JPS63138739A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS63138739A JPS63138739A JP28423886A JP28423886A JPS63138739A JP S63138739 A JPS63138739 A JP S63138739A JP 28423886 A JP28423886 A JP 28423886A JP 28423886 A JP28423886 A JP 28423886A JP S63138739 A JPS63138739 A JP S63138739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- ozone treatment
- wafer
- mirror
- contamination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 14
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体基板の製造方法に関し、さらに詳しく
はウェハの直接接着技術に係るものである。
はウェハの直接接着技術に係るものである。
（従来技術）
バイポーラ型ＭＯ３ＦＥＴや高耐圧パワーＩＣ素子の製
造には、基板表面から５０〜１００μｍの深さにｐｎ接
合をもった比較的低不純物濃度の基板が必要である。
従来、その目的のためには、−導電型の基板上に反対導
電型低不純物濃度１をエピタキシャル成長法により形成
していたが、５０〜１００μ量の厚さのエピタキシャル
層を形成するには長時間を要し、基板が高価格となるこ
とは避けられなかった。 それに替わるものとしてシリ
コンウェハの直接接着技術がある。
造には、基板表面から５０〜１００μｍの深さにｐｎ接
合をもった比較的低不純物濃度の基板が必要である。
従来、その目的のためには、−導電型の基板上に反対導
電型低不純物濃度１をエピタキシャル成長法により形成
していたが、５０〜１００μ量の厚さのエピタキシャル
層を形成するには長時間を要し、基板が高価格となるこ
とは避けられなかった。 それに替わるものとしてシリ
コンウェハの直接接着技術がある。
この直接接着技術は、例えば、ｎ−型のウェハとｐ−型
のウェハとをそれぞれ表面粗さ５００ス程度以下に鏡面
仕上げをし、該鏡面を湿式洗浄により表面汚染を除去し
た後、水洗・脱水した２枚のウェハを清浄な環境中で密
着させ、次いで接着を強化するためにＮ２又は０２雰囲
気中で普通７００〜１０００℃程度の高温の熱処理をす
ることにより、原子的オーダーでのウェハ接着が行われ
、その接着面にｐｎ接合が形成される。 その後、接着
基板における一方のウェハを厚さ５０〜１００μｍにな
るまで研磨するなどして素子形成領域とする。 その結
果、エピタキシャル成長工程は直接接着及び研磨の工程
に置き替えられて、半導体装置の製造は大幅な時間の短
縮が図られる。
のウェハとをそれぞれ表面粗さ５００ス程度以下に鏡面
仕上げをし、該鏡面を湿式洗浄により表面汚染を除去し
た後、水洗・脱水した２枚のウェハを清浄な環境中で密
着させ、次いで接着を強化するためにＮ２又は０２雰囲
気中で普通７００〜１０００℃程度の高温の熱処理をす
ることにより、原子的オーダーでのウェハ接着が行われ
、その接着面にｐｎ接合が形成される。 その後、接着
基板における一方のウェハを厚さ５０〜１００μｍにな
るまで研磨するなどして素子形成領域とする。 その結
果、エピタキシャル成長工程は直接接着及び研磨の工程
に置き替えられて、半導体装置の製造は大幅な時間の短
縮が図られる。
従来、このウェハ直接接着の場合、密着工程に先立ち複
数ステップの洗浄処理が行なわれる。
数ステップの洗浄処理が行なわれる。
すなわち、ウェハ接着界面には、微粒子、Ｆｅ。
Ｃｒ、Ｑｕなどの重金属、有機物に起因する炭素などの
微量汚染が存在しているが、希ＨＦやＨＣＩ／Ｈ２Ｏ２
系の溶液、有機溶剤、純水などで洗浄して該微量汚染を
除去している。
微量汚染が存在しているが、希ＨＦやＨＣＩ／Ｈ２Ｏ２
系の溶液、有機溶剤、純水などで洗浄して該微量汚染を
除去している。
かくして製造された直接接着基板の評価は、例えば、該
基板を用いてｐｎダイオードを形成し、その電気的特性
（接合のリーク電流の増大、耐圧の低下など）の測定に
よってなされるが、前記従来のウェハ洗浄方法では十分
な接合特性が得られていない。
基板を用いてｐｎダイオードを形成し、その電気的特性
（接合のリーク電流の増大、耐圧の低下など）の測定に
よってなされるが、前記従来のウェハ洗浄方法では十分
な接合特性が得られていない。
また、洗浄界面のオージェ分析の結果によれば、前記従
来洗浄方法においては、希ＨＦやＨＣＩ ／Ｈ２０□系
の溶液で重金属汚染の除去は可能であるが、有機物に起
因する炭素汚染の除去は不十分であり、接合特性の向上
には微」有機物の除去が不可欠であることを示している
。
来洗浄方法においては、希ＨＦやＨＣＩ ／Ｈ２０□系
の溶液で重金属汚染の除去は可能であるが、有機物に起
因する炭素汚染の除去は不十分であり、接合特性の向上
には微」有機物の除去が不可欠であることを示している
。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的は、直接接着に用いるウェハの接着界面に
おける微量有機物汚染の除去、ひいては直接接着基板を
用いた半導体素子の特性向上を図る半導体基板の製造方
法を提供することである。
おける微量有機物汚染の除去、ひいては直接接着基板を
用いた半導体素子の特性向上を図る半導体基板の製造方
法を提供することである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明・の半導体基板の製造方法は、２枚の半導体基板
の鏡面研磨した接着面を清浄化し、該接着面を水洗・脱
水した後、密着させた状態で熱処理をして、上記２枚の
半導体基板を直接接着するするにあたり、鏡面研磨工程
と密着工程との間に、酸素含有雰囲気中で該接着面に紫
外線を照射する紫外線／オゾン処理工程を含むことを特
徴とする。
の鏡面研磨した接着面を清浄化し、該接着面を水洗・脱
水した後、密着させた状態で熱処理をして、上記２枚の
半導体基板を直接接着するするにあたり、鏡面研磨工程
と密着工程との間に、酸素含有雰囲気中で該接着面に紫
外線を照射する紫外線／オゾン処理工程を含むことを特
徴とする。
紫外線／オゾン処理は、他のすべての湿式洗浄の後、ウ
ェハ密着直前に行われることが好ましい。
ェハ密着直前に行われることが好ましい。
（作用）
ウェハ接着面に、酸素含有雰囲気中で紫外線照射を行え
ば、波長１８４．９ｎ−の光により、空気中の０、から
オゾン（０３）が生成し、また、波長２５３．７ｎ−の
光によりオゾンが分解し、ウェハ表面において活性な発
生機の酸素が生成する。 この発生機の酸素によりウェ
ハ表面の微量有機物が酸化され、該有機物はＣ０１ＣＯ
２、Ｈ２Ｏの形で効果的に除去される。
ば、波長１８４．９ｎ−の光により、空気中の０、から
オゾン（０３）が生成し、また、波長２５３．７ｎ−の
光によりオゾンが分解し、ウェハ表面において活性な発
生機の酸素が生成する。 この発生機の酸素によりウェ
ハ表面の微量有機物が酸化され、該有機物はＣ０１ＣＯ
２、Ｈ２Ｏの形で効果的に除去される。
〈実施例）
以下実施例により、本発明を具体的に説明する。
まず所定不純物濃度のｎ−型とｐ−型の２枚のウェハ表
面は、表面粗さ５００Å以下の鏡面に仕上げられる。
そして上記２枚のウェハ表面は、本発明による紫外線／
オゾン処理に先立ち、従来においても行われていた［Ｈ
２Ｏ，＋アルカリ］系又は［Ｈ２Ｏ２＋酸］系の主薬液
を用いて、下記複数ステップの洗浄を行った。
面は、表面粗さ５００Å以下の鏡面に仕上げられる。
そして上記２枚のウェハ表面は、本発明による紫外線／
オゾン処理に先立ち、従来においても行われていた［Ｈ
２Ｏ，＋アルカリ］系又は［Ｈ２Ｏ２＋酸］系の主薬液
を用いて、下記複数ステップの洗浄を行った。
すなわち、第１ステツプは、大力の有機物汚染を除去す
るもので、有機溶剤で洗浄を行う。 この第１ステツプ
はワックスや油分でウェハがひどく汚れている場合に必
要である。
るもので、有機溶剤で洗浄を行う。 この第１ステツプ
はワックスや油分でウェハがひどく汚れている場合に必
要である。
第２ステツプは、微粒子汚染を除去するためのもので、
例えば、Ｈ２０２＋Ｎ）−１４０Ｈ＋Ｈ２０（１：１
：５重量比）洗浄液で８０℃、１０分間洗浄する。
例えば、Ｈ２０２＋Ｎ）−１４０Ｈ＋Ｈ２０（１：１
：５重量比）洗浄液で８０℃、１０分間洗浄する。
第３ステツプは、第２ステツプの洗浄後に残る酸化膜中
にトラップされている金属不純物を露出させるもので、
希ＨＦで洗浄する。
にトラップされている金属不純物を露出させるもので、
希ＨＦで洗浄する。
第４ステツプは、重金属やアルカリ金属など無機質汚染
を除去するもので、例えば、Ｈ２０２＋ＨＣＩ ＋Ｈ２
０（１： １ ： ５ ｆｉｌ比） 洗浄ｌテ８０℃
、１０分間洗浄する。 以上の第１ないし第４ステツプ
の各ステップの間では、純水リンスを行う。
を除去するもので、例えば、Ｈ２０２＋ＨＣＩ ＋Ｈ２
０（１： １ ： ５ ｆｉｌ比） 洗浄ｌテ８０℃
、１０分間洗浄する。 以上の第１ないし第４ステツプ
の各ステップの間では、純水リンスを行う。
次に本発明の紫外線／オゾン処理をする。 すなわち、
最後の純水リンスの後、１００℃以下で脱水すなわち乾
燥し、常圧の空気雰囲気中、４５０Ｗの低圧水銀灯によ
り、紫外線照射を１０分間行って、接着面の微量有機物
汚染を分解した。 なお、紫外線／オゾン処理は、鏡面
研磨工程と密着工程との間で実施して有効である。
最後の純水リンスの後、１００℃以下で脱水すなわち乾
燥し、常圧の空気雰囲気中、４５０Ｗの低圧水銀灯によ
り、紫外線照射を１０分間行って、接着面の微量有機物
汚染を分解した。 なお、紫外線／オゾン処理は、鏡面
研磨工程と密着工程との間で実施して有効である。
上記の紫外Ｉ／オゾン処理をした２枚のウェハは、直ち
に極めて清浄な雰囲気中で密着させ、引き続きＮ２雰ｌ
気中で７００〜１０００℃の熱処理をして接着を強化し
、接着面にｐｎ接合が形成された直接接着基板を完成す
る。
に極めて清浄な雰囲気中で密着させ、引き続きＮ２雰ｌ
気中で７００〜１０００℃の熱処理をして接着を強化し
、接着面にｐｎ接合が形成された直接接着基板を完成す
る。
対照例として、第１ないし第４ステツプの湿式洗浄と、
１００℃以下の脱水・乾燥工程とを実施例と同一条件で
行い、直ちに２枚のウェハを実施例と同一条件で密着・
熱処理をして直接接着したものを製作した。
１００℃以下の脱水・乾燥工程とを実施例と同一条件で
行い、直ちに２枚のウェハを実施例と同一条件で密着・
熱処理をして直接接着したものを製作した。
第１図（ａ ）及び（ｂ）は、それぞれ実施例と対照例
における洗浄ウェハ接着面のオージェ分析結果を示す図
である。 第１図（ｂ ）の対照例では、横軸２７０〜
２８０ ｅＶのオージェ・エレクトロン・エネンギー
近辺で炭素（Ｃ）が検出されるけれども、第１図（ａ
）の紫外線／オゾン処理をした実施例では、かかる炭素
（Ｃ）は検出されず、紫外線／オゾン処理で微量有機物
汚染はほぼ完全に分解されたことがわかる。
における洗浄ウェハ接着面のオージェ分析結果を示す図
である。 第１図（ｂ ）の対照例では、横軸２７０〜
２８０ ｅＶのオージェ・エレクトロン・エネンギー
近辺で炭素（Ｃ）が検出されるけれども、第１図（ａ
）の紫外線／オゾン処理をした実施例では、かかる炭素
（Ｃ）は検出されず、紫外線／オゾン処理で微量有機物
汚染はほぼ完全に分解されたことがわかる。
また、第２図は、実施例と対照例の接着基板から作られ
たｐｎ接合ダイオードのリーク特性を比較した電圧−電
流特性図である。 第２図の実施例特性線ａと対照側特
性線すとをみればわかるように、実施例ダイオードのリ
ーク電流は対照例ダイオードのそれの１１５まで大幅に
低減している。
たｐｎ接合ダイオードのリーク特性を比較した電圧−電
流特性図である。 第２図の実施例特性線ａと対照側特
性線すとをみればわかるように、実施例ダイオードのリ
ーク電流は対照例ダイオードのそれの１１５まで大幅に
低減している。
［発明の効果］
本発明方法によれば、鏡面研磨工程から密着工程までの
間、特に密着工程直前に紫外線／オゾン処理を採用した
ことにより、接着面の微量有機物汚染はほぼ完全に除去
できるので、本発明による直接接着基板から製造された
素子のｐｎ接合特性は著しく改善され、直接接着技術の
応用面を一段と拡げることができた。
間、特に密着工程直前に紫外線／オゾン処理を採用した
ことにより、接着面の微量有機物汚染はほぼ完全に除去
できるので、本発明による直接接着基板から製造された
素子のｐｎ接合特性は著しく改善され、直接接着技術の
応用面を一段と拡げることができた。
なお、本発明方法は、実施例で説明したシリコンウェハ
ばかりでなく、熱酸化したシリコンウェハとシリコンウ
ェハ、熱酸化したシリコンウェハどうし、その他の直接
接着にも適用でき、かかる直接接着が特性の優れた誘電
体分離構造を提供できることも容易に理解できよう。
ばかりでなく、熱酸化したシリコンウェハとシリコンウ
ェハ、熱酸化したシリコンウェハどうし、その他の直接
接着にも適用でき、かかる直接接着が特性の優れた誘電
体分離構造を提供できることも容易に理解できよう。
第１図（ａ ）及び（ｂ ）はそれぞれ実施例及び対照
例の方法における清浄ウェハ接着面のオージェ分析結果
を示す図、第２図は実施例と対照例の方法による直接接
着基板から作られたダイオードの接合特性を比較して示
した電圧−電流特性図である。 特許出願人 株式会社 東 芝 代理人 弁理士 諸１）英二 第２図 、１ＪＪ（ＥＶＬＥ ム（Ｅ ）／改己 − 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６１年特許願第２８４２３８
号神奈川県川崎市幸区堀川町７２番地 （発送日 昭和６２年２月２４日） ６、補正の対象 図面
の。
例の方法における清浄ウェハ接着面のオージェ分析結果
を示す図、第２図は実施例と対照例の方法による直接接
着基板から作られたダイオードの接合特性を比較して示
した電圧−電流特性図である。 特許出願人 株式会社 東 芝 代理人 弁理士 諸１）英二 第２図 、１ＪＪ（ＥＶＬＥ ム（Ｅ ）／改己 − 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６１年特許願第２８４２３８
号神奈川県川崎市幸区堀川町７２番地 （発送日 昭和６２年２月２４日） ６、補正の対象 図面
の。
Claims (1)
- １ ２枚の半導体基板の鏡面研磨した接着面を清浄化し
、引き続き水洗・脱水した後、密着させた状態で熱処理
をして、上記２枚の半導体基板を直接接着するにあたり
、鏡面研磨工程と密着工程との間に、酸素含有雰囲気中
で該接着面に紫外線を照射する紫外線／オゾン処理工程
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28423886A JPS63138739A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28423886A JPS63138739A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63138739A true JPS63138739A (ja) | 1988-06-10 |
Family
ID=17675954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28423886A Pending JPS63138739A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63138739A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132222A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハ表面の分析方法 |
| US6504903B1 (en) * | 1998-05-29 | 2003-01-07 | Nikon Corporation | Laser-excited plasma light source, exposure apparatus and its making method, and device manufacturing method |
| JP2011198824A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Yukio Watabe | 金属酸化物を含むへテロ構造の作製法及び該金属酸化物の製造法 |
| JP2013075356A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-25 | Yukio Watabe | 金属酸化物を含むヘテロ接合を有する構造体 |
-
1986
- 1986-12-01 JP JP28423886A patent/JPS63138739A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132222A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハ表面の分析方法 |
| US6504903B1 (en) * | 1998-05-29 | 2003-01-07 | Nikon Corporation | Laser-excited plasma light source, exposure apparatus and its making method, and device manufacturing method |
| JP2011198824A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Yukio Watabe | 金属酸化物を含むへテロ構造の作製法及び該金属酸化物の製造法 |
| JP2013075356A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-25 | Yukio Watabe | 金属酸化物を含むヘテロ接合を有する構造体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08264500A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| CN1933096B (zh) | 一种低温晶片直接键合方法 | |
| US5626681A (en) | Method of cleaning semiconductor wafers | |
| US5763288A (en) | Method for producing semiconductor substrate by wafer bonding | |
| WO2012048534A1 (zh) | 化合物半导体晶片清洗方法 | |
| CN101657889B (zh) | 制备应变硅的清洁表面的改善的方法 | |
| Angermann et al. | Preparation of H-terminated Si surfaces and their characterisation by measuring the surface state density | |
| JPS63138739A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPS62272541A (ja) | 半導体基板の表面処理方法 | |
| JP2003086554A (ja) | 半導体基板の製造装置、及び、その製造方法 | |
| JP3076202B2 (ja) | Ｅｇ用ポリシリコン膜の被着方法 | |
| US8076219B2 (en) | Reduction of watermarks in HF treatments of semiconducting substrates | |
| JPS60247928A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP6529715B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JPH04355921A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2776583B2 (ja) | 半導体基板の処理液及び処理方法 | |
| KR100253583B1 (ko) | 접합형 에스. 오. 아이 웨이퍼 제조방법 | |
| JP2007150196A (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法 | |
| JPH0521595A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP3611142B2 (ja) | 張り合わせウェーハおよびその製造方法 | |
| JPH04298038A (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
| US6136667A (en) | Method for bonding two crystalline substrates together | |
| JPH02183531A (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法 | |
| JP2595935B2 (ja) | 表面清浄化方法 | |
| JPH0831781A (ja) | 洗浄薬液 |