JPH01129491A - 錫または錫一鉛合金の剥離方法 - Google Patents
錫または錫一鉛合金の剥離方法Info
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プリント配線基板の製造における賜または錫
−鉛合金の剥離液に関するものであり、更に詳細に述べ
れば、錫または錫−鉛合金を銅基質から該基質を損傷す
ることなく、選択的に短時間で剥離することのできる錫
または錫−鉛合金の剥離方法に関するものである。
−鉛合金の剥離液に関するものであり、更に詳細に述べ
れば、錫または錫−鉛合金を銅基質から該基質を損傷す
ることなく、選択的に短時間で剥離することのできる錫
または錫−鉛合金の剥離方法に関するものである。
従来、銅基質上の錫または錫−鉛合金の剥離は、例えば
ホウフッ酸と過酸化水素、あるいは硝酸と過酸化水素の
混合液などを用いて行われてきた。
ホウフッ酸と過酸化水素、あるいは硝酸と過酸化水素の
混合液などを用いて行われてきた。
これらの剥離液は過酸化水素のような強力な酸化剤を含
んでいるたるめ、銅基質上の錫または錫−鉛合金と、銅
基質と錫または錫−鉛合金との界面に生じる錫と銅から
なる拡散層の両方な一工程で剥離することができるが、
その強力な酸化力のゆえに、銅基質、特にパターンのサ
イド部分の銅基質が著しく損傷をうける欠点があった。
んでいるたるめ、銅基質上の錫または錫−鉛合金と、銅
基質と錫または錫−鉛合金との界面に生じる錫と銅から
なる拡散層の両方な一工程で剥離することができるが、
その強力な酸化力のゆえに、銅基質、特にパターンのサ
イド部分の銅基質が著しく損傷をうける欠点があった。
〔問題点を解決するための手段・作用〕本発明によれば
、錫または錫−鉛合金の剥離を、異なる2種類の剥離液
を用いる2つの工程で行うことにより、銅基質の損傷を
従来技術に比べ著しく少なくすることができた。以下更
に詳細に本発明を説明する。
、錫または錫−鉛合金の剥離を、異なる2種類の剥離液
を用いる2つの工程で行うことにより、銅基質の損傷を
従来技術に比べ著しく少なくすることができた。以下更
に詳細に本発明を説明する。
銅基質上に錫または錫−“鉛合金メツキを施すと、錫原
子が銅の格子欠陥に入り込み、銅基質と錫または錫−鉛
合金メツキとの界面に拡散層が形成される。錫または錫
−鉛合金メツキの部分とこの拡゛敗層とでは酸化電位が
異なり、拡散層の方が剥離するのにより強い酸化作用を
必要とする。従来の剥離液では、過酸化水素のような酸
化作用の強い酸化剤を用いて、この拡散層を剥離してき
たが、そのような強い酸化作用は錫または錫−鉛合金メ
ツキ層の剥離がおわり、拡散層の剥離が始まった時点で
はじめて必要とされるのであって、錫または錫−鉛合金
メツキ層が剥離される段階では、この強い酸化作用がパ
ターンサイド部分の露出している銅基質を著しくおかす
のみならず、錫または錫−鉛合金層の表面に不溶性の酸
化被膜が形成される原因ともなり有害無益である。
子が銅の格子欠陥に入り込み、銅基質と錫または錫−鉛
合金メツキとの界面に拡散層が形成される。錫または錫
−鉛合金メツキの部分とこの拡゛敗層とでは酸化電位が
異なり、拡散層の方が剥離するのにより強い酸化作用を
必要とする。従来の剥離液では、過酸化水素のような酸
化作用の強い酸化剤を用いて、この拡散層を剥離してき
たが、そのような強い酸化作用は錫または錫−鉛合金メ
ツキ層の剥離がおわり、拡散層の剥離が始まった時点で
はじめて必要とされるのであって、錫または錫−鉛合金
メツキ層が剥離される段階では、この強い酸化作用がパ
ターンサイド部分の露出している銅基質を著しくおかす
のみならず、錫または錫−鉛合金層の表面に不溶性の酸
化被膜が形成される原因ともなり有害無益である。
本発明においては、上記のような従来技術の欠点を改善
するべく、賜または錫−鉛合金剥離を2段階で行うもの
であり、第一段階においては、錫または錫−鉛合金メツ
キ層のみを剥離し、拡散層を剥離しない程度の適当な酸
化作用を有する薬液を使用する。この薬液の酸化作用は
、拡散層および銅基質をおかすほど強くはないので、錫
または錫−鉛合金メツキ層が剥離されている時にパター
ンサイド部分の露出している銅基質がおかされることは
殆んどなく、また錫または錫−鉛合金層表面に不溶性の
酸化被膜が形成されて剥離が阻害されることもない。
するべく、賜または錫−鉛合金剥離を2段階で行うもの
であり、第一段階においては、錫または錫−鉛合金メツ
キ層のみを剥離し、拡散層を剥離しない程度の適当な酸
化作用を有する薬液を使用する。この薬液の酸化作用は
、拡散層および銅基質をおかすほど強くはないので、錫
または錫−鉛合金メツキ層が剥離されている時にパター
ンサイド部分の露出している銅基質がおかされることは
殆んどなく、また錫または錫−鉛合金層表面に不溶性の
酸化被膜が形成されて剥離が阻害されることもない。
第二段階においては、比較的強い酸化作用をもった薬液
を使用し、第一段階後に銅基質上に残された拡散層を剥
離して銅基質を露出させる。拡散層は厚みが1μm以下
の非常に薄い層であって、剥離は数秒以内で完了する。
を使用し、第一段階後に銅基質上に残された拡散層を剥
離して銅基質を露出させる。拡散層は厚みが1μm以下
の非常に薄い層であって、剥離は数秒以内で完了する。
接液時間は短いため比較的強い酸化作用を有するものを
使用しても銅基質の損傷は極めて僅少である。
使用しても銅基質の損傷は極めて僅少である。
本発明は以上の如く、銅基質から該基質を損傷すること
なしに、錫または錫−鉛合金を剥離するのに適した剥離
方法である。
なしに、錫または錫−鉛合金を剥離するのに適した剥離
方法である。
本発明の剥離液は、第一の薬液及び第二の薬液から成り
、各々の薬液は以下の成分から構成されろ。
、各々の薬液は以下の成分から構成されろ。
本発明の第一の薬液の第一成分は(イ)芳香族核に少な
くとも1つの−NO2基を有する芳香族ニトロ買換化合
物、例えば叶1m−及びp−二トロベンゼンスルホン酸
及びそれらの塩; o−、m−及びp−ニトロ安息谷酸
及びそれらの塩; o−、m−及びp−ニトロフェノー
ル及びそれらの塩などである。これらの中でも、性能、
経済)生などの点で、m−ニトロベンゼンスルホン酸ナ
トリウムが最も好ましい。
くとも1つの−NO2基を有する芳香族ニトロ買換化合
物、例えば叶1m−及びp−二トロベンゼンスルホン酸
及びそれらの塩; o−、m−及びp−ニトロ安息谷酸
及びそれらの塩; o−、m−及びp−ニトロフェノー
ル及びそれらの塩などである。これらの中でも、性能、
経済)生などの点で、m−ニトロベンゼンスルホン酸ナ
トリウムが最も好ましい。
前記芳香族置換化合物は、錫または錫−鉛合金層を剥離
するのに充分で、かつ拡散層が剥離しない程度の酸化作
用を第一の薬液に与えるために添加されており、第一の
薬液の必須成分である。その添加量は1g71〜500
g/ lで、好ましくは、5g/β〜200g/ f!
の範囲内で使用するのが実用的である。5g/β以下で
使用した場合には上記の効果が期待できず、また2Of
]g/ E以上ではそれ以上の効果が期待できず不経済
である。
するのに充分で、かつ拡散層が剥離しない程度の酸化作
用を第一の薬液に与えるために添加されており、第一の
薬液の必須成分である。その添加量は1g71〜500
g/ lで、好ましくは、5g/β〜200g/ f!
の範囲内で使用するのが実用的である。5g/β以下で
使用した場合には上記の効果が期待できず、また2Of
]g/ E以上ではそれ以上の効果が期待できず不経済
である。
第一の薬液の第二成分は、(ロ)塩酸、硝酸、硫酸、ホ
ウフッ酸、フッ化水素酸、スルファミン酸、メタンスル
ホン酸、グリコール酸、乳酸、酢酸の中から選ばれる無
機酸および/または有機酸であり、中でも硝酸が最も好
ましい。
ウフッ酸、フッ化水素酸、スルファミン酸、メタンスル
ホン酸、グリコール酸、乳酸、酢酸の中から選ばれる無
機酸および/または有機酸であり、中でも硝酸が最も好
ましい。
このようなf@機酸および/または有機酸は、錫または
錫−鉛合金層の溶解促進に寄与しており、これもまた第
一の薬液の必須成分である。−れらは50g/ 1〜3
f)Og/βの範囲で使用するのが実用的で、500g
、/p以下では溶解促進効果があまり期待できず、30
0g/j2以上だ、:′I:1生能はそれ以上向上せず
、不経済である。。
錫−鉛合金層の溶解促進に寄与しており、これもまた第
一の薬液の必須成分である。−れらは50g/ 1〜3
f)Og/βの範囲で使用するのが実用的で、500g
、/p以下では溶解促進効果があまり期待できず、30
0g/j2以上だ、:′I:1生能はそれ以上向上せず
、不経済である。。
本発明の第一・−の薬液の主成分は上記の通りであるが
、上記の成分の他に、沈殿制御剤等を添加することもで
きる。
、上記の成分の他に、沈殿制御剤等を添加することもで
きる。
本発明の第二の薬液としては、従来の過酸化水素を含む
無機酸あるいは有機酸水溶液から成る剥離液なども使用
できるが、過酸化水素は不安定かつ危険でもあるので、
第二の薬液としては塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸ア
ンモニウムの中から選ばれる酸化剤を主成分とするもの
がより好ましい。
無機酸あるいは有機酸水溶液から成る剥離液なども使用
できるが、過酸化水素は不安定かつ危険でもあるので、
第二の薬液としては塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸ア
ンモニウムの中から選ばれる酸化剤を主成分とするもの
がより好ましい。
第二の薬液として、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸ア
ンモニウムの中から選ばれる酸化剤を主成分とする場合
、この主成分の添加量は0.5g/β〜100g/βで
あるが、実用的には1.5g/ 1〜4.0g/βの範
囲内で使用するのが好ましい。1.5g/ n以下では
薬液の単位重量あたりの処理力が充分でなく、また4、
0g/ f!以上では銅基質が損傷をうける恐れがあ
る。
ンモニウムの中から選ばれる酸化剤を主成分とする場合
、この主成分の添加量は0.5g/β〜100g/βで
あるが、実用的には1.5g/ 1〜4.0g/βの範
囲内で使用するのが好ましい。1.5g/ n以下では
薬液の単位重量あたりの処理力が充分でなく、また4、
0g/ f!以上では銅基質が損傷をうける恐れがあ
る。
以下の実施例および比較例によって本発明を更に具体的
に説明する。
に説明する。
実施例
第一の薬液
メタニトロベンゼンスルホン酸ソーダ
100g/β
スルファミン酸 200g/β水
残部第二の薬液 塩化第二鉄 3g/β水
残部銅でパターン形成されたエポ
キシ−ガラス板に、スズ60%および鉛40%を含む半
田をメツキした坂(半田厚:10μm)を、40℃の上
記の第一の薬液に浸漬したところ、半田層が約45秒で
剥離し、錫と銅からなる拡散層は除去されずに残った。
残部第二の薬液 塩化第二鉄 3g/β水
残部銅でパターン形成されたエポ
キシ−ガラス板に、スズ60%および鉛40%を含む半
田をメツキした坂(半田厚:10μm)を、40℃の上
記の第一の薬液に浸漬したところ、半田層が約45秒で
剥離し、錫と銅からなる拡散層は除去されずに残った。
更に60分間液中に浸漬しつづけても拡散層はおかされ
なかった。
なかった。
第一の薬液で半田層を除去した基板を、25℃の上記の
第二の薬液に浸漬すると、約5秒で拡散層は完全に除去
され、銅基質が露出した。
第二の薬液に浸漬すると、約5秒で拡散層は完全に除去
され、銅基質が露出した。
比較例
硝酸 300g/ 1過酸化水
素 20g/ I!水
残部実施例と同条件で作成した半田
メツキ基板を40℃の上記の組成の液に浸漬したところ
、約50秒で半田が剥離し、銅面が露出した。
素 20g/ I!水
残部実施例と同条件で作成した半田
メツキ基板を40℃の上記の組成の液に浸漬したところ
、約50秒で半田が剥離し、銅面が露出した。
実施例と比較例の半田剥離前のパターン幅と半田剥離後
のパターン幅を測定して、パターンのサイドエツチング
量を調べた。実施例ではパターンサイドは0.5μ削ら
れいるにすぎなかったが、比較例ではパターンサイドが
2.5μ削られていた。
のパターン幅を測定して、パターンのサイドエツチング
量を調べた。実施例ではパターンサイドは0.5μ削ら
れいるにすぎなかったが、比較例ではパターンサイドが
2.5μ削られていた。
本発明の錫または錫−鉛合金の剥離方法によれば、比較
的酸化作用の弱い第一の薬液によって錫または錫−鉛合
金を溶解除去し、次いで比較的酸化作用の強い第二の薬
液によって錫と銅とからなる拡散層を溶解除去するので
、パターンサイド部分の露出している銅基質が浸されず
、また、錫または錫−鉛合金層の表面に不溶性酸化被膜
が形成されないので、高品位のプリント配線銅基板を得
ることができる。
的酸化作用の弱い第一の薬液によって錫または錫−鉛合
金を溶解除去し、次いで比較的酸化作用の強い第二の薬
液によって錫と銅とからなる拡散層を溶解除去するので
、パターンサイド部分の露出している銅基質が浸されず
、また、錫または錫−鉛合金層の表面に不溶性酸化被膜
が形成されないので、高品位のプリント配線銅基板を得
ることができる。
Claims (3)
- 1.比較的酸化作用の弱い第一の薬液によって、錫と銅
からなる拡散層を残して、錫または錫−鉛合金層のみを
溶解した後、比較的酸化作用の強い第二の薬液によって
、錫と銅からなる拡散層を溶解して銅基質を露出させる
ことを特徴とする錫または錫−鉛合金をレジストとして
回路形成された基板からの錫または錫−鉛合金の剥離方
法。 - 2.第一の薬液組成が (イ) 芳香族核に少なくとも1つの−NO_2基を有
する芳香族ニトロ置換化合物、および (ロ) 塩酸、硝酸、硫酸、ホウフッ酸、フッ化水素酸
、スルファミン酸、メタスルホン酸、グリコール酸、乳
酸、酢酸の中から選ばれる無機酸および/または有機酸
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第一項記載の錫
または錫−鉛合金の剥離方法。 - 3.第二の薬液組成が、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫
酸塩のうちから選ばれる酸化剤を含むことを特徴とする
特許請求の範囲第二項記載の錫または錫−鉛合金の剥離
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62287521A JP2587254B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 錫または錫一鉛合金の剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62287521A JP2587254B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 錫または錫一鉛合金の剥離方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01129491A true JPH01129491A (ja) | 1989-05-22 |
JP2587254B2 JP2587254B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=17718423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62287521A Expired - Lifetime JP2587254B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 錫または錫一鉛合金の剥離方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2587254B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN107163947A (zh) * | 2017-06-02 | 2017-09-15 | 合肥市惠科精密模具有限公司 | 一种用于液晶面板制造工艺的铜蚀刻液 |
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---|---|---|---|---|
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JPS57164984A (en) * | 1981-04-06 | 1982-10-09 | Metsuku Kk | Exfoliating solution for tin or tin alloy |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP62287521A patent/JP2587254B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2587254B2 (ja) | 1997-03-05 |
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