JP6999241B2

JP6999241B2 - プラズマエッチング装置

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Publication number: JP6999241B2
Application number: JP2018139483A
Authority: JP
Inventors: 涼子藤谷
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2018-07-25
Filing date: 2018-07-25
Publication date: 2022-01-18
Anticipated expiration: 2038-07-25
Also published as: JP2020017624A

Description

本発明は、半導体ウェーハ等の被加工物をプラズマ化されたガスを用いて加工するプラズマエッチング装置に関する。

表面側にＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等でなるデバイスが形成された半導体ウェーハを分割予定ライン（ストリート）に沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ含む複数のデバイスチップが得られる。このデバイスチップは様々な電子機器に内蔵されており、近年、電子機器の小型化、薄型化に伴いデバイスチップにも小型化、薄型化が求められている。

そこで、半導体ウェーハの裏面側を研削砥石で研削することによってデバイスチップを薄くする手法が用いられている。しかしながら、半導体ウェーハの裏面側を研削砥石で研削すると、研削された領域には微細な凹凸やクラックが形成されることがある。この凹凸やクラックが形成された領域（歪み層）が存在すると半導体ウェーハの抗折強度が低下するため、歪み層は研削加工後に除去されることが望まれる。歪み層の除去は、例えば半導体ウェーハの裏面側に対してプラズマエッチングを施すことによって実施される。

上記のプラズマエッチングは、プラズマエッチング装置を用いて行われる。特許文献１には、被加工物が配置される下部電極と、下部電極の上方に配置された上部電極との間に電圧を印加することによってエッチング用のガスをプラズマ化し、これを被加工物に照射することによって被加工物をエッチングするプラズマエッチング装置が開示されている。

特開平１０－８２６９号公報

プラズマエッチングによって被加工物を加工する際には、被加工物の厚さの測定が行われる。例えば、加工前の被加工物の厚さを測定することにより、被加工物の表面の凹凸の状態や被加工物の寸法が確認される。また、加工後の被加工物の厚さを測定することにより、被加工物が意図した厚さに加工されているか否かが確認される。

被加工物の厚さの測定は、プラズマエッチング装置とは別途設けられた専用の測定装置を用いて行われる。そのため、被加工物をプラズマエッチングによって加工する前後では、被加工物を測定装置に搬入し、被加工物の厚さを測定し、被加工物を測定装置から搬出する作業が必要となる。その結果、被加工物を加工する際に実施される工程の数が増加し、スループットが低下する。

本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、被加工物の厚さを測定する工程を簡略化することが可能なプラズマエッチング装置を提供することを課題とする。

本発明の一態様によれば、被加工物を静電吸着によって保持する保持面を備える静電吸着テーブルと、該静電吸着テーブルによって保持された該被加工物にプラズマ処理を施すためのガスを供給するガス供給ユニットと、該静電吸着テーブルを収容し、該被加工物を搬入及び搬出するための開口を備えるチャンバーと、該チャンバー内を減圧する減圧ユニットと、該被加工物を保持する搬送パッドを備え、該被加工物の該静電吸着テーブル上への搬入、及び、該被加工物の該静電吸着テーブル上からの搬出を行う搬送ユニットと、該被加工物の厚さを測定する非接触式の厚さ測定器と、を備え、該厚さ測定器は、該搬送パッドに装着されており、該搬送ユニットによって該静電吸着テーブル上に配置された該被加工物と対向するように位置付けられるプラズマエッチング装置が提供される。

また、本発明の一態様において、該厚さ測定器は、該開口を介して該搬送パッドを該チャンバー内に移動させるときの該搬送パッドの進行方向先端部、又は、該開口を介して該搬送パッドを該チャンバー外に移動させるときの該搬送パッドの進行方向後端部に装着され、該保持面と平行な方向に沿って該被加工物の厚さを測定してもよい。

また、本発明の一態様において、該プラズマエッチング装置は、該厚さ測定器による測定によって得られた測定値を記憶する記憶部と、該測定値を表示する表示部と、を更に備え、該測定値が予め設定された許容範囲を外れている場合に、該表示部に警告情報が表示されてもよい。

本発明の一態様に係るプラズマエッチング装置は、被加工物のチャンバー内への搬入と、被加工物のチャンバー外への搬出とを行う搬送ユニットに装着された厚さ測定器を備える。そして、搬送ユニットによって被加工物の搬入又は搬出を行いつつ、搬送ユニットに装着された厚さ測定器によって被加工物の厚さを測定する。これにより、専用の測定装置を用いた被加工物の厚さの測定が省略され、被加工物の厚さを測定する工程が簡略化される。

プラズマエッチング装置を示す断面模式図である。被加工物を示す斜視図である。厚さ測定器によって被加工物の厚さが測定される様子を示す一部断面正面図である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、被加工物の搬入時に被加工物の厚さが測定される様子を示す一部断面正面図である。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、被加工物の搬出時に被加工物の厚さが測定される様子を示す一部断面正面図である。厚さ測定器によって被加工物の厚さを測定した結果を示すグラフである。

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は、プラズマ化されたガスを用いて被加工物を加工するプラズマエッチング装置に関する。本実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成例を、図１を参照して説明する。

図１は、プラズマエッチング装置２を示す断面模式図である。プラズマエッチング装置２は、半導体ウェーハ等の被加工物に対してプラズマエッチングを施す。プラズマエッチング装置２によって加工される被加工物の材質、形状、大きさ等に制限はない。例えば、半導体（シリコン、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料によって形成された被加工物がプラズマエッチング装置２によって加工される。

図２は、プラズマエッチング装置２によって加工される被加工物の構成例を示す斜視図である。被加工物１１は、表面１１ａ及び裏面１１ｂを備える円盤状に形成されている。また、被加工物１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の領域に区画されており、この複数の領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等でなるデバイス１５が形成されている。

被加工物１１を分割予定ライン１３に沿って分割することにより、デバイス１５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。なお、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等に制限はない。

被加工物１１を分割する前に被加工物１１の裏面１１ｂ側を研削砥石によって研削することにより、薄型化されたデバイスチップが得られる。しかしながら、被加工物１１の裏面１１ｂ側を研削すると、研削された領域には微細な凹凸やクラックが形成されることがある。この凹凸やクラックが形成された領域（歪み層）が存在すると被加工物１１の抗折強度が低下するため、歪み層は研削加工後に除去されることが好ましい。図１に示すプラズマエッチング装置２は、例えばこの歪み層の除去に用いられる。

図１に示すプラズマエッチング装置２は、処理空間４を形成するチャンバー６を備える。チャンバー６は、底壁６ａと、上壁６ｂと、第１側壁６ｃと、第２側壁６ｄと、第３側壁６ｅと、第４側壁（不図示）とを含む直方体状に形成されており、第２側壁６ｄには、被加工物１１を搬入及び搬出するための開口８が設けられている。

チャンバー６の外側には、開口８を開閉するゲート１０が設けられている。このゲート１０は、開閉機構１２によって上下に移動する。開閉機構１２は、エアシリンダ１４と、ピストンロッド１６とを含んでいる。エアシリンダ１４はチャンバー６の第２側壁６ｄに固定されており、ピストンロッド１６の先端はゲート１０の下部に連結されている。開閉機構１２でゲート１０を開くことにより、被加工物１１のチャンバー６内（処理空間４）への搬入、及び、被加工物１１のチャンバー６外への搬出が可能となる。

チャンバー６の底壁６ａには、排気口１８が形成されている。この排気口１８は、チャンバー６内の処理空間４を減圧する減圧ユニット２０と接続されている。減圧ユニット２０は、例えば真空ポンプ等によって構成される。

チャンバー６内の処理空間４には、被加工物１１を静電吸着によって保持する静電吸着テーブル２２と、静電吸着テーブル２２の上方に設けられた上部電極２４とが、互いに対向するように収容されている。静電吸着テーブル２２は導電性の材料で形成されており、円盤状のテーブル部２６と、テーブル部２６の下面側の中央部から下方に突出する円柱状の支持部２８とを備える。

