JP4091433B2 - １，３−ジカルボニル化合物を含む半導体ストリッピング組成物 - Google Patents

１，３−ジカルボニル化合物を含む半導体ストリッピング組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP4091433B2
JP4091433B2 JP2002558561A JP2002558561A JP4091433B2 JP 4091433 B2 JP4091433 B2 JP 4091433B2 JP 2002558561 A JP2002558561 A JP 2002558561A JP 2002558561 A JP2002558561 A JP 2002558561A JP 4091433 B2 JP4091433 B2 JP 4091433B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
cleaning formulation
compound selected
carboxylic acid
nitrogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002558561A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004527105A (ja
JP2004527105A5 (ja
Inventor
ウィリアム・エイ・ウォジチャク
ファティマ・マ・セイジョ
デイビッド・バーンハード
ロン・ヌグイエン
Original Assignee
アドバンスト テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アドバンスト テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド filed Critical アドバンスト テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド
Publication of JP2004527105A publication Critical patent/JP2004527105A/ja
Publication of JP2004527105A5 publication Critical patent/JP2004527105A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4091433B2 publication Critical patent/JP4091433B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2072—Aldehydes-ketones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/264—Aldehydes; Ketones; Acetals or ketals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/266—Esters or carbonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3245—Aminoacids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3263—Amides or imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3272—Urea, guanidine or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5009—Organic solvents containing phosphorus, sulfur or silicon, e.g. dimethylsulfoxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
    • C23G5/02—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

関連出願の相互参照
本出願は、１９９７年１２月２３日に出願され、米国を指定国として指定している国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ９７／２３９１７に基づき、その優先権を主張して、１９９９年８月２０日に出願された米国特許出願第０９／３３１５３７号の一部継続出願である。
発明の背景
（発明の分野）
本発明は一般に、半導体ウエハの製造に有用な化学配合物に関し、特にレジストプラズマアッシング工程の後にウエハから残渣を除去するのに利用される化学配合物に関する。より具体的には、本発明は、精密な銅の相互接続（または相互配線もしくはインターコネクト）構造を含む半導体ウエハから、無機残渣を除去するための洗浄配合物に関する。
（従来技術の説明）
レジストのアッシング（または灰化；ashing）工程の後に残渣を除去し、ウエハを清浄にするために、種々の化学配合物が常套的に採用されている。これらの化学配合物の幾つかには、アミンおよび／またはテトラアルキル水酸化アンモニウム、水および／または他の溶媒、ならびにキレート化剤を含むアルカリ性組成物が含まれる。そのような配合物は、金属または絶縁層の好ましくない除去、および望ましい金属層、特に銅または銅合金の主要部の侵食の促進を含む欠点を伴っていた。
そのような配合物の幾つかは、腐食防止添加剤を採用して、洗浄プロセス中の望ましくない銅金属の腐食を防止している。しかしながら、常套の腐食防止添加剤は、一般には、洗浄プロセスに不利な影響を及ぼす。なぜならば、そのような添加剤は、残渣と相互作用して、当該残渣が洗浄流体中に溶解することを阻害するからである。さらに、常套の添加剤は、洗浄プロセスが終了した後、銅表面から容易に濯ぎ落とされず、それらの存在は、集積回路の汚染（またはコンタミネーション）を招く。集積回路の汚染は、汚染された領域の電気抵抗を不利に上昇させ、予想できない導電不良を回路内で引き起こすであろう。
したがって、本発明の目的は、レジストアッシング工程の後に残渣を効果的に除去する化学配合物を提供することである。
別の目的は、ウエハに残存する精密な金属構造体を攻撃せず、また潜在的に劣化させないウエハの洗浄配合物を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、残渣除去プロセスが完了した後に、水または他の濯ぎ媒体で容易に濯ぎ落とされ、それによりウエハ基板上の集積回路の汚染を減少させる組成物の形態で、半導体基板上の銅構造体を保護するための改良された腐食防止剤を含むウエハ洗浄配合物を提供することである。
本発明の他の目的および利点は、以下の開示および添付の請求の範囲から十分に明らかになるであろう。
発明の概要
本発明は、例えばプラズマアッシング後の半導体製造において、半導体ウエハの洗浄に有用な半導体ウエハ洗浄配合物に関する。
１つの要旨において、本発明は、ウエハのレジストプラズマアッシング工程の後に、ウエハから残渣を除去する方法であって、ウエハを、（ｉ）有機アミン、（ii）水、（iii）窒素含有カルボン酸またはイミン、（iv）1,3-ジカルボニルキレート化化合物、（ｖ）極性有機溶媒、および必要に応じて（vi）少なくとも１つの他の金属キレート化剤を含む洗浄配合物と接触させることを含む方法に関する。
本発明の別の要旨は、（ｉ）有機アミン、（ii）水、（iii）窒素含有カルボン酸またはイミン、（iv）1,3-ジカルボニルキレート化化合物、（ｖ）極性有機溶媒、および必要に応じて（vi）少なくとも１つの他の金属キレート化剤を含むウエハ洗浄配合物に関する。
さらに別の要旨において本発明は、プラズマアッシング後の半導体製造において使用するための半導体ウエハ洗浄配合物であって、下記の成分を、（配合物の全重量を基準として）下記に示す重量％の範囲で含む配合物に関する。
Figure 0004091433
本発明の配合物は、プラズマアッシング工程の後で、無機残渣、特に金属ハロゲン化物および金属酸化物残渣を有効に除去する。そのような配合物はまた、それらが使用されている間、半導体ウエハ上の銅金属構造体の望ましくない腐食または除去を有意に減少させる。
加えて、本発明の配合物は、残渣除去プロセスの後の汚染をより少なくし、したがって最終的に得られるマイクロ電子デバイス製品の質を向上させる。
本発明の他の特徴および利点は、以下の開示および添付した請求の範囲から明らかであろう。
本発明は、ウエハの無機残渣をストリッピングするのに適した配合物に関する。無機残渣は、高密度プラズマエッチングし、次いで酸素含有プラズマでアッシングすることにより生じる。
配合物は、有利には、1,3-ジカルボニル化合物および／または他の金属キレート化剤、窒素含有カルボン酸またはイミン、アミン、および水または他の溶媒を主たる成分として含む。
好ましい配合物は、下記の成分を、（配合物の全重量を基準として）下記に示す重量％の範囲で含む。
Figure 0004091433
上述の配合物の成分は、当業者に認識されるであろう、いずれの適当なタイプまたは種のものであり得る。配合物の構成成分の各々について、特定の例示的な好ましい配合物成分を、以下に説明し、特定の成分は、上述した全重量を基準とする、配合物中のその好ましい重量％濃度とともに特定される。
好ましいアミンには下記のものが含まれる。
ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ） ５−９５％、
トリエタノールアミン（ＴＥＡ） ５−９５％。
非常に好都合である他のアミンには下記のものが含まれる。
モノエタノールアミン、
ジグリコールアミン、
ジアザビシクロ（2.2.2）オクタン、
ジエチレントリアミン、
3,3'-イミノビス（N,N-ジメチルプロピルアミン）、
Ｎ−メチルイミダゾール、
テトラエチレンペンタアミン、
トリエチレンテトラアミン、
トリメトキシエトキシエチルアミン、
ジエタノールアミン、
メチルジエタノールアミン、
テトラメチルヘキサンジアミン、
N,N-ジエチルエタノールアミン。
特定の好ましい1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤には下記のものが含まれる。
2,4-ペンタンジオン ２−９０％、
N,N-ジメチルアセトアセトアミド ２−９０％、
アセト酢酸メチル １５−７０％、
ジメチルマロネート １０−４８．３％。
非常に好都合である他の1,3-ジカルボニル化合物には下記のものが含まれる。
Ｎ−メチルアセトアセトアミド、
アセトアセトアミド、
マロンアミド。
好ましい窒素含有カルボン酸またはイミンには下記のものが含まれる。
イミノ二酢酸 ０．５−２．５％、
グリシン ０．５−２．５％、
ニトリロ三酢酸 ０．５−２．５％、
1,1,3,3-テトラメチルグアニジン ０．５−２．５％。
非常に好都合である他の好ましい窒素含有カルボン酸またはイミンには下記のものが含まれる。
CH3C(=NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、
CH3C(=NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、
CH3C(=NH)CH2C(O)CH3、
(CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2、
HOOCCH2N(CH3)2、
HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
好ましい溶媒には下記のものが含まれる。
水 ０−５０％、
エチレングリコール ０−７４％、
Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ） ０−４９％、
スルホラン ０−１０％。
本発明の配合物のいくつかにおいて、適宜用いられる好ましい二次的な又は代替のキレート化剤には下記のものが含まれる。
ピロリジンジチオカルバミド酸アンモニウム ０−２５％、
カルバミド酸アンモニウム ０−１５％、
シュウ酸アンモニウム ０−１５％、
チオシアン酸アンモニウム ０−１５％、
チオ硫酸アンモニウム ０−１５％、
トリフルオロ酢酸 ０−１２％。
1,3-ジカルボニル化合物および／または他の金属キレート化剤を含む配合物をアミンおよび溶媒と組み合わせて利用することは、技術の独特な改善が実現されることを可能にする。本発明の配合物は、より良好なストリッピング性能を提供し、また、カテコール、アミンおよび溶媒を含む常套のウエハストリッピング配合物よりも腐食性が少ない。
