KR100893279B1 - 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자류를 제조하는 공정 중에서 감광성수지(photoresist)를 제거하기 위해 사용되는 감광성수지 제거제(stripper) 조성물을 개시한다. 보다 상세하게는 아민 화합물 3 내지 20중량%; 극성용제 20 내지 40중량%; 이미다졸린 유도체, 설파이드 유도체, 설폭사이드 유도체 또는 방향족계 화합물로부터 선택되는 부식방지제 0.01 내지 3중량%; C₂~C₁₀의 모노알코올 화합물 0.01 내지 5중량%; 및 탈이온수 40 내지 70중량%로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 반도체용 감광성수지 제거제 조성물은 하드베이크, 건식식각, 에싱(ashing) 또는 이온주입공정에 의하여 경화된 감광성 수지 막 및 상기 공정 중 하부의 금속 막질로부터 식각되어 나온 금속성 부산물에 의하여 변질된 감광성 수지 막을 저온에서 짧은 시간 내에 용이하게 제거할 수 있으며, 또한 감광성 수지 제거공정 중 하부의 금속배선의 부식을 최소화할 수 있다.

감광성 수지, 포토레지스트, 스트리퍼, 제거제

Description

반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물{Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing}

도 1은 본 발명에 따른 제거제 조성물로 처리하기 전 금속 패턴의 전자현미경 사진으로 도1a는 금속 배선이고, 도1b는 비아 홀(Via Hole)이다.

도 2a는 제조예 1에서 제조한 조성물을 처리한 Metal 배선 사진이고, 도 2b는 제조예 1에서 제조한 조성물을 처리한 비아 홀 사진이다.

도 3a는 제조예 2에서 제조한 조성물을 처리한 Metal 배선 사진이고, 도 3b는 제조예 2에서 제조한 조성물을 처리한 비아 홀 사진이다.

도 4a는 제조예 3에서 제조한 조성물을 처리한 Metal 배선 사진이고, 도 4b는 제조예 3에서 제조한 조성물을 처리한 비아 홀 사진이다.

도 5a는 비교예 1에서 제조한 조성물을 처리한 Metal 배선 사진이고, 도 5b는 비교예 1에서 제조한 조성물을 처리한 비아 홀 사진이다.

도 6a는 비교예 2에서 제조한 조성물을 처리한 Metal 배선 사진이고, 도 6b는 비교예 2에서 제조한 조성물을 처리한 비아 홀 사진이다.

본 발명은 반도체 소자류를 제조하는 공정 중에서 감광성 수지(photoresist)를 제거하기 위한 제거제(stripper) 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 사진 식각 공정(phothlithography) 후 진행되는 건식식각, 에싱(ashing) 또는 이온주입공정에 의하여 경화된 감광성 수지막 및 상기 공정 중 하부의 금속 막질로부터 식각되어 나온 금속성 부산물인 폴리머(polymer)을 저온에서 짧은 시간 내에 용이하게 제거할 수 있으며, 또한 감광성 수지 제거 공정 중 하부의 금속 배선의 부식을 최소화할 수 있는 감광성 수지 제거제 조성물에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자의 제조공정은 반도체 기판 상에 형성된 도전층 위에 감광성 수지 패턴을 형성한 후, 상기 패턴을 마스크로서 도전층 패턴을 형성하는 공정을 많이 포함한다. 상기 마스크로서 이용된 감광성 수지 패턴은 상기 도전층 패턴 형성 공정 이후의 세정공정에서 감광성 수지 제거제에 의해서 도전층 위에서 제거되어야 한다. 그런데, 최근의 반도체 소자류 제조공정에 있어서는 도전층 패턴을 형성하기 위한 도전층 식각공정이 주로 건식식각 공정으로 이루어지기 때문에 이후의 세정공정에서 감광성 수지를 제거하는 것이 어렵게 되었다.

건식식각공정은 산종류의 액상화학약품을 이용한 습식식각공정을 대체하는 것으로서 플라즈마 식각가스와 도전층과 같은 물질막과의 사이의 기상-고상 반응을 이용하여 애칭공정을 수행한다. 건식식각공정은 제어가 용이하고 샤프한 패턴을 얻을 수 있어 최근 에칭공정의 주류를 이루고 있다. 건식식각법은 여러 가지 종류가 있으나 도전층을 에칭하는 공정 중에 감광성 수지막의 표면에서 플라즈마 식각가스 중의 이온 및 라디칼이 상기 감광성 수지막과 복잡한 화학반응을 일으켜서 감광성 수지막을 급속히 경화시키므로 감광성 수지의 제거가 곤란하게 된다. 건식식각법의 한 예로서는 반응성 이온 에칭법(reactive ion etching; RIE)이 있는데, 이 반응성 이온 에칭법이 사용된 경우 종래의 감광성 수지 제거제로서는 재현성 있게 감광성 수지를 제거하기 어렵다.

감광성 수지의 제거를 어렵게 하는 공정의 다른 예로서 이온주입공정이 있다. 반도체 소자의 제조 공정에 있어서 실리콘웨이퍼의 특정 영역에 도전성을 부여하기 위해서 인, 비소, 붕소, 등의 원소를 확산시키는 공정이다. 이온주입공정에 있어서 상기 이온은 감광성 수지 패턴에 의하여 덮이지 않은 실리콘 웨이퍼 영역에만 주입되는데, 그와 동시에 이온주입공정의 마스크로서 사용되는 감광성 수지 패턴의 표면이 가속된 이온빔과의 표면화학반응에 의해 변성된다. 따라서, 이온주입공정 후의 감광성 수지막은 세정공정에 있어서 각종 용제를 사용하여도 제거하기가 어렵게 된다.

상술한 건식식각공정 또는 이온주입공정을 거친 감광성 수지막은 종래의 감광성 수지 제거제로는 충분히 제거할 수 없으며, 제거된다 하더라도 100 ℃ 이상의 고온과 장시간에 걸친 침지시간을 필요로 하는 등 안정적으로 세정공정을 수행할 수 없으므로 반도체 소자의 불량율을 증가시킨다.

한편, 근래에 제안된 알칸올 아민과 디에틸렌글리콜 모노알킬 에테르로 이루어진 감광성 수지 제거제 조성물도 냄새와 독성이 적고 대부분의 감광성 수지막에 대하여 유효한 제거 성능을 발휘하는 특성 때문에 널리 사용되었다. 그러나, 상기 제거제 조성물도 건식식각공정 또는 이온주입공정에서 플라즈마 식각가스 또는 이온빔에 노출된 감광성 수지막을 만족할 만하게 제거하지 못한다는 사실이 밝혀지면서 건식식각과 이온주입공정에 의하여 변성된 감광성 수지막을 제거할 수 있는 새로운 감광성 수지 제거제에 대한 개발이 요망되었다.

상술한 바와 같이, 이온주입공정을 거친 감광성 수지막을 감광성 수지 제거제로 제거하는 것이 곤란한데, 특히 초고집적회로의 제조에 있어서 소스/드레인 영역을 형성하기 위해서 높은 도즈(dose)량의 이온주입공정을 거친 감광성 수지막을 제거하는 것은 더욱 곤란하다. 이온주입공정에 있어서 감광성 수지막은 높은 도즈량, 고에너지의 이온빔에 의한 반응열이 주원인이 되어 감광성 수지의 표면이 경화된다. 통상 에싱 처리를 하는 반도체 웨이퍼는 200 ℃ 이상의 고온으로 가열처리된다. 이때, 감광성 수지 내부에 잔존하는 용제가 기화되어 배출되어야 하는데, 높은 도즈 량의 이온주입공정 후의 감광성 수지 표면에는 경화층이 존재하므로 이것이 불가능하게 된다.

또한, 에싱이 진행됨에 따라 감광성 수지막 내부의 내압이 상승하면서 내부에 잔존하는 용제에 의하여 감광성 수지막의 표면이 파열하는 현상이 생기는데, 이를 퍼핑(popping) 현상이라 한다. 이러한 퍼핑 현상에 의해 비산된 표면 경화층은 잔사가 되어 제거하기 곤란하다. 또한, 상기 감광성 수지 표면의 경화층은 열에 의해 형성되므로 불순물 이온인 도판트(dopoant)가 감광성 수지 분자 구조 중에 치환되어 가교 반응을 일으키며, 이 부위가 O₂ 플라즈마에 의해 산화된다. 이렇게 산화 된 감광성 수지 막은 잔사와 파티클로 변해 역시 오염원이 되며, 초고집적회로의 제조시 생산수율을 저하시키는 원인이 된다.

한편, 종래 습식 세정 공정에 사용되는 감광성 수지 제거제로서 유기아민 화합물과 각종 유기 용제를 혼합하여 이루어지는 감광성 수지 제거제 조성물이 제안되었다. 특히, 유기아민 화합물 중에서 모노에탄올아민(MEA)을 필수성분으로서 포함하는 감광성 수지 제거제 조성물이 널리 사용되고 있다. 그러나, 적은양의 탈이온수과 함유된 감광성 수지 제거제는 린스 과정에서 아민과 탈이온수과 반응하여 하부 금속 배선의 부식(pit)이 발생하는 문제점이 있다.

최근의 반도체 소자 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 비롯한 각종 기판을 110 내지 140 ℃의 고온으로 처리하는 등 공정 조건이 가혹해짐에 따라 감광성 수지가 고온에서 베이크되는 경우가 많아졌다. 그러나, 상기 예로 들은 감광성 수지 제거제는 고온으로 베이크된 감광성 수지에 대해서는 제거 능력이 충분하지 못하다. 상기 고온으로 베이크된 감광성 수지를 제거하기 위한 조성물로서 물 및/또는 하이드록실아민 화합물을 함유하는 감광성 수지 제거제 조성물이 제안되었다(일본특허출원공개 평 4-289866호;일본특허출원공개 평 6-266119호;일본특허출원공개 평 7-69618호;일본특허출원공개 평 8-262746호;일본특허출원공개 평 9-152721호;일본특허출원공개 평 9-96911호).

그러나, 이러한 감광성 수지 제거제 조성물도 역시 건식식각, 에싱 및 이온주입공정에 의하여 경화된 감광성 수지막 및 상기 공정 중 하부의 금속 막질로부터 식각되어 나온 금속성 부산물에 의하여 변질된 감광성 수지막의 제거성능이 충분하 지 못하며, 특히 신규 금속막이 사용되거나 층간 절연막으로 새로운 절연물질이 사용되는 공정에서는 패턴 측벽에 생성되는 변성된 감광성 수지 막을 제거하는 데 효과적이지 못하다.

또한, 현재까지는 감광성 수지 제거제 조성물로 유기 용매를 주 용매로하는 조성물을 통상적으로 사용해왔다. 그러나 유기 용매는 환경적으로 유해할 뿐아니라, 제조 비용 또한 비싼 편이다.

한편, 산화 방지 역할을 하는 히드라진수화물 및 주 용매 또는 보조 용매로서 물을 함유하는 감광성 수지 제거제 조성물이 제안되었다(대한민국 공개 특허공보 제 2003-0025521; 일본특허출원공개 2002-196509). 상기 조성물은 종래의 감광성 수지 제거제에 비해 물의 함유량이 많아서 환경친화적인 측면에서 개선되었지만, 실제로 물의 함유량을 40% 이상으로 사용할 경우 감광성 수지에 대한 용해성이 떨어져 감광성 수지 제거성이 저하되거나 제거 시간이 오래 걸리는 문제점이 있어 적용이 제한적이다.

본 발명자들은 40중량% 이상의 물과 아민 화합물 및 극성용제를 함유하는 감광성 수지 제거제 조성물에 있어서, 이미다졸린 유도체, 설파이드 유도체, 설폭사이드 유도체 또는 방향족계 화합물로부터 선택되는 부식방지제와 C₂~C₁₀의 모노알코올 화합물을 함유할 경우에 경화되거나 변성된 감광성 수지를 제거함에 있어서, 반응시간이 단축되고, 하부 막질에 대한 부식성이 현저히 개선되는 것을 확인하고 본 발명을 완성하게 되었다.

따라서, 본 발명의 목적은 반도체 제조 공정에서 경화되거나 변성된 감광성 수지를 효과적으로 제거할 수 있는 고효율의 감광성 수지 제거제를 제공하는 것이며, 또한, 감광성 수지의 하부 막인 금속 배선에 대한 부식을 최소화 할 수 있는 감광성 수지 제거제 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 탈이온수를 40% 이상 함유함으로써 환경친화적이고 제조 비용이 저렴한 감광성 수지 제거제를 제공하는 것이다.

본 발명은 집적회로, 고집적회로, 초고집적회로 등의 반도체 소자류를 제조하는 공정 중에서 감광성수지(photoresist)를 제거하기 위해 사용되는 감광성수지 제거제(stripper) 조성물을 제공한다. 보다 상세하게는 아민화합물 3 내지 20중량%; 극성용제 20 내지 40중량%; 이미다졸린 유도체, 설파이드 유도체, 설폭사이드 유도체 또는 방향족계 화합물로부터 선택되는 부식방지제 0.01 내지 3중량%; C₂~C₁₀의 모노알코올 화합물 0.01 내지 5중량%; 및 탈이온수 40 내지 70중량%로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 감광성 수지 제거제 조성물은 경화되거나 변성된 감광성 수지 막을 효과적으로 짧은 시간에 제거할 수 있고, 하부 금속 층에 손상을 유발하지 않으며, 탈이온수가 40 중량% 이상 함유되어 있어 후속 린즈(rinse) 공정에서 쉽게 제거되므로 하부 금속 배선에 부식을 유발하지 않고, 제조 비용이 저렴하며, 유기 용제의 함량이 적어 폐수 처리 비용이 절감되고, 환경 친화적인 감광성 수지 제거제 조성물이다.

이하 본 발명을 상세히 설명한다.

상기 아민 화합물로는 C₁~C₅의 알킬기가 치환된 1차 아민, 2차 아민 또는 3차 아민으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 사용한다. 상기 아민 화합물은 반도체 제조 공정상에서 사용되는 감광성 수지 또는 반도체 제조 공정에서 사용되어 경화 또는 변성된 감광성 수지 막을 제거하기 위한 목적으로 사용한다. 아민 화합물의 함량은 전체 조성물에 대하여 3 내지 20중량%가 바람직하며, 보다 바람직한 범위는 5 내지 20중량%이다. 즉, 아민 화합물의 함량이 3% 미만이면 드라이에칭, 에싱 공정 등에 의해 변질된 측벽 감광성 수지 막을 완전하게 제거하기 어렵고, 20중량%를 초과하면 알루미늄 등과 같은 하부 금속 막에 대한 부식을 유발할 수 있다.

본 발명에 따른 조성물에 함유되는 극성용제로써 N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, N,N-디메틸아세트아마이드로부터 선택되며 이들 극성용제는 고분자수지에 대한 용해성이 우수하고 물과 매우 잘 혼합되어서 웨팅(wetting)시간을 단축할 수 있는 특징이 있다. 극성용제의 함량은 전체 조성물에 대하여 20 내지 40중량%가 바람직하며, 보다 바람직하게는 25 내지 35 중량%인 것이 좋다. 극성용제의 함량이 20중량% 미만이면 제거한 측벽 감광성 수지 막에 대한 팽윤성(swelling)이 저하되고 아민 화합물의 특성 때문에 하부금속막질에 대한 부식성이 문제점이 있다. 40중량%를 초과하면 제거한 측벽 감광성 수지 막에 대한 팽윤성이 커지지만 상대적으로 아민 화합물의 적은 함량으로 인한 감광성 수지 막에 제거성능이 저하되는 문제점이 있다.

본 발명의 조성물에 함유되는 부식방지제는 이미다졸린 유도체, 설파이드 유도체, 설폭사이드 유도체, 방향족계 화합물로부터 선택되며, 구체적인 화합물로는 1-에틸아미노-2-옥타데실이미다졸린(1-ethylamino-2-octadecylimidazoline), 디-sec-부틸설파이드(di-sec-butylsulfide), 디페닐설폭사이드(diphenylsulfoxide), 벤조산(benzoic acid), m-메틸벤조산(m-Methylbenzoic acid), p-메틸벤조산(p-Methylbenzoic acid), 벤젠아세트산(Benzenacetic acid), 2-에틸벤조산, 3-에틸벤조산, 2,3,5-트리메틸벤조산, 신남산(cinnamic acid), 하이드로신남산(Hydrocinnamic acid), 4-메틸신남산(4-Methylcinnamic acid), 살리실산(salicylic acid), 2-이소프로필벤조산(2-Isopropylbenzoic acid), 3-이소프로필벤조산(3-Isopropylbenzoic acid), 4-이소프로필벤조산(4-Isopropylbenzoic acid), 벤젠부탄산(Benzenebutanoic acid), 2,4-디메틸페닐아세트산(2,4-Dimethylphenyl acetic acid), 2-(4-메틸페닐)프로판산(2-(4-Methylphenyl)propanoic acid), 4-프로필벤조 산(4-Propylbenzoic acid), 4-에틸페닐아세트산(4-Ethylphenyl acetic acid), 3-페닐부탄산(3-Phenylbutanoic acid), 3-(2-메틸페닐)프로판산(3-(2-Methylphenyl)propionic acid), 3-(3-메틸페닐)프로판산(3-(3-Methylphenyl)propionic acid), p-메틸하이드로신남산(p-Methylhydrocinnamic acid), 3-프로필벤조산(3-propylbenzoic acid), 크레졸(cresol), 갈릭산(gallic acid), 메틸갈레이트(methyl gallate) 등이 있다. 상기 부식방지제 화합물의 함량은 0.01 내지 3중량%가 바람직하며, 보다 좋게는 0.1 내지 3중량%의 함량으로 사용하는 것이 바람직하다. 0.01%미만이면 하부 금속막질의 부식이 심화되는 문제점이 있고, 3중량%를 초과하면 감광성 수지를 제거하는 능력이 저하되는 문제점이 있다.

본 발명에 따른 조성물에 함유되는 모노알코올은 C₂~C₁₀의 알킬기 혹은 아르알킬(aralkyl)기에 한 개의 히드록시기를 가지는 화합물로서 감광성 수지 막의 제거 공정에서 균일도(Uniformity)를 개선하고 상기의 아민 화합물 및 극성용제의 반응성을 향상시키는 역할을 한다. 상기 모노알코올은 부탄올, 에탄올, 이소프로판올, 프로판올, 헵탄올, 옥탄올, 데칸올, 벤질알콜올, 이소헥산올 및 이소옥탄올로 이루어지는 군으로부터 하나 이상의 화합물을 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 상기 모노 알코올의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.01 내지 5중량%가 바람직하며, 보다 바람직한 함량 범위는 0.1 내지 5중량%이다. 0.01%미만이면 상안정성을 증가시키지 못하여 감광성 수지를 원활하게 제거하지 못하며 5중량%를 초과하면 조성물 제조 가격 등을 고려한 공업적 견지에서 비경제적이다.

본 발명에 따른 조성물의 주요 구성 성분인 탈이온수의 함량은 전체 조성물에 대하여 40 내지 70중량%이고, 보다 바람직하게는 45 내지 65중량%인 것이 좋다. 40%미만이면 제조가격이나 공정시간을 단축하여 생산성을 극대화할 수 없으며 70중량%를 초과하면 감광성 수지 막에 대한 제거성능이 크게 저하된다.

이하 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명하나, 본 발명이 이들 실시 예에 국한되는 것은 아니다.

[실시예 1] 감광성 수지 제거제의 제조

제조예 1 내지 3 및 비교예 1 및 2에서 제조한 감광성 수지 제거제를 준비하였다.

[표 1] 감광성 수지 제거제

[실시예 2] 금속 배선 시편의 제조

8″인치 실리콘 웨이퍼에 실리콘 옥사이드 막을 형성한 후 금속 배선층을 Ti/TiN 150Å/Al 8000Å/TiN 100Å 로 침착한 후 통상의 포토리소그라피 공정을 진행하여 소정 패턴을 형성하였다. 상기 감광성 수지(쉬프리 UV-6) 패턴이 형성된 시편제조한 후 건식 식각 공정을 진행하였다.

건식식각장치(Applied Material사, 모델명; P/5000)에서 CF₄/O₂ 혼합가스를 식각가스로 사용하여 감광성 수지 패턴이 덮여 있지 않은 하부의 금속 배선층을 식각하여 금속 배선 패턴을 형성하였다. 이어서 에싱 장비(동경응화공업사, 모델명; TCA-2400)를 이용하여 O₂/N₂ 혼합가스를 반응 가스로 이용하여 에싱 공정을 진행하여 도 1과 같은 시편을 제조하였다.

[실시예 3] 감광성 수지 제거제 성능 평가

제조예 1 내지 3, 비교예 1 내지 2에서 제조한 감광성 수지 제거제 조성물에 실시예 2에서 제조한 시편을 침지(dipping)하여 금속 배성 형성 공정 및 비아 홀(via hole) 형성 공정에 제조예 1 내지 3은 공정온도 55℃에서 공정시간 8분간 각각 적용하였으며 비교예 1은 공정온도 65℃에서 공정시간 10분간 적용하였으며, 비교예 2는 공정온도 70℃에서 공정시간 20분간 적용하여 각각의 공정에서의 감광성 수지가 제거되는 정도, 하부금속막질 부식 및 산화막 식각 정도를 평가하여 하기 표 2에 나타내었다.

[표 2] 감광성 수지(PR) 제거성능, 하부금속막질 부식 및 산화막 식각 비교평가

상기 표 2는 본 발명에 따른 감광성 수지 제거제는 및 종래의 반도체 공정에 서 사용되는 감광성 수지(PR) 제거제의 성능비교한 결과이다.

본 발명에 따른 감광성 수지 제거제로 금속 배선 형성 공정 및 비아홀(via hole) 형성 공정에서 감광성 수지를 각각 에싱한 경우 각 공정에서 감광성 수지가 깨끗하게 제거되었음을 상기 표 2 및 도 2 내지 도 4로부터 알 수 있었다. 상기 도 2 내지 4는 상기 실시예 2에서 제조한 시편을 제조예 1 내지 3에서 제조한 조성물로 각각 처리한 후 전자현미경사진으로 촬영한 것으로, 도 2a 및 도 2b는 제조예 1을 처리한 결과이고, 도 3a 및 도3b는 제조예 2를 처리한 결과이며, 도 4a 및 도 4b는 제조예 3을 처리한 결과이다.

반면, 종래의 감광성 수지 제거제인 비교예 1 및 2의 경우 깨끗하게 감광성 수지가 제거되지 않았으며, 도 5 및 도 6에서 보는 바와 같이 금속 배선 패턴 위에 감광성 수지가 제거되지 않고 남아 있다. 도 5a 및 도 5b는 비교예 1의 감광성 수지 제거제를 처리한 결과이고, 도 6a 및 도 6b는 비교예 2의 감광성 수지 제거제를 처리한 결과이다. 본 발명에 따른 감광성 수지 제거제에 비하여 제거 효율이 떨어지는 것을 알 수 있다.

또한 상기 표 2의 결과로부터 본 발명에 따른 감광성 수지 제거제 조성물은 금속 배선 형성 공정 및 비아 홀(via hole) 형성 공정에서 감광성 수지를 각각 에싱한 경우 비교예의 조성물에 비해 하부 금속막에 대한 부식성이 없었다. 비교예 1 및 2의 조성물은 부식성 결과는 양호하였으나, 감광성 수지 제거 성능 평과는 본 발명에 따른 조성물에 비해 제거 효율이 떨어졌다.

본 발명에 따른 감광성 수지 제거제 조성물은 낮은 공정 온도인 55도에서 8분 정도의 공정시간에서도 금속 배선에 대한 부식 없이 감광성 수지를 효율적으로 제거하는 조성물임을 확인하였다. 따라서, 본 발명에 따른 감광성 수지 제거제는 공정 시간을 단축시킬 수 있어 효율적이고, 물의 함량이 높아 친환경적이며, 제조 비용이 낮아 경제적이다.

본 발명의 감광성 수지 제거제 조성물을 사용하면 반도체 제조 공정에 의하여 경화되거나 변성된 감광성 수지도 짧은 시간에 제거할 수 있으며, 제거 공정 중 하부의 금속 층의 손상을 방지할 수 있는 장점이 있다.

또한, 본 발명에 따른 조성물은 탈이온수가 40% 이상이 함유되어 후속의 린스공정에서 쉽게 제거되므로 하부 금속 배선의 부식을 방지하며, 조성물 제조 비용 절감 및 폐수의 절감과 공정시간을 단축하여 생산성을 극대화 할 수 있는 장점이 있다.

Claims (5)

1. 모노-, 디- 또는 트리-(C₁~C₅)알킬아민 3 내지 20중량%; 극성용제 20 내지 40중량%; 1-에틸아미노-2-옥타데실이미다졸린, 디-sec-부틸설파이드, 디페닐설폭사이드, 벤조산, m-메틸벤조산, p-메틸벤조산, 벤젠아세트산, 2-에틸벤조산, 3-에틸벤조산, 2,3,5-트리메틸벤조산, 신남산, 하이드로신남산, 4-메틸신남산, 살리실산, 2-이소프로필벤조산, 3-이소프로필벤조산, 4-이소프로필벤조산, 벤젠부탄산, 2,4-디메틸페닐아세트산, 2-(4-메틸페닐)프로판산, 4-프로필벤조산, 4-에틸페닐아세트산, 3-페닐부탄산, 3-(2-메틸페닐)프로판산, 3-(3-메틸페닐)프로판산, p-메틸하이드로신남산, 3-프로필벤조산, 크레졸, 갈릭산 또는 메틸갈레이트로부터 선택되는 1종 이상의 부식방지제 0.01 내지 3중량%; C₂~C₁₀의 모노알코올 화합물 0.01 내지 5중량%; 및 탈이온수 40 내지 70중량%로 이루어지는 반도체용 감광성수지 에싱 잔류물 제거용 조성물.
2. 삭제
3. 제 1항에 있어서,

   상기 극성용제는 N-메틸피롤리돈(NMP), 디메틸술폭시드(DMSO) 또는 N,N-디메틸아세트아마이드(DMAc)부터 선택되는 1종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체용 감광성수지 에싱 잔류물 제거용 조성물.
4. 삭제
5. 제 1항에 있어서,

   상기 모노 알코올 화합물은 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 헵탄올, 옥탄올, 데칸올, 이소헥산올, 이소옥탄올 또는 벤질알코올로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체용 감광성수지 에싱 잔류물 제거용 조성물.

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