JP4938352B2 - 静電チャックテーブル機構 - Google Patents
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Description
このような問題を解消するために、ウエーハの裏面にプラズマエッチングを施すことによって、ウエーハの裏面に生成された研削歪を除去し、デバイスの抗折強度を向上させる技術が提案されており、プラズマエッチングを実施するプラズマエッチング装置が下記特許文献1に開示されている。
該チャックテーブルに形成され該保持面に開口するエアー供給通路と、
該エアー供給通路にイオン化されたエアーを供給するイオン化エアー供給手段と、
該エアー供給通路に連通され該チャックテーブルに形成され保持面に負圧を作用せしめる吸引手段と、を具備している、
ことを特徴とする静電チャックテーブル機構が提供される。
また、本発明による静電チャックテーブル機構は、エアー供給通路に連通されチャックテーブルに形成され保持面に負圧を作用せしめる吸引手段を備えているので、チャックテーブルの保持面上に被加工物を静電吸着保持する前に負圧により吸引保持することにより、保持面に被加工物を静電吸着保持する前に保持面上に確実に位置決めすることができる。
図4には、被加工物としての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図4に示す半導体ウエーハ10は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面10aに複数のストリート101が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート101によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ10の表面10aには、図5に示すように厚さが100μmの樹脂フィルムからなる保護テープ100を貼着する(保護部材貼着工程)。従って、半導体ウエーハ10の裏面10bが露出する形態となる。このように、保護テープ100が表面に貼着された半導体ウエーハ10は、研削装置によって裏面が研削され、所定の厚さ(例えば、100μm)に形成される。
電源68の出力 :2000W
密閉空間61a内の圧力 :80Pa
プラズマ発生用ガス :六フッ化イオウ(SF6)を76ml/分、ヘリウム(He)を15
ml/分、酸素(O2)を27ml/分
または
:六フッ化イオウ(SF6)を76ml/分、三フッ化メチル(CHF3)
を15ml/分、酸素(O2)を27ml/分
または
:六フッ化イオウ(SF6)を76ml/分、窒素(N2)を15ml/
分、酸素(O2)を27ml/分
エッチング処理時間 :3分
20:ハウジング
20a:プラズマ処理室
3:ゲート
4:ゲート作動手段
5:下部電極
51:チャックテーブル保持部
6:静電チャックテーブル機構
61:チャックテーブル
62、63:電極
66、67:直流電圧印加手段
68:電磁切換弁
7:吸引手段
8:イオン化エアー供給手段
9:上部電極
91:ガス噴出部
93:作動部材
10:半導体ウエーハ
100:保護テープ
11:ガス排出手段
12:高周波電源
13:冷媒供給手段
14:昇降駆動手段
15:ガス供給手段
16:制御手段
Claims (2)
- 被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルの内部に配設され電圧が印加されることにより電荷を発生する電極と、該電極に電圧を印加する電圧印加手段と、を具備する静電チャックテーブル機構において、
該チャックテーブルに形成され該保持面に開口するエアー供給通路と、
該エアー供給通路にイオン化されたエアーを供給するイオン化エアー供給手段と、
該エアー供給通路に連通され該チャックテーブルに形成され保持面に負圧を作用せしめる吸引手段と、を具備している、
ことを特徴とする静電チャックテーブル機構。 - 該吸引手段および該イオン化エアー供給手段と該エアー供給通路との間には、該エアー供給通路と該吸引手段および該イオン化エアー供給手段とを選択的に連通する切換弁が配設されている、請求項1記載の静電チャックテーブル機構。
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