JPH07197266A - 酸化銅（ｉ）コロイドの金属化によるダイレクトプレーティング方法 - Google Patents
酸化銅（ｉ）コロイドの金属化によるダイレクトプレーティング方法Info
- Publication number
- JPH07197266A JPH07197266A JP35510993A JP35510993A JPH07197266A JP H07197266 A JPH07197266 A JP H07197266A JP 35510993 A JP35510993 A JP 35510993A JP 35510993 A JP35510993 A JP 35510993A JP H07197266 A JPH07197266 A JP H07197266A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- plating
- colloid
- catalyst
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒で触媒付
与された非電導性の基材を、銅塩、銅を析出するための
銅の還元剤および銅の錯化剤を含む溶液中に浸漬するこ
とによって、酸化銅（Ｉ）コロイド表面に金属銅を析出
させ、銅の電導性皮膜を形成させるダイレクトプレーテ
ィング方法。 【効果】 本発明のダイレクトプレーティング方法によ
り、非伝導性基材表面上に迅速かつ安全な方法で銅の伝
導性皮膜を形成することができるようになった。
与された非電導性の基材を、銅塩、銅を析出するための
銅の還元剤および銅の錯化剤を含む溶液中に浸漬するこ
とによって、酸化銅（Ｉ）コロイド表面に金属銅を析出
させ、銅の電導性皮膜を形成させるダイレクトプレーテ
ィング方法。 【効果】 本発明のダイレクトプレーティング方法によ
り、非伝導性基材表面上に迅速かつ安全な方法で銅の伝
導性皮膜を形成することができるようになった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化銅（Ｉ）コロイド
を含む銅触媒によって触媒付与された非電導性基材表面
上に金属銅を生成させるダイレクトプレーティング方法
に関する。
を含む銅触媒によって触媒付与された非電導性基材表面
上に金属銅を生成させるダイレクトプレーティング方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、非電導性プラスチック基材上に銅
皮膜を析出させる方法としては、ホルムアルデヒドを用
いた無電解銅めっき浴が工業的に一般に用いられてい
た。例えばプリント回路基板の製造工程においては、無
電解銅めっきを使用してスルーホール内に銅の電導性皮
膜を形成した後に、これを素地として電気銅めっきが施
される。しかしながら、この無電解銅めっき浴には、発
ガン性を有するホルムアルデヒドの使用、分析管理の煩
雑さ、ベールアウト（稼働液体の交換）の必要性、バス
ロード（処理液の単位体積当たりの処理面積）における
制限、微小ホールへの水素ガスのトラップによるボイド
（めっきが施されない部分の発生）の問題、析出速度の
遅さ、コストの高さといった問題点を有している。
皮膜を析出させる方法としては、ホルムアルデヒドを用
いた無電解銅めっき浴が工業的に一般に用いられてい
た。例えばプリント回路基板の製造工程においては、無
電解銅めっきを使用してスルーホール内に銅の電導性皮
膜を形成した後に、これを素地として電気銅めっきが施
される。しかしながら、この無電解銅めっき浴には、発
ガン性を有するホルムアルデヒドの使用、分析管理の煩
雑さ、ベールアウト（稼働液体の交換）の必要性、バス
ロード（処理液の単位体積当たりの処理面積）における
制限、微小ホールへの水素ガスのトラップによるボイド
（めっきが施されない部分の発生）の問題、析出速度の
遅さ、コストの高さといった問題点を有している。
【０００３】例えば、関連するプリント基板の製造法の
従来技術としては、特開昭６０−２１３０８５号に開示
されているプリント基板の製造方法がある。この製法
は、穴あけ、触媒付与、研磨、ドライフィルムを用いて
イメージングした後、無電解銅めっきを用いて銅の電導
性皮膜を形成し、続いて電気銅めっき、はんだめっきを
行うものである。この方法は、無電解銅めっきを用いる
ため、上述したいくつかの問題点を含んでいる。これら
の問題を解決するために、無電解銅めっきを使用しない
方法がいくつか提案されている。これらの方法は通称ダ
イレクトプレーティング法として知られており、大別し
てＰｄ−Ｓｎ付与方式、カーボンブラック付与方式およ
び有機電導性皮膜付与方式の３つの方式がある。しかし
ながら、これらの方式によって製造されたプリント配線
基板は、銅箔とめっき皮膜の密着性の問題、耐熱試験の
信頼性等の問題があり、信頼性はまだ充分とは言えな
い。
従来技術としては、特開昭６０−２１３０８５号に開示
されているプリント基板の製造方法がある。この製法
は、穴あけ、触媒付与、研磨、ドライフィルムを用いて
イメージングした後、無電解銅めっきを用いて銅の電導
性皮膜を形成し、続いて電気銅めっき、はんだめっきを
行うものである。この方法は、無電解銅めっきを用いる
ため、上述したいくつかの問題点を含んでいる。これら
の問題を解決するために、無電解銅めっきを使用しない
方法がいくつか提案されている。これらの方法は通称ダ
イレクトプレーティング法として知られており、大別し
てＰｄ−Ｓｎ付与方式、カーボンブラック付与方式およ
び有機電導性皮膜付与方式の３つの方式がある。しかし
ながら、これらの方式によって製造されたプリント配線
基板は、銅箔とめっき皮膜の密着性の問題、耐熱試験の
信頼性等の問題があり、信頼性はまだ充分とは言えな
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的の一つ
は、従来使用されている無電解銅めっきおよび従来のダ
イレクトプレーティング方法の問題点を解決し、無電解
銅めっきの代替工程として使用できる方法を提供するこ
とである。酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒は次に述
べる特徴を有するため、現在プリント配線基板のスルー
ホールめっきを形成する際の無電解銅めっきの触媒とし
て用いられている。 （１）酸化銅（Ｉ）コロイドのζ−電位が陽性であるた
め、デスミアした後の陰性を強く帯びた非導電性基材表
面上に、強く吸着しやすい（パラジウム触媒のζ−電位
は陰性であるため、陰性を強く帯びた基剤表面には吸着
しにくい。）。 （２）酸化銅（Ｉ）コロイド溶液の表面張力が低いた
め、微小ホールへの浸透、吸着性が良好である。 （３）酸化銅（Ｉ）コロイド溶液は中性であり、強酸を
含まないため装置を腐食せず、ピンクリングを成長させ
ない。 これに対し、パラジウムコロイド等を使用した場合は、
電導性を確保するために厚いコロイド膜が必要であり、
このような厚いコロイド膜は電気銅めっきとの密着性に
関して問題があり、従来技術の最大の欠点であった。従
って、本発明の別の目的の一つは極めて薄い薄膜であっ
ても次に行う電気銅めっきを可能にするような優れた電
導性を有する薄膜を形成することである。
は、従来使用されている無電解銅めっきおよび従来のダ
イレクトプレーティング方法の問題点を解決し、無電解
銅めっきの代替工程として使用できる方法を提供するこ
とである。酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒は次に述
べる特徴を有するため、現在プリント配線基板のスルー
ホールめっきを形成する際の無電解銅めっきの触媒とし
て用いられている。 （１）酸化銅（Ｉ）コロイドのζ−電位が陽性であるた
め、デスミアした後の陰性を強く帯びた非導電性基材表
面上に、強く吸着しやすい（パラジウム触媒のζ−電位
は陰性であるため、陰性を強く帯びた基剤表面には吸着
しにくい。）。 （２）酸化銅（Ｉ）コロイド溶液の表面張力が低いた
め、微小ホールへの浸透、吸着性が良好である。 （３）酸化銅（Ｉ）コロイド溶液は中性であり、強酸を
含まないため装置を腐食せず、ピンクリングを成長させ
ない。 これに対し、パラジウムコロイド等を使用した場合は、
電導性を確保するために厚いコロイド膜が必要であり、
このような厚いコロイド膜は電気銅めっきとの密着性に
関して問題があり、従来技術の最大の欠点であった。従
って、本発明の別の目的の一つは極めて薄い薄膜であっ
ても次に行う電気銅めっきを可能にするような優れた電
導性を有する薄膜を形成することである。
【０００５】さらに、本発明のもう一つの目的は、下記
のようなプリント回路基板の製造法に適用することがで
きるようなダイレクトプレーティング方法を提供するこ
とである。 基材（銅張積層板） 穴明け スルーホールめっき脱脂、水洗 ソフトエッチ、水洗 酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒 水洗 乾燥 研磨 アルカリ可溶性ドライフィルムイメージング（又はレジ
ストインク印刷） 脱脂 水洗 本発明によるダイレクトプレーティング 水洗 酸浸漬 水洗 硫酸銅めっき 水洗 酸浸漬 はんだめっき 水洗 アルカリ可溶性ドライフィルム剥離 エッチング はんだ剥離 ソルダーマスク塗布 ＨＡＬ（ホットエアーレベラー） さらに、本発明のさらにもう一つの目的は、パネルめっ
き法にも応用できるダイレクトプレーティング方法を提
供することである。
のようなプリント回路基板の製造法に適用することがで
きるようなダイレクトプレーティング方法を提供するこ
とである。 基材（銅張積層板） 穴明け スルーホールめっき脱脂、水洗 ソフトエッチ、水洗 酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒 水洗 乾燥 研磨 アルカリ可溶性ドライフィルムイメージング（又はレジ
ストインク印刷） 脱脂 水洗 本発明によるダイレクトプレーティング 水洗 酸浸漬 水洗 硫酸銅めっき 水洗 酸浸漬 はんだめっき 水洗 アルカリ可溶性ドライフィルム剥離 エッチング はんだ剥離 ソルダーマスク塗布 ＨＡＬ（ホットエアーレベラー） さらに、本発明のさらにもう一つの目的は、パネルめっ
き法にも応用できるダイレクトプレーティング方法を提
供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、無電解銅
めっきおよび従来のダイレクトプレーティング方法の問
題点を解決するために、鋭意研究を重ねた結果、本発明
を完成した。本発明によるダイレクトプレーティング方
法の一つの態様は、酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒
で触媒付与された非電導性の基材を、銅塩、銅を析出す
るための銅の還元剤および銅の錯化剤を含む溶液中に浸
漬することによって、酸化銅（Ｉ）コロイド表面に金属
銅を析出させ、銅の電導性皮膜を形成させる方法であ
る。本発明によるダイレクトプレーティング方法のもう
一つの態様は、酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒で触
媒付与された非電導性の基材を、無機酸を含む溶液中に
浸漬することによって、酸化銅（Ｉ）の例えば反応式１
のような不均化反応により、非電導性基材表面上に銅の
電導性皮膜を形成させる方法である。 Ｃｕ２Ｏ＋Ｈ２ＳＯ４ → Ｃｕ＋ＣｕＳＯ４＋Ｈ２Ｏ 反応式１
めっきおよび従来のダイレクトプレーティング方法の問
題点を解決するために、鋭意研究を重ねた結果、本発明
を完成した。本発明によるダイレクトプレーティング方
法の一つの態様は、酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒
で触媒付与された非電導性の基材を、銅塩、銅を析出す
るための銅の還元剤および銅の錯化剤を含む溶液中に浸
漬することによって、酸化銅（Ｉ）コロイド表面に金属
銅を析出させ、銅の電導性皮膜を形成させる方法であ
る。本発明によるダイレクトプレーティング方法のもう
一つの態様は、酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒で触
媒付与された非電導性の基材を、無機酸を含む溶液中に
浸漬することによって、酸化銅（Ｉ）の例えば反応式１
のような不均化反応により、非電導性基材表面上に銅の
電導性皮膜を形成させる方法である。 Ｃｕ２Ｏ＋Ｈ２ＳＯ４ → Ｃｕ＋ＣｕＳＯ４＋Ｈ２Ｏ 反応式１
【０００７】本発明のダイレクトプレーティング方法に
おいて、非電導性基材は酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅
触媒で触媒付与されている。触媒付与は一般的には銅濃
度が約１．３から約１．７ｇ／１、ｐＨが７．５から
８．０、温度が２８から３２℃である酸化銅（Ｉ）コロ
イド含有銅触媒溶液中で基板を７〜１５分揺動させるこ
とによって行う。本発明では、酸化銅（Ｉ）コロイドの
金属化により銅の薄膜が形成されるが、銅の電導性はパ
ラジウムより約１０倍優れていることにより極めて薄い
銅の薄膜を形成するだけで次に行われる電気銅めっきが
可能になる。本発明の一つの態様においては、触媒付与
された非電導性基材は銅塩、銅を析出するための銅の還
元剤および銅の錯化剤を含む溶液中に浸漬される。
おいて、非電導性基材は酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅
触媒で触媒付与されている。触媒付与は一般的には銅濃
度が約１．３から約１．７ｇ／１、ｐＨが７．５から
８．０、温度が２８から３２℃である酸化銅（Ｉ）コロ
イド含有銅触媒溶液中で基板を７〜１５分揺動させるこ
とによって行う。本発明では、酸化銅（Ｉ）コロイドの
金属化により銅の薄膜が形成されるが、銅の電導性はパ
ラジウムより約１０倍優れていることにより極めて薄い
銅の薄膜を形成するだけで次に行われる電気銅めっきが
可能になる。本発明の一つの態様においては、触媒付与
された非電導性基材は銅塩、銅を析出するための銅の還
元剤および銅の錯化剤を含む溶液中に浸漬される。
【０００８】銅塩は、金属銅の供給源であって、アニオ
ンがめっき浴に有害とならないかぎり任意の銅塩化合物
をめっき液に添加することができる。適切な銅塩は硫酸
銅、塩化銅、硝酸銅、水酸化銅、スルファミン酸銅、炭
酸銅、酸化銅などである。めっき浴中の銅イオン濃度は
一般的には０．５〜５ｇ／ｌの範囲で変動させることが
できるが、好ましくは１〜２ｇ／ｌである。なお、錯化
剤の濃度が高い場合には、銅濃度が２ｇ／ｌ以上であっ
ても使用できる。銅の還元剤の種類は、銅イオンを金属
銅に還元できるものならば特に限定されないが、安全性
の観点からホルマリン以外が好ましい。本発明で使用さ
れる還元剤は、触媒付与された基材上に銅イオンの還元
反応により効果的に銅を析出させるために使用される。
本発明浴に添加される還元剤は、非導電性基材表面に吸
着した酸化銅（Ｉ）コロイドの表面に、銅を還元析出さ
せるのには十分な程度の濃度で使用される。最も好まし
い還元剤は、ジメチルアミンボランである。また、抱水
ヒドラジン、ヒドラジン塩酸塩、ヒドラジン酢酸塩のよ
うなヒドラジンおよびその塩、次亜リン酸、次亜リン酸
ナトリウムのような次亜リン酸およびその塩も好まし
い。還元剤の濃度は一般的には０．５〜２０ｇ／ｌの範
囲で変動できるが、好ましくは１〜１０ｇ／ｌである。
２０ｇ／ｌ以上の濃度ではめっき浴が不安定となり、ま
た還元剤の消耗が激しくなるので好ましくない。
ンがめっき浴に有害とならないかぎり任意の銅塩化合物
をめっき液に添加することができる。適切な銅塩は硫酸
銅、塩化銅、硝酸銅、水酸化銅、スルファミン酸銅、炭
酸銅、酸化銅などである。めっき浴中の銅イオン濃度は
一般的には０．５〜５ｇ／ｌの範囲で変動させることが
できるが、好ましくは１〜２ｇ／ｌである。なお、錯化
剤の濃度が高い場合には、銅濃度が２ｇ／ｌ以上であっ
ても使用できる。銅の還元剤の種類は、銅イオンを金属
銅に還元できるものならば特に限定されないが、安全性
の観点からホルマリン以外が好ましい。本発明で使用さ
れる還元剤は、触媒付与された基材上に銅イオンの還元
反応により効果的に銅を析出させるために使用される。
本発明浴に添加される還元剤は、非導電性基材表面に吸
着した酸化銅（Ｉ）コロイドの表面に、銅を還元析出さ
せるのには十分な程度の濃度で使用される。最も好まし
い還元剤は、ジメチルアミンボランである。また、抱水
ヒドラジン、ヒドラジン塩酸塩、ヒドラジン酢酸塩のよ
うなヒドラジンおよびその塩、次亜リン酸、次亜リン酸
ナトリウムのような次亜リン酸およびその塩も好まし
い。還元剤の濃度は一般的には０．５〜２０ｇ／ｌの範
囲で変動できるが、好ましくは１〜１０ｇ／ｌである。
２０ｇ／ｌ以上の濃度ではめっき浴が不安定となり、ま
た還元剤の消耗が激しくなるので好ましくない。
【０００９】銅の錯化剤は、銅イオンを錯化できるもの
であれば任意の公知の錯化剤を使用することができる。
例えば、ポリアミンおよびその塩、アミノカルボン酸お
よびその塩、アミンアルカノール化合物、オキシカルボ
ン酸およびその塩が使用できる。ポリアミンおよびその
塩の例としては、エチレンジアミンおよびその硫酸塩、
ジエチレンテトラミン、ジエチレントリアミン、トリエ
チレンテトラミンが挙げられる。本発明の溶液に好適な
ポリアミンおよびその塩の濃度は、一般的には１〜１０
０ｇ／ｌの範囲で変動させることができるが、好ましく
は５〜５０ｇ／ｌの範囲である。
であれば任意の公知の錯化剤を使用することができる。
例えば、ポリアミンおよびその塩、アミノカルボン酸お
よびその塩、アミンアルカノール化合物、オキシカルボ
ン酸およびその塩が使用できる。ポリアミンおよびその
塩の例としては、エチレンジアミンおよびその硫酸塩、
ジエチレンテトラミン、ジエチレントリアミン、トリエ
チレンテトラミンが挙げられる。本発明の溶液に好適な
ポリアミンおよびその塩の濃度は、一般的には１〜１０
０ｇ／ｌの範囲で変動させることができるが、好ましく
は５〜５０ｇ／ｌの範囲である。
【００１０】アミノカルボン酸およびその塩の例として
は、イミノ二酢酸およびそのナトリウム塩、ニトリロ三
酢酸およびそのナトリウム塩、ヒドロキシエチルエチレ
ンジアミン三酢酸、テトラヒドロキシエチレンジアミン
あるいはジヒドロキシメチルエチレンジアミン二酢酸、
エチレンジアミン四酢酸およびそのナトリウム塩とカリ
ウム塩、ジエチレントリアミンペンタ酢酸およびそのナ
トリウム塩、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、シク
ロヘキサン−１，２−ジアミンテトラ酢酸、エチレング
リコールジエチルエーテルジアミン四酢酸、エチレンジ
アミンテトラプロピオン酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テト
ラキス−２（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミ
ンなどが挙げられる。本発明の溶液に好適なアミノカル
ボン酸およびその塩の濃度は、一般的には１〜１００ｇ
／ｌの範囲で変動させることができるが、好ましくは５
〜５０ｇ／ｌの範囲である。
は、イミノ二酢酸およびそのナトリウム塩、ニトリロ三
酢酸およびそのナトリウム塩、ヒドロキシエチルエチレ
ンジアミン三酢酸、テトラヒドロキシエチレンジアミン
あるいはジヒドロキシメチルエチレンジアミン二酢酸、
エチレンジアミン四酢酸およびそのナトリウム塩とカリ
ウム塩、ジエチレントリアミンペンタ酢酸およびそのナ
トリウム塩、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、シク
ロヘキサン−１，２−ジアミンテトラ酢酸、エチレング
リコールジエチルエーテルジアミン四酢酸、エチレンジ
アミンテトラプロピオン酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テト
ラキス−２（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミ
ンなどが挙げられる。本発明の溶液に好適なアミノカル
ボン酸およびその塩の濃度は、一般的には１〜１００ｇ
／ｌの範囲で変動させることができるが、好ましくは５
〜５０ｇ／ｌの範囲である。
【００１１】アミンアルカノール化合物としては、モノ
−、ジ−、トリ−エタノールアミンが好ましい。本発明
の溶液に好適なアミンアルカノール化合物の濃度は、一
般的には５〜２００ｍｌ／ｌの範囲で変動させることが
できるが、好ましくは５０〜１００ｍｌ／ｌの範囲であ
る。オキシカルボン酸の例としては、酒石酸、クエン
酸、グルコン酸が挙げられ、オキシカルボン酸塩の例と
しては酒石酸ナトリウム、酒石酸カリウム、酒石酸ナト
リウムカリウム、クエン酸ナトリウム、クエン酸カリウ
ム、クエン酸アンモニウム、グルコン酸ナトリウム、グ
ルコン酸カリウムが挙げられる。本発明の溶液に好適な
オキシカルボン酸の濃度は一般的には１〜１００ｇ／ｌ
の範囲で変動させることができるが、好ましくは５〜５
０ｇ／ｌの範囲である。上述した錯化剤は、単独でも使
用可能であるが、適宜混合して使用することによって、
めっき浴の安定性を向上させ、析出皮膜の特性を改善で
きる。本発明のもう一つの態様においては、触媒付与さ
れた非電導性基材は無機酸を含む溶液中に浸漬される。
無機酸としては、酸化銅（Ｉ）の不均化反応によって銅
および銅と無機酸の塩を形成し、析出した金属銅が溶解
しにくいものであればよい。例えば、硫酸、塩酸、ギ
酸、スルファミン酸、酢酸等が挙げられる。これ等の酸
の溶液中の濃度は、一般的には０．１〜１０モル／ｌの
範囲で変動させることができるが、好ましくは１．０〜
４．０モル／ｌの範囲である。
−、ジ−、トリ−エタノールアミンが好ましい。本発明
の溶液に好適なアミンアルカノール化合物の濃度は、一
般的には５〜２００ｍｌ／ｌの範囲で変動させることが
できるが、好ましくは５０〜１００ｍｌ／ｌの範囲であ
る。オキシカルボン酸の例としては、酒石酸、クエン
酸、グルコン酸が挙げられ、オキシカルボン酸塩の例と
しては酒石酸ナトリウム、酒石酸カリウム、酒石酸ナト
リウムカリウム、クエン酸ナトリウム、クエン酸カリウ
ム、クエン酸アンモニウム、グルコン酸ナトリウム、グ
ルコン酸カリウムが挙げられる。本発明の溶液に好適な
オキシカルボン酸の濃度は一般的には１〜１００ｇ／ｌ
の範囲で変動させることができるが、好ましくは５〜５
０ｇ／ｌの範囲である。上述した錯化剤は、単独でも使
用可能であるが、適宜混合して使用することによって、
めっき浴の安定性を向上させ、析出皮膜の特性を改善で
きる。本発明のもう一つの態様においては、触媒付与さ
れた非電導性基材は無機酸を含む溶液中に浸漬される。
無機酸としては、酸化銅（Ｉ）の不均化反応によって銅
および銅と無機酸の塩を形成し、析出した金属銅が溶解
しにくいものであればよい。例えば、硫酸、塩酸、ギ
酸、スルファミン酸、酢酸等が挙げられる。これ等の酸
の溶液中の濃度は、一般的には０．１〜１０モル／ｌの
範囲で変動させることができるが、好ましくは１．０〜
４．０モル／ｌの範囲である。
【００１２】従来技術で通常用いられている無電解銅め
っきの添加剤は、本発明のめっき浴においても浴特性や
析出物の皮膜特性を改善するために添加することができ
る。これらの添加剤には、種々の溶液溶解性シアン化
物、シアン酸塩、硫化物およびチオ化合物のような硫黄
含有化合物、ジピリジル化合物、およびエチレンオキサ
イド型の界面活性剤等が含まれる。めっき液のｐＨは、
水溶性レジストを塗布した基板のめっきでは特に重要で
あり、めっきのレジストへのアタックを最小限に維持す
るために、ｐＨ５〜８が好ましい。めっき液の温度は、
めっきのレジストへのアタックを最小限に維持するため
にｐＨとともに重要な要素である。本発明の場合、１５
〜５０℃の範囲で変動させることができるが、より好ま
しい温度範囲は２０〜３０℃である。めっき時間は適当
な厚さのめっきが施されるのに十分な時間である。
っきの添加剤は、本発明のめっき浴においても浴特性や
析出物の皮膜特性を改善するために添加することができ
る。これらの添加剤には、種々の溶液溶解性シアン化
物、シアン酸塩、硫化物およびチオ化合物のような硫黄
含有化合物、ジピリジル化合物、およびエチレンオキサ
イド型の界面活性剤等が含まれる。めっき液のｐＨは、
水溶性レジストを塗布した基板のめっきでは特に重要で
あり、めっきのレジストへのアタックを最小限に維持す
るために、ｐＨ５〜８が好ましい。めっき液の温度は、
めっきのレジストへのアタックを最小限に維持するため
にｐＨとともに重要な要素である。本発明の場合、１５
〜５０℃の範囲で変動させることができるが、より好ま
しい温度範囲は２０〜３０℃である。めっき時間は適当
な厚さのめっきが施されるのに十分な時間である。
【００１３】
実施例１ 以下の組成の溶液を調製した。 硫酸銅 ２ｇ／ｌ ヒドロキシエチレンジアミン四酢酸（ＨＥＤＴＡ） １０ｇ／ｌ トリエタノールアミン １０ｍｌ／ｌ ジメチルアミンボラン ６ｇ／ｌ １０％硫酸 ｐＨ７．０へ ２５ｃｍ×３３ｃｍ（板厚１．６ｍｍ、２．４ｍｍ、
３．２ｍｍ）の穴明き銅クラッドエポキシ積層板を銅濃
度１．５ｇ／ｌ、ｐＨが８．０、温度が３０℃の酸化銅
（Ｉ）コロイド含有銅触媒溶液中で１０分間揺動させる
ことによって触媒付与し、アルカリ可溶型ドライフィル
ムを用いてイメージング処理した。この基板を、脱脂、
アクセレーター処理後、上記組成の溶液中で２５℃で１
０分間銅めっきした。その後、硫酸銅めっきを２５μｍ
施し、はんだめっきを１０μｍ施した後、レジスト剥離
してエッチングを行った。この方法によって得られたプ
リント配線基板は、従来の方法により製造されたものと
比べても何等遜色が無く、ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０Ｄ
（２８８℃／１０秒、１サイクル）に従って行った耐熱
性試験結果も良好であった。また、アルカリ可溶型ドラ
イフィルムの代わりにアルカリ可溶性レジストインクを
印刷した基板についても同様の試験を行なった結果、従
来の方法により製造されたものと比べても何等遜色が無
く、ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０Ｄ（２８８℃／１０秒、１
サイクル）に従って行った耐熱性試験結果も良好であっ
た。
３．２ｍｍ）の穴明き銅クラッドエポキシ積層板を銅濃
度１．５ｇ／ｌ、ｐＨが８．０、温度が３０℃の酸化銅
（Ｉ）コロイド含有銅触媒溶液中で１０分間揺動させる
ことによって触媒付与し、アルカリ可溶型ドライフィル
ムを用いてイメージング処理した。この基板を、脱脂、
アクセレーター処理後、上記組成の溶液中で２５℃で１
０分間銅めっきした。その後、硫酸銅めっきを２５μｍ
施し、はんだめっきを１０μｍ施した後、レジスト剥離
してエッチングを行った。この方法によって得られたプ
リント配線基板は、従来の方法により製造されたものと
比べても何等遜色が無く、ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０Ｄ
（２８８℃／１０秒、１サイクル）に従って行った耐熱
性試験結果も良好であった。また、アルカリ可溶型ドラ
イフィルムの代わりにアルカリ可溶性レジストインクを
印刷した基板についても同様の試験を行なった結果、従
来の方法により製造されたものと比べても何等遜色が無
く、ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０Ｄ（２８８℃／１０秒、１
サイクル）に従って行った耐熱性試験結果も良好であっ
た。
【００１４】実施例２ 以下の組成の溶液を調製した。 塩化銅 ２ｇ／ｌ エチレンジアミンテトラ酢酸二ナトリウム １０ｇ／ｌ グリシン １０ｇ／ｌ ジメチルアミンボラン ６ｇ／ｌ １０％硫酸 ｐＨ７．０へ ２５ｃｍ×３３ｃｍ（板厚１．６ｍｍ、２．４ｍｍ、
