JPH04326518A - 半導体装置の洗浄方法 - Google Patents
半導体装置の洗浄方法Info
- Publication number
- JPH04326518A JPH04326518A JP9650891A JP9650891A JPH04326518A JP H04326518 A JPH04326518 A JP H04326518A JP 9650891 A JP9650891 A JP 9650891A JP 9650891 A JP9650891 A JP 9650891A JP H04326518 A JPH04326518 A JP H04326518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- oxide film
- cleaning
- semiconductor
- heavy metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の洗浄方法に
関し、特に重金属汚染を除去する湿式の半導体基板の洗
浄方法に関するものである。
関し、特に重金属汚染を除去する湿式の半導体基板の洗
浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】湿式の半導体基板の洗浄方法としては、
塩酸、過酸化水素、水を混合して５０〜７０℃で洗浄す
る方法（以下ＨＰＭ洗浄と記す）や、硫酸と過酸化水素
とを混合して８０〜１３０℃で洗浄する方法（以下ＳＰ
Ｍ洗浄と記す）や、希弗酸を用いて常温で洗浄する方法
（以下ＤＨＦ洗浄と記す）や、アンモニア、過酸化水素
、水を混合して６０〜９０℃で洗浄する（以下ＡＰＭ洗
浄と記す）などがある。
塩酸、過酸化水素、水を混合して５０〜７０℃で洗浄す
る方法（以下ＨＰＭ洗浄と記す）や、硫酸と過酸化水素
とを混合して８０〜１３０℃で洗浄する方法（以下ＳＰ
Ｍ洗浄と記す）や、希弗酸を用いて常温で洗浄する方法
（以下ＤＨＦ洗浄と記す）や、アンモニア、過酸化水素
、水を混合して６０〜９０℃で洗浄する（以下ＡＰＭ洗
浄と記す）などがある。
【０００３】洗浄前の半導体基板表面の重金属汚染を、
図１（ａ）に示す。
図１（ａ）に示す。
【０００４】半導体基板１上にフィールド酸化膜２が形
成されている。フィールド酸化膜２が形成されていない
領域では半導体基板１表面が露出しており、Ｆｅ、Ｃｒ
などの重金属３が半導体基板１の表面および内部に分布
している。
成されている。フィールド酸化膜２が形成されていない
領域では半導体基板１表面が露出しており、Ｆｅ、Ｃｒ
などの重金属３が半導体基板１の表面および内部に分布
している。
【０００５】従来の洗浄方法のうち、ＨＰＭ洗浄を行な
ったのちの半導体基板の重金属汚染の状態を図２に示す
。
ったのちの半導体基板の重金属汚染の状態を図２に示す
。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体製造工程のうち
、ドライエッチング法によって微細加工を行なう工程や
、イオン注入によって不純物を導入する工程では、加速
エネルギーが大きいので鉄やクロムなどの重金属元素が
半導体基板内部に侵入する。
、ドライエッチング法によって微細加工を行なう工程や
、イオン注入によって不純物を導入する工程では、加速
エネルギーが大きいので鉄やクロムなどの重金属元素が
半導体基板内部に侵入する。
【０００７】ＨＰＭ洗浄、ＤＨＦ洗浄、ＳＰＭ洗浄など
のウェット洗浄では、半導体基板表面に存在する重金属
を除去する効果はあるが、半導体基板内部に侵入した重
金属を除去する効果はない。そのため半導体基板内部に
存在する重金属によりＰＮ接合リーク不良、結晶欠陥不
良などが引き起されるという欠点があった。
のウェット洗浄では、半導体基板表面に存在する重金属
を除去する効果はあるが、半導体基板内部に侵入した重
金属を除去する効果はない。そのため半導体基板内部に
存在する重金属によりＰＮ接合リーク不良、結晶欠陥不
良などが引き起されるという欠点があった。
【０００８】一方、ＡＰＭ洗浄などアルカリ性の水溶液
を用いると、わずかに半導体基板をエッチングする効果
があるが、エッチングされたシリコン面が平滑でない。 そのためシリコン面に形成した絶縁膜の絶縁耐圧が小さ
いという欠点がある。
を用いると、わずかに半導体基板をエッチングする効果
があるが、エッチングされたシリコン面が平滑でない。 そのためシリコン面に形成した絶縁膜の絶縁耐圧が小さ
いという欠点がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の洗
浄方法は、半導体基板を２０〜７０℃の過酸化水素水に
浸漬する工程と、前記半導体基板を希弗酸水溶液に浸漬
する工程とを含んでいる。
浄方法は、半導体基板を２０〜７０℃の過酸化水素水に
浸漬する工程と、前記半導体基板を希弗酸水溶液に浸漬
する工程とを含んでいる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例について、図１（ａ）〜（
ｃ）を参照して説明する。
ｃ）を参照して説明する。
【００１１】はじめに図１（ａ）に示すように、半導体
基板１上にフィールド酸化膜２が形成されている。フィ
ールド酸化膜２が形成されていない領域では半導体基板
１表面が露出しており、Ｆｅ、Ｃｒなどの重金属３が半
導体基板１の表面および内部に分布している。
基板１上にフィールド酸化膜２が形成されている。フィ
ールド酸化膜２が形成されていない領域では半導体基板
１表面が露出しており、Ｆｅ、Ｃｒなどの重金属３が半
導体基板１の表面および内部に分布している。
【００１２】つぎに図１（ｂ）に示すように、半導体基
板１を６０℃で３０％の過酸化水素水に３分間浸漬する
と半導体表面が酸化され、厚さ約３０Ａの酸化膜が形成
される。このとき半導体基板内部の重金属元素も酸化膜
に取り込まれる。
板１を６０℃で３０％の過酸化水素水に３分間浸漬する
と半導体表面が酸化され、厚さ約３０Ａの酸化膜が形成
される。このとき半導体基板内部の重金属元素も酸化膜
に取り込まれる。
【００１３】つぎに図１（ｃ）に示すように、希弗酸で
半導体基板１表面の酸化膜とともに重金属を湿式エッチ
ングすることによって清浄で平滑な半導体基板１表面を
得ることができる。
半導体基板１表面の酸化膜とともに重金属を湿式エッチ
ングすることによって清浄で平滑な半導体基板１表面を
得ることができる。
【００１４】このようにして得られた半導体基板上に形
成した熱酸化膜の絶縁耐圧の測定結果を図３（ａ）に示
す。横軸はリーク電流が１μＡを越えたときの電界強度
を示し、縦軸は度数を％表示している。
成した熱酸化膜の絶縁耐圧の測定結果を図３（ａ）に示
す。横軸はリーク電流が１μＡを越えたときの電界強度
を示し、縦軸は度数を％表示している。
【００１５】本実施例の洗浄方法により絶縁耐圧は、真
性耐圧である８〜１０ＭＶ／ｃｍにピークをもっている
。
性耐圧である８〜１０ＭＶ／ｃｍにピークをもっている
。
【００１６】参考のため従来の洗浄方法としてＨＰＭ洗
浄を行なった場合の測定結果を図３（ｂ）に示す。従来
方法では真性耐圧とは別に６〜８ＭＶ／ｃｍにもう１つ
のピークがある。これは半導体基板内に残存する重金属
の影響であると考えられる。
浄を行なった場合の測定結果を図３（ｂ）に示す。従来
方法では真性耐圧とは別に６〜８ＭＶ／ｃｍにもう１つ
のピークがある。これは半導体基板内に残存する重金属
の影響であると考えられる。
【００１７】
【発明の効果】半導体基板の洗浄方法として６０℃の過
酸化水素水で薄い酸化膜を形成することによって、半導
体基板内に侵入した重金属を酸化膜中に取り込むことが
できる。そのあと希弗酸で重金属を含んだ酸化膜をエッ
チングすることによって、半導体基板内に侵入した重金
属を除去し、清浄で平滑な半導体表面を得ることができ
る。
酸化水素水で薄い酸化膜を形成することによって、半導
体基板内に侵入した重金属を酸化膜中に取り込むことが
できる。そのあと希弗酸で重金属を含んだ酸化膜をエッ
チングすることによって、半導体基板内に侵入した重金
属を除去し、清浄で平滑な半導体表面を得ることができ
る。
【００１８】そのあと形成した熱酸化膜の耐圧が向上す
るなど、半導体装置の歩留の改善に効果がある。
るなど、半導体装置の歩留の改善に効果がある。
【図１】本発明の一実施例を工程順に示す断面模式図で
ある。
ある。
【図２】従来技術による洗浄方法を適用した半導体基板
を示す断面模式図である。
を示す断面模式図である。
【図３】半導体基板上に形成した熱酸化膜の絶縁耐圧の
測定結果を示すグラフである。
測定結果を示すグラフである。
１ 半導体基板
２ フィールド酸化膜
３ 重金属
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を２０〜７０℃の過酸化水
素水に浸漬する工程と、前記半導体基板を希弗酸水溶液
に浸漬する工程とを含む半導体装置の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9650891A JPH04326518A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 半導体装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9650891A JPH04326518A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 半導体装置の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326518A true JPH04326518A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14167066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9650891A Pending JPH04326518A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 半導体装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04326518A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310491A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Nec Corp | 固体表面パターン形成方法 |
| JP2003101055A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
| CN106033709A (zh) * | 2015-03-13 | 2016-10-19 | 比亚迪股份有限公司 | 一种酸洗蚀刻方法及清洗机 |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP9650891A patent/JPH04326518A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310491A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Nec Corp | 固体表面パターン形成方法 |
| JP2003101055A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
| CN106033709A (zh) * | 2015-03-13 | 2016-10-19 | 比亚迪股份有限公司 | 一种酸洗蚀刻方法及清洗机 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4087367A (en) | Preferential etchant for aluminium oxide | |
| JPH023920A (ja) | エッチング方法 | |
| JP3679216B2 (ja) | 半導体基板の洗浄液及びこれを使用する洗浄方法 | |
| JPH04326518A (ja) | 半導体装置の洗浄方法 | |
| US5930650A (en) | Method of etching silicon materials | |
| JPH0133933B2 (ja) | ||
| US20050124160A1 (en) | Novel multi-gate formation procedure for gate oxide quality improvement | |
| US6232241B1 (en) | Pre-oxidation cleaning method for reducing leakage current of ultra-thin gate oxide | |
| JPH0864674A (ja) | 半導体素子の絶縁方法 | |
| JPH0521595A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| KR100405015B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2002299641A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP4419712B2 (ja) | Ｓｏｉウエーハの評価方法 | |
| JP2906416B2 (ja) | シリコンのエッチング方法 | |
| JPH07169828A (ja) | 絶縁体上のシリコンの基板内の漏れ電流の減少 | |
| JP3295171B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2815001B2 (ja) | 薄膜ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP4419710B2 (ja) | Ｓｏｉウエーハの評価方法 | |
| JPH0196950A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0628259B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08181094A (ja) | 半導体基板表面の平坦化方法 | |
| JPH01196129A (ja) | 半導体ウェーハに対する熱酸化膜の形成方法 | |
| KR950002170B1 (ko) | 다공질실리콘의 균질성개선방법 | |
| JP2003100831A (ja) | シリコンウエーハの評価方法 | |
| JPS6279625A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000201 |