JP4215879B2 - プリント配線板、被処理体及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
導体回路上の粗化層を均一に形成させ、絶縁層との膨れ、剥離を起こさない、かつ、導体回路の断線などを起こさない信頼性、接続性に優れたプリント配線板とその製造方法を提案する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ビルドアップ多層配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号に開示されている方法によって製造されている。
【０００３】
すなわち、ビルドアップ多層配線板の導体回路の表面に無電解めっきにより、粗化層を形成させて、ロールコーターや印刷にて層間絶縁樹脂を塗布した後、この樹脂を露光、現像して、層間導通のためのバイアホール開口部を形成させて、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。さらに、その層間絶縁層に酸化剤などにより粗化処理を施し、粗化面にパラジウムなどの触媒を付け、薄い無電解めっき膜を形成し、そのめっき膜上にドライフィルムにてパターンを形成し、電解めっきで厚付けしたのち、アルカリでドライフィルムを剥離除去し、エッチングして導体回路を作り出させる。これらを繰り返すことにより、ビルドアップ多層配線板が得られる。
【０００４】
また、このビルドアップ多層配線板の製造方法において、導体回路の表面に粗化面を形成させるには、無電解めっきで粗化層を形成させる以外に、導体回路をソフトエッチングしてその表面に粗化面を形成させる方法が、提案されている。
【０００５】
更に、その粗化面上に、スズ層を形成させることにより、導体回路と層間絶縁樹脂との密着を確保するという方法がある。このような粗化層は、ソルダーレジスト層形成にも使用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、本発明者が検討したところ、絶縁層を形成した後や、絶縁層上にめっき膜を形成した後に、絶縁層やめっき膜が膨れたり、剥がたりすることを見出した。特に、層間絶縁樹脂層が膨れたり、剥がれたりすると、層間絶縁層上に形成された導体回路に断線などが引き起こされる。
【０００７】
本発明は、このような問題を解決し、絶縁層やめっき膜の膨れ、剥がれを防止し、接続性及び信頼性に優れたプリント配線基板とその製造方法を提案する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板と前記基板上の導体回路とを備える、プリント配線板において、導体回路が金属下地層から形成されており、前記金属下地層が金属層を備えており、前記金属下地層上に粗化面が設けられており、前記金属下地層上に絶縁樹脂層が設けられており、前記粗化面の形成に先立ち、前記金属層が50 〜 250 ℃の間の少なくとも 1 種の温度で、かつ、前記温度を少なくとも 10 分保持することによって加熱処理されており、前記金属層の加熱処理後であって、前記粗化面の形成前に、前記金属層の表面が、0.15〜1.00( グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製 GAMMODEL 144 DENSITOMETER による数値 )の光沢度を有しており、前記粗化面の凹凸の段差は 1 〜 10 μ m の最大高さ (Ry) で表されていることを特徴とする、プリント配線板、かかるプリント配線板を得るための被処理体及びかかるプリント配線板の製造方法に係るものである。
【０００９】
本発明者は、随意研究した結果、次のような事実を知見した。
絶縁層やめっき膜が膨れたり、剥がれたりする部分では、導体回路表面の凹凸の段差が、最大高さＲｙで、１μｍ未満であった。しかしながら、膨れや剥がれが発生していない部分では、導体回路表面の凹凸の最大高さＲｙは、１〜１０μｍであった。
【００１０】
このような知見の下、本発明者は、絶縁層やめっき膜を加熱処理する際、凹凸の最大高さＲｙが１μｍ未満の部分は、絶縁層が熱によって収縮すると、絶縁層がこの収縮応力に耐えられなり、絶縁層自体やその上のめっき膜に膨れや剥がれが引き起こされることを突き止めた。
【００１１】
本発明は、導体回路として働き、均一な凹凸の粗化面を有する、金属下地層を基板上に形成し、この金属下地層を絶縁樹脂層の下地として働らかせることにより、絶縁樹脂層やその上のめっき層の膨れや、剥がれを防止できるという知見に基づくものである。
【００１２】
本発明者は、更に詳細に検討したところ、基板上に無電解めっき等による金属層を形成し、この金属層を加熱処理し、その後、この金属層をエッチング処理するか、金属層上に粗化層を設けることにより、金属下地層を形成することで、金属下地層の表面に均一な凹凸の粗化面が形成されることを知見した。
【００１３】
このような熱処理は、金属層の表面および金属層内の水分、吸蔵水素を排出するとともに、金属層の酸化度を一様にし、その後に形成される金属下地層の粗化面の凹凸が不均一になるのを防止することができる。このため、このような金属下地層上に設けられた絶縁樹脂層には、膨れや剥がれが発生しなくなる。また、このようにして設けられた絶縁樹脂層上に形成される導体回路には、断線などが発生せず、導通不良が起こらない。
【００１４】
また、本発明者の研究によれば、前述の熱処理を行った金属層表面の光沢度は、０．１５〜１．００の範囲であることが分かった。つまり、いいかえると、本発明者は、金属層の光沢度を０．１５〜１．００の範囲内にすることで、金属下地層の表層に形成される粗化面の凹凸を均一にし得ることを解明した。
【００１５】
金属下地層表層の粗化面は、金属層をエッチングするか、あるいは、金属層上に無電解めっきを析出させることにより形成することができる。図１は、エッチングにより形成された金属下地層の縦断面図である。図２は、無電解めっきの析出により形成された金属下地層の縦断面図である。
【００１６】
図１に示す金属下地層１０１の粗化面１０２は、基板１０３上に設けられた金属層１０４の表面をエッチングすることによって形成される。一方、図２に示す金属下地層１０５の粗化面１０６は、基板１０３上に設けられた金属層１０７の表面に、無電解めっき等からなる粗化層１０８を析出させることによって形成される。
【００１７】
前述した金属層の光沢度が０．１５未満のとき、ソフトエッチング等で金属層に粗化面を形成しようとしても、金属層が過剰にエッチングされ、金属層表面に均一な凹凸が創出できず、このため、前述した問題が発生する。また、０．１５未満の光沢度の金属層には、内部に水分や吸臓水素が残留しており、この金属層上に無電解めっきで粗化層を形成したとしても、金属層内の金属結晶が大きいため、金属層自身が脆く、粗化層の凹凸が剥がれる。
【００１８】
金属層の光沢度が１．００を越えたときは、導体回路の酸化度合いが進行しすぎているため、ソフトエッチング等で粗化面を形成しようとしても、エッチングされない部分があり、均一な凹凸が形成されない。また、無電解めっきで粗化層を形成しようとしても、触媒が付かないために、未反応になったり、反応が停止したりして、凹凸が不均一になり、前述の問題が起きる。
【００１９】
本発明によれば、加熱処理されており、しかも、０．１５〜１．００の光沢度を有している金属層から、導体回路として機能する金属下地層が形成される。このような金属層から形成される金属下地層は、その表層に均一な凹凸の粗化面を有することになるので、絶縁樹脂層の下地として良好に働き、絶縁樹脂層が加熱によって収縮しても、絶縁樹脂層の膨れや剥離の発生を著しく抑制することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる金属層は、種々の金属、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、銅、ニッケル、金、銀、アルミニウム及びスズからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を用い、無電解めっき、電解めっき、等により形成することができる。このような金属層は、２層以上で設けることもできる。
【００２１】
本発明にかかる金属下地層は、このような金属層を用いて、種々の方法によって形成することができる。かかる金属下地層は、その表面に均一な凹凸の粗化面を有する。かかる金属下地層は、その上に形成された絶縁樹脂層が熱処理によって収縮しても、その収縮応力を抑制することができるような均一な凹凸面を有しており、絶縁樹脂層やその上のめっき層の膨れや剥がれを防止し、絶縁樹脂層上の導体回路の断線などを著しく抑制する。
【００２２】
かかる金属下地層は、金属層の表面自体を処理することによって、その表面に均一な凹凸を有する粗化面を形成したり、金属層上に粗化層を設けて、この粗化層の表面に均一な凹凸を有する粗化面を形成することによって得られる。
【００２３】
例えば、金属層にソフトエッチング等の種々のエッチング処理を施すことによって、金属層の表面に粗化面を形成した金属下地層を得ることができる。かかるエッチング処理としては、第二銅錯体と有機酸とによる処理、酸化処理、酸化還元処理などを挙げることができる。
【００２４】
特に、エッチング処理としては、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液による処理が好ましい。かかるエッチング液を用いれば、多孔質状の粗化面や、窪みと稜線などが絡み合った粗化面が形成される。この粗化面は、複数の錨状部と窪み部と稜線とを有し、錨状部と窪み部と稜線とが分散形成されており、隣り合う錨状部が稜線によって繋がっているとともに、窪み部が錨状部と稜線によって囲まれている。このような粗化面は、アンカー効果の高く、その後に形成される絶縁樹脂層やバイアホールを介した上層の導体回路との密着性に優れる。
【００２５】
金属下地層の粗化面に現れる凹凸の段差は、最大高さＲｙで、１〜１０μｍで形成されるのがよい。特に、２〜７μｍで形成するのがよい。その理由としては、絶縁樹脂層と金属下地層との密着性が良いからである。
【００２６】
また、例えば、金属層上に無電解めっき等のめっき処理を施し、粗化層を形成させることで、金属下地層上に粗化面を形成することができる。かかる粗化層としては、銅−ニッケル−リンからなる合金粗化層が挙げられ、このような粗化層は、無電解めっき法によって形成することができる。かかる粗化層の形状には、針状、多孔質状、針状と多孔質状の混在したものなどがある。かかる粗化層の凹凸面の段差も、最大高さＲｙが、１〜１０μｍ、特に、２〜７μｍで形成するのがよい。絶縁樹脂層と金属下地層との密着性が良いからである。
【００２７】
本発明では、かかる金属下地層は、金属層の加熱処理後に形成することができる。加熱処理によって、金属層内に残留した不純物が排除されていれば、金属層の表面をエッチングしたり、金属層上にめっき等からなる粗化層を形成することで、均一な凹凸の粗化面を有する金属下地層が形成されるからである。
【００２８】
また、本発明では、金属下地層を形成するための金属層は、その表面の光沢度が０．１５〜１．００になるように調整される。金属層の酸化度を均一にすることにより、その後に形成される金属下地層の粗化面の凹凸を安定化せさることができるからである。
【００２９】
金属層の光沢度を０．１５〜１．００の範囲にするためには、熱処理方法を用いることができる。熱処理によって、金属層内に残留した水分や吸臓水素などが排出でき、かつ、光沢度を一様にすることができるからである。
【００３０】
かかる熱処理では、金属層の温度を、常温（２０〜３０℃）から上昇させて、所定の熱処理温度で保持させるのが好ましい。また、かかる熱処理温度は、５０〜２５０℃で行うのが好ましい。更に、熱処理温度は、１０分以上一定に保持させるほうがよい。特に、熱処理温度は、８０〜２００℃で、３０分〜２時間で保持するのが望ましい。その理由としては、光沢度が一様になりやすいのと、熱処理によって金属層内の余分な物質などを確実に排除できるからである。
【００３１】
熱処理条件は、金属下地層の形成方法、凹凸の段差の最大高さＲｙ、生産条件やコストなど、さまざまな要因により異なるが、５０〜２５０℃の熱処理温度と１０分以上の温度ホールド時間は、基本的に変わらない。熱処理条件によっては、金属層は、所定温度で一定時間保持した後、更に高い温度で、再度、所定時間保持させてもよい。熱処理条件の具体例を一つ挙げると、８０℃／３０分＋１００℃／３０分＋１５０℃／６０分がある。
【００３２】
本発明では、光沢度の測定には、グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製 GAMMODEL 144 DENSITOMETERを用いることができる。かかる機器を用いる場合、最初に光沢度の原点測定を行う。備え付けの原点測定用の白いサンプルと黒いサンプルとを交互に測定して、所定の光沢度の数値に補正して、原点調整を行う。調整後、熱処理を終えた金属層の光沢度を測定する。
【００３３】
このようにして、基板上で、所定の光沢度を有するように熱処理された金属層は、プリント配線板を得るための被処理体として機能する。かかる被処理体は、前述したように、金属層の表面に直接粗化面が形成されるか、又は金属層上に粗化層が形成されて、金属下地層となり、この金属下地層上に絶縁樹脂層が設けられ、本発明のプリント配線板が得られる。
【００３４】
本発明のプリント配線板の製造方法について説明する。以下の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよい。
【００３５】
まず、基板の表面に導体回路を形成した配線基板を作成する。基板としては、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等の樹脂絶縁基板、銅張り積層板、セラミック基板、金属基板等が用いられる。
【００３６】
これらの基板に絶縁層を形成し、この絶縁層表面を粗化して粗化面とし、この粗化面全体に薄付けの無電解めっきを施し、めっきレジストを形成し、めっきレジスト非形成部分に厚付けの電解めっきを施した後、めっきレジストを除去し、エッチング処理して、電解めっき膜と無電解めっき膜とからなる下層導体回路を形成する。導体回路は、いずれも銅パタ−ンがよい。
【００３７】
このようにして得られた基板には、下層導体回路あるいはスルーホールにより、凹部が形成される。その凹部を埋めるために、樹脂充填剤等を印刷などで塗布し、乾燥した後、不要な樹脂充填剤を研磨により研削して、下層導体回路を露出させたのち、樹脂充填剤を本硬化させる。
【００３８】
次いで、下層導体回路に粗化面を設ける。形成される粗化面は、エッチング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理により形成された粗化面又はめっき被膜により形成された粗化面が望ましい。凹凸面の段差の最大高さＲｙは、１〜１０μｍで形成されるのがよい。
【００３９】
なお、本発明では、かかる下層導体回路を均一な凹凸面を有する金属下地層から形成することができる。この場合、まず、前述したような電解めっき膜と無電解めっき膜とからなる金属層を形成し、その後、この金属層を熱処理する。熱処理温度は、５０〜２５０℃で、１０分以上ホールドさせるのがよい。次いで、熱処理した金属層の表面を粗化するか、金属層上に粗化層を設けることによって、表面に均一な凹凸面を有する金属下地層を形成する。この金属下地層は、導体回路として機能するとともに、絶縁樹脂層の下地として働く。
【００４０】
次に、導体回路の粗化面上に絶縁樹脂層を設ける。かかる絶縁樹脂層は、無電解めっき用接着剤を用いて形成することができる。かかる無電解めっき用接着剤は、熱硬化性樹脂を基剤とし、特に硬化処理された耐熱性樹脂粒子、酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維質フィラー等を、必要により含ませることができる。かかる絶縁樹脂層が下層導体回路と上層導体回路との間に設けられる場合、層間樹脂絶縁層となる。
【００４１】
熱硬化性樹脂基剤としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。なお、熱硬化基の一部を感光化する場合は、熱硬化基の一部をメタクリル酸やアクリル酸等と反応させてアクリル化させたものが好ましい。中でも、エポキシ樹脂のアクリレートが最適である。かかるエポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等を用いることができる。
【００４２】
また、かかる熱硬化性樹脂基剤には、ポリエーテルスルフォンやポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等の熱可塑性樹脂を添加することができる。
【００４３】
耐熱性樹脂粒子としては、 (1)平均粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、 (2)平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、 (3)平均粒径が２〜１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、 (4)平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末及び無機粉末の少なくとも１種を付着させた疑似粒子、 (5)平均粒径が0.8 を越え2.0 μｍ未満の耐熱性樹脂粉末と平均粒径が0.1 〜0.8 μｍの耐熱性樹脂粉末との混合物、及び (6)平均粒径が0.1 〜1.0 μｍの耐熱性樹脂粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種の粒子を用いるのが望ましい。これらの粒子は、より複雑なアンカ−を形成するからである。また、これらの粒子により得られる粗化面は、0.1 〜20μｍの最大高さ（Ｒｙ）を有することができる。
【００４４】
酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂（ビスフェノール型エポキシ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させたものが最適）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等からなる耐熱性樹脂粒子を用いることができる。かかる耐熱性樹脂粒子の混合比は耐熱性樹脂からなるマトリックスの固形分の５〜５０重量％、望ましくは１０〜４０重量％がよい。
【００４５】
かかる絶縁樹脂層は、複数層にしてもよい。例えば、下層を無機粒子や繊維質フィラーと樹脂基剤とからなる補強層とし、上層を無電解めっき用接着剤層とすることができる。また、平均粒径0.1 〜2.0 μｍの酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子を酸や酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂中に分散させて下層とし、無電解めっき用接着剤層を上層としてもよい。
【００４６】
無機粒子としては、シリカ、アルミナ、タルク等を使用できる。繊維質フィラーとしては、炭酸カルシウムのウイスカー、ホウ酸アルミニウムのウイスカー、アラミド繊維、炭素繊維等の少なくとも１種を使用できる。
【００４７】
粗化し触媒核を付与した層間絶縁樹脂上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解めっき膜は、無電解銅めっきがよく、厚みは、０．５〜５μｍ、より望ましくは１〜３μｍとする。なお、無電解銅めっき液としては、常法で採用される液組成のものを使用でき、例えば、硫酸銅：29ｇ／Ｌ、炭酸ナトリウム：25ｇ／Ｌ、ＥＤＴＡ：140 ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム：40ｇ／Ｌ、37％ホルムアルデヒド： 150ｍＬ、（ＰＨ＝11.5）からなる液組成のものがよい。
【００４８】
次に、このように形成した無電解めっき膜上に感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）をラミネートし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジストパターンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を密着させて載置し、露光し、現像処理することにより、めっきレジストパターンを配設した非導体部分を形成する。
【００４９】
次に、無電解銅めっき膜上の非導体部分以外に電解めっき膜を形成し、導体回路とバイアホールとなる導体部を設ける。電解めっきとしては、電解銅めっきを用いることが望ましく、その厚みは、５〜20μｍがよい。
【００５０】
さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液にて無電解めっき膜を除去し、無電解めっき膜と電解めっき膜の２層からなる独立した金属層を得る。なお、非導体部分に露出した粗化面上のパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸過水等により溶解除去する。
【００５１】
パラジウムを除去して金属層を形成したプリント基板を熱処理する。この際、温度は５０〜２５０℃の間の少なくとも1種で、かつ、その温度を１０分以上ホールドさせるのがよい。また、熱処理を異なった温度で、２回以上ホールドさせてもよい。
【００５２】
次いで、この表層の金属層に粗化面を形成させ、均一な凹凸面を有する金属下地層を形成する。かかる粗化面は、アゾール類の第二銅錯体と有機酸の水溶液からなるエッチング液を金属層表面にスプレイするか、かかるエッチング液に金属層を浸漬し、バブリングすることによって、形成させるか、あるいは、他のエッチング処理、酸化処理、酸化還元処理によって形成させることができる。また、かかる粗化面は、銅−ニッケル−リンからなる合金粗化層を、めっきを用いて金属層上に形成させることによって、形成することができる。
【００５３】
かかる金属下地層は、前述したように、導体回路として機能するとともに、層間絶縁樹脂層の下地として機能するが、次に述べるようなソルダーレジスト層の下地としても機能する。
【００５４】
次いで、このようにして得られた上層導体回路上にソルダーレジスト層を形成する。ソルダーレジスト層の厚さは、５〜４０μｍがよい。薄すぎるとソルダーダムとして機能せず、厚すぎると開口しにくくなる上、半田体と接触し半田体に生じるクラックの原因となるからである。
【００５５】
ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。
【００５６】
特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレート」からなり、「イミダゾール硬化剤」を硬化剤として含むものが好ましい。
【００５７】
このような構成のソルダーレジスト層は、鉛のマイグレーション（鉛イオンがソルダーレジスト層内を拡散する現象）が少ないという利点を持つ。しかも、このソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、はんだが溶融する温度（200 ℃前後）でも劣化しないし、ニッケルめっきや金めっきのような強塩基性のめっき液で分解することもない。
【００５８】
しかしながら、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じやすい。本発明にかかる粗化面は、このような剥離を防止できるため有利である。
【００５９】
ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。
【００６０】
上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。このような液状イミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品名：2E4MZ ）を用いることができる。
【００６１】
このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜10重量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
【００６２】
上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
【００６３】
このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。
ＣＨ３Ｏ−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−ＣＨ３ （ｎ＝１〜５）
このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して10〜40重量％がよい。
【００６４】
以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。
【００６５】
例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。
【００６６】
さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。
【００６７】
添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。
【００６８】
添加成分としての上記感光性モノマーとしては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。例えば、多価アクリル系モノマーが望ましい。ここで、日本化薬製のＤＰＥ−６Ａであり、共栄社化学製のＲ−６０４である。
【００６９】
また、これらのソルダーレジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで塗布しやすい粘度だからである。ソルダ−レジスト形成後、開口部を形成する。その開口は、露光、現像処理により形成する。開口径は、８０〜１５０μｍの範囲である。
【００７０】
その後、ソルダーレジスト層形成後に、開口部に無電解めっきにてニッケルめっき層を形成させる。ニッケルめっき液の組成の例として、硫酸ニッケル４．５ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム２５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム４０ｇ／Ｌ、ホウ酸１２ｇ／Ｌ、チオ尿素０．１ｇ／Ｌ（ＰＨ＝１１）がある。脱脂液により、ソルダーレジスト層開口部、表面を洗浄し、パラジウムなどの触媒を開口部に露出した導体部分に付与し、活性化させた後、めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層を形成させる。
【００７１】
ニッケルめっき層の厚みは、０．５〜２０μｍで、特に３〜１０μｍの厚みが望ましい。それ以下では、半田バンプとニッケルめっき層の接続が取れにくい、それ以上では、開口部に形成した半田バンプが収まりきれず、剥がれたりする。
【００７２】
ニッケルめっき層形成後、金めっきにて金めっき層を形成させる。厚みは、０．０１〜０．１μｍであり、望ましくは０．０３μｍ前後である。
【００７３】
【実施例】
図面を参照して、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
（実施例）
Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００７４】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００７５】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合して得た。
【００７６】
Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００７７】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００７８】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合して得た。
【００７９】
Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物
〔樹脂組成物▲１▼〕
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量310 、YL983U） 100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSiＯ２ 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。
【００８０】
〔硬化剤組成物▲２▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5 重量部。
【００８１】
Ｄ．プリント配線板の製造
図３〜２２は、本発明の一例のプリント配線板を製造工程に従って示す断面図である。
図３に示すように、厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に18μｍの銅箔２がラミネートされている銅張積層板３を出発材料とした。
【００８２】
まず、図４に示すように、この銅張積層板３に、ドリルによって削孔４を設け、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に内層銅パターン５とスルーホール６を形成した。
【００８３】
(2) 内層銅パターン５およびスルーホール６を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／Ｌ），NaClＯ２ （40ｇ／Ｌ）， Na３PO４（６ｇ／Ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ／Ｌ），NaBH４ （６ｇ／Ｌ）を用いた酸化−還元処理により、図５に示すように、内層銅パターン５およびスルーホール６の表面に粗化面７，８，９を設けた。
【００８４】
(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得た。
(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤を、調製後24時間以内に基板の両面にロールコータを用いて塗布することにより、内層銅パターン５間あるいはスルーホール６内に充填し、70℃，20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして、樹脂充填剤を内層銅パターン５間あるいはスルーホール６内に充填し、70℃，20分間で加熱乾燥させた。
【００８５】
(5) 前記(4) の処理を終えた基板の片面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン５の表面７やスルーホール６のランド表面８を樹脂充填剤が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
【００８６】
次いで、100 ℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填剤を硬化した。
【００８７】
このようにして、図６に示すように、スルーホール６等に充填された樹脂充填剤１１の表層部および内層銅パターン５の上面の粗化面７を除去して、基板両面を平滑化し、樹脂充填剤１１と内層銅パターン５の側面やスルーホール６のランド部の側面とが粗化面７ａ，８ａを介して強固に密着し、また、スルーホール６の内壁１０の表面と樹脂充填剤１１とが粗化面９を介して強固に密着した配線基板１３を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤１１の表面と内層銅パターン５の表面とが同一平面となる。
【００８８】
(6) 内層銅パターン５を形成したプリント配線板１３を、アルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．２×１０−２モル／Ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０−３モル／Ｌ、錯化剤５．４×１０−２モル／Ｌ、次亜りん酸ナトリウム３．３×１０−１モル／Ｌ、ホウ酸５．０×１０−１モル／Ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６５）０．１ｇ／Ｌ、ＰＨ＝９からなる無電解めっき液に浸漬し、浸漬後、１分後に、４秒当たり１回に割合で縦振動および横振動させて、図７に示すように、導体回路およびスルーホールのランドの表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層を設けた。
【００８９】
さらに、ホウフッ化スズ０．１モル／Ｌ、チオ尿素１．０モル／Ｌ、温度３５℃、ｐＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、その後、温度５０℃、バブリングには、空気を用い、流量３０Ｌ／分、浸漬時間０．５分で湯洗槽を２段にして湯洗を行い、Ｓｎ残さを除去し、粗化層の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた（図示していない）。
【００９０】
(7) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。
次いで、Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。
【００９１】
(8) 前記(6) の基板１６の両面に、前記(7) で得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、次いで、前記(7) で得られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）を調製後24時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、図８に示すような、厚さ35μｍの接着剤層１７を形成した。
【００９２】
(9) 前記(8) で接着剤層１７を形成した基板の両面に、図９に示すように、85μｍφの黒円１８が印刷されたフォトマスクフィルム１９を密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm２ で露光した。これをＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により3000mJ／cm２ で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、図１０に示すようなフォトマスクフィルム１９に相当する寸法精度に優れた85μｍφの開口２０（バイアホール形成用開口）を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶縁層１７（２層構造）を形成した。なお、バイアホールとなる開口２０には、スズめっき層を部分的に露出させた。
【００９３】
(10)開口が形成された基板を、クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層１７の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、図１１に示すように、層間樹脂絶縁層１７の表面及び開口２０の表面に粗化面２１，２２を形成し、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
【００９４】
さらに、粗面化処理（粗化深さ６μｍ）した基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層の表面２１およびバイアホール用開口の内壁面２２に触媒核を付けた。
【００９５】
(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、図１２に示すように、粗面全体に厚さ0.6 μｍの無電解銅めっき膜２３を形成した。
〔無電解めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ 0.080 モル／Ｌ
硫酸銅 0.031 モル／Ｌ
ＨＣＨＯ 0.053 モル／Ｌ
ＮａＯＨ 0.052 モル／Ｌ
α、α'−ビピリジル 80 ｍｇ／Ｌ
ＰＥＧ 0.1 ｇ／Ｌ
〔無電解めっき条件〕
65℃の液温度で20分
【００９６】
(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜２３上に、図１３に示すように、市販の感光性ドライフィルム２４を張り付け、黒円２５が印刷されたマスク２６を載置して、100 mJ／cm２ で露光、0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、図１４に示すような、厚さ15μｍのめっきレジスト２７を設けた。
【００９７】
(13)ついで、レジスト非形成部分に、以下の条件で電解銅めっきを施し、図１５に示すような、厚さ15μｍの電解銅めっき膜２８を形成した。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 2.25 モル／Ｌ
硫酸銅 0.26 モル／Ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ） 19.5 ｍＬ／Ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／dm２
時間 65分
温度 22±２ ℃
【００９８】
(14)めっきレジスト２７を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト２７下の無電解めっき膜２３を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、図１６に示すような、無電解銅めっき膜２９と電解銅めっき膜２８からなる厚さ18μｍの金属層３０（バイアホール部分３１を含む）を形成した。
【００９９】
(15)得られた金属層３０，３１を加熱処理した。処理温度とこの温度での保持時間は、１５０℃、３０分であった。この時の金属層表面の光沢度は、グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製 GAMMODEL 144 DENSITOMETERを用いて測定した結果、０．５６であった。
【０１００】
この金属層に、(6) と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、図１７に示すような、金属層３０，３１上に粗化面３２を形成し、金属下地層を形成した。さらに、金属下地層の表面をSn置換した（図示していない）。この金属下地層は導体回路として機能する。
【０１０１】
(16)また、前記(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の金属層及び金属下地層を形成し、図１８に示すような多層配線基板を得た。
【０１０２】
(17)一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 、60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はローターNo.3によった。
【０１０３】
(18)前記(16)で得られた多層配線基板の両面に、図１９に示すように、上記ソルダーレジスト組成物３３を20μｍの厚さで塗布した。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、図２０に示すように、円パターン３４（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルム３５を密着させて載置し、1000mJ／cm２ の紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、図２１に示すように、はんだパッド部分３６（バイアホールとそのランド部分３７を含む）を開口した（開口径 200μｍ）ソルダーレジスト層３８（厚み20μｍ）を形成した。
【０１０４】
(19)次に、図２１に示すソルダーレジスト層を形成した基板３９を、塩化ニッケル30ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム10ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ＬからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、図２２に示すように、開口部３６，３７に厚さ５μｍのニッケルめっき層４０を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、塩化アンモニウム75ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム50ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム10ｇ／Ｌからなる無電解金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層４０上に厚さ0.03μｍの金めっき層４１を形成した。
【０１０５】
(20)そして、ソルダーレジスト層３８の開口部３６，３７に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローすることによりはんだバンプ４２（はんだ体）を形成し、はんだバンプ４２を有するプリント配線板４３を製造した。
【０１０６】
（比較例１）
実施例と異なるのは、粗化面の形成前の加熱処理を４５℃／３０分で行なった点であり、それ以外の条件は、実施例と同一である。金属層の光沢度は、０．１０であった。
【０１０７】
（比較例２）
実施例と異なるのは、粗化面の形成前の加熱処理を１００℃／３０分＋１５０℃／３０分＋２８０℃／１時間で行なった点であり、それ以外の条件は、実施例と同一である。金属層の光沢度は、１．２４であった。
【０１０８】
以上、実施例および比較例で製造されたプリント配線板について、金属層の光沢度、絶縁層の膨れの発生率、絶縁層の剥がれの発生率、及び層間絶縁層上に形成された導体回路の断線の有無の計４項目について、比較した。結果を表１に示す。実施例では、光沢度は０．１５〜１．０の範囲に抑えられ、層間絶縁層の膨れ、剥がれおよび導体回路の断線の発生はなかった。
【０１０９】
【表１】
＊１ グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー社製 GAMMODEL 144 DENSITOMETERにて測定した。
＊２ 層間絶縁層形成後、表層を目視にて観察した。
＊３ めっき膜形成後、に表層を目視で観察した。
＊４ ヒートサイクル試験液槽125℃ 3min / -55℃ 3min 条件にて100cycles後に目視で確認した。
【０１１０】
【発明の効果】
本発明によれば、加熱処理されており、しかも、０．１５〜１．００の光沢度を有している金属層から、均一な凹凸面を有する金属下地層が形成される。このような金属下地層は、導体回路として機能するとともに、絶縁樹脂層の下地としても働き、金属下地層と絶縁樹脂層とが金属下地層上の均一な凹凸の粗化面を介して強固に密着する。このため、本発明では、導体回路上の絶縁樹脂層が加熱によって収縮しても、絶縁樹脂層の膨れや剥離の発生が著しく抑制され、接続性及び信頼性に極めて優れたプリント配線板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる一例の金属下地層の縦断面図である。
【図２】本発明にかかる他の例の金属下地層の縦断面図である。
【図３】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図４】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図５】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図６】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図８】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図９】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１０】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１１】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１２】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１３】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１４】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１５】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１６】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１７】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１８】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１９】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図２０】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図２１】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図２２】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【符号の説明】
１，１０３ 基板
２ 銅箔
３ 銅張積層板
４ 削孔
５ 内層銅パターン
６，４８ スルーホール
７，７ａ，８，８ａ，９，３２，１０２，１０６ 粗化面
１０ スルーホール内壁
１３，１６ 配線基板
１１，１２ 樹脂層
１４，１５，１０８ 粗化層
１７ 接着剤層
１８，２４ 黒円
１９，３５ フォトマスクフィルム
２０ 開口（バイアホール形成用開口）
２３，２９ 無電解銅めっき膜
２５ 感光性ドライフィルム
２６ マスク
２７ めっきレジスト
２８ 電解銅めっき膜
３０，３１，１０４，１０７ 金属層
３３ ソルダーレジスト用組成物
３４ 円パターン（マスクパターン）
３６ はんだパッド部分
３７ バイアホールとそのランド部分
３８ ソルダーレジスト層
３９，４３ プリント配線板
４０ ニッケルめっき層
４１ 金めっき層
４２ はんだバンプ（はんだ体）
１０１，１０５ 金属下地層
【発明の属する技術分野】
導体回路上の粗化層を均一に形成させ、絶縁層との膨れ、剥離を起こさない、かつ、導体回路の断線などを起こさない信頼性、接続性に優れたプリント配線板とその製造方法を提案する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ビルドアップ多層配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号に開示されている方法によって製造されている。
【０００３】
すなわち、ビルドアップ多層配線板の導体回路の表面に無電解めっきにより、粗化層を形成させて、ロールコーターや印刷にて層間絶縁樹脂を塗布した後、この樹脂を露光、現像して、層間導通のためのバイアホール開口部を形成させて、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。さらに、その層間絶縁層に酸化剤などにより粗化処理を施し、粗化面にパラジウムなどの触媒を付け、薄い無電解めっき膜を形成し、そのめっき膜上にドライフィルムにてパターンを形成し、電解めっきで厚付けしたのち、アルカリでドライフィルムを剥離除去し、エッチングして導体回路を作り出させる。これらを繰り返すことにより、ビルドアップ多層配線板が得られる。
【０００４】
また、このビルドアップ多層配線板の製造方法において、導体回路の表面に粗化面を形成させるには、無電解めっきで粗化層を形成させる以外に、導体回路をソフトエッチングしてその表面に粗化面を形成させる方法が、提案されている。
【０００５】
更に、その粗化面上に、スズ層を形成させることにより、導体回路と層間絶縁樹脂との密着を確保するという方法がある。このような粗化層は、ソルダーレジスト層形成にも使用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、本発明者が検討したところ、絶縁層を形成した後や、絶縁層上にめっき膜を形成した後に、絶縁層やめっき膜が膨れたり、剥がたりすることを見出した。特に、層間絶縁樹脂層が膨れたり、剥がれたりすると、層間絶縁層上に形成された導体回路に断線などが引き起こされる。
【０００７】
本発明は、このような問題を解決し、絶縁層やめっき膜の膨れ、剥がれを防止し、接続性及び信頼性に優れたプリント配線基板とその製造方法を提案する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板と前記基板上の導体回路とを備える、プリント配線板において、導体回路が金属下地層から形成されており、前記金属下地層が金属層を備えており、前記金属下地層上に粗化面が設けられており、前記金属下地層上に絶縁樹脂層が設けられており、前記粗化面の形成に先立ち、前記金属層が50 〜 250 ℃の間の少なくとも 1 種の温度で、かつ、前記温度を少なくとも 10 分保持することによって加熱処理されており、前記金属層の加熱処理後であって、前記粗化面の形成前に、前記金属層の表面が、0.15〜1.00( グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製 GAMMODEL 144 DENSITOMETER による数値 )の光沢度を有しており、前記粗化面の凹凸の段差は 1 〜 10 μ m の最大高さ (Ry) で表されていることを特徴とする、プリント配線板、かかるプリント配線板を得るための被処理体及びかかるプリント配線板の製造方法に係るものである。
【０００９】
本発明者は、随意研究した結果、次のような事実を知見した。
絶縁層やめっき膜が膨れたり、剥がれたりする部分では、導体回路表面の凹凸の段差が、最大高さＲｙで、１μｍ未満であった。しかしながら、膨れや剥がれが発生していない部分では、導体回路表面の凹凸の最大高さＲｙは、１〜１０μｍであった。
【００１０】
このような知見の下、本発明者は、絶縁層やめっき膜を加熱処理する際、凹凸の最大高さＲｙが１μｍ未満の部分は、絶縁層が熱によって収縮すると、絶縁層がこの収縮応力に耐えられなり、絶縁層自体やその上のめっき膜に膨れや剥がれが引き起こされることを突き止めた。
【００１１】
本発明は、導体回路として働き、均一な凹凸の粗化面を有する、金属下地層を基板上に形成し、この金属下地層を絶縁樹脂層の下地として働らかせることにより、絶縁樹脂層やその上のめっき層の膨れや、剥がれを防止できるという知見に基づくものである。
【００１２】
本発明者は、更に詳細に検討したところ、基板上に無電解めっき等による金属層を形成し、この金属層を加熱処理し、その後、この金属層をエッチング処理するか、金属層上に粗化層を設けることにより、金属下地層を形成することで、金属下地層の表面に均一な凹凸の粗化面が形成されることを知見した。
【００１３】
このような熱処理は、金属層の表面および金属層内の水分、吸蔵水素を排出するとともに、金属層の酸化度を一様にし、その後に形成される金属下地層の粗化面の凹凸が不均一になるのを防止することができる。このため、このような金属下地層上に設けられた絶縁樹脂層には、膨れや剥がれが発生しなくなる。また、このようにして設けられた絶縁樹脂層上に形成される導体回路には、断線などが発生せず、導通不良が起こらない。
【００１４】
また、本発明者の研究によれば、前述の熱処理を行った金属層表面の光沢度は、０．１５〜１．００の範囲であることが分かった。つまり、いいかえると、本発明者は、金属層の光沢度を０．１５〜１．００の範囲内にすることで、金属下地層の表層に形成される粗化面の凹凸を均一にし得ることを解明した。
【００１５】
金属下地層表層の粗化面は、金属層をエッチングするか、あるいは、金属層上に無電解めっきを析出させることにより形成することができる。図１は、エッチングにより形成された金属下地層の縦断面図である。図２は、無電解めっきの析出により形成された金属下地層の縦断面図である。
【００１６】
図１に示す金属下地層１０１の粗化面１０２は、基板１０３上に設けられた金属層１０４の表面をエッチングすることによって形成される。一方、図２に示す金属下地層１０５の粗化面１０６は、基板１０３上に設けられた金属層１０７の表面に、無電解めっき等からなる粗化層１０８を析出させることによって形成される。
【００１７】
前述した金属層の光沢度が０．１５未満のとき、ソフトエッチング等で金属層に粗化面を形成しようとしても、金属層が過剰にエッチングされ、金属層表面に均一な凹凸が創出できず、このため、前述した問題が発生する。また、０．１５未満の光沢度の金属層には、内部に水分や吸臓水素が残留しており、この金属層上に無電解めっきで粗化層を形成したとしても、金属層内の金属結晶が大きいため、金属層自身が脆く、粗化層の凹凸が剥がれる。
【００１８】
金属層の光沢度が１．００を越えたときは、導体回路の酸化度合いが進行しすぎているため、ソフトエッチング等で粗化面を形成しようとしても、エッチングされない部分があり、均一な凹凸が形成されない。また、無電解めっきで粗化層を形成しようとしても、触媒が付かないために、未反応になったり、反応が停止したりして、凹凸が不均一になり、前述の問題が起きる。
【００１９】
本発明によれば、加熱処理されており、しかも、０．１５〜１．００の光沢度を有している金属層から、導体回路として機能する金属下地層が形成される。このような金属層から形成される金属下地層は、その表層に均一な凹凸の粗化面を有することになるので、絶縁樹脂層の下地として良好に働き、絶縁樹脂層が加熱によって収縮しても、絶縁樹脂層の膨れや剥離の発生を著しく抑制することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる金属層は、種々の金属、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、銅、ニッケル、金、銀、アルミニウム及びスズからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を用い、無電解めっき、電解めっき、等により形成することができる。このような金属層は、２層以上で設けることもできる。
【００２１】
本発明にかかる金属下地層は、このような金属層を用いて、種々の方法によって形成することができる。かかる金属下地層は、その表面に均一な凹凸の粗化面を有する。かかる金属下地層は、その上に形成された絶縁樹脂層が熱処理によって収縮しても、その収縮応力を抑制することができるような均一な凹凸面を有しており、絶縁樹脂層やその上のめっき層の膨れや剥がれを防止し、絶縁樹脂層上の導体回路の断線などを著しく抑制する。
【００２２】
かかる金属下地層は、金属層の表面自体を処理することによって、その表面に均一な凹凸を有する粗化面を形成したり、金属層上に粗化層を設けて、この粗化層の表面に均一な凹凸を有する粗化面を形成することによって得られる。
【００２３】
例えば、金属層にソフトエッチング等の種々のエッチング処理を施すことによって、金属層の表面に粗化面を形成した金属下地層を得ることができる。かかるエッチング処理としては、第二銅錯体と有機酸とによる処理、酸化処理、酸化還元処理などを挙げることができる。
【００２４】
特に、エッチング処理としては、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液による処理が好ましい。かかるエッチング液を用いれば、多孔質状の粗化面や、窪みと稜線などが絡み合った粗化面が形成される。この粗化面は、複数の錨状部と窪み部と稜線とを有し、錨状部と窪み部と稜線とが分散形成されており、隣り合う錨状部が稜線によって繋がっているとともに、窪み部が錨状部と稜線によって囲まれている。このような粗化面は、アンカー効果の高く、その後に形成される絶縁樹脂層やバイアホールを介した上層の導体回路との密着性に優れる。
【００２５】
金属下地層の粗化面に現れる凹凸の段差は、最大高さＲｙで、１〜１０μｍで形成されるのがよい。特に、２〜７μｍで形成するのがよい。その理由としては、絶縁樹脂層と金属下地層との密着性が良いからである。
【００２６】
また、例えば、金属層上に無電解めっき等のめっき処理を施し、粗化層を形成させることで、金属下地層上に粗化面を形成することができる。かかる粗化層としては、銅−ニッケル−リンからなる合金粗化層が挙げられ、このような粗化層は、無電解めっき法によって形成することができる。かかる粗化層の形状には、針状、多孔質状、針状と多孔質状の混在したものなどがある。かかる粗化層の凹凸面の段差も、最大高さＲｙが、１〜１０μｍ、特に、２〜７μｍで形成するのがよい。絶縁樹脂層と金属下地層との密着性が良いからである。
【００２７】
本発明では、かかる金属下地層は、金属層の加熱処理後に形成することができる。加熱処理によって、金属層内に残留した不純物が排除されていれば、金属層の表面をエッチングしたり、金属層上にめっき等からなる粗化層を形成することで、均一な凹凸の粗化面を有する金属下地層が形成されるからである。
【００２８】
また、本発明では、金属下地層を形成するための金属層は、その表面の光沢度が０．１５〜１．００になるように調整される。金属層の酸化度を均一にすることにより、その後に形成される金属下地層の粗化面の凹凸を安定化せさることができるからである。
【００２９】
金属層の光沢度を０．１５〜１．００の範囲にするためには、熱処理方法を用いることができる。熱処理によって、金属層内に残留した水分や吸臓水素などが排出でき、かつ、光沢度を一様にすることができるからである。
【００３０】
かかる熱処理では、金属層の温度を、常温（２０〜３０℃）から上昇させて、所定の熱処理温度で保持させるのが好ましい。また、かかる熱処理温度は、５０〜２５０℃で行うのが好ましい。更に、熱処理温度は、１０分以上一定に保持させるほうがよい。特に、熱処理温度は、８０〜２００℃で、３０分〜２時間で保持するのが望ましい。その理由としては、光沢度が一様になりやすいのと、熱処理によって金属層内の余分な物質などを確実に排除できるからである。
【００３１】
熱処理条件は、金属下地層の形成方法、凹凸の段差の最大高さＲｙ、生産条件やコストなど、さまざまな要因により異なるが、５０〜２５０℃の熱処理温度と１０分以上の温度ホールド時間は、基本的に変わらない。熱処理条件によっては、金属層は、所定温度で一定時間保持した後、更に高い温度で、再度、所定時間保持させてもよい。熱処理条件の具体例を一つ挙げると、８０℃／３０分＋１００℃／３０分＋１５０℃／６０分がある。
【００３２】
本発明では、光沢度の測定には、グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製 GAMMODEL 144 DENSITOMETERを用いることができる。かかる機器を用いる場合、最初に光沢度の原点測定を行う。備え付けの原点測定用の白いサンプルと黒いサンプルとを交互に測定して、所定の光沢度の数値に補正して、原点調整を行う。調整後、熱処理を終えた金属層の光沢度を測定する。
【００３３】
このようにして、基板上で、所定の光沢度を有するように熱処理された金属層は、プリント配線板を得るための被処理体として機能する。かかる被処理体は、前述したように、金属層の表面に直接粗化面が形成されるか、又は金属層上に粗化層が形成されて、金属下地層となり、この金属下地層上に絶縁樹脂層が設けられ、本発明のプリント配線板が得られる。
【００３４】
本発明のプリント配線板の製造方法について説明する。以下の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよい。
【００３５】
まず、基板の表面に導体回路を形成した配線基板を作成する。基板としては、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等の樹脂絶縁基板、銅張り積層板、セラミック基板、金属基板等が用いられる。
【００３６】
