JPH04287322A - アルミニウム配線形成方法 - Google Patents
アルミニウム配線形成方法Info
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- JPH04287322A JPH04287322A JP12881991A JP12881991A JPH04287322A JP H04287322 A JPH04287322 A JP H04287322A JP 12881991 A JP12881991 A JP 12881991A JP 12881991 A JP12881991 A JP 12881991A JP H04287322 A JPH04287322 A JP H04287322A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造工程にお
けるウエハ表面のフォトレジストの除去方法に関する。
けるウエハ表面のフォトレジストの除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、フォトレジスト除去用の剥離
液としては（熱）硫酸あるいは（熱）硫酸−過酸化水素
水が使用されていたが、（熱）硫酸あるいは（熱）硫酸
−過酸化水素水はアルミニューム（以降、Ａｌと略称す
る。）などに対して腐食・食刻作用があるためＡｌ配線
処理以降のフォトレジスト剥離液としては発煙硝酸を使
用することが多かった。発煙硝酸を使用する理由として
は、Ａｌが（発煙）硝酸中で「不動態」（岩波書店刊、
理化学辞典参照）性を示し、腐食・食刻されないからで
ある。
液としては（熱）硫酸あるいは（熱）硫酸−過酸化水素
水が使用されていたが、（熱）硫酸あるいは（熱）硫酸
−過酸化水素水はアルミニューム（以降、Ａｌと略称す
る。）などに対して腐食・食刻作用があるためＡｌ配線
処理以降のフォトレジスト剥離液としては発煙硝酸を使
用することが多かった。発煙硝酸を使用する理由として
は、Ａｌが（発煙）硝酸中で「不動態」（岩波書店刊、
理化学辞典参照）性を示し、腐食・食刻されないからで
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発煙硝
酸を使用すると以下に説明するような各種の課題が発生
する。
酸を使用すると以下に説明するような各種の課題が発生
する。
【０００４】発煙硝酸のフォトレジストの剥離能力は（
熱）硫酸−過酸化水素水に比べてかなり劣る。
熱）硫酸−過酸化水素水に比べてかなり劣る。
【０００５】発煙硝酸は揮発性の強酸ガス（ＮＯ２また
はＮＯ）を含んでいるため、これを熱して使用すると、
強酸ガスの蒸発量が増加するので安全性に影響がある。
はＮＯ）を含んでいるため、これを熱して使用すると、
強酸ガスの蒸発量が増加するので安全性に影響がある。
【０００６】強酸ガスが蒸発することにより、フォトレ
ジストの剥離能力が急激に低下し、発煙硝酸の寿命が短
くなり、剥離液の交換を頻繁に行わなければならない。
ジストの剥離能力が急激に低下し、発煙硝酸の寿命が短
くなり、剥離液の交換を頻繁に行わなければならない。
【０００７】発煙硝酸は硫酸や過酸化水素水に比べて純
度が低く、次工程へ影響を及ぼすので前処理用の処理液
としては不向きである。
度が低く、次工程へ影響を及ぼすので前処理用の処理液
としては不向きである。
【０００８】なお、ガスプラズマによるフォトレジスト
の除去、すなわち、アッシングも可能であるが、アッシ
ングによりウエハ表面の劣化の影響を考慮する必要があ
る。（月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ
増刊号’９０最新半導体プロセス技術参照）
の除去、すなわち、アッシングも可能であるが、アッシ
ングによりウエハ表面の劣化の影響を考慮する必要があ
る。（月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ
増刊号’９０最新半導体プロセス技術参照）
【０００９
】
】
【課題を解決するための手段】先に述べたような課題を
解決するために、この発明は、表面にＡｌが配線され、
Ａｌ配線の上面にフォトレジストが残留しているウエハ
を、発煙硝酸により処理することにより、Ａｌ配線の側
面の露出面に不動態層を形成し、その後硫酸−過酸化水
素水により処理することによりＡｌ配線上面のフォトレ
ジストを除去する方法である。
解決するために、この発明は、表面にＡｌが配線され、
Ａｌ配線の上面にフォトレジストが残留しているウエハ
を、発煙硝酸により処理することにより、Ａｌ配線の側
面の露出面に不動態層を形成し、その後硫酸−過酸化水
素水により処理することによりＡｌ配線上面のフォトレ
ジストを除去する方法である。
【００１０】
【作用】この発明では、表面にＡｌが配線され、Ａｌ配
線の上面にフォトレジストが残留しているウエハを、発
煙硝酸により処理することにより、Ａｌ配線の側面の露
出面に不動態層を形成し、その後硫酸−過酸化水素水に
より処理することによりＡｌ配線上面のフォトレジスト
を除去する方法を採用することによりＡｌ配線を腐食・
食刻することなくフォトレジストを除去することができ
る。
線の上面にフォトレジストが残留しているウエハを、発
煙硝酸により処理することにより、Ａｌ配線の側面の露
出面に不動態層を形成し、その後硫酸−過酸化水素水に
より処理することによりＡｌ配線上面のフォトレジスト
を除去する方法を採用することによりＡｌ配線を腐食・
食刻することなくフォトレジストを除去することができ
る。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図１はこの発明のフォトレジスト除去方法を説
明するためのウエハ全面にＡｌを蒸着してＡｌ層を形成
した状態の断面図、図２は図１を発煙硝酸で処理し、Ａ
ｌ層表面に不動態層を形成した状態の断面図、図３は図
２にフォトレジストパターンを形成した状態の断面図、
図４は図３をエッチングした状態の断面図、図５はこの
発明のフォトレジスト除去方法を説明するための図４を
発煙硝酸で処理し、Ａｌ層側面に不動態層を形成した状
態の断面図、図６は図５を（熱）硫酸−過酸化水素水で
処理し、フォトレジストを除去した状態の断面図である
。
明する。図１はこの発明のフォトレジスト除去方法を説
明するためのウエハ全面にＡｌを蒸着してＡｌ層を形成
した状態の断面図、図２は図１を発煙硝酸で処理し、Ａ
ｌ層表面に不動態層を形成した状態の断面図、図３は図
２にフォトレジストパターンを形成した状態の断面図、
図４は図３をエッチングした状態の断面図、図５はこの
発明のフォトレジスト除去方法を説明するための図４を
発煙硝酸で処理し、Ａｌ層側面に不動態層を形成した状
態の断面図、図６は図５を（熱）硫酸−過酸化水素水で
処理し、フォトレジストを除去した状態の断面図である
。
【００１２】まず、図１に示すように、ウエハ１表面に
は蒸着によりＡｌ層２を形成する。つぎに、図１のウエ
ハ１を発煙硝酸に浸漬して表面処理し、図２に示すよう
に、不動態層３をＡｌ層２表面全体に形成する。この際
の発煙硝酸はフォトレジストの除去を目的とするものと
は違うので、使用温度は室温でも室温より低温でもよく
ＮＯ２やＮＯの蒸発が抑えられ剥離液の寿命を伸ばすこ
とができる。
は蒸着によりＡｌ層２を形成する。つぎに、図１のウエ
ハ１を発煙硝酸に浸漬して表面処理し、図２に示すよう
に、不動態層３をＡｌ層２表面全体に形成する。この際
の発煙硝酸はフォトレジストの除去を目的とするものと
は違うので、使用温度は室温でも室温より低温でもよく
ＮＯ２やＮＯの蒸発が抑えられ剥離液の寿命を伸ばすこ
とができる。
【００１３】そして、図３に示すように、不動態層３表
面にＡｌ配線パターンが形成されるようにフォトレジス
ト４のパターンを形成する。図３のフォトレジスト４の
パターンが形成されたウエハ１をエッチングすることに
より、不要のＡｌ層２と不動態層３が除去された図４に
示すＡｌ配線パターンができあがる。
面にＡｌ配線パターンが形成されるようにフォトレジス
ト４のパターンを形成する。図３のフォトレジスト４の
パターンが形成されたウエハ１をエッチングすることに
より、不要のＡｌ層２と不動態層３が除去された図４に
示すＡｌ配線パターンができあがる。
【００１４】Ａｌ配線パターンができあがった図４のウ
エハ１を。再度発煙硝酸に浸漬して、図５に示すように
、Ａｌ層２のＡｌが露出している側面を処理して、側面
にも不動態層３を形成する。この際も図２の説明のとき
と同様に発煙硝酸の温度は室温あるいは室温以下でよい
。
エハ１を。再度発煙硝酸に浸漬して、図５に示すように
、Ａｌ層２のＡｌが露出している側面を処理して、側面
にも不動態層３を形成する。この際も図２の説明のとき
と同様に発煙硝酸の温度は室温あるいは室温以下でよい
。
【００１５】最後に、図５に示すように処理されたウエ
ハ１を（熱）硫酸−過酸化水素水に浸漬して、上面に形
成されたフォトレジスト４を除去する。この際、Ａｌ層
２は表面および側面を不動態層３で覆われているので、
（熱）硫酸−過酸化水素水により腐食・食刻されること
がない。また、（熱）硫酸−過酸化水素水は処理履歴と
ともに過酸化水素水が分解消費されるが、消費された過
酸化水素水を随時補充すれば長期間フォトレジストの除
去効果を維持できる。
ハ１を（熱）硫酸−過酸化水素水に浸漬して、上面に形
成されたフォトレジスト４を除去する。この際、Ａｌ層
２は表面および側面を不動態層３で覆われているので、
（熱）硫酸−過酸化水素水により腐食・食刻されること
がない。また、（熱）硫酸−過酸化水素水は処理履歴と
ともに過酸化水素水が分解消費されるが、消費された過
酸化水素水を随時補充すれば長期間フォトレジストの除
去効果を維持できる。
【００１６】この発明のフォトレジスト除去方法でフォ
トレジスト４を除去したウエハ１の洗浄は、ディップ式
洗浄装置、枚葉式スプレー洗浄装置、カセット式スプレ
ー洗浄装置のいずれの洗浄装置を使用しても洗浄が可能
である。
トレジスト４を除去したウエハ１の洗浄は、ディップ式
洗浄装置、枚葉式スプレー洗浄装置、カセット式スプレ
ー洗浄装置のいずれの洗浄装置を使用しても洗浄が可能
である。
【００１７】なお、この発明の配線用の金属をＡｌで説
明してきたが、ＡｌのかわりにＣｕを使用しても同様に
処理することができる。
明してきたが、ＡｌのかわりにＣｕを使用しても同様に
処理することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、表面
にＡｌが配線され、Ａｌ配線の上面にフォトレジストが
残留しているウエハを、発煙硝酸により処理することに
より、Ａｌ配線の側面の露出面に不動態層を形成し、そ
の後硫酸−過酸化水素水により処理することによりＡｌ
配線上面のフォトレジストを除去する方法を採用するこ
とによりＡｌ配線を腐食・食刻することなくフォトレジ
ストを除去することができ、以下に説明するような各種
の効果が得られる。
にＡｌが配線され、Ａｌ配線の上面にフォトレジストが
残留しているウエハを、発煙硝酸により処理することに
より、Ａｌ配線の側面の露出面に不動態層を形成し、そ
の後硫酸−過酸化水素水により処理することによりＡｌ
配線上面のフォトレジストを除去する方法を採用するこ
とによりＡｌ配線を腐食・食刻することなくフォトレジ
ストを除去することができ、以下に説明するような各種
の効果が得られる。
【００１９】発煙硝酸を低温で使用することができるの
で、発煙硝酸の寿命を伸ばすことができ、コストダウン
効果が得られる。
で、発煙硝酸の寿命を伸ばすことができ、コストダウン
効果が得られる。
【００２０】（熱）硫酸−過酸化水素水によりフォトレ
ジストの除去ができるので、フォトレジストの除去効果
を高めることができる。
ジストの除去ができるので、フォトレジストの除去効果
を高めることができる。
【００２１】（熱）硫酸−過酸化水素水を使用すること
により、過酸化水素水の補充のみで長期間剥離効果を維
持することができ、コストダウン効果が得られる。
により、過酸化水素水の補充のみで長期間剥離効果を維
持することができ、コストダウン効果が得られる。
【図１】ウエハ全面にＡｌ層を蒸着した状態の断面図。
【図２】図１のＡｌ層の表面に不動態層を形成した状態
の断面図。
の断面図。
【図３】図２にフォトレジストパターンを形成した状態
の断面図。
の断面図。
【図４】図３をエッチングした状態の断面図。
【図５】図４のＡｌ層の側面に不動態層を形成した状態
の断面図。
の断面図。
【図６】図５のフォトレジストを除去した状態の断面図
である。
である。
１ ウエハ
２ Ａｌ層
３ 不動態層
４ フォトレジスト
Claims (1)
- 【請求項１】表面にアルミニュームが配線され、該アル
ミニューム配線の上面にフォトレジストが残留している
ウエハを、発煙硝酸により処理することにより、前記ア
ルミニューム配線の側面の露出面に不動態層を形成し、
その後硫酸−過酸化水素水により処理することによりア
ルミニューム配線上面のフォトレジストを除去すること
を特徴とするフォトレジストの除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03128819A JP3141423B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | アルミニウム配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03128819A JP3141423B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | アルミニウム配線形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287322A true JPH04287322A (ja) | 1992-10-12 |
| JP3141423B2 JP3141423B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=14994202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03128819A Expired - Fee Related JP3141423B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | アルミニウム配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3141423B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129850A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-16 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体素子の高誘電率キャパシター及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP03128819A patent/JP3141423B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129850A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-16 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体素子の高誘電率キャパシター及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3141423B2 (ja) | 2001-03-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |