JP2001516961A - 電気的に不導体な表面領域を有するサブストレートを金属化するための方法 - Google Patents

電気的に不導体な表面領域を有するサブストレートを金属化するための方法

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JP2001516961A JP2000511345A JP2000511345A JP2001516961A JP 2001516961 A JP2001516961 A JP 2001516961A JP 2000511345 A JP2000511345 A JP 2000511345A JP 2000511345 A JP2000511345 A JP 2000511345A JP 2001516961 A JP2001516961 A JP 2001516961A
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ヨアヒム ヴォルフ
ディルク シュレーアー
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アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
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    • H05K3/422—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroless plating method; pretreatment therefor

Abstract

(57)【要約】 銅内層を有したプリント配線回路基板内の穿孔内壁を金属化する際に、この内層の端面に析出された銅層の確実な接触を達成するという課題が生じる。この課題は、以下の方法ステップを用いた、電気的に不導体な表面領域を有するサブストレートを金属化するための方法によって解決される。ａ．貴金属コロイド含有溶液によるサブストレートの処理、ｂ．濃度が最高で０．５モル／ｋｇ溶液である水素イオン、並びに過酸化水素を含有するエッチング溶液による処理、ｃ．不導体表面上に電流の通じない金属析出による第１金属層の形成、ｄ．第１金属層上に電解金属析出による第２金属層の形成。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気的に不導体な表面領域を有するサブストレートを金属化（金属
被覆、メタライジング）するための方法で、特に銅表面を具備したプリント配線
回路基板のような導体プレートの穿孔（ドリル孔、ボアホール）内壁を金属化す
るための方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
非金属表面、特にプリント配線回路基板等の導体プレートの孔の内壁は、公知
の方法では、電流の通じない金属化方法によって、あるいは電解金属化プロセス
だけを、また電流の通じない金属化ではない方法を用いた方法によって金属化さ
れる。
【０００３】 従来の電流の通じない金属化方法では、たいてい一次伝導性層として、銅層を
不導体のプラスチック材表面と銅表面に施す。このためにはまず、表面をたいて
いパラジウム化合物含有溶液で、例えばパラジウムコロイド溶液で活性化する。
続いてその表面を電流の通じない銅めっき浴で処理する。通常金属層を少なくと
も０．１μｍの膜厚で析出する（Guenther Herrmann、プリント配線回路基板技 術のハンドブック、３巻、Eugen G. Leuze出版、Saulgau、１９９３、７２ペー ジ）。
【０００４】 さらにまた、電気的に不導体の穿孔内壁表面を、銅を使った電解コーティング
の前に、ニッケル層で電流を通ぜずに金属化することが知られている（Guenther
Herrmann、プリント配線回路基板技術のハンドブック、３巻、Eugen G. Leuze 出版、Saulgau、１９９３、７７〜７９ページ）。ただしこの方法は、穿孔内の 析出した銅の金属スリーブと銅内層の端面（Stirnseite）との間の、熱的負荷の
下でも付着力のある金属結合乃至メタルボンディングを形成するためには、十分
な確実性があるとは言えない。それは銅内層と析出銅層との間に形成されるニッ
ケル層が付着力を弱めるからである。
【０００５】 これらの方法には、特に電流の通じない銅めっき浴を使う際には、確かに顕著
な欠点があり、それは廃棄物処理の困難な使用済み金属化溶液が大量に生じ、ま
た使用された化学薬品が有毒だからである。さらにまた電流の通じない金属化浴
を監視するのは大変困難なことである。
【０００６】 これらの欠点は、表面を電解方法によってのみ金属化する所謂直接金属化方法
を開発することによって回避されるべきであろう。様々な方法が提案された。ど
の場合においても、電解銅めっきの前に、まず導電性基層をプリント配線回路基
板表面上に形成する。
【０００７】 例えばＥＰ ０２９８２９８ Ｂ１で記述された方法では、触媒性の貴金属層を
形成し、それがカルコゲン化合物によって導電性の貴金属カルコゲン化物層に変
化する。ＥＰ ０２００３９８ Ｂ１に記載された別の直接金属化方法では、その
ために次の電解金属化に向け電気的に十分な伝導性のあるカーボンブラック粉に
よる基層を、サブストレート表面に施すというものである。
【０００８】 さらにＤＥ ３９３９６７６ Ｃ２で提案された方法では、導電性基層として内
在的な伝導性のポリマー層、好適にはポリピロル層を形成する。 ＵＳ-Ａ ４６８３０３６で記述されている直接金属化方法では、まず不導体の
表面に金属粒子（核）を、好適にはパラジウム粒子（核）を、しかも特にパラジ
ウムコロイド溶液を用いることによって形成し、またその方法では引き続き特殊
な加成化合物を加えた銅めっき浴を使って銅層を電解的に析出する。
【０００９】 最後にＷＯ９３／１７１５３Ａ１とＤＥ-Ｐ ４４１２４６３ Ａ１で開示され た方法では、不導体の表面に、まず貴金属粒子（核）の層を、有機系の保護コロ
イドによって安定化された貴金属コロイド溶液から形成する。引き続き、粒子を
備えた表面を後浸漬溶液で処理する。当該溶液にはスルフィン酸、亜硫酸、酸性
亜硫酸塩、チオ硫酸、亜二チオン酸塩、二チオン酸塩及び四チオン酸塩の群から
成る化合物が含まれている。その後、銅層を電解析出で形成する。
【００１０】 上述の方法にはいろいろな欠点がある。つまり不導体表面とともに、プリント
配線回路基板の金属表面も導電性の基層で覆われる。部分的に達し難い、プリン
ト配線回路基板の穿孔内にある銅内層の端面は、しかしながら次の銅めっきの前
に、内層と銅めっき層の間の十分な付着性を得るために、完全にあらゆる不純物
を取り除かなければならない。このことは、とりわけ極めて狭い穿孔を有するプ
リント配線回路基板を加工処理する際に問題である。そのためプリント配線回路
基板の銅表面の基層を、電解銅めっきの前に徹底的に除去しなければならない。
しかしながらその際に、内層からこの基層を選択的に除去するための十分な集中
的な処理方法によって、内層の周辺領域にある基層をも損傷させる危険性がある
ため、耐久性の表面被覆の金属化はもはや不可能である。
【００１１】 その上、種々のプリント配線回路基板・基材乃至材料がしばしば使われる。そ
のためいくつかの方法では操作手順をその都度適合させる、またそれによって方
法を対応的に変化させることが必要である。プリント配線回路基板において基材
が数種類に及ぶ場合、例えば臭素を含むエポキシ樹脂以外にもガラス繊維構造を
含むＦＲ４ラミネートでは、プリント配線回路基板の通し接続孔のすべての領域
にいかなる状況でも等しく良好な前処理が施されるとは限らず、また別の方法で
は、金属層内に金属化されない領域さえも残る可能性があるように金属化される
こともある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の根拠となっている課題は、公知の方法の欠点を回避し、プリント配線
