KR19990075068A

KR19990075068A - 절연막 식각방법 및 이를 이용한 반도체장치 제조방법

Info

Publication number: KR19990075068A
Application number: KR1019980009051A
Authority: KR
Inventors: 윤태양; 고성훈
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1998-03-17
Filing date: 1998-03-17
Publication date: 1999-10-05

Abstract

실리콘산화물 계열의 절연막의 식각 선택비를 향상시킬 수 있는 식각방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조방법에 관해 기재하고 있다. 본 발명에 따르면, 일산화 탄소(CO)나 이산화 탄소(CO₂)가 첨가된 식각가스 조성물을 이용하여 실리콘산화물 계열의 절연막을 건식식각함으로써, 포토레지스트층 또는 폴리실리콘층에 대한 절연막의 식각선택비를 향상시킬 수 있다. 따라서, 높은 종횡비를 갖는 콘택 형성시 과도 식각에 대한 공정 마진이 향상된다.

Description

절연막 식각방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조방법

본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 식각을 원치 않는 막질에 대한 실리콘 산화물을 함유하는 절연막의 식각 선택비를 향상시킬 수 있는 식각방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조방법에 관한 것이다.

64 메가 DRAM 이상의 고집적 소자에 있어서는 콘택 사이즈(지름)가 0.4㎛ 이하이고, 콘택 깊이는 1㎛ 이상의 높은 종횡비(aspect ratio)를 가지는 콘택홀을 형성하여야 한다.

이러한 높은 종횡비의 콘택홀을 일반적인 식각가스를 이용하여 형성하는 데에는 한계가 있다. 특히, 통상적으로 사용되고 있는 실리콘 산화물 계열의 절연막을 종래의 사불화탄소(CF₄) 및 삼불화 메탄(CHF₃)을 기본으로 한 가스조성물을 사용하여 식각하여 언급된 바와 같은 높은 종횡비를 갖는 콘택홀을 형성하는 데에는 한계가 있다. 특히, 콘택 사이즈의 차이가 크고 종횡비가 높은 다수의 콘택홀들을 한번의 사진식각공정으로 형성하는 경우, 과도식각에 대한 공정 마진이 부족하여 여러 가지 문제점들이 발생된다. 예를 들면, 콘택 사이즈가 서로 다른 다수의 콘택홀들을 식각할 때, 콘택 사이즈가 작은 것은 얕게 식각되고, 콘택 사이즈가 큰 것은 깊이 식각되는 마이크로로딩(microloading) 현상이 발생되기도 하며, 과도식각으로 인한 접합 스파이킹(junction spiking) 현상 또는 후속되는 막의 단차도포성 불량이 발생된다.

이러한 문제점들을 해결하기 위해 식각공정은, 식각을 원치않는 막질에 대한 식각을 원하는 막질의 식각율 비로 나타나는 식각 선택비가 높을 것이 필연적으로 요구된다.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 다른 막질들에 대한 실리콘산화물 계열의 절연막의 식각 선택비를 개선할 수 있는 식각방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 식각방법을 이용한 반도체 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 식각 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.

도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 고온산화막 식각에 사용된 식각가스의 조성비를 조절한 상태에서 포토레지스트막 및 폴리실리콘막에 대한 고온산화막의 식각선택비를 보여주는 실험결과를 도식화한 그래프들이다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 절연막 식각 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.

도 5a 내지 도 6b는 본 발명에 따른 식각가스 조성물과 종래의 식각가스 조성물을 사용하여 실제 콘택홀을 형성한 후 촬영한 SEM 사진들이다.

도 7 및 도 8은 본 발명의 제3 실시예 및 제4 실시예에 따른 절연막 식각 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.

상기 기술적 과제 및 다른 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 실리콘산화물계열의 절연막을 식각하는 방법에 있어서, 상기 절연막은 일산화탄소(CO) 또는 이산화탄소(CO₂)를 함유하는 식각가스 조성물을 이용하여 건식식각한다.

본 발명에 따른 상기 식각가스 조성물은 삼불화 메탄(CHF₃) 가스를 더 포함하며, 이 경우 일산화탄소(CO) 또는 이산화탄소(CO₂)가 20 ∼ 40 sccm, 삼불화 메탄(CHF₃) 가스가 20 ∼ 40 sccm으로 구성된 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 상기 건식식각은, 500 Watt ∼ 1500 Watt의 RF 전력과, 70 mTorr ∼ 110 mTorr의 챔버압력 하에서 진행된다.

이와 같이, 일산화 탄소(CO)나 이산화 탄소(CO₂)가 첨가된 식각가스를 이용하여 실리콘산화물 계열의 절연막을 건식식각함으로써, 포토레지스트층 또는 폴리실리콘층에 대한 절연막의 식각선택비를 향상시킬 수 있다. 따라서, 높은 종횡비를 갖는 콘택 형성시 과도 식각에 대한 공정 마진이 향상된다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록함과 동시에, 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 이하에서 개시되는 실시예에서 어느 한 막이 다른 막 또는 기판위에 존재하는 것으로 지칭될 때, 다른 막 또는 기판 바로 위에 있을 수도 있고, 층간막이 존재할 수도 있음을 밝혀둔다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 식각 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도로서, 참조부호 "1"은 기판을, "3"은 실리콘산화물 계열의 절연막을, "5"는 포토레지스트 패턴을 각각 나타낸다.

먼저, 기판(1) 상에 식각하고자 하는 물질, 예컨대 실리콘산화물 계열의 절연물을 증착하여 절연막(3)을 형성하고, 그 위에 식각 마스크로서 사용될 물질, 예컨대 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층(도시되지 않음)을 형성한다. 다음, 상기 포토레지스트층을 패터닝하여, 식각하고자 하는 부분(빗금친 부분)을 노출시키는 포토레지스트 패턴(5)을 형성하고, 상기 절연막(3)을 선택적으로 건식식각함으로써 콘택홀을 형성한다.

여기서, 상기 기판(1)은 반도체 소자 제조공정에서 사용되는 물질, 예컨대 실리콘, 폴리실리콘, 텅스텐 실리사이드와 같은 금속 실리사이드, 티타늄 나이트라이드, 알루미늄 등과 같은 물질로 구성될 수 있다. 상기 절연막(3)은 또한, SiO₂, PSG, BPSG, BSG, HTO 등과 같은 공지된 실리콘산화막을 한 층 또는 다층(3a, 3b, 3c)으로 적층하여 형성할 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 산화물 계열의 상기 절연막(3)을 식각하는 식각 가스로서, 일산화 탄소(CO)나 이산화 탄소(CO₂)를 첨가한다. 즉, 일산화 탄소(CO) + 삼불화 메탄(CHF₃) 또는 이산화탄소(CO₂) + 삼불화 메탄(CHF₃)의 조성을 갖는 식각 가스를 사용하고, 이의 조성비, RF 전력의 세기, 및 챔버 압력의 세기를 조정함으로써, 다른 막질들에 대한 실리콘산화막의 식각선택비를 조절한다.

상기 식각가스 조성물의 조성비는, 예를 들어, 일산화탄소(CO) 또는 이산화탄소(CO₂)는 20 ∼ 40 sccm, CHF₃는 20 ∼ 40 sccm으로 구성할 수 있다. 상기 건식식각시 인가되는 RF 전력은 500 Watt ∼ 1500 Watt, 바람직하게는 1000 Watt로, 상기 건식식각이 이루어지는 챔버의 압력은 70 mTorr ∼ 110 mTorr가 되도록 조정하여 상기 건식식각 공정을 진행하는 것이 바람직하다.

본 발명자는 상기와 같은 조건으로 산화물 계열의 절연막을 식각하게 되면, 포토레지스트층 또는 폴리실리콘층에 대한 산화막의 식각선택비가 아래의 표 1에서와 같이 향상됨을 확인할 수 있었다.

항목	본 발명	종래기술
식각가스	CO/CHF₃	CHF₃/CF₄/Ar
포토레지스트에 대한 식각선택비(산화물 식각비:포토레지스트 식각비)	40 : 1	5 : 1
폴리실리콘에 대한 식각선택비(산화물 식각비:폴리실리콘 식각비)	25 : 1	12 : 1

상기 표 1에서 보여진 결과는 본 발명자에 의해 여러 조건에서 수행된 실험결과를 토대로 얻어진 것으로서, 산화물로된 절연막, 예를 들어 고온산화막(HTO)의 식각에 사용된 식각가스의 조성비와, RF 전력의 세기, 및 챔버 압력의 세기를 조절한 상태에서 실험한 결과들이다. 상기 표 1에서 보는 바와 같이, 종래의 삼불화 메탄(CHF₃)/사불화탄소(CF₄)/아르곤(Ar) 식각가스 조성물에 비해 본 발명에서 사용된 일산화탄소(CO)/삼불화 메탄(CHF₃) 식각가스 조성물의 경우, 포토레지스트에 대한 고온산화막의 식각선택비와 폴리실리콘에 대한 고온산화막의 식각선택비가 각각 8배 및 2배 이상 향상됨을 볼 수 있다.

계속되는 표 2와 표 3은 모두 고온산화막(HTO)의 식각에 사용된 식각가스의 조성비와, RF 전력의 세기, 및 챔버 압력의 세기를 조절한 상태에서 포토레지스트 및 폴리실리콘에 대한 고온산화막의 식각선택비를 보여주는 실험결과들이다.

표 2는 챔버의 압력은 90mTorr, RF 전력은 1000W, 자속은 50G로 각각 설정한 상태에서 식각가스량을 변화시켜 고온산화막(HTO)의 분(min)당 식각율을 측정한 결과이며, 측정 결과를 토대로하여 고온산화막(HTO)의 포토레지스트막에 대한 식각선택비를 계산한 결과이다.

구분	장비 조건(sccm)	공정특성
구분	CHF₃	CO	CF₄	Ar	B/He	HTO 식각율(Å/min)	선택비
조건 1	30	100	0	160	9	3112Å±21%	71:1
조건 2	30	30	0	160	9	4014Å±11%	24.6:1
조건 3	30	60	0	160	9	3618Å±14%	47.6:1
조건 4	50	50	0	160	9	3427Å±29%	25.4:1

상기 표 2에 도시된 바와 같이, 포토레지스트막에 대한 고온산화막의 식각선택비는, CHF₃가스량과 비교하여 CO 가스량이 증가함에 따라 향상됨을 알 수 있었다.

아래의 표 3은 상기 표 2에서 테스트된 결과를 토대로하여 장비의 조건을 선정하고 고온산화막의 식각율을 시뮬레이션한 결과이다. 본 시뮬레이션에서는, CO 가스량과 CHF₃가스량, 및 압력을 고온산화막의 식각율에 영향을 미치는 변수로 선정하였다.

구분	CO(sccm)	CHF₃(sccm)	압력(mT)	HTO 식각율(Å/min)	포토레지스트에 대한 식각선택비	폴리실리콘에 대한 식각선택비
1	20	20	70	3889Å±8%	17.9:1	17.7:1
2	20	40	70	4196Å±11%	15.0:1	16.3:1
3	20	20	110	3865Å±9%	20.9:1	19.2:1
4	20	40	110	3989Å±33%	16.4:1	16.5:1
5	40	20	70	3511Å±8%	24.9:1	21.4:1
6	40	20	110	3503Å±10%	30.5:1	22.3:1
7	40	40	70	3893Å±12%	19.5:1	19.6:1
8	40	40	110	2322Å±47%	15.0:1	12.6:1
기본	30	30	90	3937Å±12%	17.8:1	16.0:1

상기 표 3에 도시된 실험결과를 참고로하면, 식각가스나 압력 등의 조건들이 고온산화막의 식각율에 미치는 영향에 대해 다음과 같은 결론들을 얻을 수 있다.

① 폴리실리콘막에 대한 고온산화막의 식각선택비

- CHF₃가 가장 큰 영향을 미친다. 즉, CHF₃가 감소할수록 즉, CHF₃가스가 40인 경우보다 20인 경우 폴리실리콘막에 대한 고온산화막의 식각선택비가 높아지며, 이러한 특성은 CO 가스량이 증가할 경우 더욱 현저하게 나타난다. 그 외에 CHF₃/압력, CO/압력, CO/CHF₃의 교호 작용과, CO, 압력 순으로 폴리실리콘막에 대한 고온산화막의 식각선택비에 영향을 끼침을 알 수 있었다.

② 고온산화막의 식각율

- CO 가스량과 압력이 가장 큰 영향을 주며, CHF/압력, CO/압력, CO/CHF의 교호작용이 적지 않은 영향을 미친다. 상대적으로, CHF의 영향은 크지 않으며, 위의 모든 변수의 증가에 대하여 식각율은 감소됨을 볼 수 있다.

③ 포토레지스트막에 대한 고온산화막의 식각선택비

- CO와 CHF₃가스량이 큰 영향을 미친다. 즉, CO가 증가할수록 CHF₃가 감소할수록 포토레지스트막에 대한 고온산화막의 식각선택비가 높아짐을 알 수 있다.

도 2 및 도 3은 상기 실험결과들을 그래프로서 도식화한 것으로서, 도 2는 폴리실리콘막에 대한 고온산화막의 식각선택비를, 도 3은 포토레지스트막에 대한 고온산화막의 식각선택비를 각각 도시한 그래프들이다. 각 그래프들에 있어서, 가로축은 CHF₃가스량을, 세로축은 고온산화막의 식각선택비를, (a)선과 (C)선은 CO 가스량이 20인 경우를, (b)선과 (d)선은 CO 가스량이 40인 경우를 각각 도시하였다.

도 2 및 도 3를 참조하면, CHF₃가스량이 증가할수록 폴리실리콘막에 대한 고온산화막의 식각선택비((a)선, (b)선 참고)와 포토레지스트막에 대한 고온산화막의 식각선택비((c)선, (d)선 참고)가 감소됨을 볼 수 있다. 또한, CO가스량이 적은 경우((a), (c)선)보다 많은 경우((b)선, (d)선) 폴리실리콘막 및 포토레지스트막에 대한 고온산화막의 식각선택비가 증가됨을 볼 수 있다.

이상에서 언급된 바와 같이, 식각가스 조성물의 조성비를, 일산화탄소(CO) 또는 이산화탄소(CO₂)는 20 ∼ 40 sccm, CHF₃는 20 ∼ 40 sccm으로 구성하고, 건식식각시 인가되는 RF 전력은 500 Watt ∼ 1500 Watt로, 챔버의 압력은 70 mTorr ∼ 110 mTorr가 되도록 조정함으로써, 폴리실리콘막이나 포토레지스트막에 대한 산화물 계열 절연물의 식각선택비를 향상시킬 수 있다.

본 발명에 따른 상기 산화물 계열의 절연물 식각방법은, 언급된 제1 실시예에서와 같은 포토레지스트 패턴(도 1의 5 참조)을 마스크로 사용한 일반적인 콘택홀 형성 공정 이외에도, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같은 여러 가지 공정에 적용될 수 있다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 절연막 식각 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도로서, 도 1에서와 동일한 참조부호는 동일 물질을 나타낸다. 본 발명의 제2 실시예는 콘택홀을 형성하기 위해 습식식각 후 건식식각하는 것을 제외하고는 상기 제1 실시예와 동일하다.

제1 실시예와 마찬가지로, 기판(1) 상에 식각하고자 하는 물질, 예컨대 산화물 계열의 절연물을 증착하여 절연막(3)을 형성하고, 그 위에 식각 마스크로서 사용될 물질, 예컨대 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층(도시되지 않음)을 형성한다. 다음, 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 식각하고자 하는 부분(빗금친 부분)을 노출시키는 포토레지스트 패턴(5)을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴(5)을 식각마스크로 사용하여 상기 절연막(3)을 예컨대 BOE(Buffered Oxide Etchant)와 같은 에쳔트를 이용하여 습식식각한다. 습식식각 후, 상기 절연막(3)을 일산화 탄소(CO)나 이산화 탄소(CO₂)가 첨가된 식각가스 조성물을 이용하여 건식식각함으로써 콘택홀을 형성한다.

상기 기판(1)은 실리콘, 폴리실리콘, 텅스텐 실리사이드와 같은 금속 실리사이드, 티타늄 나이트라이드, 알루미늄 등과 같은 물질로 구성될 수 있으며, 상기 절연막(3)은, SiO₂, PSG, BPSG, BSG, HTO 등과 같은 공지된 산화막을 한 층 또는 다층(3a, 3b, 3c)으로 적층하여 형성될 수 있다.

언급된 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따르면, 일산화 탄소(CO)나 이산화 탄소(CO₂)가 첨가된 식각가스를 이용하여 산화물 계열의 절연막을 건식식각함으로써 포토레지스트층 또는 폴리실리콘층에 대한 절연막의 식각선택비를 향상시킬 수 있다. 따라서, 높은 종횡비를 갖는 콘택 형성시 과도 식각에 대한 공정 마진이 향상된다. 즉, 종횡비가 큰 콘택 형성을 위한 과도식각을 실시하더라도 종래에서와 같이, 콘택 사이즈가 서로 다른 다수의 콘택홀들을 식각할 때 콘택 사이즈가 작은 것은 얕게 식각되고, 콘택 사이즈가 큰 것은 깊이 식각되는 마이크로로딩 현상이 발생되지 않는다. 또한, 과도식각으로 인한 접합 스파이킹(junction spiking) 현상 또는 후속되는 막의 단차도포성 불량이 방지된다.

도 5a 내지 도 6b는 본 발명에 따른 식각가스 조성물과 종래의 식각가스 조성물을 사용하여 실제 콘택홀을 형성한 후 촬영한 SEM 사진들로서, 각 a도는 본 발명에 따른 식각가스 조성물(CO/CHF₃)을, 각 b도는 종래의 식각가스 조성물(CHF₃/CF₄/Ar)을 사용한 경우이다. 여기에서, 본 발명의 경우, 일산화탄소(CO)는 40 sccm, 삼불화 메탄(CHF₃)은 20 sccm 으로, RF 전력은 1000 Watt, 챔버의 압력은 70 mTorr, 자속은 30G가 되도록 조정한 상태에서 건식식각하였다.

도 5a 및 도 5b는 실리콘 기판 상에 형성된 콘택홀을, 도 6a 및 도 6b는 폴리실리콘으로된 패드 도전층 상에 형성된 콘택홀을 각각 보여준다. 본 발명의 경우(도 5a 및 도 6a)가 종래의 경우(도 5b 및 도 6b) 보다 실리콘 기판이나 폴리실리콘층이 과도하게 식각된 부분이 적음을 확인할 수 있다.

이상에서 언급된 식각방법은 콘택 형성 공정 뿐만이 아니라 계속해서 설명되는 실리콘 산화막에 대한 전면 식각공정에서도 사용될 수 있다.

도 7 및 도 8은 본 발명의 제3 실시예 및 제4 실시예에 따른 절연막 식각 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들로서, 도 1에서와 동일한 참조부호는 동일 물질을 나타낸다. 본 발명의 제2 실시예는 포토레지스트 마스크를 사용하지 않고 절연막을 전면 건식식각하는 것을 제외하고는 식각조건 등에 있어서 상기 제1 실시예와 동일하다.

도 7을 참조하면, 기판(1) 상에 절연물을 증착하여 절연막(3)을 형성하고, 상기 절연막(3)의 일부를 일산화 탄소(CO)나 이산화 탄소(CO₂)가 첨가된 식각가스를 이용하여 건식식각한다. 상기 절연막(3)은, SiO₂, PSG, BPSG, BSG, HTO 등과 같은 공지된 산화막을 한 층 또는 다층(3a, 3b)으로 적층하여 형성될 수 있다.

도 8을 참조하면, 게이트 도전층(7)과 층간절연층(9)이 형성된 기판(1) 상에 에 절연막(3)을 형성하고, 상기 절연막의 일부를 일산화 탄소(CO)나 이산화 탄소(CO₂)가 첨가된 식각가스를 이용하여 건식식각한다.

본 발명의 제1 내지 제4 실시예에 있어서, 절연막을 건식식각하는데 사용되는 식각가스로서 일산화탄소(CO) 또는 이산화탄소(CO₂) 가스와 삼불화 메탄(CHF₃) 가스가 언급되어 있으나, 필요에 따라 아르곤(Ar) 가스나 사불화탄소(CF₄) 가스가 더 사용될 수도 있다.

상기한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 일산화 탄소(CO)나 이산화 탄소(CO₂)가 첨가된 식각가스를 이용하여 산화물 계열의 절연막을 건식식각함으로써 포토레지스트층 또는 폴리실리콘층에 대한 절연막의 식각선택비를 향상시킬 수 있다. 따라서, 높은 종횡비를 갖는 콘택 형성시 과도 식각에 대한 공정 마진이 향상된다. 즉, 종횡비가 큰 콘택 형성을 위한 과도식각을 실시하더라도 종래에서와 같이, 콘택 사이즈가 서로 다른 다수의 콘택홀들을 식각할 때 콘택 사이즈가 작은 것은 얕게 식각되고, 콘택 사이즈가 큰 것은 깊이 식각되는 마이크로로딩 현상이 발생되지 않는다. 또한, 과도식각으로 인한 접합 스파이킹 현상 또는 후속되는 막의 단차도포성 불량이 방지된다.

Claims

실리콘산화물 계열의 절연막을 식각하는 방법에 있어서,

상기 절연막은 일산화탄소(CO) 또는 이산화탄소(CO₂)를 함유하는 식각가스 조성물을 이용하여 건식식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 절연막 식각방법.
제1항에 있어서, 상기 식각가스 조성물은 삼불화 메탄(CHF₃) 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 절연막 식각방법.
제2항에 있어서, 상기 식각가스 조성물은 일산화탄소(CO) 또는 이산화탄소(CO₂)가 20 ∼ 40 sccm, 삼불화 메탄(CHF₃) 가스가 20 ∼ 40 sccm으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 절연막 식각방법.
제1항에 있어서, 상기 건식식각은 500 Watt ∼ 1500 Watt의 RF 전력과, 70 mTorr ∼ 110 mTorr의 챔버압력 하에서 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 절연막 식각방법.
제1항에 있어서, 상기 식각가스 조성물은 아르곤 가스(Ar) 또는 사불화탄소(CF₄) 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 절연막 식각방법.
(a) 기판 상에 실리콘 산화물을 함유하는 절연막을 형성하는 단계;

(b) 상기 절연막 상에 식각 마스크로서 사용될 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층을 형성하는 단계;

(c) 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 식각하고자 하는 부분을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및

(d) 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로서 사용하고 일산화탄소(CO) 또는 이산화탄소(CO₂)를 함유하는 식각가스 조성물을 이용하여 상기 절연막을 선택적으로 건식식각하여 콘택홀을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
제6항에 있어서, (d) 단계에서 사용되는 상기 식각가스 조성물은, 삼불화 메탄(CHF₃) 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
제7항에 있어서, (d) 단계에서 사용되는 상기 식각가스 조성물은 일산화탄소(CO) 또는 이산화탄소(CO₂)가 20 ∼ 40 sccm, 삼불화 메탄(CHF₃) 가스가 20 ∼ 40 sccm으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
제6항에 있어서, (d) 단계에서의 상기 건식식각은 500 Watt ∼ 1500 Watt의 RF 전력과, 70 mTorr ∼ 110 mTorr의 챔버압력 하에서 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
제6항에 있어서, (a) 단계에서의 상기 기판은, 실리콘, 폴리실리콘, 텅스텐 실리사이드를 포함하는 금속 실리사이드, 티타늄 나이트라이드, 알루미늄을 포함하는 반도체 장치 제조용 물질 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
제6항에 있어서, (a) 단계에서 형성되는 상기 절연막은, SiO₂, PSG, BPSG, BSG, HTO를 포함하는 실리콘산화막을 한 층 또는 다층으로 적층하여 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
제6항에 있어서, 상기 (d) 단계 전,

상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하고 상기 절연막을 습식식각하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.