３．２ｍｍ）の穴明き銅クラッドエポキシ積層板を実施
例１と同様に酸化銅（Ｉ）コロイド活性化処理によって
触媒付与し、アルカリ可溶型ドライフィルムを用いてイ
メージング処理した。この基板を、脱脂、アクセレータ
ー処理後、上記組成の溶液中で２５℃で１０分間銅めっ
きした。その後、硫酸銅めっきを２５μｍ施し、はんだ
めっき１０μｍ施した後、レジスト剥離してエッチング
を行った。この方法によって得られたプリント配線基板
は、従来の無電解銅めっきを用いた方法により製造され
たものと比べても何等遜色が無く、ＭＩＬ−Ｐ−５５１
１０Ｄ（２８８℃／１０秒、１サイクル）に従って行っ
た耐熱性試験結果も良好であった。
３．２ｍｍ）の穴明き銅クラッドエポキシ積層板を実施
例１と同様に酸化銅（Ｉ）コロイド活性化処理によって
触媒付与し、アルカリ可溶型ドライフィルムを用いてイ
メージング処理した。この基板を、脱脂、アクセレータ
ー処理後、上記組成の溶液中で２５℃で１０分間銅めっ
きした。その後、硫酸銅めっきを２５μｍ施し、はんだ
めっき１０μｍ施した後、レジスト剥離してエッチング
を行った。この方法によって得られたプリント配線基板
は、従来の無電解銅めっきを用いた方法により製造され
たものと比べても何等遜色が無く、ＭＩＬ−Ｐ−５５１
１０Ｄ（２８８℃／１０秒、１サイクル）に従って行っ
た耐熱性試験結果も良好であった。
【００１５】実施例３ 以下の組成の溶液を調製した。 硫酸銅 ２ｇ／ｌ トリエタノールアミン １０ｇ／ｌ 次亜リン酸ソーダ １０ｇ／ｌ １０％硫酸 ｐＨ５．０へ ２５ｃｍ×３３ｃｍ（板厚１．６ｍｍ、２．４ｍｍ、
３．２ｍｍ）の穴明き銅クラッドエポキシ積層板を実施
例１と同様に酸化銅（Ｉ）コロイド活性化処理によって
触媒付与し、アルカリ可溶型ドライフィルムを用いてイ
メージング処理した。この基板を、脱脂、アクセレータ
ー処理後、上記組成の溶液中で２５℃で１０分間銅めっ
きした。その後、硫酸銅めっきを２５μｍ施し、はんだ
めっき１０μｍ施した後、レジスト剥離してエッチング
を行った。この方法によって得られたプリント配線基板
は、従来の無電解銅めっきを用いた方法により製造され
たものと比べても何等遜色が無く、ＭＩＬ−Ｐ−５５１
１０Ｄ（２８８℃／１０秒、１サイクル）に従って行っ
た耐熱性試験結果も良好であった。
３．２ｍｍ）の穴明き銅クラッドエポキシ積層板を実施
例１と同様に酸化銅（Ｉ）コロイド活性化処理によって
触媒付与し、アルカリ可溶型ドライフィルムを用いてイ
メージング処理した。この基板を、脱脂、アクセレータ
ー処理後、上記組成の溶液中で２５℃で１０分間銅めっ
きした。その後、硫酸銅めっきを２５μｍ施し、はんだ
めっき１０μｍ施した後、レジスト剥離してエッチング
を行った。この方法によって得られたプリント配線基板
は、従来の無電解銅めっきを用いた方法により製造され
たものと比べても何等遜色が無く、ＭＩＬ−Ｐ−５５１
１０Ｄ（２８８℃／１０秒、１サイクル）に従って行っ
た耐熱性試験結果も良好であった。
【００１６】実施例４ 以下の組成の溶液を調製した。 硫酸（３６Ｎ） １００ｍｌ／ｌ ２５ｃｍ×３３ｃｍ（板厚１．６ｍｍ、２．４ｍｍ、
３．２ｍｍ）の穴明き銅クラッドエポキシ積層板を実施
例１と同様に酸化銅（Ｉ）コロイドを用いて触媒付与処
理した。この基板を２５℃の上記希硫酸溶液中に１０分
間浸漬したところ、金属銅が生成した。その後、硫酸銅
めっきを２５μｍ施し、ドライフィルムでイメージング
し、エッチングした。 この方法によって得られたプリ
ント配線基板は、従来の方法により製造されたものと比
べても何等遜色が無く、ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０Ｄ（２
８８℃／１０秒、１サイクル）に従って行った耐熱試験
結果も良好であった。
３．２ｍｍ）の穴明き銅クラッドエポキシ積層板を実施
例１と同様に酸化銅（Ｉ）コロイドを用いて触媒付与処
理した。この基板を２５℃の上記希硫酸溶液中に１０分
間浸漬したところ、金属銅が生成した。その後、硫酸銅
めっきを２５μｍ施し、ドライフィルムでイメージング
し、エッチングした。 この方法によって得られたプリ
ント配線基板は、従来の方法により製造されたものと比
べても何等遜色が無く、ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０Ｄ（２
８８℃／１０秒、１サイクル）に従って行った耐熱試験
結果も良好であった。
【００１７】
【発明の効果】本発明によると、酸化銅（Ｉ）コロイド
を含む銅触媒を用いてキャタライジングされた基材上
に、室温において浸漬のみによって極めて高純度の銅の
電導性皮膜を形成することができる。さらに本発明によ
ると、酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒を用いてキャ
タライジングした後に乾燥、表面研磨を行い、次にアル
カリ性水溶液に可溶なドライフィルムを用いてイメージ
ングし（またはアルカリ性水溶液に可溶なレジストイン
ク印刷でも可）、その後パターン上とスルーホール内の
みに極めて高純度の銅皮膜を形成し、続いて電気銅めっ
き、はんだめっきを行う工程から成る、かって当業者が
成し得なかったプリント配線基板の製造方法が可能にな
る。
を含む銅触媒を用いてキャタライジングされた基材上
に、室温において浸漬のみによって極めて高純度の銅の
電導性皮膜を形成することができる。さらに本発明によ
ると、酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒を用いてキャ
タライジングした後に乾燥、表面研磨を行い、次にアル
カリ性水溶液に可溶なドライフィルムを用いてイメージ
ングし（またはアルカリ性水溶液に可溶なレジストイン
ク印刷でも可）、その後パターン上とスルーホール内の
みに極めて高純度の銅皮膜を形成し、続いて電気銅めっ
き、はんだめっきを行う工程から成る、かって当業者が
成し得なかったプリント配線基板の製造方法が可能にな
る。
【００１８】そして、本発明のダイレクトプレーティン
グ方法を使用することによって、次のような優れた効果
を得ることができる。 （１）無電解銅めっきと異なり、煩雑な分析管理が不要
である（管理が容易）。 （２）発ガン性のあるホルムアルデヒドを使用しない
（作業環境が良好）。 （３）微小ホールへの水素ガスのトラップによる空間が
発生しにくい。 （４）無電解銅めっきに比べめっき時間が短く、めっき
のカバーリングが早い。 （５）コトスが安い（銅の分析が少なくて済む）。 （６）前述のＰＣＢ製造工程で処理すると、短納期化が
可能である。 （７）前処理工程が短縮でき、処理時間が短い。 （８）酸化銅（Ｉ）コロイド処理工程、金属化工程のい
ずれかが弱酸性〜中性溶液であるため、アルカリル可溶
性レジストが使用可能である。 以上述べたように、本発明のダイレクトプレーティング
法は迅速かつ安全であり、経済性、信頼性に極めて優れ
ており、プリント回路基板業界への貢献は極めて大であ
る。
グ方法を使用することによって、次のような優れた効果
を得ることができる。 （１）無電解銅めっきと異なり、煩雑な分析管理が不要
である（管理が容易）。 （２）発ガン性のあるホルムアルデヒドを使用しない
（作業環境が良好）。 （３）微小ホールへの水素ガスのトラップによる空間が
発生しにくい。 （４）無電解銅めっきに比べめっき時間が短く、めっき
のカバーリングが早い。 （５）コトスが安い（銅の分析が少なくて済む）。 （６）前述のＰＣＢ製造工程で処理すると、短納期化が
可能である。 （７）前処理工程が短縮でき、処理時間が短い。 （８）酸化銅（Ｉ）コロイド処理工程、金属化工程のい
ずれかが弱酸性〜中性溶液であるため、アルカリル可溶
性レジストが使用可能である。 以上述べたように、本発明のダイレクトプレーティング
法は迅速かつ安全であり、経済性、信頼性に極めて優れ
ており、プリント回路基板業界への貢献は極めて大であ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒で触
媒付与された非電導性の基材を、銅塩、銅を析出するた
めの銅の還元剤および銅の錯化剤を含む溶液中に浸漬す
ることによって、酸化銅（Ｉ）コロイド表面に金属銅を
析出させ、銅の電導性皮膜を形成させるダイレクトプレ
ーティング方法。 - 【請求項２】 酸化銅（Ｉ）コロイドを含む銅触媒で触
媒付与された非電導性の基材を無機酸を含む溶液中に浸
漬することによって、酸化銅（Ｉ）の不均化反応により
非電導性基材表面上に銅の電導性皮膜を形成させるダイ
レクトプレーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35510993A JP3337802B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 酸化銅（ｉ）コロイドの金属化によるダイレクトプレーティング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35510993A JP3337802B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 酸化銅（ｉ）コロイドの金属化によるダイレクトプレーティング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07197266A true JPH07197266A (ja) | 1995-08-01 |
| JP3337802B2 JP3337802B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=18441994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35510993A Expired - Fee Related JP3337802B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 酸化銅（ｉ）コロイドの金属化によるダイレクトプレーティング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3337802B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5908543A (en) * | 1997-02-03 | 1999-06-01 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Method of electroplating non-conductive materials |
| JP2000173868A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Nichicon Corp | アルミニウム電解コンデンサ駆動用電解液 |
| JP2001214278A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-08-07 | Learonal Japan Inc | ダイレクトプレーティング用アクセレレータ浴液およびダイレクトプレーティング方法 |
| US6331239B1 (en) | 1997-04-07 | 2001-12-18 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Method of electroplating non-conductive plastic molded products |
| JP2002348673A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-04 | Learonal Japan Inc | ホルムアルデヒドを使用しない無電解銅めっき方法および該方法に使用される無電解銅めっき液 |
| JP2003073890A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の端面電極形成方法 |
| JP2007100164A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Alps Electric Co Ltd | 触媒処理方法、無電解めっき方法および無電解めっき方法を用いた回路形成方法 |
| JP2007162068A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007235040A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Osaka City | 亜酸化銅膜に金属銅層を形成する方法 |
| WO2009078448A1 (ja) * | 2007-12-18 | 2009-06-25 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 銅導体膜及びその製造方法、導電性基板及びその製造方法、銅導体配線及びその製造方法、並びに処理液 |
| KR20160013261A (ko) | 2011-11-14 | 2016-02-03 | 이시하라 케미칼 가부시키가이샤 | 무전해 구리 도금용 전처리액 및 무전해 구리 도금방법 |
| KR20170008289A (ko) | 2015-02-19 | 2017-01-23 | 이시하라 케미칼 가부시키가이샤 | 무전해 구리도금용 구리 콜로이드 촉매액 및 무전해 구리도금 방법 |
| KR20190133780A (ko) | 2017-06-01 | 2019-12-03 | 이시하라 케미칼 가부시키가이샤 | 무전해 구리 도금용의 구리 콜로이드 촉매액, 무전해 구리 도금 방법, 및 구리 도금 기판의 제조방법 |
| WO2021009951A1 (ja) * | 2019-07-17 | 2021-01-21 | 上村工業株式会社 | 無電解銅めっき浴 |
| JPWO2022085461A1 (ja) * | 2020-10-21 | 2022-04-28 | ||
| WO2022153995A1 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 長野県 | 酸化還元反応により導電性を示す下地導電層用材料並びにそれを用いた製造プロセス、デバイス、めっき品、めっき品の製造方法及びコーティング液 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP35510993A patent/JP3337802B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5908543A (en) * | 1997-02-03 | 1999-06-01 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Method of electroplating non-conductive materials |
| US6331239B1 (en) | 1997-04-07 | 2001-12-18 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Method of electroplating non-conductive plastic molded products |
| JP2000173868A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Nichicon Corp | アルミニウム電解コンデンサ駆動用電解液 |
| JP4646376B2 (ja) * | 1999-11-22 | 2011-03-09 | 日本リーロナール有限会社 | ダイレクトプレーティング用アクセレレータ浴液およびダイレクトプレーティング方法 |
| JP2001214278A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-08-07 | Learonal Japan Inc | ダイレクトプレーティング用アクセレレータ浴液およびダイレクトプレーティング方法 |
| JP2002348673A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-04 | Learonal Japan Inc | ホルムアルデヒドを使用しない無電解銅めっき方法および該方法に使用される無電解銅めっき液 |
| JP2003073890A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の端面電極形成方法 |
| JP4710204B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-06-29 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の端面電極形成方法 |
| WO2007043380A1 (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Alps Electric Co., Ltd. | 触媒処理方法、無電解めっき方法および無電解めっき方法を用いた回路形成方法 |
| JP4521345B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2010-08-11 | アルプス電気株式会社 | 触媒処理方法、無電解めっき方法および無電解めっき方法を用いた回路形成方法 |
| JP2007100164A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Alps Electric Co Ltd | 触媒処理方法、無電解めっき方法および無電解めっき方法を用いた回路形成方法 |
| JP2007162068A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007235040A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Osaka City | 亜酸化銅膜に金属銅層を形成する方法 |
| WO2009078448A1 (ja) * | 2007-12-18 | 2009-06-25 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 銅導体膜及びその製造方法、導電性基板及びその製造方法、銅導体配線及びその製造方法、並びに処理液 |
| EP2234119A1 (en) * | 2007-12-18 | 2010-09-29 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Copper conductor film and manufacturing method thereof, conductive substrate and manufacturing method thereof, copper conductor wiring and manufacturing method thereof, and treatment solution |
| US20120125659A1 (en) * | 2007-12-18 | 2012-05-24 | Hideo Nakako | Copper conductor film and manufacturing method thereof, conductive substrate and manufacturing method thereof, copper conductor wiring and manufacturing method thereof, and treatment solution |
| JP5163655B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2013-03-13 | 日立化成株式会社 | 銅導体膜及びその製造方法、導電性基板及びその製造方法、銅導体配線及びその製造方法、並びに処理液 |
| US8801971B2 (en) | 2007-12-18 | 2014-08-12 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Copper conductor film and manufacturing method thereof, conductive substrate and manufacturing method thereof, copper conductor wiring and manufacturing method thereof, and treatment solution |
| EP2234119A4 (en) * | 2007-12-18 | 2015-04-15 | Hitachi Chemical Co Ltd | COPPER CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, COPPER CONDUCTIVE THREAD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND PROCESSING SOLUTION THEREOF |
| KR20160013261A (ko) | 2011-11-14 | 2016-02-03 | 이시하라 케미칼 가부시키가이샤 | 무전해 구리 도금용 전처리액 및 무전해 구리 도금방법 |
| KR20170008289A (ko) | 2015-02-19 | 2017-01-23 | 이시하라 케미칼 가부시키가이샤 | 무전해 구리도금용 구리 콜로이드 촉매액 및 무전해 구리도금 방법 |
| KR20190133780A (ko) | 2017-06-01 | 2019-12-03 | 이시하라 케미칼 가부시키가이샤 | 무전해 구리 도금용의 구리 콜로이드 촉매액, 무전해 구리 도금 방법, 및 구리 도금 기판의 제조방법 |
| WO2021009951A1 (ja) * | 2019-07-17 | 2021-01-21 | 上村工業株式会社 | 無電解銅めっき浴 |
| KR20210010469A (ko) * | 2019-07-17 | 2021-01-27 | 우에무라 고교 가부시키가이샤 | 무전해 구리도금욕 |
| JP2021017608A (ja) * | 2019-07-17 | 2021-02-15 | 上村工業株式会社 | 無電解銅めっき浴 |
| EP3792374A4 (en) * | 2019-07-17 | 2021-10-20 | C. Uyemura & Co., Ltd. | BATH FOR ELECTRONIC COPPER PLATING |
| JPWO2022085461A1 (ja) * | 2020-10-21 | 2022-04-28 | ||
| WO2022085461A1 (ja) * | 2020-10-21 | 2022-04-28 | 旭化成株式会社 | 導電性パターン付構造体の製造方法 |
| EP4234758A4 (en) * | 2020-10-21 | 2024-06-19 | Asahi Chemical Ind | METHOD FOR PRODUCING A STRUCTURE WITH CONDUCTIVE PATTERNS |
| WO2022153995A1 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 長野県 | 酸化還元反応により導電性を示す下地導電層用材料並びにそれを用いた製造プロセス、デバイス、めっき品、めっき品の製造方法及びコーティング液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3337802B2 (ja) | 2002-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0544075A (ja) | 無電解銅めつき代替銅ストライクめつき方法 | |
| US4232060A (en) | Method of preparing substrate surface for electroless plating and products produced thereby | |
| JP3009326B2 (ja) | 不導性基材に金属被覆を適用するための方法 | |
| JP3337802B2 (ja) | 酸化銅（ｉ）コロイドの金属化によるダイレクトプレーティング方法 | |
| EP0176736B1 (en) | Process for selective metallization | |
| JP6195857B2 (ja) | 非導電性プラスチック表面の金属化方法 | |
| JP6246139B2 (ja) | 非導電性プラスチック表面の金属化方法 | |
| JP2005336614A (ja) | プラスチック表面をめっきするための方法 | |
| CA1229266A (en) | Process for preparing a substrate for subsequent electroless deposition of a metal | |
| US5071517A (en) | Method for directly electroplating a dielectric substrate and plated substrate so produced | |
| JPS6321752B2 (ja) | ||
| CN105018904B (zh) | 一种用于柔性电路板化学镀镍的溶液及其施镀方法 | |
| US5342501A (en) | Method for electroplating metal onto a non-conductive substrate treated with basic accelerating solutions for metal plating | |
| JP2003064480A (ja) | 銅−樹脂複合材料の形成方法 | |
| US3993848A (en) | Catalytic primer | |
| CN107868947B (zh) | 一种活化液及其制备方法和无钯活化化学镀镍方法 | |
| JP3387507B2 (ja) | 無電解ニッケルめっき用前処理液および前処理方法 | |
| JP2001516961A (ja) | 電気的に不導体な表面領域を有するサブストレートを金属化するための方法 | |
| JP2001519477A (ja) | ゴールド層を生じるための方法と溶液 | |
| JP3890542B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| US5770032A (en) | Metallizing process | |
| JP4646376B2 (ja) | ダイレクトプレーティング用アクセレレータ浴液およびダイレクトプレーティング方法 | |
| US20040234777A1 (en) | Method for electroless plating without precious metal sensitization | |
| CN116324032A (zh) | 在不用钯活化的情况下在铜上无电镀镍沉积的方法 | |
| EP0590046B1 (en) | Basic accelerating solutions for direct electroplating |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |