JP2006163367A - 表示装置用配線、該配線を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 - Google Patents
表示装置用配線、該配線を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006163367A JP2006163367A JP2005302481A JP2005302481A JP2006163367A JP 2006163367 A JP2006163367 A JP 2006163367A JP 2005302481 A JP2005302481 A JP 2005302481A JP 2005302481 A JP2005302481 A JP 2005302481A JP 2006163367 A JP2006163367 A JP 2006163367A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- conductive
- thin film
- conductive oxide
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 171
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 154
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 154
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 152
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 56
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 39
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 213
- 241000408495 Iton Species 0.000 description 127
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 29
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 12
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 7
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000012476 oxidizable substance Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
Abstract
【課題】配線の低抵抗特性及び信頼性を同時に確保する。
【解決手段】導電性酸化物を含有する第１導電層及び銀を含有する第２導電層を有する表示装置用配線と、基板１１０、該基板１１０上に形成されているゲート線、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜１４０上に形成されているソース電極１７３を含むデータ線１７１及びソース電極１７３と対向しているドレイン電極１７５、及びドレイン電極１７５と接続されている画素電極１９０を有している。ゲート線とデータ線１７１及びドレイン電極１７５の少なくとも一方とは、導電性酸化物を含有する第１導電層及び銀を含有する第２導電層を有する。これにより、配線の密着性が向上するので剥離を防止することができ、信頼性が向上する。
【選択図】図２
【解決手段】導電性酸化物を含有する第１導電層及び銀を含有する第２導電層を有する表示装置用配線と、基板１１０、該基板１１０上に形成されているゲート線、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜１４０上に形成されているソース電極１７３を含むデータ線１７１及びソース電極１７３と対向しているドレイン電極１７５、及びドレイン電極１７５と接続されている画素電極１９０を有している。ゲート線とデータ線１７１及びドレイン電極１７５の少なくとも一方とは、導電性酸化物を含有する第１導電層及び銀を含有する第２導電層を有する。これにより、配線の密着性が向上するので剥離を防止することができ、信頼性が向上する。
【選択図】図２
Description
本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ-ＬＣＤ）又は能動型有機発光表示素子（ＡＭ-ＯＬＥＤ）等に用いられる表示装置用配線、該配線を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関する。
液晶表示装置は、現在最も広く使われている平板表示装置の一つであって、電極が形成されている二枚の基板と、その間に挿入されている液晶層からなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列することによって、透過する光の量を調節する表示装置である。
液晶表示装置の中で、電界生成電極が二つの表示板にそれぞれ具備されている形態のものが現在主に利用されている。この中でも、一方の表示板には複数の画素電極が行列（マトリクス）状に配列され、もう一方の表示板には一つの共通電極が表示板の全面を覆っている構造が主流である。このような液晶表示装置において、画像表示は、各画素電極に電圧を個別に印加することによって行われる。そのために、画素電極に印加される電圧をスイッチングするための三端子素子である薄膜トランジスタを各画素電極に接続し、この薄膜トランジスタを制御するための信号を伝達するゲート線と、画素電極に印加される電圧を伝達するデータ線とを表示板にそれぞれ形成する。薄膜トランジスタは、ゲート線を通じて伝えられる走査信号によって、データ線を通じて伝えられる画像信号を画素電極に伝達若しくは遮断するスイッチング素子としての役割をする。このような薄膜トランジスタは、自発光素子である能動型有機発光表示素子（ＡＭ-ＯＬＥＤ）においても、各発光素子を個別的に制御するスイッチング素子としての役割をする。
一方、液晶表示装置又は有機発光表示素子を用いた表示装置の面積が益々大型化するにつれて、薄膜トランジスタと接続されるゲート線及びデータ線も長くなり、配線の抵抗も増加する。よって、抵抗の増加による信号遅延などの問題を解決するためには、ゲート線及びデータ線を最も低い抵抗値を有する材料にて形成する必要がある。
配線材料のうち最も低い抵抗値を有する物質は銀（Ag）である。実際に、銀（Ag）からなるゲート線及びデータ線を含む場合、信号遅延などの問題を解決することができる。
配線材料のうち最も低い抵抗値を有する物質は銀（Ag）である。実際に、銀（Ag）からなるゲート線及びデータ線を含む場合、信号遅延などの問題を解決することができる。
ところが、銀（Ag）は、ガラス基板、無機膜又は有機膜などからなる下部層との接着性が悪く、配線が剥げたり、剥離する現象が生じ易い。また、銀（Ag）は耐酸化性が低く、他の金属材料と一括エッチングすることが難しい。
本発明は、前記した問題点を解決するためのものであって、その目的は、配線の低抵抗特性及び信頼性を同時に確保できる表示装置用配線、該配線を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供することである。
本発明は、前記した問題点を解決するためのものであって、その目的は、配線の低抵抗特性及び信頼性を同時に確保できる表示装置用配線、該配線を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供することである。
本発明による表示装置用配線は、１５０℃以下の温度で形成された導電性酸化物を含有する第１導電層、及び前記第１導電層の形成前又は形成後に連続的に形成された、すなわち、前記第１導電層に隣接するように形成された銀（Ag）を含有する第２導電層を有する。
また、本発明による薄膜トランジスタ表示板は、基板、前記基板上に形成されているゲート線、前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されているソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と対向しているドレイン電極、及び前記ドレイン電極と接続されている画素電極を有し、前記ゲート線と前記データ線及びドレイン電極の少なくとも一方とは、１５０℃以下の温度で形成された導電性酸化物を含有する第１導電層、及び前記第１導電層の形成前又は形成後に連続的に形成された銀（Ag）を含有する第２導電層を有する。
また、本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成するステップ、前記ゲート線上にゲート絶縁膜及び半導体層を順次に形成するステップ、前記ゲート絶縁膜及び半導体層上にソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と所定間隔を置いて対向しているドレイン電極を形成するステップ、及び前記ドレイン電極と接続される画素電極を形成するステップを有し、前記ゲート線を形成するステップと前記データ線及びドレイン電極を形成するステップの少なくとも一方は、１５０℃以下の温度で導電性酸化膜を形成するステップ及び前記導電性酸化膜の形成前又は形成後に連続的に銀（Ag）を含有する導電層を形成するステップを含む。
銀（Ag）導電層の上部及び／又は下部に非晶質形態から形成された導電性酸化膜を形成することによって、下部及び／又は上部層との接着性が著しく向上され、大面積の表示装置において低抵抗値の配線として適用できる他、同一エッチング条件で一括してエッチングすることができるので、追加ステップを必要とせずに良好なプロファイルを有する配線を得ることができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
以下、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
まず、図１及び図２を参照して、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の構造について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の構造を示す配置図であり、図２は、図１に示す薄膜トランジスタ表示板のII-II´線に沿った断面図である。
まず、図１及び図２を参照して、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の構造について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の構造を示す配置図であり、図２は、図１に示す薄膜トランジスタ表示板のII-II´線に沿った断面図である。
絶縁基板１１０上には、ゲート信号を伝達する複数のゲート線１２１が形成されている。ゲート線１２１は横方向にのびており、各ゲート線１２１の一部は複数のゲート電極１２４をなす。また、各ゲート線１２１の一部は、下方向（図１の紙面で下方）に突出して複数の拡張部１２７をなしている。
ゲート線１２１は、ITO又はIZOのような導電性酸化物からなる導電層１２４p、１２７p、１２９p（以下、下部導電性酸化膜と言う）、銀（Ag）又は銀合金（Ag-alloy）からなる導電層１２４q、１２７q、１２９q（以下、銀（Ag）導電層と言う）、及びITO又はIZOのような導電性酸化物からなる導電層１２４r、１２７r、１２９r（以下、上部導電性酸化膜と言う）で形成されている。
ゲート線１２１は、ITO又はIZOのような導電性酸化物からなる導電層１２４p、１２７p、１２９p（以下、下部導電性酸化膜と言う）、銀（Ag）又は銀合金（Ag-alloy）からなる導電層１２４q、１２７q、１２９q（以下、銀（Ag）導電層と言う）、及びITO又はIZOのような導電性酸化物からなる導電層１２４r、１２７r、１２９r（以下、上部導電性酸化膜と言う）で形成されている。
前記のように、銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qの下部にITOなどからなる下部導電性酸化膜１２４p、１２７p、１２９pが形成される場合、基板１１０との接着性が向上され、配線が剥げたり剥離する現象を防止することができる。
特に、下部導電性酸化膜が非晶質形態から形成されたITOからなる場合、基板１１０及び銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qの間で接着性をさらに向上させることができる。
特に、下部導電性酸化膜が非晶質形態から形成されたITOからなる場合、基板１１０及び銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qの間で接着性をさらに向上させることができる。
非晶質ITOは、表面粗度が極めて大きい物質であって、表面に微細な凹凸部（凹凸）を多く含む。このような凹凸部によって、下部の基板１１０及び上部の銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qとの接触面積が増加し、接着性が著しく向上する。なお、非晶質ITOは、後続ステップであるゲート絶縁膜１４０及び半導体層１５１の形成ステップにおいて、約２００〜４００℃の高温に露出するが、この時、非晶質形態のITOが結晶化し、上部の銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９q及び下部の基板１１０との接着性が一層向上される。
これにより、基板１１０、非晶質ITOからなる下部導電性酸化膜１２４p、１２７p、１２９p及び銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qが互いに密着し、配線が剥げたり剥離する現象を防止することができる。
これにより、基板１１０、非晶質ITOからなる下部導電性酸化膜１２４p、１２７p、１２９p及び銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qが互いに密着し、配線が剥げたり剥離する現象を防止することができる。
また、銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qの上には、ITO又はIZOのような導電性酸化物からなる上部導電性酸化膜１２４r、１２７r、１２９rが形成されている。銀（Ag）は一般に酸化性が大きい物質であって、他の物質と接触して拡散し易い傾向がある。したがって、銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qの上に、導電性酸化物からなる上部導電性酸化膜１２４r、１２７r、１２９rを形成することによって、銀（Ag）がゲート絶縁膜１４０に直接拡散されることを防止することができる。
また、銀（Ag）及び非晶質ITOは、同一条件で一括エッチングできるというメリットがある。銀（Ag）は一般に極めて速いエッチング速度を有しており、弱酸の条件でエッチングをする必要がある。しかし、既存の二重層又は三重層の積層構造において、下部層に一般に利用されるクロム（Cr）、モリブデン（Mo）等は、銀（Ag）に比べて極めて遅いエッチング速度を有するので、同一条件でエッチングすることができない。これに対し、非晶質ITOは、非晶質特性によって、複数のダングリングボンド（dangling bond）を有し、反応性が高いため、銀（Ag）と同様に弱酸の条件でエッチングを行うことができる。したがって、銀（Ag）導電層と非晶質ITO層を同一エッチング液で一括エッチングしたとき、良好なプロファイルを有する配線を形成することができる。
図２３Ａは非晶質ITOからなる導電層、銀（Ag）導電層及び非晶質ITOからなる導電層が一括エッチングされ形成されたゲートパターンを示す断面写真である。この断面写真から、銀（Ag）導電層及び非晶質ITOからなる導電層を一括エッチングする場合も、良好なプロファイルを有することが確認できた。
更に、非晶質形態のITOは、窒素雰囲気に露出させて窒化性ITO（ITON）に形成することもできる。この場合、銀（Ag）導電層とITOの接触領域で銀（Ag）の酸化を防止し、抵抗の急激な増加を防止することができる。
更に、非晶質形態のITOは、窒素雰囲気に露出させて窒化性ITO（ITON）に形成することもできる。この場合、銀（Ag）導電層とITOの接触領域で銀（Ag）の酸化を防止し、抵抗の急激な増加を防止することができる。
下部導電性酸化膜１２４p、１２７p、１２９p、銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９q及び上部導電性酸化膜１２４r、１２７r、１２９rの側面は、約３０度〜８０度の傾斜角を有する。
ゲート線１２１上には、窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０の上部には、水素化非晶質シリコンなどからなる複数の線状半導体層１５１が形成されている。線状半導体層１５１は、縦方向にのびており、ここから複数の突出部１５４がゲート電極１２４に向けてのびている。また、線状半導体層１５１は、ゲート線１２１と出会う地点の付近で幅が大きくなり、ゲート線１２１の広い面積を覆っている。
ゲート線１２１上には、窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０の上部には、水素化非晶質シリコンなどからなる複数の線状半導体層１５１が形成されている。線状半導体層１５１は、縦方向にのびており、ここから複数の突出部１５４がゲート電極１２４に向けてのびている。また、線状半導体層１５１は、ゲート線１２１と出会う地点の付近で幅が大きくなり、ゲート線１２１の広い面積を覆っている。
半導体層１５１上には、シリサイド（silicide）又はn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質ケイ素などの物質からなる複数の線状オーミックコンタクト層１６１及び複数の島状オーミックコンタクト層１６３、１６５が形成されている。島状オーミックコンタクト層１６３、１６５は、対をなして半導体層１５１の突出部１５４上に位置している。半導体層１５１とオーミックコンタクト層１６１、１６３、１６５の側面も傾斜しており、その傾斜角は、基板１１０に対して４０度〜８０度である。
オーミックコンタクト層１６１、１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０の上には、それぞれソース電極１７３を含む複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の保持容量（ストレージキャパシタ）用導電体１７７が形成されている。
データ線１７１は、縦方向にのびてゲート線１２１と交差し、データ電圧を伝達する。各データ線１７１からドレイン電極１７５に向けてのびた複数の分岐がソース電極１７３をなす。一対のソース電極１７３とドレイン電極１７５は、互いに分離され、ゲート電極１２４に対し互いに反対側に位置している。
データ線１７１は、縦方向にのびてゲート線１２１と交差し、データ電圧を伝達する。各データ線１７１からドレイン電極１７５に向けてのびた複数の分岐がソース電極１７３をなす。一対のソース電極１７３とドレイン電極１７５は、互いに分離され、ゲート電極１２４に対し互いに反対側に位置している。
ソース電極１７３を含むデータ線１７１及びドレイン電極１７５は、ITOのような導電性酸化物からなる導電層１７１p、１７３p、１７５p、１７７p、１７９p（以下、下部導電性酸化膜と言う）、銀（Ag）又は銀合金（Ag-alloy）からなる導電層１７１q、１７３q、１７５q、１７７q、１７９q（以下、銀（Ag）導電層と言う）、及びITOのような導電性酸化物からなる導電層１７１r、１７３r、１７５r、１７７r、１７９r（以下、上部導電性酸化膜と言う）の三重層で形成されている。
下部導電性酸化膜及び上部導電性酸化膜は、例えばITOで形成される。下部導電性酸化膜及び上部導電性酸化膜は、銀（Ag）導電層１７１q、１７３q、１７５q、１７７q、１７９qの下部及び／又は上部に形成され、半導体層１５１及び／又は画素電極１９０に銀（Ag）が拡散することを防止する。
特に、非晶質形態のITOから形成された導電性酸化膜の場合、銀（Ag）と同一エッチング条件でエッチングすることができる。
特に、非晶質形態のITOから形成された導電性酸化膜の場合、銀（Ag）と同一エッチング条件でエッチングすることができる。
銀（Ag）は一般に極めて速いエッチング速度を有しており、弱酸性の条件でエッチングをする必要がある。しかし、既存の二重層又は三重層の積層構造で下部層に一般に利用されるクロム（Cr）、モリブデン（Mo）等は、銀（Ag）に比べて極めて遅いエッチング速度を有するので、同一条件でエッチングすることができない。これに対し、非晶質ITOは、非晶質特性によって、複数のダングリングボンドを有し、反応性が高いため、銀（Ag）と同様に弱酸性の条件でエッチングを行うことができる。したがって、銀（Ag）導電層と非晶質ITO層を同一エッチング液で一括エッチングする場合、良好なプロファイルを有する配線を形成できる。
また、非晶質形態のITOは、窒素雰囲気に露出させて窒化性ITO（ITON）に形成することもできる。この場合、銀（Ag）と導電性酸化物の接触領域で銀（Ag）の酸化を防ぎ、抵抗の急激な増加を防止することができる。
三重層を一括エッチングすることによって、ITOのような下部導電性酸化膜１７１p、１７３p、１７５p、１７７p、１７９p、銀（Ag）導電層１７１q、１７３q、１７５q、１７７q、１７９q、及び上部導電性酸化膜１７１r、１７３r、１７５r、１７７r、１７９rからなるデータ線１７１、ドレイン電極１７５及び保持容量用導電体１７７が形成される。
三重層を一括エッチングすることによって、ITOのような下部導電性酸化膜１７１p、１７３p、１７５p、１７７p、１７９p、銀（Ag）導電層１７１q、１７３q、１７５q、１７７q、１７９q、及び上部導電性酸化膜１７１r、１７３r、１７５r、１７７r、１７９rからなるデータ線１７１、ドレイン電極１７５及び保持容量用導電体１７７が形成される。
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び保持容量用導電体１７７もゲート線１２１と同様に、その側面が基板１１０に対して約３０度〜８０度の傾斜角をそれぞれ有する。
ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の突出部１５４に形成される。保持容量用導電体１７７は、ゲート線１２１の拡張部１２７と重なっている。
ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の突出部１５４に形成される。保持容量用導電体１７７は、ゲート線１２１の拡張部１２７と重なっている。
島状オーミックコンタクト層１６３、１６５は、その下部の半導体層１５４とその上部のソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間に存在し、接触抵抗を低減する役割をする。線状半導体層１５１は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間を始めとして、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出した部分を有し、殆どの領域で線状半導体層１５１の幅がデータ線１７１の幅よりも小さいが、前記のように、ゲート線１２１と出会う部分で幅が大きくなり、ゲート線１２１とデータ線１７１の間の絶縁を強化する。
データ線１７１、ドレイン電極１７５、保持容量用導電体１７７及び露出した半導体層１５１の上には、平坦化特性が優れて感光性を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法で形成されるa-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質、又は無機物質である窒化ケイ素（SiNx）などからなる保護膜１８０が形成されている。また、保護膜１８０を有機物質で形成する場合には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の半導体層１５４が露出した部分で保護膜１８０の有機物質が接触することを防止するために、有機膜の下部に窒化ケイ素（SiNx）又は酸化ケイ素（SiO２）からなる絶縁膜（図示せず）をさらに形成することもできる。
保護膜１８０には、ゲート線の端部１２９、ドレイン電極１７５、保持容量用導電体１７７及びデータ線の端部１７９をそれぞれ露出する複数の接触孔１８１、１８５、１８７、１８２が形成されている。
保護膜１８０上には、ITO又はIZOからなる複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
保護膜１８０上には、ITO又はIZOからなる複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
画素電極１９０は、接触孔１８５、１８７を通じて、ドレイン電極１７５及び保持容量用導電体１７７とそれぞれ物理的・電気的に接続され、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受け、保持容量用導電体１７７にデータ電圧を伝達する。
データ電圧が印加された画素電極１９０は、共通電圧の印加を受ける別の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、液晶層の液晶分子を再配列する。
データ電圧が印加された画素電極１９０は、共通電圧の印加を受ける別の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、液晶層の液晶分子を再配列する。
なお、画素電極１９０と対向表示板に形成されている共通電極（図示せず）は、液晶容量を構成して、薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持するが、電圧維持能力を強化するために液晶容量と並列に接続された別の容量を設ける。これを保持容量という。保持容量は、画素電極１９０及びこれと隣接する前段のゲート線１２１（これを前段ゲート線と言う）の重畳などで形成され、保持容量の容量値を増やすために、ゲート線１２１を拡張した拡張部１２７を設けて重畳面積を大きくする一方、画素電極１９０と接続され拡張部１２７と重畳する保持容量用導電体１７７を保護膜１８０下に設けて、両者間の距離を短くする。
接触補助部材８１、８２は、接触孔１８１、１８２を通じてゲート線の端部１２９とデータ線の端部１７９にそれぞれ接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線の端部１２９又はデータ線の端部１７９と駆動集積回路のような外部装置の接着性を補完し、これらを保護する。
以下、図１及び図２に示される薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法について、図３Ａ〜図６Ｂ、図１及び図２を参照して詳細に説明する。
まず、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、絶縁基板１１０上にITO又はIZOのような導電性酸化物からなる導電層（以下、導電性酸化膜と言う）と、銀（Ag）を含有する導電層（以下、銀（Ag）導電層と言う）を順次に積層する。
ここで、導電性酸化膜及び銀（Ag）導電層は、コ-スパッタリング（Co-sputtering）で形成する。
まず、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、絶縁基板１１０上にITO又はIZOのような導電性酸化物からなる導電層（以下、導電性酸化膜と言う）と、銀（Ag）を含有する導電層（以下、銀（Ag）導電層と言う）を順次に積層する。
ここで、導電性酸化膜及び銀（Ag）導電層は、コ-スパッタリング（Co-sputtering）で形成する。
本実施例では、コ-スパッタリングのターゲットとして、ITO及び銀（Ag）を使用した。コ-スパッタリングは、初期に、銀（Ag）ターゲットにはパワーを印加せず、ITOターゲットにのみパワーを印加し、基板上にITOからなる導電性酸化膜を形成する。導電性酸化膜は、約３０Å〜３００Åの厚さで形成する。この場合、スパッタリングは、約１５０℃以下、好ましくは室温で実施する。温度範囲は、ITOを含有する導電性酸化物が結晶化できない温度、即ち非晶質形態に形成される範囲である。この時、好ましくは、水素気体（H２）又は水蒸気（H２０）を共に供給する。前記のような条件でITOを蒸着する場合、非晶質形態のITOが形成される。そして、スパッタリングの際に、窒素気体（N２）を共に供給して窒化性ITO（ITON）に形成することもできる。
次に、ITOターゲットに印加されるパワーをオフした後、銀（Ag）に印加されるパワーを印加して、銀（Ag）導電層を形成する。銀（Ag）導電層は、約１０００Å〜３０００Åの厚さで形成する。
次に、銀（Ag）ターゲットのパワーをオフした後、ITOターゲットに再びパワーを印加して、銀（Ag）導電層上にITOからなる導電性酸化膜を形成する。導電性酸化膜は、約３０Å〜３００Åの厚さで形成する。この場合も前記と同様に、約１５０℃以下、好ましくは、室温でスパッタリングを実施する。温度範囲は、ITOを含有する導電性酸化物が結晶化できない温度、つまり非晶質形態に形成される範囲である。この時、好ましくは、水素気体（H２）又は水蒸気（H２０）を共に供給する。前記のような条件で蒸着する場合、非晶質形態のITOが形成される。また、前記のように、窒素気体（N２）を共に供給して窒化性ITO（ITON）に形成することもできる。
次に、銀（Ag）ターゲットのパワーをオフした後、ITOターゲットに再びパワーを印加して、銀（Ag）導電層上にITOからなる導電性酸化膜を形成する。導電性酸化膜は、約３０Å〜３００Åの厚さで形成する。この場合も前記と同様に、約１５０℃以下、好ましくは、室温でスパッタリングを実施する。温度範囲は、ITOを含有する導電性酸化物が結晶化できない温度、つまり非晶質形態に形成される範囲である。この時、好ましくは、水素気体（H２）又は水蒸気（H２０）を共に供給する。前記のような条件で蒸着する場合、非晶質形態のITOが形成される。また、前記のように、窒素気体（N２）を共に供給して窒化性ITO（ITON）に形成することもできる。
前記のように、銀（Ag）導電層の下部にITOなどからなる導電性酸化膜を形成する場合、基板との接着性が向上され、配線が剥げたり剥離する現象を防止することができる。
特に、前記のように、約１５０℃以下、好ましくは室温で導電性酸化物を形成する場合、基板１１０及び第２導電層１２４q、１２７q、１２９qの間に結晶化しない導電性酸化物が介在して接着性をさらに向上させることができる。非晶質の導電性酸化物は、表面粗度が極めて大きい物質で、表面に微細な凹凸部（凹凸）を多く含む。このような凹凸部によって、下部の基板１１０と導電性酸化膜１２４p、１２７p、１２９pの間、及び導電性酸化膜１２４p、１２７p、１２９p及び上部の銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qの間に接触面積が増加し、接着性を著しく向上させる。
特に、前記のように、約１５０℃以下、好ましくは室温で導電性酸化物を形成する場合、基板１１０及び第２導電層１２４q、１２７q、１２９qの間に結晶化しない導電性酸化物が介在して接着性をさらに向上させることができる。非晶質の導電性酸化物は、表面粗度が極めて大きい物質で、表面に微細な凹凸部（凹凸）を多く含む。このような凹凸部によって、下部の基板１１０と導電性酸化膜１２４p、１２７p、１２９pの間、及び導電性酸化膜１２４p、１２７p、１２９p及び上部の銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qの間に接触面積が増加し、接着性を著しく向上させる。
また、非晶質ITOは、後続ステップであるゲート絶縁膜１４０及び半導体層１５１の形成ステップにおいて約２００℃〜４００℃の高温に露出されるが、この時、非晶質形態のITOが結晶化し、上部の銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９q及び下部の基板１１０との接着性を一層向上させることができる。
これにより、基板１１０、導電性酸化膜１２４p、１２７p、１２９p及び銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qは互いに密着し、配線が剥げたり剥離する現象を防止することができる。
これにより、基板１１０、導電性酸化膜１２４p、１２７p、１２９p及び銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qは互いに密着し、配線が剥げたり剥離する現象を防止することができる。
また、銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qの上に、ITO又はIZOのような導電性酸化膜１２４r、１２７r、１２９rをさらに形成することによって、銀（Ag）が酸化して上部のゲート絶縁膜１４０に拡散することを防止する。
また、前記のように、非晶質形態のITO形成の際に、例えば窒素気体（N２）、アンモニア（NH３）、亜酸化窒素（N２O）のような窒素供給気体に露出させて窒化性ITO（ITON）を形成することによって、銀（Ag）とITOの接触領域で銀（Ag）の酸化を防止することができる。これにより、配線の抵抗が急速に増加することを防止することができる。
また、前記のように、非晶質形態のITO形成の際に、例えば窒素気体（N２）、アンモニア（NH３）、亜酸化窒素（N２O）のような窒素供給気体に露出させて窒化性ITO（ITON）を形成することによって、銀（Ag）とITOの接触領域で銀（Ag）の酸化を防止することができる。これにより、配線の抵抗が急速に増加することを防止することができる。
次に、三重膜を同一エッチング液を利用した湿式エッチングで、一度にエッチングする。この時、エッチング液には、過酸化水素（H２O２）エッチング液、又はリン酸（H３PO４）、硝酸（HNO３）、酢酸（CH３COOH）及び脱塩水が適正な割合で混合されている統合エッチング液を利用する。
銀（Ag）は、一般に極めて速いエッチング速度を有しており、弱酸性の条件でエッチングする必要がある。しかし、既存の二重層又は三重層の積層構造で下部層に主に利用されるクロム（Cr）又はモリブデン（Mo）等は、銀（Ag）に比べて極めて遅いエッチング速度を有するので、同一条件でエッチングすることができない。これに対し、非晶質ITOは、非晶質特性によって、複数のダングリングボンドが存在し、反応性が高いため、銀（Ag）と同様に弱酸性の条件でエッチングを行うことができる。したがって、銀（Ag）導電層と非晶質ITO層を同一エッチング液で一括してエッチングする場合、良好なプロファイルを有する配線を形成することができる（図２３Ａ〜図２３Ｃ参照）。
銀（Ag）は、一般に極めて速いエッチング速度を有しており、弱酸性の条件でエッチングする必要がある。しかし、既存の二重層又は三重層の積層構造で下部層に主に利用されるクロム（Cr）又はモリブデン（Mo）等は、銀（Ag）に比べて極めて遅いエッチング速度を有するので、同一条件でエッチングすることができない。これに対し、非晶質ITOは、非晶質特性によって、複数のダングリングボンドが存在し、反応性が高いため、銀（Ag）と同様に弱酸性の条件でエッチングを行うことができる。したがって、銀（Ag）導電層と非晶質ITO層を同一エッチング液で一括してエッチングする場合、良好なプロファイルを有する配線を形成することができる（図２３Ａ〜図２３Ｃ参照）。
銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qの下部及び／又は上部に形成される導電性酸化膜は、約３０Å〜３００Åの厚さで形成される。３０Å未満の場合には、薄過ぎて下部の基板１１０と上部の銀（Ag）導電層が部分的に接触するため、基板１１０との接着性を確保されず、３００Åを超える場合には、接触抵抗の不良が生ずることがある。
これにより、図３Ａ及び図３Ｂのように、ゲート電極１２４、複数の拡張部１２７及びゲート線の端部１２９を含むゲート線１２１が形成される。
次に、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、ゲート線１２１及びゲート電極１２４を覆うように窒化ケイ素（SiNx）又は酸化ケイ素（SiO２）を蒸着して、ゲート絶縁膜１４０を形成する。ゲート絶縁膜１４０の積層温度は、約２５０℃〜５００℃、厚さは１０００Å〜３０００Å程度とする。
これにより、図３Ａ及び図３Ｂのように、ゲート電極１２４、複数の拡張部１２７及びゲート線の端部１２９を含むゲート線１２１が形成される。
次に、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、ゲート線１２１及びゲート電極１２４を覆うように窒化ケイ素（SiNx）又は酸化ケイ素（SiO２）を蒸着して、ゲート絶縁膜１４０を形成する。ゲート絶縁膜１４０の積層温度は、約２５０℃〜５００℃、厚さは１０００Å〜３０００Å程度とする。
次に、ゲート絶縁膜１４０上に真性非晶質シリコン層、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層を連続して積層し、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層と真性非晶質シリコン層をフォトエッチングして、複数の突出部１５４と複数の不純物半導体パターン１６４をそれぞれ含む線状真性半導体層１５１及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層１６１を形成する。ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層を形成するステップは、約２００℃以上の高温で実施されるため、ゲート線をなす非晶質形態のITOが結晶質ITOに変化する。これにより、導電性酸化膜と銀（Ag）導電層との接着性が一層増加する。
図２３Ｂは、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層を形成するステップの完了後の断面写真である。この断面写真から、形成されたゲート線のプロファイルをそのまま維持しながら、配線が剥げたり、剥離することなく、優れたパターンが形成されることが確認できる。
次に、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層１６１上に、スパッタリングなどの方法で、ITOなどからなる導電性酸化膜、銀（Ag）導電層及びITOなどからなる導電性酸化膜を順次に積層する。ここでも、前記と同様に、コ-スパッタリング法で行い、導電性酸化膜は、約３０Å〜３００Åの厚さで形成し、銀（Ag）導電層は、約１０００Å〜３０００Åの厚さで形成する。
次に、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層１６１上に、スパッタリングなどの方法で、ITOなどからなる導電性酸化膜、銀（Ag）導電層及びITOなどからなる導電性酸化膜を順次に積層する。ここでも、前記と同様に、コ-スパッタリング法で行い、導電性酸化膜は、約３０Å〜３００Åの厚さで形成し、銀（Ag）導電層は、約１０００Å〜３０００Åの厚さで形成する。
前記のように、銀（Ag）層の下部及び／又は上部に導電性酸化膜を形成することによって、銀（Ag）が酸化して下部の半導体層１５０及び上部の画素電極１９０に拡散することを防止することができる。
特に、ITOを積層する場合、約１５０℃以下、好ましくは、室温で実施することができる。この温度範囲は、ITOが結晶化できない温度、つまり非晶質形態に形成される範囲である。この場合、好ましくは、水素気体（H２）又は水蒸気（H２０）を共に供給してスパッタリングを行うことができる。前記のように、低温で形成された非晶質形態のITOは、複数のダングリングボンドを有し、高い反応性を示しており、弱酸性でもエッチングし易い。したがって、非晶質形態のITO及び銀（Ag）は、同一エッチング条件で一括してエッチングすることができる。
特に、ITOを積層する場合、約１５０℃以下、好ましくは、室温で実施することができる。この温度範囲は、ITOが結晶化できない温度、つまり非晶質形態に形成される範囲である。この場合、好ましくは、水素気体（H２）又は水蒸気（H２０）を共に供給してスパッタリングを行うことができる。前記のように、低温で形成された非晶質形態のITOは、複数のダングリングボンドを有し、高い反応性を示しており、弱酸性でもエッチングし易い。したがって、非晶質形態のITO及び銀（Ag）は、同一エッチング条件で一括してエッチングすることができる。
また、前記のように、非晶質形態のIT形成の際に、窒素気体又はアンモニア気体などのような窒素供給気体に露出させて窒化性ITO（ITON）を形成することもできる。この場合、銀（Ag）とITOの接触領域で銀（Ag）の酸化を防止することができ、配線の抵抗が急激に増加することを防止することができる。
銀（Ag）導電層１７３q、１７５q、１７７q、１７９qの下部及び／又は上部に形成される導電性酸化膜は、好ましくは、約３０Å〜３００Åの厚さで形成する。３０Å未満の場合には、薄過ぎて下部層との接触不良を起こしたり、３００Åを超える場合には、接触抵抗の不良が生ずることがある。
これにより、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、三重層のソース電極１７３、ドレイン電極１７５、保持容量用導電体１７７及びデータ線の端部１７９が形成される。
銀（Ag）導電層１７３q、１７５q、１７７q、１７９qの下部及び／又は上部に形成される導電性酸化膜は、好ましくは、約３０Å〜３００Åの厚さで形成する。３０Å未満の場合には、薄過ぎて下部層との接触不良を起こしたり、３００Åを超える場合には、接触抵抗の不良が生ずることがある。
これにより、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、三重層のソース電極１７３、ドレイン電極１７５、保持容量用導電体１７７及びデータ線の端部１７９が形成される。
次に、ソース電極１７３、ドレイン電極１７５及び保持容量用導電体１７７に覆われず露出した不純物半導体層１６１、１６５部分を除去することによって、複数の突出部１６３をそれぞれ含む複数の線状オーミックコンタクト層１６１及び複数の島状オーミックコンタクト層１６５を完成し、それと共に、その下の真性半導体１５４部分を露出させる。この場合、露出した真性半導体１５４部分の表面を安定化するために、酸素プラズマ処理を実施する。
次に、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、平坦化特性が優れて感光性を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法で形成されるa-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質、又は無機物質である窒化ケイ素（SiNx）などを単一層又は複数層に形成して保護膜１８０を形成する。本ステップは、約２００℃以上の高温で実施されるため、データ線１７１をなしている非晶質形態のITOが結晶質ITOに変化する。
図２３Ｃは、保護膜１８０を形成するステップの完了後の断面写真である。この写真から、前記で形成されたデータ線のプロファイルをそのまま維持しながら、配線が剥げたり剥離することなく、優れたパターンが形成されることが確認できる。
図２３Ｃは、保護膜１８０を形成するステップの完了後の断面写真である。この写真から、前記で形成されたデータ線のプロファイルをそのまま維持しながら、配線が剥げたり剥離することなく、優れたパターンが形成されることが確認できる。
次に、保護膜１８０上に感光膜を塗布した後、光マスクを通じて感光膜に光を照射した後、現像して、複数の接触孔１８１、１８５、１８７、１８２を形成する。この時、感光性を有する有機膜である場合には、フォトステップのみで接触孔を形成することができ、ゲート絶縁膜１４０及び保護膜１８０に対して、ほぼ同一エッチング条件で実施することが好ましい。
次に、保護膜１８０上にITO又はIZOなどの透明金属層１９０をスパッタリング法で積層した後、パターニングする。この時、透明金属層１９０は、約４００Å〜１５００Åの厚さで形成する。
次に、保護膜１８０上にITO又はIZOなどの透明金属層１９０をスパッタリング法で積層した後、パターニングする。この時、透明金属層１９０は、約４００Å〜１５００Åの厚さで形成する。
本実施例では、ゲート線及びデータ線の全てに対して、導電性酸化膜、銀（Ag）導電層及び導電性酸化膜からなる三重膜で形成したが、ゲート線及びデータ線のいずれか一つのみを三重膜で形成することもできる。更に、本実施例では、ゲート線及びデータ線に対して、導電性酸化膜、銀（Ag）導電層及び導電性酸化膜からなる三重膜で示されているが、導電性酸化膜は、銀（Ag）導電層の上部及び下部のいずれか一方にのみ形成されることもできる。
次に、本発明の一実施例による能動型有機発光表示装置（AM-OLED）用の薄膜トランジスタ表示板について説明する。
図７は、本発明の一実施例による有機発光表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図８Ａ及び図８Ｂはそれぞれ、図７に示す薄膜トランジスタ表示板のVIIIA-XVIIIA´線及びVIIIB-XVIIIB´線による断面図である。
図７は、本発明の一実施例による有機発光表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図８Ａ及び図８Ｂはそれぞれ、図７に示す薄膜トランジスタ表示板のVIIIA-XVIIIA´線及びVIIIB-XVIIIB´線による断面図である。
図７及び図８Ａ及び図８Ｂに示すように、絶縁基板１１０上にゲート信号を伝達する複数のゲート線１２１が形成されている。ゲート線１２１は、横方向にのびており、各ゲート線１２１の一部は突出して複数の第１ゲート電極１２４aをなす。また、ゲート線１２１と同一層で第２ゲート電極１２４bが形成されており、第２ゲート電極１２４bには、縦方向にのびた維持電極１３３が接続されている。
ゲート線１２１、第１ゲート電極１２４a及び第２ゲート電極１２４b及び保持電極１３３は、ITO又はIZOのような導電性酸化物からなる導電層１２４ap、１２４bp、１３３p（以下、下部導電性酸化膜と言う）、銀（Ag）又は銀合金（Ag-alloy）からなる導電層１２４aq、１２４bq、１３３q（以下、銀（Ag）導電層と言う）、及びITO又はIZOのような導電性酸化物からなる導電層１２４ar、１２４br、１３３r（以下、上部導電性酸化膜と言う）からなる。
ゲート線１２１、第１ゲート電極１２４a及び第２ゲート電極１２４b及び保持電極１３３は、ITO又はIZOのような導電性酸化物からなる導電層１２４ap、１２４bp、１３３p（以下、下部導電性酸化膜と言う）、銀（Ag）又は銀合金（Ag-alloy）からなる導電層１２４aq、１２４bq、１３３q（以下、銀（Ag）導電層と言う）、及びITO又はIZOのような導電性酸化物からなる導電層１２４ar、１２４br、１３３r（以下、上部導電性酸化膜と言う）からなる。
前記のように、銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bq、１３３qの下部にITOなどからなる導電性酸化膜１２４ap、１２４bp、１３３pが形成される場合、基板１１０との接着性が向上し、配線が剥げたり剥離する現象を防止することができる。
特に、下部導電性酸化膜が約１５０℃以下の温度で形成される場合、非晶質形態に形成され、基板１１０及び前記銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bp、１３３qの間で接着性を一層向上させることができる。非晶質形態の導電性酸化膜は、表面粗度が極めて大きい物質であって、表面に微細な凹凸を多く含む。このような凹凸部によって、下部の基板１１０及び上部の銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bq、１３３qとの接触面積が増加し、接着性が著しく向上する。また、非晶質導電性酸化膜は、後続ステップであるゲート絶縁膜１４０及び半導体層１５１の形成ステップで、約２００〜４００℃の高温に露出するが、この時、非晶質形態の導電性酸化膜が結晶化し、上部の第２導電層１２４aq、１２４bq、１３３q及び下部の基板１１０との接着性が一層向上される。
特に、下部導電性酸化膜が約１５０℃以下の温度で形成される場合、非晶質形態に形成され、基板１１０及び前記銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bp、１３３qの間で接着性を一層向上させることができる。非晶質形態の導電性酸化膜は、表面粗度が極めて大きい物質であって、表面に微細な凹凸を多く含む。このような凹凸部によって、下部の基板１１０及び上部の銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bq、１３３qとの接触面積が増加し、接着性が著しく向上する。また、非晶質導電性酸化膜は、後続ステップであるゲート絶縁膜１４０及び半導体層１５１の形成ステップで、約２００〜４００℃の高温に露出するが、この時、非晶質形態の導電性酸化膜が結晶化し、上部の第２導電層１２４aq、１２４bq、１３３q及び下部の基板１１０との接着性が一層向上される。
そして、ITOの代わりに窒化性ITO（ITON）に形成する場合、銀（Ag）とITOの接触領域で銀（Ag）の酸化を防止することができる。これにより、配線の抵抗が急速に増加することを防止することができる。その結果、基板１１０、ITO又はIZOのような導電性酸化物からなる下部導電性酸化膜１２４ap、１２４bp、１３３p及び銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bq、１３３qが互いに密着して、配線が剥げたり剥離する現象を防止することができる。
また、銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bq、１３３qの上部には、ITOのような導電性酸化物からなる上部導電性酸化膜１２４ar、１２４br、１３３rが形成されている。銀（Ag）は一般に酸化性が大きい物質であって、他の物質と接触して容易に拡散する傾向がある。したがって、銀（Ag）がゲート絶縁膜１４０に直接拡散することを防止するために、銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bq、１３３qの上部に、導電性酸化膜１２４ar、１２４ar、１３３rが形成されている。
また、銀（Ag）及び非晶質ITOは、同一条件でエッチングすることができるメリットがある。銀（Ag）は一般に極めて速いエッチング速度を有しており、弱酸性の条件でエッチングを行う必要がある。しかし、既存の二重層又は三重層の積層構造で下部層に一般に利用されるクロム（Cr）又はモリブデン（Mo）等は、銀（Ag）に比べて極めて遅いエッチング速度を有するので、同一条件でエッチングすることができない。これに対し、非晶質ITOは、非晶質特性によって、複数のダングリングボンドを有し、反応性が高いため、銀（Ag）と同様に弱酸性の条件でエッチングを行うことができる。したがって、銀（Ag）導電層及び非晶質ITO層を同一エッチング液で一括エッチングする場合、良好なプロファイルを有する配線を形成することができる。
図２３Ａは、非晶質ITOからなる導電性酸化膜と、銀（Ag）導電層及び非晶質ITOからなる導電性酸化膜が一括エッチングされたゲートパターンを示す断面写真である。この断面写真から、銀（Ag）導電層及び非晶質ITOからなる導電性酸化膜を一括エッチングしても、良好なプロファイルを得られることが確認できる。
下部導電性酸化膜１２４ap、１２４bp、１３３p、銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bq、１３３q及び上部導電性酸化膜１２４ar、１２４br、１３３rの側面は、約３０度〜８０度の傾斜角を有する。
下部導電性酸化膜１２４ap、１２４bp、１３３p、銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bq、１３３q及び上部導電性酸化膜１２４ar、１２４br、１３３rの側面は、約３０度〜８０度の傾斜角を有する。
ゲート線１２１上には、窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１と島状半導体１５４bが形成されている。線状半導体１５１は、縦方向にのびており、ここから複数の突出部が第１ゲート電極１２４aに向けてのびて、第１ゲート電極１２４aと重なる第１チャンネル部１５４aをなしている。また、線状半導体１５１は、ゲート線１２１と出会う地点の付近で幅が拡張されている。島状半導体１５４bは、第２ゲート電極１２４bと交差する第２チャンネル部を含み、保持電極１３３と重なる保持電極部１５７を有する。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１と島状半導体１５４bが形成されている。線状半導体１５１は、縦方向にのびており、ここから複数の突出部が第１ゲート電極１２４aに向けてのびて、第１ゲート電極１２４aと重なる第１チャンネル部１５４aをなしている。また、線状半導体１５１は、ゲート線１２１と出会う地点の付近で幅が拡張されている。島状半導体１５４bは、第２ゲート電極１２４bと交差する第２チャンネル部を含み、保持電極１３３と重なる保持電極部１５７を有する。
線状半導体１５１及び島状半導体１５４bの上には、シリサイド又はn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなる複数の線状及び島状オーミックコンタクト層１６１、１６５a、１６３b、１６５bが形成されている。線状接触層１６１は、複数の突出部１６３aを有し、この突出部１６３aと島状接触層１６５aは対をなして線状半導体１５１の突出部１５４a上に位置している。また、島状接触層１６３b、１６５bは、第２ゲート電極１２４bを中心に対向して対をなし、島状半導体１５４b上に位置する。
半導体１５１、１５４bとオーミックコンタクト層１６１、１６５a、１６３b、１６５bの側面も傾斜しており、その傾斜角は３０度〜８０度である。
半導体１５１、１５４bとオーミックコンタクト層１６１、１６５a、１６３b、１６５bの側面も傾斜しており、その傾斜角は３０度〜８０度である。
オーミックコンタクト層１６１、１６５a、１６３b、１６５b及びゲート絶縁膜１４０の上には、それぞれ複数のデータ線１７１と複数の第１ドレイン電極１７５a、複数の電源線１７２及び第２ドレイン電極１７５bが形成されている。
データ線１７１及び電源線１７２は、縦方向にのびてゲート線１２１と交差し、データ電圧及び電源電圧をそれぞれ伝達する。各データ線１７１から第１ドレイン電極１７５aに向けてのびた複数の分岐が第１ソース電極１７３aをなし、各電源線１７２から第２ドレイン電極１７５bに向けてのびた複数の分岐が第２ソース電極１７３bをなす。一対の第１及び第２ソース電極１７３a、１７３bと第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５bは、互いに分離され、それぞれ第１及び第２ゲート電極１２４a、１２４bに対して互いに反対側に位置している。
データ線１７１及び電源線１７２は、縦方向にのびてゲート線１２１と交差し、データ電圧及び電源電圧をそれぞれ伝達する。各データ線１７１から第１ドレイン電極１７５aに向けてのびた複数の分岐が第１ソース電極１７３aをなし、各電源線１７２から第２ドレイン電極１７５bに向けてのびた複数の分岐が第２ソース電極１７３bをなす。一対の第１及び第２ソース電極１７３a、１７３bと第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５bは、互いに分離され、それぞれ第１及び第２ゲート電極１２４a、１２４bに対して互いに反対側に位置している。
データ線１７１、第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b及び電源線１７２は、ITO又はIZOのような導電性酸化物からなる導電層１７１p、１７３ap、１７３bp、１７５ap、１７５bp、１７２p（以下、下部導電性酸化膜と言う）、銀（Ag）又は銀合金（Ag-alloy）からなる導電層１７１q、１７３aq、１７３bq、１７５aq、１７５bq、１７２q（以下、銀（Ag）導電層と言う）、及びITO又はIZOのような導電性酸化物からなる導電層１７１r、１７３ar、１７３br、１７５ar、１７５br、１７２r（以下、上部導電性酸化膜と言う）の三重膜で形成されている。
下部及び上部導電性酸化膜は、例えばITOで形成されることができる。下部及び上部導電性酸化膜は、銀（Ag）導電層１７１q、１７３aq、１７３bq、１７５aq、１７５bq、１７２qの下部及び／又は上部に形成され、半導体層１５１及び／又は画素電極１９０に銀（Ag）が拡散することを防止する。
特に、導電性酸化膜には非晶質形態のITOが望ましい。非晶質形態のITOは、銀（Ag）と同一条件で一括エッチングを行うことができる。銀（Ag）は一般に極めて速いエッチング速度を有しており、弱酸性の条件でエッチングをする必要がある。しかし、既存の二重層又は三重層の積層構造で下部層に一般に利用されるクロム（Cr）、モリブデン（Mo）等は、銀（Ag）に比べて極めて遅いエッチング速度を有するので、同一条件でエッチングすることができない。これに対し、非晶質ITOは、非晶質特性によって、複数のダングリングボンドを有し、反応性が高いため、銀（Ag）と同様に弱酸性の条件でエッチングを行うことができる。したがって、銀（Ag）導電層と非晶質ITO層を同一エッチング液で一括エッチングする場合、良好なプロファイルを有する配線を形成することができる。
また、ITOの代わりに、窒化性ITO（ITON）に形成する場合、銀（Ag）とITOの接触領域で銀（Ag）の酸化を防止することができる。これにより、配線の抵抗が急激に増加することを防止することができる。
また、ITOの代わりに、窒化性ITO（ITON）に形成する場合、銀（Ag）とITOの接触領域で銀（Ag）の酸化を防止することができる。これにより、配線の抵抗が急激に増加することを防止することができる。
データ線１７１、第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b及び電源線１７２もその側面が基板１１０に対し約３０度〜８０度の傾斜角を有する。
第１ゲート電極１２４a、第１ソース電極１７３a及び第１ドレイン電極１７５aは、線状半導体１５１の突出部１５４aと共にスイッチング用薄膜トランジスタをなし、第２ゲート電極１２４b、第２ソース電極１７３b及び第２ドレイン電極１７５bは、島状半導体１５４bと共に駆動用薄膜トランジスタを構成する。この時、電源線１７２は、島状半導体１５４bの保持電極部１５７と重畳している。
第１ゲート電極１２４a、第１ソース電極１７３a及び第１ドレイン電極１７５aは、線状半導体１５１の突出部１５４aと共にスイッチング用薄膜トランジスタをなし、第２ゲート電極１２４b、第２ソース電極１７３b及び第２ドレイン電極１７５bは、島状半導体１５４bと共に駆動用薄膜トランジスタを構成する。この時、電源線１７２は、島状半導体１５４bの保持電極部１５７と重畳している。
オーミックコンタクト層１６１、１６３b、１６５a、１６５bは、その下部の線状半導体１５１及び島状半導体１５４bと、その上部のデータ線１７１、第１ドレイン電極１７５a、１７５b、電源線１７２との間に存在し、接触抵抗を低減する役割をする。線状半導体１５１は、第１ソース電極１７３aと第１ドレイン電極１７５aとの間、データ線１７１及び第１ドレイン電極１７５aで覆われず露出した部分を有し、殆どの領域で線状半導体１５１の幅がデータ線１７１の幅よりも小さいが、前記したように、ゲート線１２１と出会う部分で幅が大きくなり、ゲート線１２１による段差部分でデータ線１７１が断線することを防止する。
データ線１７１、第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b及び電源線１７２と露出した半導体１５１、１５４b部分の上には、平坦化特性が優れて感光性を有する有機物質又はプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法で形成されるa-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質などからなる保護膜１８０が形成されている。
保護膜１８０を有機物質で形成する場合、線状半導体１５１及び島状導体１５４bが露出した部分に有機物質が直接接触することを防止するために、有機膜の下部に窒化ケイ素（SiNx）又は酸化ケイ素（SiO２）からなる無機絶縁膜をさらに形成することができる。
保護膜１８０を有機物質で形成する場合、線状半導体１５１及び島状導体１５４bが露出した部分に有機物質が直接接触することを防止するために、有機膜の下部に窒化ケイ素（SiNx）又は酸化ケイ素（SiO２）からなる無機絶縁膜をさらに形成することができる。
保護膜１８０には、第１ドレイン電極１７５a、第２ドレイン電極１７５b、第２ゲート電極１２４b、ゲート線の端部１２９及びデータ線の端部分１７９をそれぞれ露出する複数の接触孔１８５、１８３、１８１、１８２が形成されている。
ここで、保護膜１８０に形成されているゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９をそれぞれ露出させる接触孔１８１、１８２は、外部の駆動回路出力端とゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９を接続するためのものである。この時、駆動回路出力端とゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９の間には、異方性導電フィルムが配設され、物理的接着及び電気的接続を図る。基板１１０上に駆動回路を直接形成する場合には、ゲート線１２１及びデータ線１７１が駆動回路の出力端と接続された状態で形成されるため、接触孔は不要である。場合によっては、ゲート駆動回路は、基板１１０に直接形成し、データ駆動回路は別のチップ状に配設することもできる。この場合には、データ線の端部１７９を露出する接触孔１８２のみを形成する。
ここで、保護膜１８０に形成されているゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９をそれぞれ露出させる接触孔１８１、１８２は、外部の駆動回路出力端とゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９を接続するためのものである。この時、駆動回路出力端とゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９の間には、異方性導電フィルムが配設され、物理的接着及び電気的接続を図る。基板１１０上に駆動回路を直接形成する場合には、ゲート線１２１及びデータ線１７１が駆動回路の出力端と接続された状態で形成されるため、接触孔は不要である。場合によっては、ゲート駆動回路は、基板１１０に直接形成し、データ駆動回路は別のチップ状に配設することもできる。この場合には、データ線の端部１７９を露出する接触孔１８２のみを形成する。
保護膜１８０上には、複数の画素電極１９０、複数の接続部材１９２及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
画素電極１９０は、接触孔１８５を通じて第２ドレイン電極１７５bとそれぞれ物理的、電気的に接続されており、接続部材１９２は、接触孔１８１、１８３を通じて、第１ドレイン電極１７５aと第２ゲート電極１２４bを接続する。接触補助部材８１、８２は、接触孔１８１、１８２を通じてゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９にそれぞれ接続されている。
画素電極１９０、接続部材１９２及び接触補助部材８１、８２は、ITO又はIZOからなる。
画素電極１９０は、接触孔１８５を通じて第２ドレイン電極１７５bとそれぞれ物理的、電気的に接続されており、接続部材１９２は、接触孔１８１、１８３を通じて、第１ドレイン電極１７５aと第２ゲート電極１２４bを接続する。接触補助部材８１、８２は、接触孔１８１、１８２を通じてゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９にそれぞれ接続されている。
画素電極１９０、接続部材１９２及び接触補助部材８１、８２は、ITO又はIZOからなる。
保護膜１８０上には、有機絶縁物質又は無機絶縁物質からなり、有機発光セルを分離させるための隔壁８０３が形成されている。隔壁８０３は、画素電極１９０の周縁を囲って有機発光層７０が充填される領域を画定する。
隔壁８０３で囲まれた画素電極１９０上の領域には、有機発光層７０が形成されている。有機発光層７０は、赤色（R）、緑色（G）、青色（B）ののいずれか一つを発光する有機物質からなり、赤色（R）、緑色（G）及び青色（B）の有機発光層７０が順に反復的に配置されている。
隔壁８０３で囲まれた画素電極１９０上の領域には、有機発光層７０が形成されている。有機発光層７０は、赤色（R）、緑色（G）、青色（B）ののいずれか一つを発光する有機物質からなり、赤色（R）、緑色（G）及び青色（B）の有機発光層７０が順に反復的に配置されている。
隔壁８０３上には、隔壁８０３と同一模様のパターンで形成され、低い抵抗特性を有する導電物質からなる補助電極２７２が形成されている。補助電極２７２は、後に形成される共通電極２７０と接触して、共通電極２７０の抵抗を低減する役割をする。
隔壁８０３、有機発光層７０及び補助電極２７２の上には、共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、アルミニウムなどの低い抵抗特性を有する金属からなる。ここでは、背面発光型の有機発光表示装置を例示しているが、前面発光型の有機発光表示装置又は両面発光型の有機発光表示装置の場合には、共通電極２７０をITO又はIZOなどの透明な導電物質で形成する。
隔壁８０３、有機発光層７０及び補助電極２７２の上には、共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、アルミニウムなどの低い抵抗特性を有する金属からなる。ここでは、背面発光型の有機発光表示装置を例示しているが、前面発光型の有機発光表示装置又は両面発光型の有機発光表示装置の場合には、共通電極２７０をITO又はIZOなどの透明な導電物質で形成する。
以下、図７〜図８Ｂに示される有機発光表示装置用の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について、図９Ａ〜図２２Ｂ及び図７〜図８Ｂを参照して詳細に説明する。
図９、図１１、図１３、図１５、図１７、図１９及び図２１は、図７〜図８Ｂに示す薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図であり、図１０Ａ及び図１０Ｂは、図９に示す薄膜トランジスタ表示板のXA-XA´線及びXB-XB´線による断面図であり、図１２Ａ及び図１２Ｂは、図１１に示す薄膜トランジスタ表示板のXIIA-XIIA´線及びXIIB-XIIB´線による断面図であり、図１４Ａ及び図１４Ｂは、図１３に示す薄膜トランジスタ表示板のXIVA-XIVA´線及びXIVB-XIVB´線による断面図であり、図１６Ａ及び図１６Ｂは、図１５に示す薄膜トランジスタ表示板のXVIA-XVIA´線及びXVIB-XVIB´線による断面図であり、図１８Ａ及び図１８Ｂは、図１７に示す薄膜トランジスタ表示板のXVIIIA-XVIIIA´線及びXVIIIB-XVIIIB´線による断面図であり、図２０Ａ及び図２０Ｂは、図１９に示す薄膜トランジスタ表示板のXXA-XXA´線及びXXB-XXB´線による断面図であり、図２２Ａ及び図２２Ｂは、図２１に示す薄膜トランジスタ表示板をXXIIA-XXIIA´線及びXXIIB-XXIIB´線による断面図である。
図９、図１１、図１３、図１５、図１７、図１９及び図２１は、図７〜図８Ｂに示す薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図であり、図１０Ａ及び図１０Ｂは、図９に示す薄膜トランジスタ表示板のXA-XA´線及びXB-XB´線による断面図であり、図１２Ａ及び図１２Ｂは、図１１に示す薄膜トランジスタ表示板のXIIA-XIIA´線及びXIIB-XIIB´線による断面図であり、図１４Ａ及び図１４Ｂは、図１３に示す薄膜トランジスタ表示板のXIVA-XIVA´線及びXIVB-XIVB´線による断面図であり、図１６Ａ及び図１６Ｂは、図１５に示す薄膜トランジスタ表示板のXVIA-XVIA´線及びXVIB-XVIB´線による断面図であり、図１８Ａ及び図１８Ｂは、図１７に示す薄膜トランジスタ表示板のXVIIIA-XVIIIA´線及びXVIIIB-XVIIIB´線による断面図であり、図２０Ａ及び図２０Ｂは、図１９に示す薄膜トランジスタ表示板のXXA-XXA´線及びXXB-XXB´線による断面図であり、図２２Ａ及び図２２Ｂは、図２１に示す薄膜トランジスタ表示板をXXIIA-XXIIA´線及びXXIIB-XXIIB´線による断面図である。
まず、図９〜図１０Ｂに示すように、透明ガラスなどからなる絶縁基板１１０上にゲート用導電層を積層する。導電層は、コ-スパッタリングで形成するが、本実施例ではコ-スパッタリングのターゲットにITO及び銀（Ag）を使用する。
コ-スパッタリングは、初期に銀（Ag）ターゲットにはパワーを印加せず、ITOターゲットにのみパワーを印加して、基板上にITOからなる導電性酸化膜を形成する。導電性酸化膜は、約３０Å〜３００Åの厚さで形成する。この場合、スパッタリングは、約１５０℃以下、好ましくは室温で実施する。この時、好ましくは、水素気体（H２）又は水蒸気（H２０）を共に供給する。前記のような条件でITOを蒸着する場合、非晶質形態のITOが形成される。
コ-スパッタリングは、初期に銀（Ag）ターゲットにはパワーを印加せず、ITOターゲットにのみパワーを印加して、基板上にITOからなる導電性酸化膜を形成する。導電性酸化膜は、約３０Å〜３００Åの厚さで形成する。この場合、スパッタリングは、約１５０℃以下、好ましくは室温で実施する。この時、好ましくは、水素気体（H２）又は水蒸気（H２０）を共に供給する。前記のような条件でITOを蒸着する場合、非晶質形態のITOが形成される。
又は、ITO形成の際に、窒素気体（N２）のような窒素供給気体に露出させて窒化性ITO（ITON）を形成することもできる。この場合、銀（Ag）と導電性酸化物の接触領域で銀（Ag）の酸化を防止することができ、抵抗の急激な増加を防止することができる。
次に、ITOターゲットに印加されるパワーをオフした後、銀（Ag）に印加されるパワーを印加して銀（Ag）導電層を形成する。この場合、銀（Ag）導電層は、約１０００Å〜３０００Åの厚さで形成される。
次に、銀（Ag）ターゲットのパワーをオフした後、ITOターゲットに再びパワーを印加して、銀（Ag）導電層上にITOからなる導電性酸化膜を形成する。導電性酸化膜は、約３０Å〜３００Åの厚さで形成される。この場合も前記と同様に、約１５０℃以下、好ましくは室温でスパッタリングを実施する。この時、好ましくは、水素気体（H２）又は水蒸気（H２０）を共に供給する。前記のような条件でITOを蒸着する場合、非晶質形態のITOが形成される。
又は、前記と同様に、ITO形成の際に、窒素気体（N２）に露出させて窒化性ITO（ITON）を形成することもできる。この場合、銀（Ag）と導電性酸化膜の接触領域で銀（Ag）の酸化を防止することができ、抵抗の急激な増加を防止することができる。
又は、前記と同様に、ITO形成の際に、窒素気体（N２）に露出させて窒化性ITO（ITON）を形成することもできる。この場合、銀（Ag）と導電性酸化膜の接触領域で銀（Ag）の酸化を防止することができ、抵抗の急激な増加を防止することができる。
次に、三重膜を同一エッチング液を利用した湿式エッチング法で一度にエッチングする。この場合、エッチング液には、過酸化水素（H２O２）エッチング液、又はリン酸（H２PO３）、硝酸（HNO３）及び酢酸（CH３COOH）が適正割合で混合されている統合エッチング液を利用する。
前記のように、銀（Ag）導電層の下部にITOなどからなる導電性酸化膜を形成する場合、基板１１０との接着性が向上され、配線が剥げたり剥離する現象を防止することができる。
前記のように、銀（Ag）導電層の下部にITOなどからなる導電性酸化膜を形成する場合、基板１１０との接着性が向上され、配線が剥げたり剥離する現象を防止することができる。
特に、約１５０℃以下、好ましくは室温で形成する場合、非晶質形態のITOが形成され、基板１１０及び銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bq、１３３qの間の接着性をさらに向上させることができる。非晶質ITOは、表面粗度が極めて大きい物質であって、表面に微細な凹凸部を多く含む。このような凹凸部によって、下部の基板１１０と導電性酸化膜１２４ap、１２４bp、１３３pの間、及び導電性酸化膜１２４ap、１２４bp、１３３p及び上部の銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bq、１３３qの間に接触面積が増加し、このため接着性が著しく向上する。また、非晶質ITOは、後続ステップであるゲート絶縁膜１４０及び半導体層１５１の形成ステップで約２００℃〜４００℃の高温に露出するが、この時、非晶質形態のITOが結晶化し、上部の銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bq、１３３q及び下部の基板１１０との接着性が一層向上される。
これにより、基板１１０、ITOなどからなる導電性酸化膜１２４ap、１２４bp、１３３p及び銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bqq、１３３qは、互いに密着し、配線が剥げたり剥離する現象を防止することができる。
また、銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bqq、１３３qの上に、導電性酸化膜１２４ar、１２４br、１２９rを形成することによって、銀（Ag）が酸化して上部のゲート絶縁膜１４０に拡散することを防止する。
また、銀（Ag）導電層１２４aq、１２４bqq、１３３qの上に、導電性酸化膜１２４ar、１２４br、１２９rを形成することによって、銀（Ag）が酸化して上部のゲート絶縁膜１４０に拡散することを防止する。
なお、銀（Ag）及び非晶質ITOは、同一条件でエッチングすることができるメリットがある。銀（Ag）は一般に極めて速いエッチング速度を有しており、弱酸性の条件でエッチングを行う必要がある。ところが、既存の二重層又は三重層の積層構造で下部層に主に利用されるクロム（Cr）又はモリブデン（Mo）等は、銀（Ag）に比べて極めて遅いエッチング速度を有するので、同一条件でエッチングできない。これに対し、非晶質ITOは、非晶質特性によって、複数のダングリングボンドを有し、反応性が高いため、銀（Ag）と同様に弱酸性の条件でエッチングを行うことができる。したがって、銀（Ag）導電層と非晶質ITO層を同一エッチング液で一括エッチングする場合、良好なプロファイルを有する配線を形成することができる（図２３Ａ〜図２３Ｃ参照）。
このように、三重膜を同一エッチング液で一度にエッチングして、複数のゲート電極１２４a、１２４bを含むゲート線１２１と、第２ゲート電極１２４b及び保持電極１３３を形成する。この場合、エッチング液には、過酸化水素（H２O２）エッチング液、又はリン酸（H２PO３）、硝酸（HNO３）及び酢酸（CH３COOH）が適正割合で混合されている統合エッチング液を利用する。
銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qの下部及び／又は上部に形成される導電性酸化膜は、好ましくは約３０Å〜３００Åの厚さで形成される。３０Å未満で形成される場合には、薄過ぎて下部の基板１１０と上部の銀（Ag）導電層が部分的に接触して基板１１０との接着性を確保できず、３００Åを超える場合には、接触抵抗の不良が生ずることがある。
これにより、ゲート電極１２４a、１２４bを含むゲート線１２１は、銀（Ag）導電層の上部及び下部に非晶質ITOが形成されている三重膜形態で形成される。
銀（Ag）導電層１２４q、１２７q、１２９qの下部及び／又は上部に形成される導電性酸化膜は、好ましくは約３０Å〜３００Åの厚さで形成される。３０Å未満で形成される場合には、薄過ぎて下部の基板１１０と上部の銀（Ag）導電層が部分的に接触して基板１１０との接着性を確保できず、３００Åを超える場合には、接触抵抗の不良が生ずることがある。
これにより、ゲート電極１２４a、１２４bを含むゲート線１２１は、銀（Ag）導電層の上部及び下部に非晶質ITOが形成されている三重膜形態で形成される。
次に、図１１〜図１２Ｂに示すように、窒化ケイ素（SiNx）からなるゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層の３層膜を連続して積層し、不純物非晶質シリコン層及び真性非晶質シリコン層をフォトエッチングして、複数の線状不純物半導体１６４と複数の突出部１５４aをそれぞれ含む線状半導体１５１及び島状半導体１５４bを形成する。このステップは、約２００℃以上の高温で実施されるため、ゲート線１２１をなす非晶質形態のITOが結晶化する。これで、接着性が一層向上される。
図２３Ｂは、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層を形成するステップの完了後の断面写真である。この写真から、形成されたゲートパターンのプロファイルをそのまま維持しながら、配線が剥げたり剥離することなく、優れたパターンが形成されたことを確認できる。
次に、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層１６１上に、スパッタリングなどの方法で、ITOなどからなる導電性酸化膜、銀（Ag）導電層及びITOなどからなる導電性酸化膜を順次に積層する。この場合、導電性酸化膜は、約３０Å〜３００Å、銀（Ag）導電層は、約１０００Å〜３０００Åの厚さで形成される。
前記したように、銀（Ag）層の下部及び／又は上部に導電性酸化膜を形成することによって、銀（Ag）が酸化して下部の半導体層１５０及び上部の画素電極１９０に拡散することを防止することができる。
前記したように、銀（Ag）層の下部及び／又は上部に導電性酸化膜を形成することによって、銀（Ag）が酸化して下部の半導体層１５０及び上部の画素電極１９０に拡散することを防止することができる。
特に、ITOを積層する場合、約１５０℃以下、好ましくは室温で形成し、好ましくは水素気体（H２）又は水蒸気（H２０）を共に供給する。この場合、非晶質形態のITOが形成される。前記温度範囲で形成されたITOは、複数のダングリングボンドを有し、高い反応性を示すため、弱酸性でも容易にエッチングを行うことができる。このため、高い酸化性を有する銀（Ag）と非晶質形態のITOを弱酸性の同一エッチング液を利用して一括エッチングすることができる。
又は、ITO形成の際に、窒素気体（N２）のような窒素供給気体に露出させて窒化性ITO（ITON）を形成することもできる。この場合、銀（Ag）と導電性酸化物の接触領域で銀（Ag）の酸化を防ぎ、抵抗の急激な増加を防止することができる。
又は、ITO形成の際に、窒素気体（N２）のような窒素供給気体に露出させて窒化性ITO（ITON）を形成することもできる。この場合、銀（Ag）と導電性酸化物の接触領域で銀（Ag）の酸化を防ぎ、抵抗の急激な増加を防止することができる。
銀（Ag）導電層１７１q、１７３aq、１７３bq、１７５aq、１７５bq、１７２qの下部及び／又は上部に形成される導電性酸化膜は、約３０Å〜３００Åの厚さで形成される。３０Å未満で形成される場合には、薄過ぎて下部膜と上部の銀（Ag）導電層が部分的に接触し、下部膜との接着性が確保できず、３００Åを超える場合には、接触抵抗の不良が生ずることがある。
これにより、図１３及び図１４Ｂに示すように、三重層の複数の第１ソース電極１７３aを有する複数のデータ線１７１、複数の第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b及び複数の第２ソース電極１７３bを有する電源線１７２が形成される。
これにより、図１３及び図１４Ｂに示すように、三重層の複数の第１ソース電極１７３aを有する複数のデータ線１７１、複数の第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b及び複数の第２ソース電極１７３bを有する電源線１７２が形成される。
次に、データ線１７１、電源線１７２及び第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５bの上の感光膜を除去するか、或いはそのままにした状態で、露出した不純物半導体１６４部分を除去することにより、複数の突出部１６３aをそれぞれ含む複数の線状オーミックコンタクト部材１６１と、複数の島状オーミックコンタクト層１６５a、１６５b、１６３bを完成する。それと共に、その下の線状真性半導体１５１及び島状真性半導体１５４bの一部分を露出させる。
次に、真性半導体１５１、１５４bの露出した表面を安定化するために、酸素プラズマ処理を連続的に実施する。
次に、図１５〜図１６Ｂのように、有機絶縁物質又は無機絶縁物質を塗布して保護膜１８０を形成する。このステップは、約２００℃以上の高温で実施されるため、データ線１７１、電源線１７２及び第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５bをなしている非晶質形態のITOが結晶化する。
次に、図１５〜図１６Ｂのように、有機絶縁物質又は無機絶縁物質を塗布して保護膜１８０を形成する。このステップは、約２００℃以上の高温で実施されるため、データ線１７１、電源線１７２及び第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５bをなしている非晶質形態のITOが結晶化する。
図２３Ｃは、保護膜１８０を形成するステップ後の断面写真である。この写真から、前記で形成されたデータ線のプロファイルをそのまま維持しながら、配線が剥げたり剥離することなく、優れたパターンが形成されることが確認できる。
次に、保護膜１８０をフォトエッチングして複数の接触孔１８５、１８３、１８１、１８２を形成する。接触孔１８１、１８５、１８３、１８２は、第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b、第２ゲート電極１２４bの一部、ゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９を露出させる。
次に、保護膜１８０をフォトエッチングして複数の接触孔１８５、１８３、１８１、１８２を形成する。接触孔１８１、１８５、１８３、１８２は、第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b、第２ゲート電極１２４bの一部、ゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９を露出させる。
次に、図１７〜図１８Ｂに示すように、画素電極１９０、接続部材１９２及び接触補助部材８１、８２を、ITO又はIZOで形成する。
次に、図１９〜２０Ｂに示すように、一つのマスクを用いるフォトエッチング工程で隔壁８０３及び補助電極２７２を形成し、図２１〜図２２Ｂに示すように、有機発光層７０及び共通電極２７０を形成する。
次に、図１９〜２０Ｂに示すように、一つのマスクを用いるフォトエッチング工程で隔壁８０３及び補助電極２７２を形成し、図２１〜図２２Ｂに示すように、有機発光層７０及び共通電極２７０を形成する。
本実施例では、ゲート線及びデータ線の全てに対して三重膜で形成することが図示されているが、ゲート線及びデータ線のいずれか一方のみ三重膜で形成することもできる。また、本実施例では、前記ゲート線及びデータ線に対して、導電性酸化膜、銀（Ag）導電層及び導電性酸化膜からなる三重膜で示したが、銀（Ag）導電層の上部及び下部のいずれか一方にのみ形成されることもできる。
前記したように、銀（Ag）導電層の上部及び／又は下部に非晶質形態から形成された導電性酸化膜を形成することによって、下部及び／又は上部層との接着性が著しく向上され、大面積表示装置において低抵抗の配線として適用できるほか、同一エッチング条件で一括エッチングすることができるので、追加ステップなく良好なプロファイルを有する配線を得ることができる。
以上、本発明の好ましい実施例に対して詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属するものである。
１１０ 絶縁基板 １２１ ゲート線 １２４ ゲート電極
１３１ 保持電極線 １４０ ゲート絶縁膜
１５０ 真性非晶質シリコン層 １６０ 不純物非晶質シリコン層
１７１ データ線 １７３ ソース電極 １７５ ドレイン電極
１７７ 保持容量用導電体 １８０ 保護膜
１８１、１８２、１８５、１８７ 接触孔 １９０ 画素電極
８１、８２ 接触補助部材
１３１ 保持電極線 １４０ ゲート絶縁膜
１５０ 真性非晶質シリコン層 １６０ 不純物非晶質シリコン層
１７１ データ線 １７３ ソース電極 １７５ ドレイン電極
１７７ 保持容量用導電体 １８０ 保護膜
１８１、１８２、１８５、１８７ 接触孔 １９０ 画素電極
８１、８２ 接触補助部材
Claims (26)
- １５０℃以下の温度で形成された導電性酸化物を含有する第１導電層、及び前記第１導電層に隣接するように形成された銀（Ag）を含有する第２導電層を有することを特徴とする表示装置用配線。
- 前記導電性酸化物は、室温で形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用配線。
- 前記第１導電層は、インジウム酸化物を含有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置用配線。
- 前記インジウム酸化物は、ITO又はIZOであることを特徴とする請求項３に記載の表示装置用配線。
- 前記導電性酸化物は、非晶質形態から形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用配線。
- 前記導電性酸化物は、第２導電層が形成された後に結晶化されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用配線。
- 窒化性を有する導電性酸化物を含有する第１導電層及び前記第１導電層に隣接するように形成された銀（Ag）を含有する第２導電層を有することを特徴とする表示装置用配線。
- 基板、
前記基板上に形成されているゲート線、
前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜上に形成されているソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と対向しているドレイン電極、及び
前記ドレイン電極と接続されている画素電極
を有し、
前記ゲート線と前記データ線及びドレイン電極の少なくとも一方とは、１５０℃以下の温度で形成された導電性酸化物を含有する第１導電層及び前記第１導電層に隣接するように形成された銀（Ag）を含有する第２導電層を有する
ことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。 - 前記導電性酸化物は、室温で形成されることを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記第１導電層は、インジウム酸化物を含有することを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記インジウム酸化物は、ITO又はIZOであることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ITOは、窒化性ITOであることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記導電性酸化物は、非晶質形態から形成されることを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記第１導電層は、前記第２導電層の下部又は上部の少なくとも一方に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記第２導電層は、前記第１導電層よりも厚いことを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記導電性酸化膜は、３０Å〜３００Åの厚さで形成されていることを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記銀（Ag）を含有する第２導電層は、１０００Å〜３０００Åの厚さで形成されていることを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 基板上にゲート線を形成するステップ、
前記ゲート線上に、ゲート絶縁膜及び半導体層を順次に形成するステップ、
前記ゲート絶縁膜及び半導体層上に、ソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と所定間隔を置いて対向しているドレイン電極を形成するステップ、及び
前記ドレイン電極と接続される画素電極を形成するステップ
を有し、
前記ゲート線を形成するステップと前記データ線及びドレイン電極を形成するステップの少なくとも一方とは、１５０℃以下の温度で導電性酸化膜を形成するステップ及び前記導電性酸化膜の形成前又は形成後に連続的に銀（Ag）を含有する導電層を形成するステップを含む
ことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記導電性酸化膜は、インジウム酸化物で形成されることを特徴とする請求項１８に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記インジウム酸化物は、ITO又はIZOであることを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記導電性酸化膜を形成するステップは、室温で行われることを特徴とする請求項１８に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記導電性酸化膜を形成するステップは、前記導電性酸化膜を水素気体（H２）及び水蒸気（H２０）の少なくとも一方に露出させるステップを含むことを特徴とする請求項１８に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記導電性酸化膜を形成するステップは、前記導電性酸化膜を窒素供給気体に露出させるステップを含むことを特徴とする請求項１８に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記導電性酸化膜は、３０Å〜３００Åの厚さで形成されることを特徴とする請求項１８に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記銀（Ag）を含有する導電層は、１０００Å〜３０００Åの厚さで形成されることを特徴とする請求項１８に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記ゲート線を形成するステップと前記データ線及びドレイン電極を形成するステップは、１度のエッチングで前記導電性酸化膜及び銀（Ag）を含有する導電層を同時にエッチングすることを特徴とする請求項１８に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2004-0102374 | 2004-12-07 | ||
| KR1020040102374A KR101282397B1 (ko) | 2004-12-07 | 2004-12-07 | 표시 장치용 배선, 상기 배선을 포함하는 박막 트랜지스터표시판 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006163367A true JP2006163367A (ja) | 2006-06-22 |
| JP4977352B2 JP4977352B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=36573176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005302481A Active JP4977352B2 (ja) | 2004-12-07 | 2005-10-18 | 表示装置用配線、該配線を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7821009B2 (ja) |
| JP (1) | JP4977352B2 (ja) |
| KR (1) | KR101282397B1 (ja) |
| CN (1) | CN1808710B (ja) |
| TW (1) | TWI394279B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332674A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置用配線、これを含む薄膜トランジスタ表示板、及びその製造方法 |
| JP2008090309A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
| JP2008205013A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 強誘電体メモリセルおよび強誘電体メモリセルの製造方法 |
| JP2018018102A (ja) * | 2010-02-26 | 2018-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2018195836A (ja) * | 2009-03-05 | 2018-12-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2021064799A (ja) * | 2009-08-07 | 2021-04-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101219038B1 (ko) * | 2004-10-26 | 2013-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| CN100399559C (zh) * | 2006-02-16 | 2008-07-02 | 上海交通大学 | 微电极防短路隔离胶结构 |
| WO2008018490A1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Ulvac, Inc. | Method for forming conductive film, thin film transistor, panel with thin film transistor, and method for manufacturing thin film transistor |
| JP2008192477A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器 |
| KR100882907B1 (ko) | 2007-06-21 | 2009-02-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| KR100867926B1 (ko) | 2007-06-21 | 2008-11-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법 |
| JP4540697B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2010-09-08 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
| WO2009069020A1 (en) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | Nxp B.V. | Contact structure for an electronic circuit substrate and electronic circuit comprising said contact structure |
| JP4156021B1 (ja) * | 2008-01-29 | 2008-09-24 | Ｆｃｍ株式会社 | 電極基板 |
| KR100927585B1 (ko) * | 2008-03-05 | 2009-11-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP5451280B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
| KR101065317B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US8709265B2 (en) * | 2009-11-26 | 2014-04-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing touch panel and method for manufacturing display device provided with touch panel |
| KR101692409B1 (ko) * | 2010-03-29 | 2017-01-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20120015674A (ko) * | 2010-08-12 | 2012-02-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터 기판과 이의 제조 방법 |
| JP5752504B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-07-22 | 株式会社トクヤマ | 配線基板のめっき方法、めっき配線基板の製造方法、及び銀エッチング液 |
| JP5827088B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2015-12-02 | セイコーインスツル株式会社 | 電子部品の端子接続構造、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計 |
| KR102000642B1 (ko) * | 2012-12-12 | 2019-07-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 고 휘도 유기발광 다이오드 표시장치 |
| KR102192592B1 (ko) * | 2013-07-22 | 2020-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN103454798B (zh) * | 2013-08-30 | 2017-01-25 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN103996657B (zh) * | 2014-05-13 | 2016-06-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管基板及其制作方法和液晶显示器 |
| CN104217994B (zh) * | 2014-08-29 | 2017-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| KR102540372B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2023-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102545253B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2023-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102515033B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2023-03-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN105161523B (zh) | 2015-08-13 | 2018-09-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电极、薄膜晶体管、阵列基板及显示设备 |
| US10361385B2 (en) | 2016-02-12 | 2019-07-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| KR102505879B1 (ko) | 2016-03-24 | 2023-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN106941111A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-07-11 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制造方法以及显示装置 |
| KR102441681B1 (ko) * | 2017-12-05 | 2022-09-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 조명 장치용 oled 패널 및 그 제조 방법 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05158071A (ja) * | 1991-12-09 | 1993-06-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法 |
| JPH06139844A (ja) * | 1992-10-23 | 1994-05-20 | Sharp Corp | Ｉｔｏ導電膜およびその製造方法 |
| JPH0959787A (ja) * | 1995-08-21 | 1997-03-04 | Toppan Printing Co Ltd | 多層導電膜のエッチング方法 |
| JPH09304787A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極基板 |
| JPH1091084A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜のパターニング方法と透明電極付き基体 |
| JP2000008184A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 多層導電膜のエッチング方法 |
| JP2001077366A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-23 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜トランジスタ、液晶表示装置、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2001312222A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法並びに該基板を用いた表示装置および撮像装置 |
| JP2001339072A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-12-07 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置 |
| JP2002038262A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | 透明導電性膜の形成方法、アレイ基板および液晶表示装置 |
| JP2002237596A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2005514671A (ja) * | 2002-01-08 | 2005-05-19 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3225772B2 (ja) * | 1995-01-30 | 2001-11-05 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH08248442A (ja) | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JP2001194676A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP3701832B2 (ja) * | 2000-02-04 | 2005-10-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 薄膜トランジスタ、液晶表示パネル、および薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR100778835B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2007-11-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
| JP2002250936A (ja) | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR100750922B1 (ko) | 2001-04-13 | 2007-08-22 | 삼성전자주식회사 | 배선 및 그 제조 방법과 그 배선을 포함하는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| JP4620298B2 (ja) | 2001-07-23 | 2011-01-26 | パイオニア株式会社 | 銀若しくは銀合金配線及びその形成方法並びに表示パネル基板 |
| KR100777706B1 (ko) | 2001-09-17 | 2007-11-21 | 삼성전자주식회사 | 배선 및 그 제조 방법과 그 배선을 포함하는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100980008B1 (ko) * | 2002-01-02 | 2010-09-03 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조, 이를 이용하는 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 |
| TWI242053B (en) * | 2002-03-01 | 2005-10-21 | Ind Tech Res Inst | Low temperature method for producing ultra-planar indium tin oxide (ITO) |
| KR100859512B1 (ko) | 2002-04-25 | 2008-09-22 | 삼성전자주식회사 | 배선 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는 박막 트랜지스터어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
| CN1662946A (zh) * | 2002-04-26 | 2005-08-31 | 东芝松下显示技术有限公司 | El显示设备的驱动方法 |
| JP2003323131A (ja) | 2002-05-08 | 2003-11-14 | Sharp Corp | 表示用電極基板および表示装置 |
| KR100859524B1 (ko) * | 2002-07-11 | 2008-09-22 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
| JP3896933B2 (ja) | 2002-09-18 | 2007-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| JP2004145095A (ja) | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| KR100935670B1 (ko) * | 2003-04-04 | 2010-01-07 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치, 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
| KR100808790B1 (ko) * | 2003-05-23 | 2008-03-03 | 주식회사 엘지화학 | 질소 플라즈마 처리된 ｉｔｏ 필름 및 이를 양극으로사용한 유기 발광 소자 |
-
2004
- 2004-12-07 KR KR1020040102374A patent/KR101282397B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-09-29 US US11/239,795 patent/US7821009B2/en active Active
- 2005-10-11 TW TW094135410A patent/TWI394279B/zh active
- 2005-10-18 JP JP2005302481A patent/JP4977352B2/ja active Active
- 2005-12-06 CN CN2005101276414A patent/CN1808710B/zh active Active
-
2010
- 2010-02-03 US US12/699,764 patent/US8507303B2/en active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05158071A (ja) * | 1991-12-09 | 1993-06-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法 |
| JPH06139844A (ja) * | 1992-10-23 | 1994-05-20 | Sharp Corp | Ｉｔｏ導電膜およびその製造方法 |
| JPH0959787A (ja) * | 1995-08-21 | 1997-03-04 | Toppan Printing Co Ltd | 多層導電膜のエッチング方法 |
| JPH09304787A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極基板 |
| JPH1091084A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜のパターニング方法と透明電極付き基体 |
| JP2000008184A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 多層導電膜のエッチング方法 |
| JP2001077366A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-23 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜トランジスタ、液晶表示装置、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2001312222A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法並びに該基板を用いた表示装置および撮像装置 |
| JP2001339072A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-12-07 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置 |
| JP2002038262A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | 透明導電性膜の形成方法、アレイ基板および液晶表示装置 |
| JP2002237596A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2005514671A (ja) * | 2002-01-08 | 2005-05-19 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332674A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置用配線、これを含む薄膜トランジスタ表示板、及びその製造方法 |
| JP2008090309A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
| JP2008205013A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 強誘電体メモリセルおよび強誘電体メモリセルの製造方法 |
| JP2018195836A (ja) * | 2009-03-05 | 2018-12-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2022050404A (ja) * | 2009-03-05 | 2022-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2021064799A (ja) * | 2009-08-07 | 2021-04-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2018018102A (ja) * | 2010-02-26 | 2018-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2019191599A (ja) * | 2010-02-26 | 2019-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US10539845B2 (en) | 2010-02-26 | 2020-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having an oxide semiconductor transistor |
| US10983407B2 (en) | 2010-02-26 | 2021-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having an oxide semiconductor transistor |
| US11927862B2 (en) | 2010-02-26 | 2024-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having an oxide semiconductor transistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060118788A1 (en) | 2006-06-08 |
| TW200629562A (en) | 2006-08-16 |
| US20100144076A1 (en) | 2010-06-10 |
| US8507303B2 (en) | 2013-08-13 |
| KR101282397B1 (ko) | 2013-07-04 |
| US7821009B2 (en) | 2010-10-26 |
| CN1808710B (zh) | 2011-06-01 |
| TWI394279B (zh) | 2013-04-21 |
| CN1808710A (zh) | 2006-07-26 |
| KR20060063254A (ko) | 2006-06-12 |
| JP4977352B2 (ja) | 2012-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4977352B2 (ja) | 表示装置用配線、該配線を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
| KR101054344B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| JP5240964B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
| JP4748473B2 (ja) | 導電体用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法 | |
| JP5230909B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板の製造方法 | |
| TWI387108B (zh) | 導線結構、形成導線之方法、薄膜電晶體基材及製造薄膜電晶體基材之方法 | |
| KR101168728B1 (ko) | 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법 | |
| JP4859469B2 (ja) | エッチング液組成物及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法 | |
| JP2006221162A (ja) | 表示装置用配線、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
| JP2007212699A (ja) | 反射型ｔｆｔ基板及び反射型ｔｆｔ基板の製造方法 | |
| JP2005197727A (ja) | 多結晶シリコン半導体素子及びその製造方法 | |
| JP4723800B2 (ja) | アレイ基板の製造方法 | |
| KR20060070334A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
| KR20060064263A (ko) | 표시 장치용 배선, 상기 배선을 포함한 박막 트랜지스터표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20060036634A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081010 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110630 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111004 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111108 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120202 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120327 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120416 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4977352 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |