CN112310121A - 阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板通过在金属层与金属阻挡层的斜坡处形成介电层，使得介电层能够覆盖在金属阻挡层上，从而使得在使用光刻胶剥离液剥离光刻胶时，介电层能够避免光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，从而保护金属阻挡层，解决了现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
现有阵列基板制备过程中，在金属层制备时，会采用光刻胶设置在金属层上，在金属层刻蚀完成后，需要对光刻胶进行剥离，对光刻胶进行剥离时，会采用光刻胶剥离液对光刻胶进行剥离，但由于光刻胶剥离液容易腐蚀非晶氧化物，导致金属层下的金属阻挡层被腐蚀，金属阻挡层出现掏空现象。
所以，现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，用以解决现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题
本申请实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括：
衬底；
金属叠层，设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物；
介电层，设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，所述介电层用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层。
在一些实施例中，所述金属层包括栅极层，所述栅极层刻蚀形成有栅极，所述介电层设置在所述栅极侧面。
在一些实施例中，所述金属层包括遮光层，所述遮光层刻蚀形成有遮光图案，所述介电层设置在所述遮光图案侧面。
在一些实施例中，所述金属层的材料包括铜。
在一些实施例中，所述介电层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种。
在一些实施例中，所述介电层的厚度范围等于所述金属层的厚度的四分之一至三分之一。
在一些实施例中，所述金属阻挡层的材料包括氧化钼、氧化铟锌中的一种。
同时，本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，该阵列基板制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上使用金属氧化物形成金属阻挡层；
在所述金属阻挡层上形成金属层；所述金属阻挡层和金属层组成金属叠层；
在所述金属层上转印光刻胶，并对所述光刻胶曝光显影形成光刻胶图案；
对所述金属层和所述金属阻挡层进行刻蚀，形成有斜坡；
去除所述斜坡上方的所述光刻胶，并对所述光刻胶进行剥离处理，提高所述光刻胶的粗糙度；
在所述光刻胶上使用非金属氧化物形成介电层；所述介电层覆盖在所述斜坡上；
采用光刻胶剥离液对所述光刻胶进行剥离。
同时，本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底；
金属叠层，设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物；
介电层，设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，所述介电层用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层。
在一些实施例中，所述显示面板包括液晶显示面板和有机发光二极管显示面板中的一种。
有益效果：本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括衬底、金属叠层和介电层，所述金属叠层设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物，所述介电层设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层；通过在金属层与金属阻挡层的斜坡处形成介电层，使得介电层能够覆盖在金属阻挡层上，从而使得在使用光刻胶剥离液剥离光刻胶时，介电层能够避免光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，从而保护金属阻挡层，解决了现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有阵列基板中金属层和金属阻挡层刻蚀后的示意图；
图2为现有阵列基板的光刻胶剥离后的示意图。
图3为本申请实施例提供的阵列基板的第一示意图。
图4为本申请实施例提供的阵列基板的第二示意图。
图5为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的流程图。
图6为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的各个步骤对应的阵列基板的第一示意图。
图7为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的各个步骤对应的阵列基板的第二示意图。
图8为本申请实施例提供的显示面板的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例针对现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题，本申请实施例用以解决该问题。
如图1所示，现有阵列基板在制备金属层时，会将金属层13设置在基板11上，并在金属层13下设置金属阻挡层12，然后在金属层13上形成光刻胶14，以对金属层进行刻蚀，在图1中，对金属层13和金属阻挡层12刻蚀后，金属层13和金属阻挡层12会形成坡度，然后采用光刻胶剥离液对光刻胶进行剥离，现有技术中为了避免光刻胶剥离液腐蚀金属层，会在光刻胶剥离液中加入抗腐蚀剂，但金属阻挡层为非晶结构，且膜质疏松，内部存在大量缺陷，导致金属阻挡层被光刻胶剥离液腐蚀，如图2所示，在金属层13与金属阻挡层12的坡度处，光刻胶剥离液会对金属阻挡层进行腐蚀，导致金属阻挡层出现被蚀刻的区域15，金属阻挡层被掏空，即现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题。
如图3所示，本申请实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括：
衬底21；
金属叠层29，设置于所述衬底21上，所述金属叠层29包括金属层23和金属阻挡层22，所述金属叠层29图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡231，所述金属层23设置于所述金属阻挡层22远离所述衬底21的方向上，所述金属阻挡层22的材料包括金属氧化物；
介电层24，设置于所述斜坡231上，所述介电层24的材料包括非金属氧化物，用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层22。
本申请实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括衬底、金属叠层和介电层，所述金属叠层设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物，所述介电层设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层；通过在金属层与金属阻挡层的斜坡处形成介电层，使得介电层能够覆盖在金属阻挡层上，从而使得在使用光刻胶剥离液剥离光刻胶时，介电层能够避免光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，从而保护金属阻挡层，解决了现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题。
在一种实施例中，所述介电层从所述斜坡延伸至衬底上，考虑到仅将介电层设置在斜坡上会出现光刻胶剥离液从介电层底部入侵，使得介电层延伸至衬底上，从而避免光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层。
在一种实施例中，如图4所示，所述阵列基板包括衬底21、金属阻挡层22、栅极层23、介电层24、栅极绝缘层25、有源层26、源漏极层27、钝化层28，在栅极层下设置金属阻挡层，可以增加栅极层的粘附性，从而避免栅极层出现脱离，同时，金属阻挡层采用低反射率的材料，从而避免栅极层反射率较高，导致栅极层反射环境光影响显示效果。
在一种实施例中，如图4所示，所述金属层包括栅极层23，所述栅极层23刻蚀形成有栅极，所述介电层24设置在所述栅极侧面，在金属层为栅极层时，通过将介电层设置在栅极侧面，使得位于栅极下方的金属阻挡层不会被光刻胶剥离液腐蚀，从而保护了位于栅极下方的金属阻挡层。
在一种实施例中，所述介电层设置于所述栅极一侧，即在改善金属阻挡层被光刻胶剥离液腐蚀时，可以将介电层设置在栅极一侧，例如，将介电层设置栅极的左侧，或者将介电层设置在栅极的右侧，从而使得设有介电层一侧的金属阻挡层不会被刻蚀，从而降低了金属阻挡层被腐蚀的面积。
在一种实施例中，所述介电层设置于所述栅极两侧，如图4所示，将介电层设置在栅极两侧，从而使得位于栅极下的金属阻挡层的两侧均不会被光刻胶剥离液腐蚀，从而使得金属阻挡层保持完整。
在一种实施例中，所述栅极层刻蚀形成有扫描线，所述介电层设置于所述扫描线两侧，在栅极层中，栅极层还会刻蚀形成扫描线，可以通过将介电层设置在扫描线两侧，使得位于扫描线下的金属阻挡层不会被光刻胶剥离液腐蚀，从而对金属阻挡层进行保护。
在一种实施例中，所述金属层包括遮光层，所述遮光层刻蚀形成有遮光图案，所述介电层设置在所述遮光图案侧面，通过在遮光图案侧面设置介电层，可以对遮光图案进行保护，从而避免遮光层被光刻胶剥离液腐蚀。
在一种实施例中，所述金属层包括源漏极层，所述源漏极层刻蚀形成有源漏极，所述介电层设置于所述源漏极侧面，在金属层为源漏极层时，将介电层设置在源漏极和金属阻挡层侧面，使得介电层对源漏极和金属阻挡层进行保护，光刻胶剥离液无法与金属阻挡层接触，从而不会腐蚀金属阻挡层，金属阻挡层能够完整的设置在源漏极层下，从而避免源漏极层反射光线，且提高源漏极层的粘附性。
在一种实施例中，所述介电层设置于所述源漏极一侧，在源漏极一侧设置介电层，使得介电层能够对源漏极一侧的金属阻挡层进行保护，从而避免设置有介电层一侧的金属阻挡层被光刻胶剥离液腐蚀，从而降低了金属阻挡层被腐蚀的面积。
在一种实施例中，所述介电层设置于所述源漏极两侧，在源漏极两侧设置介电层，使得介电层对金属阻挡层两侧进行保护，光刻胶剥离液无法接触到金属阻挡层，从而使得光刻胶剥离液无法腐蚀金属阻挡层，解决了现有光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层的问题。
在一种实施例中，所述源漏极层刻蚀形成有数据线，所述介电层设置于所述数据线两侧，考虑到源漏极层会刻蚀形成源漏极和数据线，可以将介电层设置在数据线两侧，使得介电层能够保护位于源漏极层下的金属阻挡层，从而使得位于源漏极层下的金属阻挡层不会与光刻胶剥离液接触，解决了光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层的问题。
在一种实施例中，所述金属层包括栅极层和源漏极层，所述金属阻挡层包括栅极阻挡层和源漏极阻挡层，所述介电层包括第一介电层和第二介电层，所述第一介电层设置于所述栅极层与栅极阻挡层形成的斜坡上，所述第二介电层设置于所述源漏极层与源漏极阻挡层形成的斜坡上，在栅极层和源漏极层下均设有金属阻挡层时，可以通过在栅极层与栅极阻挡层形成的斜坡处设置第一介电层，在源漏极层与源漏极阻挡层形成的斜坡处设置第二介电层，从而使得第一介电层和第二介电层分别保护栅极阻挡层和源漏极阻挡层，从而使得栅极阻挡层和源漏极阻挡层不会被光刻胶剥离液腐蚀，从而解决了光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层的问题。
在一种实施例中，所述金属层的材料包括铜，考虑到金属层的材料为铜，而铜的粘附性较差，为了避免铜出现脱落，在铜下设置金属阻挡层，从而增加铜与金属阻挡层的复合膜层的粘附力。
在本申请实施例中，采用非金属氧化物作为介电层的材料，由于非金属氧化物不会被光刻胶剥离液腐蚀，所以可以对金属阻挡层进行保护。
在一种实施例中，所述介电层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种，在选择介电层的材料时，选择不与光刻胶剥离液发生反应、液不会被光刻胶剥离液刻蚀的材料，同时，为了避免介电层影响阵列基板的透光性能，介电层的材料选择透光性能较好的材料，因此，可以选择例如氮化硅等材料作为介电层的材料。
在一种实施例中，所述介电层的厚度范围等于所述金属层的厚度的四分之一至三分之一，在设置介电层的厚度时，为了使得介电层能够掉落在斜坡上，对金属阻挡层进行保护，同时，介电层厚度不会影响阵列基板的膜层设置，可以使得介电层的厚度较小，但同时为了避免介电层的厚度过小，导致介电层不完整，光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，因此，设置介电层的厚度为金属层的厚度的四分之一至三分之一，具体的，介电层的厚度范围为10埃至500埃。
在一种实施例中，所述金属阻挡层的材料包括氧化钼、氧化铟锌中的一种，在金属阻挡层的材料选择上，选择低反射率的材料作为金属阻挡层的材料，且金属阻挡层的粘附性较好。
如图5所示，本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：
S1，提供衬底；
S2，在所述衬底上使用金属氧化物形成金属阻挡层；
S3，在所述金属阻挡层上形成金属层；所述金属阻挡层和金属层组成金属叠层；其结构如图6中的(a)所示；
S4，在所述金属层上形成光刻胶，并对所述光刻胶曝光显影形成光刻胶图案；其结构如图6中的(b)所示；
S5，对所述金属层和所述金属阻挡层进行刻蚀，形成有斜坡；其结构如图6中的(b)所示；
S6，去除所述斜坡上方的所述光刻胶，并对所述光刻胶进行剥离处理，提高所述光刻胶的粗糙度；其结构如图6中的(c)所示；
S7，在所述光刻胶上使用非金属氧化物形成介电层；所述介电层覆盖在所述斜坡上；其结构如图7中的(a)所示；
S8，采用光刻胶剥离液对所述光刻胶进行剥离，其结构如图7中的(b)所示。
本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，该阵列基板制备方法制备的阵列基板包括衬底、金属叠层和介电层，所述金属叠层设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物，所述介电层设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层；通过在金属层与金属阻挡层的斜坡处形成介电层，使得介电层能够覆盖在金属阻挡层上，从而使得在使用光刻胶剥离液剥离光刻胶时，介电层能够避免光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，从而保护金属阻挡层，解决了现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题。
需要说明的是，如图7中的(a)所示，在光刻胶3上设有介电层24，但由于光刻胶表面粗糙，导致介电层不会完整的平铺在光刻胶上，从而使得光刻胶剥离液能够剥离光刻胶，同时，位于光刻胶上的介电层也会被剥离。
在一种实施例中，所述光刻胶剥离液包括有机胺、极性有机溶剂和抗腐蚀剂，有机胺包括乙醇胺、二甲基乙酰胺，极性有机溶剂包括乙二醇甲醚、二乙二醇单丁醚、二甲亚砜，抗腐蚀剂包括2-氨基环己醇、2-胺基环戊醇。
在一种实施例中，所述去除所述斜坡上方的所述光刻胶，并对所述光刻胶进行剥离处理，提高所述光刻胶的粗糙度的步骤包括：使用氧气退去光刻胶，并对光刻胶进行剥离处理，提高光刻胶的粗糙度。
如图8所示，本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底21；
金属叠层29，设置于所述衬底21上，所述金属叠层29包括金属层23和金属阻挡层22，所述金属叠层29图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡231，所述金属层23设置于所述金属阻挡层22远离所述衬底21的方向上，所述金属阻挡层22的材料包括金属氧化物；
介电层24，设置于所述斜坡231上，所述介电层24的材料包括非金属氧化物，用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层22。
本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括衬底、金属叠层和介电层，所述金属叠层设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物，所述介电层设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层；通过在金属层与金属阻挡层的斜坡处形成介电层，使得介电层能够覆盖在金属阻挡层上，从而使得在使用光刻胶剥离液剥离光刻胶时，介电层能够避免光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，从而保护金属阻挡层，解决了现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题。
在一种实施例中，所述显示面板包括液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上述实施例中的阵列基板、彩膜基板和位于所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。
在一种实施例中，如图8所示，所述显示面板包括有机发光二极管显示面板，所述有机发光二极管显示面板包括阵列基板，位于阵列基板上的像素电极层41，位于像素电极层41上的像素定义层43，位于所述像素定义层43定义的像素区域的发光材料层42，位于所述发光材料层42上的公共电极层44，位于所述公共电极层44上的封装层45。
根据上述实施例可知：
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括衬底、金属叠层和介电层，所述金属叠层设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物，所述介电层设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层；通过在金属层与金属阻挡层的斜坡处形成介电层，使得介电层能够覆盖在金属阻挡层上，从而使得在使用光刻胶剥离液剥离光刻胶时，介电层能够避免光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，从而保护金属阻挡层，解决了现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
金属叠层，设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物；
介电层，设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，所述介电层用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层包括栅极层，所述栅极层刻蚀形成有栅极，所述介电层设置在所述栅极侧面。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层包括遮光层，所述遮光层刻蚀形成有遮光图案，所述介电层设置在所述遮光图案侧面。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层的材料包括铜。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述介电层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述介电层的厚度范围等于所述金属层的厚度的四分之一至三分之一。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属阻挡层的材料包括氧化钼、氧化铟锌中的一种。
8.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上使用金属氧化物形成金属阻挡层；
在所述金属阻挡层上形成金属层；所述金属阻挡层和金属层组成金属叠层；
在所述金属层上转印光刻胶，并对所述光刻胶曝光显影形成光刻胶图案；
对所述金属层和所述金属阻挡层进行刻蚀，形成有斜坡；
去除所述斜坡上方的所述光刻胶，并对所述光刻胶进行剥离处理，提高所述光刻胶的粗糙度；
在所述光刻胶上使用非金属氧化物形成介电层；所述介电层覆盖在所述斜坡上；
采用光刻胶剥离液对所述光刻胶进行剥离。
9.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底；
金属叠层，设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物；
介电层，设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，所述介电层用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括液晶显示面板和有机发光二极管显示面板中的一种。
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| CN202011135955.XA CN112310121A (zh) | 2020-10-22 | 2020-10-22 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09213704A (ja) * | 1996-02-05 | 1997-08-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP3074634B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2000-08-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法 |
| US6462005B1 (en) * | 1994-01-07 | 2002-10-08 | Texas Instruments Incorporated | Cleaning agent for a semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device |
| JP4009822B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2007-11-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト剥離液 |
| CN104733541A (zh) * | 2015-03-19 | 2015-06-24 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
| US20160247834A1 (en) * | 2013-06-27 | 2016-08-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Manufacture method of via hole, manufacture method of display panel, and display panel |
| CN106784013A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置 |
| CN106783737A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 |
| CN110993564A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 |
-
2020
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462005B1 (en) * | 1994-01-07 | 2002-10-08 | Texas Instruments Incorporated | Cleaning agent for a semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device |
| JP3074634B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2000-08-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法 |
| JPH09213704A (ja) * | 1996-02-05 | 1997-08-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP4009822B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2007-11-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト剥離液 |
| US20160247834A1 (en) * | 2013-06-27 | 2016-08-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Manufacture method of via hole, manufacture method of display panel, and display panel |
| CN104733541A (zh) * | 2015-03-19 | 2015-06-24 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
| CN106784013A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置 |
| CN106783737A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 |
| CN110993564A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 |
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