JP7062330B2 - ダイボンド用樹脂層形成装置 - Google Patents

ダイボンド用樹脂層形成装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7062330B2
JP7062330B2 JP2017215843A JP2017215843A JP7062330B2 JP 7062330 B2 JP7062330 B2 JP 7062330B2 JP 2017215843 A JP2017215843 A JP 2017215843A JP 2017215843 A JP2017215843 A JP 2017215843A JP 7062330 B2 JP7062330 B2 JP 7062330B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid resin
wafer
coating
resin layer
chuck table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017215843A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019087673A (ja
Inventor
一馬 関家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2017215843A priority Critical patent/JP7062330B2/ja
Priority to US16/181,840 priority patent/US20190139928A1/en
Publication of JP2019087673A publication Critical patent/JP2019087673A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7062330B2 publication Critical patent/JP7062330B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743Apparatus for manufacturing layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/274Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2741Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/27416Spin coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/274Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2741Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/27418Spray coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/275Manufacturing methods by chemical or physical modification of a pre-existing or pre-deposited material
    • H01L2224/27515Curing and solidification, e.g. of a photosensitive layer material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7565Means for transporting the components to be connected
    • H01L2224/75651Belt conveyor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757Means for aligning
    • H01L2224/75743Suction holding means
    • H01L2224/75744Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862Heat curing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83874Ultraviolet [UV] curing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、表面側に複数のデバイスを備えるウェーハの裏面側にダイボンド用の樹脂層を形成するダイボンド用樹脂層形成装置に関する。
表面側に複数のデバイスが形成されたウェーハは、例えば、分割予定ライン(ストリート)に沿って切削加工、又はレーザー加工されて、各デバイスに対応する複数のデバイスチップへと分割される。このデバイスチップを基板や別のデバイスチップ等に重ねて固定するために、デバイスチップの裏面側にダイアタッチフィルム(DAF:Die Attach Film)と呼ばれる薄膜状の接着剤を設けることがある。
ダイアタッチフィルムは、例えば、ウェーハの全体を覆うことができる大きさに形成されており、分割前のウェーハの裏面に貼付される。ウェーハの裏面にダイアタッチフィルムを貼付してから、このダイアタッチフィルムをウェーハとともに分割することで、裏面側に接着剤を備えたデバイスチップを形成できる。
ところで、ウェーハの表面側に分割用の溝を形成してから裏面側を研削する先ダイシング(DBG:Dicing Before Grinding)等の加工方法を採用する場合には、分割前のウェーハの裏面にダイアタッチフィルムを貼付することができない。そこで、この場合には、例えば、ウェーハを複数のデバイスチップへと分割してから、その裏面にダイアタッチフィルムを貼付している。
ところが、この方法では、ダイアタッチフィルムを貼付した後、レーザー加工等によってダイアタッチフィルムのみを分断しなくてはならないので(例えば、特許文献1参照)、デバイスチップの製造に係るコストが高くなり易い。この問題に対して、デバイスチップへと分割された後のウェーハの裏面に液状の樹脂を吹き付け、接着剤として機能する樹脂層を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2014-220417号公報 特開2017-41574号公報
しかしながら、上述のような液状の樹脂を分割後のウェーハに吹き付ける方法では、デバイスチップの外縁部より中央部で樹脂層が厚くなったり、薄くなったりして、凹凸が発生し易い。そのため、この方法で形成される樹脂層を接着剤として用いると、対象の基板等に対してデバイスチップの接着面全体を適切に接着できない可能性が高くなる。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、平坦性の高いダイボンド用の樹脂層をウェーハに形成できるダイボンド用樹脂層形成装置を提供することである。
本発明の一態様によれば、複数の分割予定ラインで区画された表面側の複数の領域にデバイスが形成されるとともに、該表面側に保護部材が貼付され該分割予定ラインに沿って分割されたウェーハの裏面側にダイボンド用樹脂層を形成するダイボンド用樹脂層形成装置であって、該裏面側が露出するように該ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの該裏面側に液状樹脂を塗布する塗布ユニットと、を含む液状樹脂塗布部と、該液状樹脂塗布部で該液状樹脂が塗布された該ウェーハを保持して1分以上待機することにより該ウェーハに塗布された該液状樹脂の平坦性を高めながら該液状樹脂を乾燥させる待機部と、該待機部で乾燥させた該液状樹脂に外的刺激を付与し、該液状樹脂を硬化させてダイボンド用樹脂層を形成する硬化部と、該液状樹脂塗布部又は該待機部と該硬化部との間で該ウェーハを搬送する搬送ユニットと、該液状樹脂塗布部での該液状樹脂の塗布と該待機部での該液状樹脂の乾燥とを繰り返すとともに、該ウェーハに該液状樹脂を塗布した回数に応じて、該待機部で該液状樹脂を乾燥させるか、該待機部で該液状樹脂を乾燥させずに該硬化部で該液状樹脂を硬化させるかを選択する制御ユニットと、を備えるダイボンド用樹脂層形成装置が提供される。
本発明の一態様において、該搬送ユニットは、該ウェーハを支持する支持板を下面側から保持できる形状の複数の爪を有する搬送ハンドを含んでいても良い。
また、本発明の一態様において、該液状樹脂塗布部は、それぞれ該チャックテーブル及び該塗布ユニットを含む第1液状樹脂塗布部と第2液状樹脂塗布部とを有し、該第1液状樹脂塗布部の該チャックテーブルと該第2液状樹脂塗布部の該チャックテーブルとは、該待機部としても使用され、該第1液状樹脂塗布部の該塗布ユニットで該液状樹脂が塗布された後の該ウェーハを該第1液状樹脂塗布部の該チャックテーブルで保持して待機し、該液状樹脂を乾燥させた後に、該第2液状樹脂塗布部の該塗布ユニットで該ウェーハに該液状樹脂を更に塗布しても良い。
本発明の一態様に係るダイボンド用樹脂層形成装置は、ウェーハに液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布部と、ウェーハに塗布された液状樹脂の平坦性を高めながら液状樹脂を乾燥させる待機部と、待機部で乾燥させた液状樹脂を硬化させてダイボンド用樹脂層を形成する硬化部と、を備えている。
そのため、液状樹脂塗布部でウェーハの裏面側に液状樹脂を塗布し、待機部で液状樹脂の平坦性を高めながら液状樹脂を乾燥させ、その後、硬化部で液状樹脂を硬化させることにより、平坦性の高いダイボンド用の樹脂層をウェーハの裏面側に形成できる。このように、本発明の一態様によれば、平坦性の高いダイボンド用樹脂層をウェーハに形成できるダイボンド用樹脂層形成装置が得られる。
ダイボンド用樹脂層形成装置の構成例を模式的に示す平面図である。 ウェーハ等の構成例を模式的に示す斜視図である。 ウェーハの裏面側に液状の樹脂が塗布される様子を模式的に示す一部断面側面図である。 図4(A)は、液状の樹脂層の平坦性を高めながら液状の樹脂層を乾燥させる様子を模式的に示す一部断面側面図であり、図4(B)は、図4(A)の一部を拡大した図である。 液状の樹脂層を硬化させる様子を模式的に示す一部断面側面図である。 変形例に係るウェーハ等の構成例を模式的に示す斜視図である。 図7(A)は、支持板にウェーハを重ねる様子を模式的に示す斜視図であり、図7(B)は、支持板にウェーハを重ねる様子を模式的に示す一部断面側面図である。 図8(A)は、支持板にウェーハが重ねられた状態を模式的に示す斜視図であり、図8(B)は、支持板にウェーハが重ねられた状態を模式的に示す一部断面側面図である。 図9(A)、図9(B)、及び図9(C)は、ウェーハを支持板とともに搬送する様子を模式的に示す一部断面側面図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図1は、本実施形態に係るダイボンド用樹脂層形成装置2の構成例を模式的に示す平面図である。なお、図1では、一部の構成要素を機能ブロックで示している。
図1に示すように、ダイボンド用樹脂層形成装置2は、各構成要素を支持する基台4を備えている。基台4の前方側の角部には、昇降機構(不図示)によって昇降するカセット支持台6が設けられている。カセット支持台6の上面には、複数のウェーハ11を収容するカセット8が載せられる。
図2は、ウェーハ11等の構成例を模式的に示す斜視図である。ウェーハ11は、例えば、シリコン等の半導体材料を用いて円盤状に形成される。ウェーハ11の表面11a(図2では、下面)側は、交差する複数の分割予定ライン(ストリート)によって複数の領域に区画されており、各領域には、IC(Integrated Circuit)等のデバイス(不図示)が形成されている。
