JPH04124281A - 無電解銅めっき方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は無電解銅めっき方法に関する。

〔従来の技術〕

印刷配線板は、被めっき材として銅張り積層板に穴明け
をして、無電解銅めっきを行って製造される。

はじめに、コンディショナー処理を行い、次に銅表面を
軽くエツチングし、稀硫酸で洗浄し、塩化パラジウム、
塩化スズ等を含む増悪剤で処理した後、密着促進剤で金
属不純物（Ｓｍ“−αスズ酸）を除去すると共に、パラ
ジウム化合物を金属パラジウムに還元し、無電解銅めっ
き液に浸漬する。

従来、この密着促進剤には、特開昭５０−８１９２７号
公報に開示されているように、硫酸及び塩酸等の無機酸
による混酸と金属錯化剤（酒石酸）を添加した処理液に
浸漬する方法や、特開昭５１−８１２７号公報に開示さ
れているようにＮａＯＨ溶液とエチレンジアミン四酢酸
を含む水溶液に浸漬する方法がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、被めっき材の表面を活性化させ、密着性の向
上を計り、又、スルーホール部への銅析８性を上げるこ
とでめっき付き回り性が見分となる無電解銅めっき方法
を提供するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、前記に示した無電解銅めっき工程のうち、被
めっき材を密着促進剤で処理する工程を、硫酸及び有機
酸、ｉ８酸化水素を主成分とする水溶液で処理すること
で、被めっき材表面の銅箔を活性化させ、下地銅と析出
銅との密着性を向上させる。又ガラス質へのめっき性が
良く、スルーホール内部へのめっき欠損のない無電解銅
めっき方法を提供するものである。本発明の方法である
成分は、塩酸、硝酸等の無機酸が知られているが、硫酸
が最も望ましく、水溶液中の濃度が２０ｗａｌ／ｌ以上
が　望ましい。さらに好ましくは３０〜５０１１１／ｌ
が望ましい。水溶液中の濃度が２０ｍ１／β以下になる
と下地銅と析出銅との密着性の低下がある。塩酸はガラ
ス質への析出は良いがめつき後のざらつきが発生する。

有機酸は、カルボキシル基をもつ化合物が挙げられる０
例えばクエン酸、コハク酸、グルコン酸乳酸、リンゴ酸
、酒石酸、マ♂ン酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイ
ン酸等いずれも使用できるが、特にクエン酸が効果的に
も適している。水溶液中の濃度は０．５モル／ｌが望ま
しい。過酸化水素は、スズの酸化側であり、例えば亜塩
素酸ナトリウム、ジクロロイソシアスル酸ナトリウム、
塩素酸ナトリウム、過マンガン酸ナトリウム、次亜塩素
酸ナトリウム、過ホウ酸ナトリウムが挙げられるが、過
酸化水素が最も望ましく、水溶液中の濃度が０゜００１
モル／ｌ１−０．０１モル／ｉが望ましい、ＯＯ１モル
フ１以上では無電解めっき析出が遅く、スルーホール内
部へのめっき析出性が低下する。

０．００１モル／ｌ以下では下地銅と析出銅との密着性
が低下する。

〔作用〕

本発明の密着促進剤は塩化パラジウム、塩化スズ等を増
感剤処理工程で被めっき材表面に付着したＳｍ″′（α
−スズ酸）を取り除くことができ、下地銅と析出銅との
密着不良を防止する。又ガラス質へのめっき析出性にも
優れており、スルーホール内めっき欠損によるブローホ
ールの潰滅する効果がある。安定した印刷配線板を製造
することができる。

密着促進材の作用として、無電解銅めっきに入る前に、
増感材処理後、Ｓｍ”　（α−スズ酸）でパラジウムが
被覆され活性が阻害する。過酸化水素は、このＳｍ・４
を加水溶液分解により除去する働きがあり、パラジウム
触媒を活性にし、めっき析出を促進する。特に密着性の
向上になる。硫酸、クエン酸Ｃｕ’析出性に優れている
。以下本発明の詳細な効果を実施例によって説明する。

〔実施例〕

（実施例１） 板厚１．６ｍｍ、！ｊ！箔厚３５μ−のガラス・エポキ
シ銅張り積層板（日立化成工業■製、ＭＣＬ−Ｅ６７）
に、φ１．０の穴を明は被めっき板とした。

無電解銅めっき工程は、日立化成工業−社製の薬液を使
用した。以下に工程を示した。

ＣＬＣ−４０１（６０℃）−湯洗（５０℃）−水洗−過
硫酸アンモニウム−水洗−稀硫酸一水洗−ＰＤ−２０１
→Ｈ３−２０２Ｂ→水洗→供試液１−水洗−Ｃｕ５ｔ−
２０１−水洗 その後、電気銅めっきを行う。

供試液１は次の組成のものを用いた。

硫　　酸　　　　　　　　　４０ｍ１／ｌクエン酸　　
　　　　　　　　　　６ｇ／Ａ過酸化水素　　　　　　
　　１０ｍ１／ｊ！水で１１に稀釈 （実施例２） 実施例１と同じ被めっき板を用い、銅めっきを行った。

供試液は次の供試液２を用いた。

硫　　　酸　　　　　　　　　　　　４（Ｊａｎ／ｌク
エン酸　　　　　　　　　　　　３　’、　ｇ　／　ｌ
！過酸化水素　　　　　　　　　１ｍｊ＋／ｆｆｉ水で
ｌＩｌに稀釈 （比較例１） 実施例１と同じ被めっき板を用い、同じ工程で銅めっき
を行った。供試液は日立密着促進剤ＡＤＰ−２０２を用
いた。

（比較例２） 実施例１と同じ被めっき板−を用い、同し工程で銅めっ
きを行った。供試液は日立密着促進剤ＡＤＰ−３０１を
用いた。

（比較例３） 実施例１と同し被めっき板を用い、銅めっき工程を行っ
た。供試液は次の供試′ｌ＆３を用いた。

硫　　酸　　　　　　　　　３５１Ｉｌｌ／ｌリンゴ酸
　　　　　　　　　　　３　　ｇ／ｉ２塩化ナトリウム
　　　　　　　３　ｇ／ｌ水で１１に稀釈 前記、実施例１．２、比較例１□　２．３について、次
の特性評価を行った。

（下地銅と析出銅の密着性） 実施例１のめっき工程では、密着性はすべて良好であり
、不良の発生は見られない。

そこで、加速評価方法によるめっき工程を行った。これ
は実施例１のめっき工程の中で、過硫酸アンモニウムに
よる下地銅のエツチングを省略した。その後、電解銅め
っきを行い、端部よりカッター等で引剥しを行い下地銅
と析出銅との間での剥れを確認する。

（スルーホール内めっき付き回り性） 実施例１に記しためっき工程で、Ｃｕ５ｔ−２０１まで
行った後、被めっき板のスルーホール部を図１のように
切断し顕微鏡で確認し、光の透過度をチエツクした。ガ
ラス部に銅が析出しないと光が透ける。

（ざらつき） 実施例１．２及び比較例１．２の供試液にＣｕ゛２イオ
ンを添加し処理することで、酸化を進める条件でＣｕ５
ｔ−２０１に浸漬する。その後電解銅めっきを行い、被
めっき材の表面を観察し、ざらつきの有無を確認する。

以上の結果について表１に示した。

第 表 ・密着性 ○ 剥れなし △ 剥れあり、 面積の１０χ未満 面積の１０％以上 ・バックライＦ評価　； 光の透過なし １０ｚ未満 １０％以上 ・ざらつき ○ ざらの発生なし △ １０％未満 １０％以上 〔発明の効果］ 以上の実施例から密着性で、 ソフトエッチを行 なわない状況の下でも下地銅と６密着性は良好である。

又ガラス質へのめっき析出性でも優れており、過剰なり
４濃度増加によるざらつきも見られない。

比較例１は、ガラス質へのめっき析出が劣っており、比
較例２では、ざらつきの発生が液中の銅上昇によりある
。又比較例３では密着性が加速工程で劣る。

以上の結果から本発明の無電解銅めっき方法が優れてい
ることが実証された。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．被めっき材を、塩化パラジウム及び塩化スズを含む
   増感剤で処理し、ついで密着促進剤で処理した後、無電
   解銅めっきを行うめっき方法において、前記密着促進剤
   は硫酸と有機酸及び過酸化水素を含む水溶液であること
   を特徴とする無電解銅めっき方法。
2. ２．請求項第１項に記載の密着促進剤の水溶液において
   、硫酸濃度が２０ｍｌ／ｌ以上、有機酸が５モル以下、
   過酸化水素０．００１モル／ｌ〜０．０１モル／ｌであ
   ることを特徴とする無電解銅めっき方法。
3. ３．有機酸がクエン酸である特許請求範囲第１項記載の
   方法。