JP2004211131A - 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 - Google Patents

無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 Download PDF

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Abstract

【課題】めっき液温度が中低温用の、優れためっき液の安定性及び充分な析出速度を有し、良好な皮膜外観を与える、無電解金めっき液を提供すること。
【解決手段】金塩と、フェニル骨格を有する還元剤と、重金属塩と、含窒素化合物と、を含むことを特徴とする無電解金めっき液。
【選択図】 なし

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無電解金めっき液及び無電解金めっき方法に関し、特に金塩と、フェニル骨格を有する還元剤と、重金属塩と、含窒素化合物を含む無電解金めっき液及び無電解金めっき方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の高温で使用する高アルカリ性の無電解金めっき液に代わる、低温で使用可能な中性の無電解金めっき液が近年開発されている。このような無電解金めっき液は、めっき可能なレジストや電子部品の使用範囲を広げることを目的として開発されたものであるが、従来の高温で使用する高アルカリ性のめっき液と比較して、液安定性及びめっき付き回り性が不十分であるという問題を有していた。
【0003】
この液安定性が不十分である原因としては、(1)無電解金めっき液自体の安定性が不十分であること、及び(2)めっき処理による不純物金属混入により液安定性が低下すること、の2つが想定されており、これらの観点からめっき液を改良する試みがなされている。
【0004】
例えば、特開平1−191782号公報には、シアン化合物を使用することなく、中性付近で無電解金めっきを実現するために、還元剤としてアスコルビン酸を使用することが開示されている(特許文献1参照)。
【0005】
更に、無電解金めっき液に還元剤としてヒドラジン化合物を使用することが開示され、このめっき液は、上記のアスコルビン酸系めっき液と比較して低濃度で実用的な析出速度が得られるとされている(特許文献2参照)。また、還元剤にチオ尿素またはフェニル系化合物を使用する方法が開示されており、チオ尿素は低濃度で金を還元できることが示されている(特許文献3参照)。
【0006】
また、めっき処理による不純物金属混入の抑制や液安定性向上のために、ベンゾトリアゾール系化合物の金属隠蔽剤を添加する改良がなされており、この隠蔽剤の管理範囲は広く、実用的であることが開示されている。例えば、還元剤としてアスコルビン酸を含むめっき液に金属隠蔽剤として、メルカプトベンゾチアゾ−ル系化合物を添加することが開示されている(特許文献4〜6参照)。
【0007】
【特許文献1】
特開平1−191782号
【特許文献2】
特開平3−215677号公報
【特許文献3】
特許2972209号公報
【特許文献4】
特開平4−350172号公報
【特許文献5】
特開平6−145997号公報
【特許文献6】
特開平4−314871号公報
【特許文献7】
特開平3−104877号公報
【特許文献8】
特開平9−157859号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の還元剤又は金属隠蔽剤を加えためっき液には以下のような問題が存在していた。
アスコルビン酸による還元は、還元効率が低く、実用析出速度を確保するために、アスコルビン酸ナトリウムを高い濃度になるように配合するため、めっき液の安定性が十分でないという問題があった。また、メルカプトベンゾチアゾ−ル系化合物の金属隠蔽剤は、使用管理範囲(0.1〜5ppm)が非常に狭く、また作業効率が低く、さらに添加量が多くなると、析出速度が極端に低くなり、めっき付き回り不良が発生するという問題があった。
【0009】
一方、還元剤としてヒドラジン化合物を使用すると、このようなめっき液はアスコルビン酸系めっき液と比較して低濃度で実用的な析出速度を得られるものの、ヒドラジン化合物自体の安定性が低く、液の安定性が確保できないという問題があった。また、ベンゾトリアゾール系化合物の金属隠蔽剤を添加することにより、不純物混入時の抑制及び液安定性の向上が可能になるが、還元剤であるヒドラジン自体の安定性が低いため、めっき液の安定性が不十分であり、実用化には至っていない。
【0010】
また、チオ尿素化合物及びフェニル化合物の両方の還元剤を配合した無電解金めっき液は、還元剤であるチオ尿素の副生成物をフェニル骨格を有する還元剤で還元し、液安定性を向上させたものであるが(特許文献7参照)、チオ尿素の副生成物を完全に元の還元剤に戻すことが困難であり、この残留副生成物がめっき付き回り不良や不安定化の原因となり、結果として十分なめっき液安定性を保持できないという問題があった。