回路基板等の導体プレートの特に穿孔を確実に金属化できる方法をとりわけ見つ
けることにあり、その方法では当該方法を本質的に変えることなく、特に極めて
多種の基材を難なく金属化することができ、またその方法では公知の電流の通じ
ない金属化方法の欠点が、すなわち廃液処理の観点から取り扱い困難な浴成分の
使用並びに毒性の浴成分の使用が回避される。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この課題は請求項１にしたがう方法によって解決される。 本発明に係る方法は次の基本的な方法ステップからなる： ａ）貴金属コロイド含有溶液によるサブストレートの処理； ｂ）濃度が最高で０．５モル／ｋｇ溶液である水素イオン並びに過酸化水素を含
有するエッチング溶液による処理； ｃ）電流の通じない金属析出による不導体表面上への第１金属層の形成； ｄ）電解金属析出による上記第１金属層上への第２金属層の形成。
【００１４】 本発明の優れた実施形態は従属請求項に記載されている。 水素イオン濃度を調整するため、エッチング溶液は酸を含み、その水中でのｐ
Ｋａ値は好適には少なくとも０．３、特に少なくとも２である。このｐＫａの値
は、酸解離定数Ｋａのマイナスの、十を基にした対数として定義される。エッチ
ング溶液における特に適する酸は、リン酸、メタンスルフォン酸又は酢酸である
。さらに適する酸は、例えば“化学と物理のハンドブック”、ＣＲＣ出版、５５
版（１９７４／１９７５）、ページＤ１２９〜Ｄ１３０に挙げられている。
【００１５】 本発明の基本的な特徴は、触媒性活性粒子（核）を用いて表面を核化する貴金
属コロイドと、所定濃度の水素イオン及び過酸化水素を含むエッチング溶液の利
用を組み合わせることである。この組み合わせによって、プリント配線回路基板
等の導体プレートの銅表面上に形成された貴金属核を難なく再び完全に除去する
ことができる。同時にサブストレートの不導体部分に形成された貴金属核は除去
されずにそのまま残る。それによって特に銅表面上のニッケル乃至パラジウム析
出を完全に妨げることになり、その結果、次の電解金属化の際に、金属層、例え
ば銅層が銅表面に直接、すなわち障害となる中間層なしに、析出されることがで
きる。このために本発明に係るエッチング溶液だけが適する。公知のエッチング
溶液は、請求乃至クレームされた成分の代わりにアルカリぺルオキソ二硫酸塩、
アルカリぺルオキソ硫酸塩（カロー塩）又は過酸化水素を硫酸溶液中に含み、形
成された貴金属粒子（核）をあまりにも著しく侵し、それ故に不導体の表面上に
形成された核化も望ましくないように損傷されることになる。
【００１６】 本発明に係る方法では、どんな表面をも難なく電解によって金属で被覆するこ
とが可能である。例えばプリント配線回路基板の孔の内壁、ポリテトラフルオロ
エチレンと繊維補強材から成るプリント配線回路基板でも、孔の内壁を、ピンホ
ールを生じることなく、また高い付着性で被覆することができる。またこの方法
では、どんな他の基材を処理することも可能で、例えばガラス繊維で補強された
ＦＲ４樹脂、ポリイミド・ラミネート、ポリアミド、例えばＣＥＭ１（エポキシ
樹脂／硬質紙・ラミネートとエポキシ樹脂／ガラス繊維・ラミネートからなる材
料の組み合わせ）やＣＥＭ３（ポリマー樹脂と補強材の特別な組み合わせ）のよ
うな複合ラミネート、シアン酸エステル、ポリエーテルイミド、ポリエーテルス
ルフォンやそれ以外の特殊材料を処理することも可能である。原則的には無機の
サブストレート材料、例えばセラミックやガラスの金属化も可能である。
【００１７】 さらにこの方法は、プラスチック材本体の、例えばプラスチック材から成る衛
生関連品、自動車産業用部品又は家具用金具を金属で被覆するのにも適する。こ
の種のプラスチック材本体は金属表面を持たず、たいてい完全にプラスチック材
料から成っている。
【００１８】 特にこの方法は、プリント配線回路基板内の孔内壁を、極めて密で、ピンホー
ルのない且つ熱的な負荷に耐えられる金属層で覆うのに適し、それは孔が粗悪な
穿孔質で作られ、それ故に孔壁が非常に粗い場合である。
【００１９】 さらに確実で付着性のある銅／銅化合物を、プリント配線回路基板内層と析出
された銅層の間の接触個所に作ることができるが、それは銅層間に障害となる中
間層が生じないためである。
【００２０】 その上、公知の直接金属化方法よりも、著しく高めの導電率を有する基層が形
成される。それによって、質のより高い、表面被覆力のより優れた次の銅層が、
ピンホールの形成なしに電解析出可能である。
【００２１】 過酸化水素は、エッチング溶液に、濃度で０．５ｇ／リットル〜１００ｇ／リ
ットルの溶液、好適には３ｇ／リットル〜３０ｇ／リットル溶液で含まれ、また
例えばリン酸は濃度で５ｇ／リットル〜２００ｇ／リットル溶液、好適には３０
ｇ／リットル〜９０ｇ／リットル溶液で含まれている。この両者の主要成分濃度
がより高いと、銅表面に隣接する領域上に貴金属核化の損傷が生じることを考慮
しなければならない。この両者の主要成分濃度がより低いと、満足なエッチング
結果が得られず、この場合部分的に銅表面上にも金属層が形成される結果となる
。決定的なのは、溶液中の水素イオン濃度と過酸化水素濃度との組み合わせであ
る。
【００２２】 エッチング溶液は、請求された成分以外に、例えば過酸化水素の自然分解を妨
げるために、場合によってはさらに別の化合物を含有する。この種の化合物は、
なかでもｐ-フェノールスルフォン酸やプロパン−２−オール（２-プロパノール
）を含んでいる。
【００２３】 好適には貴金属コロイドとして、パラジウムコロイドが用いられる。この貴金
属コロイドは特に酸性コロイド水溶液としてあるべきで、その溶液中でパラジウ
ムコロイドは有機系保護コロイドによって安定化されている。有利に使用可能な
保護コロイド化合物は、ポリ-４-ビニルピロリドンである。ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピリジン、ポリビニルメチルケトン、ポリ酢酸ビニル、ポリアク
リル酸とそれらの誘導体、ポリエチレングリコールとポリプロピレングリコール
、ポリイミン並びにアルキルセルロースとヒドロキシアルキルセルロースとそれ
らの共重合体もまた効果的に使用可能である。その上、例えばタンパク質、ペプ
チド、多糖類、ゼラチン、寒天のような天然ポリマーも使用可能である。
【００２４】 パラジウムは、この溶液中で好適には濃度で２０〜１０００ｍｇ／リットル溶
液、特に１００〜５００ｍｇ／リットル溶液、好適には２５０ｍｇ／リットル溶
液で含まれている。できるだけ僅かなパラジウム濃度を使うことによって、高価
なパラジウムの飛沫同伴（エントレインメント）を最小限に抑える。パラジウム
に対する保護コロイド化合物の重量比は、好適には１：１〜１００：１である。
パラジウム以外にもコロイド溶液には別の貴金属、例えばロジウム、イリジウム
又は白金が含まれる。パラジウムに対するこれら追加貴金属の重量比は、好適に
は０．０１：１０〜１．０：１０である。
【００２５】 コロイド溶液を作るために、還元剤が用いられ、特に次亜リン酸金属塩又は亜
リン酸金属塩又はそれらの酸が使われる。また例えばモノアルキルボラン、ジア
ルキルボラン又はトリアルキルボラン又はアルカリ金属ボランのような水素化ホ
ウ素又は他の還元剤、例えばアスコルビン酸、イソアスコルビン酸、ヒドラジン、
ヒドロキシルアミン又はそれらの誘導体並びにホルムアルデヒドも用いられる。
当該還元剤は、溶液に、好ましくは、銀／塩化銀・標準電池に対して測定された
−１７０ｍＶ〜―３００ｍＶの電気化学的なマイナス電位（ポテンシャル）にな
るような量で含まれるべきである。
【００２６】 パラジウムコロイド溶液は、公知の方法にしたがい、還元剤によって容易に金
属パラジウムに還元され得るパラジウム化合物を用いて、例えば塩化パラジウム
、硫酸パラジウム又は硝酸パラジウムを用いて、その混合物を加熱することによ
って製造される。コロイド溶液は、還元剤を当該溶液に加えることにより、形成
される。それによって、パラジウムはパラジウム金属粒子（核）に還元され、ま
