JP7188992B2 - プラズマエッチング装置 - Google Patents

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Description

本発明は、プラズマエッチング装置に関する。
半導体デバイスの製造工程では、研削加工によって薄化された半導体ウェーハを分割予定ラインに沿って切断することにより、デバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。半導体ウェーハが研削されると、半導体ウェーハの被研削面に研削歪が残存し、分割後の各デバイスの抗折強度が低下するという問題がある。この問題を解決するために、半導体ウェーハの被研削面にプラズマエッチングを施すことによって、半導体ウェーハの被研削面の研削歪を除去してデバイスの抗折強度を向上させる技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平10-008269号公報
特許文献1に示されたプラズマエッチング装置は、チャンバー内が減圧されるため、被加工物をバキューム固定ではなく静電気で吸着固定する静電吸着テーブルを用いる。静電吸着は、チャックテーブルの電極に電圧を印加して調整するが、もし、回路不良やチャックテーブルの組み付け不良があったとしても、電圧が印加できてしまうので、実際に被加工物の吸着が出来ているかを判定する事は難しい。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、被加工物の吸着状況を容易に把握することができるプラズマエッチング装置を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のプラズマエッチング装置は、被加工物を保持面に静電吸着して固定する静電吸着テーブルと、該静電吸着テーブルに保持された被加工物にプラズマ化した処理ガスを供給するガス供給ユニットと、該静電吸着テーブルと該ガス供給ユニットとを収容し被加工物の搬出入用開口を備えるチャンバーと、該チャンバー内を減圧する減圧ユニットと、搬送パッドで該被加工物を保持し該チャンバーの該静電吸着テーブルに搬入・搬出する搬送ユニットと、該保持面の帯電状態を検査する帯電検査ユニットと、を備え、該帯電検査ユニットは、該搬送パッドに装着され、下面が該搬送パッドの該被加工物を吸引保持する吸着保持部の表面と同一平面上に配置され、該下面が該保持面と所定間隔をあけた位置に配置されて、該下面が対面する該保持面の帯電量を測定する表面電位計と、該表面電位計の測定値と予め設定された帯電量の許容範囲とを比較する比較部と、該測定値が許容範囲を超えたことを報知する報知部と、を備えることを特徴とする。
前記プラズマエッチング装置において、該測定値が許容範囲を超えた場合、該静電吸着テーブルに供給する電圧を調整し、該保持面の帯電量が許容範囲になるよう調整する供給電圧調整部を備えても良い。
前記プラズマエッチング装置において、該測定値が許容範囲を超えた場合、該静電吸着テーブルの保持面にイオン化エアーを供給して、該保持面の帯電量が許容範囲になるよう調整するイオン化エアー供給部を備え、該イオン化エアー供給部が、該表面電位計の隣に取り付けられても良い。
本願発明のプラズマエッチング装置は、被加工物の吸着状況を容易に把握することができるという効果を奏する。
図1は、実施形態1に係るプラズマエッチング装置の構成例を示す図である。 図2は、図1に示されたプラズマエッチング装置の静電吸着パッドの要部の断面図である。 図3は、図1に示されたプラズマエッチング装置の搬送パッドの平面図である。 図4は、図1に示されたプラズマエッチング装置の帯電検査ユニットが、静電吸着テーブルの保持面の帯電量を測定する状態を示す側面図である。 図5は、図1に示されたプラズマエッチング装置の搬送ユニットが、静電吸着テーブルの保持面に被加工物を搬送する状態を示す側面図である。 図6は、実施形態2に係るプラズマエッチング装置の搬送パッドの平面図である。 図7は、実施形態2に係るプラズマエッチング装置のイオン化エアー供給部が静電吸着テーブルの保持面を除電する状態を示す図である。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係るプラズマエッチング装置を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るプラズマエッチング装置の構成例を示す図である。図2は、図1に示されたプラズマエッチング装置の静電吸着パッドの要部の断面図である。図3は、図1に示されたプラズマエッチング装置の搬送パッドの平面図である。
実施形態1に係るプラズマエッチング装置1は、被加工物200をプラズマエッチングする装置である。実施形態1では、被加工物200は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハなどのウェーハである。被加工物200は、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって格子状に区画された領域にデバイスが形成されている。また、本発明では、被加工物200は、ウェーハに限定されない。
実施形態1に係るプラズマエッチング装置1は、図1に示すように、静電吸着テーブル10と、上部電極20と、ガス供給ユニット30と、チャンバー40と、減圧ユニット50と、搬送ユニット60と、帯電検査ユニット70と、制御ユニット100とを備える。
静電吸着テーブル10は、被加工物200を保持面11に静電吸着して固定するものである。静電吸着テーブル10は、絶縁材料により形成され、円柱状の軸部12と、軸部12の上端に連結し円板状に形成されたテーブル部13とから構成されている。軸部12は、チャンバー40を構成する下壁42に挿通され、絶縁体14によってシールされて保持されている。また、静電吸着テーブル10は、テーブル部13の下部及び軸部12に冷却水循環路15が設けられており、冷却水循環路15は、冷却水供給手段16から供給される冷却水が循環する。
また、静電吸着テーブル10は、テーブル部13の上面が水平方向に沿って平坦な保持面11であり、テーブル部13内に下部電極17を備えている。下部電極17は、図2に示すように、スイッチ81を介して直流電源80の正極に接続されている。
実施形態1では、静電吸着テーブル10は、保持面11に被加工物200が載置され、直流電源80から下部電極17に正電圧が印加されることで、図2に示すように、下部電極17の上方を正電荷18に帯電させ、被加工物200の下面201側に負電荷を帯電させ、被加工物200の上面202側に正電荷を帯電させる。静電吸着テーブル10は、静電吸着テーブル10の保持面11と被加工物200の下面201とを互いに極性の異なる電荷に帯電させることで、保持面11に静電吸着力により被加工物200を吸着保持する。なお、本発明では、下部電極17に直流電源80の負極が接続されて、下部電極17に印加する電圧は、負電圧でも良い。
また、実施形態1では、プラズマエッチング装置1は、スイッチ81と直流電源80との間に直流電源80が下部電極17に印加する正電圧の電圧値を調整(変更)する電圧調整部82を設けている。電圧調整部82は、例えば、可変抵抗器等を備えて構成されている。
上部電極20は、静電吸着テーブル10の上方であって、静電吸着テーブル10の保持面11に対面する位置に配設されており、アースに接続されている。上部電極20は、円柱状の軸部22と、軸部22の下端に連結した円板状に形成された板状部23とから構成されている。軸部22は、チャンバー40を構成する上壁41に挿通され、絶縁体29によってシールされて昇降可能に保持されている。板状部23は、下面21が保持面11と対向し、かつ複数のガス噴出孔24が開口している。
上部電極20は、昇降手段25によって駆動されて昇降可能となっている。昇降手段25は、シリンダ26と、ピストンロッド27と、ピストンロッド27に連結されたブラケット28とから構成されている。ブラケット28は、上部電極20の軸部22を支持しており、シリンダ26がピストンロッド27を昇降させることで、ブラケット28に支持された上部電極20を昇降する。
ガス供給ユニット30は、静電吸着テーブル10に保持された被加工物200にプラズマ化した処理ガスを供給するものである。ガス供給ユニット30は、上部電極20の前述したガス噴出孔24と、ガス噴出孔24と連通したガス流通路31と、ガス流通路31に設けられた開閉弁32と、ガス流通路31及び開閉弁32を介して処理ガスをチャンバー40内に供給する処理ガス供給源33と、静電吸着テーブル10にスイッチ34を介して接続された高周波電源35とを備えている。処理ガス供給源33は、処理ガスとして、例えばSFガスをチャンバー40内に供給する。高周波電源35は、静電吸着テーブル10に高周波電圧を印加する。
ガス供給ユニット30は、開閉弁32が開いてチャンバー40内に処理ガスをガス噴出孔24を通してチャンバー40内に供給し、スイッチ34が閉じて静電吸着テーブル10に高周波電圧を供給して、チャンバー40内に供給された処理ガスをプラズマ化して、プラズマ化した処理ガスを保持面11に保持された被加工物200に供給する。
チャンバー40は、静電吸着テーブル10の保持面11と上部電極20のガス噴出孔24とを収容し、被加工物200の搬出入用開口44を備えるものである。チャンバー40は、上壁41と下壁42と側壁43とによって箱状に形成されており、一つの側壁43には、搬出入用開口44が形成されている。搬出入用開口44は、シャッター45によって開閉可能となっている。シャッター45は、シャッター開閉手段46によって駆動されて昇降する。シャッター開閉手段46は、シリンダ47と、シャッター45に連結されシリンダ47によって駆動されて昇降するピストンロッド48とを備える。
減圧ユニット50は、チャンバー40内を減圧するものである。減圧ユニット50は、チャンバー40の下壁42に設けられた開口51に接続され、開口51を通してチャンバー40内の気体を吸引するとともに真空引きすることができる。
搬送ユニット60は、搬送パッド61で被加工物200を保持し、チャンバー40内の静電吸着テーブル10に被加工物200を搬入、搬出するものである。搬送ユニット60は、チャンバー40の側壁43に設けられた搬出入用開口44を通して、被加工物200をチャンバー40に出し入れして、チャンバー40外に設けられた仮置きチャックテーブル62と静電吸着テーブル10との間で被加工物200を搬送する。
搬送ユニット60は、搬送パッド61と、アーム部63と、駆動ユニット64とを備える。搬送パッド61は、図3に示すように、導電性を有する材料で構成され、仮置きチャックテーブル62に対向するとともに、被加工物200の上面202を吸引保持するポーラスセラミックスにより構成された吸着保持部65と、吸着保持部65の外縁を囲む枠体66とを備えている。搬送パッド61は、図示しない吸引源により吸着保持部65が吸引されることで、吸着保持部65に被加工物200の上面202を吸引保持する。また、実施形態1では、搬送パッド61は、図示しないスイッチを介してアースに接続されている。
アーム部63は、先端が搬送パッド61に連結されている。駆動ユニット64は、アーム部63を鉛直方向68-1(図2に示す)に昇降させる昇降移動手段68と、搬出入用開口44を介して搬送パッド61をチャンバ2に出し入れする方向にアーム部63を水平方向69-1(図2に示す)に移動させる出入移動手段69とを備えている。
帯電検査ユニット70は、静電吸着テーブル10の保持面11の帯電状態を検査するものである。帯電検査ユニット70は、図1、図2及び図3に示すように、表面電位計71を備えている。表面電位計71は、搬送パッド61に装着され、対面する静電吸着テーブル10の保持面11の帯電量を測定するものである。
表面電位計71は、図3に示すように、搬送パッド61の枠部67の外周面に取り付けられ、実施形態1では、枠部67の外周面のうちアーム部63の駆動ユニット64により支持された基端から最も離れた位置に配置されている。また、表面電位計71は、下面が搬送パッド61の吸着保持部65の表面と同一平面上に配置されている。表面電位計71は、下面が静電吸着テーブル10の保持面11の直上でかつ保持面11と予め定められた所定間隔300(図2に示す)をあけた位置に配置されて、保持面11の正電荷18を検出して、保持面11の帯電状態である帯電量に応じた情報を制御ユニット100に出力するものである。
制御ユニット100は、プラズマエッチング装置1を構成する上述した各構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御ユニット100は、被加工物200に対する加工動作をプラズマエッチング装置1に実行させるものである。制御ユニット100は、CPU(central processing unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ROM(read only memory)又はRAM(random access memory)のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有し、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。
制御ユニット100の演算処理装置は、ROMに記憶されているコンピュータプログラムをRAM上で実行して、プラズマエッチング装置1の各構成要素を制御するための制御信号を生成する。制御ユニット100の演算処理装置は、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介してプラズマエッチング装置1の各構成要素に出力する。また、制御ユニット100は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。
また、制御ユニット100は、図1に示すように、比較部101と、供給電圧調整部102とを備える。比較部101と、供給電圧調整部102は、帯電検査ユニット70を構成する。比較部101は、表面電位計71の測定結果である保持面11の帯電量と予め設定された帯電量の許容範囲とを比較して、保持面11の帯電量が帯電量の許容範囲外であるか否かを判定する。
供給電圧調整部102は、保持面11の帯電量が予め設定された帯電量の許容範囲外であると比較部101が判定した場合即ち保持面11の帯電量が許容範囲を超えた場合に、電圧調整部82を制御して静電吸着テーブル10に直流電源80から供給する電圧を調整し、保持面11の帯電量が許容範囲になるように調整する。
具体的には、供給電圧調整部102は、予め表面電位計71の測定結果である保持面11の帯電量に応じた情報と直流電源80が静電吸着テーブル10に印加する電圧値との関係、及び静電吸着テーブル10に直流電源80が印加する正電圧の目標の電圧値を記憶している。なお、静電吸着テーブル10に直流電源80が印加する正電圧の目標の電圧値は、予め設定された値であり、保持面11の帯電量が許容範囲内となる値であって、供給電圧調整部102による調整前に直流電源80が静電吸着テーブル10に印加する正電圧の電圧値である。
供給電圧調整部102は、表面電位計71の測定結果である保持面11の帯電量に応じた情報から前述した関係に基づいて、直流電源80が静電吸着テーブル10に印加している正電圧の電圧値を算出する。供給電圧調整部102は、予め記憶した正電圧の目標の電圧値と算出した直流電源80が静電吸着テーブル10に印加している正電圧の電圧値との差分を算出する。供給電圧調整部102は、予め記憶した正電圧の目標の電圧値よりも算出した直流電源80が静電吸着テーブル10に印加している正電圧の電圧値が大きな場合には、電圧調整部82を制御して、算出した差分分電圧値を小さくした正電圧を直流電源80から静電吸着テーブル10に印加させる。また、供給電圧調整部102は、予め記憶した正電圧の目標の電圧値よりも算出した直流電源80が静電吸着テーブル10に印加している正電圧の電圧値が小さい場合には、電圧調整部82を制御して、算出した差分分正電圧を大きくした正電圧を直流電源80から静電吸着テーブル10に印加させる。
例えば、正電圧の目標の電圧値が6000V(ボルト)であり、算出した直流電源80が静電吸着テーブル10に印加している正電圧の電圧値が6100(ボルト)である場合には、供給電圧調整部102は、電圧調整部82を制御して、5900V(ボルト)の正電圧を静電吸着テーブル10に印加させる。また、正電圧の目標の電圧値が6000V(ボルト)であり、算出した直流電源80が静電吸着テーブル10に印加している正電圧の電圧値が5900(ボルト)である場合には、供給電圧調整部102は、電圧調整部82を制御して、6100V(ボルト)の正電圧を静電吸着テーブル10に印加させる。
なお、比較部101の機能は、前述した演算処理装置が記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを実行することで実現される。供給電圧調整部102の機能は、記憶装置が前述した関係及び目標の電圧値を記憶すること、及び演算処理装置が記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを実行することで実現される。
また、帯電検査ユニット70は、報知部103を備える。報知部103は、表面電位計71の測定値である保持面11の帯電量が許容範囲を超えたことを報知するものである。報知部103は、音と光とのうち少なくとも一方を発して、プラズマエッチング装置1のオペレータに表面電位計71の測定値である保持面11の帯電量が許容範囲を超えたことを報知する。報知部103は、制御ユニット100と接続して、比較部101が表面電位計71の測定値である保持面11の帯電量が許容範囲を超えたと判定したことを示す情報を受け付けると、音と光とのうち少なくとも一方を発する。
次に、本明細書は、図1に示したプラズマエッチング装置1の加工動作を説明する。図4は、図1に示されたプラズマエッチング装置の帯電検査ユニットが、静電吸着テーブルの保持面の帯電量を測定する状態を示す側面図である。図5は、図1に示されたプラズマエッチング装置の搬送ユニットが、静電吸着テーブルの保持面に被加工物を搬送する状態を示す側面図である。
プラズマエッチング装置1は、まず、オペレータが入力手段を操作して加工内容情報を制御ユニット100に登録し、オペレータから加工動作の開始指示を制御ユニット100が受け付けると、加工動作を実施する。加工動作では、プラズマエッチング装置1の制御ユニット100は、スイッチ81を閉じて、直流電源80から正電圧の目標の電圧値の電力を下部電極17に印加して、保持面11を正電荷18に帯電させる。
制御ユニット100は、保持面11の帯電量を測定する帯電量測定タイミングにおいて、図4に示すように、保持面11の帯電量を帯電検査ユニット70で測定する。なお、帯電量測定タイミングは、帯電検査ユニット70が保持面11の帯電量を測定するタイミングであって、被加工物200予め定められた所定枚数プラズマエッチングする毎、又は、オペレータが入力手段を操作して帯電量を測定する指示を制御ユニット100が受け付けたタイミングである。
帯電量測定タイミングでは、制御ユニット100は、シャッター開閉手段46を構成するシリンダ47にピストンロッド48を下降させることによりシャッター45を下降させて搬出入用開口44を開けて、搬送ユニット60の駆動ユニット64に搬送パッド61をチャンバー40内に挿入させて、図4に示すように、表面電位計71の下面を静電吸着テーブル10の保持面11の直上でかつ保持面11と所定間隔300をあけた位置に配置する。表面電位計71は、保持面11の電荷を検出して、保持面11の帯電状態である帯電量に応じた情報を制御ユニット100に出力する。
制御ユニット100の比較部101は、表面電位計71の測定結果である保持面11の帯電量と予め設定された帯電量の許容範囲とを比較して、保持面11の帯電量が予め設定された帯電量の許容範囲外であるか否かを判定する。供給電圧調整部102は、保持面11の帯電量が予め設定された帯電量の許容範囲外であると比較部101が判定した場合に、静電吸着テーブル10に直流電源80から供給する正電圧の電圧値を調整し、保持面11の帯電量が許容範囲になるように調整する。
また、保持面11の帯電量が予め設定された帯電量の許容範囲外であると比較部101が判定した場合に、制御ユニット100は、比較部101が表面電位計71の測定値である保持面11の帯電量が許容範囲を超えたと判定したことを示す情報を報知部103に出力する。報知部103は、比較部101が表面電位計71の測定値である保持面11の帯電量が許容範囲を超えたと判定したことを示す情報を受け付けると、音と光とのうち少なくとも一方を発して、オペレータに保持面11の帯電量が許容範囲外である旨を報知する。
制御ユニット100は、帯電量測定タイミングにおいて、保持面11の帯電量が予め設定された帯電量の許容範囲外ではないと比較部101が判定した場合、又は、供給電圧調整部102が静電吸着テーブル10に直流電源80から印加する正電圧の電圧値を調整し、保持面11の帯電量が許容範囲になるように調整した後、搬送ユニット60の駆動ユニット64に搬送パッド61をチャンバー40外に移動させる。
制御ユニット100は、搬送ユニット60の搬送パッド61の吸着保持部65に仮置きチャックテーブル62上の被加工物200の上面202を吸引保持させる。制御ユニット100は、駆動ユニット64に搬送パッド61をチャンバー40内に挿入させて、図5に示すように、搬送パッド61に吸引保持した被加工物を静電吸着テーブル10の保持面11上でかつ保持面11と間隔をあけた位置に配置する。制御ユニット100は、駆動ユニット64に搬送ユニット60に被加工物200を静電吸着テーブル10の保持面11に載置させる。
すると、静電吸着テーブル10の保持面11が正電荷18に帯電しているので、被加工物200の下面201側が負電荷に帯電し、被加工物200の上面202側が正電荷に帯電する。静電吸着テーブル10と被加工物200とが互いに極性の異なる電荷に帯電するので、保持面11に静電吸着力により被加工物200が吸着保持された状態となる。制御ユニット100は、搬送パッド61の吸着保持部65の吸引保持を解除(停止)させた後、駆動ユニット64に搬送ユニット60をチャンバー40外に移動させる。
制御ユニット100は、シャッター開閉手段46にシャッター45を下降させてチャンバー40内を密閉する。このとき、チャンバー40の内部の圧力は大気圧となっている。制御ユニット100は、被加工物200の被加工面である上面202が上方に向けて露出した状態で、減圧手段53がチャンバー40内を減圧し、開閉弁32を開いて処理ガス供給源33から処理ガスをガス流通路31に送り込み、ガス噴出孔24から下方に向けて噴出させる。
制御ユニット100は、スイッチ81を閉じて直流電源80が下部電極17に正電圧を印加したまま、スイッチ34を閉じて、被加工物200と上部電極20との間に高周波電源35から高周波電圧を印加する。すると、静電吸着テーブル10と上部電極20との間で処理ガスがプラズマ化して、プラズマ化した処理ガスによって被加工物200の上面202がプラズマエッチングされる。
制御ユニット100は、被加工物200の上面202が所望量プラズマエッチングされると、処理ガス供給源33からチャンバー40内への処理ガスの供給を停止するとともに、スイッチ34を開いて静電吸着テーブル10と上部電極20との間への高周波電圧の印加を停止し、処理ガスのプラズマ化を停止する。このとき、制御ユニット100を、スイッチ81を閉じたままとし、下部電極17に正電圧(負電圧)を印加した状態を維持する。
制御ユニット100は、搬出入用開口44を開き、搬出入用開口44から処理ガスを外部に排出した後、シャッター開閉手段46にシャッター45を下降させて搬出入用開口44を開ける。制御ユニット100は、搬送ユニット60の駆動ユニット64に搬送パッド61をチャンバー40内に挿入して、搬送パッド61に被加工物200の上面202を吸引保持させる。
制御ユニット100は、スイッチ81を開いて直流電源80からの下部電極17への印加を停止し、静電吸着テーブル10による被加工物200の吸着保持を解除して、駆動ユニット64に搬送パッド61に吸引保持した被加工物200をチャンバー40外に搬送し、仮置きチャックテーブル62上に載置させる。このように、プラズマエッチング装置1は、被加工物200を1枚づつプラズマエッチングする。
実施形態1に係るプラズマエッチング装置1は、搬送ユニット60の搬送パッド61に表面電位計71を装着しているので、静電吸着テーブル10の保持面11の帯電量を搬送パッド61に装着された表面電位計71で測定する事が出来る。その結果、プラズマエッチング装置1は、下部電極17に電圧を印加した結果の実際の保持面11の帯電量を把握できるので、確実に被加工物200を吸着出来るか否かを容易に確認でき、被加工物200の吸着状況を容易に把握することができるという効果を奏する。
また、実施形態1に係るプラズマエッチング装置1は、搬送ユニット60の搬送パッド61に装着した表面電位計71が静電吸着テーブル10の保持面11の帯電量を測定するので、直流電源80から下部電極17に印加する回路に測定装置を接続する必要が生じない。
〔実施形態2〕
本発明の実施形態2に係るプラズマエッチンング装置を図面に基いて説明する。図6は、実施形態2に係るプラズマエッチング装置の搬送パッドの平面図である。図7は、実施形態2に係るプラズマエッチング装置のイオン化エアー供給部が静電吸着テーブルの保持面を除電する状態を示す図である。図6及び図7は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
実施形態2に係るプラズマエッチング装置1は、イオンン化エアー供給部であるイオナイザー72を備え、保持面11の帯電量が予め設定された帯電量の許容範囲外であると比較部101が判定した場合に、イオナイザー72が保持面11を一旦除電すること以外、実施形態1と同じである。
イオナイザー72は、図6に示すように、表面電位計71の両隣に取り付けられ、実施形態1では、二つ設けられている。イオナイザー72は、測定値である保持面11の帯電量が許容範囲を超えた場合、静電吸着テーブル10の保持面11にイオン化エアー73を供給して、保持面11の帯電量が許容範囲になるよう調整するものである。イオナイザー72は、所謂コロナ放電式除電器であって、保持面11の電荷を除電可能なイオン化エアー73を保持面11に向かって下方に送風して、保持面11を除電するものである。
実施形態2に係るプラズマエッチング装置1は、保持面11の帯電量が予め設定された帯電量の許容範囲外であると比較部101が判定した場合に、制御ユニット100がスイッチ81を開いて、直流電源80から下部電極17への正電圧の印加を停止する。制御ユニット100は、イオナイザー72に下方にイオン化エアー73を送風させながら駆動ユニット64に搬送パッド61を保持面11に沿って移動させて、保持面11全体にイオン化エアー73を吹きつけて、保持面11全体を除電する。実施形態1では、駆動ユニット64に図7に点線で示す搬送パッド61がチャンバー40の奥側の位置から搬出入用開口44を通してチャンバー40の外部に搬送パッド61を移動させながらイオナイザー72からイオン化エアー73を保持面11に送風させる。
制御ユニット100は、イオナイザー72による保持面11の除電が完了した後、制御ユニット100がスイッチ81を閉じて、直流電源80から下部電極17へ正電圧を印加する。このとき、実施形態1と同様に、供給電圧調整部102が電圧調整部82に調整させた電圧値の正電圧を印加しても良い。その後、実施形態2に係るプラズマエッチング装置1は、実施形態1と同様に、被加工物200をプラズマエッチングする。
実施形態2に係るプラズマエッチング装置1は、搬送ユニット60の搬送パッド61に表面電位計71を装着しているので、静電吸着テーブル10の保持面11の帯電量を搬送パッド61に装着された表面電位計71で測定する事が出来る。その結果、プラズマエッチング装置1は、下部電極17に電圧を印加した結果の実際の保持面11の帯電量を把握できるので、確実に被加工物200を吸着出来るか否かを容易に確認でき、被加工物200の吸着状況を容易に把握することができるという効果を奏する。
また、実施形態2に係るプラズマエッチング装置1は、搬送ユニット60の搬送パッド61にイオナイザー72を装着して、保持面11の帯電量が予め設定された帯電量の許容範囲外であると比較部101が判定した場合に、イオナイザー72により保持面11を一旦除電するので、保持面11の帯電量を許容範囲内となるように容易に調整することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明のプラズマエッチング装置1は、被加工物200の上面202をエッチングするエッチングステップと、エッチングステップに次いで被加工物200の上面202に被膜を堆積させる被膜堆積ステップとを交互に繰り返す、所謂ボッシュ法で被加工物200をプラズマエッチングしても良い。
1 プラズマエッチング装置
10 静電吸着テーブル
11 保持面
30 ガス供給ユニット
40 チャンバー
44 搬出入用開口
50 減圧ユニット
60 搬送ユニット
61 搬送パッド
70 帯電検査ユニット
71 表面電位計
72 イオナイザー(イオン化エアー供給部)
73 イオン化エアー
101 比較部
102 供給電圧調整部
103 報知部
200 被加工物

Claims (3)

  1. 被加工物を保持面に静電吸着して固定する静電吸着テーブルと、該静電吸着テーブルに保持された被加工物にプラズマ化した処理ガスを供給するガス供給ユニットと、該静電吸着テーブルと該ガス供給ユニットとを収容し被加工物の搬出入用開口を備えるチャンバーと、該チャンバー内を減圧する減圧ユニットと、搬送パッドで該被加工物を保持し該チャンバーの該静電吸着テーブルに搬入・搬出する搬送ユニットと、該保持面の帯電状態を検査する帯電検査ユニットと、を備え、
    該帯電検査ユニットは、
    該搬送パッドに装着され、下面が該搬送パッドの該被加工物を吸引保持する吸着保持部の表面と同一平面上に配置され、該下面が該保持面と所定間隔をあけた位置に配置されて、該下面が対面する該保持面の帯電量を測定する表面電位計と、
    該表面電位計の測定値と予め設定された帯電量の許容範囲とを比較する比較部と、
    該測定値が許容範囲を超えたことを報知する報知部と、を備えるプラズマエッチング装置。
  2. 該測定値が許容範囲を超えた場合、該静電吸着テーブルに供給する電圧を調整し、該保持面の帯電量が許容範囲になるよう調整する供給電圧調整部を備える請求項1に記載のプラズマエッチング装置。
  3. 該測定値が許容範囲を超えた場合、該静電吸着テーブルの保持面にイオン化エアーを供給して、該保持面の帯電量が許容範囲になるよう調整するイオン化エアー供給部を備え、該イオン化エアー供給部が、該表面電位計の隣に取り付けられている請求項1または請求項2に記載のプラズマエッチング装置。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004087576A (ja) 2002-08-23 2004-03-18 Nec Kyushu Ltd 真空処理装置
JP2007311462A (ja) 2006-05-17 2007-11-29 Disco Abrasive Syst Ltd 静電チャックテーブル機構
JP2018014383A (ja) 2016-07-20 2018-01-25 株式会社ディスコ 吸着確認方法、離脱確認方法、及び減圧処理装置
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Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004087576A (ja) 2002-08-23 2004-03-18 Nec Kyushu Ltd 真空処理装置
JP2007311462A (ja) 2006-05-17 2007-11-29 Disco Abrasive Syst Ltd 静電チャックテーブル機構
JP2018014383A (ja) 2016-07-20 2018-01-25 株式会社ディスコ 吸着確認方法、離脱確認方法、及び減圧処理装置
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