CN101134930B - 含有铜特异的防腐剂、用于清洗半导体衬底上的无机残余物的水性清洗组合物 - Google Patents

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Abstract

半导体晶片清洗剂，含有1-21重量％氟化物源，20-55重量％有机胺，0.5-40重量％含氮成分如含氮羧酸或亚胺，23-50重量％水，以及0-21重量％金属螯合剂。该清洗剂用于从抗蚀剂的等离子体灰化步骤后的晶片上除去残余物，例如从含有精细的铜互连结构的半导体晶片上除去无机残余物。

Description

含有铜特异的防腐剂、用于清洗半导体衬底上的无机残余物的水性清洗组合物
本申请是于2002年3月27日提交，并于2003年9月25日进入国家阶段的申请号为02807236.7，发明名称为“含有铜特异的防腐剂、用于清洗半导体衬底上的无机残余物的水性清洗组合物”的PCT申请(PCT/US02/09401)的分案。
相关申请
本申请要求1997年8月29日提交的美国专利申请08/924,021号的权益，而后一申请要求1997年4月25日提交的美国临时专利申请60/044,824号和1997年1月9日提交的美国临时专利申请60/034,194的优先权。另外，本申请要求1997年8月29日提交的在先美国专利申请08/924,021号的优先权并重复了其实质性部分。由于该申请中的一个发明人是该在先申请的发明人之一，因此该申请构成了该在先申请的部分连续内容。该申请通过引用将1997年8月29日提交的在先美国专利申请08/924,021号、1997年4月25日提交的美国临时专利申请60/044,824和1997年1月9日提交的美国临时专利申请60/034,194合并在内。
发明领域
本发明总的涉及用于半导体制造的化学剂(Chemicalformulations)，特别涉及用于在抗蚀剂等离子体灰化步骤后从晶片上除去残余物的化学剂。更具体地，本发明涉及用于从具有精细铜互连结构的半导体晶片上除去无机残余物的清洗剂。
现有技术描述
现有技术教导抗蚀剂等离子体灰化步骤后利用各种化学剂除去残余物并清洗晶片。某些现有技术的化学剂包括碱性组合物，含有胺类和/或四烷基氢氧化铵、水和/或其它溶剂，以及螯合剂。另外的化学剂基于含有氟化铵的酸性至中性溶液。
多种现有技术的化学剂存在缺点，包括不需要地除去金属或绝缘层以及腐蚀需要的金属层，特别是铜或铜合金部件(feature)。一些现有技术的化学剂利用防腐添加剂防止清洗过程中不希望的铜金属腐蚀。但是，常规防腐添加剂通常对清洗过程存在有害作用，因为这样的添加剂与残余物相互作用并抑制这样的残余物溶入清洗液中。另外，常规添加剂在清洗过程结束后不易从铜表面冲洗掉。因此这样的添加剂留在需要清洗的表面上，并且导致集成电路的污染。集成电路的污染可能不利地增加受污染区域的电阻并引起电路内不可预见的导电故障。
用于高级集成电路制造如铜和钨互连材料的CMP后清洗剂包括浆料去除和残余物溶解成分，它们加速物理清洗过程。但是，这些常规添加剂通常因增加电阻和腐蚀灵敏度而对金属表面存在有害作用。
因此，本发明的一个目的是提供抗蚀剂灰化步骤后有效除去残余物的化学剂，该化学剂不侵蚀及潜在劣化意欲留在晶片上的精细结构。
本发明的另一个目的是用改良的防腐剂代替常规添加剂，以保护半导体衬底上的铜结构。
本发明的另一个目的是提供改良的防腐剂，在残余物去除过程结束后其易于由水或其它冲洗介质从衬底上冲洗掉，从而减少集成电路污染。
从随后的公开内容及权利要求书，本发明的其它目的和优点将显而易见。
发明概述
本发明总的涉及用在半导体制造中，在抗蚀剂等离子体灰化步骤后从晶片上除去残余物的化学剂。
一方面，本发明涉及在晶片上进行抗蚀剂等离子体灰化步骤后从晶片上除去残余物的方法，包括将晶片与清洗剂接触，该清洗剂包括(i)氟化物源，(ii)至少一种有机胺，(iii)含氮羧酸或亚胺，(iv)水，以及可选的至少一种金属螯合剂。
本发明的另一方面涉及晶片清洗剂，包括(i)氟化物源，(ii)至少一种有机胺，(iii)含氮羧酸或亚胺，(iv)水，以及可选的至少一种金属螯合剂。
本发明再一方面涉及半导体晶片清洗剂，用在等离子体灰化半导体制造后，以如下所述的重量百分比(基于清洗剂的总重量)范围包括下面的成分：
氟化物源，如氟化铵和/或其衍生物          1-21％
有机胺                                   20-55％
选自含氮羧酸和亚胺的含氮成分             0.5-40％
水                                       23-50％
金属螯合剂                               0-21％
总计                                     100％
本发明的这样的清洗剂有效除去等离子体灰化步骤后的无机残余物。
这样的清洗剂也有效除去等离子体灰化后的金属卤化物和金属氧化物残余物，并有效除去CMP(化学机械抛光)后残留的氧化铝和其它氧化物的浆粒(slurry particle)。
本发明的清洗剂提供比含有氟化铵或胺的清洗剂更好的去膜性能以及更少的腐蚀性。本发明的清洗剂还在比常规的含胺清洗剂更低的处理温度下，提供比常规的含胺清洗剂更好的去膜性能(strippingproperty)。
本发明的清洗剂利用螯合剂，它可以是单组分螯合剂或多组分螯合剂，用来防止金属腐蚀及增加去膜效力。
本发明的其它特征和优点可从随后的公开内容及权利要求书获得。
附图简述
图1为示意表示可用在本发明的广泛实践中的铜特异防腐剂，它在铜金属上形成保护层防止腐蚀；
图2为示意表示正由去离子水从铜表面上冲洗的铜特异防腐剂；
图3描绘本发明的与表面相互作用的清洗成分；
图4说明本发明的清洗剂可用于除去残余物和粒子；
图5提供表现从浸渍过程得到的结果的SEM照片；
图6说明互连材料上的材料腐蚀速度。
优选实施方案详述
本发明的清洗剂适于除去来源于高密度等离子腐蚀及随后的含氧等离子体灰化的无机晶片残余物。这样的清洗剂也适于除去CMP(化学机械抛光)后残留的氧化铝和其它氧化物的浆粒。
该清洗剂有利地含有(i)氟化物源，如氟化铵和/或氟化铵衍生物，(ii)胺或胺混合物，(iii)含氮羧酸或亚胺，(iv)水，以及可选的且优选的(v)一种或多种金属螯合剂。
此处使用的氟化物源是指在水性清洗剂中提供氟阴离子的化合物或化合物的混合物。
优选的清洗剂以下面所示的重量百分比(基于清洗剂的总重量)范围含有下面的成分：
氟化物源                                   1-21％
有机胺                                     20-55％
选自含氮羧酸和亚胺的含氮成分               0.5-40％
水                                         23-50％
金属螯合剂                                 0-21％
总计                                       100％
上述清洗剂的成分可以是任何类型或种类，这一点本领域的普通技术人员可以理解。清洗剂各成分的具体的示例及优选清洗剂成分如下所述。
具体优选的胺包括下列物质：
二乙二醇胺(DGA)
甲基二乙醇胺(MDEA)
五甲基二乙撑三胺(PMDETA)
三乙醇胺(TEA)
三乙撑二胺(TEDA)
也很有利的其它胺包括：
六甲撑四胺
3，3-亚氨基双(N，N-二甲基丙胺)
单乙醇胺
具体的优选的氟化物源包括：
氟化铵
氟化三乙醇铵(TEAF)
也很有利的其它氟化物源包括：
氟化二乙二醇铵(DGAF)
氟化四甲基铵(TMAF)
三乙胺三(氟化氢)(TREAT-HF)
具体优选的含氮羧酸和亚胺包括：
亚氨基二乙酸
甘氨酸
次氮基三乙酸
1，1，3，3-四甲基胍
可用于本发明的清洗剂的也很有利的其它含氮羧酸或亚胺包括：
CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2
CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2
CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3
(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2
HOOCCH2N(CH3)2
HOOCCH2N(CH3)CH2COOH
具体优选的金属螯合剂包括：
乙酰乙酰胺
氨基甲酸铵
吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(APDC)
丙二酸二甲酯
乙酰乙酸甲酯
N-甲基乙酰乙酰胺
2，4-戊二酮
硫代苯甲酸四甲基铵
三氟乙酸四甲基铵
四甲基秋兰姆二硫化物(TMTDS)
如上所述，氟化铵或取代的氟化物源与胺(作为表面活性剂的胺以外的胺，量为1％以下)的组合提供比仅含有氟化铵或胺更好的去膜性能及更小的腐蚀性。另外，所得的碱性溶液在比常规的含胺清洗剂更低的处理温度(例如，21-40℃)下也是有效的。
含氮羧酸和/或亚胺的存在使本发明的清洗剂在从含有精细铜结构的半导体衬底表面上除去残余物方面极为有效。
含氮羧酸或亚胺提供被自由铜原子特异吸引的官能团。如图1的示意图所示，铜特异的防腐剂C在残余物去除过程中与铜表面接触，将被吸引到铜表面并形成保护层，防止铜表面被清洗剂A+和X-所腐蚀。
另外，如图2所示，这样的铜特异的防腐剂C可容易地用去离子水或其它溶液冲洗掉，因此清洗作业后对铜表面的污染极少。
使用1，3-二羰基化合物作为螯合剂及防止金属腐蚀是本发明的清洗剂的一个优选特征，能够增加其效力。
在各种现有技术的清洗剂中，作为表面活性剂的胺的量为清洗剂的1％或更低，或根本不作为清洗剂成分使用。另外，现有技术的清洗剂本质上为酸性(pH<7)。在本发明的优选清洗剂中，胺作为清洗剂的主要成分存在，在去膜作用方面极为有效，并且产生碱性pH性质(pH>7)的清洗剂。
本发明的清洗剂可以含有那些示例说明的以外的很多种有机胺、取代的氟化铵、和含氮羧酸。具体的适合的取代的氟化铵包括由通式R1R2R3R4NF表示的那些，式中各个R独立地选自氢和脂肪基。适合的含氮羧酸包括由通式COOH-CH2-NRR’表示的那些，式中R和R’各自独立地选自氢、烷基、芳基和羧酸部分。适合的金属螯合剂包括通式为X-CHR-Y的1，3-二羰基化合物。在该式表示的化合物中，R为氢原子或脂肪基如C1-C8烷基、芳基、烯基等。X和Y可以相同或不同，为含有具有吸电子性质的多键合部分的官能团，如CONH2、CONHR’、CN、NO2、SOR’、或SO2Z，其中R’表示C1-C8烷基，Z表示另一个原子或基团，例如氢、卤素或C1-C8烷基。
可用于本发明的组合物中的其它螯合剂种类包括通式R1R2R3R4N+-O2CCF3表示的三氟乙酸铵，其中各个R独立地选自氢和脂肪基，例如C1-C8烷基、芳基、烯基等。
根据本发明的指定最终用途的应用或需要，本发明的清洗剂可任选含有下列成分：表面活性剂、稳定剂、防腐剂、缓冲剂和共溶剂。
本发明的清洗剂对用含氯或含氟等离子体进行了腐蚀，然后进行了氧等离子体灰化的晶片特别有用。这种处理过程产生的残余物通常含有金属氧化物。如果不腐蚀有效的器件性能所需的金属和氮化钛部件，这样的残余物通常难以完全溶解。
本发明的特征和优点通过下面的非限制实施例将更充分地展示。实施例1
在两种不同的碱性清洗剂中试验了含有含氮羧酸或亚胺的铜特异的防腐剂，各清洗剂的成分和性质如下。
表1
Figure S071E7183X20070910D000091
通过标准四点探针技术测定了铜腐蚀速度。本发明的防腐剂的加入显著减慢了铜腐蚀速度，如下表所示，并且有效地防止了清洗过程中不需要的腐蚀：
表2
Figure S071E7183X20070910D000092
实施例2
对含有亚氨基二乙酸防腐剂的清洗剂2进行了污染试验。被清洗的半导体晶片含有铜和硅膜。清洗作业结束后，用25℃的去离子水冲洗晶片约15分钟。得到的二次离子质谱法数据(SIMS)如下所示：
上面的结果说明通过清洗过程铜氧化物CuxO已被有效除去，而主要由清洗剂中的有机防腐剂引起的碳污染已大大减少。
在CMP后从金属表面如铜或钨清洗硅氧化物或铝氧化物粒子的组合物中，本发明利用稀释的碱性氟化物。图3描述了本发明的清洗成分如何与表面相互作用。具体地，图3描述了CMP过程后，碱性氟化物30和螯合剂32溶解无机氧化物残余物34。
图4说明了本发明所教导的清洗剂可用来除去铜表面44上的残余物40和粒子42。在图4中，粒子42和残余物40附着在金属表面44以及电介质表面46上。粒子42和残余物40在CMP过程后可能残留。本发明的化学溶液削弱残余物与表面间的吸引力，以及溶解铜和钨氧化物和卤氧化物。
发现对从金属表面上清洗残余物和浆粒方面有效的清洗剂通常具有约7至约9的pH值。这些清洗剂一般为水溶液，含有氟化物源、有机胺和金属螯合剂。单一成分通常构成占清洗剂的约0.1-约4.2％的氟化物源和/或其衍生物。氟化物源可以包括氟化铵、氟化三乙醇铵(TEAF)、氟化二乙二醇铵(DGAF)、氟化四甲基铵(TMAF)、二氟化铵或本领域的技术人员已知的其它这样的氟化物源。有机胺或两种胺的混合物通常占本发明的清洗剂的约2％至约11％，其中有机胺可以是本领域的技术人员已知的许多这样的有机胺的一种，包括甲基二乙醇胺、五甲基二乙撑三胺(PMDETA)、三乙醇胺(TEA)、单乙醇胺、和二乙二醇胺。金属螯合剂或螯合剂混合物通常占清洗剂的约0至约4.2％。典型的金属螯合剂包括：亚氨基二乙酸、2，4-戊二酮、三氟乙酸甲基二乙醇铵、氨基甲酸铵、吡咯烷二硫代氨基甲酸铵、乳酸铵、丙二酸或本领域的技术人员已知的其它类似的试剂。
几个有代表性的清洗剂例子为：
a.三乙醇胺                4.5％
氟化铵                    0.5％
水                        95％
b.PMDETA                  3.8-4.5％
氟化铵                    0.5％
2，4-戊二酮               1％
水                        94-94.7％
c.TEA                     1.7％
PMDETA                    1.5％
TEAHF                     2％
亚氨基二乙酸              0.4％
二氟化铵                  0.5％
水                        93.9％
d.TEA                     3.5％
PMDETA                    1.5％
2，4-戊二酮               1.35％
氟化铵                    1.2％
水                        92.45％
e.TEA                     7％
PMDETA                    3％
2，4-戊二酮               2.7％
氟化铵                    2.4％
水                  84.9％
可以把晶片浸入化学溶液中或化学剂可以通过喷雾或通过刷洗系统涂布到晶片表面上。图5描述了表示通过标准浸渍过程所得结果的SEM。具体地，图5描述了氧化铝浆CMP和30℃下浸入清洗剂c中10分钟后的钨塞。另外，对暴露材料的选择性可以由腐蚀速度数据来说明。图6和表3说明了在包括电镀铜膜的互连材料上的材料腐蚀速度。
Figure S071E7183X20070910D000121
尽管参照具体的特征、方面、和实施方案说明了本发明，将可以理解本发明不因此受到限制。因此，本发明可以相应地在多种组成、相应的成分变化、以及最终用途中得以体现。因此，本发明应理解在以下请求的本发明的精神和范围的所有这样的变化、改进和替代实施方案。

Claims (32)

1.一种半导体晶片清洗剂，包括(i)1-21％的氟化物源，(ii)20-55％的至少一种有机胺，(iii)0.5-40％的选自含氮羧酸或亚胺的含氮成分，(iv)23-50％的水，和任选0-21％的至少一种金属螯合剂，其中所述的氟化物源选自氟化铵、二氟化铵和氟化三乙醇铵。
2.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的氟化物源是氟化铵。
3.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的有机胺包括选自下列的胺：
二乙二醇胺，
甲基二乙醇胺，
五甲基二乙撑三胺，
三乙醇胺，和
三乙撑二胺。
4.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的含氮成分包括选自下列的物质：
亚氨基二乙酸；
甘氨酸；
次氮基三乙酸；和
1，1，3，3-四甲基胍。
5.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其含有选自下列的至少一种金属螯合剂：
乙酰乙酰胺，
氨基甲酸铵，
吡咯烷二硫代氨基甲酸铵，
丙二酸二甲酯，
乙酰乙酸甲酯，
N-甲基乙酰乙酰胺，
2，4-戊二酮，
硫代苯甲酸四甲基铵，
三氟乙酸四甲基铵，和
四甲基秋兰姆二硫化物。
6.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的有机胺包括选自下列的胺：
二乙二醇胺，
甲基二乙醇胺，
五甲基二乙撑三胺，
三乙醇胺，
三乙撑二胺，
六甲撑四胺，
3，3-亚氨基双(N，N-二甲基丙胺)，和
单乙醇胺。
7.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的含氮成分包括选自下列的物质：
亚氨基二乙酸，
甘氨酸，
次氮基三乙酸，
1，1，3，3-四甲基胍，
CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，
CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，
CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，
(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，
HOOCCH2N(CH3)2，和
HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
8.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中
所述的有机胺包括选自下列的物质：
二乙二醇胺，
甲基二乙醇胺，
五甲基二乙撑三胺，
三乙醇胺，
三乙撑二胺，
六甲撑四胺，
3，3-亚氨基双(N，N-二甲基丙胺)，和
单乙醇胺；
所述的含氮成分包括选自下列的物质：
亚氨基二乙酸，
甘氨酸，
次氮基三乙酸，
1，1，3，3-四甲基胍，
CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，
CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，
CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，
(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，
HOOCCH2N(CH3)2，和
HOOCCH2N(CH3)CH2COOH；
以及所述清洗剂包括金属螯合剂，所述的金属螯合剂包括选自下列的物质：
乙酰乙酰胺，
氨基甲酸铵，
吡咯烷二硫代氨基甲酸铵，
丙二酸二甲酯，
乙酰乙酸甲酯，
N-甲基乙酰乙酰胺，
2，4-戊二酮，
硫代苯甲酸四甲基铵，
三氟乙酸四甲基铵，和
四甲基秋兰姆二硫化物。
9.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的氟化物源包括具有通式R1R2R3R4NF的化合物，其中各个R基团是氢，以及其中所述的清洗剂含有由下式表示的金属螯合剂：
X-CHR-Y，其中
R为氢或C1-C8烷基，芳基或烯基，以及
X和Y为含有具有吸电子性质的多键合部分的官能团。
10.权利要求9的半导体晶片清洗剂，其中X和Y各自独立地选自CONH2、CONHR’、CN、NO2、SOR’、和SO2Z，其中R’为烷基，Z为氢、卤素或C1-C8烷基。
11.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的氟化物源包括具有式R1R2R3R4NF的化合物，其中各个R为氢，以及其中所述的清洗剂含有式为R1R2R3R4N+-O2CCF3的金属螯合剂，其中各个R基团独立地为氢，C1-C8烷基，芳基或烯基。
12.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的含氮成分包括式COOH-CH2-NRR’的化合物，
其中R和R’各自独立地选自氢、烷基、芳基和羧酸。
13.在对半导体晶片进行抗蚀剂等离子体灰化步骤之后从所述晶片上除去残余物的方法，包括将晶片与清洗剂接触，所述清洗剂包括(i)1-21％的氟化物源，(ii)20-55％的至少一种有机胺，(iii)0.5-40％的选自含氮羧酸或亚胺的含氮成分，(iv)23-50％的水，和任选0-21％的至少一种金属螯合剂，其中所述的氟化物源选自氟化铵、二氟化铵和氟化三乙醇铵。
14.权利要求13的方法，其中所述的氟化物源是氟化铵。
15.权利要求13的方法，其中所述的有机胺包括选自下列的胺：
二乙二醇胺，
甲基二乙醇胺，
五甲基二乙撑三胺，
三乙醇胺，和
三乙撑二胺。
16.权利要求13的方法，其中所述的含氮成分包括选自下列的物质：
亚氨基二乙酸；
甘氨酸；
次氮基三乙酸；和
1，1，3，3-四甲基胍。
17.权利要求13的方法，其含有选自下列的至少一种金属螯合剂：
乙酰乙酰胺，
氨基甲酸铵，
吡咯烷二硫代氨基甲酸铵，
丙二酸二甲酯，
乙酰乙酸甲酯，
N-甲基乙酰乙酰胺，
2，4-戊二酮，
硫代苯甲酸四甲基铵，
三氟乙酸四甲基铵，和
四甲基秋兰姆二硫化物。
18.权利要求13的方法，其中所述的有机胺包括选自下列的胺：
二乙二醇胺，
甲基二乙醇胺，
五甲基二乙撑三胺，
三乙醇胺，
三乙撑二胺，
六甲撑四胺，
3，3-亚氨基双(N，N-二甲基丙胺)，和
单乙醇胺。
19.权利要求13的方法，其中所述的含氮成分包括选自下列的物质：
亚氨基二乙酸，
甘氨酸，
次氮基三乙酸，
1，1，3，3-四甲基胍，
CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，
CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，
CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，
(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，
HOOCCH2N(CH3)2，和
HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
20.权利要求13的方法，其中
所述的有机胺包括选自下列的物质：
二乙二醇胺，
甲基二乙醇胺，
五甲基二乙撑三胺，
三乙醇胺，
三乙撑二胺，
六甲撑四胺，
3，3-亚氨基双(N，N-二甲基丙胺)，和
单乙醇胺；
所述的含氮成分包括选自下列的物质：
亚氨基二乙酸，
甘氨酸，
次氮基三乙酸，
1，1，3，3-四甲基胍，
CH3C(＝NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，
CH3C(＝NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2，
CH3C(＝NH)CH2C(O)CH3，
(CH3CH2)2NC(＝NH)N(CH3CH2)2，
HOOCCH2N(CH3)2，和
HOOCCH2N(CH3)CH2COOH；
以及所述的清洗剂包括金属螯合剂，所述金属螯合剂包括选自下列的物质：
乙酰乙酰胺，
氨基甲酸铵，
吡咯烷二硫代氨基甲酸铵，
丙二酸二甲酯，
乙酰乙酸甲酯，
N-甲基乙酰乙酰胺，
2，4-戊二酮，
硫代苯甲酸四甲基铵，
三氟乙酸四甲基铵，和
四甲基秋兰姆二硫化物。
21.权利要求13的方法，其中所述的氟化物源包括具有通式R1R2R3R4NF的化合物，其中各个R基团是氢，
以及其中所述的清洗剂含有由下式表示的金属螯合剂：
X-CHR-Y，其中
R为氢，C1-C8烷基，芳基或烯基，以及
X和Y为含有具有吸电子性质的多键合部分的官能团。
22.权利要求21的方法，其中X和Y各自独立地选自CONH2、CONHR’、CN、NO2、SOR’、和SO2Z，其中R’为烷基，Z为氢、卤素或C1-C8烷基。
23.权利要求13的方法，其中所述的氟化物源包括具有式R1R2R3R4NF的化合物，其中各个R基团为氢，以及其中所述的清洗剂含有式为R1R2R3R4N+-O2CCF3的金属螯合剂，其中各个R基团独立地为氢，C1-C8烷基，芳基或烯基。
24.权利要求13的方法，其中所述的含氮成分包括式COOH-CH2-NRR’的化合物，
其中R和R’各自独立地选自氢、烷基、芳基和羧酸。
25.制作半导体晶片的方法，包括下列步骤：在对所述晶片进行抗蚀剂等离子体灰化步骤之后从所述晶片上除去残余物，其中使用权利要求1的清洗剂除去所述残余物。
26.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中氟化物源包括氟化三乙醇铵。
27.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中氟化物源包括二氟化铵。
28.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中含氮成分包括亚氨基二乙酸。
29.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中有机胺包括三乙醇胺。
30.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中有机胺包括五甲基二乙撑三胺。
31.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中有机胺包括甲基二乙醇胺。
32.权利要求1的半导体晶片清洗剂，包括三乙醇胺，五甲基二乙撑三胺，氟化三乙醇铵，亚氨基二乙酸，二氟化铵和水。
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