KR100893280B1 - 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (7)
- 히드라진 수화물 또는 모노-, 디- 또는 트리-(C1~C5)알킬아민 3 내지 20중량%; 극성용제 20 내지 40중량%; 피로갈올(pyrogallol), 하이드록실퀸올(Hydroxylquinol), 플오로글아신올(Phloroglacinol), 레조시나올(Resorcinaol) 또는 하이드로퀸논(Hydroquinone)으로부터 선택되는 1종 이상의 부식방지제 0.01 내지 3중량%; C2~C10의 모노알코올 화합물 0.01 내지 5중량%,; 및 탈이온수 40 내지 70중량%로 이루어지는 반도체용 감광성수지 에싱 잔류물 제거용 조성물.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 극성용제로써 N-메틸피롤리돈(NMP), 디메틸술폭시드(DMSO), N,N-디메틸아세트아마이드(DMAc), 모노메틸 포름아마이드(Monomethyl Foramide), 메틸 셀로솔브(Methyl Cellosolve), 에틸 셀로솔브(ethyl cellosolve), 프로필 셀로솔브(Propyl Cellosolve), 부틸 셀로솔브(Buthyl Cellosolve) 또는 메톡시프로판올아세트산(PGMEA)으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체용 감광성수지 에싱 잔류물 제거용 조성물.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 모노 알코올 화합물은 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 헵탄올, 옥탄올, 데칸올, 이소헥산올, 이소옥탄올 또는 벤질알코올로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체용 감광성수지 에싱 잔류물 제거용 조성물.
- 제 1항, 제 3항 또는 제 5항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,암모늄염계 화합물을 전체 조성물의 0.01 내지 3중량%가 되도록 더 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체용 감광성수지 에싱 잔류물 제거용 조성물.
- 제 6항에 있어서,상기 암모늄염계 화합물은 암모늄벤조에이트(C6H5CO2NH4), 암모늄카보네이트((NH4)2CO3), 암모늄하이드록사이드(NH4OH), 암모늄아세테이트(CH3CO2NH4), 암모늄아이오다이드(NH4I), 염화암모늄(NH4Cl), 제이인산암모늄, 제일인산암모늄, 제삼인산암모늄, 과황산암모늄, 황산암모늄 및 질산암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체용 감광성수지 에싱 잔류물 제거용 조성물.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060073209A KR100893280B1 (ko) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 |
JP2008525930A JP4782200B2 (ja) | 2005-08-13 | 2006-08-05 | 半導体製造用感光性樹脂除去剤組成物 |
AT06783522T ATE484774T1 (de) | 2005-08-13 | 2006-08-05 | Fotoresist-entfernungszusammensetzung für die halbleiterherstellung |
US12/063,745 US7951765B2 (en) | 2005-08-13 | 2006-08-05 | Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing |
PCT/KR2006/003085 WO2007021085A1 (en) | 2005-08-13 | 2006-08-05 | Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing |
DE602006017559T DE602006017559D1 (de) | 2005-08-13 | 2006-08-05 | Fotoresist-entfernungszusammensetzung für die halbleiterherstellung |
EP06783522A EP1913448B1 (en) | 2005-08-13 | 2006-08-05 | Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing |
CN200680037895XA CN101371199B (zh) | 2005-08-13 | 2006-08-05 | 用于半导体制造的光刻胶剥离剂组合物 |
TW095129490A TWI344065B (en) | 2005-08-13 | 2006-08-11 | Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060073209A KR100893280B1 (ko) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080012424A KR20080012424A (ko) | 2008-02-12 |
KR100893280B1 true KR100893280B1 (ko) | 2009-04-17 |
Family
ID=39340543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060073209A KR100893280B1 (ko) | 2005-08-13 | 2006-08-03 | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100893280B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101829399B1 (ko) | 2010-03-04 | 2018-03-30 | 삼성전자주식회사 | 감광성 수지 제거제 조성물 및 이를 이용하는 반도체 제조 공정 |
KR102303825B1 (ko) * | 2014-03-25 | 2021-09-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치에 적용되는 세정 조성물 |
WO2023018072A1 (ko) * | 2021-08-11 | 2023-02-16 | 동우화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002196509A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
JP2003255565A (ja) | 2001-12-27 | 2003-09-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液 |
KR20050002573A (ko) * | 2003-06-26 | 2005-01-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한포토레지스트의 박리방법 |
KR20070019897A (ko) * | 2005-08-13 | 2007-02-16 | 테크노세미켐 주식회사 | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 |
-
2006
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002196509A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
JP2003255565A (ja) | 2001-12-27 | 2003-09-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液 |
KR20050002573A (ko) * | 2003-06-26 | 2005-01-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한포토레지스트의 박리방법 |
KR20070019897A (ko) * | 2005-08-13 | 2007-02-16 | 테크노세미켐 주식회사 | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 |
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---|---|
KR20080012424A (ko) | 2008-02-12 |
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
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E601 | Decision to refuse application | ||
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