
面に、ソルダーレジスト組成物を塗布する。ソルダーレ
ジスト層を塗布する際に、前記配線基板は、垂直に立て
た状態でロールコータの一対の塗布用ロールのロール間
に挟み、下側から上側へ搬送させて基板の両面にソルダ
ーレジスト組成物を同時に塗布することが望ましい。こ
の理由は、現在のプリント配線板の基本仕様は両面であ
り、カーテンコート法（樹脂を滝のように上から下へ流
し、この樹脂の”カーテン”に基板をくぐらせて塗布す
る方法）では、片面しか塗布できないからである。前述
したソルダーレジスト組成物は、両面同時に塗布する上
記方法のために使用できる。即ち、前述したソルダーレ
ジスト組成物は、粘度が25℃で１〜10Pa・ｓであるた
め、基板を垂直に立てて塗布しても流れず、また転写も
良好である。

【００４７】(15)次に、ソルダーレジスト組成物の塗膜
を60〜80℃で５〜60分間乾燥し、この塗膜に、開口部を
描画したフォトマスクフィルムを載置して露光、現像処
理することにより、導体回路のうちパッド部分を露出さ
せた開口部を形成する。このようにして開口部を形成し
た塗膜を、さらに80℃〜150 ℃で１〜10時間の熱処理に
より硬化させる。これにより、開口部を有するソルダー
レジスト層は導体回路の表面に設けた粗化層と密着す
る。

【００４８】ここで、前記開口部の開口径は、パッドの
径よりも大きくすることができ、パッドを完全に露出さ
せてもよい。この場合、フォトマスクがずれてもパッド
がソルダーレジストで被覆されることはなく、またソル
ダーレジストがはんだ体に接触せず、はんだ体にくびれ
が生じないため、クラックが発生しにくくなる。逆に、
前記開口部の開口径は、パッドの径よりも小さくするこ
とができ、この場合、パッド表面の粗化層とソルダーレ
ジストが密着する。また、いわゆるセミアディティブ法
を採用する場合は、無電解めっき用接着剤の粗化層の深
さが浅くなり（１〜３μｍ）、まためっきレジストがな
いのでパッドが剥離やすいが、ソルダーレジストの開口
部の開口径を、パッドの径よりも小さくして、パッドの
一部をソルダーレジスト層で被覆することにより、パッ
ド剥離を抑制することができる。

【００４９】(16)さらに、ソルダーレジスト層に設けた
開口群の周囲に補強層を形成する。この補強層の形成
は、例えば、エポキシ樹脂のアクリレート、ポリエーテ
ルスルフォン（ＰＥＳ）、エポキシ樹脂粒子およびイミ
ダゾール硬化剤からなる樹脂組成物を印刷し、紫外線に
よる露光処理と、さらに80℃〜150 ℃で１〜10時間の熱
処理により硬化させて行い、その厚さは５〜50μｍとす
る。

【００５０】(17)次に、前記開口部から露出した前記は
んだパッド部上に「ニッケル−金」の金属層を形成す
る。

【００５１】(18)前記開口部から露出した前記はんだパ
ッド部上にはんだ体を供給する。はんだ体の供給方法と
しては、はんだ転写法や印刷法を用いることができる。
ここで、はんだ転写法は、プリプレグにはんだ箔を貼合
し、このはんだ箔を開口部分に相当する箇所のみを残し
てエッチングすることによりはんだパターンを形成して
はんだキャリアフィルムとし、このはんだキャリアフィ
ルムを、基板のソルダーレジスト開口部分にフラックス
を塗布した後、はんだパターンがパッドに接触するよう
に積層し、これを加熱して転写する方法である。一方、
印刷法は、パッドに相当する箇所に貫通孔を設けたメタ
ルマスクを基板に載置し、はんだペーストを印刷して加
熱処理する方法である。

【００５２】

【実施例】（実施例１） Ａ．無電解めっき用接着剤組成物の調製 ．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度で
ＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消
泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65） 0.5重量部、ＮＭＰを
3.6重量部を攪拌混合した。 ．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポ
キシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒
径1.0 μｍのものを7.2 重量部、平均粒径 0.5μｍのも
のを3.09重量部を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を
添加し、ビーズミルで攪拌混合した。 ．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重
量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−
907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S） 0.2
重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合した。これらを混
合して無電解めっき用接着剤組成物を調製した。

【００５３】Ｂ．下層の層間樹脂絶縁剤の調製 ．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度で
ＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡
剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰを 3.6
重量部を攪拌混合した。 ．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポ
キシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒
径 0.5μｍのものを14.49 重量部、を混合した後、さら
にＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し
た。 ．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重
量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−
907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2
重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合した。これらを混
合して、２層構造の層間樹脂絶縁層を構成する下層側の
絶縁剤層として用いられる樹脂組成物を調製した。

【００５４】Ｃ．樹脂充填剤の調製 ．ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
製、分子量310,YL983U）100重量部、表面にシランカッ
プリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSi
Ｏ₂ 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここ
で、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み
（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サ
ンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を３本ロール
にて混練して、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜
49,000cps に調整した。 ．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5
重量部。これらを混合して樹脂充填剤を調製した。

【００５５】Ｄ．プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマ
レイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に18μ
ｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材
料とした（図１参照）。まず、この銅張積層板をドリル
削孔し、めっきレジストを形成した後、無電解めっき処
理してスルーホール９を形成し、さらに、銅箔８を常法
に従いパターン状にエッチングすることにより、基板１
の両面に内層銅パターン４を形成した。

【００５６】(2) 内層銅パターン４およびスルーホール
９を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒
化浴）として、NaOH（20ｇ／ｌ）、NaClO₂（50ｇ／
ｌ）、Na₃PO₄（15.0ｇ／ｌ）、還元浴として、NaOH（
2.7ｇ／ｌ）、NaBH₄ （ 1.0ｇ／ｌ）を用いた酸化−還
元処理により、内層導パターン４およびスルーホール９
の表面に粗化層11を設けた（図２参照）。

【００５７】(3) 樹脂充填剤10を、基板の片面にロール
コータを用いて塗布することにより、導体回路４間ある
いはスルーホール９内に充填し、70℃, 20分間で乾燥さ
せ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤10を導体
回路４間あるいはスルーホール９内に充填し、70℃, 20
分間で加熱乾燥させた（図３参照）。

【００５８】(4) 前記(3) の処理を終えた基板の片面
を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベ
ルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面やス
ルーホール９のランド表面に樹脂充填剤10が残らないよ
うに研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷
を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の
研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次い
で、 100℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時
間、 180℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填剤10を
硬化した（図４参照）。

【００５９】このようにして、スルーホール９等に充填
された樹脂充填剤10の表層部および内層導体回路４上面
の粗化層11を除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填剤
10と内層導体回路４の側面とが粗化層11を介して強固に
密着し、またスルーホール９の内壁面と樹脂充填剤10と
が粗化層11を介して強固に密着した配線基板を得た。即
ち、この工程により、樹脂充填剤10の表面と内層銅パタ
ーン４の表面が同一平面となる。ここで、充填した硬化
樹脂のＴｇ点は155.6 ℃、線熱膨張係数は44.5×10^-6／
℃であった。

【００６０】(5) 前記(4) の処理で露出した内層導体回
路４およびスルーホール９のランド上面に、厚さ 2.5μ
ｍのCu−Ni−Ｐ合金からなる粗化層（凹凸層）11を形成
し、さらに、その粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層
を設けた（図５参照、但し、Sn層については図示しな
い）。その形成方法は以下のようである。即ち、基板を
酸性脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジ
ウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付
与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸
ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナ
トリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ
／ｌ、ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを施
し、銅導体回路４上面およびスルーホール９のランド上
面にCu−Ni−Ｐ合金の粗化層11を形成した。次いで、ホ
ウフッ化スズ0.1mol／ｌ、チオ尿素1.0mol／ｌ、温度50
℃、ｐＨ＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層11
の表面に厚さ0.3 μｍののSn層を設けた（Sn層について
は図示しない）。

【００６１】(6) 基板の両面に、Ｂの層間樹脂絶縁剤
（粘度 1.5Pa・ｓ）をロールコータで塗布し、水平状態
で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥を行い、絶縁
剤層2aを形成した。さらにこの絶縁剤層2aの上にＡの無
電解めっき用接着剤（粘度７Pa・ｓ）をロールコータを
用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で
30分の乾燥を行い、接着剤層2bを形成し、厚さ35μｍの
層間樹脂絶縁層２を形成した（図６参照）。

【００６２】(7) 前記(6) で層間樹脂絶縁層２を形成し
た基板の両面に、85μｍφの黒円が印刷されたフォトマ
スクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／
cm² で露光した。これをＤＭＤＧ溶液でスプレー現像す
ることにより、その層間樹脂絶縁層２に85μｍφのバイ
アホールとなる開口を形成した。さらに、当該基板を超
高圧水銀灯により3000mJ／cm² で露光し、100 ℃で１時
間、その後 150℃で５時間の加熱処理をすることによ
り、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた
開口（バイアホール形成用開口６）を有する厚さ35μｍ
の層間樹脂絶縁層２を形成した（図７参照）。なお、バ
イアホールとなる開口には、スズめっき層を部分的に露
出させた。

【００６３】(8) バイアホール形成用開口を形成した基
板を、 800ｇ／ｌのクロム酸に70℃で19分間浸漬し、層
間樹脂絶縁層２の接着剤層2bの表面に存在するエポキシ
樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶縁
層２の表面を粗面（深さ３μｍ）とし、その後、中和溶
液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした（図８参
照）。さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジ
ウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間
樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用開口６の内壁
面に触媒核を付けた。

【００６４】(9) 以下の組成の無電解銅めっき水溶液中
に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6μｍの無電解銅
めっき膜12を形成した（図９参照）。このとき、めっき
膜が薄いために無電解めっき膜表面には凹凸が観察され
た。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ 硫酸銅 20 ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分

【００６５】(10)前記(9) で形成した無電解めっき膜12
上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを
載置して、100 mJ／cm² で露光、0.8 ％炭酸ナトリウム
で現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト３を設けた
（図10参照）。

【００６６】(11)ついで、基板を50℃の水で洗浄して脱
脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、
以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅
めっき膜13を形成した（図11参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸銅 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アドテックジャパン製、カパラシドＧＬ） １ｍｌ／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／ｄｍ² 時間 30分 温度 室温

【００６７】(12)めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離
除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜
12を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶
解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅めっき膜13から
なる厚さ18μｍの導体回路（バイアホール７を含む）５
を形成した。さらに、70℃で800g／l のクロム酸に３分
間浸漬して、導体回路非形成部分に位置する導体回路間
の無電解めっき用接着剤層の表面を１μｍエッチング処
理し、その表面に残存するパラジウム触媒を除去した。

【００６８】(13)導体回路５を形成した基板を、硫酸銅
８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、
界面活性剤 0.1ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき
液に浸漬し、該導体回路５の表面に厚さ３μｍの銅−ニ
ッケル−リンからなる粗化層11を形成した（図12参
照）。このとき、形成した粗化層11をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ
線分析装置）で分析したところ、Cu：98 mol％、Ni：
1.5 mol％、Ｐ： 0.5 mol％の組成比であった。さら
に、ホウフッ化スズ 0.1 mol／ｌ、チオ尿素 1.0 mol／
ｌ、温度50℃、ｐＨ＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応を行
い、前記粗化層11の表面に厚さ0.3 μｍののSn層を設け
た（Sn層については図示しない）。

【００６９】(14)前記 (6)〜(13)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を
得た。但し、Sn置換は行わなかった（図13〜19参照）。

【００７０】(15)一方、DMDGに溶解させた60wt％のクレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポ
キシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー
（分子量4000）を 46.67重量部、メチルエチルケトンに
溶解させた80wt％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェル製、エピコート1001）14.121重量部、イミ
ダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 重量部、
感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬
製、Ｒ604 ）1.5 重量部、同じく多価アクリルモノマー
（共栄社化学製、DPE6A ） 3.0重量部、アクリル酸エス
テル重合物からなるレベリング剤（共栄社製、ポリフロ
ーNo.75 ）0.36重量部を混合し、さらにこれらの混合物
に対して光開始剤としてのイルガキュアＩ-907（チバガ
イギー製）2.0重量部、光増感剤としてのDETX-S（日本
化薬製）0.2 重量部を加えて、DMDG（ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル）1.0 重量部を加え、粘度を25℃
で 1.4±0.3 Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 D
VL-B型）で 60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合
はローターNo.3によった。

【００７１】(16)前記(14)で得られた多層配線基板の両
面に、上記ソルダーレジスト組成物を20μｍの厚さで塗
布した。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処
理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画さ
れた厚さ５mmのフォトマスクフィルムを密着させて載置
し、1000mJ／cm² の紫外線で露光し、ＤＭＤＧ現像処理
した。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、
120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、
はんだパッド部分が開口した（開口径 200μｍ）ソルダ
ーレジスト層（厚み20μｍ）14を形成した（図20参
照）。

