KR100366974B1 - 드라이필름용 박리액 조성물 및 이를 이용한 드라이필름의박리방법 - Google Patents

드라이필름용 박리액 조성물 및 이를 이용한 드라이필름의박리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100366974B1
KR100366974B1 KR10-1999-0066188A KR19990066188A KR100366974B1 KR 100366974 B1 KR100366974 B1 KR 100366974B1 KR 19990066188 A KR19990066188 A KR 19990066188A KR 100366974 B1 KR100366974 B1 KR 100366974B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dry film
peeling
weight
liquid composition
acid
Prior art date
Application number
KR10-1999-0066188A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010044011A (ko
Inventor
장영남
Original Assignee
유니켐스 (주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 유니켐스 (주) filed Critical 유니켐스 (주)
Priority to KR10-1999-0066188A priority Critical patent/KR100366974B1/ko
Publication of KR20010044011A publication Critical patent/KR20010044011A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100366974B1 publication Critical patent/KR100366974B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/34—Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
    • H05K3/242—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus characterised by using temporary conductors on the printed circuit for electrically connecting areas which are to be electroplated

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 드라이필름용 박리액 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 박리방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 (a) 알카리금속 수산화물 1.0∼30.0중량%, (b) 물 30∼80중량%, (c) 모노에탄올아민, 디에탄올아민 및 트리에탄올아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 에탄올아민 3∼15중량%, (d) 킬레이트 화합물 0.1∼15중량%, 및 (e) 히드록실아민류 및 방향족 히드록시 화합물로 이루어진 군으로 하나 또는 그 이상 선택된 성분 1.0∼20중량%로 구성되는 드라이필름용 박리액 조성물 및 이를 이용하여 50∼55℃의 온도 범위에서 드라이필름 패턴을 박리시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하여 드라이필름막 및 변질막의 어떠한 경우에 대해서도 우수한 박리성을 가짐과 동시에 고온처리 조건하에서도 금속재료, 특히 철, 철-니켈 합금 또는 구리에 형성된 인쇄회로기판 또는 리드프레임의 양자에 대해서도 부식성을 유효적절하게 방지할 수 있음과 동시에 박리된 드라이필름 잔류물이 다시 원래의 금속판에 재부착이 일어나지 않도록 되어 있으며 박리속도를 일정하게 유지할 수 있는 효과가 있다.

Description

드라이필름용 박리액 조성물 및 이를 이용한 드라이필름의 박리방법 {Stripping composition for dry film and method for stripping dry film using the same}
본 발명은 드라이필름 박리액 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 박리방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 인쇄회로기판 또는 리드프레임 제조시에 적절하게 이용되는 드라이필름막 및 변질막 양자의 박리성이 우수하고 고온처리 조건하에서도 금속재료의 방부성이 우수한 드라이필름용 박리액 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 박리방법에 관한 것이다.
일반적으로, 금속층에 패턴을 형성하는 공정은 인쇄회로기판 또는 리드프레임 반도체 소지상에 드라이필름을 균일하게 도포하고, 이것을 빛에 노출, 현상처리하여 드라이필름 패턴을 형성하고, 이 패턴을 마스크로 해서 상기 도전성 금속막 또는 절연막을 선택적으로 에칭하고 미세회로를 형성한 후, 불필요한 드라이필름층을 박리액으로 제거하여 제조된다. 여기에서 상기 금속막은 철, 철-니켈 합금, 또는 구리 등을 포함한다.
한편, 본 발명과 같이 드라이필름을 박리시키기 위한 조성물은 아니지만, 감광액(포토레지스트)을 제거하기 위한 선행특허들을 살펴보면, 대한민국 등록특허 제107303호에서는 히드록실기와 아미노기가 동일 탄소원자에 결합해 있지 않는 조건하에, 1분자내에 1개 또는 2개의 히드록실기 및 1개의 아미노기를 지니는 탄소수 2∼6, 비점이 150℃이상인 제1지방족아민을 80중량%이상 함유하는 레지스트 박리액으로서 탄소수 2∼6의 제1지방족아민의 함유향이 90중량%이상인 것을 특징으로 하며, 탄소수 2∼6의 제1지방족아민의 함유량이 95중량%이상인 레지스트 박리액을 개시하고 있다.
대한민국 등록특허 제173090호에서는 (a) 히드록실아민류 2 내지 30중량 %, (b) 물 2 내지 35중량%, (c) 25℃의 수용액에 있어서 산해리정수(PKa)가 7.5 내지 13인 아민류 2 내지 20중량%, (d) 수용성 유기용매 35 내지 80중량%, 및 (e) 방식제 2 내지 20중량%로 이루어진 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법을 개시하고 있다.
대한민국 등록특허 제242144호에서는 반도체 기판으로부터의 드라이 에칭 및 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액, 및 이 박리액을 개시하고 있고, 대한민국 등록특허 제222513호 내식막용 박리액 조성물 및 이를 사용한 내식막 박리방법을 개시하고 있다.
또한, 대한민국 공개특허 제98-071603호에서는 디메틸술폭시드 30 내지 75중량%, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 20 내지 65중량%, 테트라알킬암모늄히드록시드0.1 내지 5중량% 및 물 0.5 내지 15 중량%를 함유하는 네가형 포토레지스트용 박리액 조성물을 제공하고 있고,
대한민국 공개특허 제99-037078호에서는 (a) 히드록실아민류 2∼30중량%, (b) 물 2∼35중량%, (c) 모노에탄올아민, 디에탄올아민 중에서 선택되는 어느 1종이상을 25∼40중량%, (d) 디메틸술폭시드 20∼32중량%, 및 (e) 방향족 히드록시 화합물 2∼20중량%로 이루어진 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법을 개시하고 있다.
아울러, 대한민국 공개특허 제99-037944호에서는 지방족 폴리카본산 및 그 염, 그리고 아미노폴리카본산 및 그 염에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 폴리카본산 및/또는 그 염을 유효성분으로서 함유하는 포토 레지스트 박리액 조성물을 개시하고 있다.
그러나, 상기 특허들에서 제거하고자 하는 감광액 조성물은 반도체 디바이스 (IC, LSI, VLSI)의 경우 실리콘웨이퍼와 같은 무기질 판상의 포토레지스트막을 형성하는 공정에 사용되는 것인 바, 인쐐회로기판 또는 리드프레임상에 피복되는 본 발명에서 제거하고자 하는 드라이 필름과는 물리적 및 화학적으로 구분된다.
상기 드라이필름 층을 제거하는 박리액 조성물로는 최근에 알카리금속 수산화물을 이용한 드라이필름 박리액 조성물이 이용되어 왔으나, 이러한 박리액은 박리속도가 늦을 뿐만 아니라, 박리된 금속재료에 부식이 일어나 검게 되는 현상이 문제시되어 이에 대응할 수 있는 박리액 조성물이 요구되는 실정이다.
따라서, 드라이 필름막 및 변질막의 어떠한 경우에 대해서도 우수한 박리성을 가짐과 동시에 보다 고온처리 조건하에서도 금속재료, 특히 철, 철-니켈 합금, 구리 등으로 이루어지는 인쇄회로기판 또는 리드프레임에 대해서도 박리성 및 부식을 효과적으로 방지할 수 있는 드라이필름용 박리액의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위하여 연구를 계속한 결과 알카리금속 수산화물, 물, 특정의 알카리알코올아민류, 킬레이트 화합물, 특정의 히드록실아민류 및 방향족 히드록시 화합물을 특정의 비율로 배합한 드라이필름용 박리액 조성물을 이용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명은 이에 기초하여 완성하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 보다 낮은 저온처리 조건하에서도 인쇄회로기판 및 반도체 리드프레임 재료의 양자에 부식을 효과적으로 방지할 수 있으면서도 드라이필름막 및 변질막의 어떠한 것에 대해서도 우수한 박리성을 갖는 드라이필름용 박리액 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 조성물을 이용하여 드라이필름막 및 변질막을 박리시키는 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 조성물은 (a) 알카리금속 수산화물 1.0∼30.0중량%, (b) 물 30∼80중량%, (c) 모노에탄올아민, 디에탄올아민 및 트리에탄올아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 에탄올아민 3∼15중량%, (d) 킬레이트 화합물 0.1∼15중량% 및 (e) 히드록실아민류 및 방향족히드록시 화합물로 이루어진 군으로 하나 또는 그 이상 선택된 성분 1.0∼20중량%로 구성된다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 박리방법은 금속층에 패턴을 형성시키기 위하여 인쇄회로기판 또는 리드프레임 상에 드라이필름층을 형성하고, 박리시키는 방법에 있어서, 드라이필름 패턴을 마스크로 해서 기판을 에칭한 다음, 상기 드라이필름 박리액 조성물을 이용하여 50∼55℃의 범위내에서 드라이필름 패턴을 박리시키는 것으로 구성된다.