窒素含有カルボン酸またはイミンの添加は、本発明の別の有利な改良点である。窒素含有カルボン酸またはイミンは、自由な銅原子に特に引き付けられる官能基を有する。図１に示されるように、残基除去プロセスの間、銅表面と接触する銅特異的な（または銅に有効な）腐食防止剤Ｃは、銅表面に付着して保護層を形成して、銅表面が洗浄剤Ａ＋およびＸ−によって腐食されるのを防止する。さらに、図２に示すように、そのような銅特異的な腐食防止剤Ｃは、脱イオン水または他の濯ぎ媒体で容易に濯ぎ落とすことができ、したがって、洗浄操作が終了した後の銅表面の汚染を非常に少なくする。
本発明の配合物は、具体的に例示したもの以外にも、種々の溶媒、有機アミン、キレート化剤、および窒素含有カルボン酸またはイミンを含んでよい。特に、1,3-ジカルボニル化合物および適当な性質を有する関連する化合物には、下記の式の化合物が含まれる。
Figure 0004091433
 （式中、Ｒは、水素原子または脂肪族基、例えばＣ１−Ｃ８アルキル、アリール、アルケニル等であり、ＸおよびＹは、同じ又は互いに異なるものであって、電子吸引特性を有する多重結合部分を含む官能基、例えば、ＣＯＮＨ２、ＣＯＮＨＲ'、ＣＯＮＲ'Ｒ”、ＣＮ、ＮＯ２、ＳＯＲ'、またはＳＯ２Ｚ（ここで、Ｒ'およびＲ"は同じ又は異なるものであって、Ｃ１−Ｃ８アルキル基を示し、Ｚは他の原子または基、例えば水素、ハロゲン、またはＣ１−Ｃ８アルキル基を示す）である。）
本発明の一般的な実施において有用性を有する追加の窒素含有カルボン酸には、下記の式の化合物が含まれる。
Figure 0004091433
 （式中、ＲおよびＲ’の各々は、独立して、水素、アルキル、アリールおよびカルボン酸から成る群から選択される）
上記において具体的に言及したもの以外のカルバミド酸塩およびジアルキルジチオカルバミド酸塩を、本発明の一般的な実施において、キレート化剤として使用してよい。
種々の他の極性有機溶媒を、例えば単独で又は水と混合して使用してよい。
本発明の配合物は、本発明の配合物の所定の最終用途において、有用な又は望ましいものとして、界面活性剤、安定剤、腐食防止剤、緩衝剤および補助溶剤のような成分をもまた適宜含んでよい。
本発明の配合物は、塩素またはフッ素を含むプラスマでエッチングされ、続いて酸素プラズマアッシングされたウエハについて、特に有用である。このタイプの加工により生じる残渣は、一般的に酸化金属を含む。有効なデバイス性能に必要とされる金属の主要部の腐食を引き起こすことなく、これらの残渣が完全に溶解することはしばしば困難である。
本発明の特徴および利点は、下記の非制限的な実施例によってより十分に示される。
窒素含有カルボン酸およびイミンのうちどちらかが含まれる銅特異的な腐食防止剤を、下記の成分および特性を有する、２つの異なるタイプのアルカリ性洗浄配合物中で試験した。
Figure 0004091433
銅エッチ速度は、標準の四点プローブ法によって決定した。本発明に従って腐食防止剤を添加することによって、銅エッチ速度が下記の表に示すように有意に低下し、洗浄プロセスの間の望ましくない腐食が有効に防止された。
Figure 0004091433
汚染試験を、イミノ二酢酸防止剤（またはインヒビター）を含む配合物２について実施した。洗浄すべき半導体ウエハは、銅およびシリコンフィルムを含んでいた。洗浄操作が終了した後、ウエハを２５℃の脱イオン水で約１５分間濯いだ。得られた二次イオン質量分光分析（ＳＩＭＳ）データは下記のとおりである。
Figure 0004091433
上記の結果は、酸化銅ＣｕｘＯが洗浄プロセスによって有効に除去され、一方、洗浄配合物中の有機腐食防止剤によって主に引き起こされる炭素による汚染が著しく減少したことを示している。
本発明を、特定の特徴、要旨、および態様を参照して説明したが、本発明はそのように限定されるものでないことが理解されるであろう。本発明は、従って、種々の組成物において相応じて、対応する成分のバリエーションおよび最終用途について、具現化される。したがって、ここで請求する発明の精神および範囲内において、本発明は、すべてのそのような変形例、改変物および代替の形態を包含するものであると、理解されるべきである。
図１は、本発明の一般的な実施において有用である、銅金属の上に保護層を形成して腐食を防止する銅特異的な腐食防止剤の模式図である。 図２は、脱イオン水で銅表面から濯ぎ落とされる、銅特異的な腐食防止剤の模式図である。

Claims (30)

  1. プラズマアッシング後の半導体製造において使用するための半導体ウエハ洗浄配合物であって、下記の成分を、（配合物の全重量を基準として）下記に示す重量％の範囲で含む配合物。
    Figure 0004091433
  2. 前記１または複数の有機アミンが、
    ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ） ５−９５％、
    トリエタノールアミン（ＴＥＡ） ５−９５％
    から成る群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
  3. 前記1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤が、
    2,4-ペンタンジオン ２−９０％、
    N,N-ジメチルアセトアセトアミド ２−９０％、
    アセト酢酸メチル １５−７０％、
    ジメチルマロネート １０−４８．３％
    から成る群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
  4. 前記窒素含有カルボン酸またはイミンが、
    イミノ二酢酸（ＩＤＡ） ０．５−２．５％、
    グリシン ０．５−２．５％、
    ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ） ０．５−２．５％、
    1,1,3,3-テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ） ０．５−２．５％
    から成る群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
  5. 前記極性有機溶媒が、
    エチレングリコール ０−７４％、
    Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ） ０−４９％、
    スルホラン ０−１０％
    から成る群から選択される溶媒種を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
  6. 前記追加の異なる１または複数のキレート化剤が、
    ピロリジンジチオカルバミド酸アンモニウム ０−２５％、
    カルバミド酸アンモニウム ０−１５％、
    シュウ酸アンモニウム ０−１５％、
    チオシアン酸アンモニウム ０−１５％、
    チオ硫酸アンモニウム ０−１５％、
    トリフルオロ酢酸 ０−１２％
    から成る群から選択される種を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
  7. 前記１または複数の有機アミンが、
    モノエタノールアミン、
    ジグリコールアミン、
    ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）、
    トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、
    ジアザビシクロ（2.2.2）オクタン、
    ジエチレントリアミン、
    3,3'-イミノビス（N,N-ジメチルプロピルアミン）、
    Ｎ−メチルイミダゾール、
    テトラエチレンペンタアミン、
    トリエチレンテトラアミン、
    トリメトキシエトキシエチルアミン、
    ジエタノールアミン、
    メチルジエタノールアミン、
    テトラメチルヘキサンジアミン、
    N,N-ジエチルエタノールアミン
    から成る群から選択される種を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
  8. 前記1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤が、
    2,4-ペンタンジオン、
    アセト酢酸メチル、
    ジメチルマロネート、
    Ｎ−メチルアセトアセトアミド、
    N,N-ジメチルアセトアセトアミド、
    アセトアセトアミド、
    マロンアミド
    から成る群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
  9. 前記窒素含有カルボン酸またはイミンが、
    イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、
    グリシン、
    ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）、
    1,1,3,3-テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ）、
    CH3C(=NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、
    CH3C(=NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、
    CH3C(=NH)CH2C(O)CH3、
    (CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2、
    HOOCCH2N(CH3)2、
    HOOCCH2N(CH3)CH2COOH
    から成る群から選択される、請求項１に記載の洗浄配合物。
  10. 前記１または複数の有機アミンが、
    ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ） ５−９５％、
    トリエタノールアミン（ＴＥＡ） ５−９５％
    から成る群から選択される化合物を含み、
    前記1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤が、
    2,4-ペンタンジオン ２−９０％、
    N,N-ジメチルアセトアセトアミド ２−９０％、
    アセト酢酸メチル １５−７０％、
    ジメチルマロネート １０−４８．３％
    から成る群から選択される化合物を含み、
    前記窒素含有カルボン酸またはイミンが、
    イミノ二酢酸（ＩＤＡ） ０．５−２．５％、
    グリシン ０．５−２．５％、
    ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ） ０．５−２．５％、
    1,1,3,3-テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ） ０．５−２．５％
    から成る群から選択される化合物を含み、且つ
    前記極性有機溶媒が、
    エチレングリコール ０−７４％、
    Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ） ０−４９％、
    スルホラン ０−１０％。
    から成る群から選択される溶媒種を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
  11. 下記の式で表されるキレート化剤を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
    Figure 0004091433
    （式中、Ｒは、水素原子または脂肪族基であり、ＸおよびＹは、電子吸引特性を有する多重結合部分を含む官能基である）
  12. ＸおよびＹの各々が、独立して、ＣＯＮＨ２、ＣＯＮＨＲ'、ＣＯＮＲ'Ｒ"、ＣＮ、ＮＯ２、ＳＯＲ'、およびＳＯ２Ｚ（ここで、Ｒ'およびＲ"はアルキル基であり、Ｚは水素、ハロゲン、またはアルキル基である）から選択される、請求項１１に記載の洗浄配合物。
  13. 前記窒素含有カルボン酸が下記の式を有する、請求項１に記載の洗浄配合物。
    Figure 0004091433
    （式中、ＲおよびＲ’の各々は、独立して、水素、アルキル、アリールおよびカルボン酸から成る群から選択される）
  14. 半導体ウエハを製造する方法であって、
    金属被覆層を、ウエハの表面からプラズマエッチングすること、
    ウエハの表面からレジストをプラズマアッシングすること、
    ウエハを、下記の成分を、（配合物の全重量を基準として）下記に示す重量％の範囲で含む半導体ウエハ洗浄配合物で、洗浄すること
    Figure 0004091433
    を含む工程を含む方法。
  15. 前記１または複数の有機アミンが、
    ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ） ５−９５％、
    トリエタノールアミン（ＴＥＡ） ５−９５％
    から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
  16. 前記1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤が、
    2,4-ペンタンジオン ２−９０％、
    N,N-ジメチルアセトアセトアミド ２−９０％、
    アセト酢酸メチル １５−７０％、
    ジメチルマロネート １０−４８．３％
    から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
  17. 前記窒素含有カルボン酸またはイミンが、
    イミノ二酢酸（ＩＤＡ） ０．５−２．５％、
    グリシン ０．５−２．５％、
    ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ） ０．５−２．５％、
    1,1,3,3-テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ） ０．５−２．５％
    から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
  18. 前記極性有機溶媒が、
    エチレングリコール ０−７４％、
    Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ） ０−４９％、
    スルホラン ０−１０％
    から成る群から選択される溶媒種を含む、請求項１４に記載の方法。
  19. 前記追加の異なる１または複数のキレート化剤が、
    ピロリジンジチオカルバミド酸アンモニウム ０−２５％、
    カルバミド酸アンモニウム ０−１５％、
    シュウ酸アンモニウム ０−１５％、
    チオシアン酸アンモニウム ０−１５％、
    チオ硫酸アンモニウム ０−１５％、
    トリフルオロ酢酸 ０−１２％
    から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
  20. 前記１または複数の有機アミンが、
    ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）、
    モノエタノールアミン、
    ジグリコールアミン、
    トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、
    ジアザビシクロ（2.2.2）オクタン、
    ジエチレントリアミン、
    3,3'-イミノビス（N,N-ジメチルプロピルアミン）、
    Ｎ−メチルイミダゾール、
    テトラエチレンペンタアミン、
    トリエチレンテトラアミン、
    トリメトキシエトキシエチルアミン、
    ジエタノールアミン、
    メチルジエタノールアミン、
    テトラメチルヘキサンジアミン、
    N,N-ジエチルエタノールアミン
    から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
  21. 前記1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤が、
    2,4-ペンタンジオン、
    N,N-ジメチルアセトアセトアミド、
    アセト酢酸メチル、
    ジメチルマロネート、
    Ｎ−メチルアセトアセトアミド、
    アセトアセトアミド、
    マロンアミド
    から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
  22. 前記窒素含有カルボン酸またはイミンが、
    イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、
    グリシン、
    ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）、
    1,1,3,3-テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ）、
    CH3C(=NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、
    CH3C(=NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、
    CH3C(=NH)CH2C(O)CH3、
    (CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2、
    HOOCCH2N(CH3)2、
    HOOCCH2N(CH3)CH2COOH
    から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
  23. 前記１または複数の有機アミンが、
    ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ） ５−９５％、
    トリエタノールアミン（ＴＥＡ） ５−９５％
    から成る群から選択される化合物を含み、
    前記1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤が、
    2,4-ペンタンジオン ２−９０％、
    N,N-ジメチルアセトアセトアミド ２−９０％、
    アセト酢酸メチル １５−７０％、
    ジメチルマロネート １０−４８．３％
    から成る群から選択される化合物を含み、
    前記窒素含有カルボン酸またはイミンが、
    イミノ二酢酸 ０．５−２．５％、
    グリシン ０．５−２．５％、
    ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ） ０．５−２．５％、
    1,1,3,3-テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ） ０．５−２．５％
    から成る群から選択される化合物を含み、且つ
    前記極性有機溶媒が、
    エチレングリコール ０−７４％、
    Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ） ０−４９％、
    スルホラン ０−１０％
    から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
  24. 配合物が、下記の式で表されるキレート化剤を含む、請求項１４に記載の方法。
    Figure 0004091433
    （式中、Ｒは、水素原子または脂肪族基であり、ＸおよびＹは、電子吸引特性を有する多重結合部分を含む官能基である）
  25. ＸおよびＹの各々が、独立して、ＣＯＮＨ２、ＣＯＮＨＲ'、ＣＯＮＲ'Ｒ"、ＣＮ、ＮＯ２、ＳＯＲ'、およびＳＯ２Ｚ（ここで、Ｒ'およびＲ"はアルキル基であり、Ｚは水素、ハロゲン、またはアルキル基である）から選択される、請求項２４に記載の方法。
  26. 下記の式で表される窒素含有カルボン酸を有する、請求項１４に記載の方法。
    Figure 0004091433
    （式中、ＲおよびＲ’の各々は、独立して、水素、アルキル、アリールおよびカルボン酸から成る群から選択される）
  27. ウエハから残渣を除去し、次いでレジストプラズマアッシング工程を当該ウエハについて実施する方法であって、ウエハを、（ｉ）１または複数の有機アミン、（ii）水、（iii）1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤、（iv）窒素含有カルボン酸またはイミン、および（ｖ）極性有機溶媒を含む洗浄配合物と接触させることを含む方法。
  28. （ｉ）１または複数の有機アミン、（ii）水、（iii）1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤、（iv）窒素含有カルボン酸またはイミン、および（ｖ）極性有機溶媒を含むウエハ洗浄配合物。
  29. 洗浄配合物が、さらに、（ vi ）追加の異なる１または複数のキレート化剤を含む、請求項２７に記載の方法。
  30. （ vi ）追加の異なる１または複数のキレート化剤をさらに含む、請求項２８に記載のウエハ洗浄配合物。
JP2002558561A 2000-12-08 2001-12-04 １，３−ジカルボニル化合物を含む半導体ストリッピング組成物 Expired - Fee Related JP4091433B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/732,370 US6344432B1 (en) 1999-08-20 2000-12-08 Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
PCT/US2001/047289 WO2002057513A1 (en) 2000-12-08 2001-12-04 Semiconductor stripping composition containing 1,3-dicarbonyl compounds

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004527105A JP2004527105A (ja) 2004-09-02
JP2004527105A5 JP2004527105A5 (ja) 2005-12-22
JP4091433B2 true JP4091433B2 (ja) 2008-05-28

Family

ID=24943259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002558561A Expired - Fee Related JP4091433B2 (ja) 2000-12-08 2001-12-04 １，３−ジカルボニル化合物を含む半導体ストリッピング組成物

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6344432B1 (ja)
EP (1) EP1349969B1 (ja)
JP (1) JP4091433B2 (ja)
KR (1) KR100890418B1 (ja)
CN (1) CN1244719C (ja)
AT (1) ATE367460T1 (ja)
DE (1) DE60129465T2 (ja)
TW (1) TWI243861B (ja)
WO (1) WO2002057513A1 (ja)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6755989B2 (en) * 1997-01-09 2004-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6896826B2 (en) 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6344432B1 (en) 1999-08-20 2002-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
US6566315B2 (en) * 2000-12-08 2003-05-20 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
US20030119692A1 (en) * 2001-12-07 2003-06-26 So Joseph K. Copper polishing cleaning solution
US6849200B2 (en) * 2002-07-23 2005-02-01 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material
GB2401604A (en) * 2003-05-10 2004-11-17 Reckitt Benckiser Nv Water-softening product
US20060141157A1 (en) * 2003-05-27 2006-06-29 Masahiko Sekimoto Plating apparatus and plating method
US7241725B2 (en) * 2003-09-25 2007-07-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Barrier polishing fluid
US7205235B2 (en) * 2003-12-15 2007-04-17 Freescale Semiconductor, Inc. Method for reducing corrosion of metal surfaces during semiconductor processing
US7819981B2 (en) * 2004-10-26 2010-10-26 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for cleaning ion implanter components
US20060196525A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Vrtis Raymond N Method for removing a residue from a chamber
TWI622639B (zh) * 2005-06-07 2018-05-01 恩特葛瑞斯股份有限公司 金屬及介電相容犠牲抗反射塗層清洗及移除組成物
US8387824B2 (en) * 2005-07-02 2013-03-05 Syngenta Participations Ag Apparatuses and methods for bulk dispensing
KR101444468B1 (ko) * 2005-10-05 2014-10-30 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 산화성 수성 세정제
JP2010503977A (ja) * 2006-04-26 2010-02-04 アドバンスト テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 半導体処理システムの洗浄方法
US20080142039A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Advanced Technology Materials, Inc. Removal of nitride deposits
TWI611047B (zh) * 2006-12-21 2018-01-11 恩特葛瑞斯股份有限公司 用以移除蝕刻後殘餘物之液體清洗劑
US20100112728A1 (en) * 2007-03-31 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
JP4918939B2 (ja) * 2007-08-22 2012-04-18 ダイキン工業株式会社 半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法
CN101815811A (zh) * 2007-09-06 2010-08-25 Ekc技术公司 用来处理铜表面的组合物和方法
KR101755970B1 (ko) 2008-02-11 2017-07-07 엔테그리스, 아이엔씨. 이온 공급원 챔버를 포함하는 이온 주입 시스템의 성능 향상 및 수명 연장 방법
CN102044407B (zh) * 2009-10-20 2012-04-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 芯片的清洗方法
US8101561B2 (en) * 2009-11-17 2012-01-24 Wai Mun Lee Composition and method for treating semiconductor substrate surface
US8128755B2 (en) 2010-03-03 2012-03-06 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Cleaning solvent and cleaning method for metallic compound
JP2012021151A (ja) * 2010-06-16 2012-02-02 Sanyo Chem Ind Ltd 銅配線半導体用洗浄剤
TWI548738B (zh) 2010-07-16 2016-09-11 安堤格里斯公司 用於移除蝕刻後殘餘物之水性清潔劑
JP6101421B2 (ja) 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
WO2012048079A2 (en) 2010-10-06 2012-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and process for selectively etching metal nitrides
JP5933950B2 (ja) 2011-09-30 2016-06-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅または銅合金用エッチング液
WO2013101907A1 (en) 2011-12-28 2013-07-04 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
EP2814895A4 (en) 2012-02-15 2015-10-07 Entegris Inc POST-CMP DISPOSAL USING COMPOSITIONS AND USE PROCESSES
JP2015517691A (ja) 2012-05-18 2015-06-22 インテグリス，インコーポレイテッド 窒化チタンを含む表面からフォトレジストを剥離するための組成物およびプロセス
KR102118964B1 (ko) 2012-12-05 2020-06-08 엔테그리스, 아이엔씨. Iii-v 반도체 물질을 세척하기 위한 조성물 및 이를 사용하는 방법
US10472567B2 (en) 2013-03-04 2019-11-12 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
CN111394100A (zh) 2013-06-06 2020-07-10 恩特格里斯公司 用于选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法
US10138117B2 (en) 2013-07-31 2018-11-27 Entegris, Inc. Aqueous formulations for removing metal hard mask and post-etch residue with Cu/W compatibility
SG10201801575YA (en) 2013-08-30 2018-03-28 Entegris Inc Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
KR102261638B1 (ko) 2013-11-15 2021-06-08 삼성디스플레이 주식회사 세정제 조성물 및 이를 이용한 금속배선 제조방법
WO2015095175A1 (en) 2013-12-16 2015-06-25 Advanced Technology Materials, Inc. Ni:nige:ge selective etch formulations and method of using same
TWI662379B (zh) 2013-12-20 2019-06-11 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 移除離子植入抗蝕劑之非氧化強酸類之用途
WO2015103146A1 (en) 2013-12-31 2015-07-09 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations to selectively etch silicon and germanium
WO2015116818A1 (en) 2014-01-29 2015-08-06 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
US11127587B2 (en) 2014-02-05 2021-09-21 Entegris, Inc. Non-amine post-CMP compositions and method of use
US9957469B2 (en) * 2014-07-14 2018-05-01 Versum Materials Us, Llc Copper corrosion inhibition system
KR101669772B1 (ko) * 2015-11-19 2016-10-27 오씨아이 주식회사 구리 식각용 조성물
WO2017086758A1 (ko) * 2015-11-19 2017-05-26 오씨아이 주식회사 구리 식각용 조성물 및 과산화수소계 금속 식각용 조성물
CN109920729B (zh) * 2019-03-27 2022-12-02 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板的制备方法、显示装置
CN113736574A (zh) * 2021-09-27 2021-12-03 北京中铁富红企业管理有限责任公司 一种动车清洗用清洗剂及其制备方法和动车清洗方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0496605B1 (en) 1991-01-24 2001-08-01 Wako Pure Chemical Industries Ltd Surface treating solutions for semiconductors
TW274630B (ja) 1994-01-28 1996-04-21 Wako Zunyaku Kogyo Kk
JP3074634B2 (ja) * 1994-03-28 2000-08-07 三菱瓦斯化学株式会社 フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法
JP3548237B2 (ja) 1994-08-29 2004-07-28 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ
US5885362A (en) 1995-07-27 1999-03-23 Mitsubishi Chemical Corporation Method for treating surface of substrate
EP0783034B1 (en) * 1995-12-22 2010-08-18 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Chelating agent and detergent comprising the same
WO1998022568A1 (en) 1996-11-22 1998-05-28 Advanced Chemical Systems International, Inc. Stripping formulation including catechol, hydroxylamine, non-alkanolamine, water for post plasma ashed wafer cleaning
JP4386968B2 (ja) 1996-12-24 2009-12-16 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 半導体基板から残留物をストリッピングするための１，３−ジカルボニル化合物キレート剤を含む処方物
US6030491A (en) 1997-08-19 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Processing compositions and methods of using same
US6211126B1 (en) * 1997-12-23 2001-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates
EP1125168A1 (en) 1998-05-18 2001-08-22 Advanced Technology Materials, Inc. Stripping compositions for semiconductor substrates
US6248704B1 (en) * 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
US6344432B1 (en) 1999-08-20 2002-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
US6566315B2 (en) * 2000-12-08 2003-05-20 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures

Also Published As

Publication number Publication date
US6660700B2 (en) 2003-12-09
CN1483093A (zh) 2004-03-17
DE60129465D1 (de) 2007-08-30
KR100890418B1 (ko) 2009-03-26
JP2004527105A (ja) 2004-09-02
DE60129465T2 (de) 2008-04-17
EP1349969A4 (en) 2004-07-28
TWI243861B (en) 2005-11-21
KR20040007422A (ko) 2004-01-24
ATE367460T1 (de) 2007-08-15
CN1244719C (zh) 2006-03-08
WO2002057513A1 (en) 2002-07-25
EP1349969B1 (en) 2007-07-18
US20020065204A1 (en) 2002-05-30
US20020013238A1 (en) 2002-01-31
US6344432B1 (en) 2002-02-05
EP1349969A1 (en) 2003-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4091433B2 (ja) １，３−ジカルボニル化合物を含む半導体ストリッピング組成物
JP4104439B2 (ja) 銅構造物を含有する半導体基板から残留物を除去するための１，３−ジカルボニル化合物キレート化剤及び銅防蝕剤を含む組成物
US7605113B2 (en) Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US7662762B2 (en) Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates
JP4498424B2 (ja) 半導体基板上の無機残留物を洗浄するための、銅特異的な腐食防止剤を含有する水性洗浄組成物
JP4386968B2 (ja) 半導体基板から残留物をストリッピングするための１，３−ジカルボニル化合物キレート剤を含む処方物

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041110

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041110

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070619

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070918

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070926

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071019

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071026

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071119

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071211

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080228

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140307

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees