KR20210010469A - 무전해 구리도금욕 - Google Patents
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Abstract
무전해 구리도금욕은, 환원제로서 하이드라진화합물을 포함하고, 포름알데히드를 함유하지 않는 pH5∼10의 무전해 구리도금욕으로서, 아민계 착화제 또는 아민화합물 및 아미노카복실산계 착화제를 적어도 함유한다.
Description
본 발명은, 포름알데히드를 포함하지 않고, 중성에서 사용 가능한 무전해 구리도금욕에 관한 것이다.
종래의 무전해 구리도금욕에는, 구리이온의 환원제로서 포름알데히드가 사용되고 있으나, 포름알데히드는 증기압이 높고, 자극취에 의한 작업 환경의 악화, 발암성으로 인한 인체에 대한 악영향이 지적되고 있다. 또한, 포름알데히드를 사용하는 무전해 구리도금욕은 강알칼리성이므로, 피도금물의 열화를 일으키기 쉬워 그 용도가 제한되었다.
그래서, 포름알데히드 이외의 환원제를 사용한 무전해 구리도금욕이 제안되었다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 환원제로서 차아인산염을 사용한 무전해 구리도금욕이 제안되었다. 이 차아인산염은, 구리 상의 촉매 기능을 갖지 않으므로, 매개 금속 이온, 예를 들어, 니켈이나 코발트 등의 금속염을 함유하는 도금욕에 추가된다(예를 들어, 비특허문헌 1 참조).
비특허문헌 1 : [표면기술] Vol.48, No.4, 1997년
여기서, 차아인산염은 구리로의 촉매 활성을 갖지 않으므로, 상기 종래의 차아인산염을 사용한 무전해 구리 도금욕에서는, 일반적으로, 차아인산염에 대해 촉매 활성을 나타내는 금속인 니켈을 첨가한다. 그러나, 이 니켈은 구리보다 도전성이 떨어지는 금속이며, 이 도금욕으로부터의 구리 석출물에는 니켈이 공석하므로, 많은 전자 회로 용도에서 도전성이 불충분해진다는 문제가 있었다.
또한, 일반적으로, 도금층 형성을 위한 촉매로서 팔라듐 등의 금속 촉매 입자를 베이스 금속과 치환시키고, 그 촉매를 도금 반응의 기점으로 하여, 무전해 도금에 의해 도금층을 형성하는 방법이 알려져 있다. 그러나, 팔라듐 등의 금속 촉매 입자가 구리 베이스에서 치환되면, 팔라듐 등의 금속 입자가 베이스 구리와 무전해 구리도금과의 계면에 존재하게 되므로, 특히, 미세한 배선 회로에서는 저항률이 증대하고, 결과적으로, 도전성이 불충분해진다는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명은, 전술한 문제를 감안하여, 포름알데히드를 함유하지 않고, 피도금물의 열화를 일으키기 어려운 중성에서, 촉매를 부여하지 않고 구리 상으로의 석출이 가능한 무전해 구리도금욕을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 무전해 구리도금욕은, 환원제로서 하이드라진화합물을 포함하고, 포름알데히드를 함유하지 않는 pH5∼10의 무전해 구리도금욕으로서, 아민계 착화제 또는 아민화합물 및 아미노카복실산계 착화제를 적어도 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 포름알데히드를 함유하지 않고, 중성에서, 석출성과 욕 안정성이 우수하며, 촉매를 부여하지 않고 구리 상으로의 석출이 가능한 무전해 구리도금욕을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 무전해 구리도금욕에 대해 설명한다.
<무전해 구리도금욕>
본 발명의 무전해 구리도금욕은, 환원제인 하이드라진화합물, 아민계 착화제, 및 아미노카복실산계 착화제를 함유하는 도금욕이다. 본 발명의 무전해 구리도금욕은, 나트륨이나 칼륨 등의 알칼리 금속염을 사용하지 않는 욕 조성에서의 건욕도 가능하고, 반도체 웨이퍼 제조에서도 적절하게 사용할 수 있다.
(환원제)
본 발명의 무전해 구리도금욕에서는, 환원제로서, 상기 종래의 포름알데히드 대신에, 하이드라진화합물이 사용된다. 이 하이드라진화합물로는, 예를 들어 하이드라진모노수화물, 염화하이드라지늄, 황산하이드라지늄, 디메틸하이드라진, 아세트하이드라지드, 및 카보하이드라진 등을 들 수 있다.