ウェーハ11の表面11a側には、このウェーハ11よりも径の大きい保護部材13が貼付される。保護部材13としては、例えば、樹脂等の材料でなる粘着テープが用いられる。保護部材13の外周部分は、ステンレスやアルミニウム等でなる環状のフレーム15に固定される。ウェーハ11は、上述した複数の分割予定ラインに沿って予め複数のデバイスチップに分割されており、保護部材13を介してフレーム15に支持された状態(すなわち、裏面11b側が露出した状態)でカセット8に収容される。
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハ11を用いるが、ウェーハ11の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなるウェーハ11を用いることもできる。また、デバイスの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
図1に示すように、カセット支持台6の後方には、フレーム15に支持されるウェーハ11の搬送をガイドするための第1ガイド機構10が設けられている。第1ガイド機構10は、互いに接近、離隔する一対のガイドレール10a,10bを含む。各ガイドレール10a,10bは、概ね水平な支持面と、支持面に対して概ね垂直な挟持面と、を有している。
ガイドレール10aとガイドレール10bとの間には、フレーム15を把持して前後に移動する第1搬送ユニット12が配置されている。第1搬送ユニット12によって、カセット8に収容されているフレーム15が把持され、ガイドレール10a,10bの支持面へと引き出される。なお、フレーム15をカセット8から引き出す際には、カセット支持台6でカセット8の高さを調整するとともに、ガイドレール10a,10bを互いに離隔させておく。
フレーム15をガイドレール10a,10bへと引き出した後には、このガイドレール10a,10bを互いに接近させる。その結果、フレーム15は、ガイドレール10a,10bの挟持面によって挟まれ、フレーム15に支持されるウェーハ11が所定の位置に合わせられる。
第1ガイド機構10を含む領域の上方には、ウェーハ11を支持するフレーム15を保持して搬送する第2搬送ユニット14が配置されている。また、第1ガイド機構10の側方には、光や熱等の刺激(外的刺激)を付与することで硬化してダイボンド用の接着剤となる液状の樹脂(液状樹脂)をウェーハ11の裏面11b側に塗布して乾燥させる第1塗布乾燥ユニット(液状樹脂塗布部)16が設けられている。
第1塗布乾燥ユニット16は、ウェーハ11を吸引、保持するチャックテーブル(待機部)18を含む。チャックテーブル18は、例えば、モーター等の回転駆動源(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。チャックテーブル18の上面は、ウェーハ11を吸引、保持するための保持面になっている。保持面は、チャックテーブル18の内部に設けられている吸引路(不図示)等を介してエジェクタ(不図示)等の吸引源に接続されている。
チャックテーブル18の上方には、液状の樹脂を霧状にして噴射するノズルユニット(塗布ユニット)20が設けられている。例えば、第2搬送ユニット14によって第1ガイド機構10から搬出されたウェーハ11は、裏面11b側が上方に露出するようにチャックテーブル18に載せられる。
その後、吸引源の負圧をチャックテーブル18の保持面に作用させる。これにより、ウェーハ11は、チャックテーブル18に吸引、保持される。そして、チャックテーブル18を回転させて、ノズルユニット20から液状の樹脂を下方に噴射すると、ウェーハ11の裏面11b側に液状の樹脂が塗布される。なお、ノズルユニット20から液状の樹脂を噴射する間に、必ずしもチャックテーブル18を回転させなくて良い。すなわち、チャックテーブル18を回転させなくとも、液状の樹脂を塗布することが可能である。
ウェーハ11の裏面11b側に液状の樹脂を塗布した後には、例えば、チャックテーブル18が、このウェーハ11を保持した状態で待機する。これにより、ウェーハ11の裏面11b側に塗布された液状の樹脂は、重力等の作用で平坦化される。また、液状の樹脂は、徐々に乾燥し、更に液状の樹脂を重ねて塗布する場合にも形状が変化し難くなる。
このように、第1塗布乾燥ユニット16のチャックテーブル18には、ウェーハ11を保持して待機することでウェーハ11に塗布された液状の樹脂の平坦性を高めながら液状の樹脂を乾燥させるという機能がある。なお、待機の時間は、液状の樹脂の粘度や材質、塗布される厚み(塗布量)等の条件に応じて設定される。上述した処理の後に、ウェーハ11は、例えば、第2搬送ユニット14によって第1ガイド機構10へと搬送される。
第1ガイド機構10の後方には、フレーム15に支持されるウェーハ11の搬送をガイドするための第2ガイド機構22が設けられている。第2ガイド機構22の基本的な構造は、第1ガイド機構10と同じである。すなわち、第2ガイド機構22は、互いに接近、離隔する一対のガイドレール22a,22bを含む。各ガイドレール22a,22bは、概ね水平な支持面と、支持面に対して概ね垂直な挟持面と、を有している。
第2ガイド機構22を含む領域の上方には、ウェーハ11を支持するフレーム15を保持して搬送する第3搬送ユニット24が配置されている。また、第2ガイド機構22の側方、且つ第1塗布乾燥ユニット16の後方には、光や熱等の刺激(外的刺激)を付与することで硬化してダイボンド用の接着剤となる液状の樹脂(液状樹脂)をウェーハ11の裏面11b側に塗布して乾燥させる第2塗布乾燥ユニット(液状樹脂塗布部)26が設けられている。
第2塗布乾燥ユニット26の基本的な構造は、第1塗布乾燥ユニット16と同じである。すなわち、第2塗布乾燥ユニット26は、ウェーハ11を吸引、保持するチャックテーブル(待機部)28を含む。チャックテーブル28は、例えば、モーター等の回転駆動源(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
チャックテーブル28の上面は、ウェーハ11を吸引、保持するための保持面になっている。保持面は、チャックテーブル28の内部に設けられている吸引路(不図示)等を介してエジェクタ(不図示)等の吸引源に接続されている。チャックテーブル28の上方には、液状の樹脂を霧状にして噴射するノズルユニット(塗布ユニット)30が設けられている。
例えば、ウェーハ11を支持するフレーム15は、上述した第1搬送ユニット12によってガイドレール10a,10bからガイドレール22a,22bの支持面へと引き出される。なお、フレーム15をガイドレール22a,22bの支持面へと引き出す際には、ガイドレール22a,22bを互いに離隔させておく。
フレーム15をガイドレール22a,22bへと引き出した後には、このガイドレール22a,22bを互いに接近させる。その結果、フレーム15は、ガイドレール22a,22bの挟持面によって挟まれ、フレーム15に支持されるウェーハ11が所定の位置に合わせられる。
例えば、第3搬送ユニット24によって第2ガイド機構22から搬出されたウェーハ11は、裏面11b側が上方に露出するようにチャックテーブル28に載せられる。その後、吸引源の負圧をチャックテーブル28の保持面に作用させる。これにより、ウェーハ11は、チャックテーブル28に吸引、保持される。
そして、チャックテーブル28を回転させて、ノズルユニット30から液状の樹脂を下方に噴射すると、ウェーハ11の裏面11b側に液状の樹脂が塗布される。なお、ノズルユニット30から液状の樹脂を噴射する間に、必ずしもチャックテーブル28を回転させなくて良い。
ウェーハ11の裏面11b側に液状の樹脂を塗布した後には、例えば、チャックテーブル28が、このウェーハ11を保持した状態で待機する。これにより、ウェーハ11の裏面11b側に塗布された液状の樹脂は、重力等の作用で平坦化される。また、液状の樹脂は、徐々に乾燥し、更に液状の樹脂を重ねて塗布する場合にも形状が変化し難くなる。
このように、第2塗布乾燥ユニット26のチャックテーブル28にも、ウェーハ11を保持して待機することでウェーハ11に塗布された液状の樹脂の平坦性を高めながら液状の樹脂を乾燥させるという機能がある。上述した処理の後に、ウェーハ11は、例えば、第3搬送ユニット24によって第2ガイド機構22へと搬送される。
第2ガイド機構22の更に後方には、ウェーハ11の裏面11b側に塗布され、ある程度まで乾燥させた液状の樹脂に、光や熱等の刺激(外的刺激)を付与して硬化させる硬化ユニット(硬化部)32が設けられている。本実施形態では、液状の樹脂を硬化させるための刺激として紫外線を照射する硬化ユニット32が使用される。ただし、硬化ユニット32の具体的な機能や構造等は、液状の樹脂の材質等に応じて変更できる。
ウェーハ11を支持するフレーム15が第2ガイド機構22へと搬送された後には、このフレーム15を第1搬送ユニット12でスライドさせて硬化ユニット32に搬入する。そして、ウェーハ11の裏面11b側に塗布されている液状の樹脂に対して硬化ユニット32で紫外線を照射する。その結果、液状の樹脂が硬化して、ダイボンド用の接着剤として機能する樹脂層(ダイボンド用樹脂層)が形成される。
カセット支持台6、第1ガイド機構10、第1搬送ユニット12、第2搬送ユニット14、第1塗布乾燥ユニット16、第2ガイド機構22、第3搬送ユニット24、第2塗布乾燥ユニット26、硬化ユニット32等には、制御ユニット34が接続されている。制御ユニット34は、ウェーハ11の裏面11b側に平坦性の高いダイボンド用の樹脂層を形成できるように、各構成要素の動作を制御する。
次に、上述したダイボンド用樹脂層形成装置2を用いて行われるダイボンド用樹脂層形成方法の例を説明する。本実施形態に係るダイボンド用樹脂層形成方法では、まず、ウェーハ11の裏面11b側に液状の樹脂を塗布する第1塗布ステップを行う。図3は、第1塗布ステップでウェーハ11の裏面11b側に液状の樹脂17が塗布される様子を模式的に示す一部断面側面図である。
第1塗布ステップでは、例えば、第1ガイド機構10に支持されているウェーハ11を第2搬送ユニット14で搬送し、第1塗布乾燥ユニット16のチャックテーブル18に載せる。この時、ウェーハ11の裏面11b側が上方に露出するように、ウェーハ11の表面11a側に貼付されている保護部材13をチャックテーブル18の保持面に接触させる。次に、チャックテーブル18の保持面に吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ11は、保護部材13を介してチャックテーブル18に吸引、保持される。
チャックテーブル18でウェーハ11を吸引、保持した後には、このチャックテーブル18を回転させて、ノズルユニット20から液状の樹脂17を下方に噴射する。その結果、ウェーハ11の裏面11b側に液状の樹脂17が塗布され、液状の樹脂17でなる液状の樹脂層19(図4(A)等参照)が形成される。ただし、上述のように、チャックテーブル18を回転させなくとも、液状の樹脂17を塗布して液状の樹脂層19を形成することは可能である。
なお、本実施形態では、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型の樹脂を液状の樹脂17として用いる。ただし、液状の樹脂17としては、紫外線以外の波長の光や熱等の刺激(外的刺激)を付与することで硬化する樹脂を用いることもできる。また、液状の樹脂17の塗布量に特段の制限はないが、本実施形態では、液状の樹脂層19の厚みが5μm~7μm程度となるように液状の樹脂17の塗布量を調整する。
第1塗布ステップの後には、ウェーハ11に形成された液状の樹脂層19の平坦性を高めながらこの液状の樹脂層19を乾燥させる第1待機ステップを行う。図4(A)は、第1待機ステップで液状の樹脂層19の平坦性を高めながら液状の樹脂層19を乾燥させる様子を模式的に示す一部断面側面図であり、図4(B)は、図4(A)の一部を拡大した拡大図である。
ウェーハ11の裏面11b側に塗布される液状の樹脂17の粘度は比較的高いので、液状の樹脂17を塗布して液状の樹脂層19を形成した直後には、液状の樹脂層19の表面に凹凸が存在する可能性が高い。表面に凹凸が存在する状態で液状の樹脂層19を硬化させてしまうと、十分に平坦な樹脂層が得られなくなる。また、表面に凹凸が存在する状態で、この液状の樹脂層19の上に更に液状の樹脂17を塗布すると、新たに塗布された液状の樹脂17の表面に、より大きな凹凸が形成されてしまう。
そこで、本実施形態では、ウェーハ11の裏面11b側に液状の樹脂17を塗布して液状の樹脂層19を形成した後に、このウェーハ11を保持した状態のチャックテーブル18を待機させる。待機の時間は、液状の樹脂17の粘度や材質、塗布される厚み(塗布量)等の条件に応じて設定されるが、好ましくは1分以上、より好ましくは3分以上とする。これにより、ウェーハ11の裏面11b側に形成された液状の樹脂層19は、重力等の作用によって平坦化される。
また、液状の樹脂層19は、徐々に乾燥し、更に液状の樹脂17を重ねて塗布する場合にも形状が変化し難くなる。なお、所定の時間の待機が終了した後には、チャックテーブル18によるウェーハ11の吸引、保持を解除して、第2搬送ユニット14でウェーハ11を第1ガイド機構10へと搬送する。
第1待機ステップの後には、乾燥させた液状の樹脂層19の表面に更に液状の樹脂17を塗布する第2塗布ステップを行う。第2塗布ステップは、上述した第1塗布ステップと同様の処理を、第2塗布乾燥ユニット26で行う。
具体的には、例えば、第1ガイド機構10に支持されているウェーハ11を、第1搬送ユニット12で第2ガイド機構22へと搬送する。また、第2ガイド機構22に支持されているウェーハ11を、第3搬送ユニット24で搬出し、第2塗布乾燥ユニット26のチャックテーブル28に載せる。
この時、ウェーハ11の裏面11b側に形成されている液状の樹脂層19が上方に露出するように、ウェーハ11の表面11a側に貼付されている保護部材13をチャックテーブル28の保持面に接触させる。次に、チャックテーブル28の保持面に吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ11は、保護部材13を介してチャックテーブル28に吸引、保持される。
チャックテーブル28でウェーハ11を吸引、保持した後には、このチャックテーブル28を回転させて、ノズルユニット30から液状の樹脂17を下方に噴射する。その結果、ウェーハ11の裏面11b側には、更に液状の樹脂17が塗布され、既に形成されている液状の樹脂層19の上に別の液状の樹脂層19が形成される。
なお、上述した第1待機ステップでは、第1塗布ステップで形成された液状の樹脂層19をある程度まで乾燥させているので、第2塗布ステップで形成される液状の樹脂層19と第1塗布ステップで形成された液状の樹脂層19とが混ざり合うことは殆どない。よって、第2塗布ステップで形成される液状の樹脂層19と第1塗布ステップで形成された液状の樹脂層19とが混ざり合って平坦性が低下することもない。
第2塗布ステップの後には、ウェーハ11に形成された液状の樹脂層19の平坦性を高めながらこの液状の樹脂層19を乾燥させる第2待機ステップを行う。第2待機ステップは、上述した第1待機ステップと同様の処理を、第2塗布乾燥ユニット26のチャックテーブル28で行う。
すなわち、第2塗布ステップでウェーハ11の裏面11b側に液状の樹脂17を塗布して別の液状の樹脂層19を形成した後に、ウェーハ11を保持した状態でチャックテーブル28を待機させる。これにより、第2塗布ステップでウェーハ11の裏面11b側に形成された新たな液状の樹脂層19は、重力等の作用によって平坦化される。
また、第2塗布ステップで形成された液状の樹脂層19は、徐々に乾燥し、更に液状の樹脂17を重ねて塗布する場合にも形状が変化し難くなる。なお、所定の時間の待機が終了した後には、チャックテーブル28によるウェーハ11の吸引、保持を解除して、第3搬送ユニット24でウェーハ11を第2ガイド機構22へと搬送する。
第2待機ステップの後には、ウェーハ11の裏面11b側に形成されている液状の樹脂層19に紫外線を照射して、この液状の樹脂層19を硬化させる硬化ステップを行う。図5は、硬化ステップで液状の樹脂層19を硬化させる様子を模式的に示す一部断面側面図である。
図5に示すように、硬化ユニット32は、例えば、内部に処理用の空間(処理室)を有する筐体36を備えている。筐体36の空間内には、ウェーハ11を保持するチャックテーブル38と、フレーム15を支持する支持レール40とが配置されている。チャックテーブル38の上方には、紫外線を下方に放射する複数の光源42が設けられている。
硬化ステップでは、例えば、第2ガイド機構22に支持されているフレーム15を第1搬送ユニット12でスライドさせて硬化ユニット32に搬入する。具体的には、ウェーハ11の裏面11b側が上方に露出するように、ウェーハ11の表面11a側に貼付されている保護部材13をチャックテーブル38の上面に接触させる。また、フレーム15を支持レール40に支持させる。
次に、複数の光源42からウェーハ11の裏面11b側に向けて紫外線を放射する。これにより、ウェーハ11の裏面11b側に設けられている液状の樹脂層19が紫外線によって硬化し、ダイボンド用の接着剤として機能する樹脂層(ダイボンド用樹脂層)21が形成される。液状の樹脂層19を硬化させて樹脂層21を形成した後には、例えば、このウェーハ11を支持するフレーム15を第1搬送ユニット12で搬送し、カセット8に収容すれば良い。
以上のように、本実施形態に係るダイボンド用樹脂層形成装置2は、ウェーハ11に液状の樹脂(液状樹脂)17を塗布する第1塗布乾燥ユニット(液状樹脂塗布部)16及び第2塗布乾燥ユニット(液状樹脂塗布部)26と、ウェーハ11に形成された液状の樹脂層19の平坦性を高めながら液状の樹脂層19を乾燥させるチャックテーブル(待機部)18及びチャックテーブル(待機部)28と、チャックテーブル(待機部)18又はチャックテーブル(待機部)28で乾燥させた液状の樹脂層19を硬化させてダイボンド用の接着剤として機能する樹脂層(ダイボンド用樹脂層)21を形成する硬化ユニット(硬化部)32と、を備えている。
そのため、第1塗布乾燥ユニット16又は第2塗布乾燥ユニット26でウェーハ11の裏面11b側に液状の樹脂17を塗布し、チャックテーブル18又はチャックテーブル28で液状の樹脂層19の平坦性を高めながら液状の樹脂層19を乾燥させ、その後、硬化ユニット32で液状の樹脂層19を硬化させることにより、平坦性の高いダイボンド用の樹脂層32をウェーハ11の裏面11b側に形成できる。
なお、本発明は、上記実施形態等の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、第1塗布乾燥ユニット16のチャックテーブル18と、第2塗布乾燥ユニット26のチャックテーブル28とを用いて、ウェーハ11に形成された液状の樹脂層19の平坦性を高めながらこの液状の樹脂層19を乾燥させているが、ウェーハ11を待機させる待機部として機能する別のテーブル等をダイボンド用樹脂層形成装置2に設けることもできる。
また、上記実施形態のダイボンド用樹脂層形成方法では、第2塗布ステップ及び第2待機ステップを実施する際に、第1塗布乾燥ユニット16を使用しない。このように、第1塗布乾燥ユニット16及び第2塗布乾燥ユニット26の一方を使用しない期間には、第1塗布乾燥ユニット16及び第2塗布乾燥ユニット26の他方を用いて、別のウェーハ11の裏面11b側に液状の樹脂17を塗布しても良い。
すなわち、第2塗布乾燥ユニット26のノズルユニット30で液状の樹脂17が塗布された後のウェーハ11を第2塗布乾燥ユニット26のチャックテーブル28で保持して待機し、液状の樹脂層19を乾燥させる間に、第1塗布乾燥ユニット16のノズルユニット(塗布ユニット)20で別のウェーハ11に液状の樹脂17を塗布することができる。
同様に、第1塗布乾燥ユニット16のノズルユニット20で液状の樹脂17が塗布された後のウェーハ11を第1塗布乾燥ユニット16のチャックテーブル18で保持して待機し、液状の樹脂層19を乾燥させる間に、第2塗布乾燥ユニット26のノズルユニット30で別のウェーハ11に液状の樹脂17を塗布することができる。
また、上記実施形態のダイボンド用樹脂層形成方法では、第1塗布乾燥ユニット16及び第2塗布乾燥ユニット26でそれぞれ1回ずつ液状の樹脂17を塗布し、2層の液状の樹脂層19を形成しているが、液状の樹脂17を塗布する回数に特段の制限はない。例えば、液状の樹脂17を塗布する回数は、1回でも良いし、3回以上でも良い。
また、上記実施形態のダイボンド用樹脂層形成方法では、第1塗布乾燥ユニット16を用いて液状の樹脂層19を形成した後に、第2塗布乾燥ユニット26を用いて別の液状の樹脂層19を形成しているが、第1塗布乾燥ユニット16及び第2塗布乾燥ユニット26の一方のみを用いて複数の液状の樹脂層19を形成することもできる。この場合には、第1塗布乾燥ユニット16及び第2塗布乾燥ユニット26の他方を用いて、別のウェーハ11に液状の樹脂層19を形成すると良い。
また、硬化ステップの直前に行われる最後の待機ステップ(上記実施形態では、第2待機ステップ)は、省略されても良い。最後に形成される液状の樹脂層19の表面に液状の樹脂17が塗布されることはなく、最後の待機ステップを省略したとしても、樹脂層21の平坦性に対する悪影響はそれほど大きくならないためである。
なお、この場合には、ウェーハ11に液状の樹脂17を塗布した回数に応じて、制御ユニット34が、チャックテーブル18又はチャックテーブル28で液状の樹脂層19を乾燥させるか、硬化ユニット32で液状の樹脂層19を硬化させるか、を選択することになる。
更に、上記実施形態では、ダイボンド用樹脂層形成装置2に2組の塗布乾燥ユニット(第1塗布乾燥ユニット16及び第1塗布乾燥ユニット26)を設けているが、本発明のダイボンド用樹脂層形成装置に設けられる塗布乾燥ユニット(液状樹脂塗布部)は、1組でも良いし、3組以上でも良い。
また、上記実施形態では、ウェーハ11よりも径の大きい保護部材13をウェーハ11の表面11a側に貼付しているが、ウェーハ11と同程度の径の保護部材をウェーハ11の表面11a側に貼付することもできる。図6は、変形例に係るウェーハ11等の構成例を模式的に示す斜視図である。
図6に示すように、この変形例では、ウェーハ11と同程度の径の保護部材23がウェーハ11の表面11a側に貼付される。なお、この変形例では、樹脂等の材料でなる粘着テープの他に、任意の材料でなる基板等を保護部材13として用いることができる。ウェーハ11は、上記実施形態と同じで良い。
ところで、図6に示すように、ウェーハ11と同程度の径の保護部材23をウェーハ11の表面11a側に貼付する場合には、ウェーハ11をフレーム15で支持することができない。この場合には、ウェーハ11と同程度の径の支持板にウェーハ11を重ねて、この支持板でウェーハ11を支持すると良い。図7(A)は、支持板25にウェーハ11を重ねる様子を模式的に示す斜視図であり、図7(B)は、支持板25にウェーハ11を重ねる様子を模式的に示す一部断面側面図である。
図7(A)に示すように、支持板25は、ステンレスやアルミニウム等でなる環状の枠部27と、枠部27の内側に配置される通気部29と、を含む。枠部27の外径は、ウェーハ11や保護部材23の径と同程度である。通気部29は、例えば、多孔質材によって構成され、エアーを通過する。なお、多孔質材等を用いずに、枠部27の開口そのものを通気部29としても良い。
支持板25にウェーハ11を重ねる際には、図7(B)に示すように、まず、支持板25をチャックテーブル52の上面に載せる。チャックテーブル52は、円盤状の枠体54を含んでいる。枠体54の上面には、平面視で円形の凹部54aが設けられている。凹部54aには、多孔質材でなる円盤状の保持板56が配置されている。
保持板56は、枠体54の内部に設けられている吸引路54b等を介してエジェクタ(不図示)等の吸引源に接続されている。よって、保持板56の上面に吸引源の負圧を作用させることができる。凹部54a及び保持板56の径は、枠部27の内径及び通気部29の径と同程度である。
支持板25をチャックテーブル52の上面に載せた後には、ウェーハ11の裏面11b側を搬送パッド58等で吸引、保持して、表面11a側に貼付されている保護部材23を支持板25の上面に接触させる。図8(A)は、支持板25にウェーハ11が重ねられた状態を模式的に示す斜視図であり、図8(B)は、支持板25にウェーハ11が重ねられた状態を模式的に示す一部断面側面図である。
なお、図8(A)及び図8(B)に示すように、支持板25にウェーハ11を重ねた状態で吸引源の負圧を保持板56の上面に作用させると、ウェーハ11は、保護部材23及び支持板25を介してチャックテーブル52に吸引、保持される。
図9(A)、図9(B)、及び図9(C)は、ウェーハ11を支持板25とともに搬送する様子を模式的に示す一部断面側面図である。図9(A)、図9(B)、及び図9(C)に示すように、ウェーハ11を支持板25とともに搬送する際には、支持板25の下面側を保持できる構造の搬送ハンド60を使用する。搬送ハンド60は、支持板25を下面側から保持できる形状の複数の爪62を有している。各爪62は、支持板25の径方向に沿って移動する。
搬送ハンド60でウェーハ11を支持板25とともに搬送する際には、図9(A)に示すように、まず、搬送ハンド60をウェーハ11及び支持板25の上方に移動させるとともに、各爪62をウェーハ11や支持板25の外側に位置付ける。その後、搬送ハンド60を下降させて、各爪62の先端部を支持板25より下方に移動させる。
次に、図9(B)に示すように、各爪62を支持板25の径方向に沿って内向きに移動させ、各爪62の先端部を平面視で支持板25に重ねる。そして、図9(C)に示すように、搬送ハンド60を上昇させる。これにより、複数の爪62で支持板25を保持してウェーハ11とともに搬送できる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
2 ダイボンド用樹脂層形成装置
4 基台
6 カセット支持台
8 カセット
10 第1ガイド機構
10a,10b ガイドレール
12 第1搬送ユニット
14 第2搬送ユニット
16 第1塗布乾燥ユニット(液状樹脂塗布部)
18 チャックテーブル(待機部)
20 ノズルユニット(塗布ユニット)
22 第2ガイド機構
22a,22b ガイドレール
24 第3搬送ユニット
26 第2塗布乾燥ユニット(液状樹脂塗布部)
28 チャックテーブル(待機部)
30 ノズルユニット(塗布ユニット)
32 硬化ユニット(硬化部)
34 制御ユニット
36 筐体
38 チャックテーブル
40 支持レール
42 光源
52 チャックテーブル
54 枠体
54a 凹部
54b 吸引路
56 保持板
58 搬送パッド
60 搬送ハンド
62 爪
11 ウェーハ
11a 表面
11b 裏面
13 保護部材
15 フレーム
17 液状の樹脂(液状樹脂)
19 樹脂層
21 樹脂層(ダイボンド用樹脂層)
23 保護部材
25 支持板
27 枠部
29 通気部

Claims (3)

  1. 複数の分割予定ラインで区画された表面側の複数の領域にデバイスが形成されるとともに、該表面側に保護部材が貼付され該分割予定ラインに沿って分割されたウェーハの裏面側にダイボンド用樹脂層を形成するダイボンド用樹脂層形成装置であって、
    該裏面側が露出するように該ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの該裏面側に液状樹脂を塗布する塗布ユニットと、を含む液状樹脂塗布部と、
    該液状樹脂塗布部で該液状樹脂が塗布された該ウェーハを保持して1分以上待機することにより該ウェーハに塗布された該液状樹脂の平坦性を高めながら該液状樹脂を乾燥させる待機部と、
    該待機部で乾燥させた該液状樹脂に外的刺激を付与し、該液状樹脂を硬化させてダイボンド用樹脂層を形成する硬化部と、
    該液状樹脂塗布部又は該待機部と該硬化部との間で該ウェーハを搬送する搬送ユニットと、
    該液状樹脂塗布部での該液状樹脂の塗布と該待機部での該待機による該液状樹脂の乾燥とを繰り返すとともに、該ウェーハに該液状樹脂を塗布した回数に応じて、該待機部での該待機により該液状樹脂を乾燥させるか、該待機部での該待機により該液状樹脂を乾燥させずに該硬化部で該液状樹脂を硬化させるかを選択する制御ユニットと、を備えることを特徴とするダイボンド用樹脂層形成装置。
  2. 該搬送ユニットは、該ウェーハを支持する支持板を下面側から保持できる形状の複数の爪を有する搬送ハンドを含むことを特徴とする請求項1に記載のダイボンド用樹脂層形成装置。
  3. 該液状樹脂塗布部は、それぞれ該チャックテーブル及び該塗布ユニットを含む第1液状樹脂塗布部と第2液状樹脂塗布部とを有し、
    該第1液状樹脂塗布部の該チャックテーブルと該第2液状樹脂塗布部の該チャックテーブルとは、該待機部としても使用され、
    該第1液状樹脂塗布部の該塗布ユニットで該液状樹脂が塗布された後の該ウェーハを該第1液状樹脂塗布部の該チャックテーブルで保持して待機し、該液状樹脂を乾燥させた後に、該第2液状樹脂塗布部の該塗布ユニットで該ウェーハに該液状樹脂を更に塗布することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のダイボンド用樹脂層形成装置。
JP2017215843A 2017-11-08 2017-11-08 ダイボンド用樹脂層形成装置 Active JP7062330B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017215843A JP7062330B2 (ja) 2017-11-08 2017-11-08 ダイボンド用樹脂層形成装置
US16/181,840 US20190139928A1 (en) 2017-11-08 2018-11-06 Die bonding resin layer forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017215843A JP7062330B2 (ja) 2017-11-08 2017-11-08 ダイボンド用樹脂層形成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019087673A JP2019087673A (ja) 2019-06-06
JP7062330B2 true JP7062330B2 (ja) 2022-05-06

Family

ID=66328833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017215843A Active JP7062330B2 (ja) 2017-11-08 2017-11-08 ダイボンド用樹脂層形成装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20190139928A1 (ja)
JP (1) JP7062330B2 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007048958A (ja) 2005-08-10 2007-02-22 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2011233577A (ja) 2010-04-23 2011-11-17 Shibaura Mechatronics Corp 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2017041574A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017183378A (ja) 2016-03-29 2017-10-05 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品の実装装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6231956B2 (ja) * 2014-08-11 2017-11-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2018125479A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007048958A (ja) 2005-08-10 2007-02-22 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2011233577A (ja) 2010-04-23 2011-11-17 Shibaura Mechatronics Corp 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2017041574A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017183378A (ja) 2016-03-29 2017-10-05 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品の実装装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190139928A1 (en) 2019-05-09
JP2019087673A (ja) 2019-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6475519B2 (ja) 保護部材の形成方法
KR102450305B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP6914587B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2017079291A (ja) ウエーハの加工方法
KR102445608B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP7071782B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2010089109A (ja) レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP7108492B2 (ja) 保護部材形成装置
TWI829950B (zh) 保護構件形成方法及保護構件形成裝置
JP7187112B2 (ja) キャリア板の除去方法
TW201308414A (zh) 被加工物之研削方法
KR102379433B1 (ko) 피가공물의 절삭 가공 방법
JP6621338B2 (ja) 被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法
JP7062330B2 (ja) ダイボンド用樹脂層形成装置
JP6837717B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2018198241A (ja) ウェーハの加工方法
JP6401988B2 (ja) 加工装置及びウエーハの加工方法
JP7132710B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP5847411B2 (ja) ダイボンダ及び半導体製造方法
JP2013187281A (ja) 被加工物の加工方法
JP2022021912A (ja) 保護部材形成装置
JP2013110202A (ja) ワーク貼り合わせ方法
JP2022020286A (ja) 保護部材形成装置で用いるシート、及び保護部材形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200914

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210826

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211102

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220419

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220419

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7062330

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150