JP2008066747A - 水性フッ化アンモニウムおよびアミンを用いた、半導体ウエハ洗浄組成物および方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 80
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 56
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 title claims abstract description 42
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 16
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N pentamethyldiethylenetriamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)C UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 37
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 29
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical group NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- VSWDORGPIHIGNW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine dithiocarbamic acid Chemical compound SC(=S)N1CCCC1 VSWDORGPIHIGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 19
- KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N thiram Chemical compound CN(C)C(=S)SSC(=S)N(C)C KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229960002447 thiram Drugs 0.000 claims description 19
- IKGLACJFEHSFNN-UHFFFAOYSA-N hydron;triethylazanium;trifluoride Chemical compound F.F.F.CCN(CC)CC IKGLACJFEHSFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-O triethanolammonium Chemical compound OCC[NH+](CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 12
- GCPWJFKTWGFEHH-UHFFFAOYSA-N acetoacetamide Chemical group CC(=O)CC(N)=O GCPWJFKTWGFEHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BVCZEBOGSOYJJT-UHFFFAOYSA-N ammonium carbamate Chemical compound [NH4+].NC([O-])=O BVCZEBOGSOYJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N carbonic acid monoamide Natural products NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BEPAFCGSDWSTEL-UHFFFAOYSA-N dimethyl malonate Chemical compound COC(=O)CC(=O)OC BEPAFCGSDWSTEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 10
- LROATHSBUUYETB-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;2,2,2-trifluoroacetate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]C(=O)C(F)(F)F LROATHSBUUYETB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BXYVQNNEFZOBOZ-UHFFFAOYSA-N n-[3-(dimethylamino)propyl]-n',n'-dimethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CN(C)CCCNCCCN(C)C BXYVQNNEFZOBOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ATWLCPHWYPSRBQ-UHFFFAOYSA-N N-Methylacetoacetamide Chemical compound CNC(=O)CC(C)=O ATWLCPHWYPSRBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- LTSORXKZGSXNHL-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;thiobenzate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]C(=S)C1=CC=CC=C1 LTSORXKZGSXNHL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000006297 carbonyl amino group Chemical group [H]N([*:2])C([*:1])=O 0.000 claims description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 150000005309 metal halides Chemical group 0.000 claims description 2