또한, 도금욕에서의 환원제의 농도는, 0.1∼1.0M이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2∼0.5M이다.
(pH)
전술한 바와 같이, 본 발명의 무전해 구리도금욕에서는, 환원제로서, 약산성부터 알칼리성의 조건에서 사용할 수 있는 하이드라진화합물을 사용하므로, 본 발명의 도금욕의 pH는 5 이상이고, 5∼10이 바람직하고, 6∼8이 보다 바람직하다. pH를 5 이상으로 함으로써, 피도금물인 기재에 손상을 주지 않고 도금 처리를 실시할 수 있다.
여기서, 도금욕의 pH는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 암모니아수, 수산화테트라메틸암모늄, 황산, 염산, 붕산, 인산, 모노카복실산, 디카복실산 등의 pH조정제로 조정 가능하다.
(아민계 착화제)
전술한 하이드라진화합물을 중성(pH5∼10)에서 환원제로서 사용한 경우, 착체화된 구리이온과 하이드라진화합물의 산화환원 전위차, 즉, 도금 반응의 구동력(환원력)이, 알칼리(pH>10)인 경우보다 약해져버려, 도금 반응이 진행되기 어려워진다.
그래서, 본 발명에서는, 상기 중성에서의 하이드라진화합물의 환원력 저하를 억제하여 석출성과 욕 안정성을 향상시키는 관점에서, 아민계 착화제를 사용하는 구성으로 한다.
이 아민계 착화제로는, 예를 들어, 디아민화합물, 트리아민화합물, 및 방향족아민화합물 등을 사용할 수 있다. 디아민화합물로는, 예를 들어, 에틸렌디아민, 트리메틸렌디아민, 및 프로필렌디아민 등을 들 수 있다. 트리아민화합물로는, 예를 들어, 디에틸렌트리아민, 디프로필렌트리아민, 및 에틸렌프로필렌트리아민 등을 들 수 있다. 방향족아민화합물로는, 예를 들어, 2-아미노메틸피리딘, 2-아미노피리딘, 2,6-피리딘디카복실산, 및 o-페닐렌디아민 등을 들 수 있다.
일반적으로, 구리에 대해 강한 착화력을 갖는 착화제를 사용하면, 구리이온과의 착체가 안정되고, 중성(pH5∼10)에서는 도금 반응의 구동력이 부족하므로 반응이 진행되지 않는다. 그러나, 알칼리(pH>10)에서 사용하는 경우는, 욕 안정성을 유지하기 위해, 예를 들어, 에틸렌디아민테트라아세트산이나 디에틸렌트리아민펜타아세트산 등의 강한 착화력을 갖는 것을 사용할 필요가 있다. 이들은 착화력의 지표 중 하나인 안정도 상수의 값이 높기 때문에, 구리와의 착체가 형성되기 쉽고, 배위수도 많은 점에서 강한 착화력을 갖는 것으로 생각된다.
한편, 구리에 대해 약한 착화력을 갖는 착화제를 사용하면, 알칼리(pH>10)뿐만 아니라 중성(pH5∼10)에서도 구리이온과의 착체 형성이 유지되기 어려워지므로, 욕 분해가 일어나기 쉬워진다.
그래서, 본 발명의 무전해 구리도금욕에서는, 아민계 착화제로서, 전술한 디아민화합물, 트리아민화합물, 또는 방향족아민화합물을 사용함으로써 구리와의 착체가 안정되고, 또, 이들 화합물은 에틸렌디아민테트라아세트산이나 디에틸렌트리아민펜타아세트산에 비해 안정도 상수가 낮고, 배위수도 2∼3이므로, 도금 석출성과 욕 안정성의 균형을 제어할 수 있게 된다.
또한, 도금욕에서의 아민계 착화제의 농도는, 0.01∼1.0M이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1∼0.6M이다.
(아미노카복실산계 착화제)
구리 표면 상에서 도금 반응을 실시하는 경우, 베이스로서의 구리가 청정한 상태(즉, 표면의 구리가 산화되지 않은 상태)여야만 반응이 진행된다.
그래서, 본 발명에서는, 구리 표면의 산화구리를 에칭하여, 구리 상의 석출을 촉진시키는 관점에서, 아미노카복실산계 착화제를 사용하는 구성으로 한다. 이 아미노카복실산계 착화제는, 구리 표면의 산화막을 제거하기 쉽고, 구리 표면 상을 청정한 상태로 유지할 수 있다.
아미노카복실산계 착화제로는, 예를 들어, 에틸렌디아민테트라아세트산, 니트릴로트리아세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산, 하이드록시에틸에틸렌디아민트리아세트산, 트리에틸렌테트라민헥사아세트산, 1,3-프로판디아민테트라아세트산, 1,3디아미노-2-하이드록시프로판테트라아세트산, 하이드록시에틸이미노디아세트산, 디하이드록시에틸글리신, 글리콜에테르디아미노테트라아세트산, 디카복시메틸글루탐산, 에틸렌디아민-N,N'-디숙신산, 및 NNN'N'-테트라키스-(2-하이드록시프로필)에틸렌디아민 등을 들 수 있다.
또한, 도금욕에서의 아미노카복실산계 착화제의 농도는, 0.01∼1.0M이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.05∼0.4M이다.
여기서, 아미노카복실산 중에서도, 구리에 대해 높은 안정도 상수를 갖는 에틸렌디아민테트라아세트산이나 디에틸렌트리아민펜타아세트산의 첨가량이 많은 경우, 전술한 바와 같이, 도금 반응의 구동력이 부족하여 반응이 진행되기 어려워지므로, 첨가량은 소량인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 무전해 구리도금욕에서는, 아미노카복실산계 착화제에 비해, 착화력이 있고, 욕 안정성 향상 효과가 우수한 전술한 아민계 착화제를 주로 사용하고, 이 아민계 착화제에 대한 보조적인 기능을 갖는 제 2 착화제로서 아미노카복실산계 착화제를 사용하는 것이 바람직하다.
(아민화합물)
본 발명의 무전해 구리도금욕에서는, 전술한 아민계 착화제 대신, 또는 병용하여, 아민계 화합물을 사용할 수 있다.
이 아민화합물로는, 예를 들어, 모노아민화합물을 사용할 수 있고, 모노아민화합물로는, 예를 들어, 암모니아, 모노에틸아민, 및 디메틸아민 등을 들 수 있다.
또한, 아민계 착화제보다 배위자의 수가 적은 점에서 아민화합물의 농도를 높게 할 필요가 있다. 또한, 아민계 착화제는, 구리로의 배위수가 2 이상이고, 구리를 감싸는 형태로 배위하므로 구리를 안정적으로 유지하나, 아민화합물은 배위수가 1이므로, 그와 같은 기능을 갖지 않는다. 이상으로부터, 도금욕에서의 아민화합물의 농도는 0.5∼1.0M이 바람직하다.
여기서, 모노아민화합물만으로는, 전술한 아민계 착화제와 같이 욕 안정성과 도금 반응이 일어나기 쉬움을 양립시킬 수는 없으나(후술하는 비교예 7을 참조), 아민계 착화제와 동등한 정도의 안정도 상수를 갖는 아미노카복실산계 착화제를 보조 배위자로서 사용함으로써, 석출성과 욕 안정성을 향상시킬 수 있다(후술하는 실시예 7∼8을 참조).
(카복실산계 착화제)
또한, 본 발명에서는, 안정적인 도금 처리를 실시하는 관점에서, 카복실산계 착화제를 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 무전해 구리도금욕에, 전술한 아민계 착화제와, 아미노카복실산계 착화제와 더불어, 카복실산계 착화제를 첨가함으로써, 욕 안정성 유지 시간이 길어지므로, 욕 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다(후술하는 실시예 22∼36을 참조).
카복실산계 착화제로는, 예를 들어, 모노카복실산, 디카복실산, 및 옥시카복실산(하이드록시산) 등을 사용할 수 있다. 모노카복실산으로는, 예를 들어, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 펜탄산, 아크릴산, 트리메틸아세트산, 벤조산, 및 클로로아세트산 등을 들 수 있다. 디카복실산으로는, 예를 들어, 말론산, 숙신산, 말산, 타타르산, 옥살산, 말레산, 푸마르산, 시트라코닉산, 메사콘산, 이타콘산, 아코니트산, 2-펜텐디산, 메틸렌숙신산, 알릴말론산, 이소프로필리덴숙신산, 2,4-헥사디엔디산, 및 아세틸렌디카복실산 등을 들 수 있다. 옥시카복실산으로는, 예를 들어, 시트르산, 글루콘산, 락트산, 글리콜산, 아스코르브산, 디글리콜산, 및 살리실산 등을 들 수 있다.
또한, 도금욕에서의 카복실산계 착화제의 농도는, 0.01∼1.0M이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01∼0.2M이다.
(도금욕의 온도)
도금욕의 온도로는, 특별히 한정되지 않으나, 20∼90℃가 바람직하고, 30∼80℃가 보다 바람직하고, 40∼60℃가 특히 바람직하다. 도금욕의 온도가 20℃ 미만이면, 석출 속도가 느려져 도금 처리 시간이 길어지므로 바람직하지 않다. 또한, 욕 온도가 90℃를 초과하면, 석출 속도가 너무 빨라지므로 조잡한 피막이 되어 도금 후 피막의 열수축으로 인해 기재가 휘는 일이 발생하는 경우가 있으므로 바람직하지 않다. 또한, 노듈(nodule)이 발생하거나 거친 도금이 되기 쉬워 피막 물성이 저하하는 경우가 있고, 또한, 도금욕이 불안정해짐과 더불어, 환원제의 자연 소모가 많아져 비용 상승으로 이어진다.
(기타)
본 발명의 도금욕은, 필요에 따라, 무전해 구리도금욕에 배합되는 공지의 각종 첨가제를 추가로 함유할 수 있다. 첨가제로는, 예를 들어, 수용성 구리염, 계면활성제나 안정제 등을 들 수 있다.
보다 구체적으로는, 수용성 구리염으로, 예를 들어 황산구리, 질산구리, 염화구리, 아세트산구리, 시트르산구리, 타타르산구리, 및 글루콘산구리를 들 수 있고, 무전해구리 도금 용액 중에서 1종 단독 또는 2종 이상을 임의의 비율로 혼합시켜 사용할 수 있다.
또한, 필요에 따라, 계면활성제 및 안정제로서의 질소 함유 방향족화합물을 도금 석출 속도가 너무 크게 저하하지 않는 범위에서, 적절히 사용할 수 있다.
본 발명의 무전해 구리도금욕에서는 피도금물의 종류에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 종래의 무전해 구리도금의 처리 대상물을 피도금물로 할 수 있다. 특히, 본 발명의 무전해 구리도금욕은, 강알칼리성으로 인해 열화를 일으키기 쉬운 피도금물의 구리도금 피막 형성에 유효하다.
<무전해 구리도금 처리>
전술한 무전해 구리도금욕을 이용한 무전해 구리도금 방법으로는, 공지의 방법을 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 기재에 대해 황산 세정처리를 실시한 후, 전술한 무전해 구리도금욕을 이용하여 무전해 구리도금 처리를 실시한다. 여기서, 무전해 구리도금 처리 시의 온도는, 전술한 무전해 구리도금욕의 욕 온도를 제어하여 실시한다.
또한, 무전해 구리도금 처리 시간은, 특별히 한정되는 것이 아니라, 원하는 막두께가 되도록 적절히 설정하면 된다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 30초∼15시간 정도로 할 수 있다.
또한, 무전해 구리도금 처리를 실시할 때에는, 도금 처리의 진행에 따라, 구리이온이 환원제에 의해 금속구리로 환원되어 기재 상에 석출되므로, 도금욕 중의 구리이온 농도나 환원제 농도가 저하되고, 또 pH도 변화하게 된다. 따라서, 연속적으로 또는 정기적으로, 무전해 구리도금욕 중에, 구리이온원으로서의 수용성 구리염, 환원제, 착화제, 및 그 밖의 첨가제를 보급하여, 이들 농도를 일정 농도 범위로 유지시켜두는 것이 바람직하다.