이하 본 발명을 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 드라이 필름용 박리액 조성물은 (a) 알카리금속 수산화물 1.0∼30.0중량%, (b) 물 30∼80중량%, (c) 모노에탄올아민, 디에탄올아민 및 트리에탄올아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 에탄올아민 3∼15중량%, (d) 킬레이트 화합물 0.1∼15중량%, 및 (e) 히드록실아민류 및 방향족 히드록시 화합물로 이루어진 군으로 하나 또는 그 이상 선택된 성분 1.0∼20중량%로 구성된다.
본 발명에서 (a) 성분인 알카리금속 수산화물로는 NaOH 또는 KOH 등이 이용될 수 있으며, 그 사용량은 1∼30중량%, 바람직하게는 20∼30중량%이다. 이때, 상기 사용량이 1중량%미만이면 박리속도가 현저하게 감소하고, 30중량%를 초과하면 전혀 박리성을 갖지 못하는 경향이 있다.
상기 (b) 성분인 물은 (e) 성분에 필수적으로 함유되어 있는 것이나, 별도로 더욱 첨가하여 그 배합량을 조정할 수도 있다. 그 사용량은 30∼80중량%, 바람직하게는 40∼60중량%이고, 30중량%미만이면 박리성을 전혀 갖지 못하고, 80중량%를 초과하면 박리속도가 현저하게 감소하는 경향이 있다.
상기 (c) 성분인 에탄올아민은 모노에탄올아민, 디에탄올아민 및 트리에탄올아민으로 이루어진 군으로부터 1종 또는 2종 이상 선택되며, 그 사용량은 3∼15중량%, 바람직하게는 5∼10중량%이다.
이때, 상기 사용량이 15중량%를 초과하면 드라이필름 박리성은 향상되나 금속재료에 부식이 일어나고, 3중량%미만이면 박리성이 저하되는 경향이 있다.
상기 (d) 성분인 킬레이트 화합물로 에틸렌디아민테트라아세틱산(EDTA), 시클로헥산디아민테트라아세틱산(CYDTA) 또는 니트로3초산아세틱산(NTA) 등이 사용될 수 있으며, 그 사용량은 0.1∼15중량%, 바람직하게는 1∼10중량%이다.
상기 사용량이 0.1중량%미만이면 박리된 드라이필름이 금속상에 재부착되는 경향이 있고, 15중량%를 초과하면 박리시간이 현저하게 증가되는 경향이 있다.
본 발명에 사용되는 (e) 성분중 히드록실아민류는 하기 화학식 1로 표시된다.
상기 식에서 R1및 R2는 서로 같거나 다르게 수소 또는 탄소수 1∼6의 저급알킬기이다. 여기에서 상기 탄소수 1∼6개의 저급 알칼기로는 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, 이소헥실기, 3-메틸펜틸기, 2,2-디메틸부틸기 또는 2,3-디메틸부틸기 등을 포함한다.
상기 히드록실아민류로서 구체적으로는 히드록실아민(NH2OH), N-메틸히드록실아민, N,N-디메틸히드록실아민 또는 N,N-디에틸히드록실아민 등을 들 수 있고, 이중에서도 히드록실아민이 바람직하다. 이들 히드록실아민류는 단독으로 이용할 수도 있고, 또는 2종이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
또한, 상기 (e) 성분중 방향족 히드록시 화합물은 주로 방부효과를 얻기 위한 것으로, 구체적으로는 페놀, 크레졸, 크실레놀, 피로카테콜(=1,2-디히드록실벤젠), tert-부틸카테콜, 레졸지놀, 하이드로퀴논, 피로갈롤, 1,2,4-벤젠트리올, 살리실알코올, p-히드록실벤질알코올, o-히드록실벤질알코올, p-히드록실페닐알코올, p-아미노페놀, m-아미노페놀, 디아미노페놀, 아미노레졸지놀, p-히드록시벤조산, o-히드록시벤조산, 2,4-디히드록시벤조산, 2,5-디히드록시벤조산, 3,4-디히드록시벤조산, 또는 3,5-디히드록시벤조산 등을 들 수 있다.
이중에서도 카테콜, tert-부틸카테콜이 바람직하나, 작업상 및 안정성 측면에서, tert-부틸카테콜이 보다 바람직하다. 상기 화합물들은 단독으로 이용할 수도 있고, 2종이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
상기 (e) 성분의 사용량은 1.0∼20.0중량%, 바람직하게는 5∼10중량%이며, 1.0중량%미만이면 금속소지 표면이 검게 변하고, 20.0중량%를 초과하면 미박리된 드라이필름이 잔존하는 경향이 있다.
본 발명에 따르면, 상기 (a)∼(e)의 성분 배합비율은 매우 중요하고, 각 성분의 배합량을 상기 범위내에서 조절함으로써 드라이필름막을 효과적으로 저온에서 박리할 수 있으며, 고온처리하에서도 금속막을 부식시키지 않는다.
특히, 알칼리금속 수산화물을 첨가하지 않는 경우, 저온에서 박리성 및 박리속도를 향상시키지 못하며, 킬케이트 화합물을 사용하지 않는 경우 금속소지상에 박리된 드라이필름이 재부착되거나 소지표면이 검게 되며, 원하는 박리속도를 유지할 수 없다.
한편, 본 발명의 드라이필름 박리방법은 드라이필름 패턴을 형성한 다음, 기판을 에칭후에 드라이필름막을 박리시 상기 조성물을 이용한다.
예를 들어, (1) 금속층을 형성한 인쇄회로기판 또는 리드프레임 상에 드라이필름 조성을 도포, 건조시켜 드라이필름막을 형성하고, (2) 상기 드라이필름 층을 마스크 패턴을 통하여 선택적으로 빛에 노출시킨 다음, (3) 빛에 노출시킨 후의 드라이필름층을 현상하여 드라이필름 패턴을 형성하고, (4) 상기 드라이필름 패턴을마스크로 하여 상기 기판을 에칭한 후, (5) 상기 에칭 공정후의 드라이필름 패턴을 기판에서 박리시키는 공정에 있어서, 본 발명의 드라이필름 박리액 조성물을 이용하여 50∼55℃의 온도범위에서 에칭 공정후의 드라이필름 패턴을 박리시킨다.
본 발명에 따르면, 박리처리는 통상적으로 침적법 또는 스프레이법에 의하여 실시된다. 또한, 이때의 박리온도는 통상적으로 50∼55℃로서 이루어지나 고온하에서도 금속막에 대한 부식방지 효과가 높고 또한 박리성이 우수하다.
그러나, 고온처리 조건하에서 박리하면 금속소지상에 내식성이 증가하는 이유에서 50∼55℃가 바람직하고, 상기 온도범위가 50℃미만이면 소정의 박리성 및 박리속도를 유지하지 못하고, 55℃를 초과하면 금속소지상에 검게 되는 현상과 내식성이 저하되는 경향이 있다.
또한, 박리시간은 박리되기에 충분한 시간이면 무방하여 특별히 한정되어 있지는 않지만, 통상적으로 15∼20초 정도면 충분하다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 좀 더 구체적으로 살펴보지만, 하기 예에 본 발명의 범주가 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 내지 15
금속층을 형성한 인쇄회로기판 및 리드프레임 상에 드라이필름 조성을 도포, 건조시켜 드라이필름막을 형성하고, 상기 드라이필름층을 마스크 패턴을 통하여 선택적으로 빛에 노출시킨 다음, 빛에 노출시킨 후의 드라이필름층을 현상하여 드라이필름 패턴을 형성하고, 상기 드라이필름 패턴을 마스크로 하여 상기 기판을 에칭한 후, 상기 에칭 공정후의 드라이필름 패턴을 기판에서 박리시키는 공정에 있어서, 하기 표 1에 기재된 성분과 양의 드라이필름 박리액 조성물에 약 50℃에서 침적 처리하여 그 각각의 드라이필름막 박리처리를 하였다.
박리 후의 기판을 순수로 충분히 린스 처리하고, 드라이필름막의 박리성, 금속막 층의 부식상태를 관찰함으로써 박리성, 박리속도 및 부식성을 다음과 같이 평가하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
<박리성평가>
박리액 조성물을 1ℓ비이커에 넣고 마그네틱 교반자를 사용하여 박리액을 교반하면서 50∼55℃로 가열하여 드라이필름막(약10μ)이 도포된 소지를 침적하여 박리시킨 후 증류수로 세척, 건조한 후 잔존하는 드라이필름막이 있는지 여부를 전자현미경을 이용하여 검사하여 평가하였다.
<박리속도평가>
박리액 조성물을 1ℓ비이커에 넣고 마그네틱 교반자를 사용하여 박리액을 교반하면서 50∼55℃로 가열하여 드라이필름막(약10μ)이 도포된 소지를 침적하여 소지상에서 드라이필름막이 완전히 제거되는 시간을 측정하여 평가하였다.
<부식성평가>
박리액 조성물을 1ℓ비이커에 넣고 마그네틱 교반자를 사용하여 박리액을 교반하면서 50∼55℃로 가열하여 드라이필름막(약10μ)이 도포된 소지를 침적하여 박리시킨 후 증류수로 세척, 건조한 후 화학저울을 이용하여 무게를 측정한 후 다시 위 박리액에 50∼55℃에서 약 10분간 교반, 침적한 후 증류수로 세척, 건조한 후 화학저울을 이용하여 무게를 측정하여 하기 수학식 1의 방법에 의해 부식율을 측정하여 평가하였다.
◎: 거의 부식이 없음 : 부식성률 0.01%이하
Ｏ: 부식이 약간 보임 : 부식성률 0.01%∼0.1%사이
△: 부식이 많이 보임 : 부식성률 0.1%이상
드라이필름용 박리액 조성물 (중량%) 드라이필름막의박리성 박리속도(초) 부식 상태
(a)성분 (b)성분 (c)성분 (d)성분 (e)성분 철 철+니켈합금 구리
실시예1 SH(25) 물(53) DEA(8) EDTA(6) HA(8) ◎ 18 ◎ ◎ ◎
실시예2 SH(25) 물(53) MEA(8) EDTA(6) HA(8) ◎ 15 ◎ ◎ ◎
실시예3 KH(25) 물(53) MEA(8) EDTA(6) HA(8) ◎ 16 ◎ ◎ ◎
실시예4 SH(20) 물(62) DEA(6) EDTA(6) HA(6) ◎ 17 ◎ ◎ ◎
실시예5 SH(15) 물(61) MEA(6) EDTA(8) MHA(8) ◎ 20 ◎ ◎ ◎
실시예6 SH(20) 물(56) TEA(8) NTA(8) PRG(8) △ 18 ◎ ◎ Ｏ
실시예7 KH(5) 물(78) MEA(3) CYDTA(6) HA(8) △ 25 ◎ ◎ ◎
실시예8 KH(10) 물(71) DEA(5) NTA(8) HA(6) ◎ 18 ◎ ◎ Ｏ
실시예9 KH(25) 물(56) DEA(3) NTA(8) HA(8) ◎ 23 ◎ ◎ Ｏ
실시예10 SH(30) 물(20) MEA(15) CYDTA(15) DEHA(20) △ 30 ◎ ◎ ◎
실시예11 SH(25) 물(10) MEA(20) EDTA(20) HA(25) △ 35 ◎ ◎ △
실시예12 SH(25) 물(40) MEA(10) CYDTA(15) HQ(10) ◎ 28 ◎ ◎ Ｏ
실시예13 KH(30) 물(57) DEA(2) EDTA(3) HQ(8) Ｏ 30 ◎ ◎ △
실시예14 KH(3) 물(80) MEA(10) NTA(2) TBC(5) △ 32 ◎ ◎ Ｏ
실시예15 SH(3) 물(84) MEA(2) NTA(1) HA(10) △ 35 ◎ ◎ Ｏ
주) SH:수산화나트륨, KH:수산화칼륨, HA:히드록실아민, MEA:모노에탄올아민, DEA:디에탄올아민, TEA:트리에탄올아민, EDTA:에틸렌디아민테트라아세틱산, CYDTA:시클로헥산디아민테트라아세틱산, NTA:니트로3초산아세틱산, CTC:카테콜, HQ:하이드로퀴논, PRG:피로갈롤, TBC:tert-부틸카테콜, MHA:메틸히드록실아민, DEHA:디에틸히드록실아민
- 박리성 평가
◎: 박리성 양호, Ｏ: 잔사가 조금 남음, △: 잔사가 많이 남음
- 부식상태 평가
◎: 거의 부식이 없음, Ｏ: 부식이 약간 보임, △: 부식이 많이 보임
상기 표 1의 결과에서 알 수 있듯이, 실시예 1∼15의 어떠한 드라이필름용 박리액 조성물도 드라이필름 박리성이 우수하고, 또한 기판의 부식방지 효과도 우수하다는 것을 알 수 있다. 이중에서도 실시예 2의 드라이필름용 박리액 조성물을 이용할 경우 이것들의 각 우수한 효과가 가장 균형있게 달성되었다.
이와 같이, 본 발명에 따른 드라이필름용 박리액 조성물 및 박리방법은 드라이필름막 및 변질막의 어떠한 경우에 대해서도 우수한 박리성을 가짐과 동시에 고온처리 조건하에서도 금속재료, 특히 철, 철-니켈 합금 또는 구리에 형성된 인쇄회로기판 또는 리드프레임의 양자에 대해서도 부식성을 유효적절하게 방지할 수 있음과 동시에 박리된 드라이필름 잔류물이 다시 원래의 금속판에 재부착이 일어나지 않도록 되어 있으며 박리속도를 일정하게 유지할 수 있는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. (a) 알카리금속 수산화물 1.0∼30.0중량%, (b) 물 30∼80중량%, (c) 모노에탄올아민, 디에탄올아민 및 트리에탄올아민으로 이루어진 군으로부터 1종 또는 2종 이상 선택된 에탄올아민 3∼15중량%, (d) 킬레이트 화합물 0.1∼15중량%, (e) 히드록실아민류 및 방향족 히드록시 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 성분 1.0∼20중량%로 구성되는 것을 특징으로 하는 드라이필름용 박리액 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알카리금속 수산화물이 NaOH 또는 KOH임을 특징으로 하는 드라이필름용 박리액 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 킬레이트 화합물이 에틸렌디아민테트라아세틱산, 시클로헥산디아민테트라아세틱산 또는 니트로3초산아세틱산임을 특징으로 하는 드라이필름용 박리액 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 히드록실아민류는 하기 화학식 1로 표시됨을 특징으로 하는 드라이필름용 박리액 조성물.
    화학식 1
    상기 식에서 R1및 R2는 서로 같거나 다르게 수소 또는 탄소수 1∼6의 저급알킬기이다.
  5. 제1항에 있어서, 상기 방향족 히드록시 화합물은 페놀, 크레졸, 크실레놀, 피로카테콜(=1,2-디히드록실벤젠), tert-부틸카테콜, 레졸지놀, 하이드로퀴논, 피로갈롤, 1,2,4-벤젠트리올, 살리실알코올, p-히드록실벤질알코올, o-히드록실벤질알코올, p-히드록실페닐알코올, p-아미노페놀, m-아미노페놀, 디아미노페놀, 아미노레졸지놀, p-히드록시벤조산, o-히드록시벤조산, 2,4-디히드록시벤조산, 2,5-디히드록시벤조산, 3,4-디히드록시벤조산, 또는 3,5-디히드록시벤조산임을 특징으로 하는 드라이필름용 박리액 조성물.
  6. 금속층에 패턴을 형성시키기 위하여 인쇄회로기판 또는 리드프레임 상에 드라이필름층을 형성하고 이를 박리시키는 방법에 있어서, 드라이필름 패턴을 마스크로 해서 기판을 에칭한 다음, 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 따른 드라이필름 박리액 조성물을 이용하여 50∼55℃의 온도범위에서 상기 드라이필름 패턴을 박리시키는 것을 특징으로 하는 드라이필름의 박리방법.
KR10-1999-0066188A 1999-12-30 1999-12-30 드라이필름용 박리액 조성물 및 이를 이용한 드라이필름의박리방법 KR100366974B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-1999-0066188A KR100366974B1 (ko) 1999-12-30 1999-12-30 드라이필름용 박리액 조성물 및 이를 이용한 드라이필름의박리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-1999-0066188A KR100366974B1 (ko) 1999-12-30 1999-12-30 드라이필름용 박리액 조성물 및 이를 이용한 드라이필름의박리방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010044011A KR20010044011A (ko) 2001-06-05
KR100366974B1 true KR100366974B1 (ko) 2003-01-14

Family

ID=19633331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1999-0066188A KR100366974B1 (ko) 1999-12-30 1999-12-30 드라이필름용 박리액 조성물 및 이를 이용한 드라이필름의박리방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100366974B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100348434B1 (ko) * 2000-01-14 2002-08-10 주식회사 동진쎄미켐 레지스트 리무버 조성물
KR100742119B1 (ko) * 2001-02-16 2007-07-24 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 리무버 조성물
US7704936B2 (en) * 2005-07-15 2010-04-27 Kobe Steel Ltd. Methods and removers for removing anodized films
US8889609B2 (en) * 2011-03-16 2014-11-18 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations
CN114450388A (zh) * 2019-09-27 2022-05-06 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于去除蚀刻残留物的组合物及其使用方法和用途

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06266119A (ja) * 1992-07-09 1994-09-22 Ekc Technol Inc 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤
EP0618506A1 (de) * 1993-03-31 1994-10-05 Morton International, Inc. Entschichterlösung für lichtvernetzte Photoresistschablonen
KR950018340A (ko) * 1993-12-02 1995-07-22 일 이. 워드 히드록실아민 및 알카놀아민을 포함하는 수성 스트립핑 조성물 및 그 사용방법
US5597678A (en) * 1994-04-18 1997-01-28 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosive photoresist stripper composition
US5962197A (en) * 1998-03-27 1999-10-05 Analyze Inc. Alkaline organic photoresist stripper
KR20000012759A (ko) * 1999-12-23 2000-03-06 김무 반도체 패키지용 리드프레임 자재의 포토레지스트박리방법 및 그 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06266119A (ja) * 1992-07-09 1994-09-22 Ekc Technol Inc 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤
EP0618506A1 (de) * 1993-03-31 1994-10-05 Morton International, Inc. Entschichterlösung für lichtvernetzte Photoresistschablonen
KR950018340A (ko) * 1993-12-02 1995-07-22 일 이. 워드 히드록실아민 및 알카놀아민을 포함하는 수성 스트립핑 조성물 및 그 사용방법
US5597678A (en) * 1994-04-18 1997-01-28 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosive photoresist stripper composition
US5962197A (en) * 1998-03-27 1999-10-05 Analyze Inc. Alkaline organic photoresist stripper
KR20000012759A (ko) * 1999-12-23 2000-03-06 김무 반도체 패키지용 리드프레임 자재의 포토레지스트박리방법 및 그 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010044011A (ko) 2001-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0173090B1 (ko) 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법
JP6546080B2 (ja) クリーニング用組成物
JP4758055B2 (ja) マイクロエレクトロニクス基板洗浄用の安定化アルカリ性組成物
JP5860020B2 (ja) 厚いフィルム・レジストを除去するための剥離及びクリーニング用組成物
KR100857865B1 (ko) 세정 제제
KR100286860B1 (ko) 포토레지스트 리무버 조성물
JP2527268B2 (ja) レジスト用剥離剤組成物
US10647950B2 (en) Cleaning formulations
US6660460B2 (en) Stripper
US20060014110A1 (en) Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same
US20090176677A1 (en) Treating liquid for photoresist removal, and method for treating substrate
JP2001523356A (ja) レジスト剥離および洗浄用の非腐食性組成物
JP2002523546A (ja) 非腐食性のストリッピングおよびクリーニング組成物
KR100429920B1 (ko) 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법
JPH08305040A (ja) ノボラック含有ホトレジストストリッパー組成物
KR100364885B1 (ko) 포토레지스트용박리액조성물및이를이용한포토레지스트박리방법
KR100366974B1 (ko) 드라이필름용 박리액 조성물 및 이를 이용한 드라이필름의박리방법
JP4698123B2 (ja) レジスト除去剤組成物
KR100497587B1 (ko) 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트박리방법
JP3406055B2 (ja) ポジ型レジスト用剥離液
WO2007148574A1 (ja) レジスト剥離剤
JP2000199971A (ja) ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
JPH07219240A (ja) ポジ型レジスト用剥離液
JP4355083B2 (ja) フォトレジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体基板処理方法
JP3449650B2 (ja) レジスト用剥離液組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G15R Request for early opening
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101215

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee