KR20150000183A - 플랫 패널 디스플레이 제조용 레지스트 박리액 조성물 - Google Patents

플랫 패널 디스플레이 제조용 레지스트 박리액 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20150000183A
KR20150000183A KR20130072268A KR20130072268A KR20150000183A KR 20150000183 A KR20150000183 A KR 20150000183A KR 20130072268 A KR20130072268 A KR 20130072268A KR 20130072268 A KR20130072268 A KR 20130072268A KR 20150000183 A KR20150000183 A KR 20150000183A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resist
flat panel
panel display
ether
composition
Prior art date
Application number
KR20130072268A
Other languages
English (en)
Inventor
김정현
김성식
이유진
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR20130072268A priority Critical patent/KR20150000183A/ko
Publication of KR20150000183A publication Critical patent/KR20150000183A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04—Water-soluble compounds
    • C11D3/044—Hydroxides or bases
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/34—Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means

Abstract

본 발명은 (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드, (b) 염기성 화합물 및 (c) 극성 유기용매를 포함하는 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널용 기판의 레지스트를 박리하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것이다.
<화학식 1>

Description

플랫 패널 디스플레이 제조용 레지스트 박리액 조성물{A RESIST STRIPPER COMPOSITION FOR PREPARING A FLAT PANEL DISPLAY}
본 발명은 플랫 페널 디스플레이를 제조하는데 이용되는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
최근 평판표시장치의 고해상도 구현에 대한 요구가 증가함에 따라 단위면적당의 화소수를 증가시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 이러한 추세에 따라 배선폭의 감소도 요구되고 있으며, 그에 대응하기 위해서 건식 식각 공정이 도입되는 등 공정 조건도 갈수록 가혹해지고 있다. 또한, 평판표시장치의 대형화로 인해 배선에서의 신호 속도 증가도 요구되고 있으며, 그에 따라 알루미늄에 비해 비저항이 낮은 구리가 배선재료로 실용화되고 있다. 이에 발맞추어 레지스트 제거 공정인 박리공정에 사용되는 박리액에 대한 요구 성능도 높아지고 있다. 구체적으로 건식 식각 공정 이후에 발생하는 식각 잔사에 대한 제거력 및 금속배선에 대한 부식 억제력 등에 대하여 상당한 수준의 박리특성이 요구되고 있다. 특히 알루미늄 뿐만 아니라 구리에 대한 부식억제력도 요구되고 있으며, 가격 경쟁력 확보를 위해, 기판의 처리매수 증대와 같은 경제성도 요구되고 있다. 또한 가공되는 금속 배선의 미세화 경향으로 금속과 산화막의 에칭조건이 가혹해지고 있어 포토레지스트의 손상이 커지며 레지스트가 변질된다. 이러한 이유로 유기용제로 처리해도 레지스트가 기판상에 남아있기 때문에 잔류물이 없도록 높은 박리력을 가진 조성물이 요구된다.
상기와 같은 요건을 충족시키기 위하여 제시된 종래의 기술로서, 대한민국 공개특허 10-2006-0025338호는 유기아민, 극성용제, 부식방지제, 박리촉진제를 포함하는 조성물을 제공하고 있다. 그러나 선행기술에서 사용된 상기 조성물은 레지스트를 박리하는데 있어서 다소 어려움이 있다.
대한민국 공개특허 10-2006-0025338호
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플랫 패널 디스플레이 기판을 제조하는데 있어서 건식/습식 식각에 의한 레지스트의 잔사 제거 능력이 우수하고, N,N-디에틸아세토아세트아미드, 염기성 화합물 및 추가로 극성 유기용매를 포함하는 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드 및 (b) 염기성 화합물을 포함하는 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
상기 조성물은, 총 중량에 대하여 (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드 85 내지 99 중량%; 및 (b) 염기성 화합물 1 내지 15 중량%로 포함된다.
또한, 본 발명은 (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드, (b) 염기성 화합물 및 (c) 극성 유기용매를 포함하는 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
상기 조성물은, 총 중량에 대하여 (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드 2 내지 85 중량%; (b) 염기성 화합물 1 내지 20 중량%; 및 (c) 극성 유기용매 5 내지 95 중량%로 포함된다.
또한, 본 발명은 (Ⅰ) 플랫 패널 디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계; (Ⅱ) 상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계; (Ⅲ) 상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계; (Ⅳ) 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계; (Ⅴ) 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및 (Ⅵ) 상기 식각 공정 후, 잔류하는 레지스트를 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 박리하는 단계를 포함하는 레지스트의 박리방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널용 기판의 레지스트를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물은 N,N-디에틸아세토아세트아미드를 사용함으로써 레지스트에 대한 용해력이 뛰어나며, 금속에 대한 방식력이 우수한 조성물을 제공한다. 또한 N,N-디에틸아세토아세트아미드는 끓는점이 높은 조성물이어서 박리 공정 상에서의 소실량을 줄일 수 있다. 따라서, 플랫 패널 디스플레이 장치의 불량률을 감소시켜 전체적인 제조 공정에 소요되는 비용을 절감할 수 있다.
이하 본 발명에 따른 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물을 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물은 a) N,N-디에틸아세토아세트아미드 및 (b) 염기성 화합물을 포함하거나, (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드, (b) 염기성 화합물 및 (c) 극성 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 한다.
(a) N,N-디에틸아세토아세트아미드
N,N-디에틸아세토아세트아미드는 다음과 같은 화학식을 갖는 것일 수 있다:
<화학식 1>
Figure pat00001

상기 N,N-디에틸아세토아세트아미드는 레지스트 고분자를 용해시키는 역할을 하고, 수용성으로서 박리 공정 이후에 탈이온수의 린스 과정에서 기판에 잔류 하지 않는다. 또한, 160℃ 이상의 높은 끓는점을 가지고 있어서 박리 공정에서 휘발 되어 소실되는 것을 방지 할 수 있다. 또한, 구리 및 알루미늄을 포함하는 금속 막질에 대해 방식성을 가지고 있어 상기 금속 막질에 대한 부식을 최소화 할 수 있는 특징을 갖는다.
(b) 염기성 화합물
상기 염기성 화합물은 건식 또는 습식 식각, 애싱(ashing) 또는 이온주입 공정(ion implant processing) 등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 레지스트(resist)의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자 내 또는 분자간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 하며, 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel) 덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판 상부에 부착된 레지스트가 쉽게 제거될 수 있게 한다.
상기 (b) 염기성 화합물은 바람직하게는 KOH, NaOH, TMAH(테트라메틸 암모늄 히드록시드), TEAH(테트라에틸 암모늄 히드록시드), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 아민류는 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민 등의 1차 아민; 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민 등의 2차 아민; 디에틸 히드록시아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민 및 메틸디프로필아민 등의 3차 아민; 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민 등의 알칸올아민; (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등의 알콕시아민; 디에틸히드록실아민, 디프로필히드록실아민, N-에틸-N-메틸히드록실아민 등의 히드록실아민; 히드록시에틸 피페라진, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진, N-메틸모폴린, 4-에틸모폴린, N-포름일모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(3-히드록시프로필)모폴린 등의 환을 형성하는 고리형 아민 등이 있다.
(c) 극성 유기용매
본 발명에 있어서, (c) 극성 유기용매로는 양자성 극성용매와 비양자성 극성용매를 들 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 양자성 극성용매의 바람직한 예로는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 테트라하이드로퍼푸릴 알코올 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 비양자성 극성용매의 바람직한 예로는 Ｎ-메틸피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈 등의 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란 등의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토 등의 카보네이트 화합물; 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등의 아미드 화합물을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 극성 유기용매는 겔화된 레지스트고분자를 용해시키는 역할을 하며, 또한 레지스트 박리 이후 탈이온수의 린스 과정에서 물에 의한 박리액의 제거를 수월하게 하여 박리액 및 용해된 레지스트의 재흡착/재부착을 최소화한다. 용해된 레지스트의 재흡착/재부착의 최소화는 상기 비양자성 극성용매와 함께 레지스트가 도포된 유리기판의 처리매수를 향상 시키는 역할을 한다.
상기 극성 유기용매는 적당한 박리력을 위해 비점이 너무 높거나 낮지 않은 것이 바람직하고, 혼합 사용할 수 있다. 상기 극성 유기용매는 박리 공정에서 추가적으로 요청되는 성능에 따라 추가될 수 있다.
본 발명에 따른 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물이 (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드 및 (b) 염기성 화합물을 포함하는 경우, (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드 85 내지 99 중량%; 및 (b) 염기성 화합물 1 내지 15 중량%를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물이 (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드, (b) 염기성 화합물 및 (c) 극성 유기용매를 포함하는 경우, (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드 2 내지 85 중량%; (b) 염기성 화합물 1 내지 20 중량%; 및 (c) 극성 유기용매 5 내지 95 중량%를 포함하는 것이 바람직하다.
(a) N,N-디에틸아세토아세트아미드가 상기 범위보다 과량 포함되는 경우, 상대적으로 (b) 염기성 화합물의 함량이 줄어들어 박리력이 미흡한 문제점이 있으며, 상기 범위 미만으로 포함되는 경우 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속 배선에 대한 부식을 야기하는 문제점이 있다.
(b) 염기성 화합물이 상기와 같은 함량으로 포함되는 경우에 본 발명의 레지스트 박리액 조성물이 레지스트 박리효과의 미흡 문제나 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속 배선에 대한 부식 속도의 급격한 증가의 문제 없이 바람직한 박리특성을 발휘할 수 있다.
또한, 상기 (c) 극성 유기용매가 상기와 같은 함량 범위로 포함되는 경우에 식각 등에 의해 변질되거나 가교된 레지스트 고분자의 제거 성능의 발현에도 유리하며 동시에 처리매수 증가 효과에 유리하다.
또한, 본 발명은
(Ⅰ) 플랫 패널 디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계;
(Ⅱ) 상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
(Ⅲ) 상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
(Ⅳ) 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
(Ⅴ) 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및
(Ⅵ) 상기 식각 공정 후, 잔류하는 레지스트를 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 박리하는 단계를 포함하는 레지스트의 박리방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 박리 방법은, 마스크를 이용한 레지스트 패턴 형성 공정을 진행하지 않고, 에치백(etchback) 공정과 같은 건식 식각 공정 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행한 다음, 노출된 레지스트막을 본 발명의 박리액 조성물로 박리하는 방법을 포함한다.
상기 박리 방법 중의, 레지스트막의 형성, 노광, 현상, 식각 및 에싱 공정은 당업계에 통상적으로 알려진 방법에 의하여 수행할 수 있다.
상기 박리 방법에는 침적법, 분무법 또는 침적 및 분무법를 이용할 수 있다.
침적, 분무 또는 침적 및 분무에 의하여 박리하는 경우, 박리 조건으로서 온도는 대개 15 내지 100℃, 바람직하게는 30 내지 70℃이고, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무 시간은 대개 30초 내지 40분, 바람직하게는 1분 내지 20분이지만, 본 발명에 있어서 엄밀하게 적용되지는 않으며, 당업자에 의해 용이하고 적합한 조건으로 수정될 수 있다.
이하에서, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예 및 비교예
하기의 표 1에 기재된 함량의 성분을 혼합하여 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 7의 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
구분 (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드 (b) 염기성 화합물 (c) 극성 유기용매
[중량%] [중량%] [중량%] [중량%]
실시예1 95 AEE 5 - -
실시예2 80 MEA 5 EDG 15
실시예3 75 MDEA 10 NMP 15
실시예4 5 AEE 5 NMF 90
실시예5 5 HEP 5 MDG
NMF		 20
70
실시예6 55 AEE 5 NMP 40
실시예7 45 AEE 5 EDG 50
비교예1 - AEE 5 NMP 95
비교예 2 80 - - EDG 20
비교예 3 - AEE 5 EDG 90 아세토아세트아미드
(고상이며 잘 용해되지 않음)		 5
비교예4 - AEE 5 EDG 15 N,N-디메틸아세토아세트아미드 80
비교예5 - AEE 5 NMP 15 메틸아세토아세트아미드 80
비교예6 - MEA 5 NMP 40 N,N-디메틸아세토아세트아미드 55
비교예7 - MEA 5 EDG 50 N,N-디메틸아세토아세트아미드 45
주)) AEE: 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올
MEA: 모노에탄올아민
MDEA: N-메틸디에탄올아민
HEP: 히드록시에틸 피페라진
NMP: N-메틸피롤리돈
EDG: 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르
MDG: 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르
NMF: N-메틸포름아미드
실험예 1
박리액의 박리력 평가
레지스트 박리용 조성물의 박리효과를 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 Mo/Al, Cu/Ti층을 형성한 후, 포토 레지스트 패턴을 형성시킨 이후, 습식 식각 및 건식 식각 방식에 의해 금속막을 에칭한 기판을 각각 준비하였다. 레지스트 박리용 조성물을 50℃로 온도를 일정하게 유지시킨 후, 1분간 대상물을 침적하여 박리력을 평가하였다. 이후 기판상에 잔류하는 박리액의 제거를 위해서 순수로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. 상기 기판의 변성 또는 경화 레지스트 및 건식 식각 잔사 제거 성능은 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타냈으며 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 보통은 △, 불량은 ×로 표시하였다.
실험예 2
박리액 금속 배선 방식력 평가
레지스트 박리액 조성물의 금속배선에 대한 부식 방지능력을 평가는 Mo/Al과 Cu/Ti 배선이 노출된 기판을 사용하였으며 박리액 조성물을 50℃로 온도를 일정하게 유지시키고 상기 기판을 30분간 침적시킨 후, 세정 및 건조를 거쳐 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 2에 나타냈으며 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 보통은 △, 불량은 ×로 표시 하였다.
실험예 3
박리액의 레지스트 용해력 평가
레지스트 박리액의 성능을 표현하는 방법 중의 하나로 얼마나 많은 양의 레지스트가 도포된 기판을 박리할 수 있는지를 처리매수/처리용량 평가라 한다. 이를 위한 평가 방법으로 고형화된 레지스트(130℃에서 3일간 열처리를 통해 용매를 모두 제거시켜 고형화 시킨 레지스트) 5 중량%를 50℃에서 1시간 동안 500rpm 동일 조건으로 용해 시킨 후 남은 잔량을 필터페이퍼로 여과하여 무게를 측정 후 용해된 용해도를 %로 계산하였다. 그 수치가 높을수록 높은 레지스트 용해력을 나타내며 처리매수/처리용량이 높다라고 판단할 수 있다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
실험예 4
박리액의 공정 휘발량 평가
레지스트 박리 공정에서의 휘발 되어 소실 되는 중량 평가를 위해서 1000ml 비이커에 각각 500g을 분취한 후 비이커를 50℃ 항온조에 넣어 일정 온도가 유지 되도록 한 후 시간에 12시간, 24시간 후 비이커에 남은 잔량의 무게를 측정 하여 휘발되어 소실된 휘발량을 %로 계산 하였다. 그 수치가 낮을수록 휘발된 소실량이 적음을 나타내며 그 결과를 하기의 표 2에 나타내었다.
구분 박리력 방식력 용해도(%) 휘발량(%)
Al Cu 12hr 24hr
실시예1 ◎ ◎ ◎ 97.5 1.5 6.6
실시예2 ◎ ◎ ◎ 97.8 1.2 6.0
실시예3 ○ ◎ ◎ 98.1 1.0 5.7
실시예4 ◎ ◎ ◎ 98.0 1.2 6.5
실시예5 ◎ ◎ ◎ 98.1 1.3 6.1
실시예6 ◎ ◎ ◎ 98.5 1.4 6.1
실시예7 ◎ ◎ ◎ 97.4 1.2 5.8
비교예1 ◎ △ X 97.8 1.1 5.9
비교예2 X ◎ ◎ 97.0 1.2 6.1
비교예3 ◎ ○ ◎ 65.3 1.1 6.2
비교예4 ◎ ○ △ 72.6 52.4 65.5
비교예5 ◎ ○ △ 70.3 56.2 67.4
비교예6 ◎ ○ △ 78.4 42.1 50.3
비교예7 ◎ ○ △ 75.2 40.5 48.6
상기 표 2의 시험 결과로부터, 본 발명의 박리액 조성물인 실시예 1 내지 7의 조성물은 비교예의 조성물과 비교하여, 레지스트 제거력이 우수할 뿐만 아니라, 알루미늄 및 구리에 대한 방식성도 모두 우수하며, 처리매수/처리용량 평가에 있어서도 비교예에 비하여 훨씬 뛰어나다는 것을 확인할 수 있었다.
실시예 4의 경우, N,N-디에틸아세토아세트아미드를 사용하지 않은 비교예 1에 비해 Al, Cu에 대한 방식력이 우수하였다. 이에 비해, 비교예 1의 경우, 알루미늄 및 구리에 대해 방식력이 비교적 떨어졌으며, 염기성 화합물을 사용하지 않은 비교예 2는 박리력이 좋지 않았다. 또한, 본 발명의 디에틸아세토아세트아미드 외의 아세토아세트아미드계 화합물을 사용한 비교예 3 내지 7는 본 발명의 실시예 1 내지 7에 비해 용해도가 현저히 떨어진 것을 확인하였으며, 특히 끓는점이 160℃ 미만인 디메틸아세토아세트아미드계 화합물을 사용한 비교예 4 내지 7의 경우 12시간, 24시간 경과 후 휘발되어 소실된 휘발량이 40.5 내지 67.4%로 휘발량이 큰 것을 확인하였다.

Claims (10)

  1. (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드 및 (b) 염기성 화합물을 포함하는 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여
    (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드 85 내지 99 중량%; 및
    (b) 염기성 화합물 1 내지 15 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드, (b) 염기성 화합물 및 (c) 극성 유기용매를 포함하는 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물.
  4. 청구항 3에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여
    (a) N,N-디에틸아세토아세트아미드 2 내지 85 중량%;
    (b) 염기성 화합물 1 내지 20 중량%; 및
    (c) 극성 유기용매 5 내지 95 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 (b) 염기성 화합물은 KOH, NaOH, TMAH(테트라메틸 암모늄 히드록시드), TEAH(테트라에틸 암모늄 히드록시드), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 아민류는 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민 및 펜틸아민의 1차 아민; 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민 및 메틸이소부틸아민의 2차 아민; 디에틸 히드록시아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민 및 메틸디프로필아민의 3차 아민; 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올 및 디부탄올아민의 알칸올아민; (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올 및 2-(2-아미노에톡시)에탄올의 알콕시아민; 디에틸히드록실아민, 디프로필히드록실아민 및 N-에틸-N-메틸히드록실아민의 히드록실아민; 및 히드록시에틸 피페라진, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진, N-메틸모폴린, 4-에틸모폴린, N-포름일모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린 및 N-(3-히드록시프로필)모폴린의 환을 형성한 고리형 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 (c) 극성 유기용매로서 양자성 극성용매 및 비양자성 극성용매를 단독으로 또는 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 양자성 극성용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 테트라하이드로퍼푸릴 알코올로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이고,
    상기 비양자성 극성용매는 Ｎ-메틸피롤리돈(NMP) 및 Ｎ-에틸 피롤리돈의 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논 및 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논의 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤의 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO) 및 술폴란의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트 및 트리부틸포스페이트의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트 및 에틸렌카보네이토의 카보네이트 화합물; 및 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드 및 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드의 아미드 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물.
  9. (Ⅰ) 플랫 패널 디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계,
    (Ⅱ) 상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
    (Ⅲ) 상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
    (Ⅳ) 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단
    계;
    (Ⅴ) 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는
    단계; 및
    (Ⅵ) 상기 식각 공정 후, 잔류하는 레지스트를 청구항 1 또는 3의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 박리하는 단계를 포함하는 레지스트의 박리방법.
  10. 청구항 1 또는 3의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널용 기판의 레지스트를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 장치의 제조방법.
KR20130072268A 2013-06-24 2013-06-24 플랫 패널 디스플레이 제조용 레지스트 박리액 조성물 KR20150000183A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130072268A KR20150000183A (ko) 2013-06-24 2013-06-24 플랫 패널 디스플레이 제조용 레지스트 박리액 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130072268A KR20150000183A (ko) 2013-06-24 2013-06-24 플랫 패널 디스플레이 제조용 레지스트 박리액 조성물

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150000183A true KR20150000183A (ko) 2015-01-02

Family

ID=52474367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130072268A KR20150000183A (ko) 2013-06-24 2013-06-24 플랫 패널 디스플레이 제조용 레지스트 박리액 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20150000183A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019006725A1 (en) * 2017-07-06 2019-01-10 Dow Global Technologies Llc COMBINATIONS OF AMIDES FOR CLEANING AND STRIPPING ELECTRONIC PARTS

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019006725A1 (en) * 2017-07-06 2019-01-10 Dow Global Technologies Llc COMBINATIONS OF AMIDES FOR CLEANING AND STRIPPING ELECTRONIC PARTS
US11016392B2 (en) 2017-07-06 2021-05-25 Dow Global Technologies Llc Amide combinations for cleaning and stripping of electronic parts

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101734593B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20110016418A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20110053557A (ko) 레지스트 박리액 조성물
CN110597024B (zh) 防止污渍的光刻胶剥离剂组合物及平板显示器基板的制法
KR101880303B1 (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
KR20090121650A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법
KR20120089873A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20160030835A (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR20150128349A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR102091544B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
CN107239006B (zh) 抗蚀剂剥离液组合物、平板及其制造方法和显示装置
KR20150000183A (ko) 플랫 패널 디스플레이 제조용 레지스트 박리액 조성물
KR20130139482A (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR102572751B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR101543827B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR102092919B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20150026582A (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR101880302B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트 박리방법
KR20150028526A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 평판표시장치의 제조방법
KR20150075521A (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
KR102092336B1 (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
KR101857807B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR101978514B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR102009532B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR102092922B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination