JP3141423B2 - アルミニウム配線形成方法 - Google Patents
アルミニウム配線形成方法Info
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- JP3141423B2 JP3141423B2 JP03128819A JP12881991A JP3141423B2 JP 3141423 B2 JP3141423 B2 JP 3141423B2 JP 03128819 A JP03128819 A JP 03128819A JP 12881991 A JP12881991 A JP 12881991A JP 3141423 B2 JP3141423 B2 JP 3141423B2
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- Japan
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- photoresist
- layer
- wafer
- passivation layer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造工程にお
けるウェハ表面のアルミニウム配線形成方法に関する。
けるウェハ表面のアルミニウム配線形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、アルミニウム配線を形成する
際にフォトレジスト除去用の剥離液として（熱）硫酸あ
るいは（熱）硫酸―過酸化水素水が使用されていたが、
（熱）硫酸あるいは（熱）硫酸―過酸化水素水はアルミ
ニウム（以降、Ａｌと略称する。）などに対して腐食・
食刻作用があるためＡｌ配線処理以降のフォトレジスト
剥離液としては発煙硝酸を使用することが多かった。発
煙硝酸を使用する理由としては、Ａｌが（発煙）硝酸中
で「不動態」（岩波書店刊、理化学辞典参照）性を示
し、腐食・食刻されないからである。
際にフォトレジスト除去用の剥離液として（熱）硫酸あ
るいは（熱）硫酸―過酸化水素水が使用されていたが、
（熱）硫酸あるいは（熱）硫酸―過酸化水素水はアルミ
ニウム（以降、Ａｌと略称する。）などに対して腐食・
食刻作用があるためＡｌ配線処理以降のフォトレジスト
剥離液としては発煙硝酸を使用することが多かった。発
煙硝酸を使用する理由としては、Ａｌが（発煙）硝酸中
で「不動態」（岩波書店刊、理化学辞典参照）性を示
し、腐食・食刻されないからである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発煙硝
酸を使用すると以下に説明するような各種の課題が発生
する。
酸を使用すると以下に説明するような各種の課題が発生
する。
【０００４】発煙硝酸のフォトレジストの剥離能力は
（熱）硫酸―過酸化水素水に比べてかなり劣る。
（熱）硫酸―過酸化水素水に比べてかなり劣る。
【０００５】発煙硝酸は揮発性の強酸ガス（ＮＯ2また
はＮＯ）を含んでいるため、これを熱して使用すると、
強酸ガスの蒸発量が増加するので安全性に影響がある。
はＮＯ）を含んでいるため、これを熱して使用すると、
強酸ガスの蒸発量が増加するので安全性に影響がある。
【０００６】強酸ガスが蒸発することにより、フォトレ
ジストの剥離能力が急激に低下し、発煙硝酸の寿命が短
くなり、剥離液の交換を頻繁に行わなければならない。
ジストの剥離能力が急激に低下し、発煙硝酸の寿命が短
くなり、剥離液の交換を頻繁に行わなければならない。
【０００７】発煙硝酸は硫酸や過酸化水素水に比べて純
度が低く、次工程へ影響を及ぼすので前処理用の処理液
としては不向きである。
度が低く、次工程へ影響を及ぼすので前処理用の処理液
としては不向きである。
【０００８】なお、ガスプラズマによるフォトレジスト
の除去、すなわち、アッシングも可能であるが、アッシ
ングによりウェハ表面の劣化の影響を考慮する必要があ
る（月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ増刊
号９０最新半導体プロセス技術参照）。
の除去、すなわち、アッシングも可能であるが、アッシ
ングによりウェハ表面の劣化の影響を考慮する必要があ
る（月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ増刊
号９０最新半導体プロセス技術参照）。
【０００９】
【課題を解決するための手段】先に述べたような課題を
解決するために、この発明は、ウェハ上にアルミニウム
層を形成する工程と、発煙硝酸処理により前記アルミニ
ウム層の表面に不動態層を形成する工程と、前記不動態
層の表面にフォトレジストのパターンを形成する工程
と、前記フォトレジストのパターンをマスクとして前記
不動態層および前記アルミニウム層をパターニングする
工程と、前記ウェハを発煙硝酸処理して前記パターニン
グされたアルミニウム層の側面に不動態層を形成する工
程と、前記ウェハを硫酸―過酸化水素水処理して前記フ
ォトレジストを除去する工程とからなるアルミニウム配
線形成方法である。
解決するために、この発明は、ウェハ上にアルミニウム
層を形成する工程と、発煙硝酸処理により前記アルミニ
ウム層の表面に不動態層を形成する工程と、前記不動態
層の表面にフォトレジストのパターンを形成する工程
と、前記フォトレジストのパターンをマスクとして前記
不動態層および前記アルミニウム層をパターニングする
工程と、前記ウェハを発煙硝酸処理して前記パターニン
グされたアルミニウム層の側面に不動態層を形成する工
程と、前記ウェハを硫酸―過酸化水素水処理して前記フ
ォトレジストを除去する工程とからなるアルミニウム配
線形成方法である。
【００１０】
【作用】この発明では、ウェハの表面にアルミニウム
（Ａｌ）層が形成され、このＡｌ層に不動態層を形成す
るとともにフォトレジストのパターンを形成し、これを
パターニングし、形成されたＡｌ配線の上面にフォトレ
ジストが残留しているウェハを、発煙硝酸により処理す
ることにより、Ａｌ配線の側面の露出面に不動態層を形
成し、その後硫酸―過酸化水素水により処理することに
よりＡｌ配線上面のフォトレジストを除去する工程を採
用することでＡｌ配線を腐食・食刻させることがない。
（Ａｌ）層が形成され、このＡｌ層に不動態層を形成す
るとともにフォトレジストのパターンを形成し、これを
パターニングし、形成されたＡｌ配線の上面にフォトレ
ジストが残留しているウェハを、発煙硝酸により処理す
ることにより、Ａｌ配線の側面の露出面に不動態層を形
成し、その後硫酸―過酸化水素水により処理することに
よりＡｌ配線上面のフォトレジストを除去する工程を採
用することでＡｌ配線を腐食・食刻させることがない。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図１はこの発明のＡｌ配線形成方法を説明する
ためのウェハ全面にＡｌを蒸着してＡｌ層を形成した状
態の断面図、図２は図１を発煙硝酸で処理し、Ａｌ層表
面に不動態層を形成した状態の断面図、図３は図２にフ
ォトレジストパターンを形成した状態の断面図、図４は
図３をエッチングした状態の断面図、図５はこの発明の
フォトレジスト除去方法を説明するための図４を発煙硝
酸で処理し、Ａｌ層側面に不動態層を形成した状態の断
面図、図６は図５を（熱）硫酸―過酸化水素水で処理
し、フォトレジストを除去した状態の断面図である。
明する。図１はこの発明のＡｌ配線形成方法を説明する
ためのウェハ全面にＡｌを蒸着してＡｌ層を形成した状
態の断面図、図２は図１を発煙硝酸で処理し、Ａｌ層表
面に不動態層を形成した状態の断面図、図３は図２にフ
ォトレジストパターンを形成した状態の断面図、図４は
図３をエッチングした状態の断面図、図５はこの発明の
フォトレジスト除去方法を説明するための図４を発煙硝
酸で処理し、Ａｌ層側面に不動態層を形成した状態の断
面図、図６は図５を（熱）硫酸―過酸化水素水で処理
し、フォトレジストを除去した状態の断面図である。
【００１２】まず、図１に示すように、ウェハ１表面に
は蒸着によりＡｌ層２を形成する。つぎに、図１のウェ
ハ１を発煙硝酸に浸漬して表面処理し、図２に示すよう
に、不動態層３をＡｌ層２表面全体に形成する。この際
の発煙硝酸はフォトレジストの除去を目的とするものと
は違うので、使用温度は室温でも室温より低温でもよく
ＮＯ2やＮＯの蒸発が抑えられ発煙硝酸の寿命を伸ばす
ことができる。
は蒸着によりＡｌ層２を形成する。つぎに、図１のウェ
ハ１を発煙硝酸に浸漬して表面処理し、図２に示すよう
に、不動態層３をＡｌ層２表面全体に形成する。この際
の発煙硝酸はフォトレジストの除去を目的とするものと
は違うので、使用温度は室温でも室温より低温でもよく
ＮＯ2やＮＯの蒸発が抑えられ発煙硝酸の寿命を伸ばす
ことができる。
【００１３】そして、図３に示すように、不動態層３表
面にＡｌ配線パターンが形成されるようにフォトレジス
ト４のパターンを形成する。図３のフォトレジスト４の
パターンが形成されたウェハ１をエッチングすることに
より、不要のＡｌ層２と不動態層３が除去された図４に
示すＡｌ配線パターンができあがる。
面にＡｌ配線パターンが形成されるようにフォトレジス
ト４のパターンを形成する。図３のフォトレジスト４の
パターンが形成されたウェハ１をエッチングすることに
より、不要のＡｌ層２と不動態層３が除去された図４に
示すＡｌ配線パターンができあがる。
【００１４】Ａｌ配線パターンができあがった図４のウ
ェハ１を、再度発煙硝酸に浸漬して、図５に示すよう
に、Ａｌ層２のＡｌが露出している側面を処理して、側
面にも不動態層３を形成する。この際も図２の説明のと
きと同様に発煙硝酸の温度は室温あるいは室温以下でよ
い。
ェハ１を、再度発煙硝酸に浸漬して、図５に示すよう
に、Ａｌ層２のＡｌが露出している側面を処理して、側
面にも不動態層３を形成する。この際も図２の説明のと
きと同様に発煙硝酸の温度は室温あるいは室温以下でよ
い。
【００１５】最後に、図５に示すように処理されたウェ
ハ１を（熱）硫酸―過酸化水素水に浸漬して、上面に形
成されたフォトレジスト４を除去する。この際、Ａｌ層
２は表面および側面を不動態層３で覆われているので、
（熱）硫酸―過酸化水素水により腐食・食刻されること
がない。また、（熱）硫酸―過酸化水素水は処理履歴と
ともに過酸化水素水が分解消費されるが、消費された過
酸化水素水を随時補充すれば長期間フォトレジストの除
去効果を維持できる。
ハ１を（熱）硫酸―過酸化水素水に浸漬して、上面に形
成されたフォトレジスト４を除去する。この際、Ａｌ層
２は表面および側面を不動態層３で覆われているので、
（熱）硫酸―過酸化水素水により腐食・食刻されること
がない。また、（熱）硫酸―過酸化水素水は処理履歴と
ともに過酸化水素水が分解消費されるが、消費された過
酸化水素水を随時補充すれば長期間フォトレジストの除
去効果を維持できる。
【００１６】この発明のフォトレジスト除去方法でフォ
トレジスト４を除去したウエハ１の洗浄は、ディップ式
洗浄装置、枚葉式スプレー洗浄装置、カセット式スプレ
ー洗浄装置のいずれの洗浄装置を使用しても洗浄が可能
である。
トレジスト４を除去したウエハ１の洗浄は、ディップ式
洗浄装置、枚葉式スプレー洗浄装置、カセット式スプレ
ー洗浄装置のいずれの洗浄装置を使用しても洗浄が可能
である。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ウェ
ハの表面にＡｌ層が形成され、このＡｌ層に不動態層を
形成するとともに、フォトレジストのパターンを形成
し、これをパターニングして形成されたＡｌ配線の上面
にフォトレジストが残留しているウェハを、発煙硝酸に
より処理することにより、Ａｌ配線の側面の露出面に不
動態層を形成し、その後硫酸―過酸化水素水により処理
することによりＡｌ配線上面のフォトレジストを除去す
るのでＡｌ配線を腐食・食刻することなくＡｌ配線を形
成することができ、以下に説明するような各種の効果が
得られる。
ハの表面にＡｌ層が形成され、このＡｌ層に不動態層を
形成するとともに、フォトレジストのパターンを形成
し、これをパターニングして形成されたＡｌ配線の上面
にフォトレジストが残留しているウェハを、発煙硝酸に
より処理することにより、Ａｌ配線の側面の露出面に不
動態層を形成し、その後硫酸―過酸化水素水により処理
することによりＡｌ配線上面のフォトレジストを除去す
るのでＡｌ配線を腐食・食刻することなくＡｌ配線を形
成することができ、以下に説明するような各種の効果が
得られる。
【００１８】発煙硝酸を低温で使用することができるの
で、発煙硝酸の寿命を伸ばすことができ、コストダウン
効果が得られる。
で、発煙硝酸の寿命を伸ばすことができ、コストダウン
効果が得られる。
【００１９】（熱）硫酸―過酸化水素水によりフォトレ
ジストの除去ができるので、フォトレジストの除去効果
を高めることができる。
ジストの除去ができるので、フォトレジストの除去効果
を高めることができる。
【００２０】（熱）硫酸―過酸化水素水を使用すること
により、過酸化水素水の補充のみで長期間剥離効果を維
持することができ、コストダウン効果が得られる。
により、過酸化水素水の補充のみで長期間剥離効果を維
持することができ、コストダウン効果が得られる。
【図１】ウェハ全面にＡｌ層を蒸着した状態の断面図。
【図２】図１のＡｌ層の表面に不動態層を形成した状態
の断面図。
の断面図。
【図３】図２にフォトレジストパターンを形成した状態
の断面図。
の断面図。
【図４】図３をエッチングした状態の断面図。
【図５】図４のＡｌ層の側面に不動態層を形成した状態
の断面図。
の断面図。
【図６】図５のフォトレジストを除去した状態の断面図
である。
である。
１ ウェハ ２ アルミニウム（Ａｌ）層 ３ 不動態層 ４ フォトレジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハ上にアルミニウム層を形成する工
程と、 発煙硝酸処理により前記アルミニウム層の表面に不動態
層を形成する工程と、 前記不動態層の表面にフォトレジストのパターンを形成
する工程と、 前記フォトレジストのパターンをマスクとして前記不動
態層および前記アルミニウム層をパターニングする工程
と、 前記ウェハを発煙硝酸処理して前記パターニングされた
アルミニウム層の側面に不動態層を形成する工程と、 前記ウェハを硫酸―過酸化水素水処理して前記フォトレ
ジストを除去する工程と、 を含むことを特徴とするアルミニウム配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03128819A JP3141423B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | アルミニウム配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03128819A JP3141423B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | アルミニウム配線形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287322A JPH04287322A (ja) | 1992-10-12 |
| JP3141423B2 true JP3141423B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=14994202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03128819A Expired - Fee Related JP3141423B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | アルミニウム配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3141423B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100199094B1 (ko) * | 1995-10-18 | 1999-06-15 | 구본준 | 반도체 소자의 커패시터 제조방법 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP03128819A patent/JP3141423B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04287322A (ja) | 1992-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |