JPH0697103A - 半導体素子製造におけるバイアコンタクト形成方法 - Google Patents
半導体素子製造におけるバイアコンタクト形成方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バイアコンタクトをエッチングするとき、感
光膜の側壁及びバイアコンタクトホ−ルの内部側壁に形
成されるポリマ−膜を金属層のエッチングなしに除去す
ることを目的とする。 【構成】 半導体素子製造においてバイアコンクタトを
形成するときの後処理工程で、バイアコンタクトエッチ
ング処理時、バイアコンタクト内部側壁に形成されるポ
リマー膜７を金属層１の腐食なしに除去するため、バイ
アコンタクトエッチング処理を施した後、ＣＯ2 ガスを
脱イオン水に稀釈して脱イオン水洗浄をすることによ
り、金属層１の表面にＡｌ2 Ｏ3 の保護膜９が形成され
て、上記バイアコンタクトホールＡの内部側壁に形成さ
れるポリマー膜７及び感光膜５の一部をストリッパ溶液
で除去するとき発生される金属層１の腐食を防止するこ
とができる。
光膜の側壁及びバイアコンタクトホ−ルの内部側壁に形
成されるポリマ−膜を金属層のエッチングなしに除去す
ることを目的とする。 【構成】 半導体素子製造においてバイアコンクタトを
形成するときの後処理工程で、バイアコンタクトエッチ
ング処理時、バイアコンタクト内部側壁に形成されるポ
リマー膜７を金属層１の腐食なしに除去するため、バイ
アコンタクトエッチング処理を施した後、ＣＯ2 ガスを
脱イオン水に稀釈して脱イオン水洗浄をすることによ
り、金属層１の表面にＡｌ2 Ｏ3 の保護膜９が形成され
て、上記バイアコンタクトホールＡの内部側壁に形成さ
れるポリマー膜７及び感光膜５の一部をストリッパ溶液
で除去するとき発生される金属層１の腐食を防止するこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子製造における
バイアコンタクト（VIA CONTACT)形成方法に関するもの
で、特にバイアコンタクトエッチング処理を完了した
後、バイアコンタクトホールに形成される残存ポリマー
及び感光膜を除去する処理に関するものである。
バイアコンタクト（VIA CONTACT)形成方法に関するもの
で、特にバイアコンタクトエッチング処理を完了した
後、バイアコンタクトホールに形成される残存ポリマー
及び感光膜を除去する処理に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に半導体素子製造におけるバイア
コンタクト形成処理では、エッチング処理中にバイアホ
ールに形成される残存ポリマーを除去する処理が大変重
要である。また、半導体素子の集積度が高められるほど
多様の素子構造が要求されるので、上述の処理は更に難
しくなる。
コンタクト形成処理では、エッチング処理中にバイアホ
ールに形成される残存ポリマーを除去する処理が大変重
要である。また、半導体素子の集積度が高められるほど
多様の素子構造が要求されるので、上述の処理は更に難
しくなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子製造におけ
るバイアコンタクト製造処理において、バイアコンタク
トエッチング後の処理は、Ｏ2 プラズマ ストリッパ
（stripper) で感光膜を除去する処理と、脱イオン水洗
浄及びストリッパ溶液でポリマー膜を除去する処理を含
む。この際、大部分のバイアコンタクトエッチング処理
では過剰エッチング（OVER ETCH)が行われるため、酸化
膜（ＳｉＯ2 ）だけエッチングされるのみならず、酸化
膜下部の金属層の一部もエッチングされ、酸化膜上部の
感光膜の側壁及びバイアコンタクトホール内部側壁に感
光膜、酸化膜と金属層が反応して生成されたポリマー膜
が形成される。上記ポリマー膜は上述したＯ2 プラズマ
ストリッパとして感光膜を除去する間、変更又は硬化
されるので、次の処理のポリマー膜除去処理でも良く除
去されない。上記ポリマー膜を除去するためには、金属
層もエッチングできるエッチング溶液又は強いストリッ
パ溶液を使用されることになる。しかし、この際、ポリ
マー膜のみならず、金属層の一部もエッチングされるの
で、バイアコンタクトの短絡することが生ずる問題点が
あった。
るバイアコンタクト製造処理において、バイアコンタク
トエッチング後の処理は、Ｏ2 プラズマ ストリッパ
（stripper) で感光膜を除去する処理と、脱イオン水洗
浄及びストリッパ溶液でポリマー膜を除去する処理を含
む。この際、大部分のバイアコンタクトエッチング処理
では過剰エッチング（OVER ETCH)が行われるため、酸化
膜（ＳｉＯ2 ）だけエッチングされるのみならず、酸化
膜下部の金属層の一部もエッチングされ、酸化膜上部の
感光膜の側壁及びバイアコンタクトホール内部側壁に感
光膜、酸化膜と金属層が反応して生成されたポリマー膜
が形成される。上記ポリマー膜は上述したＯ2 プラズマ
ストリッパとして感光膜を除去する間、変更又は硬化
されるので、次の処理のポリマー膜除去処理でも良く除
去されない。上記ポリマー膜を除去するためには、金属
層もエッチングできるエッチング溶液又は強いストリッ
パ溶液を使用されることになる。しかし、この際、ポリ
マー膜のみならず、金属層の一部もエッチングされるの
で、バイアコンタクトの短絡することが生ずる問題点が
あった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した問題点
を解決するため、バイアコンタクトをエッチングすると
き、感光膜の側壁及びバイアコンタクトホールの内部側
壁に形成されるポリマー膜を金属層のエッチングなしに
除去することを目的とする。
を解決するため、バイアコンタクトをエッチングすると
き、感光膜の側壁及びバイアコンタクトホールの内部側
壁に形成されるポリマー膜を金属層のエッチングなしに
除去することを目的とする。
【０００５】上記目的を達成するため、本発明は金属層
を形成する第１工程と、上記金属層の上部に酸化膜を形
成する第２工程と、上記酸化膜上部に感光膜を塗布して
感光膜パターンを形成する第３工程と、上記感光膜パタ
ーンを利用してバイアコンタクトエッチングを利用する
バイアコンタクトホールを形成する第４工程と、上記バ
イアコンタクトエッチング処理を施した後、ＣＯ2 ガス
を脱イオン水に稀釈して脱イオン水洗浄をすることによ
り、上記バイアコンタクトホールの下部壁に保護膜を形
成する第５工程と、上記脱イオン水洗浄処理を完了した
後、上記バイアコンタクトホール側壁のポリマー膜及び
上記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ溶液で除去
する第６工程と、上記酸化膜の上部に残存する感光膜を
除去する第７工程を含むことを特徴とする。
を形成する第１工程と、上記金属層の上部に酸化膜を形
成する第２工程と、上記酸化膜上部に感光膜を塗布して
感光膜パターンを形成する第３工程と、上記感光膜パタ
ーンを利用してバイアコンタクトエッチングを利用する
バイアコンタクトホールを形成する第４工程と、上記バ
イアコンタクトエッチング処理を施した後、ＣＯ2 ガス
を脱イオン水に稀釈して脱イオン水洗浄をすることによ
り、上記バイアコンタクトホールの下部壁に保護膜を形
成する第５工程と、上記脱イオン水洗浄処理を完了した
後、上記バイアコンタクトホール側壁のポリマー膜及び
上記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ溶液で除去
する第６工程と、上記酸化膜の上部に残存する感光膜を
除去する第７工程を含むことを特徴とする。
【０００６】また、本発明はＣＯ2 ガスを脱イオン水に
稀釈して脱イオン水洗浄をする第５工程後に上記脱イオ
ン水を除去するため、イソプロピルアルコール（Isopro
pylAlcohol)で常温にて１分乃至１０分間洗浄する工程
を更に含むことを特徴とする。
稀釈して脱イオン水洗浄をする第５工程後に上記脱イオ
ン水を除去するため、イソプロピルアルコール（Isopro
pylAlcohol)で常温にて１分乃至１０分間洗浄する工程
を更に含むことを特徴とする。
【０００７】さらに、本発明は上記バイアコンタクトホ
ール側壁のポリマー膜及び上記酸化膜上部の感光膜の一
部をストリッパ溶液で除去する第６工程後に、上記スト
リッパ溶液を除去するためイソプロピルアルコールで常
温にて１分乃至１０分間洗浄する工程と、上記洗浄処理
の後、流量０．２乃至３リットル／分のＣＯ2 ガスを稀
釈した脱イオン水にて１分乃至１０分間の洗浄する工程
と、スピンドライでウェハーを乾燥させる工程を更に含
むことを特徴とする。
ール側壁のポリマー膜及び上記酸化膜上部の感光膜の一
部をストリッパ溶液で除去する第６工程後に、上記スト
リッパ溶液を除去するためイソプロピルアルコールで常
温にて１分乃至１０分間洗浄する工程と、上記洗浄処理
の後、流量０．２乃至３リットル／分のＣＯ2 ガスを稀
釈した脱イオン水にて１分乃至１０分間の洗浄する工程
と、スピンドライでウェハーを乾燥させる工程を更に含
むことを特徴とする。
【０００８】
【実施例】以下、添付された図面を参照してで本発明を
説明する。
説明する。
【０００９】図１及び図２は従来の半導体素子製造工程
のバイアコンタクト形成方法に関するものである。図１
（ａ）は従来のアルミニウム金属層１上部の酸化膜３
（ＳｉＯ2 ）上に感光膜５を塗布した後、マスクパター
ンを形成する工程を示す半導体素子の断面図である。
のバイアコンタクト形成方法に関するものである。図１
（ａ）は従来のアルミニウム金属層１上部の酸化膜３
（ＳｉＯ2 ）上に感光膜５を塗布した後、マスクパター
ンを形成する工程を示す半導体素子の断面図である。
【００１０】図１（ｂ）は上記マスクパターンを利用し
て金属層１上部の酸化膜３の所定部分をエッチングし
て、バイアコンタクトホールＡを形成する処理を示す半
導体素子の断面図であって、大部分のバイアコンタクト
エッチング処理では通常過剰エッチングをすることによ
り、エッチング物質の酸化膜３のみならず、アルミニウ
ム金属層の一部分もエッチングする。この際、図示され
た如く、感光膜５の内部側壁５ａ及びバイアコンタクト
ホールＡの内部側壁３ａに感光膜、酸化膜、金属層がお
互いに反応してポリマー膜７が形成される。
て金属層１上部の酸化膜３の所定部分をエッチングし
て、バイアコンタクトホールＡを形成する処理を示す半
導体素子の断面図であって、大部分のバイアコンタクト
エッチング処理では通常過剰エッチングをすることによ
り、エッチング物質の酸化膜３のみならず、アルミニウ
ム金属層の一部分もエッチングする。この際、図示され
た如く、感光膜５の内部側壁５ａ及びバイアコンタクト
ホールＡの内部側壁３ａに感光膜、酸化膜、金属層がお
互いに反応してポリマー膜７が形成される。
【００１１】図２（ｃ）は図１（ｂ）に図示された如
く、上記酸化膜３上部に形成されている感光膜５を除去
する工程を示す半導体素子の断面図である。ここで、図
１（ｂ）に図示された上記ポリマー膜７は、Ｏ2 プラズ
マストリッパで上記感光膜５を除去する間、変更又は硬
化されるので次のポリマー膜除去工程では除去すること
が大変難しくなる。
く、上記酸化膜３上部に形成されている感光膜５を除去
する工程を示す半導体素子の断面図である。ここで、図
１（ｂ）に図示された上記ポリマー膜７は、Ｏ2 プラズ
マストリッパで上記感光膜５を除去する間、変更又は硬
化されるので次のポリマー膜除去工程では除去すること
が大変難しくなる。
【００１２】図２（ｄ）は上記バイアコンタクトホール
Ａ側壁に形成されたポリマー膜７を除去するとき、酸化
膜及び下部の金属層１の一部も除去され、金属層除去部
Ｂが形成される処理を示す半導体素子の断面図である。
即ち、上記ポリマー膜７を除去するためには金属層１も
エッチング溶液を使用するとか、又は強いストリッパ溶
液を使用する。しかし、上述したエッチング溶液又はス
トリッパ溶液を使用して上記ポリマー膜７を除去すると
き、上記ポリマー膜７が除去される反面に金属層１の一
部もエッチング又は腐食されバイアコンタクトで短絡が
発生する。したがって、上記バイアコンタクトホールＡ
側壁に形成されたポリマー膜７を除去するためには、金
属層１の一部が腐食されるか又はポリマーが残存する状
態で半導体素子の製造処理を進行させなければならない
という問題点があった。
Ａ側壁に形成されたポリマー膜７を除去するとき、酸化
膜及び下部の金属層１の一部も除去され、金属層除去部
Ｂが形成される処理を示す半導体素子の断面図である。
即ち、上記ポリマー膜７を除去するためには金属層１も
エッチング溶液を使用するとか、又は強いストリッパ溶
液を使用する。しかし、上述したエッチング溶液又はス
トリッパ溶液を使用して上記ポリマー膜７を除去すると
き、上記ポリマー膜７が除去される反面に金属層１の一
部もエッチング又は腐食されバイアコンタクトで短絡が
発生する。したがって、上記バイアコンタクトホールＡ
側壁に形成されたポリマー膜７を除去するためには、金
属層１の一部が腐食されるか又はポリマーが残存する状
態で半導体素子の製造処理を進行させなければならない
という問題点があった。
【００１３】図３（ａ）乃至図３（ｃ）は本発明の一実
施例に伴う半導体素子製造におけるバイアコンタクト形
成方法に関するものである。図３（ａ）は本発明により
アルミニウム金属層１上部に酸化膜３と、感光膜５を形
成してバイアコンタクトエッチング後、ＣＯ2 ガスを稀
釈して脱イオン水に洗浄をすることにより、バイアコン
タクトホールＡの下部壁に保護膜９が形成される状態を
示す半導体素子の断面図である。この際、バイアコンタ
クトエッチング後、ＣＯ2 ガスを脱イオン水に稀釈して
半導体素子を５分乃至３０分間洗浄する。この場合、Ｃ
Ｏ2 ガスの流量は０．２乃至１リットル／分が適切であ
る。なお、半導体素子を洗浄した後、脱イオン水を除去
するため、イソプロピルアルコ−ルで常温にて１分から
１０分間洗浄してもよい。
施例に伴う半導体素子製造におけるバイアコンタクト形
成方法に関するものである。図３（ａ）は本発明により
アルミニウム金属層１上部に酸化膜３と、感光膜５を形
成してバイアコンタクトエッチング後、ＣＯ2 ガスを稀
釈して脱イオン水に洗浄をすることにより、バイアコン
タクトホールＡの下部壁に保護膜９が形成される状態を
示す半導体素子の断面図である。この際、バイアコンタ
クトエッチング後、ＣＯ2 ガスを脱イオン水に稀釈して
半導体素子を５分乃至３０分間洗浄する。この場合、Ｃ
Ｏ2 ガスの流量は０．２乃至１リットル／分が適切であ
る。なお、半導体素子を洗浄した後、脱イオン水を除去
するため、イソプロピルアルコ−ルで常温にて１分から
１０分間洗浄してもよい。
【００１４】上記工程では水（Ｈ2 Ｏ）と金属反応物
（ＡｌＦ3 ，Ａｌ（ＯＨ）3 ）が反応して酸化膜３下部
の金属層１が腐食される現状を抑制させ、かつ、ＣＯ2
ガスと水が反応して生成されたＨ2 ＣＯ3 により金属層
１表面に薄く均一のＡｌ2 Ｏ3の保護膜９が形成され
る。
（ＡｌＦ3 ，Ａｌ（ＯＨ）3 ）が反応して酸化膜３下部
の金属層１が腐食される現状を抑制させ、かつ、ＣＯ2
ガスと水が反応して生成されたＨ2 ＣＯ3 により金属層
１表面に薄く均一のＡｌ2 Ｏ3の保護膜９が形成され
る。
【００１５】上記工程後、常温のイソプロピルアルコー
ルで１乃至３分間洗浄することになるが、本工程は脱イ
オン水洗浄工程後ウェハーについた水がストリッパ溶液
に稀釈されることを防止するため、ストリッパ溶液と良
好に稀釈され揮発性の良いアルコールで洗浄を実施す
る。
ルで１乃至３分間洗浄することになるが、本工程は脱イ
オン水洗浄工程後ウェハーについた水がストリッパ溶液
に稀釈されることを防止するため、ストリッパ溶液と良
好に稀釈され揮発性の良いアルコールで洗浄を実施す
る。
【００１６】図３（ｂ）は本発明によりバイアコンタク
トホールＡ側壁に形成されたポリマー膜７を除去する工
程を示す半導体素子の断面図であって、５０乃至１００
℃のストリッパ溶液で５分乃至３０分間上記バイアコン
タクトホールＡ側壁に形成されたポリマー膜７及び感光
膜５の一部を除去する。上記工程では図３（ａ）で図示
された如き金属表面の薄く均一のＡｌ2 Ｏ3 の保護膜９
によりストリッパによる金属層１のエッチングが防止さ
れながら、短い時間にポリマー膜７を除去し、かつ、感
光膜の大部分も除去する。この際、上記工程はストリッ
パ溶液が循環ポンプで循環される中で進行されることが
望ましい。何故なら、ストリッパ溶液はポリマー膜７及
び感光膜５がウェハー表面及びバイアコンタクトホール
Ａで良く反応し脱着されるよう促進させるからである。
上記処理後、イソプロピルアルコールで上記ストリッパ
溶液を１分から１０分間洗浄することにより脱イオン水
洗浄処理を容易にする。その後、洗浄処理の最終工程で
流量０．２乃至１リットル／分のＣＯ2 ガスを脱イオン
水に稀釈してストリッパ溶液及びイソプロピルアルコー
ルで洗浄する。その次にスピンドライでウェハーを乾燥
させる。
トホールＡ側壁に形成されたポリマー膜７を除去する工
程を示す半導体素子の断面図であって、５０乃至１００
℃のストリッパ溶液で５分乃至３０分間上記バイアコン
タクトホールＡ側壁に形成されたポリマー膜７及び感光
膜５の一部を除去する。上記工程では図３（ａ）で図示
された如き金属表面の薄く均一のＡｌ2 Ｏ3 の保護膜９
によりストリッパによる金属層１のエッチングが防止さ
れながら、短い時間にポリマー膜７を除去し、かつ、感
光膜の大部分も除去する。この際、上記工程はストリッ
パ溶液が循環ポンプで循環される中で進行されることが
望ましい。何故なら、ストリッパ溶液はポリマー膜７及
び感光膜５がウェハー表面及びバイアコンタクトホール
Ａで良く反応し脱着されるよう促進させるからである。
上記処理後、イソプロピルアルコールで上記ストリッパ
溶液を１分から１０分間洗浄することにより脱イオン水
洗浄処理を容易にする。その後、洗浄処理の最終工程で
流量０．２乃至１リットル／分のＣＯ2 ガスを脱イオン
水に稀釈してストリッパ溶液及びイソプロピルアルコー
ルで洗浄する。その次にスピンドライでウェハーを乾燥
させる。
【００１７】図３（ｃ）は本発明により上記酸化膜３上
部に残存する感光膜５を完全に除去する工程を示す半導
体素子の断面図であって、上記処理でＯ2 プラズマスト
リッパで残存感光膜５を完全に除去させ、バイアコンタ
クト処理は完全に完了させる。
部に残存する感光膜５を完全に除去する工程を示す半導
体素子の断面図であって、上記処理でＯ2 プラズマスト
リッパで残存感光膜５を完全に除去させ、バイアコンタ
クト処理は完全に完了させる。
【００１８】即ち、バイアコンタクト工程でＣＯ2 稀釈
した脱イオン水洗浄処理を優先的に実施し、金属層１の
上部に保護膜９を形成し、ストリッパ溶液でポリマー膜
７及び感光膜５の大部分を除去し、最終的にＯ2 プラズ
マストリッパで残留感光膜５を除去する。したがって、
金属層１の腐食を防止し、ポリマー膜７の除去も容易に
なる。
した脱イオン水洗浄処理を優先的に実施し、金属層１の
上部に保護膜９を形成し、ストリッパ溶液でポリマー膜
７及び感光膜５の大部分を除去し、最終的にＯ2 プラズ
マストリッパで残留感光膜５を除去する。したがって、
金属層１の腐食を防止し、ポリマー膜７の除去も容易に
なる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明の方法によれば、
既存の装備にＣＯ2 ガスだけ利用して使用することによ
り、効果的にポリマー膜７を除去すると同時に金属層１
も損傷を受けないことになるため、ウェハー水率及び信
頼性を向上させることができ、装備投資費の節減効果も
得られる。
既存の装備にＣＯ2 ガスだけ利用して使用することによ
り、効果的にポリマー膜７を除去すると同時に金属層１
も損傷を受けないことになるため、ウェハー水率及び信
頼性を向上させることができ、装備投資費の節減効果も
得られる。
【図１】図１は、従来のバイアコンタクト形成方法を示
す工程図（ａ）及び（ｂ）であり、図１（ａ）は従来の
アルミニウム金属層上部の酸化膜上に感光膜を塗布し、
マスクパターンを形成する工程を示す半導体素子の断面
図、図１（ｂ）は図１（ａ）に形成されたマスクパター
ンを利用してバイアコンタクトエッチングでバイアコン
タクトホールを形成するとき、コンタクトホール側壁に
ポリマー膜が形成されている状態を示す半導体素子の断
面図である。
す工程図（ａ）及び（ｂ）であり、図１（ａ）は従来の
アルミニウム金属層上部の酸化膜上に感光膜を塗布し、
マスクパターンを形成する工程を示す半導体素子の断面
図、図１（ｂ）は図１（ａ）に形成されたマスクパター
ンを利用してバイアコンタクトエッチングでバイアコン
タクトホールを形成するとき、コンタクトホール側壁に
ポリマー膜が形成されている状態を示す半導体素子の断
面図である。
【図２】図２は、従来のバイアコンタクト形成方法を示
す工程図（ｃ）及び（ｄ）であり、図２（ｃ）は上記酸
化膜上部に形成されている感光膜を除去する工程を示す
半導体素子の断面図、図２（ｄ）は上記バイアコンタク
トホール側壁に形成されたポリマー膜を除去するとき、
金属層の一部も除去される状態に示す半導体素子の断面
図である。
す工程図（ｃ）及び（ｄ）であり、図２（ｃ）は上記酸
化膜上部に形成されている感光膜を除去する工程を示す
半導体素子の断面図、図２（ｄ）は上記バイアコンタク
トホール側壁に形成されたポリマー膜を除去するとき、
金属層の一部も除去される状態に示す半導体素子の断面
図である。
【図３】図３は、本発明の一実施例に係るバイアコンタ
クト形成方法を示す工程図であり、図３（ａ）は本発明
によりバイアコンタクトエッチング後、ＣＯ2 ガスを脱
イオン水に稀釈して半導体素子を洗浄することによりバ
イアコンタクトホール下部壁に保護膜が形成される状態
を示す半導体素子の断面図、図３（ｂ）は本発明により
バイアコンタクトホール側壁に形成されたポリマー膜を
除去する工程を示す半導体素子の断面図、図３（ｃ）は
本発明により上記酸化膜の上部に残存する感光膜を除去
する工程を示す半導体素子の断面図である。
クト形成方法を示す工程図であり、図３（ａ）は本発明
によりバイアコンタクトエッチング後、ＣＯ2 ガスを脱
イオン水に稀釈して半導体素子を洗浄することによりバ
イアコンタクトホール下部壁に保護膜が形成される状態
を示す半導体素子の断面図、図３（ｂ）は本発明により
バイアコンタクトホール側壁に形成されたポリマー膜を
除去する工程を示す半導体素子の断面図、図３（ｃ）は
本発明により上記酸化膜の上部に残存する感光膜を除去
する工程を示す半導体素子の断面図である。
１…金属膜、３…酸化膜、５…感光膜、７…ポリマー
膜、９…保護膜、Ａ…バイアコンタクトホール、Ｂ…金
属層除去部。
膜、９…保護膜、Ａ…バイアコンタクトホール、Ｂ…金
属層除去部。
Claims (8)
- 【請求項１】半導体素子製造におけるバイアコンタクト
形成方法において、 金属層を形成する工程と、 前記金属層の上部に酸化膜を形成する工程と、 前記酸化膜の上部に感光膜を塗布して感光膜パターンを
形成する工程と、 前記感光膜パターンを利用してバイアコンタクトエッチ
ングを施してバイアコンタクトホールを形成する工程
と、 上記バイアコンタクトエッチング処理を施した後、ＣＯ
2 ガスを脱イオン水に稀釈して脱イオン水洗浄をするこ
とにより、前記バイアコンタクトホールの下部壁に保護
膜を形成する工程と、 前記脱イオン水洗浄処理を完了した後、前記バイアコン
タクトホール側壁のポリマー膜及び前記酸化膜上部の感
光膜の一部をストリッパ溶液で除去する工程と、 前記酸化膜の上部に残存する感光膜を除去する工程を含
むことを特徴とする半導体素子製造におけるバイアコン
タクト形成方法。 - 【請求項２】 前記ＣＯ2 ガスを脱イオン水に稀釈して
脱イオン水洗浄をする工程後に、前記脱イオン水を除去
するため、イソプロピルアルコールで常温にて１分乃至
１０分間洗浄する工程を更に含むことを特徴とする請求
項１記載の半導体素子製造におけるバイアコンタクト形
成方法。 - 【請求項３】 前記バイアコンタクトホール側壁のポリ
マー膜及び前記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ
溶液で除去する工程後、上記ストリッパ溶液を除去する
ためにイソプロピルアルコールで常温にて１分乃至１０
分間洗浄する工程と、流量０. ２乃至３リットル／分の
ＣＯ2 ガスを脱イオン水に稀釈して１分乃至１０分間洗
浄を行う工程と、スピンドライにてウェハーを乾燥させ
る工程を更に含むことを特徴とする請求項１記載の半導
体素子製造におけるバイアコンタクト形成方法。 - 【請求項４】 前記バイアコンタクトホール側壁のポリ
マー膜及び前記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ
溶液で除去する工程後、上記ストリッパ溶液を除去する
ためにイソプロピロアルコールで常温にて１分乃至１０
分間洗浄する工程と、流量０．２乃至３リットル／分の
ＣＯ2 ガスを脱イオン水に稀釈して１分乃至１０分間洗
浄を行う工程と、スピンドライにてウェハーを乾燥させ
る工程を更に含むことを特徴とする請求項２記載の半導
体素子製造におけるバイアコンタクト形成方法。 - 【請求項５】 前記バイアコンタクトホール側壁のポリ
マー膜及び前記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ
溶液で除去する工程にて、ストリッパ溶液の温度は５０
℃乃至１００℃であることを特徴とする請求項１記載の
半導体素子製造におけるバイアコンタクト形成方法。 - 【請求項６】 前記バイアコンタクトホール側壁のポリ
マー膜及び前記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ
溶液で除去する工程で、上記ポリマー膜及び感光膜の一
部を除去する時間は５乃至３０分であることを特徴とす
る請求項１記載の半導体素子製造におけるバイアコンタ
クト形成方法。 - 【請求項７】 前記金属層がアルミニウムであることを
特徴とする請求項１記載の半導体素子製造におけるバイ
アコンタクト形成方法。 - 【請求項８】 前記バイアコンタクトの下部壁に形成さ
れる保護膜がＡｌ2Ｏ3 であることを特徴とする請求項
１記載の半導体素子製造におけるバイアコンタクト形成
方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| KR92-05309 | 1992-03-31 | ||
| KR1019920005309A KR100235937B1 (ko) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 반도체소자 제조공정의 비아 콘택형성방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697103A true JPH0697103A (ja) | 1994-04-08 |
| JP2548881B2 JP2548881B2 (ja) | 1996-10-30 |
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| JP5074312A Expired - Fee Related JP2548881B2 (ja) | 1992-03-31 | 1993-03-31 | 半導体素子製造におけるバイアコンタクト形成方法 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0925756A2 (en) | 1997-12-25 | 1999-06-30 | Nihon Kohden Corporation | Biological signal transmission apparatus |
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| US5767018A (en) * | 1995-11-08 | 1998-06-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of etching a polysilicon pattern |
| JP2836562B2 (ja) * | 1996-02-08 | 1998-12-14 | 日本電気株式会社 | 半導体ウェハのウェット処理方法 |
| KR100239711B1 (ko) * | 1996-12-11 | 2000-01-15 | 김영환 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
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| US5851302A (en) * | 1997-02-19 | 1998-12-22 | Vlsi Technology, Inc. | Method for dry etching sidewall polymer |
| US5925577A (en) * | 1997-02-19 | 1999-07-20 | Vlsi Technology, Inc. | Method for forming via contact hole in a semiconductor device |
| JP3667493B2 (ja) * | 1997-05-06 | 2005-07-06 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5866448A (en) * | 1997-07-30 | 1999-02-02 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Procedure for forming a lightly-doped-drain structure using polymer layer |
| KR19990075068A (ko) * | 1998-03-17 | 1999-10-05 | 윤종용 | 절연막 식각방법 및 이를 이용한 반도체장치 제조방법 |
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| US6175087B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Composite laminate circuit structure and method of forming the same |
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| US11670499B2 (en) * | 2021-03-18 | 2023-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming conductive feature including cleaning step |
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-
1992
- 1992-03-31 KR KR1019920005309A patent/KR100235937B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-03-26 US US08/038,155 patent/US5451291A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-31 JP JP5074312A patent/JP2548881B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0925756A2 (en) | 1997-12-25 | 1999-06-30 | Nihon Kohden Corporation | Biological signal transmission apparatus |
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| JP2548881B2 (ja) | 1996-10-30 |
| KR100235937B1 (ko) | 1999-12-15 |
| US5451291A (en) | 1995-09-19 |
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