【0011】
また、フェニル骨格を有する還元剤は、中性(pH7〜7.5)において、還元力が少ないため、実用的な析出速度を得ることができない。また、弱アルカリ性領域(pH9.0付近)においては、皮膜外観が悪いうえに、めっき作業中に液が分解する問題があった。この液にベンゾトリアゾール系化合物の金属隠蔽剤を、更に添加することが提案されている(特許文献8参照)。フェニル骨格を有する還元剤とベンゾトリアゾール系化合物の金属隠蔽剤を含むめっき液は、不純物金属混入の抑制や液安定性向上が可能であったが、皮膜外観と析出速度に問題があった。
【0012】
本発明者らは、更なるめっき液の特性向上を目指して検討した結果、フェニル骨格を有する還元剤を含む無電解金めっき液に、重金属塩を添加することにより金めっきの析出速度が向上し、また皮膜外観を大幅に改善できるという知見を得た。しかしながら、本発明者らは、単に重金属塩を添加するだけでは、めっき液の安定性が若干低下することも同時に見出し、これを解決するため更に鋭意研究した。
【0013】
本発明の目的は、めっき液温度が中低温用の、優れためっき液安定性及び充分な析出速度を有し、良好な皮膜外観を与える、無電解金めっき液を提供することにある。また、このような無電解金めっき液を用いた無電解金めっき方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、上記目的が、特定の還元剤、重金属塩及び安定剤としての含窒素化合物を組み合わせた無電解金めっき液により達成可能であることを見出し、本発明を完成させた。
【0015】
すなわち、本発明は、金塩と、下記一般式(1):
【0016】
【化3】
Figure 2004211131
【0017】
(式中、Rは水酸基又はアミノ基を示し、R,R及びRはそれぞれ独立に水酸基、アミノ基、水素原子又はアルキル基を示す。)
で示されるフェニル骨格を有する還元剤と、重金属塩と、含窒素化合物と、を含む無電解金めっき液に関する。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明の無電解金めっき液は、金塩と組み合わせる還元剤を、上記一般式(1)で表せるフェニル骨格を有する化合物とし、析出速度促進剤として重金属塩を併用し、更に安定剤として含窒素化合物を含むものである。そのため、本発明の無電解金めっき液は、めっき液の液温が、例えば65℃程度の中温、又は例えば50℃程度の低温であっても、充分な析出速度を発揮し、皮膜外観が良好であり、かつ、めっき液の安定性が特に優れるものとなる。
【0019】
本発明の無電解金めっき液は、上述のように、必須成分として、金塩、還元剤、重金属塩、及び含窒素化合物を含有している。まず、このような必須成分の実施の形態について説明する。
【0020】
(金塩)
本発明の無電解金めっき液に使用可能な金塩としては、シアン系金塩及び非シアン系金塩が挙げられる。シアン系金塩としては、シアン化第一金カリウムやシアン化第二金カリウムが例示でき、非シアン系金塩としては、塩化金酸塩、亜硫酸金塩、チオ硫酸金塩、チオリンゴ酸金塩が例示される。金塩は1種のみ用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0021】
金塩としては、亜硫酸金塩及びチオ硫酸金塩が好ましい。金塩の含有量は、金として、金の析出反応と液の安定性のバランスを考慮すると、0.2〜10g/Lであることが好ましく、0.5〜5g/Lであることがより好ましく、1〜4g/Lであることが特に好ましい。
【0022】
(還元剤)
本発明の無電解金めっき液において用いる還元剤は、下記一般式(1)で示されるフェニル骨格を有する還元剤である。
【0023】
【化4】
Figure 2004211131
【0024】
式中、Rは水酸基又はアミノ基を示し、R,R及びRはそれぞれ独立に水酸基、アミノ基、水素原子又はアルキル基を示す。アルキル基としては、直鎖又は分岐状の、炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、炭素数1〜5のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜4のアルキル基(メチル基、エチル基、t−ブチル基等)であることが特に好ましい。
【0025】
上記フェニル骨格を有する還元剤としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、p−クレゾール、o−エチルフェノール、p−エチルフェノール、t−ブチルフェノール、o−アミノフェノール、p−アミノフェノール、ヒドロキノン、カテコール、ピロガロール、メチルヒドロキノン、アニリン、o−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、o−トルイジン、p−トルイジン、o−エチルアニリン、p−エチルアニリン等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を用いることができる。