또한, 비어나 트렌치와 같은 오목형상의 패턴에 관해서는, 액의 침투성을 향상시키는 관점에서, 클리너나 유기 용제에 의한 처리를 실시하여도 된다. 또한, 유기물 제거를 위해, 클리너 처리를 실시하여도 된다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예에 기초하여 본 출원에 따른 발명을 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1∼36, 비교예 1∼7)
(도금욕의 제조)
환원제인 하이드라진모노수화물과, 아민계 착화제 또는 아민화합물과, 아미노카복실산계 착화제와, 카복실산계 착화제와, 구리염인 황산구리오수화물과, 계면활성제인 폴리에틸렌글리콜과, 질소 함유 방향족화합물인 2,2'-디피리딜을, 표 1∼3에 나타내는 농도가 되도록 혼합하여 교반함으로써, 실시예 1∼36, 비교예 1∼7의 도금욕을 제조하였다. 그리고, 도금욕의 온도를 50℃, pH를 5∼10(중성)으로 설정하였다.
(도금 처리)
표 1∼3에 나타내는 바와 같이, 피도금물인 기재로서, 구리 스퍼터링 처리를 실시한 실리콘 웨이퍼(크기 : 20㎜x20㎜, 두께 : 2㎜)를 준비하였다. 여기서, 이 기재에 대해, 전처리인 산세정을 25℃에서 1분간 실시하였다.
다음으로, 제조한 도금욕에 상기 기재를 15분간 침지하여, 피도금물 상에 0.05∼0.1㎛의 두께를 갖는 무전해구리 도금피막을 형성하였다.
(도금 석출성)
구리 스퍼터링 처리를 실시한 실리콘 웨이퍼에서, 구리 석출에 따른 실리콘 웨이퍼 외관의 색조 변화를 육안으로 관찰하고, 전술한 도금 처리에 의해 형성된 도금 피막의 석출성에 대해 평가하였다. 보다 구체적으로는, 도금된 기재를 육안으로 확인하여, 미석출의 유무(균일한 석출인지 여부)에 따라 평가를 실시하였다. 이상의 결과를 표 1∼3에 나타낸다.
(도금욕의 안정성)
건욕 후의 도금욕을 육안으로 관찰하고, 욕 분해에 수반되는 구리의 석출의 유무를 평가하였다. 보다 구체적으로는, 도금조 바닥에서의 구리의 퇴적 유무, 또는 도금조에 대해, 구리 피막이 형성되었는지 여부를 육안으로 관찰하였다. 이상의 결과를 표 1∼3에 나타낸다.
[표 1]
[표 2]
[표 3]
표 1∼2에 나타내는 바와 같이, 환원제로서 하이드라진화합물을 포함하고, 포름알데히드를 함유하지 않는 중성(pH5∼10)의 무전해 구리도금욕으로서, 아민계 착화제 또는 아민화합물과, 아미노카복실산계 착화제를 함유하는 실시예 1∼36에서는, 석출성과 욕 안정성이 우수하여, 촉매를 부여하지 않고 구리 상으로의 석출이 가능함을 알았다.
특히, 카복실산계 착화제를 함유하는 실시예 26∼36에서는, 실시예 1∼25에 비해, 욕 안정성 유지 시간이 길어져, 보다 안정된 도금 처리를 실시할 수 있음을 알았다.
또한, 실시예 17에서는, 착화제인 니트릴로트리아세트산의 농도가 높으므로, 안정성이 높아지고, 욕 안정 유지 시간이 긴 것을 알았다.
여기서, 비교예 1∼3에서는, 에틸렌디아민테트라아세트산, 및 디에틸렌트리아민펜타아세트산의 착화력이 너무 강하여, 도금 반응이 진행되지 않아 구리가 미석출이었다. 그리고, 도금 반응이 진행되지 않고, 욕의 균형이 유지된 채로 되므로, 욕 안정 유지 시간도 길어졌다(표 3에 나타내는 바와 같이, 2시간까지 확인되었다).
또한, 비교예 4∼5에서는, 착화제로서, 타타르산, 또는 시트르산만이 사용되었기 때문에, 환원제인 하이드라진모노수화물을 적하한 순간에 욕이 혼탁해지고, 그 후, 욕 분해가 발생하였다.
또한, 전술한 바와 같이, 아미노카복실산계 착화제인 니트릴로트리아세트산은, 아민계 착화제에 대한 보조적인 기능을 갖는 것이기 때문에, 니트릴로트리아세트산만을 함유하는 비교예 6에서는, 욕 안정성을 충분히 발휘할 수 없음을 알았다.
또한, 암모니아만을 함유하는 비교예 7에서는, 아민계 착화제는 구리로의 배위수가 2 이상이고, 구리를 감싸는 형태로 배위하므로 구리를 안정적으로 유지하나, 아민화합물은 배위수가 1이고, 그와 같은 기능을 갖지 않기 때문에, 욕 분해가 발생한 것으로 생각된다.
본 실시형태의 무전해 구리도금욕은, 특히, 피도금물의 열화를 일으키기 어려운 중성에서, 적절히 사용된다.
Claims (6)
- 환원제로서 하이드라진화합물을 포함하고, 포름알데히드를 함유하지 않는 pH5∼10의 무전해 구리도금욕으로서,
아민계 착화제 또는 아민화합물; 및
아미노카복실산계 착화제;를 적어도 함유하는 것을 특징으로 하는 무전해 구리도금욕. - 제 1 항에 있어서,
상기 아민계 착화제가, 디아민화합물, 트리아민화합물, 및 방향족아민화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 무전해 구리도금욕. - 제 1 항에 있어서,
상기 아민화합물이, 모노아민화합물인 것을 특징으로 하는 무전해 구리도금욕. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 아미노카복실산계 착화제가, 에틸렌디아민테트라아세트산, 니트릴로트리아세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산, 하이드록시에틸에틸렌디아민트리아세트산, 트리에틸렌테트라민헥사아세트산, 1,3-프로판디아민테트라아세트산, 1,3디아미노-2-하이드록시프로판테트라아세트산, 하이드록시에틸이미노디아세트산, 디하이드록시에틸글리신, 글리콜에테르디아미노테트라아세트산, 디카복시메틸글루타민산, 에틸렌디아민-N,N'-디숙신산, 및 NNN'N'-테트라키스-(2-하이드록시프로필)에틸렌디아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 무전해 구리도금욕. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
카복실산계 착화제를 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 무전해 구리도금욕. - 제 5 항에 있어서,
상기 카복실산계 착화제가, 모노카복실산, 디카복실산, 및 옥시카복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 무전해 구리도금욕.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2019-132151 | 2019-07-17 | ||
JP2019132151A JP6733016B1 (ja) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | 無電解銅めっき浴 |
PCT/JP2020/005561 WO2021009951A1 (ja) | 2019-07-17 | 2020-02-13 | 無電解銅めっき浴 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210010469A true KR20210010469A (ko) | 2021-01-27 |
KR102257128B1 KR102257128B1 (ko) | 2021-05-27 |
Family
ID=71738472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207033424A KR102257128B1 (ko) | 2019-07-17 | 2020-02-13 | 무전해 구리도금욕 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210262096A1 (ko) |
EP (1) | EP3792374B1 (ko) |
JP (1) | JP6733016B1 (ko) |
KR (1) | KR102257128B1 (ko) |
CN (1) | CN112534082B (ko) |
TW (1) | TW202104664A (ko) |
WO (1) | WO2021009951A1 (ko) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN108468039A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-08-31 | 江苏时瑞电子科技有限公司 | 一种应用在氧化锌压敏电阻器铜电极的化学镀铜液及其镀铜工艺 |
-
2019
- 2019-07-17 JP JP2019132151A patent/JP6733016B1/ja active Active
-
2020
- 2020-02-13 KR KR1020207033424A patent/KR102257128B1/ko active IP Right Grant
- 2020-02-13 EP EP20816874.0A patent/EP3792374B1/en active Active
- 2020-02-13 WO PCT/JP2020/005561 patent/WO2021009951A1/ja unknown
- 2020-02-13 US US17/254,741 patent/US20210262096A1/en not_active Abandoned
- 2020-02-13 CN CN202080003242.XA patent/CN112534082B/zh active Active
- 2020-03-13 TW TW109108321A patent/TW202104664A/zh unknown
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3792374B1 (en) | 2022-11-09 |
JP6733016B1 (ja) | 2020-07-29 |
JP2021017608A (ja) | 2021-02-15 |
CN112534082B (zh) | 2021-09-21 |
EP3792374A4 (en) | 2021-10-20 |
TW202104664A (zh) | 2021-02-01 |
KR102257128B1 (ko) | 2021-05-27 |
EP3792374A1 (en) | 2021-03-17 |
CN112534082A (zh) | 2021-03-19 |
WO2021009951A1 (ja) | 2021-01-21 |
US20210262096A1 (en) | 2021-08-26 |
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