これらの基板に絶縁層を形成し、この絶縁層表面を粗化して粗化面とし、この粗化面全体に薄付けの無電解めっきを施し、めっきレジストを形成し、めっきレジスト非形成部分に厚付けの電解めっきを施した後、めっきレジストを除去し、エッチング処理して、電解めっき膜と無電解めっき膜とからなる下層導体回路を形成する。導体回路は、いずれも銅パタ−ンがよい。
【００３７】
このようにして得られた基板には、下層導体回路あるいはスルーホールにより、凹部が形成される。その凹部を埋めるために、樹脂充填剤等を印刷などで塗布し、乾燥した後、不要な樹脂充填剤を研磨により研削して、下層導体回路を露出させたのち、樹脂充填剤を本硬化させる。
【００３８】
次いで、下層導体回路に粗化面を設ける。形成される粗化面は、エッチング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理により形成された粗化面又はめっき被膜により形成された粗化面が望ましい。凹凸面の段差の最大高さＲｙは、１〜１０μｍで形成されるのがよい。
【００３９】
なお、本発明では、かかる下層導体回路を均一な凹凸面を有する金属下地層から形成することができる。この場合、まず、前述したような電解めっき膜と無電解めっき膜とからなる金属層を形成し、その後、この金属層を熱処理する。熱処理温度は、５０〜２５０℃で、１０分以上ホールドさせるのがよい。次いで、熱処理した金属層の表面を粗化するか、金属層上に粗化層を設けることによって、表面に均一な凹凸面を有する金属下地層を形成する。この金属下地層は、導体回路として機能するとともに、絶縁樹脂層の下地として働く。
【００４０】
次に、導体回路の粗化面上に絶縁樹脂層を設ける。かかる絶縁樹脂層は、無電解めっき用接着剤を用いて形成することができる。かかる無電解めっき用接着剤は、熱硬化性樹脂を基剤とし、特に硬化処理された耐熱性樹脂粒子、酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維質フィラー等を、必要により含ませることができる。かかる絶縁樹脂層が下層導体回路と上層導体回路との間に設けられる場合、層間樹脂絶縁層となる。
【００４１】
熱硬化性樹脂基剤としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。なお、熱硬化基の一部を感光化する場合は、熱硬化基の一部をメタクリル酸やアクリル酸等と反応させてアクリル化させたものが好ましい。中でも、エポキシ樹脂のアクリレートが最適である。かかるエポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等を用いることができる。
【００４２】
また、かかる熱硬化性樹脂基剤には、ポリエーテルスルフォンやポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等の熱可塑性樹脂を添加することができる。
【００４３】
耐熱性樹脂粒子としては、 (1)平均粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、 (2)平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、 (3)平均粒径が２〜１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、 (4)平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末及び無機粉末の少なくとも１種を付着させた疑似粒子、 (5)平均粒径が0.8 を越え2.0 μｍ未満の耐熱性樹脂粉末と平均粒径が0.1 〜0.8 μｍの耐熱性樹脂粉末との混合物、及び (6)平均粒径が0.1 〜1.0 μｍの耐熱性樹脂粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種の粒子を用いるのが望ましい。これらの粒子は、より複雑なアンカ−を形成するからである。また、これらの粒子により得られる粗化面は、0.1 〜20μｍの最大高さ（Ｒｙ）を有することができる。
【００４４】
酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂（ビスフェノール型エポキシ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させたものが最適）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等からなる耐熱性樹脂粒子を用いることができる。かかる耐熱性樹脂粒子の混合比は耐熱性樹脂からなるマトリックスの固形分の５〜５０重量％、望ましくは１０〜４０重量％がよい。
【００４５】
かかる絶縁樹脂層は、複数層にしてもよい。例えば、下層を無機粒子や繊維質フィラーと樹脂基剤とからなる補強層とし、上層を無電解めっき用接着剤層とすることができる。また、平均粒径0.1 〜2.0 μｍの酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子を酸や酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂中に分散させて下層とし、無電解めっき用接着剤層を上層としてもよい。
【００４６】
無機粒子としては、シリカ、アルミナ、タルク等を使用できる。繊維質フィラーとしては、炭酸カルシウムのウイスカー、ホウ酸アルミニウムのウイスカー、アラミド繊維、炭素繊維等の少なくとも１種を使用できる。
【００４７】
粗化し触媒核を付与した層間絶縁樹脂上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解めっき膜は、無電解銅めっきがよく、厚みは、０．５〜５μｍ、より望ましくは１〜３μｍとする。なお、無電解銅めっき液としては、常法で採用される液組成のものを使用でき、例えば、硫酸銅：29ｇ／Ｌ、炭酸ナトリウム：25ｇ／Ｌ、ＥＤＴＡ：140 ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム：40ｇ／Ｌ、37％ホルムアルデヒド： 150ｍＬ、（ＰＨ＝11.5）からなる液組成のものがよい。
【００４８】
次に、このように形成した無電解めっき膜上に感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）をラミネートし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジストパターンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を密着させて載置し、露光し、現像処理することにより、めっきレジストパターンを配設した非導体部分を形成する。
【００４９】
次に、無電解銅めっき膜上の非導体部分以外に電解めっき膜を形成し、導体回路とバイアホールとなる導体部を設ける。電解めっきとしては、電解銅めっきを用いることが望ましく、その厚みは、５〜20μｍがよい。
【００５０】
さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液にて無電解めっき膜を除去し、無電解めっき膜と電解めっき膜の２層からなる独立した金属層を得る。なお、非導体部分に露出した粗化面上のパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸過水等により溶解除去する。
【００５１】
パラジウムを除去して金属層を形成したプリント基板を熱処理する。この際、温度は５０〜２５０℃の間の少なくとも1種で、かつ、その温度を１０分以上ホールドさせるのがよい。また、熱処理を異なった温度で、２回以上ホールドさせてもよい。
【００５２】
次いで、この表層の金属層に粗化面を形成させ、均一な凹凸面を有する金属下地層を形成する。かかる粗化面は、アゾール類の第二銅錯体と有機酸の水溶液からなるエッチング液を金属層表面にスプレイするか、かかるエッチング液に金属層を浸漬し、バブリングすることによって、形成させるか、あるいは、他のエッチング処理、酸化処理、酸化還元処理によって形成させることができる。また、かかる粗化面は、銅−ニッケル−リンからなる合金粗化層を、めっきを用いて金属層上に形成させることによって、形成することができる。
【００５３】
かかる金属下地層は、前述したように、導体回路として機能するとともに、層間絶縁樹脂層の下地として機能するが、次に述べるようなソルダーレジスト層の下地としても機能する。
【００５４】
次いで、このようにして得られた上層導体回路上にソルダーレジスト層を形成する。ソルダーレジスト層の厚さは、５〜４０μｍがよい。薄すぎるとソルダーダムとして機能せず、厚すぎると開口しにくくなる上、半田体と接触し半田体に生じるクラックの原因となるからである。
【００５５】
ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。
【００５６】
特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレート」からなり、「イミダゾール硬化剤」を硬化剤として含むものが好ましい。
【００５７】
このような構成のソルダーレジスト層は、鉛のマイグレーション（鉛イオンがソルダーレジスト層内を拡散する現象）が少ないという利点を持つ。しかも、このソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、はんだが溶融する温度（200 ℃前後）でも劣化しないし、ニッケルめっきや金めっきのような強塩基性のめっき液で分解することもない。
【００５８】
しかしながら、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じやすい。本発明にかかる粗化面は、このような剥離を防止できるため有利である。
【００５９】
ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。
【００６０】
上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。このような液状イミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品名：2E4MZ ）を用いることができる。
【００６１】
このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜10重量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
【００６２】
上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
【００６３】
このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。
ＣＨ３Ｏ−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−ＣＨ３ （ｎ＝１〜５）
このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して10〜40重量％がよい。
【００６４】
以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。
【００６５】
例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。
【００６６】
さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。
【００６７】
添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。
【００６８】
添加成分としての上記感光性モノマーとしては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。例えば、多価アクリル系モノマーが望ましい。ここで、日本化薬製のＤＰＥ−６Ａであり、共栄社化学製のＲ−６０４である。
【００６９】
また、これらのソルダーレジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで塗布しやすい粘度だからである。ソルダ−レジスト形成後、開口部を形成する。その開口は、露光、現像処理により形成する。開口径は、８０〜１５０μｍの範囲である。