【0026】
めっき液の安定性及び金の析出速度の観点からは、一般式(1)が、R=Rであり、Rが水素原子である化合物が好ましく、下記一般式(2)で示される化合物であることがより好ましい。
【0027】
【化5】
Figure 2004211131
【0028】
式中、R21は水酸基又はアミノ基を示し、R22は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基(メチル基、エチル基、t−ブチル基等)を示す。一般式(2)で示される化合物としては、例えば、p−フェニレンジアミン、メチルヒドロキノン、ヒドロキノン等が挙げられる。
【0029】
フェニル骨格を有する還元剤に、このような構造のものを使用することにより、金めっきの析出速度及びめっき液の安定性がより優れることになる。
【0030】
還元剤の含有量は、実用的な析出速度とめっき液安定性とのバランスを考慮すると0.5〜50g/Lであることが好ましく、2〜10g/Lであることがより好ましく、2〜7g/Lであることが特に好ましい。
【0031】
(重金属塩)
本発明の無電解金めっき液は重金属塩を更に含んでいる。析出速度の促進と皮膜外観を改善する観点から、重金属塩は、タリウム塩、鉛塩、ヒ素塩、アンチモン塩、テルル塩及びビスマス塩からなる群より選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。
【0032】
タリウム塩としては、硫酸タリウム塩、塩化タリウム塩、酸化タリウム塩、硝酸タリウム塩等の無機化合物塩、マロン酸二タリウム塩等の有機錯体塩が挙げられ、鉛塩としては、硫酸鉛塩、硝酸鉛塩等の無機化合物塩、酢酸鉛等の有機錯体塩が挙げられる。
【0033】
また、ヒ素塩としては、亜ヒ素塩、ヒ酸塩、三酸化ヒ素等の無機化合物塩や有機錯体塩が挙げられ、アンチモン塩としては酒石酸アンチモニル塩等の有機錯体塩、塩化アンチモン塩類、オキシ硫酸アンチモン塩、三酸化アンチモン等の無機化合物塩類が挙げられる。
【0034】
そして、テルル塩としては、亜テルル酸塩、テルル酸塩等の無機化合物塩や、有機錯体塩が挙げられ、ビスマス塩としては、硫酸ビスマス(III)、塩化ビスマス(III)、硝酸ビスマス(III)等の無機化合物塩、シュウ酸ビスマス(III)等の有機錯体塩が挙げられる。
【0035】
本発明においては、重金属塩として、タリウム塩(好ましくはタリウム無機化合物又はタリウム有機錯体塩)を用いることが好ましい。
【0036】
上述した重金属塩は、1種又はそれ以上用いることができるが、その添加量の合計は、めっき液全体量を基準として、析出速度向上効果と液安定性のバランスを考慮すると、0.05〜100ppmが好ましく、0.1〜50ppmがより好ましく、0.2〜10ppmであることが特に好ましい。
【0037】
(含窒素化合物)
本発明の無電解金めっき液には、含窒素化合物を含んでいることを特徴としている。フェニル骨格を有する還元剤及び重金属塩を含む無電解金めっき液中に、含窒素化合物を更に含有させることにより、液温60〜80℃程度の低温であっても充分な析出速度が得られ、皮膜外観も良好である上、めっき液の安定性が特に優れるようになる。本発明において、含窒素化合物は安定化剤として働き、金属隠蔽剤又は還元剤は含まれない。
【0038】
含窒素化合物としては、ビピリジル化合物、フェナントロリン化合物、シアン化合物が挙げられる。
【0039】
ビピリジル化合物としては、例えば、下記式:
【0040】
【化6】
Figure 2004211131
【0041】
で示される化合物が例示される。2,2′−ビピリジル、2,3′−ビピリジル、2,4′−ビピリジル、4,4′−ビピリジル、2,2′−ビピリジル−4,4′−ジカルボン酸等が好ましい。
【0042】
フェナントロリン化合物としては、例えば、下記式:
【0043】
【化7】
Figure 2004211131
Figure 2004211131
Figure 2004211131
【0044】
で示される化合物が例示される。1,10−フェナントロリン無水、1,10−フェナントロリン一水和物、1,10−フェナントロリン−2,9−ジカルボン酸、o−フェナントロリン塩酸塩等が好ましい。
【0045】
シアン化合物としては、その金めっき液全体の組成として、錯塩や金塩にシアン化合物を使用しない場合に特に有効であり、その成分としてはシアン化カリウム、シアン化ナトリウム等が例示できる。
【0046】
本発明の含窒素化合物は、単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせてもよい。含窒素化合物の含有量は、液の安定性及び濃度管理と析出速度、めっき付き回り及び皮膜外観とのバランスを考慮すると、1ppm〜500ppmであることが好ましく、2〜100ppmであることがより好ましく、3〜50ppmであることが特に好ましい。
【0047】
本発明の無電解金めっき液には、上述した金塩、還元剤、重金属塩及び含窒素化合物に加えて、錯化剤、pH緩衝剤及び金属イオン隠蔽剤の少なくとも1つを含有することが好ましく、これらの全てを含有することがより好ましい。以下、このような成分について説明する。
【0048】
(錯化剤)
本発明の無電解めっき液には、錯化剤を含有させることが好ましく、当該成分を含有させることにより、金イオン(Au)が安定的に錯体化されて、Auの不均化反応(3Au⇒Au3++2Au)の発生を低下させ、液が安定に保たれるという効果が得られる。錯化剤は1種類のみを用いてもよく2種類以上を用いてもよい。
【0049】
錯化剤としては、例えば、シアン化ナトリウム、シアン化カリウム、チオシアン酸塩、イソチオシアン酸塩、シアノ錯イオン等のシアン系錯化剤や、亜硫酸ナトリウムのような亜硫酸塩、チオ硫酸ナトリウムのようなチオ硫酸塩、チオリンゴ酸塩(メルカプトコハク酸)等の非シアン系錯化剤が挙げられる。硫酸塩、チオ硫酸塩が好ましい。また、これらは単独でも2種以上を組み合わせても用いることができる。なお、錯化剤は金塩を含まない。
【0050】
本発明の無電解金めっき液においては、亜硫酸塩又はチオ硫酸塩を錯化剤として用いることが好ましい。錯化剤の含有量は、めっき液の全容量を基準として、金錯化力及び液安定性と液中の再結晶防止とのバランスを考慮すると、1〜200g/Lが好ましく、20〜100g/Lであることがより好ましく、40〜80g/Lであることが特に好ましい。
【0051】
(pH緩衝剤)
本発明の無電解金めっき液には、pH緩衝剤を含有させることが好ましい。pH緩衝剤を含有させることにより、析出速度を所望の値に調整することができ、また、めっき液のpHを一定に保つことができる。pH緩衝剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。好適なpH緩衝剤としては、リン酸塩、酢酸塩、炭酸塩、硼酸塩、クエン酸塩、硫酸塩等が挙げられ、これらの中では硼酸及び/又は硫酸塩が特に好ましい。
【0052】
pH緩衝剤の含有量は、めっき液の全容量を基準として、pHの緩衝効果とめっき液中での再結晶防止とのバランスを考慮すると、1〜100g/Lであることが好ましく、5〜50g/Lの範囲とすることがより好ましく、10〜40g/Lであることが特に好ましい。
【0053】
(金属イオン隠蔽剤)
本発明の無電解金めっき液には、金属イオン隠蔽剤を含有させることが好ましい。作業中に、めっき装置の錆や金属破片等の持込等による不純物の混入や、被めっき体の付き回り不足による下地金属のめっき液中への混入などによって、銅、ニッケル、鉄などの不純物イオンが混入し、めっき液の異状反応が進行して、めっき液の分解が発生する場合があるが、めっき液中に金属イオン隠蔽剤を含有させることにより、このような異状反応を抑制することが可能となる。
【0054】
金属イオン隠蔽剤としては、ベンゾトリアゾール系化合物を用いることができ、ベンゾトリアゾール系化合物としては、例えば、ベンゾトリアゾールナトリウム、ベンゾトリアゾールカリウム、テトラヒドロベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール等が例示できる。
【0055】
金属イオン隠蔽剤の含有量は、めっき液の全体量を基準として、不純物の隠蔽効果及び液安定性とでの再結晶防止とのバランスを考慮すると、0.5〜100g/Lであることが好ましく、0.5〜10g/Lであることがより好ましく、1〜5g/Lであることが特に好ましい。
【0056】
(無電解金めっき液のpH)
本発明の無電解金めっき液のpHは、液成分の分解防止及び液安定性を考慮すると、5〜10の範囲であることが好ましい。還元剤の析出効率を向上させ、速い析出速度を得るために、無電解金めっき液のpHは8〜10の範囲とすることがより好ましい。無電解金めっき液のpHが上記範囲である場合は、析出速度に優れ、また様々な被めっき体に対して低温で無電解金めっきが可能になることから、めっき可能なレジストや電子部品の使用範囲を広げることが可能になる。
【0057】
(無電解金めっき方法)
次に、本発明の無電解金めっき方法について説明する。本発明の無電解金めっき方法は、上述した本発明の無電解金めっき液中に被めっき体を浸漬して、この被めっき体表面に金皮膜を形成させることを特徴とするものである。
【0058】
このような方法においては、無電解金めっき液のpHは、5〜10が好ましく、8〜10がより好ましい。また、金皮膜の形成条件は、析出速度、皮膜外観及び液安定性を考慮すると、無電解金めっき液の液温が、好ましくは50〜95℃、より好ましくは60〜80℃、特に好ましくは65〜70℃である。
【0059】
【実施例】
以下の実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はいかなる意味においてもこれらの実施例に限定されるものではない。
【0060】
試料の作製
めっき試験用サンプルには、3cm×3cm×0.3mmの圧延銅板を使用し、表面の錆や有機物等を除去するために、酸性脱脂であるCLC−5000(日立化成工業(株)製、商品名)に50℃で3分間処理した。更に余分な界面活性剤を除去するために、湯洗(50℃、純水)を1分間実施した。その後、水洗処理を1分間行った。更に表面の形状を均一化するために、過硫酸アンモニウム溶液(120g/L)に室温で3分間浸漬処理する、ソフトエッチング処理を行った。その後、水洗処理を1分間行った。次いで、表面の酸化銅を除去するために、硫酸(10%)に室温で1分間浸漬処理を行い、その後、水洗処理を1分間行った後、置換パラジウムめっきであるSA−100(日立化成工業(株)製、商品名)に、室温で5分間浸漬処理を行った。その後、水洗処理を1分間行った。
【0061】
次に、無電解Ni−Pめっき液であるNIPS−100(日立化成工業(株)製、製品名)に、85℃で25分間浸漬処理をしてニッケル−リンの合金めっき皮膜を5μm程度に行った。水洗処理を1分間行った後、置換金めっき液であるHGS−500(日立化成工業(株)製、製品名)に、85℃で10分間浸漬処理して、0.05〜0.1μm程度の膜厚の金めっき膜を形成させた。次いで、水洗処理を1分間行い、更に、以下の無電解金めっきを行って評価した。また、無電解金めっき液の評価用めっき槽には、ポリプロピレン製の樹脂槽を使用した。
【0062】
金めっき液安定性評価方法
(金めっき液安定性評価用実験槽の洗浄方法)
金めっき液安定性評価方法において、PP(ポリプロピレン製)樹脂製の1Lビーカーを、めっき槽として使用した。また、槽内に付着している不純物を除去するために、実験前に槽内を王水(1:3=硝酸:塩酸、50%に純水で希釈)で6時間以上、常温で洗浄した後、水洗、純水洗を順次、充分行い、80℃で乾燥して実験に使用した。
【0063】
(金めっき液安定性評価方法)
金めっき液安定性は、3条件に分類して評価した。まず、(1)上記めっき槽を使用し、めっき前に、めっき槽の温度設定を65℃として1時間放置した時の金めっき液の安定性を評価した。次に(2)昇温後、0.36dm/Lのめっき負荷で1時間(65℃)めっき処理した。次いで(3)そのめっき液を自然冷却し、室温で金めっき液を1日放置し、異常析出物(金)がめっき槽の底面を覆う面積の割合(槽内異常析出発生面積率(%))、すなわち異常析出成分(%)でめっき液のめっき液安定性を評価した。
表1に、評価基準を示す。
【0064】
【表1】
Figure 2004211131
【0065】
皮膜外観及びめっき付き回り不良評価方法
めっき外観、めっき付き回り不良については、標準を、電気金めっき皮膜(0.5μm相当)に近い外観とした。また、めっき付き回り性については、めっき端部を顕微鏡(20〜50倍相当)で目視観察して評価した。
【0066】
無電解金めっき液の作製及び評価
(実施例1〜4)
表2に示す組成になるように、実施例1〜4の無電解金めっき液を作製し、上述した評価方法に基づいて評価を行った。
なお、実施例1〜4は、還元剤であるヒドロキノン濃度を5g/Lで一定にし、重金属塩として硝酸タリウムをタリウムイオンとして1ppmで一定にした。また、実施例1〜4では、含窒素化合物として2,2′−ビピリジル、2,2′−ビピリジルアミン、1,10−フェナントロリン、シアン化ナトリウムをそれぞれ5ppm用いた。
表2に、析出速度、皮膜外観、めっき付き回り不良及び金めっき液の安定性を示した。
【0067】
【表2】
Figure 2004211131
【0068】
表2から明らかなように、実施例1〜4とも約1.5μm/hr以上の高い析出速度を示した。めっき皮膜外観は、均一なレモンイエローで、めっき付き回り不良の発生もなく良好であった。更に、めっき前の加温時やめっき中、めっき1日経過後も槽内に異常析出の発生もなく安定性は良好であった。
【0069】
(実施例5〜8)
表3に示す組成になるように、実施例5〜8の無電解金めっき液を作製し、上述した評価方法に基づいて評価を行った。
実施例5〜8は、還元剤であるヒドロキノンを5g/Lで一定にし、重金属塩として硝酸タリウムをタリウムイオンとして1ppmで一定にした。また、実施例5〜8では、含窒素化合物である2,2′−ビピリジルの濃度を10、15、20、40ppmとなるようにした。
表3に、析出速度、皮膜外観、めっき付き回り不良及び金めっき液の安定性を示した。
【0070】
【表3】
Figure 2004211131
【0071】
表3から明らかなように、2,2′−ビピリジルの濃度を実施例1の2〜8倍に増やすと、析出速度が除々に低下し、40ppm(約8倍)で1.32μm/hrまで低下した。しかし、めっき皮膜外観は均一なレモンイエローで、めっき付き回り不良の発生もなく良好であった。更に、めっき前の加温時やめっき作業中、めっき1日経過後も槽内に異常析出の発生もなく、安定性は良好であった。
【0072】
(実施例9〜12)
表4に示す組成になるように実施例9〜12の無電解金めっき液を作製し、上述した評価方法に基づいて評価を行った。
実施例9〜12は、還元剤であるヒドロキノンを5g/Lで一定にし、重金属塩として硝酸タリウムをタリウムイオンとして1ppmで一定にした。また、実施例5〜8では、含窒素化合物であった1,10−フェナントロリンの濃度を、それぞれ10、15、20、40ppmに変更した。
表4に、析出速度、皮膜外観、めっき付き回り不良及び金めっき液の安定性を示した。
【0073】
【表4】
Figure 2004211131
【0074】
表4から明らかなように、1,10−フェナントロリンの濃度を、実施例2の2〜8倍に増やすと、析出速度が除々に低下し、40ppm(約8倍)で1.05μm/hrまで低下した。しかし、めっき皮膜外観は均一なレモンイエローで、めっき付き回り不良の発生もなく良好であった。更に、めっき前の加温時やめっき中、めっき1日経過後も槽内に異常析出の発生もなく安定性は良好であった。
【0075】
(実施例13〜16)
表5に示す組成になるように、実施例13〜16の無電解金めっき液を作製し、上述した評価方法に基づいて評価を行った。
実施例13〜16は、還元剤であるヒドロキノンを5g/Lで一定にし、重金属塩として硝酸タリウムをタリウムイオンとして1ppmで一定にした。また、実施例5〜8では、含窒素化合物であるシアン化ナトリウムの濃度を、それぞれ10、15、20、40ppmに変更した。
表5に、析出速度、皮膜外観、めっき付き回り不良及び金めっき液の安定性を示した。
【0076】
【表5】
Figure 2004211131
【0077】
表5から明らかなように、シアン化ナトリウムの濃度を、実施例4の2〜8倍に増やすと、析出速度が除々に低下し、40ppm(約8倍)で0.95μm/hrまで低下した。しかし、めっき皮膜外観は均一なレモンイエローで、めっき付き回り不良の発生もなく良好であった。更に、めっき前の加温時又はめっき中、めっき1日経過後も槽内に異常析出の発生がなくめっき液の安定性は良好であった。
【0078】
(比較例1〜4)
表6に示す組成になるように、比較例1〜4の無電解金めっき液を作製し、上述した評価方法に基づいて評価を行った。
比較例1〜4では、安定剤である含窒素化合物及び析出速度促進剤である重金属塩を添加せずに金めっきを行った。また、比較例1では還元剤であるヒドロキノンを添加せずに、比較例2〜4ではそれぞれヒドロキノンを1、3、5g/Lになるように添加して金めっきを行った。
表6に、析出速度、皮膜外観、めっき付き回り不良及び金めっき液の安定性を示した。
【0079】
【表6】
Figure 2004211131
【0080】
表6から明らかなように、還元剤であるヒドロキノンを添加しなかった比較例1では、1時間めっき液中に浸漬しても、金めっき膜厚の増加はほとんどなく、析出が進行しない結果となった。一方、還元剤としてヒドロキノンを添加し、重金属塩及び含窒素化合物を添加しなかった比較例2〜4では、ヒドロキノンの添加量を1、3、5g/Lと増加させたのに従って析出速度が増加し、ヒドロキノン5g/Lで0.152μm/hr(未添加時の2.5倍の析出速度)を示した。また、比較例2〜4では、皮膜外観は均一なレモンイエローで、めっき付き回り不良の発生もなく良好であった。更に、めっき前の加温時やめっき中、めっき1日経過後も槽内に異常析出の発生もなく安定性は良好であった。しかし、析出速度が一般的な無電解金めっき液(約0.2〜1.0μm/hr、またはこれ以上)と比較して析出速度が遅い結果となった。このため、パッケージ基板等のワイヤボンディング基板には、生産性が悪く問題であることがわかった。
【0081】
(比較例5〜9)
表7に示す組成になるように、比較例5〜9の無電解金めっき液を作製し、上述した評価方法に基づいて評価を行った。
比較例5〜9では安定剤である含窒素化合物を添加せず、また、還元剤であるヒドロキノンを5g/Lで一定にしてめっきを行った。更に、比較例5〜8では重金属塩を添加せず、比較例9では重金属塩として硝酸タリウムをタリウムイオンとして1ppm添加した。なお、比較例5〜7では、金めっき液のpHを1NのNaOHを使用してそれぞれ、pH、8、9、10と変化させた。
表7に、析出速度、皮膜外観、めっき付き回り不良及び金めっき液の安定性を示した。
【0082】
【表7】
Figure 2004211131
【0083】
比較例5の条件(pH8)では、皮膜外観は良好で、めっき付き回り不良は生じなかったが、析出速度が0.36μm/hrと低く、まためっき後1日経過すると槽内に異常析出が発生する結果となった。また、比較例6、7の条件(pH9、10)では、析出速度が著しく増加(pH8の2倍以上)したものの、pH9の条件では加温中にめっき槽内の一部に異常析出が発生し、pH10の条件では、更に悪く、加温中に槽全面に異常析出が発生して、通常に使用することが困難な結果となった。比較例5、6、7では、めっき付き回り不良は発生しなかったものの、皮膜外観はpH9、10の条件で褐色の外観不良となった。
比較例8では、pH9、めっき液温度80℃の条件でめっきを行ったところ、皮膜外観が褐色の外観不良となり、めっき液の安定性も悪く、加温中にめっき槽内全面に異常析出が発生した。また、めっき付き回り不良は生じなかったものの、析出速度が低下する結果となった。
比較例9は比較例6の条件に、重金属塩として硝酸タリウムをタリウムイオンとして1ppm加えたものである。その結果、析出速度が増加(未添加時の2倍以上)した。また、皮膜外観は均一なレモンイエローで、めっき付き回り不良の発生もなく良好であった。しかし、含窒素化合物を含まないため、めっき液の安定性が悪く、めっき前の加温中に槽内の一部に異常析出が発生し、更にめっき中に異常析出が促進されて、通常に使用するのが困難な結果となった。
【0084】
比較例10〜16
表8に示す組成になるように、比較例10〜16の無電解金めっき液を作製し、上述した評価方法に基づいて評価を行った。
比較例10、11、12は、重金属塩を添加しなかった以外は、それぞれ実施例5、9、13と同様の組成である。
比較例13〜16では、還元剤としてヒドロキノン1g/Lを使用し、重金属塩は添加しなかった。また、安定剤である含窒素化合物として、比較例13では2,2’−ビピリジルを100ppm、比較例14、16では1,10−フェナントロリンをそれぞれ3ppm、5ppm使用した。比較例15では安定剤を添加しなかった。比較例15、16では、還元剤としてヒドロキノン(1g/L)とチオ尿素(1.2g/L)の2種混合系を使用した。
表8に、析出速度、皮膜外観、めっき付回り不良及び金めっき液の安定性を示した。
【0085】
【表8】
Figure 2004211131
【0086】
表8から明らかなように、重金属塩を添加しなかった比較例10〜12では、実施例と比較して析出速度が遅かったが、各種安定剤を添加した結果、比較例6と比較してめっき液の安定性が向上し、付き回り不良も発生しなかった。しかし、皮膜外観はレモンイエローから褐色に変化し、外観不良であった。
比較例13、14では、めっき外観・めっき液の安定性・保存安定性は良好であったが、重金属塩を添加せず、還元剤濃度も低かったため、析出速度が約0.1μm/hrと殆ど自己触媒反応による析出が進行しなかった。
また、還元剤としてチオ尿素を併用した比較例15では、析出速度は約0.5μm/hrと、比較例13、14よりやや上昇したが、析出均一性が悪く、評価試料端部に付き回り不良が発生した。また、めっき液の安定性及び保存安定性が悪く、めっき前の昇温時から、めっき槽内に異常析出が発生する結果となった。
比較例16では、比較例15と比較して、安定剤を添加したため、めっき液の安定性・保存安定性は向上したが、外観に析出ムラが発生する結果となった。
【0087】
以上の結果から、本発明の無電解金めっき液は、本発明の含窒素化合物を添加することによって、添加しない場合に比べてめっき液の安定性を大幅に向上させることが可能であることがわかった。また、本発明の無電解金めっき液は、式(1)のフェニル骨格を有する還元剤と重金属塩を含有することにより、低い温度条件(60〜70℃)において実用的な析出速度(1.0μm/hr以上)でめっきを行うことが可能であった。更に、めっき後の皮膜外観も均一なレモンイエローで、めっき付き回り不良も発生しなかった。加えて、副生成物も生成されなかった。このことから、本発明の無電解金めっき用めっき液は、良好な無電解金めっきを行うことが可能であり、適用できる材料や電子部品等の範囲を大幅に拡大することが可能になる。
【0088】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、めっき液温度が中低温用でも使用可能な、優れためっき液安定性及び充分な析出速度を有し、良好な皮膜外観を与える、無電解金めっき液を提供することが可能となる。また、このような無電解金めっき液を用いた無電解金めっき方法を提供することが可能となる。

Claims (10)

  1. 金塩と、下記一般式(1):
    Figure 2004211131
    (式中、Rは水酸基又はアミノ基を示し、R,R及びRはそれぞれ独立に水酸基、アミノ基、水素原子又はアルキル基を示す。)
    で示されるフェニル骨格を有する還元剤と、重金属塩と、含窒素化合物と、を含むことを特徴とする無電解金めっき液。
  2. 前記一般式(1)の還元剤が、下記一般式(2):
    Figure 2004211131
    (式中、R21は水酸基又はアミノ基を示し、R22は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す。)
    で示される還元剤である、請求項1記載の無電解金めっき液。
  3. 前記重金属塩が、タリウム塩、鉛塩、ヒ素塩、アンチモン塩、テルル塩及びビスマス塩からなる群より選ばれる少なくとも1つの重金属塩である、請求項1又は2記載の無電解金めっき液。
  4. 前記重金属塩が、タリウム塩である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の無電解金めっき液。
  5. 前記含窒素化合物が、ビピリジル化合物、フェナントロリン化合物、シアン化合物からなる群より選ばれる少なくとも一つの含窒素化合物である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の無電解金めっき液。
  6. 錯化剤を更に含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の無電解金めっき液。
  7. pH緩衝剤を更に含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の無電解金めっき液。
  8. 金属イオン隠蔽剤を更に含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の無電解金めっき液。
  9. 無電解金めっき液のpHが、5〜10である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の無電解金めっき液。
  10. 無電解金めっき液中に被めっき体を浸漬させ、該被めっき体表面に金皮膜を形成させる無電解金めっき方法であって、
    前記無電解金めっき液が、請求項1〜9のいずれか一項に記載の無電解金めっき液である、無電解金めっき方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156772A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007308796A (ja) * 2006-04-18 2007-11-29 Hitachi Chem Co Ltd 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法
JP2008266712A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Hitachi Chem Co Ltd 電子部品の無電解金めっき方法及び電子部品
WO2017101092A1 (en) * 2015-12-18 2017-06-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Gold plating solution
EP3578683A1 (en) * 2018-06-08 2019-12-11 ATOTECH Deutschland GmbH Electroless copper or copper alloy plating bath and method for plating

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156772A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007308796A (ja) * 2006-04-18 2007-11-29 Hitachi Chem Co Ltd 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法
JP2008266712A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Hitachi Chem Co Ltd 電子部品の無電解金めっき方法及び電子部品
WO2017101092A1 (en) * 2015-12-18 2017-06-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Gold plating solution
EP3578683A1 (en) * 2018-06-08 2019-12-11 ATOTECH Deutschland GmbH Electroless copper or copper alloy plating bath and method for plating
WO2019234085A1 (en) * 2018-06-08 2019-12-12 Atotech Deutschland Gmbh Electroless copper or copper alloy plating bath and method for plating
US11396706B2 (en) * 2018-06-08 2022-07-26 Atotech Deutschland Gmbh Electroless copper or copper alloy plating bath and method for plating

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