JPH1091084A - 透明導電膜のパターニング方法と透明電極付き基体 - Google Patents
透明導電膜のパターニング方法と透明電極付き基体Info
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- JPH1091084A JPH1091084A JP8242326A JP24232696A JPH1091084A JP H1091084 A JPH1091084 A JP H1091084A JP 8242326 A JP8242326 A JP 8242326A JP 24232696 A JP24232696 A JP 24232696A JP H1091084 A JPH1091084 A JP H1091084A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低比抵抗透明導電膜の微細な電極パターンを高
精度かつ歩留まり良く形成できるパターニング方法とそ
の方法により形成された透明電極付き基体の提供。 【解決手段】基体１上に酸に可溶な透明酸化物層２、４
と金属層３とが積層されてなる透明導電膜を、ハロゲン
イオンを含有する酸性水溶液を用いてエッチングした
後、ハロゲン化アルカリ金属塩の水溶液に浸漬する。
精度かつ歩留まり良く形成できるパターニング方法とそ
の方法により形成された透明電極付き基体の提供。 【解決手段】基体１上に酸に可溶な透明酸化物層２、４
と金属層３とが積層されてなる透明導電膜を、ハロゲン
イオンを含有する酸性水溶液を用いてエッチングした
後、ハロゲン化アルカリ金属塩の水溶液に浸漬する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明電導膜のパタ
ーニング方法と、該方法を用いて得られる液晶ディスプ
レイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、エ
レクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）などの
電子ディスプレイに用いられる透明電極付き基体に関す
る。
ーニング方法と、該方法を用いて得られる液晶ディスプ
レイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、エ
レクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）などの
電子ディスプレイに用いられる透明電極付き基体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＬＣＤなどの透明電極としてＩＴ
Ｏ膜が広く用いられている。特に、ＳＴＮ型のカラーＬ
ＣＤにおいては、その高精細化、大画面化に伴い、液晶
駆動用透明電極の線幅もより細く、また長い形状のもの
が必要となってきている。このため、シート抵抗３Ω／
□以下のきわめて低抵抗の透明導電膜が必要とされる。
Ｏ膜が広く用いられている。特に、ＳＴＮ型のカラーＬ
ＣＤにおいては、その高精細化、大画面化に伴い、液晶
駆動用透明電極の線幅もより細く、また長い形状のもの
が必要となってきている。このため、シート抵抗３Ω／
□以下のきわめて低抵抗の透明導電膜が必要とされる。
【０００３】このシート抵抗を達成するためには、透明
導電膜の厚膜化（３００ｎｍ以上）または低比抵抗化
（１００μΩ・ｃｍ以下）をはかる必要がある。しか
し、厚膜化については、透明導電膜の成膜コストが増加
すること、電極パターニングの困難さが増加すること、
透明導電極の有無による段差が大きくなり、液晶の配向
制御が困難になるなどの問題が生じるため、限界があ
る。一方、ＩＴＯ膜自体を低比抵抗化する方法も検討さ
れているが、１００μΩ・ｃｍ以下の低抵抗ＩＴＯ膜を
安定して生産する方法はまだ確立されていない。
導電膜の厚膜化（３００ｎｍ以上）または低比抵抗化
（１００μΩ・ｃｍ以下）をはかる必要がある。しか
し、厚膜化については、透明導電膜の成膜コストが増加
すること、電極パターニングの困難さが増加すること、
透明導電極の有無による段差が大きくなり、液晶の配向
制御が困難になるなどの問題が生じるため、限界があ
る。一方、ＩＴＯ膜自体を低比抵抗化する方法も検討さ
れているが、１００μΩ・ｃｍ以下の低抵抗ＩＴＯ膜を
安定して生産する方法はまだ確立されていない。
【０００４】他方、１００μΩ・ｃｍ以下の低抵抗透明
導電膜を容易に得る方法としては、Ａｇなどの金属層を
ＩＴＯなどの透明酸化物層で挟んだ透明酸化物層／金属
層／透明酸化物層という構成が知られている。この構成
の透明導電膜を電子ディスプレイ用電極として利用する
ためには、微細な電極パターンを高精度、かつ歩留まり
良く形成すること（パターニング）が必要とされる。
導電膜を容易に得る方法としては、Ａｇなどの金属層を
ＩＴＯなどの透明酸化物層で挟んだ透明酸化物層／金属
層／透明酸化物層という構成が知られている。この構成
の透明導電膜を電子ディスプレイ用電極として利用する
ためには、微細な電極パターンを高精度、かつ歩留まり
良く形成すること（パターニング）が必要とされる。
【０００５】このような透明導電膜は、Ａｇなどの金属
層に対して酸化作用を有し、Ｃｌ-イオンを含有する酸
性水溶液からなるエッチング液を用いることによって、
微細な電極パターンを精度良く形成できる。図１に前述
のエッチング液を用いた従来のパターニング後の透明導
電膜付き基体の断面模式図を示す。１は基体、２は酸に
可溶な透明酸化物層、３は金属層、４は酸に可溶な透明
酸化物層、１０はエッチング残渣を示す。このように従
来のパターニングでは、エッチング残渣１０が生じやす
く、エッチング後に５ｋｇ／ｃｍ2 以上の水圧で水洗を
行っても充分ではなく、パターニング工程の歩留まり低
下を招いていた。
層に対して酸化作用を有し、Ｃｌ-イオンを含有する酸
性水溶液からなるエッチング液を用いることによって、
微細な電極パターンを精度良く形成できる。図１に前述
のエッチング液を用いた従来のパターニング後の透明導
電膜付き基体の断面模式図を示す。１は基体、２は酸に
可溶な透明酸化物層、３は金属層、４は酸に可溶な透明
酸化物層、１０はエッチング残渣を示す。このように従
来のパターニングでは、エッチング残渣１０が生じやす
く、エッチング後に５ｋｇ／ｃｍ2 以上の水圧で水洗を
行っても充分ではなく、パターニング工程の歩留まり低
下を招いていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
前述の欠点を解決し、容易に低比抵抗が得られる透明導
電膜の微細な電極パターンを高精度、かつ歩留まり良く
形成できるパターニング方法、およびその方法によって
形成された低抵抗微細電極を有する透明電極付き基体の
提供を目的とする。
前述の欠点を解決し、容易に低比抵抗が得られる透明導
電膜の微細な電極パターンを高精度、かつ歩留まり良く
形成できるパターニング方法、およびその方法によって
形成された低抵抗微細電極を有する透明電極付き基体の
提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸に可溶な透
明酸化物層と金属層とが基体上に積層されてなる透明導
電膜のパターニング方法において、上記基体の透明導電
膜をハロゲンイオンを含有する酸性水溶液を用いてエッ
チングした後、この基体をハロゲン化アルカリ金属塩の
水溶液で処理することを特徴とする透明導電膜のパター
ニング方法およびその方法によって形成された透明電極
付き基体を提供する。
明酸化物層と金属層とが基体上に積層されてなる透明導
電膜のパターニング方法において、上記基体の透明導電
膜をハロゲンイオンを含有する酸性水溶液を用いてエッ
チングした後、この基体をハロゲン化アルカリ金属塩の
水溶液で処理することを特徴とする透明導電膜のパター
ニング方法およびその方法によって形成された透明電極
付き基体を提供する。
【０００８】図２に本発明による３層系透明導電膜付き
基板の代表例の断面図を、図３に５層系透明導電膜付き
基板の代表例の断面図を示す。図４には、代表的なカラ
ーＬＣＤ用の基板を示す。このように、透明導電膜とし
ては、酸に可溶な透明酸化物層と金属層とが基体側から
この順に交互に（２ｎ＋１）層（ｎ≧１）で積層されて
なる透明導電膜を用いることが好ましい。
基板の代表例の断面図を、図３に５層系透明導電膜付き
基板の代表例の断面図を示す。図４には、代表的なカラ
ーＬＣＤ用の基板を示す。このように、透明導電膜とし
ては、酸に可溶な透明酸化物層と金属層とが基体側から
この順に交互に（２ｎ＋１）層（ｎ≧１）で積層されて
なる透明導電膜を用いることが好ましい。
【０００９】１は基体、２、４、６は酸に可溶な透明酸
化物層、３、５は金属層、７はカラー画素となるカラー
フィルタ層、８は透明樹脂保護層、９は無機中間膜層、
１１はガラス基板である。
化物層、３、５は金属層、７はカラー画素となるカラー
フィルタ層、８は透明樹脂保護層、９は無機中間膜層、
１１はガラス基板である。
【００１０】本発明における基体１としては、ガラス板
の他、樹脂製のフィルムや板も使用できる。また、図４
に示すように、ガラス基板１１上にカラー画素となるカ
ラーフィルタ層７を形成した基体、さらに、該カラーフ
ィルタ層上に、カラーフィルタ層を保護、平滑化するた
めの透明樹脂保護層８を設けることもできる。さらにカ
ラーフィルタ層７や透明樹脂保護層８と透明導電膜との
密着性を高めるためのシリカ、ＳｉＮx などの無機中間
膜層９を順次積層した基体を用いてもよい。
の他、樹脂製のフィルムや板も使用できる。また、図４
に示すように、ガラス基板１１上にカラー画素となるカ
ラーフィルタ層７を形成した基体、さらに、該カラーフ
ィルタ層上に、カラーフィルタ層を保護、平滑化するた
めの透明樹脂保護層８を設けることもできる。さらにカ
ラーフィルタ層７や透明樹脂保護層８と透明導電膜との
密着性を高めるためのシリカ、ＳｉＮx などの無機中間
膜層９を順次積層した基体を用いてもよい。
【００１１】２、４、６の酸に可溶な透明酸化物層とし
ては、酸に容易に可溶であり、またそれ自身の電気抵抗
も低いという理由から、Ｉｎおよび／またはＺｎの酸化
物を主成分とする透明酸化物層を用いることが好まし
い。
ては、酸に容易に可溶であり、またそれ自身の電気抵抗
も低いという理由から、Ｉｎおよび／またはＺｎの酸化
物を主成分とする透明酸化物層を用いることが好まし
い。
【００１２】Ｉｎ2 Ｏ3 を主成分とする膜としては、Ｉ
ｎに対してＳｎを０〜１５原子％含んだＩｎ2 Ｏ3 膜
（すなわちＳｎを含まないＩｎ2 Ｏ3 も包含する）、ま
たＺｎＯを主成分とする膜としては、Ｚｎに対してＧａ
やＡｌなどを０〜１５原子％含んだＺｎＯ膜（すなわち
ＧａやＡｌなどを含まないＺｎＯも包含する）が好まし
い。
ｎに対してＳｎを０〜１５原子％含んだＩｎ2 Ｏ3 膜
（すなわちＳｎを含まないＩｎ2 Ｏ3 も包含する）、ま
たＺｎＯを主成分とする膜としては、Ｚｎに対してＧａ
やＡｌなどを０〜１５原子％含んだＺｎＯ膜（すなわち
ＧａやＡｌなどを含まないＺｎＯも包含する）が好まし
い。
【００１３】これら酸に可溶な透明酸化物層のそれぞれ
の膜厚は、特に限定されないが、色調およびより高い可
視光透過率を得るために、１０〜２００ｎｍが適当であ
る。
の膜厚は、特に限定されないが、色調およびより高い可
視光透過率を得るために、１０〜２００ｎｍが適当であ
る。
【００１４】３、５の金属層としては、低い抵抗とより
高い可視光透過率が得られるという理由から、Ａｇを主
成分とする膜が好ましい。特に、Ａｇの凝集現象を防止
し、耐久性の高いＡｇ膜が得られるという理由から、
０．１〜５．０原子％のＰｄやＡｕを添加した合金膜、
または０．１〜３ｎｍのＰｄやＡｕ膜をＡｇ膜の上層お
よび／または下層に積層したＡｇ膜が好ましい。
高い可視光透過率が得られるという理由から、Ａｇを主
成分とする膜が好ましい。特に、Ａｇの凝集現象を防止
し、耐久性の高いＡｇ膜が得られるという理由から、
０．１〜５．０原子％のＰｄやＡｕを添加した合金膜、
または０．１〜３ｎｍのＰｄやＡｕ膜をＡｇ膜の上層お
よび／または下層に積層したＡｇ膜が好ましい。
【００１５】３、５の金属層の膜厚は、それぞれ３〜２
０ｎｍが好ましい。３ｎｍ未満では低いシート抵抗が得
られず、２０ｎｍ超過では可視光透過率が低下するので
好ましくない。
０ｎｍが好ましい。３ｎｍ未満では低いシート抵抗が得
られず、２０ｎｍ超過では可視光透過率が低下するので
好ましくない。
【００１６】透明導電膜を構成するそれぞれの層の厚み
を前述の範囲内で選択することによって、光学的干渉効
果による可視光透過率、色調の調整やシート抵抗値の調
整も可能となる。
を前述の範囲内で選択することによって、光学的干渉効
果による可視光透過率、色調の調整やシート抵抗値の調
整も可能となる。
【００１７】また、本発明で用いる透明導電膜は、低シ
ート抵抗、高可視光透過率、高耐久性を示すが、さらに
特性を向上させるために、成膜後１００〜３００℃の加
熱処理を行ってもよい。
ート抵抗、高可視光透過率、高耐久性を示すが、さらに
特性を向上させるために、成膜後１００〜３００℃の加
熱処理を行ってもよい。
【００１８】基体上の透明導電膜のパターニングは、透
明導電膜上にフォトリソグラフィ法により所望のレジス
トパターンを形成した後、ハロゲンイオンを含有する酸
性水溶液、好ましくは、透明導電膜を構成する金属層に
対して酸化作用を有する物質とハロゲンイオンを含有す
る酸性水溶液からなるエッチング液を用いてエッチング
した後、この基体をハロゲン化アルカリ金属塩の水溶液
で処理する。
明導電膜上にフォトリソグラフィ法により所望のレジス
トパターンを形成した後、ハロゲンイオンを含有する酸
性水溶液、好ましくは、透明導電膜を構成する金属層に
対して酸化作用を有する物質とハロゲンイオンを含有す
る酸性水溶液からなるエッチング液を用いてエッチング
した後、この基体をハロゲン化アルカリ金属塩の水溶液
で処理する。
【００１９】ハロゲンイオンを含有する酸性水溶液とし
ては、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、過塩素酸、塩
化第二鉄を主成分とする水溶液などを用いうる。
ては、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、過塩素酸、塩
化第二鉄を主成分とする水溶液などを用いうる。
【００２０】また、酸性水溶液としては、ハロゲンイオ
ンを含有していない硝酸、硫酸を主成分とする水溶液で
もよく、このとき、酸性水溶液中で金属層に対して酸化
作用を有する物質を併用し、その物質がハロゲンイオン
を含有していればよい。
ンを含有していない硝酸、硫酸を主成分とする水溶液で
もよく、このとき、酸性水溶液中で金属層に対して酸化
作用を有する物質を併用し、その物質がハロゲンイオン
を含有していればよい。
【００２１】酸性水溶液の濃度としては、特に限定され
ず、おおむね良好な結果が得られるが、エッチング残
渣、エッチング速度、および、サイドエッチングの点
で、特に好ましい結果が得られることから、０．０５〜
２規定とすることが好ましい。
ず、おおむね良好な結果が得られるが、エッチング残
渣、エッチング速度、および、サイドエッチングの点
で、特に好ましい結果が得られることから、０．０５〜
２規定とすることが好ましい。
【００２２】また、酸性水溶液中で金属層に対して酸化
作用を有する物質としては、亜硝酸、硝酸、過酸化水
素、塩化第二鉄、過マンガン酸カリウム、重クロム酸カ
リウム、ヨウ素酸カリウム、または硝酸第二セリウムア
ンモニウムなどを用いうる。その濃度としては、特に限
定されず、おおむね良好な結果は得られるが、エッチン
グ残渣、エッチング速度、および、サイドエッチングの
点で、特に好ましい結果が得られることから、０．００
５〜０．５規定とすることが好ましい。
作用を有する物質としては、亜硝酸、硝酸、過酸化水
素、塩化第二鉄、過マンガン酸カリウム、重クロム酸カ
リウム、ヨウ素酸カリウム、または硝酸第二セリウムア
ンモニウムなどを用いうる。その濃度としては、特に限
定されず、おおむね良好な結果は得られるが、エッチン
グ残渣、エッチング速度、および、サイドエッチングの
点で、特に好ましい結果が得られることから、０．００
５〜０．５規定とすることが好ましい。
【００２３】前述の酸性水溶液によるエッチングの後、
ハロゲン化アルカリ金属塩の水溶液で処理し、反応生成
物と思われるエッチング残渣を効率よく除去する。処理
の方法としては、浸漬やスプレーなどが挙げられる。
ハロゲン化アルカリ金属塩の水溶液で処理し、反応生成
物と思われるエッチング残渣を効率よく除去する。処理
の方法としては、浸漬やスプレーなどが挙げられる。
【００２４】ハロゲン化アルカリ金属塩としては、塩化
カリウム、塩化ナトリウム、臭化カリウム、臭化ナトリ
ウムなどを用いうる。その濃度としては、特に限定され
ず、おおむね良好な結果は得られるが、反応生成物の確
実な除去という点で、特に好ましい結果が得られること
から、０．５Ｍ以上とすることが好ましい。
カリウム、塩化ナトリウム、臭化カリウム、臭化ナトリ
ウムなどを用いうる。その濃度としては、特に限定され
ず、おおむね良好な結果は得られるが、反応生成物の確
実な除去という点で、特に好ましい結果が得られること
から、０．５Ｍ以上とすることが好ましい。
【００２５】
【作用】本発明の透明電導膜をパターニングする際、金
属イオンとエッチング液中のハロゲンイオンとの反応生
成物からなると思われるエッチング残渣が生じやすく、
エッチング後に過剰のハロゲンイオンを含有するハロゲ
ン化アルカリ金属塩の水溶液に浸漬することによって、
効果的にエッチング残渣を除去できる。この理由は、必
ずしも明らかではないが、過剰のハロゲンイオンが存在
する溶液中での溶解平衡が崩れ、金属イオンとハロゲン
イオンとの反応生成物が迅速にハロゲン化アルカリ金属
塩の水溶液中に溶解するためと思われる。その結果、Ｌ
ＣＤなどに要求される１００μｍオーダーの微細電極加
工を歩留まり良く、容易に行うことができる。
属イオンとエッチング液中のハロゲンイオンとの反応生
成物からなると思われるエッチング残渣が生じやすく、
エッチング後に過剰のハロゲンイオンを含有するハロゲ
ン化アルカリ金属塩の水溶液に浸漬することによって、
効果的にエッチング残渣を除去できる。この理由は、必
ずしも明らかではないが、過剰のハロゲンイオンが存在
する溶液中での溶解平衡が崩れ、金属イオンとハロゲン
イオンとの反応生成物が迅速にハロゲン化アルカリ金属
塩の水溶液中に溶解するためと思われる。その結果、Ｌ
ＣＤなどに要求される１００μｍオーダーの微細電極加
工を歩留まり良く、容易に行うことができる。
【００２６】
【実施例】ガラス基板１１上に、カラーフィルタ層７、
カラーフィルタの保護と平滑下のためのアクリル系樹脂
層保護層８、およびシリカ中間層９とがあらかじめ形成
された基板（図４）上に、直流スパッタリング法によ
り、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で、膜厚１６ｎｍ
のＧａドープＺｎＯ膜（以下、ＧＺＯ膜という）、１１
ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金膜、３８ｎｍのＧＺＯ膜を順次積
層し、図２に示すような３層構成の透明導電膜付き基体
を作製した。得られた透明導電膜のシート抵抗値は、
３．６Ω／□、可視光透過率は７４．３％であった。
カラーフィルタの保護と平滑下のためのアクリル系樹脂
層保護層８、およびシリカ中間層９とがあらかじめ形成
された基板（図４）上に、直流スパッタリング法によ
り、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で、膜厚１６ｎｍ
のＧａドープＺｎＯ膜（以下、ＧＺＯ膜という）、１１
ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金膜、３８ｎｍのＧＺＯ膜を順次積
層し、図２に示すような３層構成の透明導電膜付き基体
を作製した。得られた透明導電膜のシート抵抗値は、
３．６Ω／□、可視光透過率は７４．３％であった。
【００２７】また、上記の３層構成の透明導電膜のかわ
りに、膜厚４０ｎｍのＧＺＯ膜、１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ
合金膜、８５ｎｍのＧＺＯ膜、１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合
金膜、４０ｎｍのＧＺＯ膜を順次積層した５層構成の透
明導電膜を用いた以外は上記同様にして５層構成の透明
導電膜付き基体を作製した。得られた透明導電膜のシー
ト抵抗値は、２．４Ω／□、可視光透過率は７３．５％
であった。
りに、膜厚４０ｎｍのＧＺＯ膜、１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ
合金膜、８５ｎｍのＧＺＯ膜、１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合
金膜、４０ｎｍのＧＺＯ膜を順次積層した５層構成の透
明導電膜を用いた以外は上記同様にして５層構成の透明
導電膜付き基体を作製した。得られた透明導電膜のシー
ト抵抗値は、２．４Ω／□、可視光透過率は７３．５％
であった。
【００２８】なお上記で用いたＧＺＯ膜の形成にはＧａ
を５原子％含むＺｎＯ焼結体ターゲットを用い、Ｐｄ−
Ａｇ合金膜の形成には、１原子％のＰｄを含むＰｄ−Ａ
ｇ合金ターゲットを用いた。また、ＧＺＯ膜成膜時のス
パッタ電力密度は５．７Ｗ／ｃｍ2 、Ｐｄ−Ａｇ膜成膜
時のスパッタ電力密度は０．５７Ｗ／ｃｍ2 とし、それ
ぞれの膜厚は成膜時間により調整した。
を５原子％含むＺｎＯ焼結体ターゲットを用い、Ｐｄ−
Ａｇ合金膜の形成には、１原子％のＰｄを含むＰｄ−Ａ
ｇ合金ターゲットを用いた。また、ＧＺＯ膜成膜時のス
パッタ電力密度は５．７Ｗ／ｃｍ2 、Ｐｄ−Ａｇ膜成膜
時のスパッタ電力密度は０．５７Ｗ／ｃｍ2 とし、それ
ぞれの膜厚は成膜時間により調整した。
【００２９】次に、上記で得られたそれぞれの透明導電
膜付き基体の透明導電膜上にフォトリソグラフィ法によ
りライン幅１３０μｍ、スペース幅２５μｍのストライ
プ状のレジストパターンを形成した後、Ａｇに対して酸
化作用を有する０．７５Ｍの塩化第二鉄水溶液を用いて
パターニングを行い、続いて表１に示す各種ハロゲン化
アルカリ金属塩の水溶液からなる浸漬液に浸漬した。結
果を表１に示す。表１中の１％ＰｄＡｇは、１原子％の
Ｐｄを含むＰｄ−Ａｇ合金膜の意である。
膜付き基体の透明導電膜上にフォトリソグラフィ法によ
りライン幅１３０μｍ、スペース幅２５μｍのストライ
プ状のレジストパターンを形成した後、Ａｇに対して酸
化作用を有する０．７５Ｍの塩化第二鉄水溶液を用いて
パターニングを行い、続いて表１に示す各種ハロゲン化
アルカリ金属塩の水溶液からなる浸漬液に浸漬した。結
果を表１に示す。表１中の１％ＰｄＡｇは、１原子％の
Ｐｄを含むＰｄ−Ａｇ合金膜の意である。
【００３０】表１に示すように、パターニング後に５Ｍ
のＮａＣｌ、ＫＣｌ、およびＮａＢｒの水溶液に基板を
浸漬したものについては、エッチング残渣を生じたもの
は１枚もなかった。
のＮａＣｌ、ＫＣｌ、およびＮａＢｒの水溶液に基板を
浸漬したものについては、エッチング残渣を生じたもの
は１枚もなかった。
【００３１】比較のために、ハロゲン化アルカリ金属塩
の水溶液からなる浸漬液に浸漬しなかった場合の結果を
表１に示す。表１に示すように、パターニング後にハロ
ゲン化アルカリ水溶液に浸漬しなかった場合は、１０枚
中２〜３枚にエッチング残渣が生じた。
の水溶液からなる浸漬液に浸漬しなかった場合の結果を
表１に示す。表１に示すように、パターニング後にハロ
ゲン化アルカリ水溶液に浸漬しなかった場合は、１０枚
中２〜３枚にエッチング残渣が生じた。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【発明の効果】本発明により、透明酸化物層と金属層の
積層体からなる低比抵抗の透明電導膜を、容易に、数十
μｍオーダーでかつ歩留まり良く微細電極加工できる。
したがって、ガラス基板上や、成膜温度の低いプラスチ
ック製基板（耐熱温度１００℃以下）やカラーＬＣＤ用
のカラーフィルタ付き基板上（耐熱温度２５０℃以下）
に、合計膜厚が３００ｎｍ以下で、３Ω／□以下の低抵
抗透明電極を形成することが可能となる。
積層体からなる低比抵抗の透明電導膜を、容易に、数十
μｍオーダーでかつ歩留まり良く微細電極加工できる。
したがって、ガラス基板上や、成膜温度の低いプラスチ
ック製基板（耐熱温度１００℃以下）やカラーＬＣＤ用
のカラーフィルタ付き基板上（耐熱温度２５０℃以下）
に、合計膜厚が３００ｎｍ以下で、３Ω／□以下の低抵
抗透明電極を形成することが可能となる。
【００３４】これによりＬＣＤなどの電子ディスプレイ
の高精細化、大画面化、表示品位の向上実現を容易にす
る。
の高精細化、大画面化、表示品位の向上実現を容易にす
る。
【図１】従来のパターニング後の透明導電膜付き基体の
断面模式図
断面模式図
【図２】３層構成透明導電膜付き基板の断面模式図
【図３】５層構成透明導電膜付き基板の断面模式図
【図４】代表的なカラーＬＣＤ用基板の断面模式図
１：基体 ２：酸に可溶な透明酸化物層 ３：金属層 ４：酸に可溶な透明酸化物層 ５：金属層 ６：酸に可溶な透明酸化物層 ７：カラーフィルタ層 ８：樹脂保護層 ９：シリカなどの無機中間膜層 １０：エッチング残渣 １１：ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 正美 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】酸に可溶な透明酸化物層と金属層とが基体
上に積層されてなる透明導電膜のパターニング方法にお
いて、上記基体の透明導電膜をハロゲンイオンを含有す
る酸性水溶液を用いてエッチングした後、この基体をハ
ロゲン化アルカリ金属塩の水溶液で処理することを特徴
とする透明導電膜のパターニング方法。 - 【請求項２】透明導電膜として、酸に可溶な透明酸化物
層と金属層とが基体側からこの順に交互に（２ｎ＋１）
層（ｎ≧１）で積層されてなる透明導電膜を用い、透明
酸化物層が、Ｉｎおよび／またはＺｎの酸化物を主成分
とする透明酸化物層であり、金属層が、Ａｇを主成分と
する金属層である請求項１の透明導電膜のパターニング
方法。 - 【請求項３】酸性水溶液として、金属層に対して酸化作
用を有する物質を含有する水溶液を用いる請求項１また
は２の透明導電膜のパターニング方法。 - 【請求項４】基体上に透明電極を有する透明電極付き基
体において、透明電極が請求項１、２または３の透明導
電膜のパターニング方法により形成された透明電極であ
ることを特徴とする透明電極付き基体。
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| JP24232696A JP3711650B2 (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 透明導電膜のパターニング方法と透明電極付き基体 |
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- 1996-09-12 JP JP24232696A patent/JP3711650B2/ja not_active Expired - Fee Related
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