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 claims 2
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N Acetoacetic acid Natural products CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims 1
- WOWBFOBYOAGEEA-UHFFFAOYSA-N diafenthiuron Chemical compound CC(C)C1=C(NC(=S)NC(C)(C)C)C(C(C)C)=CC(OC=2C=CC=CC=2)=C1 WOWBFOBYOAGEEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 claims 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 abstract description 12
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical class [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 ammonium fluoride 2,4-pentanedione Chemical compound 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDMJOZWFNORXEX-UHFFFAOYSA-N C(N)([S-])=S.[NH4+].N1CCCC1.C(N)([O-])=O.C(CC(=O)C)(=O)N.[NH4+] Chemical compound C(N)([S-])=S.[NH4+].N1CCCC1.C(N)([O-])=O.C(CC(=O)C)(=O)N.[NH4+] XDMJOZWFNORXEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKXNCSSIBIZSRH-UHFFFAOYSA-L CN(C(SSC(N(C)C)=S)=S)C.FC(C(=O)[O-])(F)F.C[N+](C)(C)C.C(C1=CC=CC=C1)(=S)[O-].C[N+](C)(C)C.CC(CC(C)=O)=O.C(CC(=O)C)(=O)NC.C(CC(=O)C)(=O)OC.C(CC(=O)OC)(=O)OC Chemical compound CN(C(SSC(N(C)C)=S)=S)C.FC(C(=O)[O-])(F)F.C[N+](C)(C)C.C(C1=CC=CC=C1)(=S)[O-].C[N+](C)(C)C.CC(CC(C)=O)=O.C(CC(=O)C)(=O)NC.C(CC(=O)C)(=O)OC.C(CC(=O)OC)(=O)OC XKXNCSSIBIZSRH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M Trifluoroacetate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/266—Esters or carbonates
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
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- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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Abstract
【解決手段】以下に示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する、プラズマアッシング後の半導体製造で使用する半導体ウエハ洗浄処方物:フッ化アンモニウムおよび/またはそれらの誘導体1〜21%;有機アミンまたは2種のアミンの混合物20〜55%;水23〜50%;金属キレート化剤またはキレート化剤の混合物0〜21%。
【選択図】なし
Description
発明の分野
本発明は、一般に、半導体ウエハ製造の際に用いる化学処方物に関し、特に、レジストプラズマアッシング工程に続いて、ウエハから残留物を除去するのに使用する化学処方物に関する。
先行技術は、レジストアッシング工程に続いて、残留物を除去しウエハを洗浄するための種々の化学処方物の使用を教示している。これらの従来技術の化学処方物のいくつかには、アミンおよび/または水酸化テトラアルキルアンモニウム、水および/または他の溶媒、およびキレート化剤を含むアルカリ組成物が挙げられる。さらに他の処方物は、フッ化アンモニウムを含有する酸性から中性の溶液をベースにしている。種々の従来技術の処方物には欠点があり、これには、金属層または絶縁層の不要な除去および所望の金属層(特に、アルミニウムおよびアルミニウム-銅合金および窒化チタンの特性)の腐食が含まれる。
以下に示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する、プラズマアッシング後の半導体製造で使用する半導体ウエハ洗浄処方物:
フッ化アンモニウムおよび/またはそれらの誘導体; 1〜21%
有機アミンまたは2種のアミンの混合物; 20〜55%
水; 23〜50%
金属キレート化剤またはキレート化剤の混合物 0〜21%
本発明の1つの利点は、プラズマアッシング工程に続いて、無機残留物を効果的に除去することにある。
(項目1)プラズマアッシング後の半導体製造で使用する半導体ウエハ洗浄処方物であって、該処方物は、以下で示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する:
フッ化物源; 1〜21%
少なくとも1種の有機アミン; 20〜55%
水; 23〜50%
少なくとも1種の金属キレート化剤 0〜21%。
(項目2)前記フッ化物源が、
フッ化アンモニウム;および
フッ化トリエタノールアンモニウム(TEAF)からなる群から選択される、項目1に記載の洗浄処方物。
(項目3)前記有機アミンが、
ジグリコールアミン(DGA)、
メチルジエタノールアミン(MDEA)、
ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)、
トリエタノールアミン(TEA)、および
トリエチレンジアミン(TEDA)からなる群から選択される、項目1に記載の洗浄処方物。
(項目4)前記金属キレート化剤が、
アセトアセトアミド、
カルバミン酸アンモニウム、
ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム(APDC)、
マロン酸ジメチル、
アセト酢酸メチル、
N-メチルアセトアセトアミド、
2,4-ペンタンジオン、
チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、
トリフルオロ酢酸テトラメチルアンモニウム、および
テトラメチルチウラムジスルフィド(TMTDS)からなる群から選択される、項目1に記載の洗浄処方物。
(項目5)前記フッ化物源が、
フッ化アンモニウム、
フッ化トリエタノールアンモニウム(TEAF)、
フッ化ジグリコールアンモニウム(DGAF)、
フッ化テトラメチルアンモニウム(TMAF)、および
トリエチルアミントリス(フッ化水素)(TREAT-HF)からなる群から選択される、項目1に記載の洗浄処方物。
(項目6)前記有機アミンが、
ジグリコールアミン(DGA)、
メチルジエタノールアミン(MDEA)、
ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)、
トリエタノールアミン(TEA)、
トリエチレンジアミン(TEDA)、
ヘキサメチレンテトラミン、
3,3-イミノビス(N,N-ジメチルプロピルアミン)、および
モノエタノールアミンからなる群から選択される、項目1に記載の洗浄処方物。
(項目7)前記フッ化物源が、
フッ化アンモニウム、
フッ化トリエタノールアンモニウム(TEAF)、
フッ化ジグリコールアンモニウム(DGAF)、
フッ化テトラメチルアンモニウム(TMAF)、および
トリエチルアミントリス(フッ化水素)(TREAT-HF)からなる群から選択され;
前記有機アミンが、
ジグリコールアミン(DGA)、
メチルジエタノールアミン(MDEA)、
ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)、
トリエタノールアミン(TEA)、
トリエチレンジアミン(TEDA)、
ヘキサメチレンテトラミン、
3,3-イミノビス(N,N-ジメチルプロピルアミン)、および
モノエタノールアミンからなる群から選択され;
そして前記金属キレート化剤が、
アセトアセトアミド、
カルバミン酸アンモニウム、
ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム(APDC)、
マロン酸ジメチル、
アセト酢酸メチル、
N-メチルアセトアセトアミド、
2,4-ペンタンジオン、
チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、
トリフルオロ酢酸テトラメチルアンモニウム、および
テトラメチルチウラムジスルフィド(TMTDS)からなる群から選択される、項目1に記載の洗浄処方物。
(項目8)前記フッ化物源が、一般式R 1 R 2 R 3 R 4 NFを有し、ここで、該R基が、水素原子および/または脂肪族基であり、前記金属キレート化剤が、以下の一般構造を有する、項目1に記載の洗浄処方物:
X-CHR-Y、ここで、
Rは、水素原子または脂肪族基のいずれかであり、そして
XおよびYは、電子吸引性を有することが知られている複数の結合部分を含む官能基であり、ここで、XおよびYは、CONH 2 、CONHR’、CN、NO 2 、SOR’、SO 2 Zであり得、ここで、R’は、アルキル基を表わし、そしてZは、他の原子または基を表わし、そしてXおよびYは、同一または異なり得る。
(項目9)前記フッ化物源4が、一般式R 1 R 2 R 3 R 4 NFを有し、ここで、該R基が、水素原子および/または脂肪族基であり、前記金属キレート化剤が、一般式、R 1 R 2 R 3 R 4 N +- O 2 CCF 3 を有し、ここで、該R基が、水素原子および/または脂肪族基である、項目1に記載の洗浄処方物。
(項目10)以下から構成される、項目1に記載の洗浄処方物:
トリエタノールアミン 45%
フッ化アンモニウム 5%
水 50%。
(項目11)以下から構成される、項目1に記載の洗浄処方物:
ジグリコールアミン 55%
フッ化アンモニウム 5%
2,4-ペンタンジオン 10%
水 30%。
(項目12)以下から構成される、項目1に記載の洗浄処方物:
トリエタノールアミン 27.1%
TEAF 20.3%
2,4-ペンタンジオン 10%
水 42.6%。
(項目13)以下から構成される、項目1に記載の洗浄処方物:
PMDETA 45%
フッ化アンモニウム 5%
アセト酢酸メチル 6%
水 44%。
(項目14)以下から構成される、項目1に記載の洗浄処方物:
PMDETA 45%
フッ化アンモニウム 1%
2,4-ペンタンジオン 8%
APDC 15%
水 31%。
(項目15)以下から構成される、項目1に記載の洗浄処方物:
PMDETA 55%
フッ化アンモニウム 1%
マロン酸ジメチル 13.2%
TMTDS 6%
水 24.8%。
(項目16)以下から構成される、項目1に記載の洗浄処方物:
TEA 36%
PMDETA 16%
フッ化アンモニウム 12%
アセトアセトアミド 10%
水 28%。
(項目17)以下から構成される、項目1に記載の洗浄処方物:
TEA 45%
フッ化アンモニウム 11.4%
トリフルオロ酢酸テトラメチルアンモニウム 17%
水 27%。
(項目18)以下から構成される、項目1に記載の洗浄処方物:
トリエタノールアミン 45〜52%
フッ化アンモニウム 3〜10%
2,4-ペンタンジオン 5〜10%
水 35〜44%。
(項目19)以下から構成される、項目1に記載の洗浄処方物:
PMDETA 38〜45%
フッ化アンモニウム 5%
2,4-ペンタンジオン 10%
水 40〜47%。
(項目20)以下から構成される、項目1に記載の洗浄処方物:
PMDETA 38%
TMAF 5%
フッ化アンモニウム 2%
2,4-ペンタンジオン 10%
水 45%。
(項目21)以下から構成される、項目1に記載の洗浄処方物:
PMDETA 38%
フッ化アンモニウム 1%
2,4-ペンタンジオン 10.7%
カルバミン酸アンモニウム 10%
水 38.3%。
(項目22)以下の工程を包含する、半導体ウエハを製造する方法:
該ウエハの表面から、金属化層をプラズマエッチングする工程;
該金属エッチング工程に続いて、該ウエハの表面から、レジストをプラズマアッシングする工程;
以下で示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する化学処方物を用いて、引き続く工程で、該ウエハを洗浄する工程:
フッ化物源; 1〜21%
少なくとも1種の有機アミン; 20〜55%
水; 23〜50%
少なくとも1種の金属キレート化剤 0〜21%。
(項目23)前記フッ化物源が、
フッ化アンモニウム;および
フッ化トリエタノールアンモニウム(TEAF)からなる群から選択される、項目22に記載の洗浄処方物。
(項目24)前記有機アミンが、
ジグリコールアミン(DGA)、
メチルジエタノールアミン(MDEA)、
ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)、
トリエタノールアミン(TEA)、および
トリエチレンジアミン(TEDA)からなる群から選択される、項目22に記載の方法。
(項目25)前記金属キレート化剤が、
アセトアセトアミド、
カルバミン酸アンモニウム、
ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム(APDC)、
マロン酸ジメチル、
アセト酢酸メチル、
N-メチルアセトアセトアミド、
2,4-ペンタンジオン、
チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、
トリフルオロ酢酸テトラメチルアンモニウム、および
テトラメチルチウラムジスルフィド(TMTDS)からなる群から選択される、項目22に記載の方法。
(項目26)前記フッ化物源が、
フッ化アンモニウム、
フッ化トリエタノールアンモニウム(TEAF)、
フッ化ジグリコールアンモニウム(DGAF)、
フッ化テトラメチルアンモニウム(TMAF)、および
トリエチルアミントリス(フッ化水素)(TREAT-HF)からなる群から選択される、項目22に記載の方法。
(項目27)前記有機アミンが、
ジグリコールアミン(DGA)、
メチルジエタノールアミン(MDEA)、
ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)、
トリエタノールアミン(TEA)、
トリエチレンジアミン(TEDA)、
ヘキサメチレンテトラミン、
3,3-イミノビス(N,N-ジメチルプロピルアミン)、および
モノエタノールアミンからなる群から選択される、項目22に記載の方法。
(項目28)前記フッ化物源が、
フッ化アンモニウム、
フッ化トリエタノールアンモニウム(TEAF)、
フッ化ジグリコールアンモニウム(DGAF)、
フッ化テトラメチルアンモニウム(TMAF)、および
トリエチルアミントリス(フッ化水素)(TREAT-HF)からなる群から選択され;
前記有機アミンが、
ジグリコールアミン(DGA)、
メチルジエタノールアミン(MDEA)、
ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)、
トリエタノールアミン(TEA)、
トリエチレンジアミン(TEDA)、
ヘキサメチレンテトラミン、
3,3-イミノビス(N,N-ジメチルプロピルアミン)、および
モノエタノールアミンからなる群から選択され;
そして前記金属キレート化剤が、
アセトアセトアミド、
カルバミン酸アンモニウム、
ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム(APDC)、
マロン酸ジメチル、
アセト酢酸メチル、
N-メチルアセトアセトアミド、
2,4-ペンタンジオン、
チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、
トリフルオロ酢酸テトラメチルアンモニウム、および
テトラメチルチウラムジスルフィド(TMTDS)からなる群から選択される、項目22に記載の方法。
(項目29)前記フッ化物源が、一般式R 1 R 2 R 3 R 4 NFを有し、ここで、該R基が、水素原子および/または脂肪族基であり、前記金属キレート化剤が、以下の一般構造を有する、項目22に記載の方法:
X-CHR-Y、ここで、
Rは、水素原子または脂肪族基のいずれかであり、そして
XおよびYは、電子吸引性を有することが知られている複数の結合部分を含む官能基であり、ここで、XおよびYは、CONH 2 、CONHR’、CN、NO 2 、SOR’、SO 2 Zであり得、ここで、R’は、アルキル基を表わし、そしてZは、他の原子または基を表わし、そしてXおよびYは、同一または異なり得る。
(項目30)前記フッ化物源が、一般式R 1 R 2 R 3 R 4 NFを有し、ここで、該R基が、水素原子および/または脂肪族基であり、前記金属キレート化剤が、一般式、R 1 R 2 R 3 R 4 N +- O 2 CCF 3 を有し、ここで、該R基が、水素原子および/または脂肪族基である、項目22に記載の方法。
(項目31)以下の工程を包含する、半導体ウエハを製造する方法:
該ウエハの表面から、金属化層をプラズマエッチングする工程;
該金属エッチング工程に続いて、該ウエハの表面から、レジストをプラズマアッシングする工程;
以下で示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する化学処方物を用いて、引き続く工程で、該ウエハを洗浄する工程:
フッ化物源; 1〜21%
少なくとも1種の有機アミン; 20〜55%
水; 23〜50%
少なくとも1種の金属キレート化剤 0〜21%。
(項目32)前記フッ化物源が、
フッ化アンモニウム;および
フッ化トリエタノールアンモニウム(TEAF)からなる群から選択される、項目31に記載の洗浄処方物。
(項目33)前記有機アミンが、
ジグリコールアミン(DGA)、
メチルジエタノールアミン(MDEA)、
ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)、
トリエタノールアミン(TEA)、および
トリエチレンジアミン(TEDA)からなる群から選択される、項目31に記載の方法。
(項目34)前記金属キレート化剤が、
アセトアセトアミド、
カルバミン酸アンモニウム、
ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム(APDC)、
マロン酸ジメチル、
アセト酢酸メチル、
N-メチルアセトアセトアミド、
2,4-ペンタンジオン、
チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、
トリフルオロ酢酸テトラメチルアンモニウム、および
テトラメチルチウラムジスルフィド(TMTDS)からなる群から選択される、項目31に記載の方法。
(項目35)前記フッ化物源が、
フッ化アンモニウム、
フッ化トリエタノールアンモニウム(TEAF)、
フッ化ジグリコールアンモニウム(DGAF)、
フッ化テトラメチルアンモニウム(TMAF)、および
トリエチルアミントリス(フッ化水素)(TREAT-HF)からなる群から選択される、項目31に記載の方法。
(項目36)前記有機アミンが、
ジグリコールアミン(DGA)、
メチルジエタノールアミン(MDEA)、
ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)、
トリエタノールアミン(TEA)、
トリエチレンジアミン(TEDA)、
ヘキサメチレンテトラミン、
3,3-イミノビス(N,N-ジメチルプロピルアミン)、および
モノエタノールアミンからなる群から選択される、項目31に記載の方法。
(項目37)前記フッ化物源が、
フッ化アンモニウム、
フッ化トリエタノールアンモニウム(TEAF)、
フッ化ジグリコールアンモニウム(DGAF)、
フッ化テトラメチルアンモニウム(TMAF)、および
トリエチルアミントリス(フッ化水素)(TREAT-HF)からなる群から選択され;
前記有機アミンが、
ジグリコールアミン(DGA)、
メチルジエタノールアミン(MDEA)、
ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)、
トリエタノールアミン(TEA)、
トリエチレンジアミン(TEDA)、
ヘキサメチレンテトラミン、
3,3-イミノビス(N,N-ジメチルプロピルアミン)、および
モノエタノールアミンからなる群から選択され;
そして前記金属キレート化剤が、
アセトアセトアミド、
カルバミン酸アンモニウム、
ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム(APDC)、
マロン酸ジメチル、
アセト酢酸メチル、
N-メチルアセトアセトアミド、
2,4-ペンタンジオン、
チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、
トリフルオロ酢酸テトラメチルアンモニウム、および
テトラメチルチウラムジスルフィド(TMTDS)からなる群から選択される、項目31に記載の方法。
(項目38)前記フッ化物源が、一般式R 1 R 2 R 3 R 4 NFを有し、ここで、該R基が、水素原子および/または脂肪族基であり、前記金属キレート化剤が、以下の一般構造を有する、項目31に記載の方法:
X-CHR-Y、ここで、
Rは、水素原子または脂肪族基のいずれかであり、そして
XおよびYは、電子吸引性を有することが知られている複数の結合部分を含む官能基であり、ここで、XおよびYは、CONH 2 、CONHR’、CN、NO 2 、SOR’、SO 2 Zであり得、ここで、R’は、アルキル基を表わし、そしてZは、他の原子または基を表わし、そしてXおよびYは、同一または異なり得る。
(項目39)前記フッ化物源が、一般式R 1 R 2 R 3 R 4 NFを有し、ここで、該R基が、水素原子および/または脂肪族基であり、前記金属キレート化剤が、一般式、R 1 R 2 R 3 R 4 N +- O 2 CCF 3 を有し、ここで、該R基が、水素原子および/または脂肪族基である、項目31に記載の方法。
本発明は、高密度プラズマエッチングに続く酸素含有プラズマを用いたアッシングから生じる無機ウエハ残留物を剥離するのに適切な処方物を包含する。これらの処方物はまた、CMP(化学機械研磨)後に残留している酸化アルミニウムおよび他の酸化物のスラリー粒子を除去するのに適切である。これらの処方物は、フッ化アンモニウムまたはフッ化アンモニウム誘導体、アミンまたはアミン混合物、水、および必要に応じて、1種以上の金属キレート化剤を含有する。
フッ化アンモニウムおよび/またはそれらの誘導体 1〜21%
有機アミンまたは2種のアミンの混合物 20〜55%
水 23〜50%
金属キレート化剤またはキレート化剤の混合物: 0〜21%。
ジグリコールアミン(DGA)
メチルジエタノールアミン(MDEA)
ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)
トリエタノールアミン(TEA)
トリエチレンジアミン(TEDA)。
ヘキサメチレンテトラミン
3,3-イミノビス(N,N-ジメチルプロピルアミン)
モノエタノールアミン。
フッ化アンモニウム
フッ化トリエタノールアンモニウム(TEAF)。
フッ化ジグリコールアンモニウム(DGAF)
フッ化テトラメチルアンモニウム(TMAF)
トリエチルアミントリス(フッ化水素)(TREAT-HF)。
アセトアセトアミド
カルバミン酸アンモニウム
ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム(APDC)
マロン酸ジメチル
アセト酢酸メチル
N-メチルアセトアセトアミド
2,4-ペンタンジオン
チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム
トリフルオロ酢酸テトラメチルアンモニウム
テトラメチルチウラムジスルフィド(TMTDS)。
トリエタノールアミン 45%
フッ化アンモニウム 5%
水 50%
ジグリコールアミン 55%
フッ化アンモニウム 5%
2,4-ペンタンジオン 10%
水 30%
トリエタノールアミン 27.1%
TEAF 20.3%
2,4-ペンタンジオン 10%
水 42.6%
PMDETA 45%
フッ化アンモニウム 5%
アセト酢酸メチル 6%
水 44%
PMDETA 45%
フッ化アンモニウム 1%
2,4-ペンタンジオン 8%
APDC 15%
水 31%
PMDETA 55%
フッ化アンモニウム 1%
マロン酸ジメチル 13.2%
TMTDS 6%
水 24.8%
TEA 36%
PMDETA 16%
フッ化アンモニウム 12%
アセトアセトアミド 10%
水 28%
TEA 45%
フッ化アンモニウム 11.4%
トリフルオロ酢酸テトラメチルアンモニウム 17%
水 27%
トリエタノールアミン 45〜52%
フッ化アンモニウム 3〜10%
2,4-ペンタンジオン 5〜10%
水 35〜44%
PMDETA 38〜45%
フッ化アンモニウム 5%
2,4-ペンタンジオン 10%
水 40〜47%
PMDETA 38%
TMAF 5%
フッ化アンモニウム 2%
2,4-ペンタンジオン 10%
水 45%
PMDETA 38%
フッ化アンモニウム 1%
2,4-ペンタンジオン 10.7%
カルバミン酸アンモニウム 10%
水 38.3%。
A.他の有機アミンは、適切であると予想される。
1.他の1,3-ジカルボニル化合物は、匹敵する性能を示すと予想される。これらは、以下の一般構造を有する:
X-CHR-Y、ここで、
Rは、水素原子または脂肪族基のいずれかであり、そして
XおよびYは、電子吸引性を有することが知られている複数の結合部分を含む官能基であり、例えば、XおよびYは、CONH2、CONHR’、CN、NO2、SOR’、SO2Zであり得、ここで、R’は、アルキル基を表わし、そしてZは、他の原子または基を表わす。XおよびYは、同一または異なり得る。
1.酸化ケイ素頂部層および第二層、窒化チタン第三層、およびアルミニウム、ケイ素、銅(AlSiCu)合金の底部層から構成された直径0.8ミクロンの4層バイア。基板は、酸化ケイ素であった。
Claims (14)
- 半導体ウエハから、化学機械研磨(CMP)後に残留している金属酸化物のスラリー粒子を除去するための方法であって、該方法が、以下で示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する、方法:
フッ化アンモニウムおよび/またはその誘導体;1〜21%
少なくとも1種の有機アミン;20〜55%
水;23〜50%
少なくとも1種の金属キレート化剤;0〜21%。 - 請求項1に記載の洗浄処方物であって、前記フッ化物源が、フッ化アンモニウム;フッ化トリエタノールアンモニウム;フッ化ジグリコールアンモニウム(DGAF);フッ化テトラメチルアンモニウム(TMAF);およびトリエチルアミントリス(フッ化水素)(TREAT−HF)からなる群から選択される、洗浄処方物。
- 請求項1に記載の方法であって、前記有機アミンが、ジグリコールアミン(DGA)、メチルジエタノールアミン(MDEA)、ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)、トリエタノールアミン(TEA)、トリエチレンジアミン(TEDA)、ヘキサメチレンテトラミン、3,3−イミノビス(N,N−ジメチルプロピルアミン)、およびモノエタノールアミンからなる群から選択される、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、少なくとも1種の金属キレート化剤を含み、該金属キレート化剤が、アセトアセトアミド、カルバミン酸アンモニウム、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム(APDC)、マロン酸ジメチル、アセト酢酸メチル、N−メチルアセトアセトアミド、2,4−ペンタンジオン、チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、トリフルオロ酢酸テトラメチルアンモニウム、およびテトラメチルチウラムジスルフィド(TMTDS)からなる群から選択される、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、少なくとも1種の金属キレート化剤を含み、
前記フッ化物源が、フッ化アンモニウム;フッ化トリエタノールアンモニウム;フッ化ジグリコールアンモニウム(DGAF);フッ化テトラメチルアンモニウム(TMAF);およびトリエチルアミントリス(フッ化水素)(TREAT−HF)からなる群から選択され;
前記有機アミンが、ジグリコールアミン(DGA)、メチルジエタノールアミン(MDEA)、ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)、トリエタノールアミン(TEA)、トリエチレンジアミン(TEDA)、ヘキサメチレンテトラミン、3,3−イミノビス(N,N−ジメチルプロピルアミン)、およびモノエタノールアミンからなる群から選択され;そして
該金属キレート化剤が、アセトアセトアミド、カルバミン酸アンモニウム、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム(APDC)、マロン酸ジメチル、アセト酢酸メチル、N−メチルアセトアセトアミド、2,4−ペンタンジオン、チオ安息香酸テトラメチルアンモニウム、トリフルオロ酢酸テトラメチルアンモニウム、およびテトラメチルチウラムジスルフィド(TMTDS)からなる群から選択される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記フッ化物源が、一般式R 1 R 2 R 3 R 4 NFを有し、ここで、該R基が、水素原子および/または脂肪族基であり、前記金属キレート化剤が、以下の一般構造を有する、方法:
X−CHR−Y、ここで、
Rは、水素原子または脂肪族基のいずれかであり、そして
XおよびYは、電子吸引性を有することが知られている複数の結合部分を含む官能基であり、ここで、XおよびYは、CONH 2 、CONHR’、CN、NO 2 、SOR’、SO 2 Zであり得、ここで、R’は、アルキル基を表わし、そしてZは、他の原子または基を表わし、そしてXおよびYは、同一または異なり得る。 - 請求項1に記載の方法であって、前記フッ化物源が、一般式R 1 R 2 R 3 R 4 NFを有し、ここで、該R基が、水素原子および/または脂肪族基であり、前記金属キレート化剤が、一般式、R 1 R 2 R 3 R 4 N +− O 2 CCF 3 を有し、ここで、該R基が、水素原子および/または脂肪族基である、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記金属酸化物が、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素からなる群より選択される酸化物を含む、方法。
- 半導体ウエハを製造するための方法であって、該方法が、以下で示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する化学処方物を使用して、該半導体ウエハから、化学機械研磨(CMP)後に残留している金属酸化物のスラリー粒子を除去する工程を包含する、方法:
フッ化アンモニウムおよび/またはその誘導体;1〜21%
少なくとも1種の有機アミン;20〜55%
水;23〜50%
少なくとも1種の金属キレート化剤;0〜21%。 - 以下で示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する化学処方物を使用して洗浄された、半導体ウエハ:
フッ化アンモニウムおよび/またはその誘導体;1〜21%
少なくとも1種の有機アミン;20〜55%
水;23〜50%
少なくとも1種の金属キレート化剤;0〜21%、
ここで、残留物が、該洗浄処方物を使用して該ウエハから除去される。 - 以下で示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する、半導体製造において使用するための半導体ウエハ洗浄処方物:
フッ化アンモニウムおよび/またはその誘導体;1〜21%
少なくとも1種の有機アミン;20〜55%
水;23〜50%
少なくとも1種の金属キレート化剤;0〜21%、および
残留物および/または粒子物質、
ここで、該残留物および/または粒子物質は、該半導体ウエハから除去されている。 - 請求項11に記載の洗浄処方物であって、前記残留物および/または粒子物質が、無機ウエハ残留物、金属ハロゲン化物残留物、金属酸化物残留物、酸化アルミニウム粒子、および酸化ケイ素粒子からなる群より選択される物質を含む、洗浄処方物。
- 以下で示した重量パーセント範囲で、以下の成分からなる、半導体製造において使用するための半導体ウエハ洗浄処方物:
トリエタノールアミン 45%
フッ化アンモニウム 5%
水 50%。 - 本明細書中に開示される洗浄処方物を使用して、半導体ウエハから残留物質を除去する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US3419497P | 1997-01-09 | 1997-01-09 | |
US4482497P | 1997-04-25 | 1997-04-25 | |
US08/924,021 US6224785B1 (en) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | Aqueous ammonium fluoride and amine containing compositions for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53111898A Division JP2001508239A (ja) | 1997-01-09 | 1998-01-08 | 水性フッ化アンモニウムおよびアミンを用いた、半導体ウエハ洗浄組成物および方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008066747A true JP2008066747A (ja) | 2008-03-21 |
Family
ID=27364594
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53111898A Withdrawn JP2001508239A (ja) | 1997-01-09 | 1998-01-08 | 水性フッ化アンモニウムおよびアミンを用いた、半導体ウエハ洗浄組成物および方法 |
JP2007291278A Ceased JP2008066747A (ja) | 1997-01-09 | 2007-11-08 | 水性フッ化アンモニウムおよびアミンを用いた、半導体ウエハ洗浄組成物および方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53111898A Withdrawn JP2001508239A (ja) | 1997-01-09 | 1998-01-08 | 水性フッ化アンモニウムおよびアミンを用いた、半導体ウエハ洗浄組成物および方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2001508239A (ja) |
WO (1) | WO1998030667A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6828289B2 (en) * | 1999-01-27 | 2004-12-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature |
US6248704B1 (en) * | 1999-05-03 | 2001-06-19 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices |
JP4456330B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2010-04-28 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 半導体基板上の無機残留物を洗浄するための、銅特異的な腐食防止剤を含有する水性洗浄組成物 |
US6627587B2 (en) | 2001-04-19 | 2003-09-30 | Esc Inc. | Cleaning compositions |
MY131912A (en) * | 2001-07-09 | 2007-09-28 | Avantor Performance Mat Inc | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
US7888302B2 (en) | 2005-02-03 | 2011-02-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous based residue removers comprising fluoride |
US7682458B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-03-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous based residue removers comprising fluoride |
EP2175480A4 (en) | 2007-07-19 | 2012-12-19 | Mitsubishi Chem Corp | GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR CLEANING THE SAME |
TW200925268A (en) * | 2007-12-06 | 2009-06-16 | Mallinckrodt Baker Inc | Fluoride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction |
JP2012032757A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-02-16 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
WO2021054010A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社 | 洗浄液、洗浄方法 |
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Family Cites Families (13)
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FR2372904A1 (fr) * | 1976-11-19 | 1978-06-30 | Ibm | Composition de decapage du silicium polycristallin contenant de l'hydroxyde de tetramethylammonium et procede d'application |
US4215005A (en) * | 1978-01-30 | 1980-07-29 | Allied Chemical Corporation | Organic stripping compositions and method for using same |
DD153308A1 (de) * | 1980-09-12 | 1981-12-30 | Helmut G Prof Dr Rer Schneider | Verfahren zur herstellung beschichteter substrate fuer dickschichtschaltkreise |
US4863563A (en) * | 1987-01-27 | 1989-09-05 | Olin Corporation | Etching solutions containing ammonium fluoride and a nonionic alkyl amine glycidol adduct and method of etching |
JP2857042B2 (ja) * | 1993-10-19 | 1999-02-10 | 新日本製鐵株式会社 | シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液 |
JP2743823B2 (ja) * | 1994-03-25 | 1998-04-22 | 日本電気株式会社 | 半導体基板のウエット処理方法 |
JP3074634B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2000-08-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法 |
JP3689871B2 (ja) * | 1995-03-09 | 2005-08-31 | 関東化学株式会社 | 半導体基板用アルカリ性洗浄液 |
US5571447A (en) * | 1995-03-20 | 1996-11-05 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
TW416987B (en) * | 1996-06-05 | 2001-01-01 | Wako Pure Chem Ind Ltd | A composition for cleaning the semiconductor substrate surface |
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-
1998
- 1998-01-08 WO PCT/US1998/000392 patent/WO1998030667A1/en active Application Filing
- 1998-01-08 JP JP53111898A patent/JP2001508239A/ja not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-11-08 JP JP2007291278A patent/JP2008066747A/ja not_active Ceased
Patent Citations (2)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1998030667A1 (en) | 1998-07-16 |
JP2001508239A (ja) | 2001-06-19 |
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Legal Events
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