支持部２８は、チャンバー６の底壁６ａに形成された開口３０に挿入されている。開口３０内部の、底壁６ａと支持部２８との間に位置する領域には環状の絶縁部材３２が配置されており、絶縁部材３２によってチャンバー６と静電吸着テーブル２２とが絶縁されている。また、静電吸着テーブル２２は、スイッチ３４を介して高周波電源３６と接続されている。

テーブル部２６の上面には凹部が形成されており、この凹部には、セラミックス等の絶縁材料でなり被加工物１１を保持する保持部３８が設けられている。保持部３８の上面は、被加工物１１を保持する保持面３８ａを構成している。保持面３８ａは、保持部３８に形成された貫通孔（不図示）及び吸引路４０を介して吸引源４２と接続されている。また、テーブル部２６の内部には下部電極（不図示）が設けられており、この下部電極は導線部４４及びスイッチ４６を介して直流電源４８と接続されている。

また、テーブル部２６の内部には冷却流路５０が形成されている。冷却流路５０の一端側は支持部２８の内部に形成された冷媒導入路５２と接続され、冷却流路５０の他端側は支持部２８の内部に形成された冷媒排出路５４と接続されている。また、冷媒導入路５２と冷媒排出路５４とはそれぞれ、冷媒循環機構５６と接続されている。冷媒循環機構５６を作動させると、冷媒（冷水など）が冷媒導入路５２、冷却流路５０、冷媒排出路５４の順に流れ、静電吸着テーブル２２が冷却される。

上部電極２４は導電性の材料で形成されており、アースに接続されている。上部電極２４は、円盤状のガス噴出部５８と、ガス噴出部５８の上面側の中央部から上方に突出する円柱状の支持部６０とを備えており、支持部６０はチャンバー６の上壁６ｂに形成された開口６２に挿入されている。開口６２内部の、上壁６ｂと支持部６０との間に位置する領域には環状の絶縁部材６４が配置されており、絶縁部材６４によってチャンバー６と上部電極２４とが絶縁されている。

支持部６０の上端部には、昇降機構６６と連結された支持アーム６８が取り付けられている。この昇降機構６６及び支持アーム６８によって、上部電極２４の鉛直方向（上下方向）における移動が制御される。

ガス噴出部５８には、ガス噴出部５８の下面５８ａで開口する複数の噴出孔７０が形成されている。この噴出孔７０は、ガス噴出部５８の内部に形成された流路７２、及び支持部６０の内部に形成された流路７４を介して、被加工物１１にプラズマ処理を施すためのガスを供給するガス供給ユニット７６と接続されている。

ガス供給ユニット７６は、バルブ７８と、バルブ７８を介して流路７４と接続されたガス供給源８０とを備える。バルブ７８が開かれると、ガス供給源８０からバルブ７８、流路７４、流路７２、及び複数の噴出孔７０を介して、処理空間４にガスが供給される。

また、チャンバー６外には、被加工物１１が仮置きされる仮置きテーブル９０が設けられている。仮置きテーブル９０の上面は、被加工物１１を保持する保持面９０ａを構成している。チャンバー６内に搬入される被加工物１１、又はチャンバー６内から搬出された被加工物１１は、仮置きテーブル９０の保持面９０ａ上に配置される。

仮置きテーブル９０の上方には、被加工物１１を搬送する搬送ユニット９２が設けられている。搬送ユニット９２は、仮置きテーブル９０上に仮置きされた被加工物１１をチャンバー６内に搬入する機能と、チャンバー６内に配置された被加工物１１を仮置きテーブル９０上に搬出する機能とを備える。

搬送ユニット９２は、被加工物１１を保持する搬送パッド９４を備える。搬送パッド９４の下面は被加工物１１を保持する保持面９４ａを構成しており、保持面９４ａは例えば吸引源（不図示）と接続されている。被加工物１１の表面１１ａ又は裏面１１ｂが搬送パッド９４の保持面９４ａと接した状態で、吸引源の負圧を保持面９４ａに作用させると、被加工物１１が搬送パッド９４によって吸引保持される。

搬送パッド９４は搬送アーム９６によって支持されており、搬送アーム９６は搬送パッド９４の位置を制御する移動ユニット９８と連結されている。移動ユニット９８は、搬送アーム９６を鉛直方向（矢印Ａで示す方向）に移動させる第１移動機構１００と、第１移動機構１００を水平方向（矢印Ｂで示す方向）に移動させる第２移動機構１０２とを備える。被加工物１１を保持した搬送パッド９４の位置を移動ユニット９８によって制御することにより、被加工物１１が搬送される。

プラズマエッチング装置２によって被加工物１１を加工する際は、まず、開閉機構１２によってゲート１０を下降させる。そして、仮置きテーブル９０上に仮置きされた被加工物１１を搬送ユニット９２によってチャンバー６内に搬入し、静電吸着テーブル２２が備える保持部３８の保持面３８ａ上に配置する。この状態で、保持面３８ａに吸引路４０を介して吸引源４２の負圧を作用させると、被加工物１１が静電吸着テーブル２２によって吸引保持される。

なお、被加工物１１の搬入時には、昇降機構６６によって上部電極２４を上昇させ、静電吸着テーブル２２と上部電極２４との間隔を広げておく。これにより、搬入時における搬送ユニット９２と上部電極２４との接触が防止される。

そして、搬送パッド９４をチャンバー６外に移動させた後、開閉機構１２によってゲート１０を上昇させ、処理空間４を密閉する。また、静電吸着テーブル２２と上部電極２４との距離がプラズマ加工に適した距離となるように、上部電極２４の位置を昇降機構６６によって調節する。そして、減圧ユニット２０を作動させてチャンバー６内を減圧し、処理空間４を減圧状態（真空状態）にする。

なお、チャンバー６内を減圧すると、吸引源４２の負圧による被加工物１１の保持が困難になることがある。この場合には、直流電源４８から保持部３８に埋め込まれた下部電極に電圧を付加することにより、保持部３８の保持面３８ａに静電気を発生させる。この静電気によって被加工物１１が保持面３８ａに保持される。

静電吸着テーブル２２によって被加工物１１を保持した状態で、ガス供給ユニット７６からプラズマ加工用のガスを処理空間４に所定の流量で供給しつつ、高周波電源３６から静電吸着テーブル２２に所定の高周波電力を供給する。これにより、静電吸着テーブル２２と上部電極２４との間に供給されたガスがプラズマ化してイオンやラジカルが発生し、このイオンやラジカルが被加工物１１に照射されることによって被加工物１１が加工される。

被加工物１１の加工が完了したら、ガスの供給及び高周波電力の供給を停止する。そして、開閉機構１２でゲート１０を下降させ、静電吸着テーブル２２によって保持された被加工物１１を搬送ユニット９２によってチャンバー６外に搬出し、仮置きテーブル９０上に配置する。

プラズマエッチングによって被加工物１１を加工する際には、被加工物１１の厚さの測定が行われる。例えば、加工前の被加工物１１の厚さを測定することにより、被加工物１１の表面の凹凸の状態や被加工物１１の寸法が確認される。また、加工後の被加工物１１の厚さを測定することにより、被加工物１１が意図した厚さに加工されているか否かが確認される。

従来、被加工物１１の厚さの測定は、例えばプラズマエッチング装置２とは別途設けられた専用の測定装置を用いて行われていた。この場合、被加工物１１をプラズマエッチングによって加工する前後において、被加工物１１を測定装置に搬入し、被加工物１１の厚さを測定し、被加工物１１を測定装置から搬出する作業が必要となる。その結果、被加工物１１を加工する際に実施される工程の数が増加し、スループットが低下する。

本実施形態に係るプラズマエッチング装置２は、被加工物１１のチャンバー６内への搬入と、被加工物１１のチャンバー６外への搬出とを行う搬送ユニット９２に装着された厚さ測定器を備える。そして、搬送ユニット９２によって被加工物１１の搬入又は搬出を行いつつ、搬送ユニット９２に装着された厚さ測定器によって被加工物１１の厚さを測定する。これにより、専用の測定装置を用いた被加工物１１の厚さの測定が省略され、被加工物の厚さを測定する工程が簡略化される。

図１に示すように、搬送ユニット９２の搬送パッド９４の端部には、被加工物１１の厚さを測定する厚さ測定器１１０が装着されている。厚さ測定器１１０としては例えば、被加工物１１の厚さを被加工物１１に接触することなく測定可能な非接触式の厚さ測定器が用いられる。非接触式の厚さ測定器１１０を用いることにより、被加工物１１と測定器１１０との接触による被加工物１１の損傷が回避される。以下、非接触式の厚さ測定器１１０として分光干渉式の厚さ測定器を用いた例について説明する。

図３は、分光干渉式の厚さ測定器１１０によって被加工物１１の厚さが測定される様子を示す一部断面正面図である。図３では一例として、被加工物１１の表面１１ａ側が静電吸着テーブル２２の保持部３８によって支持されている状態を示している。なお、被加工物１１は、表面１１ａ側に形成されたデバイス１５（図２参照）を保護するための保護部材を介して、保持部３８上に配置されていてもよい。

被加工物１１の厚さを測定する際には、厚さ測定器１１０から被加工物１１に向かって光１１２が照射される。被加工物１１に光１１２が照射されると、被加工物１１の裏面１１ｂで反射する光と、被加工物１１を透過して表面１１ａで反射する光とが干渉して、強度が被加工物１１の厚さに依存する反射光１１４が得られる。この反射光１１４を分光して波形解析を行うことにより、被加工物１１の厚さを特定できる。

次に、厚さ測定器１１０を用いて被加工物１１の厚さを測定する方法の具体例を説明する。被加工物１１の厚さの測定は、被加工物１１を静電吸着テーブル２２上に搬入する際、又は、静電吸着テーブル２２上から被加工物１１を搬出する際に行われる。ただし、被加工物の搬入時及び搬出時の両方において被加工物１１の厚さの測定を行ってもよい。

図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、被加工物１１の搬入時に被加工物１１の厚さが測定される様子を示す一部断面正面図である。まず、仮置きテーブル９０（図１参照）上に仮置きされた被加工物１１を搬送ユニット９２の搬送パッド９４によって保持する。そして、移動ユニット９８によって搬送パッド９４をチャンバー６内に移動させ、被加工物１１を静電吸着テーブル２２が備える保持部３８の保持面３８ａ上に搬送する（図４（Ａ）参照）。

その後、被加工物１１を静電吸着テーブル２２によって保持し、搬送パッド９４による被加工物１１の保持を解除する。そして、搬送パッド９４をチャンバー６の開口８（図１参照）を介してチャンバー６外に移動させる（図４（Ｂ）参照）。

ここで、図４（Ｂ）に示すように厚さ測定器１１０は、開口８を介して搬送パッド９４をチャンバー６外に移動させるときの搬送パッド９４の進行方向（矢印Ｃで示す方向）の後端部に装着されている。そのため、搬送パッド９４をチャンバー６外に移動させる際、厚さ測定器１１０は被加工物１１の上方で保持面３８ａと平行な方向（水平方向）に沿って移動する。このとき厚さ測定器１１０から被加工物１１に向かって光１１２を照射すると、水平方向に沿って被加工物１１の厚さが測定される。

図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、被加工物１１の搬出時に被加工物１１の厚さが測定される様子を示す一部断面正面図である。まず、移動ユニット９８によって搬送パッド９４をチャンバー６内に移動させ、図５（Ａ）に示すように、搬送パッド９４の保持面９４ａと静電吸着テーブル２２上に配置された被加工物１１とが対向するように搬送パッド９４を位置付ける。

なお、図５（Ａ）に示すように厚さ測定器１１０は、開口８を介して搬送パッド９４をチャンバー６内に移動させるときの搬送パッド９４の進行方向（矢印Ｄで示す方向）の先端部に装着されている。そのため、搬送パッド９４をチャンバー６内に移動させる際、厚さ測定器１１０は被加工物１１の上方で保持面３８ａと平行な方向（水平方向）に沿って移動する。このとき厚さ測定器１１０から被加工物１１に向かって光１１２を照射すると、水平方向に沿って被加工物１１の厚さが測定される。

その後、搬送パッド９４の保持面９４ａと被加工物１１とを接触させ、被加工物１１を搬送パッド９４によって保持する。そして、搬送パッド９４をチャンバー６の開口８（図１参照）を介してチャンバー６外に移動させ、被加工物１１を搬出する（図５（Ｂ）参照）。チャンバー６外に搬出された被加工物１１は、図１に示す仮置きテーブル９０上に配置される。

なお、図５（Ａ）に示すように搬送パッド９４をチャンバー６内に向かって移動させながら被加工物１１の厚さを測定した結果、被加工物１１が意図した厚さまでエッチングされていないことが確認された場合は、被加工物１１を搬出せずにプラズマ処理を続行してもよい。

上記のように、搬送パッド９４に厚さ測定器１１０を装着することにより、被加工物１１をチャンバー６に搬入、又は被加工物１１をチャンバー６から搬出するとともに、被加工物１１の厚さを測定することが可能となる。これにより、被加工物１１の厚さを測定する工程を簡略化できる。

また、被加工物１１の厚さの測定時、厚さ測定器１１０の移動は被加工物１１の搬送を行う搬送ユニット９２によって制御される。そのため、厚さ測定器１１０を移動させるための移動機構を新たに設けることなく被加工物１１の厚さを測定でき、コストの削減及び省スペース化を図ることができる。

なお、被加工物１１を搬送しながら被加工物１１の厚さを測定する際、搬送パッド９４の移動によって振動が生じ、搬送パッド９４の移動中に厚さ測定器１１０と被加工物１１との間の距離が僅かに変動する場合がある。しかしながら、分光干渉式の厚さ測定器１１０は図３に示すように、被加工物１１の裏面１１ｂで反射する光と、被加工物１１を透過して表面１１ａで反射する光との干渉を利用して被加工物１１の厚さを測定するため、上記の距離の変動による影響を受けずに被加工物１１の厚さを測定できる。

図６は、搬送パッド９４に装着された分光干渉式の厚さ測定器１１０によって被加工物１１の厚さを測定した結果を示すグラフである。図６中の破線はプラズマエッチング前の被加工物１１の厚さを示し、実線はプラズマエッチング後の被加工物１１の厚さを示す。

被加工物１１を搬送する際の搬送パッド９４の振動は不規則であり、加工前の被加工物１１の厚さ測定時と加工後の被加工物１１の厚さ測定時では搬送パッド９４の振動は異なる。しかしながら、図６に示すように、加工後の被加工物１１の厚さを示すグラフ（実線）には、加工前の被加工物１１の厚さの微小なばらつき（μｍオーダー以下）が反映されている。

これより、搬送パッド９４の振動による厚さ測定器１１０と被加工物１１との間の距離の変動が被加工物１１の厚さの測定に影響していないことが分かる。このように、搬送パッド９４には特に分光干渉式の厚さ測定器を装着することが好ましい。

また、搬送ユニット９２には図１に示すように、厚さ測定器１１０によって測定した被加工物１１の厚さを記憶する記憶部１２０と、厚さ測定器１１０によって測定した被加工物１１の厚さを表示する表示部１２２とが接続されている。なお、表示部１２２には、測定器１１０によって測定された被加工物１１の厚さが予め設定された許容範囲を外れている場合に、その旨を報知する警告情報が表示されてもよい。

プラズマエッチング装置を構成する各構成要素（開閉機構１２、減圧ユニット２０、高周波電源３６、吸引源４２、直流電源４８、冷媒循環機構５６、昇降機構６６、ガス供給ユニット７６、搬送ユニット９２、厚さ測定器１１０、記憶部１２０、表示部１２２等）はそれぞれ、プラズマエッチング装置２の制御部（不図示）に接続されている。この制御部によって、上記の構成要素の動作がそれぞれ制御される。

以上の通り、本実施形態に係るプラズマエッチング装置２は、被加工物１１のチャンバー６内への搬入と、被加工物１１のチャンバー６外への搬出とを行う搬送ユニット９２に装着された厚さ測定器１１０を備える。そして、搬送ユニット９２によって被加工物１１の搬入又は搬出を行いつつ、搬送ユニット９２に装着された厚さ測定器１１０によって被加工物１１の厚さを測定する。これにより、専用の測定装置を用いた被加工物１１の厚さの測定が省略され、被加工物１１の厚さを測定する工程が簡略化される。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１１被加工物
１１ａ表面
１１ｂ裏面
１３分割予定ライン
１５デバイス
２プラズマエッチング装置
４処理空間
６チャンバー
６ａ底壁
６ｂ上壁
６ｃ第１側壁
６ｄ第２側壁
６ｅ第３側壁
８開口
１０ゲート
１２開閉機構
１４エアシリンダ
１６ピストンロッド
１８排気口
２０減圧ユニット
２２静電吸着テーブル
２４上部電極
２６テーブル部
２８支持部
３０開口
３２絶縁部材
３４スイッチ
３６高周波電源
３８保持部
３８ａ保持面
４０吸引路
４２吸引源
４４導線部
４６スイッチ
４８直流電源
５０冷却流路
５２冷媒導入路
５４冷媒排出路
５６冷媒循環機構
５８ガス噴出部
５８ａ下面
６０支持部
６２開口
６４絶縁部材
６６昇降機構
６８支持アーム
７０噴出孔
７２流路
７４流路
７６ガス供給ユニット
７８バルブ
８０ガス供給源
９０仮置きテーブル
９０ａ保持面
９２搬送ユニット
９４搬送パッド
９４ａ保持面
９６搬送アーム
９８移動ユニット
１００第１移動機構
１０２第２移動機構
１１０厚さ測定器
１１２光
１１４反射光
１２０記憶部
１２２表示部

Claims

被加工物を静電吸着によって保持する保持面を備える静電吸着テーブルと、
該静電吸着テーブルによって保持された該被加工物にプラズマ処理を施すためのガスを供給するガス供給ユニットと、
該静電吸着テーブルを収容し、該被加工物を搬入及び搬出するための開口を備えるチャンバーと、
該チャンバー内を減圧する減圧ユニットと、
該被加工物を保持する搬送パッドを備え、該被加工物の該静電吸着テーブル上への搬入、及び、該被加工物の該静電吸着テーブル上からの搬出を行う搬送ユニットと、
該被加工物の厚さを測定する非接触式の厚さ測定器と、を備え、
該厚さ測定器は、該搬送パッドに装着されており、該搬送ユニットによって該静電吸着テーブル上に配置された該被加工物と対向するように位置付けられることを特徴とするプラズマエッチング装置。
該厚さ測定器は、該開口を介して該搬送パッドを該チャンバー内に移動させるときの該搬送パッドの進行方向先端部、又は、該開口を介して該搬送パッドを該チャンバー外に移動させるときの該搬送パッドの進行方向後端部に装着され、該保持面と平行な方向に沿って該被加工物の厚さを測定することを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング装置。
該厚さ測定器による測定によって得られた測定値を記憶する記憶部と、
該測定値を表示する表示部と、を更に備え、
該測定値が予め設定された許容範囲を外れている場合に、該表示部に警告情報が表示されることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマエッチング装置。