【００７２】(17)下記〜の組成物を混合して補強層
用の樹脂組成物を調製した。 ．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度で
ＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡
剤（サンノプコ製、Ｓ−65） 0.5重量部、ＮＭＰを 3.6
重量部を攪拌混合した。 ．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポ
キシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒
径 0.5μｍのものを14.49 重量部、を混合した後、さら
にＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し
た。 ．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重
量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−
907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S） 0.2
重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合した。

【００７３】(18)前記(17)で調製した補強層用の樹脂組
成物を、ソルダーレジスト層14に設けた開口群の周囲に
塗布し、1000mJ／cm² で露光し、さらに80℃で１時間、
100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条
件で加熱処理し、厚さ40μｍの補強層18を形成した（図
21参照）。

【００７４】(19)次に、ソルダーレジスト層14を形成し
た基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなるｐＨ
＝５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口
部に厚さ５μｍのニッケルめっき層15を形成した。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化ア
ンモニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム50ｇ／ｌ、次
亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなる無電解金めっき液
に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層15上
に厚さ0.03μｍの金めっき層16を形成した。

【００７５】(20)そして、ソルダーレジスト層14の開口
部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローする
ことによりはんだバンプ（はんだ体）17を形成し、はん
だバンプ17を有するプリント配線板を製造した（図22参
照）。

【００７６】（比較例１）本比較例は、補強層を形成し
なかったこと以外は、実施例１と同様にしてプリント配
線板を製造した。

【００７７】このようにして製造した実施例１および比
較例１のプリント配線板について、ＩＣチップを実装
し、湿度 100％、温度 121℃、２気圧の条件で 200時間
放置するＰＣＴ（pressure cooker test）試験を実施
し、また一方で、−55℃で15分、常温で10分、 125℃で
15分のヒートサイクル試験を1000回実施し、ソルダーレ
ジスト層のクラック発生を観察した。その結果、実施例
１ではクラックの発生は認めれなかったが、比較例１で
は、ゴミを起点としたクラックが発生した。

【００７８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ヒ
ートサイクル時や高温、高圧、多湿条件下でもソルダー
レジストのクラックを防止できるプリント配線板を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図２】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図３】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図４】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図５】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図６】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図７】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図８】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図９】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図10】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図11】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図12】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図13】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図14】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図15】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図16】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図17】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図18】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図19】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図20】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図21】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図22】発明にかかるプリント配線板の各製造工程を示
す図である。

【図23】補強層が形成された状態を示す平面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 層間樹脂絶縁層 ３ めっきレジスト ４，５ 導体回路 ６ バイアホール用開口 ７ バイアホール ８ 銅箔 ９ スルーホール 10 樹脂充填剤 11 粗化層 12 無電解めっき膜 13 電解めっき膜 14 ソルダーレジスト層 15 ニッケルめっき層 16 金めっき層 17 はんだバンプ 18 補強層

フロントページの続き (72)発明者 野田 宏太 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビ デン株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−21941（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−107172（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−23259（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/28

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁層上に導体回路が形成され、その導
   体回路を被覆して電子部品搭載のための開口を設けたソ
   ルダーレジスト層が形成され、その開口内には電子部品
   との接続のためのはんだバンプが形成されてなるプリン
   ト配線板において、 前記ソルダーレジスト層上には、熱硬化性樹脂と熱可塑
   性樹脂の樹脂複合体または感光性樹脂と熱可塑性樹脂の
   樹脂複合体からなる補強層が、前記はんだバンプが形成
   されている開口が設けられた領域を囲んだ位置に形成さ
   れていることを特徴とするプリント配線板。
2. 【請求項２】 前記補強層は、耐熱性粒子を含有してい
   ることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
3. 【請求項３】 前記補強層は、エポキシ樹脂とポリエー
   テルスルフォンの樹脂複合体、もしくはエポキシ樹脂の
   アクリレートとポリエーテルスルフォンの樹脂複合体か
   らなることを特徴とする請求項１または２に記載のプリ
   ント配線板。
4. 【請求項４】 前記ソルダーレジスト層は、ノボラック
   型エポキシ樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤に
   よって硬化させてなることを特徴とする請求項１〜３の
   いずれか１に記載のプリント配線板。