JP2003292993A - 洗浄剤 - Google Patents
洗浄剤Info
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- JP2003292993A JP2003292993A JP2002101532A JP2002101532A JP2003292993A JP 2003292993 A JP2003292993 A JP 2003292993A JP 2002101532 A JP2002101532 A JP 2002101532A JP 2002101532 A JP2002101532 A JP 2002101532A JP 2003292993 A JP2003292993 A JP 2003292993A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体デバイスの銅等による配線の平坦
化処理後に行われる洗浄において、配線材料を腐食させ
にくい洗浄剤を提供する。 【解決手段】 洗浄剤が、ピペラジン類及び／又はモル
ホリン類等の環状アミンとエチレンアミン類とを含むも
のであって、ピペラジン類としては、ピペラジン、Ｎ−
メチルピペラジン、Ｎ，Ｎ'−ジメチルピペラジン、ヒ
ドロキシエチルピペラジン、Ｎ−メチル−Ｎ'−ヒドロ
キシエチルピペラジン、アミノエチルピペラジン、Ｎ，
Ｎ'，Ｎ'−トリメチルアミノエチルピペラジンであり、
モルホリン類としては、モルホリン、Ｎ−メチルモルホ
リン、ヒドロキシエチルモルホリン、アミノエチルモル
ホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルモルホリン等で
あり、また、エチレンアミン類としては、エチレンジア
ミン、ジエチレントリアミン等からなる。
化処理後に行われる洗浄において、配線材料を腐食させ
にくい洗浄剤を提供する。 【解決手段】 洗浄剤が、ピペラジン類及び／又はモル
ホリン類等の環状アミンとエチレンアミン類とを含むも
のであって、ピペラジン類としては、ピペラジン、Ｎ−
メチルピペラジン、Ｎ，Ｎ'−ジメチルピペラジン、ヒ
ドロキシエチルピペラジン、Ｎ−メチル−Ｎ'−ヒドロ
キシエチルピペラジン、アミノエチルピペラジン、Ｎ，
Ｎ'，Ｎ'−トリメチルアミノエチルピペラジンであり、
モルホリン類としては、モルホリン、Ｎ−メチルモルホ
リン、ヒドロキシエチルモルホリン、アミノエチルモル
ホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルモルホリン等で
あり、また、エチレンアミン類としては、エチレンジア
ミン、ジエチレントリアミン等からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は洗浄剤に関する。更
に詳しくは、半導体デバイスの洗浄剤に関するものであ
る。
に詳しくは、半導体デバイスの洗浄剤に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報化技術の急速な進展に伴い大
規模集積回路（ＬＳＩ、ＵＬＳＩ、ＶＬＳＩ）の微細
化、高密度化、高集積化による高速化が成される動向に
あり、配線の多層化による技術開発が行われている。配
線の多層化を達成するには配線ピッチ幅の縮小及び配線
間容量の低減等を行うことが必要となり配線ピッチ幅の
縮小解決策として現有の金属配線材料であるタングステ
ン及びアルミニウムをより抵抗率の低い銅（Ｃｕ）に変
更する技術開発が精力的に研究されている。
規模集積回路（ＬＳＩ、ＵＬＳＩ、ＶＬＳＩ）の微細
化、高密度化、高集積化による高速化が成される動向に
あり、配線の多層化による技術開発が行われている。配
線の多層化を達成するには配線ピッチ幅の縮小及び配線
間容量の低減等を行うことが必要となり配線ピッチ幅の
縮小解決策として現有の金属配線材料であるタングステ
ン及びアルミニウムをより抵抗率の低い銅（Ｃｕ）に変
更する技術開発が精力的に研究されている。
【０００３】銅配線は埋め込みによるダマシンプロセス
が主流となる傾向にある。ダマシン法により埋め込み形
成された配線の平坦化は機械的研摩作用と化学的研摩作
用の相乗性を利用した所謂、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法によ
り成されており、銅配線材料も同一方法で研摩が成され
ている。
が主流となる傾向にある。ダマシン法により埋め込み形
成された配線の平坦化は機械的研摩作用と化学的研摩作
用の相乗性を利用した所謂、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法によ
り成されており、銅配線材料も同一方法で研摩が成され
ている。
【０００４】しかしながら、このＣＭＰによる方法で
は、金属研磨を行なった後、研磨剤、研磨屑、金属不純
物がウエハーに多数付着するため、ウエハー表面を洗浄
する必要がある。アルカリ性溶液で洗浄を行なうと不純
物の再付着が抑制できるため、銅以外の金属の場合は、
アンモニアが一般的に使用されてきた。ところが、銅の
場合は、アンモニアに腐食されやすく、アンモニアを洗
浄剤として使用することができなかった。そこで、アン
モニアに銅の防食剤を添加し、銅の腐食速度を低減させ
る方法が提案されている。特開２０００−２７３６６３
号公報にはメルカプト基を含む化合物が開示されてい
る。しかし、同公報に記載されているようにメルカプト
基を含む化合物は特有の不快臭があり、環境的にも、工
業的にも使用するには問題がある。その他の防食剤とし
てベンゾトリアゾールなどの芳香族化合物が知られてい
るが、有害性が高いなどの環境問題がある。また防食剤
を添加する方法では、少量の防食剤で銅の腐食を抑制す
ることはできないため、基本的に銅を腐食しやすいアン
モニアを使用しない方法が望まれていた。
は、金属研磨を行なった後、研磨剤、研磨屑、金属不純
物がウエハーに多数付着するため、ウエハー表面を洗浄
する必要がある。アルカリ性溶液で洗浄を行なうと不純
物の再付着が抑制できるため、銅以外の金属の場合は、
アンモニアが一般的に使用されてきた。ところが、銅の
場合は、アンモニアに腐食されやすく、アンモニアを洗
浄剤として使用することができなかった。そこで、アン
モニアに銅の防食剤を添加し、銅の腐食速度を低減させ
る方法が提案されている。特開２０００−２７３６６３
号公報にはメルカプト基を含む化合物が開示されてい
る。しかし、同公報に記載されているようにメルカプト
基を含む化合物は特有の不快臭があり、環境的にも、工
業的にも使用するには問題がある。その他の防食剤とし
てベンゾトリアゾールなどの芳香族化合物が知られてい
るが、有害性が高いなどの環境問題がある。また防食剤
を添加する方法では、少量の防食剤で銅の腐食を抑制す
ることはできないため、基本的に銅を腐食しやすいアン
モニアを使用しない方法が望まれていた。
【０００５】このように、従来提案されてきたアンモニ
ア系洗浄剤は、銅への腐食性の点で十分なものとはいえ
なかった。
ア系洗浄剤は、銅への腐食性の点で十分なものとはいえ
なかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の課題に鑑みて、銅を侵さない洗浄剤を提供することに
ある。
の課題に鑑みて、銅を侵さない洗浄剤を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、洗浄剤に
ついて鋭意検討した結果、環状アミン及びエチレンアミ
ン類を含んでなる洗浄剤が、特に銅を侵さない洗浄剤と
して用いることができることを見出し、本発明を完成さ
せるに至った。
ついて鋭意検討した結果、環状アミン及びエチレンアミ
ン類を含んでなる洗浄剤が、特に銅を侵さない洗浄剤と
して用いることができることを見出し、本発明を完成さ
せるに至った。
【０００８】すなわち、本発明は環状アミン及びエチレ
ンアミン類を必須成分とする洗浄剤である。
ンアミン類を必須成分とする洗浄剤である。
【０００９】以下に本発明をさらに詳細に説明する。
【００１０】本発明の洗浄剤の必須成分は、環状アミン
類及びエチレンアミン類である。それぞれ単独では銅を
侵す速度が非常に高いが、両者を組み合わせることによ
り、銅を侵す速度が劇的に低下する。
類及びエチレンアミン類である。それぞれ単独では銅を
侵す速度が非常に高いが、両者を組み合わせることによ
り、銅を侵す速度が劇的に低下する。
【００１１】本発明の洗浄剤において使用される環状ア
ミン類とはピペラジン類及び／又はモルホリン類であ
る。ピペラジン類とは、下記一般式（１）で示される化
合物であり、例示すれば、ピペラジン、Ｎ−メチルピペ
ラジン、Ｎ，Ｎ'−ジメチルピペラジン、ヒドロキシエ
チルピペラジン、ビス（ヒドロキシエチル）ピペラジ
ン、Ｎ−メチル−Ｎ'−ヒドロキシエチルピペラジン、
ヒドロキシプロピルピペラジン、ビス（ヒドロキシプロ
ピル）ピペラジン、Ｎ−メチル−Ｎ'−ヒドロキシプロ
ピルピペラジン、アミノエチルピペラジン、アミノプロ
ピルピペラジン、Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−トリメチルアミノエチ
ルピペラジン、ビス（アミノエチル）ピペラジン、ビス
（アミノプロピル）ピペラジンなどが挙げられる。
ミン類とはピペラジン類及び／又はモルホリン類であ
る。ピペラジン類とは、下記一般式（１）で示される化
合物であり、例示すれば、ピペラジン、Ｎ−メチルピペ
ラジン、Ｎ，Ｎ'−ジメチルピペラジン、ヒドロキシエ
チルピペラジン、ビス（ヒドロキシエチル）ピペラジ
ン、Ｎ−メチル−Ｎ'−ヒドロキシエチルピペラジン、
ヒドロキシプロピルピペラジン、ビス（ヒドロキシプロ
ピル）ピペラジン、Ｎ−メチル−Ｎ'−ヒドロキシプロ
ピルピペラジン、アミノエチルピペラジン、アミノプロ
ピルピペラジン、Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−トリメチルアミノエチ
ルピペラジン、ビス（アミノエチル）ピペラジン、ビス
（アミノプロピル）ピペラジンなどが挙げられる。
【００１２】
【化３】
モルホリン類とは、下記一般式（２）で示される化合物
であり、例示すれば、モルホリン、Ｎ−メチルモルホリ
ン、Ｎ−エチルモルホリン、ヒドロキシエチルモルホリ
ン、ヒドロキシプロピルモルホリン、アミノエチルモル
ホリン、アミノプロピルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アミノエチルモルホリンが挙げられる。これらの環状ア
ミンは、単一化合物を使用しても良いし、二種類以上を
混合して使用しても良い。
であり、例示すれば、モルホリン、Ｎ−メチルモルホリ
ン、Ｎ−エチルモルホリン、ヒドロキシエチルモルホリ
ン、ヒドロキシプロピルモルホリン、アミノエチルモル
ホリン、アミノプロピルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アミノエチルモルホリンが挙げられる。これらの環状ア
ミンは、単一化合物を使用しても良いし、二種類以上を
混合して使用しても良い。
【００１３】
【化４】
本発明の洗浄剤に使用されるエチレンアミン類とは、エ
チレン鎖の両端にアミノ基を有する化合物の総称であ
り、具体的に例示すると、エチレンジアミン、ジエチレ
ントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレ
ンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミンが挙げられ
る。これらのエチレンアミン類は、単一化合物を使用し
ても良いし、二種類以上を混合して使用しても良い。
チレン鎖の両端にアミノ基を有する化合物の総称であ
り、具体的に例示すると、エチレンジアミン、ジエチレ
ントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレ
ンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミンが挙げられ
る。これらのエチレンアミン類は、単一化合物を使用し
ても良いし、二種類以上を混合して使用しても良い。
【００１４】本発明の洗浄剤には、フッ化物イオンを添
加することができる。フッ化物イオンを添加することに
より、有機物、無機物の洗浄性能が向上する。フッ化物
イオンは、弗化水素、弗酸塩の形で添加することができ
る。半導体などの電子部品を洗浄する際には、金属イオ
ンの混入を嫌うため、アンモニウム塩として添加するの
が好ましい。
加することができる。フッ化物イオンを添加することに
より、有機物、無機物の洗浄性能が向上する。フッ化物
イオンは、弗化水素、弗酸塩の形で添加することができ
る。半導体などの電子部品を洗浄する際には、金属イオ
ンの混入を嫌うため、アンモニウム塩として添加するの
が好ましい。
【００１５】本発明の洗浄剤において、環状アミンとエ
チレンアミン類の比は、用途、アミンの種類により変動
するため、限定することは困難であるが、例えば、モル
比で環状アミン１に対し、エチレンアミン類が０．０１
〜１の範囲が好ましく、０．１〜０．５の範囲がさらに
好ましい。０．０１未満であっても、１を超えても銅の
腐食性が高くなる場合がある。
チレンアミン類の比は、用途、アミンの種類により変動
するため、限定することは困難であるが、例えば、モル
比で環状アミン１に対し、エチレンアミン類が０．０１
〜１の範囲が好ましく、０．１〜０．５の範囲がさらに
好ましい。０．０１未満であっても、１を超えても銅の
腐食性が高くなる場合がある。
【００１６】本発明の洗浄剤において、環状アミンのピ
ペラジン類とモルホリン類は、洗浄対象により、単独で
使用しても良いし、混合して使用しても良い。一般的に
モルホリン類よりピペラジン類の方が塩基性が高く、塩
基性下で溶解、脱離しやすい物質を洗浄する際にはピペ
ラジン類を使用すればよい。
ペラジン類とモルホリン類は、洗浄対象により、単独で
使用しても良いし、混合して使用しても良い。一般的に
モルホリン類よりピペラジン類の方が塩基性が高く、塩
基性下で溶解、脱離しやすい物質を洗浄する際にはピペ
ラジン類を使用すればよい。
【００１７】また、モルホリン類が含むエーテル基を利
用し、エーテルで溶解、脱離しやすい物質を洗浄する際
にはモルホリン類を使用すればよく、洗浄対象物質が、
ピペラジン類、モルホリン類を併用した方が溶解、脱離
し易い場合は、ピペラジン類、モルホリン類を混合して
使用しても良い。
用し、エーテルで溶解、脱離しやすい物質を洗浄する際
にはモルホリン類を使用すればよく、洗浄対象物質が、
ピペラジン類、モルホリン類を併用した方が溶解、脱離
し易い場合は、ピペラジン類、モルホリン類を混合して
使用しても良い。
【００１８】ピペラジン類とモルホリン類を併用する場
合のピペラジン類とモルホリン類とのモル比は、用途や
アミンの種類により変動し、限定することは困難である
が、例えば１：９９〜９９：１である。
合のピペラジン類とモルホリン類とのモル比は、用途や
アミンの種類により変動し、限定することは困難である
が、例えば１：９９〜９９：１である。
【００１９】本発明の洗浄剤は、使用しやすいよう、水
を添加して水溶液として使用するが、洗浄力の向上、あ
るいは溶解性改善のため、水溶性有機溶媒を添加しても
良い。水溶性有機溶媒としては、洗浄剤として一般に使
用しているものを使用することができる。例示するとメ
タノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパ
ノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレン
グリコール、ポリエチレングリコール、ベンジルアルコ
ールなどのアルコール類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドン
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキ
シド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジグリムな
どのエーテル類などが挙げられる。
を添加して水溶液として使用するが、洗浄力の向上、あ
るいは溶解性改善のため、水溶性有機溶媒を添加しても
良い。水溶性有機溶媒としては、洗浄剤として一般に使
用しているものを使用することができる。例示するとメ
タノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパ
ノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレン
グリコール、ポリエチレングリコール、ベンジルアルコ
ールなどのアルコール類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドン
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキ
シド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジグリムな
どのエーテル類などが挙げられる。
【００２０】本発明の洗浄剤には、その他一般に使用さ
れている防食剤、界面活性剤も添加することができる。
防食剤については、本発明の洗浄剤は非常に銅の腐食性
が低いため、一般的に添加されている量より、少ない量
の防食剤の添加で効果が現れる。
れている防食剤、界面活性剤も添加することができる。
防食剤については、本発明の洗浄剤は非常に銅の腐食性
が低いため、一般的に添加されている量より、少ない量
の防食剤の添加で効果が現れる。
【００２１】本発明の洗浄剤は、特に、銅配線半導体デ
バイスの洗浄に有効に利用できる。特にＣＭＰ後の洗浄
に有効である。
バイスの洗浄に有効に利用できる。特にＣＭＰ後の洗浄
に有効である。
【００２２】本発明の洗浄剤を使用すると、銅配線に対
する腐食性は小さくなる。本発明の洗浄剤を使用する際
には、加熱、超音波などで洗浄を促進しても良い。
する腐食性は小さくなる。本発明の洗浄剤を使用する際
には、加熱、超音波などで洗浄を促進しても良い。
【００２３】本発明のレジスト剥離剤の使用方法は浸漬
法が一般的であるが、その他の方法、例えばブラシ洗浄
法を使用しても一向に差し支えない。
法が一般的であるが、その他の方法、例えばブラシ洗浄
法を使用しても一向に差し支えない。
【００２４】
【実施例】本発明を以下の実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２５】なお、なお、表記を簡潔にするため、以下
の略記号を使用した。 Ｐ：ピペラジン ＨＥＰ：ヒドロキシエチルピペラジン ＭＨＥＰ：Ｎ−メチルヒドロキシエチルピペラジン ＢＡＰＰ：ビスアミノプロピルピペラジン ＡＥＰ：Ｎ−アミノエチルピペラジン Ｍ：モルホリン ＭＭ：Ｎ−メチルモルホリン ＨＥＭ：ヒドロキシエチルモルホリン ＡＥＭ：アミノエチルモルホリン ＡＰＭ：アミノプロピルモルホリン ＥＤＡ：エチレンジアミン ＤＥＴＡ：ジエチレントリアミン ＴＥＴＡ：トリエチレンテトラミン ＴＥＰＡ：テトラエチレンペンタミン ＡＦ：弗化アンモニウム ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン ＤＭＩ：ジメチルイミダゾリジノン ＤＥＧ：ジエチレングリコール 実施例１〜６、比較例１〜２ 銅メッキしたウェハを、１μｍの平均粒子径を有するア
ルミナを分散させた超純水に浸漬した後、硫酸でｐＨ６
に調整した超純水で洗浄した。これを乾燥し、アルミナ
粒子で汚染されたウエハとした。このウエハを表１に示
す洗浄液に５０℃、３０分浸漬洗浄し、その後水洗、乾
燥した。表面を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積あ
たりのアルミナ粒子数を調べた。また浸漬前後の銅の膜
厚を測定することで、銅の腐食速度を求めた。なお、表
１の洗浄液組成において、残部は水である。
の略記号を使用した。 Ｐ：ピペラジン ＨＥＰ：ヒドロキシエチルピペラジン ＭＨＥＰ：Ｎ−メチルヒドロキシエチルピペラジン ＢＡＰＰ：ビスアミノプロピルピペラジン ＡＥＰ：Ｎ−アミノエチルピペラジン Ｍ：モルホリン ＭＭ：Ｎ−メチルモルホリン ＨＥＭ：ヒドロキシエチルモルホリン ＡＥＭ：アミノエチルモルホリン ＡＰＭ：アミノプロピルモルホリン ＥＤＡ：エチレンジアミン ＤＥＴＡ：ジエチレントリアミン ＴＥＴＡ：トリエチレンテトラミン ＴＥＰＡ：テトラエチレンペンタミン ＡＦ：弗化アンモニウム ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン ＤＭＩ：ジメチルイミダゾリジノン ＤＥＧ：ジエチレングリコール 実施例１〜６、比較例１〜２ 銅メッキしたウェハを、１μｍの平均粒子径を有するア
ルミナを分散させた超純水に浸漬した後、硫酸でｐＨ６
に調整した超純水で洗浄した。これを乾燥し、アルミナ
粒子で汚染されたウエハとした。このウエハを表１に示
す洗浄液に５０℃、３０分浸漬洗浄し、その後水洗、乾
燥した。表面を走査型電子顕微鏡で観察し、単位面積あ
たりのアルミナ粒子数を調べた。また浸漬前後の銅の膜
厚を測定することで、銅の腐食速度を求めた。なお、表
１の洗浄液組成において、残部は水である。
【００２６】アルミナ粒子の除去性能は以下の様に評価
した。 ○：除去性良好 △：一部残存物有り ×：大部分残存していた
した。 ○：除去性良好 △：一部残存物有り ×：大部分残存していた
【００２７】
【表１】
【発明の効果】本発明の洗浄剤は、優れた洗浄能力を示
すとともに、銅を腐食しない洗浄剤として使用できる。
すとともに、銅を腐食しない洗浄剤として使用できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4H003 DA09 DA15 EA05 EB13 EB20
ED31 FA15
4K053 PA06 PA13 QA07 RA17 RA25
RA40 RA41 RA49 RA52 RA54
RA59 RA63 SA06
Claims (11)
- 【請求項１】 環状アミン及びエチレンアミン類を含ん
でなる洗浄剤。 - 【請求項２】 環状アミンが、ピペラジン類及び／又は
モルホリン類である請求項１に記載の洗浄剤。 - 【請求項３】 ピペラジン類が、一般式（１）で示され
る化合物である請求項２に記載の洗浄剤。 【化１】 - 【請求項４】 モルホリン類が、一般式（２）で示され
る化合物である請求項２に記載の洗浄剤。 【化２】 - 【請求項５】 ピペラジン類が、ピペラジン、Ｎ−メチ
ルピペラジン、Ｎ，Ｎ'−ジメチルピペラジン、ヒドロ
キシエチルピペラジン、ビス（ヒドロキシエチル）ピペ
ラジン、Ｎ−メチル−Ｎ'−ヒドロキシエチルピペラジ
ン、ヒドロキシプロピルピペラジン、ビス（ヒドロキシ
プロピル）ピペラジン、Ｎ−メチル−Ｎ'−ヒドロキシ
プロピルピペラジン、アミノエチルピペラジン、アミノ
プロピルピペラジン、Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−トリメチルアミノ
エチルピペラジン、ビス（アミノエチル）ピペラジン、
ビス（アミノプロピル）ピペラジンから成る群より選ば
れる少なくとも一種である請求項２又は請求項３に記載
の洗浄剤。 - 【請求項６】 モルホリン類が、モルホリン、Ｎ−メチ
ルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、ヒドロキシエチ
ルモルホリン、ヒドロキシプロピルモルホリン、アミノ
エチルモルホリン、アミノプロピルモルホリン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノエチルモルホリンから成る群より選ば
れる少なくとも一種である請求項２又は請求項４に記載
の洗浄剤。 - 【請求項７】 エチレンアミン類が、エチレンジアミ
ン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、
テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン
から成る群より選ばれる少なくとも一種である請求項１
に記載の洗浄剤。 - 【請求項８】 フッ化物イオンを添加することを特徴と
する請求項１〜７のいずれかに記載の洗浄剤。 - 【請求項９】 半導体デバイスの洗浄に用いる請求項１
〜請求項８のいずれかに記載の洗浄剤。 - 【請求項１０】 半導体デバイスが、銅配線を有する半
導体デバイスである請求項９に記載の洗浄剤。 - 【請求項１１】 銅の洗浄に用いることを特徴とする請
求項１〜９のいずれか１項に記載の洗浄剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002101532A JP4304909B2 (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002101532A JP4304909B2 (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003292993A true JP2003292993A (ja) | 2003-10-15 |
| JP4304909B2 JP4304909B2 (ja) | 2009-07-29 |
Family
ID=29241861
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002101532A Expired - Fee Related JP4304909B2 (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4304909B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336342A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Tosoh Corp | 洗浄用組成物 |
| SG127840A1 (en) * | 2005-05-19 | 2006-12-29 | Epoch Material Co Ltd | Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080306 |
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| A072 | Dismissal of procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 Effective date: 20080715 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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| A521 | Written amendment |
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| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 3 |
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| A521 | Written amendment |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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