JP2914443B2 - 半導体素子の配線形成方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の配線
形成方法に係り、特にクリーニング工程で発生した残留
物を除去する方法に関するものである。
形成方法に係り、特にクリーニング工程で発生した残留
物を除去する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、配線をアルミニウムで形成する
場合には、アルミニウムを蒸着し食刻した後、アルミニ
ウムの腐食を防止するための後処理工程が必要である。
この後処置工程としては、塩素プラズマでアルミニウム
を食刻した後、直ちに純粋な水（Ｄ．Ｉ Ｗａｔｅｒ）
に浸けて残留の塩素を除去することにより腐食を防止し
ている。腐食を防止するための他の一方法としては、そ
の場でＨ2 Ｏベーパープラズマを用いて残留の塩素を除
去している。
場合には、アルミニウムを蒸着し食刻した後、アルミニ
ウムの腐食を防止するための後処理工程が必要である。
この後処置工程としては、塩素プラズマでアルミニウム
を食刻した後、直ちに純粋な水（Ｄ．Ｉ Ｗａｔｅｒ）
に浸けて残留の塩素を除去することにより腐食を防止し
ている。腐食を防止するための他の一方法としては、そ
の場でＨ2 Ｏベーパープラズマを用いて残留の塩素を除
去している。
【０００３】ところで、大部分のアルミニウム食刻装置
は食刻チャンバとＨ2 Ｏベーパークリーニング／灰化チ
ャンバとで構成される。よって、食刻後に真空破壊せず
Ｈ2Ｏベーパープラズマを形成して腐食を防止できる。
しかし、Ｈ2 Ｏベーパープラズマクリーニング時に、
Ｈ、Ｏ、ＯＨイオンにより、食刻マスクとしての感光膜
が除去される問題が発生する。また、感光膜の物質変化
が発生して、アルミニウム又はアルミニウム合金からな
る配線上にひどいポリマー性残留物が発生するようにな
る。この残留物はＯ2 灰化処理をしても除去されない。
よって、前記残留物は、アミン（ａｍｉｎｅ）基を含む
溶液（例えば、ＡＣＴ、ＥＫＣ等）又は強酸性溶液で湿
式処理を行って除去した。
は食刻チャンバとＨ2 Ｏベーパークリーニング／灰化チ
ャンバとで構成される。よって、食刻後に真空破壊せず
Ｈ2Ｏベーパープラズマを形成して腐食を防止できる。
しかし、Ｈ2 Ｏベーパープラズマクリーニング時に、
Ｈ、Ｏ、ＯＨイオンにより、食刻マスクとしての感光膜
が除去される問題が発生する。また、感光膜の物質変化
が発生して、アルミニウム又はアルミニウム合金からな
る配線上にひどいポリマー性残留物が発生するようにな
る。この残留物はＯ2 灰化処理をしても除去されない。
よって、前記残留物は、アミン（ａｍｉｎｅ）基を含む
溶液（例えば、ＡＣＴ、ＥＫＣ等）又は強酸性溶液で湿
式処理を行って除去した。
【０００４】以上のような従来の半導体素子の配線形成
方法を添付図面に基づき説明する。図３および図４は、
従来の半導体素子の配線形成方法を示す工程断面図であ
る。従来の方法では、まず図３（ａ）に示すように、絶
縁層１１上に障壁層１２を形成する。さらに、障壁層１
２上に配線形成のためのアルミニウム又はアルミニウム
合金層（以下アルミニウム層と言う）１３を形成する。
さらに、アルミニウム層１３上に反射防止膜１４を形成
する。次いで、反射防止膜１４上の全面にフォトレジス
ト１５を塗布した後、露光、現像工程でフォトレジスト
１５をパターニングする。
方法を添付図面に基づき説明する。図３および図４は、
従来の半導体素子の配線形成方法を示す工程断面図であ
る。従来の方法では、まず図３（ａ）に示すように、絶
縁層１１上に障壁層１２を形成する。さらに、障壁層１
２上に配線形成のためのアルミニウム又はアルミニウム
合金層（以下アルミニウム層と言う）１３を形成する。
さらに、アルミニウム層１３上に反射防止膜１４を形成
する。次いで、反射防止膜１４上の全面にフォトレジス
ト１５を塗布した後、露光、現像工程でフォトレジスト
１５をパターニングする。
【０００５】次に、図３（ｂ）に示すように、パターニ
ングされたフォトレジスト１５をマスクとして用いて塩
素を含むプラズマで反射防止膜１４、アルミニウム層１
３および障壁層１２を食刻する。そして、その場でＨ2
Ｏベーパープラズマクリーニング及びＯ2 灰化を実施す
る。このとき、露出された絶縁層１１が図３（ｂ）に示
すように所定の深さに除去される。さらに、図４（ａ）
に示すように、フォトレジスト１５が除去されるととも
に、反射防止膜１４上に残留物１５ａが生成される。
ングされたフォトレジスト１５をマスクとして用いて塩
素を含むプラズマで反射防止膜１４、アルミニウム層１
３および障壁層１２を食刻する。そして、その場でＨ2
Ｏベーパープラズマクリーニング及びＯ2 灰化を実施す
る。このとき、露出された絶縁層１１が図３（ｂ）に示
すように所定の深さに除去される。さらに、図４（ａ）
に示すように、フォトレジスト１５が除去されるととも
に、反射防止膜１４上に残留物１５ａが生成される。
【０００６】次いで、残留物１５ａを図４（ｂ）に示す
ように除去するために、硫酸、硝酸などを含む強酸性溶
液又はアミン（ａｍｉｎｅ）基を含む化学溶液を使用し
て湿式処理を行う。しかし、このような化学処理を行う
と、残留物１５ａは除去されるが、反射防止膜１４とそ
の下部のアルミニウム層１３との食刻速度が互いに相違
し、アルミニウム層１３が過度食刻される。また、アル
ミニウム層１３の下部の障壁層１２も過度食刻されて、
全体的にパターン形状が不良となる。また、化学処理の
後には、純粋な水（Ｄ．Ｉ Ｗａｔｅｒ）による洗浄工
程、スピンドライ工程及びＮ2 ブローイング工程を必要
とする。
ように除去するために、硫酸、硝酸などを含む強酸性溶
液又はアミン（ａｍｉｎｅ）基を含む化学溶液を使用し
て湿式処理を行う。しかし、このような化学処理を行う
と、残留物１５ａは除去されるが、反射防止膜１４とそ
の下部のアルミニウム層１３との食刻速度が互いに相違
し、アルミニウム層１３が過度食刻される。また、アル
ミニウム層１３の下部の障壁層１２も過度食刻されて、
全体的にパターン形状が不良となる。また、化学処理の
後には、純粋な水（Ｄ．Ｉ Ｗａｔｅｒ）による洗浄工
程、スピンドライ工程及びＮ2 ブローイング工程を必要
とする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、上記のよ
うな従来の半導体素子の配線形成方法では、以下のよう
な問題点があった。第１に、残留物の除去のために化学
溶液を使用するため、処理槽など別途の設備が必要であ
り、洗浄などの追加処理も必要となる。第２に、化学溶
液を用いた湿式処理では配線の過度食刻がひどくなり、
工程時間も長くなる。本発明は上記の点に鑑みなされた
もので、別途の設備、追加の処理を必要とせず、工程時
間を短縮し、配線のパターン形状を良好に維持できる半
導体素子の配線形成方法を提供することを目的とする。
うな従来の半導体素子の配線形成方法では、以下のよう
な問題点があった。第１に、残留物の除去のために化学
溶液を使用するため、処理槽など別途の設備が必要であ
り、洗浄などの追加処理も必要となる。第２に、化学溶
液を用いた湿式処理では配線の過度食刻がひどくなり、
工程時間も長くなる。本発明は上記の点に鑑みなされた
もので、別途の設備、追加の処理を必要とせず、工程時
間を短縮し、配線のパターン形状を良好に維持できる半
導体素子の配線形成方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、次のような半導体素子の配線形成方法と
する。まず、下地上に障壁層、配線層、反射防止膜を順
次に形成する。次に、前記反射防止膜、配線層および障
壁層をパターニングし、さらにクリーニングする。その
後、前記クリーニング工程時に発生した残留物をフッ素
を含有するガスと酸素とが混合されたプラズマを用いて
除去する。
決するために、次のような半導体素子の配線形成方法と
する。まず、下地上に障壁層、配線層、反射防止膜を順
次に形成する。次に、前記反射防止膜、配線層および障
壁層をパターニングし、さらにクリーニングする。その
後、前記クリーニング工程時に発生した残留物をフッ素
を含有するガスと酸素とが混合されたプラズマを用いて
除去する。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よる半導体素子の配線形成方法の実施の形態を詳細に説
明する。図１および図２は、本発明の半導体素子の配線
形成方法の実施の形態を示す工程断面図である。本発明
の実施の形態では、まず、図１（ａ）に示すように、絶
縁層（下地層）２１上に障壁層２２を形成する。ここ
で、障壁層２２の物質としては、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔｉ／
ＴｉＮ、ＴｉＷ等を使用する。次に、障壁層２２上に配
線層としてのアルミニウム又はアルミニウム合金層（以
下アルミニウム層と言う）２３を形成し、さらにアルミ
ニウム層２３上に反射防止膜２４を形成する。このと
き、反射防止膜２４としてはＴｉＮを使用する。その
後、反射防止膜２４上にフォトレジスト２５を塗布した
後、露光及び現像工程を実施してフォトレジスト２５を
パターニングする。
よる半導体素子の配線形成方法の実施の形態を詳細に説
明する。図１および図２は、本発明の半導体素子の配線
形成方法の実施の形態を示す工程断面図である。本発明
の実施の形態では、まず、図１（ａ）に示すように、絶
縁層（下地層）２１上に障壁層２２を形成する。ここ
で、障壁層２２の物質としては、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔｉ／
ＴｉＮ、ＴｉＷ等を使用する。次に、障壁層２２上に配
線層としてのアルミニウム又はアルミニウム合金層（以
下アルミニウム層と言う）２３を形成し、さらにアルミ
ニウム層２３上に反射防止膜２４を形成する。このと
き、反射防止膜２４としてはＴｉＮを使用する。その
後、反射防止膜２４上にフォトレジスト２５を塗布した
後、露光及び現像工程を実施してフォトレジスト２５を
パターニングする。
【００１０】次いで、パターニングされたフォトレジス
ト２５をマスクとして図１（ｂ）に示すように反射防止
膜２４、アルミニウム層２３および障壁層２２を順次に
食刻しパターニングする。この際、食刻工程は塩素プラ
ズマ状態で実施し、食刻装置は、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉ
ｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）型、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕ
ｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）型、ヘリ
コン（ｈｅｌｉｃｏｎ）型の食刻装置うち１つを選択し
て使用する。このような塩素プラズマ状態で食刻工程が
進むと、図１（ｂ）に示すように、障壁層２２の周囲の
絶縁層２１も所定の深さに食刻される。このとき、障壁
層２２下部の絶縁層２１非食刻部分は、障壁層２２の幅
より広く台形状に残るが、障壁層２２との幅の差は、両
側にそれぞれ約３００〜４００Å程度である。
ト２５をマスクとして図１（ｂ）に示すように反射防止
膜２４、アルミニウム層２３および障壁層２２を順次に
食刻しパターニングする。この際、食刻工程は塩素プラ
ズマ状態で実施し、食刻装置は、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉ
ｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）型、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕ
ｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）型、ヘリ
コン（ｈｅｌｉｃｏｎ）型の食刻装置うち１つを選択し
て使用する。このような塩素プラズマ状態で食刻工程が
進むと、図１（ｂ）に示すように、障壁層２２の周囲の
絶縁層２１も所定の深さに食刻される。このとき、障壁
層２２下部の絶縁層２１非食刻部分は、障壁層２２の幅
より広く台形状に残るが、障壁層２２との幅の差は、両
側にそれぞれ約３００〜４００Å程度である。
【００１１】次いで、塩素プラズマ状態で食刻したその
場でＨ2 Ｏベーパープラズマクリーニングを実施する。
このとき、図２（ａ）に示すように、フォトレジスト２
５が除去される。さらに、反射防止膜２４上にカーボ
ン、酸素、アルミニウム、微量のシリコンで構成されて
硬化した残留物２５ａが形成される。
場でＨ2 Ｏベーパープラズマクリーニングを実施する。
このとき、図２（ａ）に示すように、フォトレジスト２
５が除去される。さらに、反射防止膜２４上にカーボ
ン、酸素、アルミニウム、微量のシリコンで構成されて
硬化した残留物２５ａが形成される。
【００１２】次に、フッ素を含むガス（例えば、ＣＦ4
又はＣＨＦ3 ）と酸素( Ｏ2 ）とが混合されたプラズマ
を使用して図２（ｂ）に示すように残留物２５ａを除去
する。このとき、残留物２５ａは、ヘリコン型の高密度
食刻装置を使用して除去し、そのときの工程条件は次の
通りとする。残留物２５ａを除去するための食刻時間は
６０秒以内とし、チャンバの圧力は６〜１０ｍＴの範囲
にする。また、Ｏ2 と、フッ素（Ｆ）を含むガスとの流
量比は８：１〜１０：１の範囲とする。さらに、ソース
パワーは２３００〜２８００Ｗの範囲にし、バイアスパ
ワーは３５０〜４５０Ｗの範囲にする。
又はＣＨＦ3 ）と酸素( Ｏ2 ）とが混合されたプラズマ
を使用して図２（ｂ）に示すように残留物２５ａを除去
する。このとき、残留物２５ａは、ヘリコン型の高密度
食刻装置を使用して除去し、そのときの工程条件は次の
通りとする。残留物２５ａを除去するための食刻時間は
６０秒以内とし、チャンバの圧力は６〜１０ｍＴの範囲
にする。また、Ｏ2 と、フッ素（Ｆ）を含むガスとの流
量比は８：１〜１０：１の範囲とする。さらに、ソース
パワーは２３００〜２８００Ｗの範囲にし、バイアスパ
ワーは３５０〜４５０Ｗの範囲にする。
【００１３】このような本発明の配線形成方法に従う
と、フッ素を含むガスとＯ2 とが混合されたプラズマを
使用して残留物２５ａを除去したので、従来技術のよう
にアルミニウム層２３及び障壁層２２が過度食刻される
現象は表れない。これは、アルミニウム層２３がフッ素
を含むガス等により食刻されないからである。そして、
アルミニウム層２３及び障壁層２２が過度食刻されない
ため、パターン形状を良好に維持し得る。また、障壁層
２２の下部の絶縁層２１の損失も最小化することができ
る。さらに、プラズマ処理によれば、パターニング時の
食刻装置などを利用でき、別途の設備が不要となり、さ
らに洗浄などの追加処理も不要になる。
と、フッ素を含むガスとＯ2 とが混合されたプラズマを
使用して残留物２５ａを除去したので、従来技術のよう
にアルミニウム層２３及び障壁層２２が過度食刻される
現象は表れない。これは、アルミニウム層２３がフッ素
を含むガス等により食刻されないからである。そして、
アルミニウム層２３及び障壁層２２が過度食刻されない
ため、パターン形状を良好に維持し得る。また、障壁層
２２の下部の絶縁層２１の損失も最小化することができ
る。さらに、プラズマ処理によれば、パターニング時の
食刻装置などを利用でき、別途の設備が不要となり、さ
らに洗浄などの追加処理も不要になる。
【００１４】なお、フッ素を含むガス（例えば、ＣＦ4
又はＣＨＦ3 ）とＯ2 とが混合されたプラズマを使用し
て残留物２５ａを除去するとき、障壁層２２の下部の、
障壁層２２より幅広な台形状の絶縁層２１非食刻部分の
両端部は直角となる。また、アルミニウム層２３および
障壁層２２を食刻するとき、食刻条件を適切に調節する
ことにより、絶縁層２１が除去される量を調節すること
ができる。
又はＣＨＦ3 ）とＯ2 とが混合されたプラズマを使用し
て残留物２５ａを除去するとき、障壁層２２の下部の、
障壁層２２より幅広な台形状の絶縁層２１非食刻部分の
両端部は直角となる。また、アルミニウム層２３および
障壁層２２を食刻するとき、食刻条件を適切に調節する
ことにより、絶縁層２１が除去される量を調節すること
ができる。
【００１５】なお、このような本発明の方法に関連する
技術として特開昭６３−２４６８２４号公報がある。し
かし、この公報技術は、ＷＮｘ膜を加工してゲート電極
を形成するためにＣＦ4 とＯ2 ガスを使用する方法であ
り、本発明のようにアルミニウム配線形成時の残留物除
去にフッ素を含むガスとＯ2 とが混合されたプラズマを
使用する方法とは技術的に異なる。また、公報技術に
は、本発明で得られるような効果も記載されていない。
技術として特開昭６３−２４６８２４号公報がある。し
かし、この公報技術は、ＷＮｘ膜を加工してゲート電極
を形成するためにＣＦ4 とＯ2 ガスを使用する方法であ
り、本発明のようにアルミニウム配線形成時の残留物除
去にフッ素を含むガスとＯ2 とが混合されたプラズマを
使用する方法とは技術的に異なる。また、公報技術に
は、本発明で得られるような効果も記載されていない。
【００１６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の半
導体素子の配線形成方法によれば、以下のような効果が
得られる。第１に、残留物を除去するための別途の設備
を必要とせず、かつ追加処理も不要で、経済的である。
第２に、化学溶液を使用しないため配線が過度食刻され
ず、良好なパターンを維持することができ、しかも工程
時間を短縮できる。第３に、絶縁層などの下地層の損失
を最小化することができる。
導体素子の配線形成方法によれば、以下のような効果が
得られる。第１に、残留物を除去するための別途の設備
を必要とせず、かつ追加処理も不要で、経済的である。
第２に、化学溶液を使用しないため配線が過度食刻され
ず、良好なパターンを維持することができ、しかも工程
時間を短縮できる。第３に、絶縁層などの下地層の損失
を最小化することができる。
【図１】本発明による半導体素子の配線形成方法の実施
の形態を示す工程断面図。
の形態を示す工程断面図。
【図２】同本発明の実施の形態を示し、図１に続く工程
を示す工程断面図。
を示す工程断面図。
【図３】従来の半導体素子の配線形成方法を示す工程断
面図。
面図。
【図４】同従来の方法を示す工程断面図。
２１ 絶縁層 ２２ 障壁層 ２３ アルミニウム層 ２４ 反射防止膜 ２５ フォトレジスト ２５ａ 残留物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3205 - 21/3213 H01L 21/768
Claims (12)
- 【請求項１】 下地上に障壁層、配線層、反射防止膜を
順次に形成する工程と、 前記反射防止膜、配線層および障壁層を塩素（Ｃｌ）を
含むガスで食刻してパターニングし、さらにＨ 2 Ｏベー
パープラズマクリーニングする工程と、 前記クリーニング工程時に発生した残留物をフッ素を含
有するガスと酸素とが混合されたプラズマを用いて除去
する工程とを備えることを特徴とする半導体素子の配線
形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子の配線形成方
法において、前記障壁層は、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔｉ／Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＷのうち１つを選択して使用することを特徴と
する半導体素子の配線形成方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子の配線形成方
法において、前記配線層は、アルミニウム（Ａｌ）層、
アルミニウム合金層のうち１つを選択して使用すること
を特徴とする半導体素子の配線形成方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体素子の配線形成方
法において、前記反射防止膜は、ＴｉＮで形成すること
を特徴とする半導体素子の配線形成方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体素子の配線形成方
法において、前記フッ素を含むガスは、ＣＦ4 又はＣＨ
Ｆ3 であることを特徴とする半導体素子の配線形成方
法。 - 【請求項６】 請求項１記載の半導体素子の配線形成方
法において、前記酸素と、前記フッ素を含むガスとの流
量比は、８：１〜１０：１の範囲にすることを特徴とす
る半導体素子の配線形成方法。 - 【請求項７】 請求項１記載の半導体素子の配線形成方
法において、前記フッ素を含むガスと酸素とを混合した
プラズマの使用時に、ソースパワーは２３００〜２８０
０Ｗの範囲にすることを特徴とする半導体素子の配線形
成方法。 - 【請求項８】 請求項１記載の半導体素子の配線形成方
法において、前記フッ素を含むガスと酸素とを混合した
プラズマの使用時に、バイアスパワーは３５０〜４５０
Ｗの範囲にすることを特徴とする半導体素子の配線形成
方法。 - 【請求項９】 請求項１記載の半導体素子の配線形成方
法において、前記フッ素を含むガスと酸素とを混合した
プラズマの使用時に、チャンバの圧力は６〜１０ｍＴの
範囲にすることを特徴とする半導体素子の配線形成方
法。 - 【請求項１０】 請求項１記載の半導体素子の配線形成
方法において、前記フッ素を含むガスと酸素とを混合し
たプラズマの使用時に、残留物を除去するための食刻時
間は６０秒以内にすることを特徴とする半導体素子の配
線形成方法。 - 【請求項１１】 請求項１記載の半導体素子の配線形成
方法において、前記パターニング工程は、ＲＩＥ（Ｒｅ
ａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）型、ＩＣＰ
（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍ
ａ）型、ヘリコン（ｈｅｌｉｃｏｎ）型の食刻装置のう
ち１つを選択して実施されることを特徴とする半導体素
子の配線形成方法。 - 【請求項１２】 請求項１記載の半導体素子の配線形成
方法において、前記残留物の除去は、ヘリコン型の高密
度食刻装置を使用して行われることを特徴とする半導体
素子の配線形成方法。
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199889A JPH10199889A (ja) | 1998-07-31 |
| JP2914443B2 true JP2914443B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
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|---|---|---|---|
| JP9169961A Expired - Fee Related JP2914443B2 (ja) | 1996-12-31 | 1997-06-26 | 半導体素子の配線形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP4210041B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2009-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| KR100408847B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2003-12-06 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 제조공정시 발생된 잔존물 제거방법 |
| EP1475848B1 (en) * | 2003-05-07 | 2006-12-20 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for defining a chalcogenide material layer, in particular in a process for manufacturing phase change memory cells |
| JP5713808B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN106148960B (zh) * | 2016-08-24 | 2019-01-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 铝蚀刻的方法 |
| CN109148288A (zh) * | 2018-08-16 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 制作导电线路的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5229325A (en) * | 1991-01-31 | 1993-07-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming metal wirings of semiconductor device |
| DE69320963T2 (de) * | 1992-06-22 | 1999-05-12 | Lam Res Corp | Plasmareinigungsverfahren zum entfernen von rückständen in einer plasmabehandlungskammer |
| KR0121106B1 (ko) * | 1994-02-15 | 1997-11-10 | 김주용 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
| JP3204012B2 (ja) * | 1994-12-19 | 2001-09-04 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-12-31 KR KR1019960079249A patent/KR100268926B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-06-26 JP JP9169961A patent/JP2914443B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-11 US US08/927,204 patent/US6077777A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10199889A (ja) | 1998-07-31 |
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