WO2011099597A1 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

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WO2011099597A1
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electroless
printed wiring
wiring board
solution
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Inventor
秀臣 高橋
文 後藤
伸治 林
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荏原ユージライト株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a printed wiring board, and more particularly, in the production of a printed wiring board by a semi-additive method, when electroless nickel / palladium / gold plating is performed as a final surface treatment,
  • the present invention relates to a printed wiring board manufacturing method capable of depositing plating only on a copper wiring pattern.
  • a semi-additive method is used as a method of manufacturing a printed wiring board having a high-density copper wiring pattern.
  • a palladium catalyst is applied to the entire surface of the resin substrate of the printed wiring board, electroless copper plating is performed, a resist pattern is formed, and electrolytic copper plating is performed. Then, unnecessary resist and electroless copper are peeled off to form a high-density copper wiring pattern.
  • the palladium catalyst on the resin substrate is further removed with a cyanide compound or a strongly acidic removal solution (Patent Documents 1 and 2), or with a bridge prevention liquid (Patent Document 3) containing a sulfur-containing organic compound. Techniques for processing have been reported.
  • electroless nickel plating and then electroless gold plating are generally used as the final surface treatment for copper wiring patterns.
  • recent electroless nickel plating solutions contain heavy metals and sulfur compounds as plating solution stabilizers, so even if the trace amounts of copper and palladium remaining inside the resin substrate exist. As shown in FIG. 1, electroless nickel plating did not deposit on the resin base material, which was not a big problem.
  • an object of the present invention is to provide an electroless nickel plating, an electroless palladium plating, and an electroless gold plating without bridging on a resin substrate of a printed wiring board having a high-density copper wiring pattern manufactured by a semi-additive method. It is to provide a technology capable of
  • the present inventors have processed a printed wiring board having a high-density copper wiring pattern produced by a semi-additive construction method with a specific catalyst removing solution, and then further specified a specific one. It has been found that, even if electroless nickel / palladium / gold plating is performed thereafter by treating with a bridging prevention solution, plating can be performed only on metal without depositing plating on the resin substrate.
  • the present inventors deposit plating on a resin substrate even in a printed wiring board having a higher-density copper wiring pattern, particularly by drying the printed wiring board at a specific stage of the above process.
  • the present invention was completed by finding that it can be plated only on metal.
  • the present invention treats a printed wiring board on which a copper wiring pattern is formed by a semi-additive construction method with a catalyst removing solution containing nitric acid, chlorine ions and a cationic polymer, and then a bridge preventing solution containing a sulfur-containing organic substance. It is a manufacturing method of the printed wiring board characterized by performing an electroless nickel plating, an electroless palladium plating, and an electroless gold plating after that.
  • the present invention is the above-described method for manufacturing a printed wiring board, wherein the printed wiring board is dried after the printed wiring board is treated with an anti-bridging solution containing a sulfur-containing organic substance and before electroless nickel plating.
  • electroless nickel / palladium / gold plating can be performed only on the copper wiring pattern of the printed wiring board produced by the semi-additive method.
  • the electron micrograph which shows the state after electroless nickel plating, and the state of resin The electron micrograph which shows the state of the pattern and resin after electroless palladium plating. The electron micrograph which shows the pattern after electroless gold plating and the state of resin. Electron micrograph showing the deposition state of plating on the substrate after processing in Example 1 Electron micrograph showing the deposition state of the plating on the substrate after processing in Comparative Example 4
  • the catalyst removing solution containing nitric acid, chloride ions and cationic polymer used in the present invention is a wiring of a catalyst such as palladium used for electroless copper plating. It is removed from the resin of the substrate.
  • This catalyst removal solution is described in Patent Document 2, but this document does not describe at all how it is used in a method for manufacturing a printed wiring board for performing three-layer plating as in the present invention. .
  • the content of nitric acid in the catalyst removal solution is preferably 50 to 500 mL / L, particularly preferably 100 to 400 mL / L as 67.5% by mass (hereinafter simply referred to as “%”) nitric acid. If the nitric acid content is less than 50 mL / L, the catalyst removal effect is hardly obtained. Moreover, when it exceeds 500 mL / L, not only the removal effect of a catalyst will not improve, but the solubility with respect to the copper which formed the circuit will also become large.
  • the source of chlorine ions in the catalyst removal liquid is one that dissolves in a nitric acid solution to generate chlorine ions in the liquid and does not particularly affect the removal ability of the catalyst. be able to.
  • this catalyst removal solution contains a high concentration of nitric acid
  • an inorganic material that is stable against nitric acid is preferred.
  • examples of such inorganic substances include inorganic chlorides such as hydrochloric acid or sodium chloride, potassium chloride, ammonium chloride, copper chloride, iron chloride, nickel chloride, cobalt chloride, tin chloride, zinc chloride, and lithium chloride. Of these inorganic substances, hydrochloric acid and sodium chloride are preferred.
  • the chlorine ion content is preferably 1 to 60 g / L as chlorine ion, and particularly preferably 5 to 50 g / L.
  • the chlorine ion content is less than 1 g / L, the catalyst removal effect is hardly obtained. Further, even if the amount exceeds 60 g / L, no further improvement in the catalyst removal effect can be expected.
  • the cationic polymer added to the catalyst removing solution is a component for suppressing the solubility of copper forming the circuit pattern.
  • a cationic polymer those having sufficient solubility in a liquid containing nitric acid and chloride ions are preferable.
  • PI polyethyleneimine
  • PAS polyaminesulfone
  • PV polyvinylimidazole
  • More specific cationic polymers include polyethyleneimine, epomin (manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.), and polyamine sulfone, PAS (manufactured by Nitto Boseki Co., Ltd.).
  • the content of the cationic polymer is preferably from 0.01 to 50 g / L, particularly preferably from 0.05 to 20 g / L.
  • the content of the cationic polymer is less than 0.01 g / L, there is almost no effect of lowering the solubility in copper, and when it is more than 50 g / L, there is not only an effect of lowering the solubility in copper but also the catalyst removal effect. Also decreases.
  • the catalyst removal solution contains surfactants and NOx inhibitors that are usually used to improve the permeability and wettability to resins and copper in amounts that do not affect the removal of the catalyst.
  • the surfactant is preferably a nonionic one, specifically, a polyoxyethylene / polyoxypropylene copolymer or a polyoxyethylene alkyl ether structure, and the addition amount is 1 to 10 g / L. preferable.
  • the NOx inhibitor include urea and sulfamic acid, and the addition amount is preferably 1 to 10 g / L.
  • anti-bridging liquid a compound containing a sulfur atom and a carbon atom may be used.
  • sulfur-containing organic substances include thiourea derivatives, thiols, sulfides, thiocyanates, sulfamic acids or salts thereof.
  • This bridging prevention liquid is described in Patent Document 3, but this document does not describe at all how it is used in a method for manufacturing a printed wiring board for performing three-layer plating as in the present invention. .
  • thiourea derivatives include thiourea, diethylthiourea, tetramethylthiourea, 1-phenyl-2-thiourea, and thioacetamide.
  • thiols include 2-mercaptoimidazole, 2-mercaptothiazoline, 3-mercapto-1,2,4-triazole, mercaptobenzimidazole, mercaptobenzoxazole, mercaptobenzothiazole, and mercaptopyridine.
  • examples of the sulfide include 2-aminophenyl disulfide, tetramethylthiuram disulfide, and thiodiglycolic acid.
  • examples of thiocyanates include sodium thiocyanate, potassium thiocyanate, and ammonium thiocyanate.
  • examples of sulfamic acid or salts thereof include sulfamic acid, ammonium sulfamate, sodium sulfamate, and potassium sulfamate.
  • the concentration of the sulfur-containing organic substance in the prevention liquid of the present invention is preferably 0.1 to 100 g / L, particularly preferably 0.2 to 50 g / L.
  • the bridging prevention liquid contains an inorganic acid such as sulfuric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, water, etc.
  • An alkali salt such as sodium oxide or potassium hydroxide, an organic solvent such as alcohol, ether or ketone, or a surfactant such as sodium alkyl sulfate or polyoxyethylene alkyl ether may be added in an amount that does not impair the effects of the present invention. good.
  • a printed wiring board (hereinafter sometimes referred to as “substrate”) on which a copper wiring pattern is formed by a semi-additive method.
  • substrate a printed wiring board
  • electroless copper plating is performed, then a resist pattern is formed, and after electrolytic copper plating, the unnecessary resist and electroless copper are peeled off. How to do it. Since this semi-additive construction method is already well known and widely used, detailed description thereof is omitted here.
  • the substrate is first treated with a catalyst removing solution, then treated with an anti-bridging solution, and then electroless nickel plating, electroless palladium plating, and electroless gold plating are performed in this order.
  • the treatment with the catalyst removal liquid may be performed by immersing the substrate in the catalyst removal liquid or spraying the catalyst removal liquid on the substrate by spraying or the like. Both immersion and spraying are preferably performed at a liquid temperature of 10 to 50 ° C. for 30 seconds to 3 minutes.
  • the treatment with the bridging prevention liquid is performed after the catalyst removal liquid treatment, but may be performed immediately thereafter or during the pretreatment of electroless nickel plating. Degreasing, soft etching, pickling, activator, post dipping, etc. are performed after the catalyst removal solution treatment and before electroless nickel plating. It is preferable to carry out after washing. It is not preferable to perform the treatment with the bridging prevention solution after the activator and before the electroless nickel plating because it affects the electroless nickel plating.
  • the treatment with the bridging prevention liquid may be performed by immersing the substrate in the bridging prevention liquid or by spraying the bridging prevention liquid on the substrate by spraying or the like.
  • both immersion and spraying are preferably performed at a liquid temperature of 10 to 50 ° C. for 10 seconds to 5 minutes.
  • the immersion treatment is preferable in terms of equipment.
  • the substrate subjected to the catalyst removal solution treatment and the bridging prevention solution treatment is subjected to electroless nickel plating, electroless palladium plating, and electroless gold plating in this order.
  • electroless platings are not particularly restricted and contain a reducing agent such as sodium hypophosphite, formaldehyde, sodium borohydride, dimethylamine borane, hydrazine, and metal salts of nickel, palladium, and gold. Things can be used.
  • a reducing agent such as sodium hypophosphite, formaldehyde, sodium borohydride, dimethylamine borane, hydrazine, and metal salts of nickel, palladium, and gold. Things can be used.
  • the printed wiring board After the treatment with the bridging solution, before the electroless nickel plating, preferably with the bridging solution, and after washing with water, the printed wiring board is dried, which is higher than when this is not done.
  • the degree of drying of the printed wiring board is not particularly limited.
  • the printed wiring board may be dried until water droplets are not visually recognized on the board.
  • the drying means is not particularly limited, and may be performed using a known drying means using compressed air, hot air, cold air, or the like, or a combination thereof. Note that drying time can be shortened by drying with hot air after previously drying with cold air or compressed air until no large water droplets are visually recognized on the substrate.
  • the line / space (L / S) is 20/20, 30/30, 50/50, 75/75 ( ⁇ m) on a printed circuit board (ABF-GX13 manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) by the semi-additive method.
  • a test piece 1 having four types of copper wiring patterns and a test piece 2 having a copper wiring pattern having a line / space (L / S) of 15/15 ( ⁇ m) were prepared as follows.
  • the ABF material laminated on the core material of the printed circuit board was roughened by desmear (DS-250 * ) and neutralized and reduced (DS-350 * ).
  • the cleaner conditioner (PB-119S * ), pre-dip (PB-323 * ), catalyzer (PB-318 * ), accelerator (PB-445 * ) are treated, and electroless copper plating (PB-503 * ) is applied. I did it.
  • a plating resist was formed using a dry film, and electrolytic copper plating (CU-BRITE 21 * ) was performed to form a copper pattern.
  • the electroless copper on a plating resist and a base material was peeled, and the board
  • Example 1 The test piece 1 prepared in the reference example was immersed in the catalyst removal solution shown in Table 1 for 2 minutes at 50 ° C., and then immersed in an anti-bridging solution (1 g / L 2-mercaptothiazoline solution) at 25 ° C. for 1 minute. It was. Then, it is immersed in a 50 ° C. degreasing solution (100 ml / L PB-242D * ) for 5 minutes, and further in a 25 ° C. soft etching solution (100 g / L PB-228 * and 50 ml / L sulfuric acid (98%)) for 1 minute. Then, it was immersed in a pickling solution at 25 ° C.
  • test piece 1 treated as described above was immersed in an electroless nickel plating solution having the composition shown in Table 2, plated at 80 ° C. for 20 minutes, and then transferred to an electroless palladium plating solution having the composition shown in Table 3. After plating for 10 minutes, plating treatment was performed at 85 ° C. for 10 minutes with an electroless gold plating solution having the composition shown in Table 4. In addition, the water washing process was provided between each said process, respectively.
  • Example 2 The test piece 1 was subjected to gold plating in the same manner as in Example 1 except that the bridge prevention solution immersion treatment and the degreasing solution immersion treatment were replaced. That is, the composition of the treatment liquid and the treatment conditions are the same as in Example 1. After immersing the test piece 1 in the catalyst removal liquid, degreasing, bridging prevention liquid, soft etching, pickling, activator, electroless nickel plating, electroless It processed in order of palladium plating and electroless gold plating.
  • Example 3 The test piece 1 was subjected to gold plating in the same manner as in Example 1 except that the bridging prevention liquid immersion treatment was changed after the soft etching. That is, the composition of the treatment liquid and the treatment conditions are the same as in Example 1. After immersing the test piece 1 in the catalyst removal liquid, degreasing, soft etching, bridging prevention liquid, pickling, activator, electroless nickel plating, electroless It processed in order of palladium plating and electroless gold plating.
  • Example 4 The test piece 1 was subjected to gold plating in the same manner as in Example 1 except that the bridging prevention liquid immersion treatment was changed after the pickling treatment. That is, the composition of the treatment liquid and the treatment conditions were the same as in Example 1. After immersing the test piece 1 in the catalyst removal liquid, degreasing, soft etching, pickling, bridging prevention liquid, activator, electroless nickel plating, no It processed in order of electrolytic palladium plating and electroless gold plating.
  • Comparative Example 1 The test piece 1 was subjected to gold plating in the same manner as in Example 1 except that the catalyst removal solution immersion treatment and the bridge prevention solution immersion treatment were omitted. That is, the composition of the treatment liquid and the treatment conditions are the same as in Example 1, and the test piece 1 is subjected to degreasing, soft etching, pickling, activator, electroless nickel plating, electroless palladium plating, and electroless gold plating in this order. Processed.
  • Comparative Example 2 Since the catalyst removal treatment is immersed in the catalyst removal solution described in Table 1 at 50 ° C. for 2 minutes, the catalyst removal treatment is changed to immersion in the catalyst removal solution shown in Table 5 at 35 ° C. for 1 minute. Except that is omitted, the test piece 1 was processed in the same manner as in Example 1 until the gold plating. That is, the test piece 1 was treated in the order of degreasing, soft etching, pickling, activator, electroless nickel plating, electroless palladium plating, and electroless gold plating after immersion in the cyan catalyst removal solution. The composition and processing conditions of each processing solution other than the cyan catalyst removal solution are the same as those in Example 1.
  • Comparative Example 3 Except for omitting the bridging prevention liquid immersion treatment, the test piece 1 was treated in the same manner as in Example 1 until the gold plating. That is, the composition of the treatment liquid and the treatment conditions are the same as in Example 1. After immersing the test piece 1 in the catalyst removal liquid, degreasing, soft etching, pickling, activator, electroless nickel plating, electroless palladium plating, no The treatment was performed in the order of electrolytic gold plating.
  • Comparative Example 4 Except for omitting the catalyst removal liquid immersion treatment, the test piece 1 was treated in the same manner as in Example 1, and the procedure up to gold plating was performed. That is, the composition of the treatment liquid and the treatment conditions are the same as in Example 1. After immersing the test piece 1 in the bridging prevention liquid, degreasing, soft etching, pickling, activator, electroless nickel plating, electroless palladium plating, no The treatment was performed in the order of electrolytic gold plating.
  • Test example 1 For the test piece 1 after gold plating in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4, the line / space (L / S) was 20/20, 30/30, 50/50, 75/75 ( The deposition state of the plating on the resin for each part of ( ⁇ m) was observed with FE-SEM (ULTRA 55 manufactured by Carl Zeiss), and the results were evaluated according to the following evaluation criteria. The observation results are shown in Table 6. Moreover, the electron micrograph of the test piece 1 of Example 1 is shown in FIG. 4, and the electron micrograph of the test piece 1 of the comparative example 4 is shown in FIG.
  • plating was deposited on the resin due to the influence of the residual metal in the treatment with the catalyst removal solution alone or the treatment with the bridge prevention solution alone.
  • Palladium / gold plating could be performed.
  • Example 5 In order to evaluate the performance of the fine wiring pattern, the test piece 2 produced in the reference example was used for evaluation. It was immersed for 2 minutes at 50 ° C. in the catalyst removal solution described in Table 1, and then immersed for 1 minute in a bridging prevention solution (1 g / L 2-mercaptothiazoline solution) at 25 ° C. After washing with water, it was placed in a dryer at 80 ° C. for 5 minutes and dried until no water droplets were visually recognized on the substrate (hot air drying). Then, it is immersed in a 50 ° C. degreasing solution (100 ml / L PB-242D * ) for 5 minutes, and further in a 25 ° C.
  • a bridging prevention solution (1 g / L 2-mercaptothiazoline solution
  • test piece 2 treated as described above was immersed in an electroless nickel plating solution having the composition shown in Table 2, and after plating at 80 ° C. for 20 minutes, the test piece 2 was transferred to the electroless palladium plating solution having the composition shown in Table 3. After plating for 10 minutes, plating treatment was performed at 85 ° C. for 10 minutes with an electroless gold plating solution having the composition shown in Table 4. In addition, the water washing process was provided between each said process, respectively.
  • Example 6 The test piece 2 was subjected to gold plating in the same manner as in Example 5 except that the substrate after the anti-bridging solution treatment was dried with cold air until no water droplets were visually observed on the substrate (cold air drying 1). . That is, the composition of the treatment liquid and the treatment conditions are the same as in Example 5. After immersing the test piece 2 in the catalyst removal liquid, bridging prevention liquid, cold air drying, degreasing, soft etching, pickling, activator, electroless nickel It processed in order of plating, electroless palladium plating, and electroless gold plating.
  • Example 7 Except for carrying out the drying of the substrate after the bridging prevention liquid treatment with cold air until no large water droplets were visually observed on the substrate (cold air drying 2), and then putting it in a dryer at 80 ° C. for 2 minutes.
  • the test piece 2 was subjected to gold plating. That is, the composition of the treatment liquid and the treatment conditions were the same as in Example 5.
  • After immersing the test piece 2 in the catalyst removal liquid drying the bridge prevention liquid, cold air and hot air, degreasing, soft etching, pickling, activator, no It processed in order of electrolytic nickel plating, electroless palladium plating, and electroless gold plating.
  • Example 8 The test piece 2 was subjected to gold plating in the same manner as in Example 5 except that the substrate after the bridge prevention liquid treatment was not dried. That is, the composition of the treatment liquid and the treatment conditions are the same as in Example 5. After immersing the test piece 2 in the catalyst removal liquid, the bridge prevention liquid, degreasing without drying, soft etching, pickling, activator, electroless nickel It processed in order of plating, electroless palladium plating, and electroless gold plating.
  • Example 9 The test piece 2 was subjected to gold plating in the same manner as in Example 5 except that electroless palladium plating was performed with a plating solution having the composition shown in Table 7 at 70 ° C. for 2.5 minutes. That is, except for the change of the palladium plating, it is the same as in Example 5, and after immersing the test piece 2 in the catalyst removal solution, after the bridge prevention solution, hot air drying, degreasing, soft etching, pickling, activator, electroless nickel plating The treatment was performed in the order of electroless palladium plating and electroless gold plating.
  • Example 10 The test piece 2 was subjected to gold plating in the same manner as in Example 9, except that the substrate after the anti-bridging solution treatment was dried with cold air until no water droplets were visually observed on the substrate. That is, the composition of the treatment liquid and the treatment conditions are the same as in Example 9. After immersing the test piece 2 in the catalyst removal liquid, bridging prevention liquid, cold air drying, degreasing, soft etching, pickling, activator, electroless nickel It processed in order of plating, electroless palladium plating, and electroless gold plating.
  • Example 11 The substrate after the anti-bridging solution treatment was dried with cold air until no large water droplets were visually observed on the substrate, and then placed in a dryer at 80 ° C. for 2 minutes in the same manner as in Example 9.
  • the test piece 2 was subjected to gold plating. That is, the composition of the treatment liquid and the treatment conditions were the same as in Example 9. After immersing the test piece 2 in the catalyst removal liquid, drying the bridge prevention liquid, cold air and hot air, degreasing, soft etching, pickling, activator, no It processed in order of electrolytic nickel plating, electroless palladium plating, and electroless gold plating.
  • Example 12 The test piece 2 was subjected to gold plating in the same manner as in Example 9 except that the substrate after the bridge prevention liquid treatment was not dried. That is, the composition of the treatment liquid and the treatment conditions are the same as in Example 9. After immersing the test piece 2 in the catalyst removal liquid, the bridge prevention liquid, degreasing without drying, soft etching, pickling, activator, electroless nickel It processed in order of plating, electroless palladium plating, and electroless gold plating.
  • Test example 2 With respect to the test piece 2 after gold plating in Examples 5 to 12 above, the deposition state of plating on the resin was observed with FE-SEM (ULTRA55 manufactured by Carl Zeiss), and the result was evaluated according to the following evaluation criteria. did. The observation results are shown in Table 8.
  • Evaluation criteria for plating deposition state (Evaluation) (State) A: No precipitation on the resin. B: Although there is a slight partial precipitation on the resin, there is no problem in use. C: There is a problem in use due to partial deposition on the resin. D: Deposited on the entire surface of the resin, causing problems in use.
  • electroless nickel / palladium / gold plating could be performed without depositing on the resin regardless of the composition of electroless palladium plating.
  • the drying time could be shortened by combining cold air drying and hot air drying.
  • the present invention it is possible to cleanly perform electroless nickel plating, electroless palladium plating and electroless gold plating on a high-density copper wiring pattern formed on a printed wiring board by a semi-additive method.
  • the present invention can be advantageously used for manufacturing a printed wiring board on which a high-density copper wiring pattern is formed.

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Abstract

　セミアディティブ工法で作製した、高密度な銅配線パターンに、基材樹脂上にブリッジすることなく、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっきおよび無電解金めっきをすることができる技術を提供することを目的とし、セミアディティブ工法で銅配線パターンが形成されたプリント配線基板を、硝酸、塩素イオンおよびカチオン性ポリマーを含有する触媒除去液で処理し、次いで含イオウ有機物を含有するブリッジ防止液で処理し、その後、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっきおよび無電解金めっきを行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法を提供する。

Description

プリント配線板の製造方法
　本発明は、プリント配線板の製造方法に関し、更に詳細には、セミアディティブ工法でのプリント配線板製造において、最終表面処理として、無電解ニッケル／パラジウム／金めっきをする際に、プリント配線基板の銅配線パターン上のみにめっきを析出させることのできるプリント配線板の製造方法に関する。
　高密度な銅配線パターンを有するプリント配線板の製造方法にはセミアディティブ工法が用いられる。セミアディティブ工法では、まず、プリント配線基板の樹脂基材上の全面にパラジウム触媒付与後、無電解銅めっきを行ない、レジストパターンを形成し、電気銅めっきを行なう。そしてその後、不要なレジストと無電解銅の剥離を行ない、高密度な銅配線パターンを形成する。この方法では、さらに、樹脂基材上のパラジウム触媒をシアン化合物や強酸性の除去溶液（特許文献１および２）により除去したり、含イオウ有機化合物を含有するブリッジ防止液（特許文献３）で処理したりする技術が報告されている。
　従来、携帯電話やパッケージなど、部品との接続信頼性が要求されるプリント配線板には、銅配線パターンの最終表面処理として、無電解ニッケルめっき後、無電解金めっきをするのが一般的であるが、最近の無電解ニッケルめっき液中には、めっき液の安定剤として重金属や硫黄化合物が入っているため、樹脂基材内部に残留した、上記の微量の銅、パラジウムが存在しても図１に示すように樹脂基材上に、無電解ニッケルめっきが析出することはなく、大きな問題とはなっていなかった。
　しかし近年、更なる接続信頼性の向上と、ワイヤーボンディング品のコストダウンを目的として、上記の二層めっきに代えて、無電解ニッケルめっき後、無電解パラジウムめっきを行い、その後無電解金めっきを行なうという、新しい三層めっきが検討されている（特許文献４）。そして、この方法で採用する無電解パラジウムめっきでは無電解ニッケルめっきと異なり、樹脂基材内部に残留した微量の銅、パラジウムがめっき液と還元反応してしまい、パラジウムめっきが樹脂基材上に析出してしまうという問題が新たに発生していた。
　そのため、その後に処理される無電解金めっきでも樹脂基材上に析出したパラジウム金属上で金が更に成長してしまうという現象が観察されていた。この樹脂基材上に析出した金属の存在は、スペースを超えて銅配線パターン同士が繋がってしまう、いわゆるブリッジが生じていた。また、特に近年、部品の小型化、高密度化により、それに使われる基板の銅配線パターンも微細化が進んでおり、従来の銅配線パターン使用時には、問題とならなかったが、より高密度な銅配線パターンにめっきした場合、この問題が明らかとなった。
特開２００１－３３９１４２号公報 特許第４１１３８４６号 特許第４３５１０７９号 特開２００９－９９８３１号公報
　従って、本発明の課題は、セミアディティブ工法で作製した高密度な銅配線パターンを有するプリント配線基板の樹脂基材上にブリッジすることなく、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっきおよび無電解金めっきをすることができる技術を提供することにある。
　本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、セミアディティブ工法で作製した高密度な銅配線パターンを有するプリント配線基板を、特定の触媒除去液で処理した後、更に特定のブリッジ防止液で処理することにより、その後無電解ニッケル／パラジウム／金めっきを行ったとしても、樹脂基材上にめっきを析出させることなく、金属上にのみめっきできることを見出した。
　また、本発明者らは、特に上記工程の特定の段階でプリント配線基板の乾燥を行うことにより、より高密度な銅配線パターンを有するプリント配線基板においても、樹脂基材上にめっきを析出させることなく、金属上にのみめっきできることを見出し、本発明を完成した。
　すなわち本発明は、セミアディティブ工法で銅配線パターンが形成されたプリント配線基板を、硝酸、塩素イオンおよびカチオン性ポリマーを含有する触媒除去液で処理し、次いで含イオウ有機物を含有するブリッジ防止液で処理し、その後、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっきおよび無電解金めっきを行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
　また、本発明はプリント配線基板を含イオウ有機物を含有するブリッジ防止液で処理した後、無電解ニッケルめっきの前までに、プリント配線基板の乾燥を行う上記のプリント配線板の製造方法である。
　本発明によれば、セミアディティブ工法で作製した、プリント配線基板の銅配線パターン上にのみ、無電解ニッケル／パラジウム／金めっきを行うことができる。
　また、特定の段階でプリント配線基板の乾燥を行うことを追加した本発明は、ライン／スペース＝２０／２０μｍよりも高密度な銅配線パターンを有するプリント配線基板においても、樹脂基材上にめっきを析出させることなく、金属上にのみめっきできる。
　従って、本発明を利用することにより、ブリッジが発生せず、短絡の生じないプリント配線板を製造することができる。
無電解ニッケルめっき後のパターンと樹脂の状態を示す電子顕微鏡写真。 無電解パラジウムめっき後のパターンと樹脂の状態を示す電子顕微鏡写真。 無電解金めっき後のパターンと樹脂の状態を示す電子顕微鏡写真。 実施例１で処理した後の基板上でのめっきの析出状態を示す電子顕微鏡写真 比較例４で処理した後の基板上でのめっきの析出状態を示す電子顕微鏡写真
　本発明で使用される硝酸、塩素イオンおよびカチオン性ポリマーを含有する触媒除去液（以下、「触媒除去液」ということがある）は、無電解銅めっき等に使用されるパラジウム等の触媒を配線基板の樹脂から除去するものである。なお、この触媒除去液は特許文献２に記載されたものであるが、この文献では本発明のような３層のめっきを施すプリント配線板の製造方法に利用することについては全く記載されていない。
　この触媒除去液における硝酸の含有量は、６７.５質量％（以下、単に「％」という）硝酸として５０～５００ｍＬ／Ｌが好ましく、特に１００～４００ｍＬ／Ｌが好ましい。硝酸の含有量が５０ｍＬ／Ｌより少ないと触媒の除去効果がほとんど得られない。また、５００ｍＬ／Ｌより多いと触媒の除去効果が向上しないだけではなく、回路を形成した銅に対する溶解性も大きくなってしまう。
　また、この触媒除去液における塩素イオンの供給源は、硝酸溶液中で溶解して液中に塩素イオンを生成させるもので、かつ触媒の除去能力に影響を及ぼさないものならば特に制限無く使用することができる。しかしながら、この触媒除去液は高濃度の硝酸を含むため、硝酸に対して安定な無機物の方が好ましい。このような無機物としては、塩酸または塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化アンモニウム、塩化銅、塩化鉄、塩化ニッケル、塩化コバルト、塩化スズ、塩化亜鉛、塩化リチウム等の無機塩化物が挙げられる。これらの無機物のうち、塩酸、塩化ナトリウムが好ましい。上記塩素イオンの含有量は、塩素イオンとして１～６０ｇ／Ｌが好ましく、特に５～５０ｇ／Ｌが好ましい、塩素イオンの含有量が１ｇ／Ｌより少ないと触媒の除去効果がほとんど得られない。また、６０ｇ／Ｌより多くしてもそれ以上の触媒の除去効果の向上は望めない。
　更に、この触媒除去液に添加されるカチオン性ポリマーは、回路パターンを形成する銅の溶解性を抑制するための成分である。このようなカチオン性ポリマーとしては、硝酸、塩素イオン含有する液に対して十分な溶解性があるものが好ましく、具体的にはポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、ポリアミンスルホン（ＰＡＳ）、ポリビニルイミダゾール（ＰＶＩ）が挙げられる、より具体的なカチオン性ポリマーとしてはポリエチレンイミンであれば、エポミン（日本触媒（株）製）が挙げられ、ポリアミンスルホンであれば、ＰＡＳ（日東紡績（株）製）が挙げられ、ポリビニルイミダゾールであれば、ＢＡＳＴＲＯＮＩＣＰＶＩ（ＢＡＳＦ製）が挙げられる。上記カチオン性ポリマーの含有量は０.０１～５０ｇ／Ｌが好ましく、特に０.０５～２０ｇ／Ｌが好ましい。カチオン性ポリマーの含有量が０.０１ｇ／Ｌより少ないと銅に対する溶解性を低下させる効果がほとんどなく、５０ｇ／Ｌより多いと銅に対する溶解性を低下させる効果が無いばかりでなく触媒の除去効果も低下する。
　更にまた、この触媒除去液には上記成分の他、触媒の除去に影響を与えない量で樹脂や銅への浸透性や濡れ性の向上のために通常使用される界面活性剤やＮＯｘ抑制剤を添加することもできる。界面活性剤としてはノニオン系のものが好ましく、具体的にはポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレン共重合体、ポリオキシエチレンアルキルエーテルの構造のものが挙げられ、その添加量は１～１０ｇ／Ｌが好ましい。また、ＮＯｘ抑制剤としては尿素、スルファミン酸が挙げられ、添加量は１～１０ｇ／Ｌが好ましい。
　一方、本発明で使用される含イオウ有機物を含有するブリッジ防止液（以下、「ブリッジ防止液」という）で使用される含イオウ有機物としては、化合物中に硫黄原子と炭素原子を含むものであれば、特に制限されないが、チオ硫酸ナトリウム等の硫黄を含んでいても炭素原子を含まないものは含まれない。このような含イオウ有機物としてはチオ尿素誘導体、チオール類、スルフィド、チオシアン酸塩類、スルファミン酸またはその塩類が挙げられる。なお、このブリッジ防止液は特許文献３に記載されたものであるが、この文献では本発明のような３層のめっきを施すプリント配線板の製造方法に利用することについては全く記載されていない。
　このうち、チオ尿素誘導体の具体例としては、チオ尿素、ジエチルチオ尿素、テトラメチルチオ尿素、１－フェニル－２－チオ尿素、チオアセトアミドが挙げられる。また、チオール類としては２－メルカプトイミダゾール、２－メルカプトチアゾリン、３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、メルカプトベンゾイミダゾール、メルカプトベンゾキサゾール、メルカプトベンゾチアゾール、メルカプトピリジンが挙げられる。更に、スルフィドとしては、２－アミノフェニルジスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド、チオジグリコール酸が挙げられる。
　また、チオシアン酸塩類としては、チオシアン酸ナトリウム、チオシアン酸カリウム、チオシアン酸アンモニウムが挙げられる。また更に、スルファミン酸またはその塩類としては、スルファミン酸、スルファミン酸アンモニウム、スルファミン酸ナトリウム、スルファミン酸カリウムが挙げられる。
　これらの含イオウ有機物のうち、メルカプト基を有するチオール類またはチオシアン基を有するチオシアン酸塩類が好ましい。本発明防止液における含イオウ有機物の濃度は、０.１～１００ｇ／Ｌが好ましく、特に０.２～５０ｇ／Ｌが好ましい。
　また、上記ブリッジ防止液には、上記含イオウ有機物の溶解性を向上させるために、あるいは浸透性の向上等よる析出防止効果の向上のために、硫酸、塩酸、リン酸等の無機酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ塩類、アルコール、エーテル、ケトン等の有機溶媒、アルキル硫酸化ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル等の界面活性剤を本発明の効果を損なわない量で添加しても良い。
　本発明を実施するには、まずそれに先だってセミアディティブ工法で銅配線パターンが形成されたプリント配線基板（以下、「基板」ということがある）を形成することが必要である。このセミアディティブ工法は、樹脂基材上の全面にパラジウム触媒付与後、無電解銅めっきを行ない、次いでレジストパターンを形成し、電気銅めっきを行った後、不要なレジストと無電解銅の剥離を行なう方法である。このセミアディティブ工法はすでに周知であり、広く行われているので、ここではその詳細な説明を省略する。
　本発明では、上記基板を最初に触媒除去液で処理し、次にブリッジ防止液で処理し、その後、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっきおよび無電解金めっきをこの順で行う。
　上記触媒除去液による処理は、基板を前記触媒除去液に浸漬するか、基板上に触媒除去液をスプレー等により噴射すればよい。浸漬、スプレーとも、１０～５０℃の液温で、３０秒～３分作用させることが好ましい。
　ブリッジ防止液による処理は、触媒除去液処理後に行われるが、その直後であっても、また無電解ニッケルめっきの前処理中であっても良い。触媒除去液処理後、無電解ニッケルめっきまでには、脱脂、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、必要によりポストディップ等が行われるが、ブリッジ防止液による処理は、脱脂後、ソフトエッチング後、酸洗後に行うことが好ましい。ブリッジ防止液による処理を、アクチベーター後、無電解ニッケルめっき前に行うと、無電解ニッケルめっきに影響を与えるため、好ましくない。
　このブリッジ防止液による処理は、基板をブリッジ防止液に浸漬するか、基板上にブリッジ防止液をスプレー等により噴射すればよい。また、その条件は、浸漬、スプレーとも、１０～５０℃の液温で、１０秒～５分作用させることが好ましい。しかしながら、ブリッジ防止液を無電解ニッケルめっきの前工程に組み込む場合は、設備的に浸漬処理の方が好ましい。
　このように、触媒除去液処理およびブリッジ防止液処理に付された基板は、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっきおよび無電解金めっきがこの順で行われる。
　これらの無電解めっきには、特段の制約はなく、次亜りん酸ナトリウム、ホルムアルデヒド、水素化ほう素ナトリウム、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン等の還元剤と、ニッケル、パラジウム、金の金属塩を含有のものを利用することができる。
　以上説明した方法によれば、セミアディティブ工法で作製した、銅配線パターンを有するプリント配線基板に、樹脂上にめっきを析出させることなく、金属上にのみめっきできる。
　なお、上記ブリッジ防止液による処理の後、無電解ニッケルめっきの前まで、好ましくはブリッジ防止液による処理を行い、水洗した後にプリント配線基板の乾燥を行うことにより、これを行わない場合よりも高密度な配線パターン、例えば、ライン／スペース＝２０／２０μｍよりも高密度な配線パターン、好ましくはライン／スペース＝２０／２０μｍ未満、１０／１０μｍ以上の配線パターンを有する基板においても、樹脂基材上にめっきを析出させることなく、金属上にのみめっきができる。
　プリント配線基板の乾燥の程度は特に限定されないが、例えば、目視で基板上に水滴が認められなくなるまで乾燥すればよい。また、乾燥の手段も特に限定されないが、圧縮空気、熱風、冷風等およびこれらの組み合わせを利用した公知の乾燥手段を利用して行えばよい。なお、予め冷風や圧縮空気で、目視で基板上に大きな水滴が認められなくなるまで乾燥した後、熱風で乾燥させると、乾燥時間が短縮できる。
　以下、実施例、試験例および参考例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例等に何ら制約されるものではない。
参　考　例
　　　評価基板の準備：
　プリント基板（味の素ファインテクノ（株）製　ＡＢＦ－ＧＸ１３）上にセミアディティブ法により、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が、２０／２０、３０／３０、５０／５０、７５／７５（μｍ）の４種の銅配線パターンを有した試験片１と、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が、１５／１５（μｍ）の銅配線パターンを有した試験片２を以下のように作製した。
（　セミアディティブ法　）
　プリント基板のコア材に積層した、ＡＢＦ材をデスミア（ＤＳ－２５０＊）により粗化し、中和還元（ＤＳ－３５０＊）した。次いでクリーナーコンディショナー（ＰＢ－１１９Ｓ＊）、プレディップ（ＰＢ－３２３＊）、キャタライザー（ＰＢ－３１８＊）、アクセラレーター（ＰＢ－４４５＊）を処理し、無電解銅めっき（ＰＢ－５０３＊）を行なった。その後、ドライフィルムにより、めっきレジストを形成し、電気銅めっき（ＣＵ－ＢＲＩＴＥ　２１＊）を行い、銅バターンを形成した。そして、めっきレジストと基材上の無電解銅を剥離し、評価用の基板を作製した。
　　＊　いずれも荏原ユージライト株式会社製
実　施　例　１
　参考例で作製した試験片１を、表１に記載の触媒除去液に５０℃で２分間浸漬させ、その後、２５℃のブリッジ防止液（１ｇ／Ｌ　２－メルカプトチアゾリン溶液）に１分間浸漬させた。その後、５０℃の脱脂液（１００ｍｌ／Ｌ　ＰＢ－２４２Ｄ＊）に５分間浸漬させ、更に２５℃のソフトエッチング液（１００ｇ／Ｌ　ＰＢ－２２８＊および５０ｍｌ／Ｌ硫酸（９８％））に１分、２５℃の酸洗液（１００ｍｌ／Ｌ　硫酸（９８％））に３０秒、２５℃のアクチベーター（２００ｍｌ／Ｌ　ＰＢ－３００＊）に１分浸漬させた。なお、上記の各工程間には、それぞれ水洗工程を設けた。
　＊　いずれも荏原ユージライト株式会社製
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　次いで、上記のように処理した試験片１を、表２の組成の無電解ニッケルめっき液に浸漬し、８０℃で２０分めっき後、表３の組成の無電解パラジウムめっき液に移し、５０℃、１０分めっき後、表４の組成の無電解金めっき液で、８５℃、１０分間めっき処理を行なった。なお、上記の各工程間には、それぞれ水洗工程を設けた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
実　施　例　２
　ブリッジ防止液浸漬処理と、脱脂液浸漬処理を入れ替える以外は、実施例１と同様にして試験片１に金めっきまで行った。すなわち、処理液の組成、処理条件は実施例１と同一で、試験片１を触媒除去液に浸漬後、脱脂、ブリッジ防止液、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
実　施　例　３
　ブリッジ防止液浸漬処理をソフトエッチングの後に変える以外は、実施例１と同様にして試験片１に金めっきまで行った。すなわち、処理液の組成、処理条件は実施例１と同一で、試験片１を触媒除去液に浸漬後、脱脂、ソフトエッチング、ブリッジ防止液、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
実　施　例　４
　ブリッジ防止液浸漬処理を酸洗処理の後に変える以外は、実施例１と同様にして試験片１に金めっきまで行った。すなわち、処理液の組成、処理条件は実施例１と同一で、試験片１を、触媒除去液に浸漬後、脱脂、ソフトエッチング、酸洗、ブリッジ防止液、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
比　較　例　１
　触媒除去液浸漬処理と、ブリッジ防止液浸漬処理を省略する以外は、実施例１と同様にして試験片１に金めっきまで行った。すなわち、処理液の組成、処理条件は実施例１と同一で、試験片１を、脱脂、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
比　較　例　２
　触媒除去処理を、５０℃の表１に記載の触媒除去液に２分間浸漬させることから、３５℃の表５に記載の触媒除去液に１分間浸漬することに変え、ブリッジ防止液浸漬液処理を省略した以外は、実施例１と同様に試験片１を処理し、金めっきまで行った。すなわち、試験片１をシアン触媒除去液への浸漬後、脱脂、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。シアン触媒除去液以外の各処理液の組成、処理条件は実施例１と同様である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
比　較　例　３
　ブリッジ防止液浸漬処理を省略する以外は、実施例１と同様に試験片１を処理し、金めっきまで行った。すなわち、処理液の組成、処理条件は実施例１と同一で、試験片１を触媒除去液に浸漬後、脱脂、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
比　較　例　４
　触媒除去液浸漬処理を省略する以外は、実施例１と同様に試験片１を処理し、金めっきまで行った。すなわち、処理液の組成、処理条件は実施例１と同一で、試験片１をブリッジ防止液に浸漬後、脱脂、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
試　験　例　１
　上記実施例１～４および比較例１～４で金めっきまでした後の試験片１について、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が、２０／２０、３０／３０、５０／５０、７５／７５（μｍ）の各部分について樹脂上でのめっきの析出状況を、ＦＥ－ＳＥＭ（Ｃａｒｌ　Ｚｅｉｓｓ製　ＵＬＴＲＡ５５）で観察し、その結果を下記の評価基準で評価した。観察結果を表６に示す。また、実施例１の試験片１の電子顕微鏡写真を図４に、比較例４の試験片１の電子顕微鏡写真を図５に示す。
　　めっき析出状態の評価基準：
　　　（評　価）　　　　　　（状　態）
　　　　　◎　　　：　　　樹脂上に析出なし
　　　　　○　　　：　　　樹脂上に部分的に析出あり
　　　　　×　　　：　　　樹脂上に全面に析出あり
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　以上の結果より、触媒除去液のみの処理や、ブリッジ防止液のみの処理では、残存金属の影響で樹脂上にめっきが析出してしまった。一方、触媒除去液とブリッジ防止液の両方を処理することにより、ライン／スペース＝２０／２０～７５／７５μｍの何れのパターンを有する基板においても樹脂上にめっきを析出させることなく、無電解ニッケル／パラジウム／金めっきをすることができた。
実　施　例　５
　微細配線パターンでの性能を評価するため、参考例で作製した試験片２を使い、評価を行った。表１に記載の触媒除去液に５０℃で２分間浸漬させ、その後、２５℃のブリッジ防止液（１ｇ／Ｌ　２－メルカプトチアゾリン溶液）に１分間浸漬させた。水洗後、８０℃の乾燥機に５分間入れて目視で基板上に水滴が認められなくなるまで乾燥させた（熱風乾燥）。その後、５０℃の脱脂液（１００ｍｌ／Ｌ　ＰＢ－２４２Ｄ＊）に５分間浸漬させ、更に２５℃のソフトエッチング液（１００ｇ／Ｌ　ＰＢ－２２８＊および５０ｍｌ／Ｌ硫酸（９８％））に１分、２５℃の酸洗液（１００ｍｌ／Ｌ　硫酸（９８％））に３０秒、２５℃のアクチベーター（２００ｍｌ／Ｌ　ＰＢ－３００＊）に１分浸漬させた。なお、上記の各工程間には、それぞれ水洗工程を設けた。
　＊　いずれも荏原ユージライト株式会社製
　次いで、上記のように処理した試験片２を、表２の組成の無電解ニッケルめっき液に浸漬し、８０℃で２０分めっき後、表３の組成の無電解パラジウムめっき液に移し、５０℃、１０分めっき後、表４の組成の無電解金めっき液で、８５℃、１０分間めっき処理を行なった。なお、上記の各工程間には、それぞれ水洗工程を設けた。
実　施　例　６
　ブリッジ防止液処理後の基板の乾燥を、冷風により目視で基板上に水滴が認められなくなるまで行う（冷風乾燥１）以外は、実施例５と同様にして、試験片２に金めっきまで行なった。すなわち、処理液の組成、処理条件は実施例５と同様で、試験片２を触媒除去液に浸漬後、ブリッジ防止液、冷風乾燥後、脱脂、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
実　施　例　７
　ブリッジ防止液処理後の基板の乾燥を、冷風により目視で基板上に大きな水滴が認められなくなるまで行った（冷風乾燥２）後、８０℃の乾燥機に２分間入れて行う以外は、実施例５と同様にして、試験片２に金めっきまで行なった。すなわち、処理液の組成、処理条件は実施例５と同様で、試験片２を触媒除去液に浸漬後、ブリッジ防止液、冷風および熱風乾燥後、脱脂、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
実　施　例　８
　ブリッジ防止液処理後の基板の乾燥を行なわないこと以外は、実施例５と同様にして、試験片２に金めっきまで行なった。すなわち、処理液の組成、処理条件は実施例５と同様で、試験片２を触媒除去液に浸漬後、ブリッジ防止液、乾燥せずに脱脂、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
実　施　例　９
　無電解パラジウムめっきを、表７の組成のめっき液にて７０℃で２.５分間行った以外は、実施例５と同様にして、試験片２に金めっきまで行なった。すなわち、パラジウムめっきの変更以外は、実施例５と同様で、試験片２を触媒除去液に浸漬後、ブリッジ防止液、熱風乾燥後、脱脂、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
実　施　例　１０
　ブリッジ防止液処理後の基板の乾燥を、冷風により目視で基板上に水滴が認められなくなるまで行う以外は、実施例９と同様にして、試験片２に金めっきまで行なった。すなわち、処理液の組成、処理条件は実施例９と同様で、試験片２を触媒除去液に浸漬後、ブリッジ防止液、冷風乾燥後、脱脂、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
実　施　例　１１
　ブリッジ防止液処理後の基板の乾燥を、冷風により目視で基板上に大きな水滴が認められなくなるまで行った後、８０℃の乾燥機に２分間入れて行う以外は、実施例９と同様にして、試験片２に金めっきまで行なった。すなわち、処理液の組成、処理条件は実施例９と同様で、試験片２を触媒除去液に浸漬後、ブリッジ防止液、冷風および熱風乾燥後、脱脂、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
実　施　例　１２
　ブリッジ防止液処理後の基板の乾燥を行なわないこと以外は、実施例９と同様にして、試験片２に金めっきまで行なった。すなわち、処理液の組成、処理条件は実施例９と同様で、試験片２を触媒除去液に浸漬後、ブリッジ防止液、乾燥せずに脱脂、ソフトエッチング、酸洗、アクチベーター、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきの順で処理した。
試　験　例　２
　上記実施例５～１２で金めっきまでした後の試験片２について、樹脂上でのめっきの析出状況を、ＦＥ－ＳＥＭ（Ｃａｒｌ　Ｚｅｉｓｓ製　ＵＬＴＲＡ５５）で観察し、その結果を下記の評価基準で評価した。観察結果を表８に示す。
　　めっき析出状態の評価基準：
　　　（評　価）　　　　　　（状　態）
　　　　　Ａ　　　：　　　樹脂上に析出なし。
　　　　　Ｂ　　　：　　　樹脂上に僅かに部分的な析出があるが、使用上　　　　　　　　　　　　　問題なし。
　　　　　Ｃ　　　：　　　樹脂上に部分的に析出し、使用上問題あり。
　　　　　Ｄ　　　：　　　樹脂上に全面に析出し、使用上問題あり。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　以上の結果より、ブリッジ防止液による処理の後、無電解ニッケルめっきの前に、基板の乾燥を行うことによりライン／スペース＝１５／１５μｍのパターンを有する基板においても、樹脂上にめっき析出させることなく、無電解ニッケル／パラジウム／金めっきすることができた。また、無電解パラジウムめっきの組成に関係なく樹脂上にめっき析出させることなく、無電解ニッケル／パラジウム／金めっきすることができた。更に、冷風乾燥と熱風乾燥を組み合わせることにより乾燥時間を短縮することができた。
　本発明によれば、セミアディティブ法でプリント配線基板上に形成された高密度な銅配線パターン上に、きれいに無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっきおよび無電解金めっきを行うことができる。
　従って本発明は、高密度な銅配線パターンが形成されたプリント配線板の製造に有利に利用することができる。

Claims (4)

  1. 　セミアディティブ工法で銅配線パターンが形成されたプリント配線基板を、硝酸、塩素イオンおよびカチオン性ポリマーを含有する触媒除去液で処理し、次いで含イオウ有機物を含有するブリッジ防止液で処理し、その後、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっきおよび無電解金めっきを行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
  2. 　プリント配線基板を含イオウ有機物を含有するブリッジ防止液で処理した後、無電解ニッケルめっきの前までに、プリント配線基板の乾燥を行う請求項１記載のプリント配線板の製造方法。
  3. 　触媒除去液に含まれるカチオン性ポリマーが、ポリエチレンイミン、ポリアミンスルホンまたはポリビニルイミダゾールである請求項１または２記載のプリント配線板の製造方法。
  4. 　ブリッジ防止液に含まれる含イオウ有機物が、メルカプト基を有するものである請求項１ないし３の何れかに記載のプリント配線板の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10912202B2 (en) 2015-08-19 2021-02-02 Lg Innotek Co., Ltd. Method of manufacturing printed circuit board
CN113981423A (zh) * 2021-12-27 2022-01-28 深圳市荣伟业电子有限公司 一种印刷线路板的表面处理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005213547A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Ebara Udylite Kk 樹脂表面に付着した金属析出触媒の除去液および除去方法ならびにこれを用いたプリント配線板の製造方法
JP2009099831A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Nippon Circuit Kogyo Kk 配線基板の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11140658A (ja) * 1997-11-05 1999-05-25 Hitachi Chem Co Ltd 半導体搭載用基板とその製造方法
JP2001358164A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Ne Chemcat Corp 無電解多層めっき皮膜が形成された電極及びその製造方法
WO2006112215A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-26 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. めっき基材
JP4674120B2 (ja) * 2005-06-06 2011-04-20 京セラＳｌｃテクノロジー株式会社 配線基板およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005213547A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Ebara Udylite Kk 樹脂表面に付着した金属析出触媒の除去液および除去方法ならびにこれを用いたプリント配線板の製造方法
JP2009099831A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Nippon Circuit Kogyo Kk 配線基板の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10912202B2 (en) 2015-08-19 2021-02-02 Lg Innotek Co., Ltd. Method of manufacturing printed circuit board
US11889634B2 (en) 2015-08-19 2024-01-30 Lg Innotek Co., Ltd. Printed circuit board and method of manufacturing the same
EP3145284B1 (en) * 2015-08-19 2024-04-17 LG Innotek Co., Ltd. Printed circuit board and method of manufacturing the same
CN113981423A (zh) * 2021-12-27 2022-01-28 深圳市荣伟业电子有限公司 一种印刷线路板的表面处理方法

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