【００７０】
その後、ソルダーレジスト層形成後に、開口部に無電解めっきにてニッケルめっき層を形成させる。ニッケルめっき液の組成の例として、硫酸ニッケル４．５ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム２５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム４０ｇ／Ｌ、ホウ酸１２ｇ／Ｌ、チオ尿素０．１ｇ／Ｌ（ＰＨ＝１１）がある。脱脂液により、ソルダーレジスト層開口部、表面を洗浄し、パラジウムなどの触媒を開口部に露出した導体部分に付与し、活性化させた後、めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層を形成させる。
【００７１】
ニッケルめっき層の厚みは、０．５〜２０μｍで、特に３〜１０μｍの厚みが望ましい。それ以下では、半田バンプとニッケルめっき層の接続が取れにくい、それ以上では、開口部に形成した半田バンプが収まりきれず、剥がれたりする。
【００７２】
ニッケルめっき層形成後、金めっきにて金めっき層を形成させる。厚みは、０．０１〜０．１μｍであり、望ましくは０．０３μｍ前後である。
【００７３】
【実施例】
図面を参照して、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
（実施例）
Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００７４】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００７５】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合して得た。
【００７６】
Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００７７】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００７８】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合して得た。
【００７９】
Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物
〔樹脂組成物▲１▼〕
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量310 、YL983U） 100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSiＯ２ 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。
【００８０】
〔硬化剤組成物▲２▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5 重量部。
【００８１】
Ｄ．プリント配線板の製造
図３〜２２は、本発明の一例のプリント配線板を製造工程に従って示す断面図である。
図３に示すように、厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に18μｍの銅箔２がラミネートされている銅張積層板３を出発材料とした。
【００８２】
まず、図４に示すように、この銅張積層板３に、ドリルによって削孔４を設け、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に内層銅パターン５とスルーホール６を形成した。
【００８３】
(2) 内層銅パターン５およびスルーホール６を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／Ｌ），NaClＯ２ （40ｇ／Ｌ）， Na３PO４（６ｇ／Ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ／Ｌ），NaBH４ （６ｇ／Ｌ）を用いた酸化−還元処理により、図５に示すように、内層銅パターン５およびスルーホール６の表面に粗化面７，８，９を設けた。
【００８４】
(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得た。
(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤を、調製後24時間以内に基板の両面にロールコータを用いて塗布することにより、内層銅パターン５間あるいはスルーホール６内に充填し、70℃，20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして、樹脂充填剤を内層銅パターン５間あるいはスルーホール６内に充填し、70℃，20分間で加熱乾燥させた。
【００８５】
(5) 前記(4) の処理を終えた基板の片面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン５の表面７やスルーホール６のランド表面８を樹脂充填剤が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
【００８６】
次いで、100 ℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填剤を硬化した。
【００８７】
このようにして、図６に示すように、スルーホール６等に充填された樹脂充填剤１１の表層部および内層銅パターン５の上面の粗化面７を除去して、基板両面を平滑化し、樹脂充填剤１１と内層銅パターン５の側面やスルーホール６のランド部の側面とが粗化面７ａ，８ａを介して強固に密着し、また、スルーホール６の内壁１０の表面と樹脂充填剤１１とが粗化面９を介して強固に密着した配線基板１３を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤１１の表面と内層銅パターン５の表面とが同一平面となる。
【００８８】
(6) 内層銅パターン５を形成したプリント配線板１３を、アルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．２×１０−２モル／Ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０−３モル／Ｌ、錯化剤５．４×１０−２モル／Ｌ、次亜りん酸ナトリウム３．３×１０−１モル／Ｌ、ホウ酸５．０×１０−１モル／Ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６５）０．１ｇ／Ｌ、ＰＨ＝９からなる無電解めっき液に浸漬し、浸漬後、１分後に、４秒当たり１回に割合で縦振動および横振動させて、図７に示すように、導体回路およびスルーホールのランドの表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層を設けた。
【００８９】
さらに、ホウフッ化スズ０．１モル／Ｌ、チオ尿素１．０モル／Ｌ、温度３５℃、ｐＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、その後、温度５０℃、バブリングには、空気を用い、流量３０Ｌ／分、浸漬時間０．５分で湯洗槽を２段にして湯洗を行い、Ｓｎ残さを除去し、粗化層の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた（図示していない）。
【００９０】
(7) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。
次いで、Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。
【００９１】
(8) 前記(6) の基板１６の両面に、前記(7) で得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、次いで、前記(7) で得られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）を調製後24時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、図８に示すような、厚さ35μｍの接着剤層１７を形成した。
【００９２】
(9) 前記(8) で接着剤層１７を形成した基板の両面に、図９に示すように、85μｍφの黒円１８が印刷されたフォトマスクフィルム１９を密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm２ で露光した。これをＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により3000mJ／cm２ で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、図１０に示すようなフォトマスクフィルム１９に相当する寸法精度に優れた85μｍφの開口２０（バイアホール形成用開口）を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶縁層１７（２層構造）を形成した。なお、バイアホールとなる開口２０には、スズめっき層を部分的に露出させた。
【００９３】
(10)開口が形成された基板を、クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層１７の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、図１１に示すように、層間樹脂絶縁層１７の表面及び開口２０の表面に粗化面２１，２２を形成し、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
【００９４】
さらに、粗面化処理（粗化深さ６μｍ）した基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層の表面２１およびバイアホール用開口の内壁面２２に触媒核を付けた。
【００９５】
(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、図１２に示すように、粗面全体に厚さ0.6 μｍの無電解銅めっき膜２３を形成した。
〔無電解めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ 0.080 モル／Ｌ
硫酸銅 0.031 モル／Ｌ
ＨＣＨＯ 0.053 モル／Ｌ
ＮａＯＨ 0.052 モル／Ｌ
α、α'−ビピリジル 80 ｍｇ／Ｌ
ＰＥＧ 0.1 ｇ／Ｌ
〔無電解めっき条件〕
65℃の液温度で20分
【００９６】
(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜２３上に、図１３に示すように、市販の感光性ドライフィルム２４を張り付け、黒円２５が印刷されたマスク２６を載置して、100 mJ／cm２ で露光、0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、図１４に示すような、厚さ15μｍのめっきレジスト２７を設けた。
【００９７】
(13)ついで、レジスト非形成部分に、以下の条件で電解銅めっきを施し、図１５に示すような、厚さ15μｍの電解銅めっき膜２８を形成した。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 2.25 モル／Ｌ
硫酸銅 0.26 モル／Ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ） 19.5 ｍＬ／Ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／dm２
時間 65分
温度 22±２ ℃
【００９８】
(14)めっきレジスト２７を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト２７下の無電解めっき膜２３を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、図１６に示すような、無電解銅めっき膜２９と電解銅めっき膜２８からなる厚さ18μｍの金属層３０（バイアホール部分３１を含む）を形成した。
【００９９】
(15)得られた金属層３０，３１を加熱処理した。処理温度とこの温度での保持時間は、１５０℃、３０分であった。この時の金属層表面の光沢度は、グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製 GAMMODEL 144 DENSITOMETERを用いて測定した結果、０．５６であった。
【０１００】
この金属層に、(6) と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、図１７に示すような、金属層３０，３１上に粗化面３２を形成し、金属下地層を形成した。さらに、金属下地層の表面をSn置換した（図示していない）。この金属下地層は導体回路として機能する。
【０１０１】
(16)また、前記(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の金属層及び金属下地層を形成し、図１８に示すような多層配線基板を得た。
【０１０２】
(17)一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 、60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はローターNo.3によった。
【０１０３】
(18)前記(16)で得られた多層配線基板の両面に、図１９に示すように、上記ソルダーレジスト組成物３３を20μｍの厚さで塗布した。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、図２０に示すように、円パターン３４（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルム３５を密着させて載置し、1000mJ／cm２ の紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、図２１に示すように、はんだパッド部分３６（バイアホールとそのランド部分３７を含む）を開口した（開口径 200μｍ）ソルダーレジスト層３８（厚み20μｍ）を形成した。
【０１０４】
(19)次に、図２１に示すソルダーレジスト層を形成した基板３９を、塩化ニッケル30ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム10ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ＬからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、図２２に示すように、開口部３６，３７に厚さ５μｍのニッケルめっき層４０を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／Ｌ、塩化アンモニウム75ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム50ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム10ｇ／Ｌからなる無電解金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層４０上に厚さ0.03μｍの金めっき層４１を形成した。
【０１０５】
(20)そして、ソルダーレジスト層３８の開口部３６，３７に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローすることによりはんだバンプ４２（はんだ体）を形成し、はんだバンプ４２を有するプリント配線板４３を製造した。
【０１０６】
（比較例１）
実施例と異なるのは、粗化面の形成前の加熱処理を４５℃／３０分で行なった点であり、それ以外の条件は、実施例と同一である。金属層の光沢度は、０．１０であった。
【０１０７】
（比較例２）
実施例と異なるのは、粗化面の形成前の加熱処理を１００℃／３０分＋１５０℃／３０分＋２８０℃／１時間で行なった点であり、それ以外の条件は、実施例と同一である。金属層の光沢度は、１．２４であった。
【０１０８】
以上、実施例および比較例で製造されたプリント配線板について、金属層の光沢度、絶縁層の膨れの発生率、絶縁層の剥がれの発生率、及び層間絶縁層上に形成された導体回路の断線の有無の計４項目について、比較した。結果を表１に示す。実施例では、光沢度は０．１５〜１．０の範囲に抑えられ、層間絶縁層の膨れ、剥がれおよび導体回路の断線の発生はなかった。
【０１０９】
【表１】
＊２ 層間絶縁層形成後、表層を目視にて観察した。
＊３ めっき膜形成後、に表層を目視で観察した。
＊４ ヒートサイクル試験液槽125℃ 3min / -55℃ 3min 条件にて100cycles後に目視で確認した。
【０１１０】
【発明の効果】
本発明によれば、加熱処理されており、しかも、０．１５〜１．００の光沢度を有している金属層から、均一な凹凸面を有する金属下地層が形成される。このような金属下地層は、導体回路として機能するとともに、絶縁樹脂層の下地としても働き、金属下地層と絶縁樹脂層とが金属下地層上の均一な凹凸の粗化面を介して強固に密着する。このため、本発明では、導体回路上の絶縁樹脂層が加熱によって収縮しても、絶縁樹脂層の膨れや剥離の発生が著しく抑制され、接続性及び信頼性に極めて優れたプリント配線板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる一例の金属下地層の縦断面図である。
【図２】本発明にかかる他の例の金属下地層の縦断面図である。
【図３】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図４】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図５】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図６】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図８】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図９】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１０】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１１】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１２】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１３】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１４】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１５】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１６】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１７】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１８】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図１９】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図２０】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図２１】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【図２２】本発明にかかる一例のプリント配線板の製造工程図である。
【符号の説明】
１，１０３ 基板
２ 銅箔
３ 銅張積層板
４ 削孔
５ 内層銅パターン
６，４８ スルーホール
７，７ａ，８，８ａ，９，３２，１０２，１０６ 粗化面
１０ スルーホール内壁
１３，１６ 配線基板
１１，１２ 樹脂層
１４，１５，１０８ 粗化層
１７ 接着剤層
１８，２４ 黒円
１９，３５ フォトマスクフィルム
２０ 開口（バイアホール形成用開口）
２３，２９ 無電解銅めっき膜
２５ 感光性ドライフィルム
２６ マスク
２７ めっきレジスト
２８ 電解銅めっき膜
３０，３１，１０４，１０７ 金属層
３３ ソルダーレジスト用組成物
３４ 円パターン（マスクパターン）
３６ はんだパッド部分
３７ バイアホールとそのランド部分
３８ ソルダーレジスト層
３９，４３ プリント配線板
４０ ニッケルめっき層
４１ 金めっき層
４２ はんだバンプ（はんだ体）
１０１，１０５ 金属下地層
Claims (8)
- 基板と前記基板上の導体回路とを備える、プリント配線板において、
導体回路が金属下地層から形成されており、前記金属下地層が金属層を備えており、前記金属下地層上に粗化面が設けられており、前記金属下地層上に絶縁樹脂層が設けられており、前記粗化面の形成に先立ち、前記金属層が50 〜 250 ℃の間の少なくとも 1 種の温度で、かつ、前記温度を少なくとも 10 分保持することによって加熱処理されており、前記金属層の加熱処理後であって、前記粗化面の形成前に、前記金属層の表面が、0.15〜1.00( グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製 GAMMODEL 144 DENSITOMETER による数値 )の光沢度を有しており、前記粗化面の凹凸の段差は 1 〜 10 μ m の最大高さ (Ry) で表されていることを特徴とする、プリント配線板。 - 前記粗化面が、前記金属層のソフトエッチングによって形成されていることを特徴とする、請求項1記載のプリント配線板。
- 前記粗化面が、前記金属層上に析出させた無電解めっきによって形成されていることを特徴とする、請求項1又は2記載のプリント配線板。
- 前記粗化面の凹凸の段差が2 〜 7 μ mの最大高さ(Ry)で表されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項記載のプリント配線板。
- 前記絶縁樹脂層上に上層導体回路が設けられており、前記金属下地層と前記上層導体回路とが、バイアホールによって電気的に接続されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項記載のプリント配線板。
- 請求項1〜5のいずれか1項記載のプリント配線板を得るための被処理体であって、
被処理体が基板と前記基板上の金属層とを備えており、前記金属層が50 〜 250 ℃の間の少なくとも 1 種の温度で、かつ、前記温度を少なくとも 10 分保持することによって加熱処理されており、前記金属層の表面が0.15〜1.00( グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製 GAMMODEL 144 DENSITOMETER による数値 )の光沢度を有していることを特徴とする、被処理体。 - 基板上の導体回路を備えている、プリント配線板を得るにあたり、
(a)基板上に金属層を設ける工程、
(b)金属層を50 〜 250 ℃の間の少なくとも 1 種の温度で、かつ、前記温度を少なくとも 10 分保持することによって加熱処理し、前記金属層の表面を0.10〜1.00( グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製 GAMMODEL 144 DENSITOMETER による数値 )の光沢度に制御し、前記金属層を含む金属下地層を形成する工程、及び
(c)前記金属下地層の表面に粗化面を形成する工程であり、前記粗化面の凹凸の段差は 1 〜 10 μ m の最大高さ (Ry) で表される工程
を備えることを特徴とする、プリント配線板の製造方法。 - 前記粗化面の凹凸の段差が、 2 〜 7 μ m の最大高さ (Ry) で表されることを特徴とする、請求項7記載のプリント配線板の製造方法。
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