た粒子（核）の凝結は保護コロイド化合物の存在によって阻害される。当該溶液
は、水酸化物の沈殿を避けるために、酸性であるべきである。優先的にはｐＨの
範囲がｐＨ１〜３で、特にｐＨ１．２〜２，０である。それによって、サブスト
レート表面に対するパラジウム粒子（核）の優れた吸着性が達成され、同時にパ
ラジウムの凝結に対するコロイド溶液の十分な安定性が得られる。
【００２７】 サブストレートを処理するために、コロイド溶液を室温以上の温度、例えば４
０℃に加熱する。 方法ステップｃ）により、第１乃至一次金属層乃至基層は、サブストレートの
不導体領域上にのみ形成される。この金属層は、僅かな厚さで析出される。それ
によって公知の方法の基本的な欠点が回避される。第１金属層は、高い導電性を
得るために確かに次の電解金属化を難なく実施することができるような十分なだ
けの厚みが必要である。
【００２８】 この導電性の基層を、極めて薄いニッケル−、コバルト−、銅−又はパラジウ
ム層又はこれらの金属合金からなる層の析出によって得る。次の電解金属化に必
要とされる電気伝導率は、貴金属コロイドを使った核化によってだけでは得られ
ない。むしろ核化は単に、次の金属化のための触媒作用のある素地を形成するた
めにだけ役立つ。
【００２９】 好適にはニッケル層を、第１金属層として析出する。純粋なニッケル層を、還
元剤としてヒドラジンを使って析出可能である。コバルト層やその合金を、ニッ
ケル層又はその合金と同様の条件下で析出する。銅層を、還元剤として次亜リン
酸塩や通常用いられるホルムアルデヒドを使って析出可能である。パラジウムを
析出するために、いろいろな還元剤を用いることが可能で、例えば他の金属の析
出に使われるのと同様の化合物である。その上さらにパラジウム析出に際しては
特にギ酸とその誘導体がよく適する。
【００３０】 ニッケル層又はニッケル合金層、又はそれに対応するコバルト層の形成によっ
て、析出溶液の困難な監視や維持といった欠点が除かれる。その上、電流の通じ
ない銅浴の使用の際に生じるような問題が生じない、それは廃棄処理が困難で、
また有毒な浴成分、例えばホルムアルデヒドを含有する銅めっき溶液故に生じる
問題である。電流の通じないニッケル浴で使われる錯化剤、例えばヒドロキシカ
ルボン酸、好適にはリンゴ酸、乳酸、クエン酸、コハク酸及びイタコン酸は、生
物学的にかなり分解されやすく、それらを廃液処理の際に使用済みの浴から除去
する必要がなく、あるいは完全には除去する必要がない。
【００３１】 さらに、少なくともニッケル／リン・合金層の形成に使われる還元剤たる次亜
リン酸塩は、揮発性ではなくまた毒性もかなり弱いために、労働災害防止におけ
る必要条件もほんの僅かで済む。同じことがまた錯化剤としてヒドロキシカルボ
ン酸を、また還元剤としてギ酸又はその誘導体を用いたパラジウム浴でも同様に
当てはまる。
【００３２】 特にニッケル−、ニッケル合金−、コバルト−ないしコバルト合金層で、ある
いはそれらの合金からなる層で、あるいはパラジウム層で金属化されるプリント
配線回路基板のさらなる長所は、これらの金属がプリント配線回路基板の貴金属
粒子（核）のない銅表面上にまったく析出されないという点である。そのためこ
れらの金属から成る第１層は、導電性の基層を確実に形成するために限定的に必
要な領域にのみ析出される。電解析出された銅層は、銅表面に直接形成され、そ の結果金属の緊密な乃至均質な結合ができることになる。この結合は、また熱的
な負荷に対して極めて鈍感である。特にこれらの金属を第１層として用い且つ本
発明に係る方法ステップａ）とｂ）の関連で、選択的な金属化を電気的に不導体
な領域においてのみ可能とし、現に存在する金属領域を金属で覆うことはない。
選択的な被覆化は、基本的にはまた他の金属で、例えば銅での第１層によって得
られるが、上述の好適な金属を析出することによって、選択的な被覆乃至コーテ
ィングがより簡単に得られる。
【００３３】 この方法を実行するにあたって、サブストレートの孔を場合によってはクリー
ニング（洗浄）溶液によって前処理する。アルカリ性の過マンガン酸塩溶液が好
ましく、孔内の銅表面で穿孔の際に生じる樹脂しみ（レジンスミヤ―）を除去す
る。樹脂しみをさらにうまく取り除くために、孔の内壁をまずこのために通常使
われる有機系の膨潤剤（スウェリング剤）で膨張させ、その後にエッチング処理
する。クリーニング工程終了後、生じた酸化マンガン（Braunstein、軟マンガン
鉱）を、還元剤によって除去する。当然のことながら原則的には他の普通のエッ
チング溶液も、例えば濃縮硫酸又はクロム酸を含む溶液も使用可能である。さら
に樹脂しみを、プラズマエッチング工程を用いて除去することもできる。サブス
トレート表面を湿潤剤含有溶液で最初に処理することもできる。
【００３４】 その後、サブストレートをまず表面調整（コンディショニング）溶液と接触さ
せる。この表面調整溶液には、好適には少なくとも１種類の高分子電解質化合物
又は第四の、好適には高分子第四化合物を含んでいる。高分子電解質化合物とし
て、特に第四化ポリビニルイミダゾ−ルが適する。さらにその溶液には湿潤剤が
、場合によって錯化剤、例えばトリエタノールアミンが含まれ、それは孔内壁を
洗浄するためである。好適には表面調整溶液の温度を３５〜６０℃に、処理のた
めに調整する。
【００３５】 サブストレートを、貴金属コロイド溶液で処理する前に、好適にはコロイド溶
液を保護するための溶液（前浸漬溶液）と接触する。この溶液には、例えばコロ
イド溶液中に存在する還元剤が含有される。それは、この前浸漬溶液からコロイ
ド溶液への浴成分の飛沫同伴（エントレインメント）によって、コロイド溶液か
らの飛沫同伴のための損失を補償するためである。代替的に又は補足的に酸も、
例えばリン酸も含むことができる。
【００３６】 電解金属化のために、特に商慣習上硫酸による銅めっき浴が用いられる。この
浴の代わりに、別の浴が銅析出のために用いられ、あるいは他の金属、例えばニ
ッケル、貴金属あるいは亜鉛ないし亜鉛／鉛・合金を、電解析出するための浴が
用いられる。
【００３７】 サブストレートは、通常個々の浴槽において、既述された処理段階の合間に洗
浄されるが、それは表面の処理溶液を除去するためとその溶液を次の処理浴に飛
沫同伴（エントレインメント）することを最小限にするためである。これは前浸
漬溶液からコロイド溶液への処理手順では当てはまらない。
【００３８】 プリント配線回路基板は、従来の設備で処理することができ、その際プリント
配線回路基板はたいてい垂直方向の向きで処理浴内に浸漬される。別の好適な実
施形態では、プリント配線回路基板が垂直又は水平状態に維持され、このために
特に適して設けられた輸送システムで、水平方向に処理設備を通り抜けて搬送さ
れる。その際、プリント配線回路基板は、次々に様々な処理位置で異なる処理溶
液と接触される。プリント配線回路基板に対し、処理溶液を下から、上から、あ
るいは両側からはねかけられ、吹き付けられ、あるいは射出され、あるいはプリ
ント配線回路基板を実質的に静止した浴に浸し、その中を搬送する。液が孔内を
よく貫流するために、さらに吸引ノズルが取り付けられ得、そのどぶずけノズル
（ドレンチャー）はプリント配線回路基板に対して向かい合わせで配置されてい
る。
【００３９】
【発明の実施の形態】
本発明は、以下の実施例により詳しく説明される。
【００４０】 実施例１〜７： エポキシ樹脂／グラスファイバー・ラミネ−トから成る二つの銅内層を備え孔
のあけられたプリント配線回路基板素材乃至材料は、まず孔の壁面に付着した樹
脂しみ（レジンスミヤ−）を除去するため、通常の過マンガン酸塩法で処理され
る。
【００４１】 その後、当該素材は、水平設備において、本発明に係る方法を受け、当該設備
を通ってプリント配線回路基板は水平状態で並びに水平方向に搬送され、またそ
の際処理溶液と接触される（その都度指示された物質の水溶液が使われる）。す
なわち 温度（℃） 処理時間（秒） １．コンディショニング（Neopact ＵＸ＊） ５０ ６０ ２．前浸漬（リン酸） ３０ ３０ ３．アクティヴェーション（保護コロイドとしての４-ポリビニルピロリドンと 還元剤としての次亜リン酸ナトリウムを含むパラジウムコロイド） ５０ ６０ ４．エッチング溶液による処理 ３５ ６０ ５．第１金属層形成 ５０ ６０ ６．硫酸銅浴による銅めっき＊ ）Neopact ＵＸは、本出願人たるドイツの Atotech Deutschland GmbHの製 品である。
【００４２】 次の組成のエッチング溶液がそれぞれ使用された。すなわち リン酸、８５重量％ ７重量部 過酸化水素、３５重量％ ３重量部 ２‐プロパノ−ル ５重量部 水、完全脱塩乃至脱イオン ８５重量部
【００４３】 第１金属層に対して次の浴が使われる。すなわち 浴１： ＮｉＳＯ４・６Ｈ2Ｏ ０．８重量部 ＮａＨ2ＰＯ2・Ｈ2０ ２．３重量部 クエン酸・１水化物 １．５重量部 ＮＨ３、２５重量％ １．６重量部 Ｈ3ＢＯ3 ０．６重量部 水 ９３．２重量部
【００４４】 浴２： ＮｉＳＯ４・６Ｈ2Ｏ １．５重量部 ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ １．２重量部 酒石酸カリウムナトリウム・４水化物 ２．５重量部 ＮａＯＨ ０．３重量部 水 ９４．５重量部
【００４５】 浴３： ＮｉＣｌ２・４Ｈ２Ｏ １．４重量部 ＮａＢＨ４ ０．３重量部 エチレンジアミン ４重量部 ＮａＯＨ ４重量部 水 ９０．３重量部
【００４６】 浴４： ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０ １重量部 ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ ２重量部 クエン酸・１水化物 ３重量部 ＮａＯＨ ０．７重量部 水 ９３．３重量部
【００４７】 浴５： ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０ ０．８重量部 酒石酸カリウムナトリウム・４水化物 ４．０重量部 ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ ２．０重量部 Ｎａ２ＣＯ３ １．０重量部 水 ９２．２重量部
【００４８】 浴６： ＰｄＣｌ２ ０．５重量部 ジメチルアミノボラン ０．２重量部 エチレンジアミン四酢酸 １．９重量部 ＮａＯＨ ０．７重量部 水 ９６．７重量部
【００４９】 浴７： ＣｏＳＯ４ ０．７重量部 ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ １重量部 クエン酸・１水化物 ２．４重量部 ＮａＯＨ ０．８重量部 水 ９５．１重量部
【００５０】 これらの浴を用いた最初の電流の通じない金属化後すでに、孔において一様に
閉じた金属層を確認することができた。
【００５１】 引き続き通常使用される硫酸銅浴を使った銅めっきの後、密で閉じられ間隙の
ない、２０μｍの厚さの金属層が、穿孔内壁を含むプリント配線回路基板表面全
体に得られた。当該プリント配線回路基板は、１０秒ずつ５回、２８８℃の熱は
んだ浴に浸漬された。金属化されたプリント配線回路基板の外見からも、また横
断面での顕微鏡による検査からも、銅層の基材からのはく離が見られなかった。
その上さらに銅内層と析出金属の間の接触領域においてなんらエラーが確認され
なかった。
【００５２】 実施例８〜２８： 上記の試験（試み）が繰り返された。しかしながら、それぞれ別のエッチング
溶液が用いられた。これらのエッチング溶液の組成は、以下に与えられる。
【００５３】 エッチング浴２： 氷酢酸 ８重量部 過酸化水素、３５重量％ ６重量部 ｐ−フェノールスルフォン酸 ０．１重量部 水、完全脱塩乃至脱イオン ８５．９重量部
【００５４】 エッチング浴３： 氷酢酸 ５重量部 過酸化水素、３５重量％ ４重量部 ２−プロパノール ５重量部 水、完全脱塩乃至脱イオン ８６重量部
【００５５】 エッチング浴４： メタンスルフォン酸 ５重量部 過酸化水素、３５重量％ ４重量部 ２‐プロパノール ５重量部 水、完全脱塩乃至脱イオン ８６重量部
【００５６】 再び例１から７までと同様な良好な結果が得られた。 開示されたすべての特徴と開示された特徴の組み合わせは、これらが公知であ
ると明示的に述べられない限り、本発明の対象である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年３月７日（２０００．３．７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５６】 再び例１から７までと同様な良好な結果が得られた。
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Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気的に不導体な表面領域を有するサブストレートを金属化
    するための方法にして、 ａ．貴金属コロイド含有溶液でサブストレートを処理すること； ｂ．濃度が最高で０．５モル／ｋｇ溶液である水素イオン、並びに過酸化水素を
    含有するエッチング溶液で処理すること； ｃ．不導体表面上に電気の通じない金属析出によって第１金属層を形成すること
    ； ｄ．上記第１金属層上に電解金属析出によって第２金属層を形成すること、 の各方法ステップを備える方法。
  2. 【請求項２】 上記エッチング溶液が、水中で少なくともｐＫａ値が０，３
    である酸を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 上記エッチング溶液が、リン酸、メタンスルフォン酸並びに
    酢酸の群から少なくとも一つの酸を含むことを特徴とする前記請求項のいずれか
    一項に記載の方法。
  4. 【請求項４】 上記エッチング溶液が、過酸化水素を濃度で０．５ｇ／リッ
    トルから１００ｇ／リットル溶液で、並びにリン酸を濃度で５ｇ／リットルから
    ２００ｇ／リットル溶液で含むことを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記
    載の方法。
  5. 【請求項５】 パラジウムコロイドが上記貴金属コロイドとして用いられる
    ことを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の方法。
  6. 【請求項６】 上記方法ステップａでの溶液として、有機系保護コロイドに
    より安定化される酸性コロイド水溶液が用いられることを特徴とする前記請求項
    のいずれか一項に記載の方法。
  7. 【請求項７】 上記第１金属層としてニッケル層、コバルト層、銅層又はパ
    ラジウム層又はこれら金属の合金からなる層を析出することを特徴とする前記請
    求項のいずれか一項に記載の方法。
  8. 【請求項８】 上記第１金属層としてニッケル層又はニッケル合金層を析出
    することを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の方法。
  9. 【請求項９】 サブストレートを、パラジウムコロイド溶液による処理の前
    に、高分子電解質又は第４化合物を含む表面調整剤乃至コンディショニング溶液
    で処理することを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 銅表面を具備した導体プレートの穿孔内壁を金属化するた
    めの請求項１から９までのいずれか一項に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 導体プレートを水平方向に適切な処理設備を通り抜けて搬
    送し、その際に次々に様々な処理位置で異なる処理溶液中に浸漬することを特徴
    とする請求項１０項に記載の方法。
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