KR20130046493A - 플랫패널 디스플레이 기판용 세정액 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플랫 패널 디스플레이(FPD) 기판의 제조 공정에 있어서 유리기판 또는 금속 막질 위의 유기오염물이나 파티클 제거에 적합한 세정액 조성물 및 세정방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 플랫패널 디스플레이 기판용 세정액 조성물에 관한 것이다.
플랫패널 디스플레이 장치(flat panel display device)는, 반도체 디바이스와 같이, 성막, 노광, 에칭 등의 공정을 거쳐 제품이 제조된다. 하지만, 이러한 제조공정 중에, 기판 표면에 각종의 유기물이나 무기물 등의 크기가 1㎛ 이하인 매우 작은 파티클(Particle)이 부착되는 오염이 발생한다. 이러한 파티클이 부착한 채로, 다음의 공정 처리를 실시했을 경우, 막의 핀홀이나 피트, 배선의 단선이나 브릿지(Bridge)가 발생하여, 제품의 제조 수율이 저하된다.
따라서, 오염물을 제거하기 위한 세정이 각 공정 간에 행해지고 있고, 이를 위한 세정액에 대해서도 많은 연구가 있었다.
관련하여, 대한민국 공개특허 제2004-0035368호에서는 알칸올 아민, 유기용매, 킬레이트 화합물 및 물로 구성된 반도체 및 TFT-LCD용 세정액 조성물을 개시하고 있다. 하지만, 상기 세정액은 유기오염물 및 파티클 제거력이 부족하고, 폴리하이드록시 벤젠계 킬레이트 화합물인 카테콜 또는 갈산 등으로 인해 장기간 사용시 석출 문제가 발생할 수 있다. 대한민국 공개특허 제2006-0127098호에서는 유기산, 유기 알칼리, 계면활성제 및 물을 포함하는 반도체 디바이스용 기판의 세정액을 개시하고 있다. 하지만, 상기 공개특허의 세정액은 산성 범위의 용액이므로 세정 초기의 단계의 기본적 특성인 유기물이나 무기물 등의 크기가 1㎛ 이하의 매우 작은 파티클(Particle)에 대한 제거력이 불충분하다. 그리고, 구리배선에 대한 방식효과만 있는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 플랫 패널 디스플레이(FPD) 기판의 제조 공정에 있어서 유리기판 또는 금속 막질 위의 유기오염물이나 파티클 제거에 적합한 세정액 조성물 및 세정방법을 제공하는데 있다. 또 다른 목적은 FPD 기판상에 형성되어 있는 구리 배선, 구리합금 배선, 알루미늄 배선 또는 알루미늄 합금 배선을 부식시키지 않는 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 (a) 하기 화학식 1의 부식 방지제 0.001~10중량%, (b) 알카리계 화합물 0.05~20중량%, (c) 수용성 극성 용매 0.1~40중량% 및 (d) 탈이온수 잔량을 포함하는 플랫패널 디스플레이 기판용 세정액 조성물을 제공한다.
상기 식에서
R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 결합 또는 C1~5의 알킬렌,
R1, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 포화 또는 불포화 C1~5의 알킬,
R7은 R8COOR9 또는 OR10이고,
R8은 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬렌,
R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬이다.
또한, 본 발명은 본 발명의 세정액 조성물을 사용하여 플랫패널 디스플레이 기판을 세정하는 것을 특징으로 하는 플랫패널 디스플레이 기판의 세정방법을 제공한다.
본 발명은 또한 본 발명의 세정액 조성물을 사용하여 제조된 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 기판을 제공한다.
본 발명의 세정액 조성물은 플랫 패널 디스플레이 기판의 유리 표면에 대한 유기물 오염물 및 파티클 제거력이 우수하고, 기판상에 형성되어 있는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 금속배선의 부식방지 효과가 우수하고, 다량의 탈이온수를 포함하고 있어 취급이 용이하며 경제적, 환경적으로 유리한 효과가 있다.
도 1은 유기 오염물 중 유기 사인펜 자국으로 오염된 유리기판을 나타낸 사
진이다.
도 2는 본 발명의 실시예 10에 따른 세정액 조성물을 이용하여 유기 오염물 중 유기 사인펜 자국이 제거되는 결과를 나타내는 사진이다.
도 3은 대기중에서 24시간 동안 오염된 유리기판에 초순수를 떨어뜨렸을 때의 접촉각 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예 4에 따른 세정액 조성물을 사용하여 세정한 유리기판에 초순수를 떨어뜨렸을 때의 접촉각 사진이다.
진이다.
도 2는 본 발명의 실시예 10에 따른 세정액 조성물을 이용하여 유기 오염물 중 유기 사인펜 자국이 제거되는 결과를 나타내는 사진이다.
도 3은 대기중에서 24시간 동안 오염된 유리기판에 초순수를 떨어뜨렸을 때의 접촉각 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예 4에 따른 세정액 조성물을 사용하여 세정한 유리기판에 초순수를 떨어뜨렸을 때의 접촉각 사진이다.
본 발명은 (a) 하기 화학식 1의 부식 방지제 0.001~10중량%, (b) 알카리계 화합물 0.05~20중량%, (c) 수용성 극성 용매 0.1~40중량% 및 (d) 탈이온수 잔량을 포함하는 플랫패널 디스플레이 기판용 세정액 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 식에서
R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 결합 또는 C1~5의 알킬렌,
R1, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 포화 또는 불포화 C1~5의 알킬,
R7은 R8COOR9 또는 OR10이고,
R8은 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬렌,
R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬이다.
본 발명의 세정액 조성물은 알칼리 화합물에 의한 파티클 세정력이 우수하고, 특정의 부식방지제에 의해 알루미늄 및 구리배선에 대한 방식효과가 우수하다.
이하 본 발명의 성분들을 자세히 설명한다. 그러나 본 발명의 범위가 이들 설명에 의해 제한되지는 않는다.
(a) 부식 방지제
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 하기 화학식 1의 부식방지제를 포함한다.
[화학식 1]
상기 식에서
R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 결합 또는 C1~5의 알킬렌,
R1, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 포화 또는 불포화 C1~5의 알킬,
R7은 R8COOR9 또는 OR10이고,
R8은 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬렌,
R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬이다.
상기 화학식 1에서 바람직하게는 R2 및 R4는 결합이고, R3는 메틸렌이다.
상기 화학식 1에서 바람직하게는 R7은 R8COOH이고, R8은 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬렌이다.
화학식 1로 나타내어지는 부식 방지제의 종류로는 바람직하게는 숙시닉 아미드 에스터, 말릭 아미드 에스터, 말레릭 아미드 에스터, 푸마릭 아미드 에스터, 옥살릭 아미드 에스터, 말로닉 아미드 에스터, 글루타릭 아미드 에스터, 아세틱 아미드 에스터, 락틱 아미드 에스터, 시트릭 아미드 에스터, 타르타릭 아미드 에스터, 글루콜릭 아미드 에스터, 포믹 아미드 에스터 및 우릭 아미드 에스터 등의 유기산 아미드 에스터류를 들을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물은 부식방지제의 역할을 하는 것으로 특히 물 및 극성용매에 대한 용해성이 뛰어나 레지스트의 박리 후 탈이온수로 린스 시에 부식 방지제가 기판 표면에 잔류하지 않으며, 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선 금속배선의 부식 방지능력이 뛰어난 반면 박리액 조성물의 색변화를 야기시키지 않는다.
상기 부식 방지제는 0.001 내지 10중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 0.01 내지 3 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면 금속막의 손상을 최소화할 수 있으며, 경제적이다.
본 발명은 추가로 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올과 같은 아졸계화합물, 1,2-벤조퀴논, 1,4-벤조퀴논, 1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논과 같은 퀴논계 화합물 그리고 카테콜, 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 및 갈릭산 등과 같은 알킬 갈레이트 화합물 등을 부식방지제로 포함할 수 있다.
(b)
알카리계
화합물
알카리계 화합물은 바람직하게는 KOH, NaOH, TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide), TEAH(Tetraethyl ammonium hydroxide), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류 등을 들을 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 아민류에는 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민 등의 1차 아민; 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민 등의 2차 아민; 디에틸 히드록시아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민 및 메틸디프로필아민 등의 3차 아민; 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, 2-아미노에탄올, 2-(에틸아미노)에탄올, 2-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 1-아미노-2-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민 등의 알칸올아민; (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등의 알콕시아민; 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진, N-메틸모폴린, 4-에틸모폴린, N-포름일모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(3-히드록시프로필)모폴린 등의 환을 형성한 고리형아민 등이 있다.
상기 알카리계 화합물은 유기 오염물 및 무기 오영물에 대한 세정제로 사용된다.
상기 알카리계 화합물은 전체 조성물의 총 중량 중 0.05중량% 내지 20중량%가 바람직하고, 0.1중량% 내지 10중량%가 더욱 바람직하다. 상기 알카리계 화합물이 0.05중량% 미만이면, 미세입자, 유기 오염물 및 무기 오염물에 대해 충분한 세정효과를 달성할 수 없고, 20중량%를 초과하면 pH가 높아져 금속 배선에 대한 부식이 증가한다.
(c) 수용성 극성용매
수용성 극성용매로는 양자성 극성용매와 비양자성 극성용매를 들 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 양자성 극성용매의 바람직한 예로는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 테트라하이드로퍼푸릴 알코올 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 비양자성 극성용매의 바람직한 예로는 N-메틸 피롤리돈(NMP), N-에틸 피롤리돈 등의 피롤리돈 화합물; 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디프로필-2-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란 등의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토 등의 카보네이트 화합물; 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등의 아미드 화합물을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 수용성 극성용매는 세정된 오염물을 용해시켜 제거시킨다.
세정액 조성물 내의 수용성 극성용매의 농도는 바람직하게는 0.1 내지 40중량%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 20중량% 이다. 상기의 수용성 극성용매의 농도가 0.1중량%미만이면 용매의 추가에 기인한 세정액 조성물의 오염물에 대한 용해력 증가를 기대할 수 없고, 40중량%를 초과하여 사용할 경우 세정액 사용으로 인한 경제적, 환경적 이점을 기대할 수 없다.
(d)
탈이온수
본 발명의 세정액 조성물은 상기 화학식 1로 나타내는 부식 방지제, 알카리계 화합물 및 유기용매로 이루어진 조성물에 탈이온수를 포함함다.
탈이온수는 알카리계 화합물의 활성화를 향상시켜 유기오염물 및 파티클의 세정속도를 증가시키며, 수용성 극성용매에 혼합되어 탈이온수에 의한 린스 공정 시 기판상에 잔존하는 유기 오염물 및 파티클을 빠르고 완전하게 제거시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 본 발명의 세정액 조성물을 사용하여 플랫패널 디스플레이 기판을 세정하는 것을 특징으로 하는 플랫패널 디스플레이 기판의 세정방법을 제공한다.
본 발명은 또한 본 발명의 세정액 조성물을 사용하여 제조된 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 기판을 제공한다.
본 발명의 플랫 패널 디스플레이 기판용 세정액 조성물은 유리기판, 전극 또는 배선 상에 존재하는 유무기 오염물 또는 파티클을 제거할 수 있다. 본 발명의 플랫 패널 디스플레이 기판용 세정액 조성물은 플랫패널디스플레이 장치에 이용되는 구리를 포함하는 금속으로 이루어진 전극 또는 배선 등을 부식시키지 않으면서 세정효과를 발휘할 수 있다. 본 발명의 플랫 패널 디스플레이 기판용 세정제 조성물은 다량의 물을 사용함으로써 린스 문제가 발생할 가능성을 낮춘다. 그리고, 본 발명의 플랫 패널 디스플레이 기판용 세정제 조성물은 경제적이고 친환경적이다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예
1~12 및
비교예
1~6: 세정액 조성물의 제조
하기의 표 1에 기재된 성분과 함량을 혼합하여 세정액 조성물을 제조하였다.
구분 | (b) [중량%] |
(c) [중량%] |
(a) [중량%] |
(d) [중량%] |
|||||
실시예1 | MIPA | 1 | NMP | 1 | BDG | 10 | A | 0.1 | 잔량 |
실시예2 | MEA | 0.5 | NMP | 1 | MDG | 10 | A | 0.1 | 잔량 |
실시예3 | DGA | 1 | NMF | 1 | EDG | 10 | A | 0.1 | 잔량 |
실시예4 | TMAH | 0.5 | NMF | 1 | MDG | 10 | A | 0.1 | 잔량 |
실시예5 | TEAH | 1 | DMI | 1 | MDG | 10 | A | 0.1 | 잔량 |
실시예6 | HEP | 1 | DMI | 1 | BDG | 10 | A | 0.1 | 잔량 |
실시예7 | MDEA | 1 | NMP | 1 | BDG | 10 | A | 0.1 | 잔량 |
실시예8 | MIPA | 0.5 | NMF | 1 | EDG | 10 | A | 0.1 | 잔량 |
실시예9 | MIPA | 1 | DMSO | 1 | MDG | 10 | A | 0.1 | 잔량 |
실시예10 | MEA | 0.5 | DMI | 1 | PEG | 10 | A | 0.1 | 잔량 |
실시예11 | DGA | 0.5 | DMI | 1 | MDG | 10 | A | 0.1 | 잔량 |
실시예12 | DGA | 1 | NMF | 1 | MDG | 10 | A | 0.1 | 잔량 |
비교예1 | MIPA | 1 | NMP | 1 | BDG | 10 | - | - | 잔량 |
비교예2 | MIPA | 1 | NMP | 1 | BDG | 10 | MG | 0.1 | 잔량 |
비교예3 | DGA | 1 | NMF | 1 | BDG | 10 | BTA | 0.1 | 잔량 |
비교예4 | TMAH | 0.5 | NMP | 1 | BDG | 10 | BTA | 0.1 | 잔량 |
비교예5 | TMAH | 0.5 | NMF | 1 | MDG | 10 | MG | 0.2 | 잔량 |
비교예6 | - | - | DMI | 1 | MDG | 10 | - | - | 잔량 |
주))MIPA: 모노이소프로필아민
MEA: 모노에탄올아민
DGA: 디글리콜아민
MDEA: N-메틸디에탄올아민
HEP: 히드록시에틸 피페라진
TMAH: 테트라메틸암모늄 히드록사이드
TEAH: 테트라에틸암모늄 히드록사이드
DMSO: 디메틸술폭사이드
NMP: N-메틸피롤리돈
DMI: 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논
NMF: N-메틸포름아미드
BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르
MDG: 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르
EDG: 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르
PEG: 폴리에틸렌 글리콜
PEG ME: 폴리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르
MG: 메틸 갈레이트
BTA: 벤조트리아졸
A: 숙시닉 아미드 에스터 (King Industries 사, CDI-4303)
실험예
: 세정액 조성물의 특성 및 성능평가
1) 알루미늄, 구리 부식방지력 평가
알루미늄이 2000Å, 구리가 2500Å 두께로 형성된 유리기판을 실시예 및 비교예의 세정액 조성물에 30분간 침지시킨다. 이때 세정액의 온도는 40℃이며, 결과는 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 평가하였다. 그 결과를 표 2에 기재하였으며 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 보통은 △, 불량은 ×로 표시 하였다.
2) 유기 오염물 제거력 평가
유기 오염물의 제거력 평가를 위해 5㎝ x 5㎝ 크기로 형성된 유리기판 위에 그리스 코팅 또는 유기성분 사인펜으로 오염시키고, 오염된 기판을 스프레이식 유리 기판 세정장치를 이용하여 2분 동안 40℃에서 실시예3,4,5,7,8,9,10및 비교예3,4,5,6의 세정액 조성물로 세정하였다. 세정 후 초순수에 30초 세척한 후 질소로 건조하였다. 상기 그리스 코팅 오염은 플랫패널 디스플레이 제조 장비를 통해 공정중에 기판상에 오염될 가능성이 있는 그리스를 유리기판 위에 스핀(spin) 코팅기를 이용하여 코팅 후 100℃오븐에서 2분간 말린 후 사용하였다.
그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. 하기 표 2에서 유기 오염물이 제거 되었을 때, ○, 유기 오염물이 제거되지 않았을 때 x로 표시하였다. 또한 실시예 10에 의한 유기 오염물 제거 결과를 도 1에 나타내었다. 여기서, 도 1은 유기 사인펜 자국으로 오염된 유리기판의 세정 전을 나타낸 사진이다. 또한, 도 2는 본 발명의 실시예 10에 따른 세정액 조성물을 이용하여 상기 유기 사인펜 자국이 제거된 결과를 나타내는 사진이다.
3) 접촉각 평가
또한, 유리기판을 대기 중에 24시간 방치하여 대기중의 각종 유기물, 무기물, 파티클 등에 오염시킨 후 스프레이식 유리 기판 세정장치를 이용하여 2분동안 40℃에서 실시예 1, 실시예 4, 실시예 10 및 비교예 6의 세정액 조성물로 세정하였다. 세정 후 초순수에 30초 세척한 후 질소로 건조하였다. 상기 유리기판 위에 0.5㎕의 초순수 방울을 떨어뜨려 세정후의 접촉각을 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타내었다. 여기서, 도 3은 대기중에서 24시간 동안 오렴된 유리기판에 초순수 방울을 떨어뜨렸을 때의 접촉각을 보여주는 사진이며 도 4는 실시예 4에 따른 세정액 조성물을 이용하여 세정후 측정한 접촉각을 나타내는 사진이다.
구분 | 부식방지성능-Al/Cu | 유기사인펜 | 그리스 | 접촉각 |
실시예 1 | ◎/◎ | - | - | 25 |
실시예 2 | ◎/◎ | - | - | - |
실시예 3 | ◎/◎ | X | X | - |
실시예 4 | ◎/◎ | O | O | 16 |
실시예 5 | ◎/◎ | O | O | - |
실시예 6 | ◎/◎ | - | - | - |
실시예 7 | ◎/◎ | X | - | - |
실시예 8 | ◎/◎ | X | X | - |
실시예 9 | ◎/◎ | X | - | - |
실시예 10 | ◎/◎ | O | O | 18 |
실시예 11 | ◎/◎ | - | - | - |
실시예 12 | ◎/◎ | - | - | - |
비교예 1 | X/X | - | - | - |
비교예 2 | ◎/O | - | - | - |
비교예 3 | △/◎ | X | O | - |
비교예 4 | X/△ | O | O | - |
비교예 5 | ◎/△ | O | O | - |
비교예 6 | ◎/◎ | X | X | 35 |
상기 표 2의 부식 방지 성능에 대한 결과로부터, 화학식 1로 표시되는, 본 발명에서 제시하는 부식방지제를 사용한 실시예 1~12까지의 세정액 조성물은 금속막(Al/Cu)에 대한 부식 방지성능이 탁월함을 알 수 있다. 반면 비교예 2, 비교예 5는 Al에 대한 부식 방지 성능만을 가지며 비교예 3만이 Cu에 대한 부식방지 성능을 나타낸다.
Claims (7)
- (a) 하기 화학식 1의 부식 방지제 0.001~10중량%, (b) 알카리계 화합물 0.05~20중량%, (c) 수용성 극성 용매 0.1~40중량% 및 (d) 탈이온수 잔량을 포함하는 플랫패널 디스플레이 기판용 세정액 조성물
[화학식 1]
상기 식에서
R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 결합 또는 C1~5의 알킬렌,
R1, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 포화 또는 불포화 C1~5의 알킬,
R7은 R8COOR9 또는 OR10이고,
R8은 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬렌,
R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 또는 C1~5의 포화 또는 불포화 알킬이다. - 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 부식 방지제는 숙시닉 아미드 에스터, 말릭 아미드 에스터, 말레릭 아미드 에스터, 푸마릭 아미드 에스터, 옥살릭 아미드 에스터, 말로닉 아미드 에스터, 글루타릭 아미드 에스터, 아세틱 아미드 에스터, 락틱 아미드 에스터, 시트릭 아미드 에스터, 타르타릭 아미드 에스터, 글루콜릭 아미드 에스터, 포믹 아미드 에스터 및 우릭 아미드 에스터로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이상인 것인 플랫패널 디스플레이 기판용 세정액 조성물
- 청구항 1에 있어서, 부식 방지제로 아졸계 화합물, 퀴논계 화합물 및 알킬갈레이트 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이상을 추가로 포함하는 플랫패널 디스플레이 기판용 세정액 조성물
- 청구항 1에 있어서, 상기 알카리계 화합물은 KOH, NaOH, TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide), TEAH(Tetraethyl ammonium hydroxide), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인 플랫패널 디스플레이 기판용 세정액 조성물
- 청구항 1에 있어서, 청구항 2에 있어서, 상기 수용성 극성용매는 양자성 극성용매 및 비양자성 극성용매로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인 플랫패널 디스플레이 기판용 세정액 조성물
- 청구항 1의 세정액 조성물을 사용하여 플랫패널 디스플레이 기판을 세정하는 것을 특징으로 하는 플랫패널 디스플레이 기판의 세정방법
- 청구항 1의 세정액 조성물을 사용하여 제조된 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 기판
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KR101538939B1 (ko) * | 2013-07-24 | 2015-07-24 | 풍원화학(주) | 유기전계발광표시장치 제조공정에서 사용되는 도전부재 세정액 및 이를 이용한 세정방법 |
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