JP2008252007A - 基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 170
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 436
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 319
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 32
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 213
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 88
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 59
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 59
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 description 45
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 33
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 29
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 28
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
【課題】処理カップの開口部に薬液を良好に進入させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１薬液の供給中において、ＣＰＵ６１は、回転数センサ１６から出力された検出値を監視している（ステップＳ７）。そして、回転センサ１６から出力された検出値が回転数範囲外となると（ステップＳ７でＮＯ）、ＣＰＵ６１は、第１薬液表面側バルブ２３を閉じるとともに、その後の開成を禁止し（ステップＳ９）、その第１薬液表面側バルブ２３の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ１０）、このインターロック処理を終了する。
【選択図】図４
【解決手段】第１薬液の供給中において、ＣＰＵ６１は、回転数センサ１６から出力された検出値を監視している（ステップＳ７）。そして、回転センサ１６から出力された検出値が回転数範囲外となると（ステップＳ７でＮＯ）、ＣＰＵ６１は、第１薬液表面側バルブ２３を閉じるとともに、その後の開成を禁止し（ステップＳ９）、その第１薬液表面側バルブ２３の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ１０）、このインターロック処理を終了する。
【選択図】図４
Description
この発明は、薬液を用いた基板処理のための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。
半導体装置や液晶表示装置の製造工程には、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に薬液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この種の基板処理装置の中には、基板の処理に用いられる複数種の薬液の消費量をそれぞれ低減させるために、複数の薬液を個別に回収して再使用するように構成されたものがある。
複数種の薬液を個別回収可能な構成の基板処理装置は、たとえば、複数本のチャックピンで基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックを収容した有底円筒形状のカップと、そのカップに対して昇降可能に設けられたスプラッシュガードとを備えている。
カップの底部には、スピンチャックの周囲を取り囲むように、基板の処理に用いられた後の薬液を廃液するための廃液溝が形成されており、さらに、この廃液溝を取り囲むように、たとえば、基板の処理のために用いられた後の薬液を回収するための第１および第２回収溝が２重に形成されている。廃液溝には、図外の廃液処理設備へと薬液を導くための廃液ラインが接続されており、第１および第２回収溝には、図外の回収処理設備へと薬液を導くための回収路がそれぞれに接続されている。
カップの底部には、スピンチャックの周囲を取り囲むように、基板の処理に用いられた後の薬液を廃液するための廃液溝が形成されており、さらに、この廃液溝を取り囲むように、たとえば、基板の処理のために用いられた後の薬液を回収するための第１および第２回収溝が２重に形成されている。廃液溝には、図外の廃液処理設備へと薬液を導くための廃液ラインが接続されており、第１および第２回収溝には、図外の回収処理設備へと薬液を導くための回収路がそれぞれに接続されている。
スプラッシュガードは、基板から飛散する第１薬液を受け入れるための第１開口部と、基板から飛散する第２薬液を受け入れるための第２開口部と、基板から飛散する第３薬液を受け入れるための第３開口部とを、高さ位置を互いに異ならせて備えている。
そして、第１開口部および第２開口部に飛入する第１薬液および第２薬液は、それぞれカップ底部の第１回収溝および第２回収溝へ導かれる。第３開口部に飛入する第３薬液は、カップ底部の廃液溝へ導かれる。
そして、第１開口部および第２開口部に飛入する第１薬液および第２薬液は、それぞれカップ底部の第１回収溝および第２回収溝へ導かれる。第３開口部に飛入する第３薬液は、カップ底部の廃液溝へ導かれる。
スピンチャックによって基板を回転させつつ、基板の表面に第１薬液を供給することにより、基板の表面に第１薬液による処理を施すことができる。基板の表面に供給された第１薬液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の周縁から側方へ飛散する。このとき、第１開口部を基板の端面に対向させることにより、基板の周縁から飛散する第１薬液を、第１開口部へ飛入させて、第１回収溝に回収することができる。また、基板の表面に第２薬液を供給するときに、第２開口部を基板の端面に対向させることにより、基板から飛散する第２薬液を回収することができる。さらに、基板の表面に第３薬液を供給するときに、第３開口部を基板の端面に対向させることにより、基板の周縁から飛散する第３薬液を、廃液溝を通して廃液することができる。
スピンチャックによる基板の回転は、レシピに定められた回転数に基づいて制御される。基板から飛散する第１薬液、第２薬液および第３薬液の飛散方向は、基板の回転数および各薬液の粘度に依存する。したがって、各薬液が各開口部に上手く飛入するように、基板への各薬液の供給時における基板の回転数およびスプラッシュガードの位置が決められている。
特開２００６−６６８１５号公報
しかしながら、何らかの異常により、基板がレシピに定められた通りの回転数で回転されないことがある。
基板の回転数が、レシピに定められた回転数から大きく外れている場合、予定していた方向と大きく異なる方向に薬液が飛散する。この場合、第１薬液が第２開口部に進入して、第２開口部において第１薬液と第２薬液との混触が生じたり、第２薬液が第１開口部に進入して、第１開口部において第１薬液と第２薬液との混触が生じたりするおそれがある。第１薬液と第２薬液との組合せが、王水と硫酸とのように混触に危険を伴うような組合せである場合、これらの薬液が混触すると、激しい発熱反応による処理カップの破損や、反応生成物として塩素ガスの発生を招くおそれがある。また、このような事態は、入力ミスなどが原因で、基板の適正な回転数がレシピに定められていない場合にも生じ得る。
基板の回転数が、レシピに定められた回転数から大きく外れている場合、予定していた方向と大きく異なる方向に薬液が飛散する。この場合、第１薬液が第２開口部に進入して、第２開口部において第１薬液と第２薬液との混触が生じたり、第２薬液が第１開口部に進入して、第１開口部において第１薬液と第２薬液との混触が生じたりするおそれがある。第１薬液と第２薬液との組合せが、王水と硫酸とのように混触に危険を伴うような組合せである場合、これらの薬液が混触すると、激しい発熱反応による処理カップの破損や、反応生成物として塩素ガスの発生を招くおそれがある。また、このような事態は、入力ミスなどが原因で、基板の適正な回転数がレシピに定められていない場合にも生じ得る。
そこで、この発明の目的は、処理カップの開口部に薬液を良好に進入させることができる基板処理装置を提供することである。
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持しつつ回転させるための基板回転手段（３）と、前記基板回転手段によって回転される基板に薬液を供給する薬液供給手段（１８，１９，２３，２９，３５）と、前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する薬液を進入させるための開口部（５８，５９，６０）を有する処理カップ（３８，３９）と、前記薬液供給手段による薬液の供給時における基板の回転数の範囲が記憶された回転数範囲記憶手段（６２）と、前記基板回転手段によって回転される基板の回転数を検出する回転数検出手段（１６）と、前記薬液供給手段による薬液の供給時に、前記回転数検出手段により検出される基板の回転数を監視し、その回転数が前記回転数範囲記憶手段に記憶されている回転数範囲外である場合、前記薬液供給手段による薬液の供給を禁止する供給禁止手段（６１）とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、回転数検出手段によって検出される基板の回転数が回転数範囲記憶手段に記憶されている回転数範囲外であると、薬液の供給が禁止される。このため、基板の適正な回転数範囲を回転数範囲記憶手段に記憶させておけば、基板から飛散する薬液を処理カップの開口部だけに進入させることができ、薬液が開口部以外に向けて飛散することを防止することができる。
この構成によれば、回転数検出手段によって検出される基板の回転数が回転数範囲記憶手段に記憶されている回転数範囲外であると、薬液の供給が禁止される。このため、基板の適正な回転数範囲を回転数範囲記憶手段に記憶させておけば、基板から飛散する薬液を処理カップの開口部だけに進入させることができ、薬液が開口部以外に向けて飛散することを防止することができる。
請求項２記載の発明は、基板（Ｗ）を保持しつつ回転させるための基板回転手段（３）と、前記基板回転手段によって回転される基板に薬液を供給する薬液供給手段（１８，１９，２３，２９，３５）と、前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する薬液を進入させるための開口部（５８，５９，６０）を有する処理カップ（３８，３９）と、前記薬液供給手段による薬液の供給時における基板の回転数範囲が記憶された回転数範囲記憶手段（６２）と、前記薬液供給手段による薬液の供給時における基板の回転数を定めたレシピを入力するレシピ入力手段（６４）と、前記レシピ入力手段から入力されたレシピを記憶するためのレシピ記憶手段（６２）と、前記レシピ入力手段から入力されたレシピを参照し、そのレシピで定められている回転数が前記回転数範囲記憶手段に記憶されている回転数範囲外である場合、前記レシピ入力手段から入力されたレシピの前記レシピ記憶手段への記憶を禁止するレシピ記憶禁止手段（６１）とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
この構成によれば、レシピに定められている回転数が回転数記憶手段に記憶されている回転数範囲外であるときには、そのレシピのレシピ記憶手段への記憶が禁止される。このため、基板の適正な回転数範囲を回転数範囲記憶手段に記憶させておけば、基板の回転数が適正に定められたレシピに基づいて基板を回転させることができる。これにより、基板から飛散する薬液を処理カップの開口部だけに進入させることができ、薬液が開口部以外に向けて飛散することを防止することができる。
請求項３記載の発明は、前記薬液供給手段は、前記基板回転手段によって回転される基板に第１薬液を供給する第１薬液供給手段（１８，２３）と、前記基板回転手段によって回転される基板に前記第１薬液とは異なる第２薬液を供給する第２薬液供給手段（１９，２４）とを含み、前記回転数範囲記憶手段には、前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給時における基板の第１回転数範囲、および、前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給時における基板の第２回転数範囲が記憶されていることを特徴とする、請求項１または２記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１薬液供給時の基板の第1回転数範囲と第１薬液供給時の基板の第２回転数範囲とが回転数記憶手段に個別に記憶されている。これにより、第１薬液および第２薬液の各粘性に応じた適正な第１回転数範囲および第２回転数範囲を回転数記憶手段に記憶させておくことができる。
請求項４記載の発明は、前記処理カップの開口部は、前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第１薬液を進入させるための第１開口部（５８）と、前記回転軸線と平行な方向に前記第１開口部と異なる位置において前記回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第２薬液を進入させるための第２開口部（５９）とを含み、前記第１回転数範囲は、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第１薬液を前記第１開口部に進入させることができる回転数範囲であり、前記第２回転数範囲は、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第２薬液を前記第２開口部に進入させることができる回転数範囲であることを特徴とする、請求項３記載の基板処理装置である。
請求項４記載の発明は、前記処理カップの開口部は、前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第１薬液を進入させるための第１開口部（５８）と、前記回転軸線と平行な方向に前記第１開口部と異なる位置において前記回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第２薬液を進入させるための第２開口部（５９）とを含み、前記第１回転数範囲は、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第１薬液を前記第１開口部に進入させることができる回転数範囲であり、前記第２回転数範囲は、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第２薬液を前記第２開口部に進入させることができる回転数範囲であることを特徴とする、請求項３記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板から飛散する第１薬液を第１開口部に進入させることができ、また、基板から飛散する第２薬液を第２開口部に進入させることができる。これにより、処理カップにおける第１薬液と第２薬液との混触の発生を防止することができる。
請求項５記載の発明は、前記基板回転手段によって回転される基板に第３薬液を供給する第３薬液供給手段（３５）を、さらに備え、前記基板回転手段は、基板をほぼ水平な姿勢に保持して、鉛直軸線まわりに回転させるものであり、前記回転数範囲記憶手段には、前記第３薬液供給手段による第３薬液の供給時における基板の第３回転数範囲が記憶され、前記第３回転数範囲は、前記第３薬液供給手段からの第３薬液を基板の上面に液盛りすることができる回転数範囲であることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項５記載の発明は、前記基板回転手段によって回転される基板に第３薬液を供給する第３薬液供給手段（３５）を、さらに備え、前記基板回転手段は、基板をほぼ水平な姿勢に保持して、鉛直軸線まわりに回転させるものであり、前記回転数範囲記憶手段には、前記第３薬液供給手段による第３薬液の供給時における基板の第３回転数範囲が記憶され、前記第３回転数範囲は、前記第３薬液供給手段からの第３薬液を基板の上面に液盛りすることができる回転数範囲であることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の上面に第３薬液を良好に液盛りさせることができる。
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
基板処理装置１は、第１薬液、第２薬液、第３薬液およびＤＩＷ（deionized water）を用いて、基板の一例である半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）から汚染物質を除去するための洗浄処理を実行するための装置である。この基板処理装置１は、隔壁（図示せず）により区画された処理室２内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面（上面）に第１薬液を供給するための第１薬液ノズル４と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面に第２薬液を供給するための第２薬液ノズル５と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面に第３薬液を供給して、ウエハＷの表面に液盛りするための第３薬液ノズル６と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面にＤＩＷを供給するためのＤＩＷノズル７とを備えている。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
基板処理装置１は、第１薬液、第２薬液、第３薬液およびＤＩＷ（deionized water）を用いて、基板の一例である半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）から汚染物質を除去するための洗浄処理を実行するための装置である。この基板処理装置１は、隔壁（図示せず）により区画された処理室２内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面（上面）に第１薬液を供給するための第１薬液ノズル４と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面に第２薬液を供給するための第２薬液ノズル５と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面に第３薬液を供給して、ウエハＷの表面に液盛りするための第３薬液ノズル６と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面にＤＩＷを供給するためのＤＩＷノズル７とを備えている。
たとえば、第１薬液、第２薬液および第３薬液の組合せとしては、王水、アンモニア過酸化水素水および硫酸の組合せや、ポリマ除去液として用いられるフッ化アンモン系液、ふっ酸およびバッファードふっ酸の組合せを例示することができる。
スピンチャック３は、ほぼ鉛直に延びるスピン軸８と、スピン軸８の上端にほぼ水平な姿勢で取り付けられたスピンベース９と、スピンベース９の周縁部に配置された複数の挟持部材１０とを備えている。複数の挟持部材１０は、スピン軸８の中心軸線を中心とする円周上にほぼ等角度間隔で配置されている。各挟持部材１０をウエハＷの端面に当接させて、複数の挟持部材１０でウエハＷを挟持することにより、ウエハＷがほぼ水平な姿勢で保持され、ウエハＷの中心がスピン軸８の中心軸線上に配置される。
スピンチャック３は、ほぼ鉛直に延びるスピン軸８と、スピン軸８の上端にほぼ水平な姿勢で取り付けられたスピンベース９と、スピンベース９の周縁部に配置された複数の挟持部材１０とを備えている。複数の挟持部材１０は、スピン軸８の中心軸線を中心とする円周上にほぼ等角度間隔で配置されている。各挟持部材１０をウエハＷの端面に当接させて、複数の挟持部材１０でウエハＷを挟持することにより、ウエハＷがほぼ水平な姿勢で保持され、ウエハＷの中心がスピン軸８の中心軸線上に配置される。
スピン軸８には、モータ（図示せず）を含むチャック回転機構１１から回転力が入力される。この回転力の入力により、スピン軸８が回転し、挟持部材１０に挟持されたウエハＷがスピンベース９とともにスピン軸８の中心軸線まわりに回転する。このスピン軸８に関連して回転数センサ１６が設けられていて、この回転数センサ１６によって、スピン軸８の回転数、すなわちウエハＷの回転数が検出されるようになっている。
スピン軸８には、裏面処理液供給管１２が相対回転可能に挿通されている。裏面処理液供給管１２の上端は、スピン軸８の上端に設けられた裏面ノズル１３に接続されている。また、裏面処理液供給管１２には、第１薬液供給ライン（図示せず）から第１薬液が供給される第１薬液裏面側供給管１４と、第２薬液供給ライン（図示せず）から第２薬液が供給される第２薬液裏面側供給管１５と、ＤＩＷ供給ライン（図示せず）からＤＩＷが供給されるＤＩＷ裏面側供給管１７とが接続されている。
第１薬液裏面側供給管１４には、第１薬液裏面側バルブ１８が介装されている。第２薬液裏面側供給管１５には、第２薬液裏面側バルブ１９が介装されている。ＤＩＷ裏面側供給管１７には、ＤＩＷ裏面側バルブ２１が介装されている。
第２薬液裏面側バルブ１９およびＤＩＷ裏面側バルブ２１が閉じられた状態で、第１薬液裏面側バルブ１８が開かれると、第１薬液裏面側供給管１４から裏面処理液供給管１２に第１薬液が供給される。裏面処理液供給管１２に供給された第１薬液は、裏面処理液供給管１２を通して裏面ノズル１３に供給され、裏面ノズル１３から上方に向けて吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、裏面ノズル１３から第１薬液を吐出させることにより、ウエハＷの裏面（下面）に第１薬液を供給することができる。
第２薬液裏面側バルブ１９およびＤＩＷ裏面側バルブ２１が閉じられた状態で、第１薬液裏面側バルブ１８が開かれると、第１薬液裏面側供給管１４から裏面処理液供給管１２に第１薬液が供給される。裏面処理液供給管１２に供給された第１薬液は、裏面処理液供給管１２を通して裏面ノズル１３に供給され、裏面ノズル１３から上方に向けて吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、裏面ノズル１３から第１薬液を吐出させることにより、ウエハＷの裏面（下面）に第１薬液を供給することができる。
第１薬液裏面側バルブ１８およびＤＩＷ裏面側バルブ２１が閉じられた状態で、第２薬液裏面側バルブ１９が開かれると、第２薬液裏面側供給管１５から裏面処理液供給管１２に第２薬液が供給される。裏面処理液供給管１２に供給された第２薬液は、裏面処理液供給管１２を通して裏面ノズル１３に供給され、裏面ノズル１３から上方に向けて吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、裏面ノズル１３から第２薬液を吐出させることにより、ウエハＷの裏面に第２薬液を供給することができる。
第１薬液裏面側バルブ１８および第２薬液裏面側バルブ１９が閉じられた状態で、ＤＩＷ裏面側バルブ２１が開かれると、ＤＩＷ裏面側供給管１７から裏面処理液供給管１２にＤＩＷが供給される。裏面処理液供給管１２に供給されたＤＩＷは、裏面処理液供給管１２を通して裏面ノズル１３に供給され、裏面ノズル１３から上方に向けて吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、裏面ノズル１３からＤＩＷを吐出させることにより、ウエハＷの裏面にＤＩＷを供給することができる。
このように、第１薬液裏面側バルブ１８、第２薬液裏面側バルブ１９およびＤＩＷ裏面側バルブ２１を選択的に開くことにより、裏面ノズル１３から第１薬液、第２薬液およびＤＩＷを選択的に吐出させることができる。
なお、ウエハＷの裏面を洗浄する必要がない場合には、裏面処理液供給管１２、第１薬液裏面側バルブ１８、第２薬液裏面側バルブ１９およびＤＩＷ裏面側バルブ２１が省略される。この場合、スピンチャック３としては、挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
なお、ウエハＷの裏面を洗浄する必要がない場合には、裏面処理液供給管１２、第１薬液裏面側バルブ１８、第２薬液裏面側バルブ１９およびＤＩＷ裏面側バルブ２１が省略される。この場合、スピンチャック３としては、挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
第１薬液ノズル４には、第１薬液供給ライン（図示せず）から第１薬液が供給される第１薬液表面側供給管２２が接続されている。この第１薬液表面側供給管２２には、第１薬液表面側バルブ２３が介装されている。第１薬液表面側バルブ２３が開かれると、第１薬液表面側供給管２２から第１薬液ノズル４に第１薬液が供給され、第１薬液ノズル４から第１薬液が吐出される。
第１薬液ノズル４は、スピンチャック３の上方でほぼ水平に延びるノズルアーム２４の先端部に取り付けられている。ノズルアーム２４の基端部は、カップ３８（後述する）の側方においてほぼ鉛直に延びるアーム支持軸２５の上端部に支持されている。アーム支持軸２５には、モータ（図示せず）を含むノズル駆動機構２６が結合されている。ノズル駆動機構２６からアーム支持軸２５に回転力を入力して、アーム支持軸２５を回動させることにより、スピンチャック３の上方でノズルアーム２４を揺動させることができる。
スピンチャック３にウエハＷが保持され、そのウエハＷの上方に第１薬液ノズル４が配置された状態で、第１薬液ノズル４から第１薬液を吐出させることにより、ウエハＷの表面に第１薬液を供給することができる。そして、この第１薬液ノズル４からウエハＷの表面への第１薬液の供給時に、ノズルアーム２４を所定の角度範囲内で揺動させることにより、ウエハＷの表面における第１薬液の着液位置（供給位置）を、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動させることができる。
第２薬液ノズル５は、第２薬液を液滴の噴流の形態でウエハＷの表面に供給することができる、いわゆる二流体ノズルである。この第２薬液ノズル５には、第２薬液供給ライン（図示せず）から第２薬液が供給される第２薬液表面側供給管２７と、窒素ガス供給ライン（図示せず）からの高圧の窒素ガスが供給される窒素ガス供給管２８とが接続されている。
第２薬液表面側供給管２７には、第２薬液表面側バルブ２９が介装されている。また、窒素ガス供給管２８には、窒素ガスバルブ３０が介装されている。第２薬液表面側バルブ２９および窒素ガスバルブ３０が開かれると、第２薬液表面側供給管２７からの第２薬液および窒素ガス供給管２８からの窒素ガスが第２薬液ノズル５に供給される。第２薬液ノズル５に供給される第２薬液および窒素ガスは、第２薬液ノズル５内または第２薬液ノズル５外の吐出口近傍で混合される。これにより、第２薬液の微細な液滴の噴流が形成される。
第２薬液ノズル５は、スピンチャック３の上方でほぼ水平に延びる第２薬液ノズル用アーム３１の先端部に取り付けられている。第２薬液ノズル用アーム３１の基端部は、カップ３８（後述する）の側方においてほぼ鉛直に延びる第２薬液ノズル用アーム支持軸３２の上端部に支持されている。第２薬液ノズル用アーム支持軸３２には、モータ（図示せず）を含む第２薬液ノズル用駆動機構３３が結合されている。第２薬液ノズル用駆動機構３３から第２薬液ノズル用アーム支持軸３２に回転力を入力して、第２薬液ノズル用アーム支持軸３２を回動させることにより、スピンチャック３の上方で第２薬液ノズル用アーム３１を揺動させることができる。
スピンチャック３にウエハＷが保持され、そのウエハＷの上方に第２薬液ノズル５が配置された状態で、第２薬液ノズル５から第２薬液の液滴の噴流を吐出させることにより、ウエハＷの表面に第２薬液を供給することができる。そして、この第２薬液ノズル５からウエハＷの表面への第２薬液の液滴の噴流の供給時に、第２薬液ノズル用アーム３１を所定の角度範囲内で揺動させることにより、ウエハＷの表面における第２薬液の着液位置（供給位置）を、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動させることができる。
第３薬液ノズル６には、第３薬液供給ライン（図示せず）から第３薬液が供給される第３薬液供給管３４が接続されている。この第３薬液供給管３４には、第３薬液バルブ３５が介装されている。第３薬液バルブ３５が開かれると、第３薬液供給管３４から第３薬液ノズル６に第３薬液が供給され、第３薬液ノズル６から第３薬液が吐出される。第３薬液ノズル６は、ノズルアーム２４の先端部に取り付けられている。
スピンチャック３にウエハＷが保持され、そのウエハＷの上方に第３薬液ノズル６が配置された状態で、第３薬液ノズル６から第３薬液を吐出させることにより、ウエハＷの表面に第３薬液を供給して、ウエハＷの表面に液盛りすることができる。そして、この第３薬液ノズル６からウエハＷの表面への第３薬液の供給時に、ノズルアーム２４を所定の角度範囲内で揺動させることにより、ウエハＷの表面における第３薬液の着液位置（供給位置）を、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動させることができる。
ＤＩＷノズル７は、スピンチャック３の上方に、スピンチャック３に対して固定的に配置されている。
ＤＩＷノズル７には、ＤＩＷ供給ライン（図示せず）からＤＩＷが供給されるＤＩＷ表面側供給管３６が接続されている。このＤＩＷ表面側供給管３６には、ＤＩＷ表面側バルブ３７が介装されている。ＤＩＷ表面側バルブ３７が開かれると、ＤＩＷ表面側供給管３６からＤＩＷノズル７にＤＩＷが供給され、ＤＩＷノズル７からＤＩＷが吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、ＤＩＷノズル７からＤＩＷを吐出させることにより、ウエハＷの表面にＤＩＷを供給することができる。
ＤＩＷノズル７には、ＤＩＷ供給ライン（図示せず）からＤＩＷが供給されるＤＩＷ表面側供給管３６が接続されている。このＤＩＷ表面側供給管３６には、ＤＩＷ表面側バルブ３７が介装されている。ＤＩＷ表面側バルブ３７が開かれると、ＤＩＷ表面側供給管３６からＤＩＷノズル７にＤＩＷが供給され、ＤＩＷノズル７からＤＩＷが吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、ＤＩＷノズル７からＤＩＷを吐出させることにより、ウエハＷの表面にＤＩＷを供給することができる。
また、スピンチャック３は、有底円筒容器状のカップ３８内に収容されている。このカップ３８の上方には、カップ３８に対して昇降可能なスプラッシュガード３９が設けられている。これらカップ３８およびスプラッシュガード３９によって、処理カップが構成されている。
カップ３８の底部には、第３薬液およびＤＩＷを廃液するための廃液溝４０が、ウエハＷの回転軸線（スピン軸８の中心軸線）を中心とする円環状に形成されている。また、カップ３８の底部には、廃液溝４０を取り囲むように、第１薬液を回収するための第１回収溝４１および第２薬液を回収するための第２回収溝４２が２重円環状に形成されている。廃液溝４０の外側に第２回収溝４２が形成され、第２回収溝４２の外側に第１回収溝４１が形成されている。廃液溝４０、第１回収溝４１および第２回収溝４２には、それぞれ廃液ライン４３、第１回収ライン４４および第２回収ライン４５が接続されている。
カップ３８の底部には、第３薬液およびＤＩＷを廃液するための廃液溝４０が、ウエハＷの回転軸線（スピン軸８の中心軸線）を中心とする円環状に形成されている。また、カップ３８の底部には、廃液溝４０を取り囲むように、第１薬液を回収するための第１回収溝４１および第２薬液を回収するための第２回収溝４２が２重円環状に形成されている。廃液溝４０の外側に第２回収溝４２が形成され、第２回収溝４２の外側に第１回収溝４１が形成されている。廃液溝４０、第１回収溝４１および第２回収溝４２には、それぞれ廃液ライン４３、第１回収ライン４４および第２回収ライン４５が接続されている。
スプラッシュガード３９は、互いに大きさが異なる３つの傘状部材４６，４７，４８を重ねて構成されている。スプラッシュガード３９には、たとえば、サーボモータやボールねじ機構などを含むガード昇降機構４９が結合されている。このガード昇降機構４９によって、スプラッシュガード３９をカップ３８に対して昇降（上下動）させることができる。
各傘状部材４６〜４８は、ウエハＷの回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有している。
傘状部材４６は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒状の円筒部５１と、円筒部５１の上端から延びてウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部５２と、円筒部５１の途中部からウエハＷの回転軸線に近づくほど低くなるように傾斜する廃液案内部５０とを備えている。廃液案内部５０の下端は、廃液溝４０上に位置している。円筒部５１の下端は、第２回収溝４２上に位置している。また、廃液案内部５０および円筒部５１は、スプラッシュガード３９が最下方の退避位置に下降したときに、それぞれの下端がカップ３８の底面に接触しないような長さを有している。
傘状部材４６は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒状の円筒部５１と、円筒部５１の上端から延びてウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部５２と、円筒部５１の途中部からウエハＷの回転軸線に近づくほど低くなるように傾斜する廃液案内部５０とを備えている。廃液案内部５０の下端は、廃液溝４０上に位置している。円筒部５１の下端は、第２回収溝４２上に位置している。また、廃液案内部５０および円筒部５１は、スプラッシュガード３９が最下方の退避位置に下降したときに、それぞれの下端がカップ３８の底面に接触しないような長さを有している。
傘状部材４７は、傘状部材４６を取り囲むように設けられ、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする同軸円筒状の円筒部５３，５４と、これら円筒部５３，５４の上端を連結し、ウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部５５とを一体的に備えている。内側（中心側）の円筒部５３の下端は、第２回収溝４２上に位置し、外側の円筒部５４の下端は、第１回収溝４１上に位置している。また、円筒部５３，５４は、スプラッシュガード３９が最下方の退避位置に下降したときに、それぞれの下端がカップ３８の底面に接触しないような長さを有している。
傘状部材４８は、傘状部材４７を取り囲むように設けられ、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒状の円筒部５６と、この円筒部５６の上端からウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部５７とを備えている。円筒部５６は、第２回収溝４２上に位置しており、スプラッシュガード３９が最下方の退避位置に下降したときに、その下端がカップ３８の底面に接触しないような長さを有している。
傾斜部５２，５５，５７の上端縁は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒面上において、そのウエハＷの回転軸線に沿う方向（鉛直方向）に間隔を空けて位置している。これにより、傾斜部５５の上端縁と傾斜部５７の上端縁との間には、ウエハＷから飛散する第１薬液を進入させるための円環状の第１開口部５８が形成されている。また、傾斜部５２の上端縁と傾斜部５５の上端縁との間には、ウエハＷから飛散する第１薬液を進入させるための円環状の第２開口部５９が形成されている。さらに、傾斜部５２の上端縁と廃液案内部５０の下端縁との間には、ウエハＷから飛散する第３薬液およびＤＩＷを進入させるための円環状の第３開口部６０が形成されている。
第１開口部５８に進入した第１薬液は、傘状部材４７の円筒部５４と傘状部材４８の円筒部５６との間を通して、第１回収溝４１に集められる。第１回収溝４１に集められた第１薬液は、第１回収ライン４４を通して、第１薬液回収処理設備（図示せず）に回収される。
第２開口部５９に進入した第２薬液は、傘状部材４６の円筒部５１と傘状部材４７の円筒部５３との間を通して、第２回収溝４２に集められる。第２回収溝４２に集められた第２薬液は、第２回収ライン４５を通して、第２薬液回収処理設備（図示せず）に回収される。
第２開口部５９に進入した第２薬液は、傘状部材４６の円筒部５１と傘状部材４７の円筒部５３との間を通して、第２回収溝４２に集められる。第２回収溝４２に集められた第２薬液は、第２回収ライン４５を通して、第２薬液回収処理設備（図示せず）に回収される。
また、第３開口部６０に進入した第３薬液およびＤＩＷは、傘状部材４６の傾斜部５２、円筒部５１および廃液案内部５０の内側の面を伝って、廃液溝４０に導かれる。廃液溝４０に導かれた第３薬液およびＤＩＷは、廃液ライン４３を通して、廃液される。
なお、この実施形態では、ウエハＷの処理に使用された第３薬液が廃液される場合の構成を取り上げているが、第３薬液を回収する場合には、第１回収溝４１を取り囲むように第３回収溝を設けるとともに、傘状部材４８に第３回収溝上に位置する円筒部を追加して設け、また、第３回収溝上に位置する円筒部と、円筒部の上端からウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部とを一体的に備える傘状部材を、その傘状部材４８を取り囲むように設ければよい。
なお、この実施形態では、ウエハＷの処理に使用された第３薬液が廃液される場合の構成を取り上げているが、第３薬液を回収する場合には、第１回収溝４１を取り囲むように第３回収溝を設けるとともに、傘状部材４８に第３回収溝上に位置する円筒部を追加して設け、また、第３回収溝上に位置する円筒部と、円筒部の上端からウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部とを一体的に備える傘状部材を、その傘状部材４８を取り囲むように設ければよい。
図２は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置１は、ＣＰＵ６１およびメモリ６２を含む構成のコンピュータ６３を備えている。このコンピュータ６３には、制御対象として、第１薬液裏面側バルブ１８、第２薬液裏面側バルブ１９、ＤＩＷ裏面側バルブ２１、第１薬液表面側バルブ２３、第２薬液表面側バルブ２９、窒素ガスバルブ３０、第３薬液バルブ３５、ＤＩＷ表面側バルブ３７、チャック回転機構１１、ノズル駆動機構２６、第２薬液ノズル用駆動機構３３およびガード昇降機構４９が接続されている。また、コンピュータ６３には、回転数センサ１６から出力される検出値が入力されるようになっている。
基板処理装置１は、ＣＰＵ６１およびメモリ６２を含む構成のコンピュータ６３を備えている。このコンピュータ６３には、制御対象として、第１薬液裏面側バルブ１８、第２薬液裏面側バルブ１９、ＤＩＷ裏面側バルブ２１、第１薬液表面側バルブ２３、第２薬液表面側バルブ２９、窒素ガスバルブ３０、第３薬液バルブ３５、ＤＩＷ表面側バルブ３７、チャック回転機構１１、ノズル駆動機構２６、第２薬液ノズル用駆動機構３３およびガード昇降機構４９が接続されている。また、コンピュータ６３には、回転数センサ１６から出力される検出値が入力されるようになっている。
さらに、コンピュータ６３には、ウエハＷの洗浄処理における各処理工程の実行内容を規定するレシピを入力するためのレシピ入力キー６４と、計時のためのタイマ６５とが接続されている。メモリ６２には、次に述べる処理工程において、第１薬液、第２薬液および第３薬液がウエハＷに供給されることが許容される回転数範囲が格納された回転数範囲テーブルが記憶されている。
レシピ入力キー６４は、ユーザが操作可能な位置に配置されている。ユーザは、レシピ入力キー６４を操作して、各処理工程におけるウエハＷの回転数などの実行内容を入力することにより、レシピを作成することができる。レシピ入力キー６４の操作により作成されたレシピは、コンピュータ６３のメモリ６２に保存される。
ＣＰＵ６１は、メモリ６２に保持されたレシピに従って各処理工程が実行されるように、回転数範囲テーブルを参照しつつ、制御対象の各部の動作を制御する。
ＣＰＵ６１は、メモリ６２に保持されたレシピに従って各処理工程が実行されるように、回転数範囲テーブルを参照しつつ、制御対象の各部の動作を制御する。
基板処理装置１の処理工程には、次の（１）〜（７）の処理工程が含まれる。これらの処理工程をレシピで規定された順序で実行することによって、ウエハＷの洗浄処理が実施される。
（１）第１薬液表面処理工程
第１薬液表面処理工程は、第１薬液ノズル４からウエハＷの表面に第１薬液を供給して、ウエハＷの表面を第１薬液により処理する工程である。この第１薬液表面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第１開口部５８が対向する第１開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面に第１薬液ノズル４から第１薬液が供給される。また、この第１薬液の供給時には、ノズルアーム２４が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハＷの表面における第１薬液の着液位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハＷの表面の全域に第１薬液がむらなく供給される。ウエハＷの表面に供給された第１薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第１開口部５８が対向しているので、ウエハＷから飛散する第１薬液は、第１開口部５８に進入して、第１回収溝４１へと導かれる。
（１）第１薬液表面処理工程
第１薬液表面処理工程は、第１薬液ノズル４からウエハＷの表面に第１薬液を供給して、ウエハＷの表面を第１薬液により処理する工程である。この第１薬液表面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第１開口部５８が対向する第１開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面に第１薬液ノズル４から第１薬液が供給される。また、この第１薬液の供給時には、ノズルアーム２４が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハＷの表面における第１薬液の着液位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハＷの表面の全域に第１薬液がむらなく供給される。ウエハＷの表面に供給された第１薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第１開口部５８が対向しているので、ウエハＷから飛散する第１薬液は、第１開口部５８に進入して、第１回収溝４１へと導かれる。
（２）第２薬液表面処理工程
第２薬液表面処理工程は、第２薬液ノズル５からウエハＷの表面（上面）に第２薬液を供給して、ウエハＷの表面を第２薬液により処理する工程である。この第２薬液表面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第２開口部５９が対向する第２開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、８００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面に第２薬液ノズル５から第２薬液の液滴の噴流が供給される。また、この第２薬液の供給時には、第２薬液ノズル用アーム３１が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハＷの表面における第２薬液の着液位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハＷの表面の全域に第２薬液がむらなく供給される。ウエハＷの表面に供給された第２薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第２開口部５９が対向しているので、ウエハＷから飛散する第２薬液は、第２開口部５９に進入して、第２回収溝４２へと導かれる。
第２薬液表面処理工程は、第２薬液ノズル５からウエハＷの表面（上面）に第２薬液を供給して、ウエハＷの表面を第２薬液により処理する工程である。この第２薬液表面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第２開口部５９が対向する第２開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、８００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面に第２薬液ノズル５から第２薬液の液滴の噴流が供給される。また、この第２薬液の供給時には、第２薬液ノズル用アーム３１が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハＷの表面における第２薬液の着液位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハＷの表面の全域に第２薬液がむらなく供給される。ウエハＷの表面に供給された第２薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第２開口部５９が対向しているので、ウエハＷから飛散する第２薬液は、第２開口部５９に進入して、第２回収溝４２へと導かれる。
（３）第３薬液処理工程
第３薬液処理工程は、スピンチャック３によって水平に保持されたウエハＷの表面（上面）に第３薬液ノズル６から第３薬液を供給してウエハＷの表面に液盛りし、そのウエハＷの表面で第３薬液の液膜を保持しつつ処理を進める工程である。この第３薬液処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第３開口部６０が対向する第３開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の低回転数（たとえば、２０ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面に第３薬液ノズル６から第３薬液が供給される。ウエハＷの表面に供給された第３薬液は、ウエハＷの表面の全域に拡がり、ウエハＷの表面上に第３薬液の液膜が形成される。また、この第３薬液の供給時には、ノズルアーム２４が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハＷの表面における第３薬液の着液位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハＷの表面の全域に第３薬液がむらなく供給される。その結果、第３薬液の消費量を抑えつつウエハＷの表面に第３薬液による処理を施すことができる。
第３薬液処理工程は、スピンチャック３によって水平に保持されたウエハＷの表面（上面）に第３薬液ノズル６から第３薬液を供給してウエハＷの表面に液盛りし、そのウエハＷの表面で第３薬液の液膜を保持しつつ処理を進める工程である。この第３薬液処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第３開口部６０が対向する第３開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の低回転数（たとえば、２０ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面に第３薬液ノズル６から第３薬液が供給される。ウエハＷの表面に供給された第３薬液は、ウエハＷの表面の全域に拡がり、ウエハＷの表面上に第３薬液の液膜が形成される。また、この第３薬液の供給時には、ノズルアーム２４が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハＷの表面における第３薬液の着液位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハＷの表面の全域に第３薬液がむらなく供給される。その結果、第３薬液の消費量を抑えつつウエハＷの表面に第３薬液による処理を施すことができる。
（４）表面リンス工程
表面リンス工程は、ＤＩＷノズル７からウエハＷの表面にＤＩＷを供給して、ウエハＷの表面をＤＩＷで水洗する工程である。この表面リンス工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第３開口部６０が対向する第３開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面の中央部にＤＩＷノズル７からＤＩＷが供給される。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面の全域にＤＩＷがむらなく供給される。ウエハＷの表面の周縁に達したＤＩＷは、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に傘状部材４６の傾斜部５１が対向しているので、ウエハＷから飛散するＤＩＷは、ウエハＷから飛散する第３薬液は、第３開口部６０へ進入して、廃液溝４０へと導かれる。
表面リンス工程は、ＤＩＷノズル７からウエハＷの表面にＤＩＷを供給して、ウエハＷの表面をＤＩＷで水洗する工程である。この表面リンス工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第３開口部６０が対向する第３開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面の中央部にＤＩＷノズル７からＤＩＷが供給される。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面の全域にＤＩＷがむらなく供給される。ウエハＷの表面の周縁に達したＤＩＷは、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に傘状部材４６の傾斜部５１が対向しているので、ウエハＷから飛散するＤＩＷは、ウエハＷから飛散する第３薬液は、第３開口部６０へ進入して、廃液溝４０へと導かれる。
（５）第１薬液裏面処理工程
第１薬液裏面処理工程は、裏面ノズル１３からウエハＷの裏面に第１薬液を供給して、ウエハＷの裏面を第１薬液により処理する工程である。この第１薬液裏面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第１開口部５８が対向する第１開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの裏面の中央部に裏面ノズル１３から第１薬液が供給される。ウエハＷの裏面に供給された第１薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの裏面の全域に第１薬液がむらなく供給される。ウエハＷの裏面の周縁に達した第１薬液は、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第１開口部５８が対向しているので、ウエハＷから飛散する第１薬液は、第１開口部５８に進入して、第１回収溝４１へと導かれる。
第１薬液裏面処理工程は、裏面ノズル１３からウエハＷの裏面に第１薬液を供給して、ウエハＷの裏面を第１薬液により処理する工程である。この第１薬液裏面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第１開口部５８が対向する第１開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの裏面の中央部に裏面ノズル１３から第１薬液が供給される。ウエハＷの裏面に供給された第１薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの裏面の全域に第１薬液がむらなく供給される。ウエハＷの裏面の周縁に達した第１薬液は、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第１開口部５８が対向しているので、ウエハＷから飛散する第１薬液は、第１開口部５８に進入して、第１回収溝４１へと導かれる。
（６）第２薬液裏面処理工程
第２薬液裏面処理工程は、裏面ノズル１３からウエハＷの裏面に第２薬液を供給して、ウエハＷの裏面を第２薬液により処理する工程である。この第２薬液裏面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第２開口部５９が対向する第２開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、８００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの裏面の中央部に裏面ノズル１３から第２薬液が供給される。ウエハＷの裏面に供給された第２薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの裏面の全域に第２薬液がむらなく供給される。ウエハＷの裏面の周縁に達した第２薬液は、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第２開口部５９が対向しているので、ウエハＷから飛散する第２薬液は、第２開口部５９に進入して、第２開口部５９に進入して、第２回収溝４２へと導かれる。
第２薬液裏面処理工程は、裏面ノズル１３からウエハＷの裏面に第２薬液を供給して、ウエハＷの裏面を第２薬液により処理する工程である。この第２薬液裏面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第２開口部５９が対向する第２開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、８００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの裏面の中央部に裏面ノズル１３から第２薬液が供給される。ウエハＷの裏面に供給された第２薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの裏面の全域に第２薬液がむらなく供給される。ウエハＷの裏面の周縁に達した第２薬液は、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第２開口部５９が対向しているので、ウエハＷから飛散する第２薬液は、第２開口部５９に進入して、第２開口部５９に進入して、第２回収溝４２へと導かれる。
（７）裏面リンス工程
裏面リンス工程は、裏面ノズル１３からウエハＷの裏面にＤＩＷを供給して、ウエハＷの裏面をＤＩＷで水洗する工程である。この裏面リンス工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第３開口部６０が対向する第３開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの裏面の中央部に裏面ノズル１３からＤＩＷが供給される。ウエハＷの裏面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの裏面の全域にＤＩＷがむらなく供給される。ウエハＷの裏面の周縁に達したＤＩＷは、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第３開口部６０が対向しているので、ウエハＷから飛散するＤＩＷは、第３開口部６０に進入して、廃液溝４０へと導かれる。
裏面リンス工程は、裏面ノズル１３からウエハＷの裏面にＤＩＷを供給して、ウエハＷの裏面をＤＩＷで水洗する工程である。この裏面リンス工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第３開口部６０が対向する第３開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの裏面の中央部に裏面ノズル１３からＤＩＷが供給される。ウエハＷの裏面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの裏面の全域にＤＩＷがむらなく供給される。ウエハＷの裏面の周縁に達したＤＩＷは、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第３開口部６０が対向しているので、ウエハＷから飛散するＤＩＷは、第３開口部６０に進入して、廃液溝４０へと導かれる。
図３は、回転数範囲テーブルの一例を示す図である。
前述の各処理工程では、各処理工程の処理内容や、処理に用いられる処理液（第１薬液、第２薬液、第３薬液およびＤＩＷ）の粘性を考慮して、対応する開口部（第１開口部５８、第２開口部５９および第３開口部６０）に各処理液を上手く進入させることができるように、スプラッシュガード３９の高さ位置と、各処理ウエハＷの回転数範囲とが定められている。そして、メモリ６２には、ウエハＷの適正な回転数範囲が、ウエハＷの端面に対向する開口部（第１開口部５８、第２開口部５９および第３開口部６０）と対応付けられて、メモリ６２の回転数範囲テーブルに格納されている。
前述の各処理工程では、各処理工程の処理内容や、処理に用いられる処理液（第１薬液、第２薬液、第３薬液およびＤＩＷ）の粘性を考慮して、対応する開口部（第１開口部５８、第２開口部５９および第３開口部６０）に各処理液を上手く進入させることができるように、スプラッシュガード３９の高さ位置と、各処理ウエハＷの回転数範囲とが定められている。そして、メモリ６２には、ウエハＷの適正な回転数範囲が、ウエハＷの端面に対向する開口部（第１開口部５８、第２開口部５９および第３開口部６０）と対応付けられて、メモリ６２の回転数範囲テーブルに格納されている。
図３に示すように、第１薬液表面処理工程および第１薬液裏面処理工程では、回転数範囲テーブルに格納された回転数範囲は１０００〜２０００ｒｐｍである。この回転数範囲内の回転数でウエハＷを回転させると、ウエハＷから飛散する第１薬液を第１開口部５８に進入させることができる。第２薬液表面処理工程および第２薬液裏面処理工程では、回転数範囲テーブルに格納された回転数範囲は５００〜１０００ｒｐｍである。この回転数範囲内の回転数でウエハＷを回転させると、ウエハＷから飛散する第２薬液を第２開口部５９に進入させることができる。第３薬液処理工程では、回転数範囲テーブルに格納された回転数範囲は１５〜５０ｒｐｍである。この回転数範囲内の回転数でウエハＷを回転させると、ウエハＷの表面（上面）に第３薬液を良好に液盛りさせることができるとともに、ウエハＷの表面からこぼれる第３薬液を第３開口部６０に良好に進入させることができる。
しかしながら、何らかの異常によって、ウエハＷがレシピに定められた回転数と大きく異なる回転数で回転されると、ウエハＷから飛散する薬液の方向（薬液の飛散方向）が変化する。たとえば、ウエハＷへの第１薬液の供給時に、ウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍ未満に低下すると、第１薬液に作用する遠心力が小さくなるために、ウエハＷからの第１薬液の飛散方向が斜め下側に変化する。その結果、ウエハＷから飛散する第１薬液が第２開口部５９に進入するおそれがある。
たとえば、第１薬液が王水であり、第２薬液がアンモニア過酸化水素水（ＳＣ１：ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ）である場合、第１薬液が第２開口部５９に進入すると、第２開口部５９内で第１薬液と第２薬液とが混触し、激しい発熱反応により突沸を生じたり、反応生成物として塩素ガスが発生したりする。
そこで、この基板処理装置１では、ウエハＷがレシピに定められた回転数と大きく異なる回転数で回転された状態で、ウエハＷに第１薬液、第２薬液および第３薬液が供給されるのを防止するために、以下のインターロック処理が実行される。
そこで、この基板処理装置１では、ウエハＷがレシピに定められた回転数と大きく異なる回転数で回転された状態で、ウエハＷに第１薬液、第２薬液および第３薬液が供給されるのを防止するために、以下のインターロック処理が実行される。
図４は、各処理工程の実施に関連して実行されるインターロック処理の流れを示すフローチャートである。
このインターロック処理は、メモリ６２に保持されたレシピに従って一連の洗浄処理が行われる過程において、第１薬液表面処理、第１薬液裏面処理、第２薬液表面処理、第２薬液裏面処理および第３薬液処理の処理工程の実施に関連してそれぞれ実行される。
このインターロック処理は、メモリ６２に保持されたレシピに従って一連の洗浄処理が行われる過程において、第１薬液表面処理、第１薬液裏面処理、第２薬液表面処理、第２薬液裏面処理および第３薬液処理の処理工程の実施に関連してそれぞれ実行される。
以下、第１薬液表面処理が実行される場合を例にとって、インターロック処理を説明する。
処理工程が開始されると（ステップＳ１でＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、チャック回転駆動機構１１を制御して、スピンチャック３の回転数をレシピによって定められた回転数（たとえば１２００ｒｐｍ）に上昇／下降させる（ステップＳ２）。これにより、ウエハＷがレシピで定められた回転数で回転される。また、ＣＰＵ６１は、ガード昇降機構４９を制御して、スプラッシュガード３９が第１開口部対向位置に位置するように上昇／下降させる（ステップＳ３）。
処理工程が開始されると（ステップＳ１でＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、チャック回転駆動機構１１を制御して、スピンチャック３の回転数をレシピによって定められた回転数（たとえば１２００ｒｐｍ）に上昇／下降させる（ステップＳ２）。これにより、ウエハＷがレシピで定められた回転数で回転される。また、ＣＰＵ６１は、ガード昇降機構４９を制御して、スプラッシュガード３９が第１開口部対向位置に位置するように上昇／下降させる（ステップＳ３）。
ウエハＷの回転数がレシピで定められた回転数に達し、スプラッシュガード３９が第１開口部対向位置に位置すると（ステップＳ４）、ＣＰＵ６１は、回転数センサ１６から出力された検出値を取得する（ステップＳ５）。次いで、ＣＰＵ６１は、回転数範囲テーブルを参照し（ステップＳ６）、回転数センサ１６から出力された検出値が、回転数範囲テーブルに格納された回転数範囲、すなわち、１０００〜２０００ｒｐｍの範囲内か否かが調べられる（ステップＳ７）。
回転数センサ１６から出力された検出値が、その回転数範囲外であると（ステップＳ７でＮＯ）、ＣＰＵ６１は、ウエハＷへの第１薬液の供給ができないと判断して、第１薬液表面側バルブ２３の開成を禁止し（ステップＳ９）、その第１薬液表面側バルブ２３の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ１０）、このインターロック処理を終了する。
一方、回転数センサ１６から出力された検出値が、その回転数範囲内であれば（ステップＳ７でＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、ウエハＷへの第１薬液の供給が可能と判断して、第１薬液表面側バルブ２３を開成し（ステップＳ８）、ウエハＷの表面に第１薬液を供給させる。また、ＣＰＵ６１は、ノズル駆動機構２６を駆動して、ノズルアーム２４を所定の角度範囲内で揺動させる。これにより、ウエハＷの表面が第１薬液によって処理される。
第１薬液の供給中において、ＣＰＵ６１は、回転数センサ１６から出力された検出値を監視している（ステップＳ７）。そして、回転センサ１６から出力された検出値が回転数範囲外となると（ステップＳ７でＮＯ）、ＣＰＵ６１は、第１薬液表面側バルブ２３を閉じるとともに、その後の開成を禁止し（ステップＳ９）、その第１薬液表面側バルブ２３の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ１０）、このインターロック処理を終了する。
第１薬液の供給中に回転センサ１６からの出力された検出値が回転数範囲外とならずに処理工程時間が経過すると（ステップＳ１１でＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、第１薬液表面側バルブ２３を閉じて、このインターロック処理を終了する。
以上のように、回転数センサ１６によって検出されるウエハＷの回転数が回転数範囲テーブルに格納されている回転数範囲外であると、第１薬液表面側バルブ２３の開成が禁止される。ウエハＷの適正な回転数範囲が回転数範囲テーブルに格納されているので、ウエハＷから飛散する第１薬液を第１開口部５８だけに進入させることができる。
以上のように、回転数センサ１６によって検出されるウエハＷの回転数が回転数範囲テーブルに格納されている回転数範囲外であると、第１薬液表面側バルブ２３の開成が禁止される。ウエハＷの適正な回転数範囲が回転数範囲テーブルに格納されているので、ウエハＷから飛散する第１薬液を第１開口部５８だけに進入させることができる。
なお、第１薬液表面処理は、前述した第１薬液裏面処理と同時に実行することができる。この場合、インターロック処理において、ウエハＷの回転数が回転数範囲外であることが検出されると、第１薬液表面側バルブ２３だけでなく、第１薬液裏面側バルブ１８についてもその開成が禁止される。
また、第２薬液表面処理の実施に関連して実行されるインターロック処理では、ウエハＷの回転数が回転数範囲外であることが検出されると、第２薬液表面側バルブ１９の開成が禁止される。第２薬液裏面処理の実施に関連して実行されるインターロック処理では、ウエハＷの回転数が回転数範囲外であることが検出されると、第２薬液裏面側バルブ２４の開成が禁止される。さらに、第３薬液表面処理の実施に関連して実行されるインターロック処理では、ウエハＷの回転数が回転数範囲外であることが検出されると、第３薬液バルブ３５の開成が禁止される。
また、第２薬液表面処理の実施に関連して実行されるインターロック処理では、ウエハＷの回転数が回転数範囲外であることが検出されると、第２薬液表面側バルブ１９の開成が禁止される。第２薬液裏面処理の実施に関連して実行されるインターロック処理では、ウエハＷの回転数が回転数範囲外であることが検出されると、第２薬液裏面側バルブ２４の開成が禁止される。さらに、第３薬液表面処理の実施に関連して実行されるインターロック処理では、ウエハＷの回転数が回転数範囲外であることが検出されると、第３薬液バルブ３５の開成が禁止される。
この基板処理装置１によれば、ウエハＷから飛散する第１薬液を第１開口部５８に良好に進入させることができ、ウエハＷから飛散する第２薬液を第２開口部５９に良好に進入させることができる。また、ウエハＷからこぼれる第３薬液を第３開口部６０に進入させることができる。これにより、スプラッシュガード３９やカップ３８における第１薬液、第２薬液および第３薬液の混触の発生を確実に防止することができる。
また、従来の基板処理装置では、洗浄処理の全期間を通じて最低回転数が定められていて、それ以下の回転数での処理が禁止されている。ウエハＷの表面（上面）に第３薬液を液盛りさせる工程を含む場合には、その最低回転数がたとえば１５ｒｐｍに定められているが、第１薬液を用いた処理や第２薬液を用いた処理では、回転数が１５ｒｐｍを超えていれば、ウエハＷに第１薬液を供給することができる。しかし、前述したように、第１薬液の供給時にウエハＷが１０００ｒｐｍ未満で回転すると、ウエハＷから飛散する第１薬液が第２開口部５９に混入し、第１薬液と第２薬液との混触が生じるおそれがある。
この基板処理装置１によれば、各薬液に対応して回転数範囲が設けられている。これにより、ウエハＷの表面に第３薬液の液盛りによる処理を良好に施すことができるとともに、スプラッシュガード３９やカップ３８における第１薬液、第２薬液および第３薬液の混触の発生を確実に防止することができる。
図５は、レシピ可否判断処理の流れを示すフローチャートである。
図５は、レシピ可否判断処理の流れを示すフローチャートである。
前述の説明においては、レシピ入力キー６４の操作により作成されたレシピは、コンピュータ６３のメモリ６２に記憶され、このメモリ６２に保持されたレシピに従って一連の洗浄処理が行われる過程において、各処理工程の実施に関連してインターロック処理が実行されるとした。しかしながら、レシピ入力キー６４の操作によるレシピの作成後に、図７に示すレシピ可否判断処理が実行されて、その作成されたレシピにより定められる指示回転数が、回転数範囲外の回転数を規定していないか否かが調べられ、そのような処理工程順を規定していない場合にのみ、レシピがメモリ６２に記憶されて保存されるようにしてもよい。
レシピ可否判断処理では、まず、ＣＰＵ６１は、レシピ入力キー６４から入力されたレシピを読み込み、レシピに規定される各処理工程におけるスピンチャック３の指示回転数をチェックする（ステップＳ２１）。次いで、ＣＰＵ６１は、回転数範囲テーブルを参照し（ステップＳ２２）、すべての処理工程について、指示回転数が回転数範囲テーブルに格納された回転数範囲内であるかどうかを判断する（ステップＳ２３）。少なくとも１つの処理工程において、指示回転数が回転数範囲外である場合には（ステップＳ２３でＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、レシピ入力キー６４から入力されたレシピを廃棄する（ステップＳ２４）。
一方、すべての処理工程について、指示回転数が回転数範囲テーブルの回転数範囲新規開バルブの開成が禁止されなかった場合には（ステップＳ２３でＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、レシピ入力キー６４から入力されたレシピを、すべての処理工程において回転数範囲外の回転数を規定していないものであると判断して、メモリ６２に記憶させて保存する（ステップＳ２５）。
このレシピ可否判断処理が行われることにより、回転数範囲外の回転数を規定したレシピのメモリ６２への保存が防止される。
この実施形態では、レシピに定められている回転数が回転数記憶テーブルに格納されている回転数範囲外であるときには、そのレシピのメモリ６２への記憶が禁止される。このため、回転数記憶テーブルにウエハＷの適正な回転数範囲が記憶されているので、ウエハＷの回転数が適正に定められたレシピに基づいてウエハＷを回転させることができる。これにより、スプラッシュガード３９やカップ３８における第１薬液、第２薬液および第３薬液の混触の発生を確実に防止することができる。
この実施形態では、レシピに定められている回転数が回転数記憶テーブルに格納されている回転数範囲外であるときには、そのレシピのメモリ６２への記憶が禁止される。このため、回転数記憶テーブルにウエハＷの適正な回転数範囲が記憶されているので、ウエハＷの回転数が適正に定められたレシピに基づいてウエハＷを回転させることができる。これにより、スプラッシュガード３９やカップ３８における第１薬液、第２薬液および第３薬液の混触の発生を確実に防止することができる。
さらに、第１薬液、第２薬液および第３薬液の３種の薬液を使用可能な構成を取り上げたが、第１薬液および第２薬液の２種の薬液を使用可能な構成の基板処理装置に本発明を適用することもできる。
また、回転数センサ１６によってスピン軸８の回転数を計測することにより、スピンチャック３（ウエハＷ）の回転数を検出するものとして説明したが、チャック回転駆動機構１１がステッピングモータを含むときには、そのステッピングモータのステップ数に基づいて、スピンチャック３の回転数が検出されていてもよい。
また、回転数センサ１６によってスピン軸８の回転数を計測することにより、スピンチャック３（ウエハＷ）の回転数を検出するものとして説明したが、チャック回転駆動機構１１がステッピングモータを含むときには、そのステッピングモータのステップ数に基づいて、スピンチャック３の回転数が検出されていてもよい。
また、第３薬液ノズル６を、所定の角度範囲内で揺動されるノズルアーム２４の先端に配置する構成としたが、第３薬液ノズル６はスキャンノズルでなく固定ノズルであってもよい。さらに、第３薬液ノズル６は、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面に第３薬液を供給して、ウエハＷの表面に液盛りするためのものであるとして説明したが、ウエハＷを高速で回転させつつウエハの表面に第３薬液ノズル６から第３薬液を供給させる構成であってもよい。
さらに、第２薬液が液滴の噴流の状態でウエハＷに供給される構成を取り上げたが、第２薬液ノズル５がストレートノズルとされて、第１薬液が連続流の状態でウエハＷに供給されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
１ 基板処理装置
３ スピンチャック
１６ 回転数センサ
１８ 第１薬液裏面側バルブ
１９ 第２薬液裏面側バルブ
２３ 第１薬液表面側バルブ
２９ 第２薬液表面側バルブ
３５ 第３薬液バルブ
３８ カップ
３９ スプラッシュガード
６１ ＣＰＵ
６２ メモリ
６３ コンピュータ
６４ レシピ入力キー
６５ タイマ
Ｗ ウエハ
３ スピンチャック
１６ 回転数センサ
１８ 第１薬液裏面側バルブ
１９ 第２薬液裏面側バルブ
２３ 第１薬液表面側バルブ
２９ 第２薬液表面側バルブ
３５ 第３薬液バルブ
３８ カップ
３９ スプラッシュガード
６１ ＣＰＵ
６２ メモリ
６３ コンピュータ
６４ レシピ入力キー
６５ タイマ
Ｗ ウエハ
Claims (5)
- 基板を保持しつつ回転させるための基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板に薬液を供給する薬液供給手段と、
前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する薬液を進入させるための開口部を有する処理カップと、
前記薬液供給手段による薬液の供給時における基板の回転数の範囲が記憶された回転数範囲記憶手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の回転数を検出する回転数検出手段と、
前記薬液供給手段による薬液の供給時に、前記回転数検出手段により検出される基板の回転数を監視し、その回転数が前記回転数範囲記憶手段に記憶されている回転数範囲外である場合、前記薬液供給手段による薬液の供給を禁止する供給禁止手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。 - 基板を保持しつつ回転させるための基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板に薬液を供給する薬液供給手段と、
前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する薬液を進入させるための開口部を有する処理カップと、
前記薬液供給手段による薬液の供給時における基板の回転数範囲が記憶された回転数範囲記憶手段と、
前記薬液供給手段による薬液の供給時における基板の回転数を定めたレシピを入力するレシピ入力手段と、
前記レシピ入力手段から入力されたレシピを記憶するためのレシピ記憶手段と、
前記レシピ入力手段から入力されたレシピを参照し、そのレシピで定められている回転数が前記回転数範囲記憶手段に記憶されている回転数範囲外である場合、前記レシピ入力手段から入力されたレシピの前記レシピ記憶手段への記憶を禁止するレシピ記憶禁止手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。 - 前記薬液供給手段は、前記基板回転手段によって回転される基板に第１薬液を供給する第１薬液供給手段と、前記基板回転手段によって回転される基板に前記第１薬液とは異なる第２薬液を供給する第２薬液供給手段とを含み、
前記回転数範囲記憶手段には、前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給時における基板の第１回転数範囲、および、前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給時における基板の第２回転数範囲が記憶されていることを特徴とする、請求項１または２記載の基板処理装置。 - 前記処理カップの開口部は、前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第１薬液を進入させるための第１開口部と、前記回転軸線と平行な方向に前記第１開口部と異なる位置において前記回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第２薬液を進入させるための第２開口部とを含み、
前記第１回転数範囲は、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第１薬液を前記第１開口部に進入させることができる回転数範囲であり、
前記第２回転数範囲は、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第２薬液を前記第２開口部に進入させることができる回転数範囲であることを特徴とする、請求項３記載の基板処理装置。 - 前記基板回転手段によって回転される基板に第３薬液を供給する第３薬液供給手段を、さらに備え、
前記基板回転手段は、基板をほぼ水平な姿勢に保持して、鉛直軸線まわりに回転させるものであり、
前記回転数範囲記憶手段には、前記第３薬液供給手段による第３薬液の供給時における基板の第３回転数範囲が記憶され、
前記回転数範囲記憶手段に記憶される前記第３回転数範囲は、前記第３薬液供給手段からの第３薬液を基板の上面に液盛りすることができる回転数範囲であることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
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| US11545387B2 (en) | 2018-07-13 | 2023-01-03 | Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. | Magnetic integrated lift pin system for a chemical processing chamber |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9601358B2 (en) | 2014-08-15 | 2017-03-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4917470B2 (ja) | 2012-04-18 |
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